JP2000149789A

JP2000149789A - 陰極線管の製造方法

Info

Publication number: JP2000149789A
Application number: JP10322339A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Sasayama; 伸夫笹山; Shinobu Mihashi; 忍三橋
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-11-12
Filing date: 1998-11-12
Publication date: 2000-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】陰極線管の製造方法に於いて、排気管加熱封
着処理時の陰極及びグリッド格子を含む電子銃の酸化を
防止する。【解決手段】陰極線管内にグリッド格子及び陰極（含
浸型陰極を含む）から成る電子銃を封着して陰極線管１
を製造する際の排気管加熱封着処理時に電子銃或いは陰
極を加熱処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は陰極線管の製造方法
に係わり、特に陰極線管の排気工程で行なわれる。排気
管封止処理時の陰極の劣化を防止する様にした陰極線管
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からテレビジョン受像機等のカラー
陰極線管（以下ＣＲＴと記す）１は図１０に示す様に、
先ずガラス製のパネル内面に塗布した蛍光面２の対向面
にアパーチャグリル２ａを装着した組立パネル３と漏斗
状のガラス製のファンネル４をシールライン７で熱溶着
して、バルブ組立が終了する。その後、ファンネル４の
ネック４ａに電子銃５を封着する電子銃封着工程Ｐ₁が
図１５の様に行なわれる。

【０００３】この電子銃封着工程Ｐ₁で用いられる電子
銃５は例えば図１１及び図１２に示す様に構成されてい
る。図１１は電子銃５の側面図、図１２は陰極部分の拡
大側面を示すものであり、電子銃５は管状のガラス排気
管８をガラス円盤の中心下方に延設し、このガラス排気
管８を中心に植立された金属導入出力線となる複数のピ
ン１５から成るステム１４と、このステム１４上に２本
のガラス支持棒で保持された３個の陰極６と、複数のシ
リンダ状金属から成る格子（グリッド）電極１０で構成
されている。

【０００４】陰極６は通常酸化物陰極が用いられ、バリ
ウム（Ｂａ）、ストロンチーム（Ｓｒ）、カルシウム
（Ｃａ）等から成るアルカリ土類金属三元炭酸塩粉末
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ₃をニッケル基体等のスリー
ブ９上に吹付法で塗布することで得ている。

【０００５】又、近年、図１３に示す様な酸化物陰極６
では得られない高電流密度、長寿命陰極が望まれ、進行
波管、マグネトロン、レーザ波管等の陰極として使用さ
れていた含浸型陰極がＣＲＴ１に使用されるようになっ
てきている。

【０００６】この含浸型陰極６ａは図１３に示すよう
に、多孔質タングステンからなるタングステン基体金属
６ｂ内部に、酸化バリウム（４ＢａＯ）、酸化カルシウ
ム（ＣａＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の電子放射物
質６ｃを適当な比率で溶融含浸させる。また含浸型陰極
６ａには、仕事関数を下げる目的で、電子放射物質６ｃ
の含浸後にその上にイリジウム、オスミウム、ルテニウ
ムなどを被覆した含浸型陰極６ａもある。含浸型陰極６
ａは動作時にスリーブ９内に設けられたヒーター１６に
より加熱され、含浸部からバリウム６ｄ等の電子放射物
質６ｃがしみ出し、このしみ出したバリウム６ｄから電
子が放出される。

【０００７】上述の陰極６，６ａ及びグリッド電極１０
を含む電子銃５を図１５の電子銃封着工程Ｐ₁の工程で
封入されたＣＲＴ１は図１４に示す様に組み上げられ
る。

【０００８】この様に組み上げられたＣＲＴ１は図１５
の排気工程Ｐ₂に入る。この排気工程Ｐ₂では加熱処理
を行ないながらガラス排気管８から高真空に排気が行な
われて封着して真空のＣＲＴ１が作成される。

【０００９】次にＣＲＴ１に図１５に示す様に防爆処理
を行なう防爆処理工程Ｐ₃を経て陰極６，６ａ等から電
子を放射できる様にする活性化工程Ｐ₄を行ない完成品
Ｐ₅を得る様に成されている。

【００１０】上述の排気工程Ｐ₁は加熱処理を行ないな
がら高真空に排気されるが、この排気工程の最終部分で
は図１６に示す様な処理が行なわれる。

【００１１】即ち、図１６でＣＲＴ投入ＰＲ₁の後に加
熱排気処理ＰＲ₂が行なわれるこの加熱排気処理ＰＲ₂
の最終部分で電子銃５を高周波で加熱することで電子銃
ガス出し処理ＰＲ₃を行ない、次の工程では酸化物陰極
６等のガス出し処理或いは分解処理ＰＲ₄を行ない、ガ
スを排気していたガス排気管８を加熱封着処理ＰＲ₅を
することで、次の防爆処理工程Ｐ₃に進める為にＣＲＴ
取り出し処理ＰＲ₆が行なわれる様に成されている。

【００１２】図１７は従来の電子銃ガス出し処理Ｐ
Ｒ₃、陰極ガス出し或いは分解処理ＰＲ₄、並びにガス
排気管加熱封着処理ＰＲ₅での時間に対する温度変化状
態図を示すものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記した様に従来のＣ
ＲＴの製造方法では排気工程で陰極ガス出し等の処理Ｐ
Ｒ₄が行なわれるが、電子放射物質より成る陰極６は、
多量のガスがＣＲＴ１内部に存在する場合には、これら
のガスに汚染されやすく電子放射能力が著しく劣化し、
極端な場合にはＣＲＴ故障となる。このため、電子銃製
造工程でのガス封着防止及びＣＲＴ製造工程で付着して
しまったもののガス出しが、非常に重要になる。

【００１４】電子放射物質より成る陰極６のガス汚染を
防ぐためには製造工程でのＣＲＴ部品からのガス出しが
非常に重要であり、特に、陰極６近傍にグリッド格子１
０があるため、これら電子銃５の金属部品から十分にガ
ス出しを行なう必要がある。

【００１５】排気工程Ｐ₂では上記した様に、電子銃５
を高周波により加熱処理して電子銃５の金属部品のガス
出しＰＲ₃を行なって、更に、酸化物陰極６や含浸型陰
極６ａでは陰極加熱処理により陰極分解を行なうが、こ
の陰極分解処理によりガスが放出され、再び陰極近傍の
金属のグリッド電極１０等にガスが封着するために、分
解処理後再度、電子銃５のガス出しを行なってＣＲＴ外
にガスを排気する様にしている。

【００１６】然し、上記した各処理のガス出しを充分に
行なって理想的な陰極６が作製されても、ＣＲＴの製造
工程の最終段階で行なわれる図１６及び図１７に示すガ
ラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅でステム１４近傍に高い
熱が与えられるために陰極６の電子放射物質が再度汚染
されてしまう。

【００１７】この為、ガラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅
時に陰極６を加熱し、陰極にガスが付着することを防止
する様な処理を試みた、然し、この処理を行なっても、
ＣＲＴを稼働させた場合に不良を引き起こす場合があ
り、又、陰極６が比較的劣化に強い酸化物の陰極６であ
っても寿命が不安定なものがあり、これら問題を解決す
る必要があった。

【００１８】本発明が解決しようとする第１の課題はＣ
ＲＴ製造工程に於いてＣＲＴを安定な品質で製造可能な
ＣＲＴの製造方法を得るにある。

【００１９】又、上述した陰極６，６ａのうち、図１３
で説明した含浸型陰極６ａは酸化に非常に弱く、ＣＲＴ
製造工程でいかに酸化させずに各処理を行なうかが大き
な問題となっていた。含浸型陰極６ａに含浸された電子
放射物質６ｃは特に空気中に含まれる水と結びつき易
く、容易に水酸化物Ｂａ（ＯＨ）₂となる。更に悪い場
合には酸化塩ＢａＣＯ₃まで進むこともある。また多孔
質のタングステン基体金属６ｂも同様に水と結び付きや
すく更に、熱により容易に酸化し、例えばＷＯ₃なる酸
化物となり劣化が起きる。このように変化した含浸型陰
極６ａは、電子放出能力が極端に低くなり検査不良とな
る。検査で不良とならなかった製品でも、市場でＣＲＴ
動作中に徐々に電子放射能力が劣化し寿命が短くなる可
能性がある。

【００２０】このため陰極製造後は極力大気にさらさな
いようにする必要があり、組み立てられた電子銃の保
存、輸送には真空若しくは窒素梱包をおこなっている。
更にＣＲＴ製造工程でも、電子銃付着工程から排気まで
の製造ラインの温湿度調整、電子銃封着工程で発生する
水の付着及び酸化防止が図られている。また排気工程で
も、陰極劣化を防止するために、電子銃の高周波による
加熱処理によるガス出しや、陰極加熱処理による製造中
に付着した水等を含めたガス出しを行ない、これらの水
やガスをＣＲＴの外に排気している。

【００２１】これらの処理でガス出しを十分おこない理
想的な含浸型陰極６ａが作製されても、排気処理の最終
段階で行なわれるガラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅でガ
スが発生するために陰極物質のタングステン基体金属６
ｂが再汚染されてしまう。更にその後ＣＲＴ製造最終段
階で行なわれる陰極加熱による活性化工程Ｐ₄の熱によ
り、タングステン基体金属６ｂに付着した水、及び酸化
性ガスにより酸化してしまう。このためこれらの酸化を
どのように回避するかが問題と成る。

【００２２】本発明が解決しようとする第２の課題はＣ
ＲＴ製造工程において含浸型陰極の酸化を防止可能なＣ
ＲＴ製造方法を提供するにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明のＣＲＴ製造方法
は陰極及び格子電極を含む電子銃をバルブ内に封着した
後の排気工程での排気管加熱封着処理に於いて、この排
気管加熱封着処理時に電子銃を高周波加熱して成るもの
である。

【００２４】本発明のＣＲＴの製造方法によれば電子銃
へのガス付着が防止できると共に含浸型陰極６ａのタン
グステン基体金属への酸化性ガス、特に水の付着を防止
可能なものが得られる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明のＣＲＴの製造方法
を図１乃至図９を用いて詳記する。図１は本発明のＣＲ
Ｔの製造方法に於ける排気工程での流れ図を示すもので
ある。

【００２６】図１のＣＲＴの製造方法を説明するに先だ
ち、図２乃至図４によってネック部内に装着した電子銃
加熱方法を示すＣＲＴの一部側断面図とガラス排気管封
着装置の略線的側断面図の構成を説明する。

【００２７】図２に於いて、４ａはＣＲＴ１のガラスフ
ァンネル４の下方に延設されたネックを示し、ガラス排
気管８及びピン１５を有するステム１４と一体化された
複数の陰極６とグリッド電極１０から成る電子銃５がネ
ック４ａ内に挿入され、ステム１４とネック４ａの端部
はガラス溶着されている。１１はガラス排気管封着装置
を示すもので後述する略線的側断面図は図３及び図４に
示されている。１７はネック４ａの外周を囲繞する様に
配設された高周波加熱コイルを示している。

【００２８】図３及び図４でガラス排気管封着装置１１
は熱的及び電気的に強い基台１１ａで形成され、この基
台１１ａの中心部にはガラス排気管８及びガラス排気管
８の周辺を囲繞する様に配設した加熱抵抗型のヒータ１
２が挿通可能な中心孔１１ｂが穿たれ、更に、複数のピ
ン１５を挿通可能なコンタクト１１ｃを有し、コンタク
ト１１ｃは陰極加熱用電極１３を介して外部電源に接続
可能と成されている。

【００２９】上述のガラス排気管封着装置１１及び高周
波加熱コイル１７を参照して以下、図１５に於けるＣＲ
Ｔの製造方法の排気工程Ｐ₂での各処理を詳記する。
尚、図１６との対応部分には同一符号を付して説明す
る。

【００３０】図１５に示す排気工程Ｐ₂内でのＣＲＴ１
の各処理は図１に示す様にＣＲＴ１の投入処理ＰＲ₁の
後に加熱排気処理ＰＲ₂が行なわれる。この加熱排気処
理ＰＲ₂は図１４に示した電子銃５を封着したガラス排
気管８を有するＣＲＴ１を図２及び図３に示す様にガラ
ス排気管封着装置１１に装着する。

【００３１】次に、高周波加熱コイル１７に高周波を供
給して、ネック４ａのガラスを通して電子銃５のグリッ
ド電極１０や陰極６のスリーブ９等の金属部品に渦電流
を誘起させて加熱させることで電子銃ガス出し処理ＰＲ
₃が行なわれる。

【００３２】次に、図３に示すガラス排気管封着装置１
１に設けられた陰極加熱用電極１３→コンタクト１１Ｃ
→ステム１４のピン１５→陰極６，６ａのヒータ１６
（図１２及び図１３参照）を経由して所定の電流を流
し、スリーブ９を加熱し、陰極６，６ａからガス出し及
び放射物質の分解処理ＰＲ₄が行なわれる。

【００３３】次の排気管加熱封着処理ＰＲ₅では、一般
に図３及び図４で示したガラス排気管封着装置１１が用
いられる。ガラス排気管８は基台１１ａの中心に穿った
中心孔１１ｂの中心に図３の様に挿通され、このガラス
排気管８の円周上に配置された加熱抵抗型のヒータ１２
でガラス排気管８の封着を行なうが、ガラス排気管８は
急熱急冷を行なうと容易に割れてしまうため、図５のガ
ラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅の様に段階的に予熱を行
ない暖まったところで図４の様にガラス排気管８の溶着
が行なわれる。その後、割れ防止のために徐冷を行ない
終了する。このようにガラス排気管８は封着するために
熱せられるため、封着部では最高８００℃まで温度が上
昇する。また図５のガラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅に
示すように温度が上がれば上がるほど使用している鉛ガ
ラスからはガスが発生し、封着直前までＣＲＴからはガ
スが排気されているが、ガラス溶融封着直後からは発生
したガスは全量ＣＲＴ内部に拡散してしまうことにな
る。

【００３４】そこで発明者らはまず電子銃５の高周波加
熱が不十分である可能性を考え、高周波加熱後再度電子
銃５を加熱してみたが、一度加熱ガス出しをおこなって
いるため、ガスの発生は全くなかった。このため、ガラ
ス排気管８の封着処理後に再度電子銃加熱処理をしたと
ころ、図６の様に多量のガスが放出され、ガラス排気管
加熱処理時のガスが、陰極６，６ａのみならず電子銃５
にも付着していることを見い出した。更には電子銃５の
作製後時間をおけばおくほど、ガラス排気管８からの放
出ガスが増加することも解った。

【００３５】又、排気管加熱処理ＰＲ₂の予熱段階で真
空に引いている間に十分に予熱をおこないガス出しをす
ることを試みたが、上記に述べたようにガラス排気管８
の溶融封着温度で発生するガスが多量なため目的を達成
することができなかった。又、活性化処理Ｐ₄を非常に
ゆっくりおこない水を飛ばしてしまう方法も試みたが、
ＣＲＴ１外へのガス排気がなされていない状態では出た
ガスが多量なため電子銃５へのガス付着を防止すること
はできなかった。

【００３６】そこで排気管加熱封着処理ＰＲ₅のうちの
排気管加熱処理時に電子銃５を加熱をしてみた。この結
果、ガスは電子銃金属部品のグリッド電極１０やスリー
ブ９等に付着しないことに基づいて、排気管加熱処理時
に再電子銃加熱処理をおこなうことで安定な品質のＣＲ
Ｔを製造可能とすることを見い出した。

【００３７】即ち、本発明では排気管加熱封着処理ＰＲ
₅のうち図４の様にガラス排気管８が封着される前の段
階、即ち、図３に示す様にガラス排気管８が開放され、
排気可能状態で再度、電子銃５のグリッド電極１０或い
は陰極６，６ａのスリーブ９等の金属部品を高周波コイ
ル１７に高周波を通電することで加熱する様にしながら
図５の様にガス付着防止電子銃加熱処理ＰＲ₅′並びに
ガラス排気管封着装置１１のヒータ１２に通電して、ガ
ラス排気管８を図５の排気管加熱封着処理ＰＲ₅の様に
段階的に徐々に温度を上昇させる。更に、暖まったとこ
ろでガラス排気管８を溶融封着し、その後割れ防止のた
めに徐冷を行ない終了する。この後に図５に示すガス付
着防止電子銃加熱処理ＰＲ₅′の通電処理も終了させ
る。

【００３８】更に、ガラス排気管加熱封止処理時に陰極
６，６ａの加熱を同時に行なうため、陰極６，６ａのヒ
ータ１６に陰極加熱電極１３を介して通電すると共に、
上述の高周波コイル１７による電子銃５の加熱を行なう
ことにより、ＣＲＴの品質の安定化はより顕著になる。

【００３９】上述の発明では、電子銃加熱とガラス排気
管封着が同時に行なわれるが、この時に発生したガスを
電子銃金属部品に付着させないためには、電子銃金属部
品の温度は高ければ高いほど良いが、金属部品は、所定
温度よりも高くすると、この金属が昇華しガスとなって
ＣＲＴガラス部分に蒸着するため、蒸着がおこらない７
８０℃以下に抑えるを可とする。

【００４０】更に、本発明等は図１３で詳記した含浸型
陰極６ａが有するタングステン基体金属６ｂが各種の熱
処理で水及び酸化性ガスで汚染されるのを防止するため
各種の検討を行なった。例えば、排気中に陰極加熱ガス
出し、及び陰極活性化をおこなってみた。するとこの場
合には陰極酸化が全く見られなかった。然し、排気工程
終了後には再度、陰極活性化Ｐ₄をする必要があり、排
気後の再陰極活性化でタングステン基体金属６ｂに酸化
が発生してしまった。又、試しに、ガラス排気管封着後
に陰極ガス出し若しくは陰極活性化処理を行なって見た
がこの場合にはどのようにしても酸化が起きることを発
見した。また排気管加熱処理の予熱段階で真空に引いて
いる間に十分に予熱をおこないガス出しをすることを試
みたが、上記に図６に示す様に溶融封着温度で発生する
ガスが多量なため目的を達成することができなかった。
又、活性化処理Ｐ₄を非常にゆっくりおこない水を飛ば
してしまう方法も試みたが、ＣＲＴ外へのガス排気がな
されていない状態では出たガスが多量なため、このガス
による酸化を防ぐことができなかった。

【００４１】そこで上記問題を解決するにあたり発生し
たガスが陰極６ａに付着しないようにすればよいことに
気付き、ガラス排気管加熱封着処理時に陰極６ａを加熱
すれば良いことを見い出し、前記した様に陰極加熱ガス
出し後引き続き陰極加熱を行なう様にすることで陰極物
質及び、タングステン基体金属への水及びガスの付着を
防止し、更にこれによる酸化が防止できる様になった。

【００４２】図７乃至図９は上記した本例のＣＲＴの製
造方法の他の形態例を示す流れ図及びその説明線図であ
る。図７で図１との対応部分には同一符号を付して重複
説明は省略するも、図７の場合の処理ＰＲ₁乃至ＰＲ₄
並びにＰＲ₆は図１と全く同じである。

【００４３】本例の場合は排気管加熱封着処理ＰＲ₅と
同時に図８の排気管加熱の熱の変化図にも示す様にガス
付着防止陰極加熱処理ＰＲ₅″を行なう様にしたもので
ある。

【００４４】本発明では図７の陰極６ａのガス出し或い
は分解処理ＰＲ₄ではガラス排気管封着装置１１に配設
された陰極加熱電極１３に電圧を加えて陰極６ａのヒー
タ１６に電流を流し、陰極６ａを熱して加熱された陰極
６ａからガス出しがなされる。その後本発明では、前述
したようにそのまま所定の電流を陰極６ａのヒータ１６
に流し、電子銃５の陰極６ａの加熱水（ガス）付着防止
陰極加熱処理ＰＲ₅″を行ないながら、ガラス排気管封
着装置１１のヒータ１２に通電しガラス排気管８を段階
的に加熱（図８参照）する。更に、暖まったところでガ
ラス排気管８を溶融封着（図４参照）し、その後割れ防
止のために徐冷（図８参照）を行ない終了する。この後
に電子銃５の陰極６ａへの通電も終了させる。

【００４５】本発明では、陰極６ａへの加熱とガラス排
気管加熱封着処理ＰＲ₅が同時に行なわれるので、この
時に発生した水は、陰極６ａの温度が低すぎると陰極６
ａに付着し、逆に温度が高すぎると水との化学反応が起
こってしまうため、最適な温度を選ぶ必要がある。この
温度は４００℃程度から９００℃程度にあるが、７００
℃に選ぶのが最適温度であることを見い出した。

【００４６】図９はガラス排気管加熱封着処理ＰＲ₅で
の温度に対する水（Ｈ₂Ｏ）付着量及びタングステン基
体金属６ｂの酸化量を示しているもので、この曲線図か
ら４００℃〜９００℃範囲で水付着及び酸化量が少なく
なることが解る。

【００４７】尚、本発明ではＣＲＴを製造する場合につ
いて説明したが、ＣＲＴ以外の例えば、衛星搭載用マイ
クロ波管をはじめとして、進行波管、マグネトロン、レ
ーザー管などに利用できる。特に、発生するガスに対し
て内容積が小さいＣＲＴは、内容積が大きいものに比べ
ガス汚染が甚だしいため、効果は絶大である。

【００４８】

【発明の効果】本発明の陰極線管の製造方法によれば電
子銃、特に複数のグリッド電極へのガス付着及び含浸型
陰極物質とタングステン基体金属への酸化性ガス特に水
の付着を防止出来る。又、付着したガスにより活性化処
理時に電子銃の酸化が防止可能で寿命の安定化を図るこ
とが出来る。これにより品質不良を防止し、不良の低減
をはかることができる。また、不良ＣＲＴの不良原因の
究明に余分な時間を費やすことのない安定なＣＲＴを提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の陰極線管の製造方法に於ける排気工程
の流れ図である。

【図２】本発明の陰極線管の製造方法に於ける電子銃加
熱方法を示す陰極線管の一部側断面図である。

【図３】本発明に用いるガラス排気管封着装置の側断面
図である。

【図４】本発明に用いるガラス排気管の封着状態を示す
側断面図である。

【図５】本発明の陰極加熱、排気管加熱時の熱の変化状
態図である。

【図６】本発明の陰極線管の温度−放出ガス体積の変化
を示す曲線図である。

【図７】本発明の陰極線管の製造方法の他の排気工程の
流れ図である。

【図８】本発明の他の陰極加熱、排気管加熱時の変化状
態図である。

【図９】本発明の陰極線管の温度−水付着量及びタング
ステン基体金属酸化量を示す曲線図である。

【図１０】従来の陰極線管の側断面図である。

【図１１】従来例の陰極線管の電子銃の側断面図であ
る。

【図１２】従来の陰極部の拡大側断面図である。

【図１３】従来の含浸型陰極の一部側断面図である。

【図１４】従来の排気工程時の陰極線管を示す斜視図で
ある。

【図１５】従来の陰極線管製造工程を示す流れ図であ
る。

【図１６】従来の陰極線管の製造方法の排気工程の流れ
図である。

【図１７】従来の陰極加熱、排気管加熱の熱の変化状態
図である。

【符号の説明】

１‥‥ＣＲＴ（陰極線管）、５‥‥電子銃、６（６ａ）
‥‥陰極（含浸型陰極）、８‥‥ガラス排気管、１０‥
‥グリッド電極、１１‥‥ガラス排気管封着装置、１７
‥‥高周波加熱コイル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陰極及び格子電極を含む電子銃をバルブ
内に封着した後の排気工程での排気管加熱封着処理に於
いて、上記排気管加熱封着処理時に上記電子銃を高周波加熱し
て成ることを特徴とする陰極線管の製造方法。
【請求項２】前記排気管加熱封着処理時に前記電子銃
の陰極又は／及び格子電極を加熱させて成ることを特徴
とする請求項１記載の陰極線管の製造方法。
【請求項３】前記電子銃の陰極が含浸型陰極であっ
て、前記排気管加熱封着処理時の陰極の温度を４００℃
乃至９００℃に選択して成ることを特徴とする請求項１
又は請求項２記載の陰極線管の製造方法。