JP2000151013A

JP2000151013A - 光送受信集積素子

Info

Publication number: JP2000151013A
Application number: JP10323922A
Authority: JP
Inventors: Tomokazu Mukohara; 智一向原; Akihiko Kasukawa; 秋彦粕川
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1998-11-13
Filing date: 1998-11-13
Publication date: 2000-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】コンパクトで低コスト、かつ検出感度に優
れ、低消費電力の光送受信集積素子を提供する。【解決手段】半導体から成る共通基板２上に、半導体
レーザ構造４と、所定の波長の光を検出する受光構造６
が離間して配置され、半導体レーザ構造４はレーザの出
射端面４ａとこれに平行な後端面４ｂを備え、受光構造
６の受光端面６ａは後端面４ｂと対向し、出射端面４
ａ、後端面４ｂ、及び受光端面６ａには、上記した所定
の波長の光の反射率が最小である反射膜１０、１１が形
成され、反射膜１０、１１は、それぞれ異なる屈折率を
有する少なくとも２種類の誘電体膜を積層して成ってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光集積回路に関し、
さらに詳しくは、半導体基板上に半導体レーザ構造と受
光構造が集積された光送受信集積素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】マルチメディア社会に向けて、光ファイ
バ通信網のさらなる大容量化、高機能化や低コスト化が
要求されている。特に、各家庭へ接続される末端の光フ
ァイバ網には、低コストで双方向伝送を可能とするため
の送受信用光デバイスが必要となっている。

【０００３】このような要望に答えるため、共通基板上
に受信素子と光送信素子をモノリシックに集積した光集
積回路（ＰＩＣ）が提案されている。この技術は、各素
子間をボンディングワイヤ等で接続する必要がなく、ま
た半導体製造技術を用いて基板上に直接素子を膜成長さ
せることができるため、デバイスのコンパクト化と低コ
スト化を達成できる。さらに、素子の小型化によって、
デバイスの消費電力の低減や信頼性向上を図ることもで
き、上記の用途に最適なものとして期待されている。

【０００４】ところで、光ファイバを用いて双方向伝送
を行う際、伝送損失の少ない波長として、１．３μｍと
１．５５μｍの光を使用することが考えられており、こ
の場合に用いる送受信デバイスとして、従来図７に示す
ものが提案されている（H. Nakajima et al., Electron
ics Lett., Vol.32, No.5, p.473, 1996）。このデバイ
スは、基板上にＤＦＢレーザ１００とフォトダイオード
１０２を形成して構成され、外部の光ファイバ１１０の
端面にＤＦＢレーザ１００が対向し、フォトダイオード
１０２と光ファイバ１１０の間にＤＦＢレーザ１００が
位置している。そして、ＤＦＢレーザ１００は光ファイ
バ１１０に１．３μｍの光を送信し、フォトダイオード
１０２は光ファイバ１１０から伝送される１．５５μｍ
の光を検出している。

【０００５】ここで、ＤＦＢレーザ１００から発振され
る１．３μｍの光はフォトダイオード１０２の方向へも
伝送され、その受光部で雑音として検出されてクロスト
ークを発生させる。そのため、ＤＦＢレーザ１００とフ
ォトダイオード１０２の間には、レーザ光（１．３μ
ｍ）の吸収領域１０４が介装されている。この吸収領域
１０４は半導体積層構造から成り、所定の逆バイアス電
圧が印加されて１．３μｍの光を減衰させている。

【０００６】このデバイスを用い、144Ｍｂ／ｓでレー
ザ発振光を変調して光ファイバに送信し、同時に光ファ
イバから伝送される155Ｍｂ／ｓの光信号をフォトダイ
オードで検出した場合、上記吸収領域の作用によってク
ロストークが低減され、受信感度は−２１．５ｄＢｍに
向上することが示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たデバイスには次のような問題がある。まず、第１の問
題は、吸収領域を基板上に設置する分、デバイスのコン
パクト化が妨げられるとともに、この吸収領域にバイア
ス電圧を印加する必要があるため、デバイス全体の消費
電力が上昇するという問題である。

【０００８】第２の問題は、このデバイスに用いるＤＦ
Ｂレーザは高速変調が可能であるものの、素子の構造
上、端面での反射率を大きくすることができず、しきい
値電流が高くなってしまうという欠点があり（この従来
例ではしきい値電流値：約９ｍＡ、効率：０．１９Ｗ／
Ａ）、この点でもデバイスの消費電力の上昇を引き起こ
すことである。

【０００９】本発明は、上記の先行技術における問題を
解決し、レーザ光の吸収領域を不要として素子のコンパ
クト化、低コスト化を図り、さらに、受光時のクロスト
ーク低減と検出感度の向上、及び消費電力の低減が可能
な光送受信集積素子の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、請求項１に記載の本発明においては、半導体か
ら成る共通基板上に、半導体レーザ構造と、所定の波長
の光を検出する受光構造が離間して配置され、前記半導
体レーザ構造はレーザの出射端面とこれに平行な後端面
を備え、前記受光構造の受光端面は前記後端面と対向
し、前記出射端面、前記後端面、及び前記受光端面に
は、前記波長の光の反射率が最小である反射膜が形成さ
れ、前記反射膜は、それぞれ異なる屈折率を有する少な
くとも２種類の誘電体膜を積層して成ることを特徴とす
る光送受信集積素子が提供される。

【００１１】好ましくは、請求項２に記載の発明のよう
に、反射膜は、屈折率ｎ₁の第１の誘電体膜と屈折率ｎ₂
の第２の誘電体膜を交互に積層して成り（但し、ｎ₁＜
ｎ₂）、受光構造が検出する光の波長をλとしたとき、
前記第１の誘電体膜の膜厚はλ／（４ｎ₁）またはλ／
（２ｎ₁）であり、前記第２の誘電体膜の膜厚はλ／
（４ｎ₂）であることを特徴とする光送受信集積素子が
提供される。

【００１２】

【作用】半導体レーザ構造の出射端面、後端面、及び受
光構造の受光端面に、受光構造が検出する光の波長の反
射率が最小となる反射膜が形成されているので、レーザ
発振光は各端面で反射されて受光構造に到達しなくなる
とともに、受光構造が検出する波長の光は各端面で反射
されずに受光部に入射し、クロストーク低減及び感度向
上が図られる。

【００１３】また、レーザ素子内で発生した光は、レー
ザ構造の両端でこの反射膜によって多重反射されるの
で、レーザのしきい値電流の低減が図られる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１及び図２に基づいて詳細に説明する。図１において、
本発明の光送受信集積素子１は、ｎ型ＩｎＰ半導体から
成る共通基板２上に、間隔Ｇを有して半導体レーザ構造
４と受光構造６とを備え、さらに詳細は後述する反射膜
１０、１１を備えている。

【００１５】半導体レーザ構造４はレーザの出射端面４
ａとこれに平行な後端面４ｂを備え、受光構造６の受光
端面６ａは後端面４ｂと対向している。基板２の端面と
出射端面４ａ、及び基板２の端面と受光端面６ａに平行
な後端面６ｂはそれぞれ面一になっている。半導体レー
ザ構造４の活性層４２、受光構造６の光吸収層６２は、
素子１の外部に配置された光ファイバ２０の光軸Ａの延
長線上に配置され、半導体レーザ構造４から発振された
１．３μｍの光は光ファイバ２０に送信され、光ファイ
バ２０から出射された１．５５μｍの光はフォトダイオ
ードである受光構造６によって検出される。

【００１６】半導体レーザ構造４の素子構造は断面図２
に示すようになっていて、基板２上にｎ型ＩｎＰから成
るクラッド層４０が積層され、その上に歪み量子井戸構
造を有するＩｎＧａＡｓＰ活性層４２とｐ型ＩｎＰから
成るクラッド層４４がこの順に積層されたストライプメ
サが形成されている。この活性層４２は、それぞれＩｎ
ＧａＡｓＰから成る井戸層と障壁層が積層されて構成さ
れ、井戸層は不整合に成長しているため歪みを含んでい
る。また、ストライプの長手方向は光軸Ａの方向と一致
している。前記ストライプメサ以外の基板２の上には、
ｐ型ＩｎＰから成るブロック層４５がメサの高さより低
い高さに積層されている。さらにその上には、ｎ型Ｉｎ
Ｐから成るブロック層４６がメサと面一になるように積
層され、ストライプメサ及び上記ブロック層４６の上に
は、ｐ型ＩｎＰから成るクラッド層４７が積層されてい
る。さらに、その上にｐ型ＩｎＧａＡｓから成るコンタ
クト層４８が形成され、その上に図示しない電極が形成
されている。

【００１７】受光構造６の素子構造は図１に示すように
なっていて、基板２上にｎ型ＩｎＰから成るクラッド層
６０が積層され、その上にはＩｎＧａＡｓから成る光吸
収層６２が形成されている。この光吸収層６２は、その
禁制帯幅に応じて所定の波長光を入射すると、光エネル
ギを電気信号に変換するという特性を有している。さら
にその上にはｐ型ＩｎＰから成るクラッド層６４が形成
され、該クラッド層６４の上にはｐ型ＩｎＧａＡｓから
成るコンタクト層６８が形成され、その上に図示しない
電極が形成されている。

【００１８】上記のレーザ構造４、受光構造６は、例え
ばＭＯＣＶＤ法やＭＯＭＢＥ法によって形成することが
でき、また、これらの間の間隔Ｇは、化学エッチングや
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）によって、
レーザ構造４と受光構造６の間に端面を形成して作製す
ることができる。次に、本発明の反射膜について詳細に
説明する。図１に示すように、レーザの出射端面４ａに
は反射膜１０が形成され、この反射膜は端面４ａと面一
な基板２の端面まで延びている。一方、後端面４ｂ及び
受光端面６ａにはそれぞれ反射膜１１が形成されてい
る。そして、後述するように、反射膜１０及び１１は受
光構造が検出する波長（＝１．５５μｍ）の光の反射率
が最小となるよう、それぞれ異なる屈折率を有する少な
くとも２種類の誘電体膜を適宜積層して成っている。

【００１９】一般に、入射光の波長λ、膜の屈折率ｎに
対してλ／（４ｎ）の膜厚を有する単層膜を用いると、
所定波長の光の反射率を低くすることが知られている。
この場合、波長λの光において、膜の表面で反射された
光と、膜と基板の界面で反射された光の位相が反対とな
るので、これらの光は打ち消され波長λの光の反射率が
低くなる。つまり、この光の透過率は高くなっている。

【００２０】本発明では、所定波長の光の反射率を実質
的に０とする一方、他の波長の光の反射率をさらに高く
するため、このような単層膜ではなく、それぞれ異なる
屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体膜を積層した
反射膜を用いている。但し、屈折率が同一な膜同士が隣
接すると、これらの膜は１つの膜として機能してしま
い、膜厚が変化することになるので、屈折率が同一な膜
が隣接しないように各誘電体膜を積層させる必要があ
る。

【００２１】誘電体膜としては、例えば、屈折率ｎ₁＝
１．４５を示すＳｉＯ₂、ｎ₂＝１．９を示すＳｉＮ、ｎ
₃＝３．１を示すＳｉをそれぞれ用いることができる。
また、誘電体膜の形成は、例えば、プラズマＣＶＤ（以
下、「Ｐ−ＣＶＤ」という）を用いて行うことができ
る。ここで、誘電体膜を積層する態様（組み合わせ）
は、必要とする膜の透過特性に応じて所定の計算を行う
ことによって求めることができるが、例えば、２種類の
誘電体膜を交互に積層すればよい。図３は、このような
構成を有する反射膜１０、１１を示している。

【００２２】図３において、反射膜１０は、屈折率ｎ₁
の第１の誘電体膜２０と屈折率ｎ₂の第２の誘電体膜３
０が１層ずつ交互に積層されて成り（但し、ｎ₁＜
ｎ₂）、反射膜１１は、第１の誘電体膜２０と第２の誘
電体膜３０が３層ずつ交互に積層されて成っている。こ
のように、屈折率がｎ₁及びｎ₂の２種類の誘電体膜を用
いるのは、これらの膜を適宜組み合せることにより、波
長λの光のみ反射率を実質的に０とし、その他の波長光
を高反射率で反射させるためである。

【００２３】ここで反射膜１０において、第１の誘電体
膜２０の膜厚はλ／（２ｎ₁）であり、第２の誘電体膜
３０の膜厚はλ／（４ｎ₂）となっている。また、反射
膜１１において、第１の誘電体膜２０のうち中央に位置
する膜２０ａの膜厚はλ／（２ｎ₁）であり、外側に位
置する膜２０ｂ、２０ｂの膜厚はそれぞれλ／（４
ｎ₁）となっている。そして、第２の誘電体膜３０の膜
厚はλ／（４ｎ₂）となっている。膜厚λ／（４ｎ）の
膜を用いるのは、上述のように、波長λの光の反射率を
低下させるためであり、膜厚λ／（２ｎ）の膜を用いる
のは、膜厚λ／（４ｎ）の膜と適宜組み合せることによ
って、反射膜に所定の反射特性を付与するためである。

【００２４】なお、反射膜１０においては、出射端面４
ａ側に屈折率ｎ₁の誘電体膜２０が成膜され、外側に屈
折率ｎ₂の誘電体膜３０が成膜されている。また、同様
に、反射膜１１においても、後端面４ｂ（受光端面６
ａ）側に屈折率ｎ₁の誘電体膜２０（２０ｂ）が成膜さ
れ、外側に屈折率ｎ₂の誘電体膜３０が成膜されてい
る。このように、半導体の端面側に低屈折率（ｎ₁）の
膜を成膜し、外側に高屈折率（ｎ₂）の膜を成膜する
と、半導体の端面における受信光の反射率が低くなる一
方、レーザ発振光の反射率を高くすることが可能とな
る。

【００２５】次に、これらの反射膜１０、１１の特性を
計算で求めた結果を図４に示す。屈折率ｎ₁＝１．４
５、ｎ₂＝１．９とした場合、１．５５μｍの光の反射
率は反射膜１０、１１ともに０％であるが、１．３μｍ
の光の反射率は、反射膜１０では約３４％に、反射膜１
１では約７０％になっている、つまり、誘電体膜を適宜
組み合せて積層することにより、１．５５μｍの光の反
射率を０にするとともに、レーザ発振光（１．３μｍ）
の反射率を変えることができる。

【００２６】

【実施例】実施例１図１で示した素子構造を有する光送受信集積素子を、Ｍ
ＯＣＶＤを用いて図５、図６に示す製造方法に従って製
造した。図５（ａ）で示したように、まず、ｎ型ＩｎＰ
半導体から成る共通基板２を所定のＭＯＣＶＤ成長装置
のサセプタ上に設置し、基板温度を６００℃程度に保持
する。

【００２７】Ｉｎのソースとしてトリメチルインジウム
（ＴＭＩ）を飽和蒸気として含んだキャリアガス
（Ｈ₂）を、ＰのソースとしてＰＨ₃を用い、ｎ型ドーパ
ントのソースとしてセレン化水素（Ｈ₂Ｓｅ）を用い、
ｎ型ＩｎＰから成るクラッド層６０（４０）を２μｍの
膜厚で成長させる。そして、この上に、上述したＩｎの
ソースに加えて、Ｇａのソースとしてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）を飽和蒸気として含んだキャリアガス（Ｈ
₂）を、ＡｓのソースとしてＡｓＨ₃を用い、ＩｎＧａＡ
ｓから成る光吸収層６２を３μｍの膜厚で成長させる。

【００２８】さらに、上述したＩｎのソース、Ｐのソー
スに加えて、ｐ型ドーパントのソースとしてジメチルジ
ンク（ＤＭＺ）を用い、ｐ型ＩｎＰから成るクラッド層
６４を０．５μｍの膜厚で成長させる。そして、クラッ
ド層６４表面の所定領域にＳｉＮから成るマスキングパ
ターンＭを形成する。次に、クラッド層６４から下層に
向かって反応性イオンビームエッチングを行い、パター
ンＭを形成していない領域について、クラッド層６０
（４０）の表層に至るまでの深さの部分を除去する（図
５（ｂ））。

【００２９】そして、この部分に、上述したＩｎ、Ｇ
ａ、Ａｓ、及びＰのソースを用い、ＩｎＧａＡｓＰから
成る（量子井戸型）活性層４２を０．３μｍの膜厚で成
長させる。その上に、クラッド層６４と同様にしてｐ型
ＩｎＰから成るクラッド層４４を０．５μｍの膜厚で成
長させる。さらにその上には、ストライプメサを形成さ
せる領域にＳｉＮから成るマスキングパターンＭを形成
する（図５（ｃ））。

【００３０】次に、クラッド層４４から下層に向かって
反応性イオンビームエッチングを行い、パターンＭを形
成していない領域について、基板２の表層に至るまでの
深さの部分を除去して、ストライプメサを形成する（図
５（ｄ））。なお、このメサの高さは、クラッド層６４
の表面より低くなっている。さらに、基板２の表出部分
に、クラッド層４４と同様にしてｐ型ＩｎＰから成るブ
ロック層４５をクラッド層４４の表面より低い高さに形
成し、その上に、クラッド層４０と同様にしてｎ型Ｉｎ
Ｐから成るブロック層４６をクラッド層４４と面一に成
長させる。さらにその上に、クラッド層４４と同様にし
てｐ型ＩｎＰから成るクラッド層４７をクラッド層６４
と面一に２μｍの膜厚で成長させる（図５（ｅ））。

【００３１】最後に、上述のＩｎ、Ｇａ、Ａｓのソー
ス、及びｐ型ドーパントを用い、クラッド層４７、６４
の上に、ｐ型ＩｎＧａＡｓから成るコンタクト層４８
（６８）を０．３μｍの膜厚で成長させる。このレーザ
構造と受光構造は、界面Ｓを介して接している。次に、
図６に示すように、レーザ構造と受光構造の間に間隔Ｇ
を形成し、各端面に反射膜１０、１１を成長させる。

【００３２】まず、間隔Ｇを形成させる部分を除去す
る。すなわちレーザ構造と受光構造となる領域の最表面
にＳｉＮから成るマスキングパターンＭを形成し、ＣＨ
₄／Ｈ₂／Ａｒから成るガスを用いて、最表面から下層に
向かって反応性イオンビームエッチングＥを行い、基板
２の表層に至るまでの深さの部分を除去し、間隔Ｇを形
成する（図６（ａ））。そして、レーザ構造４をへき開
して出射端面４ａを形成する。

【００３３】次に、この素子をＰ−ＣＶＤ装置に設置す
る。この際、レーザの出射端面４ａと受光端面６ａにＳ
ｉ（記号Ｆ）が直接触れるよう、素子の上面はＰ−ＣＶ
Ｄ装置の電極と所定の角度をなしていて、これらの端面
に膜が成長できるようになっている。まず、Ｎ₂Ｏとモ
ノシランの希釈体を用いてＳｉＯ₂膜を端面に成膜し、
ＳｉＯ₂膜の上にＮ₂とモノシランを用いてＳｉＮ膜を成
膜して、出射端面４ａに反射膜１０を形成する。次に、
Ｎ₂Ｏとモノシランの希釈体を用いてＳｉＯ₂膜を成膜
し、ＳｉＯ₂膜の上にモノシランを用いてＳｉ膜を成膜
する工程を３回繰り返し、受光端面６ａに反射膜１１を
形成する（図６（ｂ））。

【００３４】次いで、レーザの後端面４ｂにＳｉ（記号
Ｆ）が直接触れるように素子の向きを変え、同様にして
後端面４ｂに反射膜１１を成長させる。最後に図示しな
い電極をレーザ構造４及び受光構造６の最表面に形成す
る。このようにして得られた光送受信素子は、出射端面
４ａには、図３（ａ）に示すように、ＳｉＯ₂から成る
第１の誘電体膜２０とＳｉＮから成る第２の誘電体膜３
０が１層ずつ交互に積層された反射膜１０が形成されて
いる。一方、後端面４ｂ及び受光端面６ａには、図３
（ｂ）に示すように、ＳｉＯ₂から成る第１の誘電体膜
２０（２０ａ、２０ｂ）とＳｉから成る第２の誘電体膜
３０が３層ずつ交互に積層された反射膜１１が形成され
ている。反射膜１０における第１の誘電体膜２０の膜厚
はλ／（２ｎ₁）、第２の誘電体膜３０の膜厚はλ／
（４ｎ₂）である。また、反射膜１１における第１の誘
電体膜２０のうち、中央に位置する膜２０ａの膜厚はλ
／（２ｎ₁）、外側に位置する膜２０ｂ、２０ｂの膜厚
はそれぞれλ／（４ｎ₁）であり、第２の誘電体膜３０
の膜厚はλ／（４ｎ₂）である。

【００３５】この場合、反射膜１０において、１．５５
μｍの光の反射率は０％、１．３μｍの光の反射率は約
３４％であり、反射膜１１においては、１．５５μｍの
光の反射率は０％、１．３μｍの光の反射率は約９７％
となっている。この素子は、レーザのしきい値電流が５
ｍＡであり、検出感度は０．８Ｗ／Ａとなっており、い
ずれの値も従来の素子に比べて優れたものとなった。

【００３６】実施例２実施例１と同様にして、誘電体膜３０をＳｉＮからＳｉ
に代えて反射膜１０を形成した。この反射膜１０におい
ては、１．５５μｍの光の反射率は０％、１．３μｍの
光の反射率は約９０％となっている。この素子は、レー
ザのしきい値電流が２ｍＡであり、検出感度は０．８Ｗ
／Ａとなっており、いずれの値も従来の素子に比べて優
れたものとなった。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よればレーザ光の吸収領域が不要となるので、従来の光
送受信素子に比べて素子のコンパクト化、低コスト化を
達成することができる。さらに、レーザの出射端面、後
端面、及び受光端面には、レーザ発振光を高い反射率で
反射する膜が形成され、レーザ光を次々に反射させるの
で、レーザ光は受光構造に入射せず、クロストークを防
止することができる。

【００３８】また、この反射膜は受信光の反射率が低い
特性を有するため、受信光は各端面で反射されることな
く受光構造に入射し、検出感度を向上させることができ
る。さらに、この反射膜は、レーザ素子内で発生した光
をレーザの出射端面と後端面で多重反射させるので、レ
ーザのしきい値電流が低下し、素子の消費電力を低減さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光送受信素子の構造の一例を示す断面
図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

【図３】反射膜の構造の一例を示す部分拡大断面図であ
る。

【図４】反射膜の特性を示すグラフである。

【図５】本発明の光送受信素子の製造方法の一例を示す
工程図である。

【図６】本発明の光送受信素子に間隔Ｇと反射膜を形成
する方法の一例を示す工程図である。

【図７】従来の光送受信素子の構造を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１光送受信素子２基板４レーザ構造４ａレーザの出射端面４ｂ後端面６受光構造６ａ受光端面１０、１１反射膜２０光ファイバ４０、４４、６０、６４クラッド層４２活性層６２光吸収層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H047 KA04 MA05 MA07 NA04 QA02 RA08 TA01 TA23 TA43 TA44 5F049 MA03 MB07 NA19 NB01 NB10 SZ01 SZ03 SZ04 SZ07 SZ08 WA01 5F073 AA22 AA83 AB21 BA01 CA12 CB02 CB20 DA05 DA25 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体から成る共通基板上に、半導体レ
ーザ構造と、所定の波長の光を検出する受光構造が離間
して配置され、前記半導体レーザ構造はレーザの出射端面とこれに平行
な後端面を備え、前記受光構造の受光端面は前記後端面
と対向し、前記出射端面、前記後端面、及び前記受光端面には、前
記波長の光の反射率が最小である反射膜が形成され、前記反射膜は、それぞれ異なる屈折率を有する少なくと
も２種類の誘電体膜を積層して成ることを特徴とする光
送受信集積素子。
【請求項２】前記反射膜は、屈折率ｎ₁の第１の誘電
体膜と屈折率ｎ₂の第２の誘電体膜を交互に積層して成
り（但し、ｎ₁＜ｎ₂）、受光構造が検出する光の波長を
λとしたとき、前記第１の誘電体膜の膜厚はλ／（４ｎ₁）またはλ／
（２ｎ₁）であり、前記第２の誘電体膜の膜厚はλ／（４ｎ₂）であること
を特徴とする請求項１に記載の光送受信集積素子。