JP2000149854A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム装置

Info

Publication number
JP2000149854A
JP2000149854A JP10314495A JP31449598A JP2000149854A JP 2000149854 A JP2000149854 A JP 2000149854A JP 10314495 A JP10314495 A JP 10314495A JP 31449598 A JP31449598 A JP 31449598A JP 2000149854 A JP2000149854 A JP 2000149854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
processing
charged particle
particle beam
host computer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10314495A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Doi
利夫 土井
Masaji Muramatsu
正司 村松
Hiroshi Matsumura
浩 松村
Toshiaki Fujii
利昭 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP10314495A priority Critical patent/JP2000149854A/ja
Priority to TW88118972A priority patent/TW469713B/zh
Priority to PCT/JP1999/006123 priority patent/WO2000028572A1/ja
Publication of JP2000149854A publication Critical patent/JP2000149854A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホストコンピュータの負荷を軽減することに
より、円滑な処理が可能な荷電粒子ビーム装置を提供す
ること。 【解決手段】 集束イオンビーム装置101は、工場の
LAN109とLAN接続されると共に、ホストコンピ
ュータ102、電界によってイオンビームのフォーカス
や倍率を制御する光学系制御部103、イオン源の位置
合わせを行う光軸制御部104、試料室を真空雰囲気に
する真空排気部105、試料を載置してビームの照射位
置に移動する試料ステージ106、試料を試料ステージ
106に運ぶ試料搬送装置107は、バスライン108
に接続され、分散制御が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビームを
使用して、試料の観察や加工等の処理を行う荷電粒子ビ
ーム装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、電子源やイオン源からの荷電
粒子ビームを使用して、試料の観察、微細加工等の処理
を行う荷電粒子ビーム装置が、半導体の不良解析処理、
製造プロセスのモニタリング処理、加工処理等に使用さ
れている。図2は、荷電粒子ビーム装置の一種である集
束イオンビーム装置の一般的な概略構成図である。図2
において、集束イオンビーム装置は、イオン源201、
コンデンサレンズ202、ビームブランキング電極20
3、可動絞り204、非点補正電極205、対物レンズ
206、走査電極207、2次電子検出器208、ガス
銃209、試料ステージ210によって構成されてい
る。イオン源201からのイオンを集束したイオンビー
ムを、試料ステージ210に載置した試料211上で走
査し、これによって発生する2次電子を2次電子検出器
208で検出する。これにより、試料211の像(SI
M像)のデータを収集処理して、試料211を観察し、
試料211の不良解析処理等を行なうことができる。ま
た、集束したイオンビームを試料211に照射すること
により、試料211のエッチング加工処理を行なうこと
が可能で又、ガス銃209からのガスを利用して、デポ
ジション処理を行うことが可能である。
【0003】図3は、従来の集束イオンビーム装置のブ
ロック図である。図3において、集束イオンビーム装置
は、試料の観察や加工等の処理を行う際の指示の入力や
収集したデータの解析処理あるいは試料の画像表示等を
行うホストコンピュータ301を備えており又、処理要
素として、図2のコンデンサレンズ202、ビームブラ
ンキング電極203、可動絞り204、非点補正電極2
05、対物レンズ206、走査電極207を制御するこ
とにより、電界によってイオンビームを制御してフォー
カスや倍率を制御する光学系制御部302、イオン源用
ステージ(図示せず)に配設したイオン源201の軸合
わせや可動絞り204の位置合わせをアクチュエータや
圧電素子により行う光軸制御部303、試料が配設され
る試料室を真空雰囲気にする真空排気部304、試料を
載置してビームの照射位置に移動する試料ステージ30
5、試料211を試料ステージ305に運ぶ試料搬送装
置306を備えている。前記各処理要素は、中央処理装
置(CPU)を備えている。
【0004】以上のように構成された集束ビーム装置に
おいて、一例として、試料を試料室に搬入して所定位置
にセットする場合の動作を説明すると、先ず操作者は、
試料をセットする旨の指示をホストコンピュータ301
に入力する。ホストコンピュータ301は、前記指示入
力に応答して、真空排気部304に指示信号を出力す
る。真空排気部304は、ホストコンピュータ301か
らの指示信号に応答して、予備試料室を大気にして、予
備試料室の扉を開く。次に、ホストコンピュータ301
は、真空排気部304の前記処理が完了すると、試料搬
送装置306に指示信号を出力し、試料搬送装置306
は前記指示信号に応答して、試料を予備試料室に搬入す
る。ホストコンピュータ301は、試料搬送装置306
の前記処理が完了すると、真空排気部304に指示信号
を出力し、真空排気部304は前記指示信号に応答して
予備試料室を真空排気する。次に、ホストコンピュータ
301は、前記真空排気部304の処理が完了すると、
光学系制御部302に指示信号を出力し、光学系制御部
302は前記指示信号に応答して、試料室内の光学制御
用高電圧が真空劣化に伴って放電することを防止するた
めに、前記高電圧をオフ状態に制御する。
【0005】次に、ホストコンピュータ301は、光学
系制御部302の前記処理が完了すると、真空排気部3
04に指示信号を出力し、真空排気部304は前記指示
信号に応答して、試料室と予備試料室間のバルブを解放
し、これにより、試料室と予備試料室が接続される。次
に、ホストコンピュータ301は、真空排気部304の
前記処理が完了すると、試料ステージ305に指示信号
を出力し、試料ステージ305は前記指示信号に応答し
て、試料の受け渡し位置に移動する。次に、ホストコン
ピュータ301は、試料ステージ305の前記処理が完
了すると、試料搬送装置306に指示信号を出力し、試
料搬送装置306は前記指示信号に応答して、試料を予
備試料室から試料室の試料ステージ305に移動させ
る。
【0006】次に、ホストコンピュータ301は、試料
搬送装置306の前記処理が完了すると、試料ステージ
305に指示信号を出力し、試料ステージ305は前記
指示信号に応答して移動し、これにより、試料がイオン
ビームの照射位置まで移動する。次に、ホストコンピュ
ータ301は、試料ステージ305の前記処理が完了す
ると、真空排気部304に指示信号を出力し、真空排気
部304は前記指示信号に応答して試料室と予備試料室
間のバルブを閉じ、これにより、試料室と予備試料室が
分離される。最後に、ホストコンピュータ301は、真
空排気部304の前記処理が完了すると、光学系制御部
302に指示信号を出力し、光学系制御部302は前記
指示信号に応答して、試料室内の光学制御用高電圧が復
帰して、前述した一連の試料セット処理が完了する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記各処理要素の動作
は、ホストコンピュータ301が集中制御しているた
め、ホストコンピュータ301が試料の画像データを処
理する場合等の負荷の大きい処理を行っている場合に
は、各処理要素の制御を行うことができず、観察や加工
等を処理する能力が劣化してしまうという問題があっ
た。また、集束イオンビーム装置に限らず、電子顕微鏡
等の荷電粒子ビームを使用した荷電粒子ビーム装置にお
いても前記同様の問題があった。
【0008】本発明は、ホストコンピュータの負荷を軽
減することにより、円滑な処理が可能な荷電粒子ビーム
装置を提供することを課題としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子ビーム
装置は、指示入力に応答して処理開始信号を出力するホ
ストコンピュータ、試料に照射するための荷電粒子ビー
ムを発生する荷電粒子ビーム源、前記試料に対して前記
処理開始信号に応じた処理を行う複数の処理要素を備
え、前記ホストコンピュータ及び前記各処理要素はLA
N接続されていることをことを特徴としている。ホスト
コンピュータ及び各処理要素はLAN接続され、試料に
対する分散処理が行われる。
【0010】前記処理要素として、前記荷電粒子ビーム
のフォーカス合わせを行う光学系制御部と、試料室を真
空雰囲気に制御する真空排気部とを備えるように構成し
てもよく、さらに、可動絞りの位置合わせを行う光軸制
御部と、前記試料を載置する試料ステージと、前記試料
を前記試料ステージに搬送する試料搬送装置とを備える
ように構成してもよい。また、前記ホストコンピュータ
及び前記各構成要素間では暗号化した信号を送受信する
と共に他のLANに接続されるように構成してもよい。
さらにまた、前記荷電粒子ビーム装置は、集束イオンビ
ーム装置や走査電子顕微鏡とすることが可能である。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
る荷電粒子ビーム装置のブロック図で、集束イオンビー
ム装置の例を示している。図1において、荷電粒子ビー
ム装置としての集束イオンビーム装置(FIB)101
は工場から離れた測定室に配設され、他のLANとして
の工場のLAN(Local Area Network)109に、TC
P/IP(Transmission Control Protocol/Internet
Protocol)によってLAN接続されている。
【0012】集束イオンビーム装置101は、試料の観
察や加工等の処理を行う際の指示の入力や収集したデー
タの解析処理あるいは試料の画像表示等を行うホストコ
ンピュータ102を備えており又、その処理要素とし
て、図2のコンデンサレンズ202、ビームブランキン
グ電極203、可動絞り204、非点補正電極205、
対物レンズ206、走査電極207を制御することによ
り、電界によってイオンビームを制御してフォーカスや
倍率を制御する光学系制御部103、可動絞り204の
位置合わせをアクチュエータ等により行う光軸制御部1
04、試料が配設される試料室を真空雰囲気にする真空
排気部105、試料を載置してビームの照射位置に移動
する試料ステージ106、試料を試料ステージ106に
運ぶ試料搬送装置107を備えている。尚、前記処理要
素としては、光学系制御部103及び試料が配設される
試料室を真空雰囲気にする真空排気部105は必須の構
成要素であるが、他の処理要素は、必要に応じて随時用
いるようにすることができる。尚、光軸制御部104
は、必要に応じて、アクチュエータや圧電素子により、
イオン源用ステージ(図示せず)に配設したイオン源2
01の軸合わせも行うようにすることごできる。
【0013】各処理要素はCPUを有すると共にバスラ
イン108に接続されており、TCP/IPを用いて、
IEEE802.3に準拠したCSMA/CD(Carrie
r Sense Multiple Access with Collision Detection)
方式でLAN接続されている。ホストコンピュータ10
2及び前記各処理要素103〜107には各固有の識別
(ID)コードが付与され又、バスライン108を介し
てホストコンピュータ102及び前記各処理要素103
〜107間で送受信される信号には前記IDコードが含
まれるように構成されており、バスライン108上の信
号に含まれる前記IDコードを判別することにより、自
己宛の信号か否かを判別する。また、後述するように、
バスライン108を介して送受信する信号は、ホストコ
ンピュータ102及び前記各処理要素103〜107間
でのみ判読できるように暗号化されている。
【0014】以上のように構成された集束ビーム装置に
おいて、一例として、試料を試料室に搬入して所定位置
にセットする場合の動作を説明すると、先ず、操作者
は、試料をセットする旨の指示信号をホストコンピュー
タ102に入力する。ホストコンピュータ301は、前
記指示入力に応答して、真空排気部105のIDコード
を含む指示信号をバスライン108に出力する。真空排
気部105は、バスライン108に送信されたホストコ
ンピュータ301からの指示信号を受信し、その信号に
含まれるIDコードを判別して、自己宛の指示信号であ
ることを認識し、これに応答して、予備試料室を大気に
して、予備試料室の扉を開く。真空排気部105は、前
記処理を完了すると、次の処理ステップを担う試料搬送
装置107に処理を移行するために、試料搬送装置10
7のIDコードを含む信号をバスライン108に出力す
る。試料搬送装置107は、バスライン108に送信さ
れた真空排気部105からの指示信号を受信し、その信
号に含まれるIDコードを判別して、自己宛の指示信号
であることを認識し、これに応答して、試料を予備試料
室に搬入する。試料搬送装置107は、前記処理を完了
すると、次の処理ステップを担う真空排気部105のI
Dコードを含む信号をバスライン108に出力する。以
後、各構成要素は、上記同様にして、バスライン108
上の信号が自己宛の信号か否かをIDコードにより判別
し、自己宛の信号であれば処理を行い、処理が完了する
と、次のステップを担う構成要素のIDコードを含む信
号をバスライン108に出力する。即ち、試料搬送装置
107が処理を完了して、真空排気部105のIDコー
ドを含む信号がバスライン108に出力されると、真空
排気部105は前記信号に応答して、予備試料室を真空
排気し、前記処理が完了すると、光学系制御部103の
IDコードを含む信号をバスライン108に出力する。
【0015】光学系制御部103は、真空排気部105
からの信号を受信して、試料室内の光学制御用高電圧が
真空劣化に伴って放電することを防止するために前記高
電圧をオフ状態に制御処理し、前記処理が完了すると、
真空排気部105のIDコードを含む信号をバスライン
108に出力する。光学系制御部103からの信号を受
信して真空排気部105は、試料室と予備試料室間のバ
ルブを解放して試料室と予備試料室を接続し、前記処理
が完了すると、試料ステージ106のIDコードを含む
信号をバスライン108に出力する。
【0016】真空排気部105からの信号を受信して、
試料ステージ106が試料の受け渡し位置に移動し、前
記処理が完了すると、試料搬送装置107のIDコード
を含む信号をバスライン108に出力する。試料ステー
ジ106からの信号を受信して試料搬送装置107は、
試料を予備試料室から試料室の試料ステージ106に移
動させ、前記処理が完了すると、試料ステージ106の
IDコードを含む信号をバスライン108に出力する。
試料搬送装置107からの信号を受信して試料ステージ
106は移動し、試料がイオンビームの照射位置に移動
する。試料ステージ106は前記移動処理が完了する
と、真空排気部105のIDコードを含む信号をバスラ
イン108に出力する。
【0017】次に、真空排気部105において、試料ス
テージ106からの信号を受信して、試料室と予備試料
室間のバルブが閉じられ、これにより、試料室と予備試
料室が分離される。前記バルブを閉じる処理が完了する
と、真空排気部105は、光学系制御部103のIDコ
ードを含む信号をバスライン108に出力する。最後
に、光学系制御部103において、真空排気部105か
らの信号を受信して、試料室内の光学制御用高電圧を復
帰させ、ホストコンピュータ102のIDコードを含む
信号をバスライン102に出力する。これにより、一連
の試料搬入処理が完了する。以上のように、前記各処理
要素103〜107は分散処理されるため、ホストコン
ピュータ102は前記各処理要素を集中制御する必要が
ない。したがって、その負荷が軽減され、ホストコンピ
ュータ102によって画像データ処理等の負荷の大きな
処理を行いながら、他の処理要素103〜107で前記
試料搬入処理や加工処理等の他の処理を行うことが可能
になる。
【0018】一方、ホストコンピュータ102及び各処
理要素103〜107がバスライン108を介して送受
信する信号は、ホストコンピュータ102及び各処理要
素103〜107の有するソフトウェアでのみエンコー
ド及びデコードが可能な暗号化された信号で構成されて
いる。LAN109内の装置は前記暗号化された信号を
解析する機能を有しないため、前記信号を受信しても解
読できず、該装置にとっては単に意味のない情報にな
る。逆に、工場のLAN109内で使用される信号は暗
号化された特有の信号ではないため、集束イオンビーム
装置101のホストコンピュータ102及び各処理要素
103〜107は、LAN109側で使用する信号を受
け付けないように動作する。これにより、LAN109
の各装置と集束イオンビーム装置101は、相互に使用
する信号体系が異なるため、相互に影響を与えることが
ない。したがって、集束イオンビーム装置101の処理
が次の制御に移行する際に、バスライン108に指示信
号等の各種信号を出力した場合でも、工場側のLAN1
09が誤動作することがない。
【0019】逆に、工場側のLAN109で使用するコ
マンド等の信号が集束イオンビーム装置101側に伝達
されたで場合にも、集束イオンビーム装置101が誤動
作することを防止できる。また、LAN109側から集
束イオンビーム装置101側にアクセスすることを制限
できるため、ホストコンピュータ102内に配設された
ハードディスク等の記憶装置(図示せず)に保存してい
る画像データ等の各種データの機密性を保持できる。
尚、特定の権限を有するものは、工場LAN109及び
集束イオンビーム装置101の双方で受付け可能な特定
のIDコードを含む信号を使用することにより、工場L
AN109から集束イオンビーム装置101へ、あるい
は逆に、集束イオンビーム装置101のホストコンピュ
ータ102から工場LAN109側へアクセスできるよ
うにすることも可能である。
【0020】以上述べたように、本実施の形態において
は、集束イオンビーム装置101のホストコンピュータ
102及び各処理要素103〜107をLAN接続して
いるので、ホストコンピュータ102は各処理要素10
3〜107を集中制御する必要がなく、その負荷が軽減
される。したがって、ホストコンピュータ102によっ
て画像データ処理等の負荷の大きな処理を行いながら、
他の処理要素103〜107で前記試料搬入処理、観察
処理あるいは加工処理等の他の処理を行うことが可能に
なる。また、ホストコンピュータ102及び各処理要素
103〜107がバスライン108を介して送受信する
信号は、これらのみが解読できるように暗号化すると共
に、LAN109側で使用する信号は受け付けないよう
にすることにより、集束イオンビーム装置101と工場
側LAN109の各処理要素は、相互に影響を与えるこ
とがなく、誤動作を防止することができる。さらに、工
場LAN109側から集束イオンビーム装置101側に
アクセスすることを制限できるため、ホストコンピュー
タ102内に配設されたハードディスク等の記憶装置
(図示せず)に保存している画像データ等の各種データ
の機密性を保持できる。
【0021】尚、本実施の形態は集束イオンビーム装置
の例で説明したが、荷電粒子ビームとして電子ビームを
使用する電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置にも適用す
ることが可能である。また、処理の例として試料をセッ
トする例を説明したが、試料の画像データを収集する処
理、前記画像データを解析する処理、試料を加工する処
理場等、荷電粒子ビーム装置を構成する処理要素の組み
合わせ応じて行われる各種処理が含まれる。さらに、L
AN構成する場合に、電気ケーブルにより構成すること
が可能であるが、光ファイバを用いてLAN構成するこ
とにより、荷電粒子ビーム装置内に含まれる高電圧電源
の放電によって発生する雑音の影響を回避することが可
能になる。また、ビーム制御等には高精度なアナログ回
路や微少信号増幅回路が用いられるため極力、雑音の影
響を受けないような回路構成が必要となるが、光ファイ
バを用いることにより、グランドループによる雑音の影
響を抑制することが可能になる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、ホストコンピュータの
負荷を軽減することができ、円滑な処理が可能になる。
また、荷電粒子ビーム装置を他のLANに接続した場合
に、前記荷電粒子ビーム装置内では、暗号化した信号を
相互に伝送するように構成することにより、荷電粒子ビ
ーム装置と他のLANは相互に影響を与えることがな
く、誤動作を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のブロック図である。
【図2】一般的な集束イオンビーム装置の概略構成図で
ある。
【図3】従来の集束イオンビーム装置のブロック図であ
る。
【符号の説明】
101・・・荷電粒子ビーム装置としての集束イオンビ
ーム装置 102・・・ホストコンピュータ 103・・・処理要素としての光学系制御部 104・・・処理要素としての光軸制御部 105・・・処理要素としての真空排気部 106・・・処理要素としての試料ステージ 107・・・処理要素としての試料搬送装置 108・・・バスライン 109・・・他のLANとしての工場LAN
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 浩 千葉県千葉市美浜区中瀬1丁目8番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 藤井 利昭 千葉県千葉市美浜区中瀬1丁目8番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 Fターム(参考) 2H097 BA01 BA02 BA06 CA11 DB07 KA28 LA10 5C033 UU02 UU03 5C034 AA02 AA04 AA09 AB03 AB04 DD06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 指示入力に応答して処理開始信号を出力
    するホストコンピュータ、試料に照射するための荷電粒
    子ビームを発生する荷電粒子ビーム源、前記試料に対し
    て前記処理開始信号に応じた処理を行う複数の処理要素
    を備え、 前記ホストコンピュータ及び前記各処理要素はLAN接
    続されていることをことを特徴とする荷電粒子ビーム装
    置。
  2. 【請求項2】 前記処理要素として、前記荷電粒子ビー
    ムのフォーカス合わせを行う光学系制御部と、試料室を
    真空雰囲気に制御する真空排気部とを備えて成ることを
    特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム装置。
  3. 【請求項3】 前記処理要素として、可動絞りの位置合
    わせを行う光軸制御部と、前記試料を載置する試料ステ
    ージと、前記試料を前記試料ステージに搬送する試料搬
    送装置とを備えて成ることを特徴とする請求項2記載の
    荷電粒子ビーム装置。
  4. 【請求項4】 前記ホストコンピュータ及び前記各構成
    要素間では暗号化した信号を送受信すると共に他のLA
    Nに接続されていることを特徴とする請求項1、2又は
    3記載の荷電粒子ビーム装置。
  5. 【請求項5】 前記荷電粒子ビーム装置は、集束イオン
    ビーム装置又は走査電子顕微鏡であることを特徴とする
    請求項1、2、3又は4記載の荷電粒子ビーム装置。
JP10314495A 1998-11-05 1998-11-05 荷電粒子ビーム装置 Pending JP2000149854A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10314495A JP2000149854A (ja) 1998-11-05 1998-11-05 荷電粒子ビーム装置
TW88118972A TW469713B (en) 1998-11-05 1999-11-01 Charged particle beam device
PCT/JP1999/006123 WO2000028572A1 (fr) 1998-11-05 1999-11-02 Appareil pour produire un faisceau de particules chargees

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10314495A JP2000149854A (ja) 1998-11-05 1998-11-05 荷電粒子ビーム装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000149854A true JP2000149854A (ja) 2000-05-30

Family

ID=18053996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10314495A Pending JP2000149854A (ja) 1998-11-05 1998-11-05 荷電粒子ビーム装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2000149854A (ja)
TW (1) TW469713B (ja)
WO (1) WO2000028572A1 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62126536A (ja) * 1985-11-27 1987-06-08 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置用制御装置
JPH0676784A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Nissin Electric Co Ltd イオン注入制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000028572A1 (fr) 2000-05-18
TW469713B (en) 2001-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1028452B1 (en) Scanning electron microscope
US7157703B2 (en) Electron beam system
EP3021347A1 (en) Charged Particle Microscope with barometric pressure correction
JPH05343019A (ja) 荷電粒子線装置およびその観察方法
US20070057185A1 (en) Electron beam device and its control method
WO2021078445A1 (en) Method of determining aberrations in images obtained by a charged particle beam tool, method of determining a setting of a charged particle beam tool, and charged particle beam tool
US9741525B1 (en) Charged-particle microscope with astigmatism compensation and energy-selection
EP3401943B1 (en) Innovative image processing in charged particle microscopy
JPS63231856A (ja) 電子顕微鏡等の制御方法
JP2000149854A (ja) 荷電粒子ビーム装置
TWI743718B (zh) 可調整帶電粒子射束分離器及使用多射束系統檢測晶圓之方法
US7020152B1 (en) Network system for controlling independent access to stored data among local area networks
JPH10134751A (ja) 環境制御型の走査型電子顕微鏡
JPH07122619A (ja) 半導体ウエハの搬送方法
JPH05266849A (ja) インテリジェント試料ホルダ及びそれを利用した荷電ビーム装置
US11398365B1 (en) Positioning samples for microscopy, inspection, or analysis
JPH1049788A (ja) ガス圧力及びガス漏出感知システム
EP4107770A1 (en) Tool for testing an electron-optical assembly
WO2018073192A1 (en) A vent valve system
TW202105438A (zh) 具有單光束模式之多光束檢測設備
JP4229610B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置、及びその制御方法
WO2019213000A1 (en) Array-based characterization tool
JPH07130322A (ja) 走査形電子顕微鏡の装置制御装置
JPH10199466A (ja) イオンビーム加工観察装置
Clampitt et al. A high resolution TEM specimen thinning system