JP2000149222A

JP2000149222A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000149222A
Application number: JP10325012A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Kobayashi; 潔小林
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1998-11-16
Filing date: 1998-11-16
Publication date: 2000-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】精度高く形状制御された上部コア層の先端部
を有する、磁気記録媒体の高記録密度化を実現すること
ができる、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】第２のコイル層６を被覆して第３の端縁
部７ａと第３の傾斜面７ｂとを備える第３の絶縁層７
を、第３の端縁部７ａを第２の平行部５ｃの上に設け、
第２の絶縁層５の上面と第３の傾斜面７ｂとで第１のポ
ケット部Ｐ１を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法に関するものであり、インダクティブヘ
ッドの磁気記録媒体との対向面において、狭トラック化
を実現できる上部コア層を備えた薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、従来の薄膜磁気ヘッドの説明
図であり、同図Ａは従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面
図、同図Ｂは従来の薄膜磁気ヘッドの上部コア層の上面
図である。また、図１２は、従来の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明するための工程断面図である。また、図１
３は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を説明
するための要部断面図であり、同図Ａは、フレームメッ
キ法に用いるレジスト層を形成した場合の断面図であ
り、同図Ｂは、レジスト層を露光するときの露光光の反
射の様子を説明するための断面図である。

【０００３】ハードディスクなどの磁気記録媒体へ磁気
信号を書き込むインダクティブ（誘導型）ヘッドは、磁
気記録媒体に対向する浮上式磁気ヘッドのスライダのト
レーディング側端面において、磁気抵抗効果を利用した
磁気信号を読み出すＭＲ（磁気抵抗効果；Magneto Resi
stive）ヘッドの上に積層され、複合型薄膜磁気ヘッド
を構成している。

【０００４】図１１Ａに示す薄膜磁気ヘッドにおいて、
書き込み用のインダクティブヘッドの下部コア層５１
は、磁気抵抗効果を利用した読み出し用のＭＲヘッド２
０の上部シールド層と兼用され、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パ
ーマロイ）等の高透磁率材料からなる。また、Ａｌ₂Ｏ₃
等の非磁性材料からなるギャップ層５２は下部コア層５
１の上に膜厚Ｇｌで設けられている。

【０００５】また、レジスト材料やその他の有機樹脂材
料で形成された第１の絶縁層５３は、ギャップ層５２の
上に設けられ、第１の端縁部５３ａと、第１の端縁部５
３ａから延びてギャップ層５２の上面に対して傾斜を有
する第１の傾斜面５３ｂと、第１の傾斜面５３ｂと連な
ってギャップ層５２に対して略平行な上面からなる第１
の平行面５３ｃとを備える。また、銅（Ｃｕ）等の低抵
抗導電性材料からなる平面螺旋状の第１のコイル層５４
は、第１の平行面５３ｃの上に設けられている。また、
レジスト材料やその他の有機樹脂材料からなる第２の絶
縁層５５は、第１の絶縁層５３の上に第１のコイル層５
４を被覆するように設けられ、第２の端縁部５５ａと、
第２の端縁部５５ａから延びて傾斜を有する第２の傾斜
面５５ｂと、第２の傾斜面５５ｂと連なってギャップ層
５２に対して略平行な上面からなる第２の平行面５５ｃ
とを備える。また、第２の端縁部５５ａは第１の傾斜面
５３ｂ上に位置し、第２の傾斜面５５ｂは第１の傾斜面
５３ｂと略同一な面上に配置されている。

【０００６】また、銅（Ｃｕ）等からなる平面螺旋状の
第２のコイル層５６は、第２の平行面５５ｃの上に設け
られている。また、レジスト材料やその他の有機樹脂材
料からなる第３の絶縁層５７は、第２の絶縁層５５の上
に第２のコイル層５６を被覆するように設けられ、第３
の端縁部５７ａと、第３の端縁部５７ａから延びて傾斜
を有する第３の傾斜面５７ｂと、第３の傾斜面５７ｂと
連なってギャップ層５２に対して略平行な上面からなる
第３の平行面５７ｃとを備える。また、第３の端縁部５
７ａは第２の傾斜面５５ｂ上に位置し、第３の傾斜面５
７ｂは第２の傾斜面５５ｂと略同一な面上に配置されて
いる。

【０００７】そして、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）
等の磁性材料からなる上部コア層５８は、第１〜第３の
絶縁層５３、５５、５７及びギャップ層５２の上に設け
られ、図１１Ｂに示すように磁気記録媒体との対向面側
において下部コア層５１とギャップ層５２を介して接合
された狭い幅Ｔｗを有する先端部５８ａと、先端部５８
ａと略同じ幅で連なり、第１〜第３の傾斜面５３ｂ、５
５ｂ、５７ｂ上に設けられた連結部５８ｂと、連結部５
８ｂよりも幅広に大きく広がった形状を有し、第１のコ
イル層５４及び第２のコイル層５６の上方の一部を覆う
基部５８ｃと、第１のコイル層５４及び第２のコイル層
５６の略中心位置のギャップ層５２及び第１の絶縁層５
３に設けられた穴Ｈを介して、下部コア層５１と磁気的
に結合され、周囲に第１のコイル層５４及び第２のコイ
ル層５６が周回された後端部５８ｄとを備える。また、
連結部５８ｂと基部５８ｃとの連結部分（付け根部分）
は、ポール・ストレート部Ｐｓと呼ばれる。尚、第１の
コイル層５４及び第２のコイル層５６は、後端部５８ｄ
の周囲を周回するように形成されているが、図１１Ａで
は第１のコイル層５４及び第２のコイル層５６の一部の
みが現れている。

【０００８】また、磁気ギャップＧは、下部コア層５１
と先端部５８ａとの間隔（即ちギャップ層５２の膜厚）
でギャップ長Ｇｌが設定され、先端部５８ａの奥行き寸
法、即ち磁気記録媒体との対向面であるＡＢＳ面Ａから
第１の端縁部５３ａまでの距離によりギャップ深さＧｄ
が決定される。また、複合型薄膜磁気ヘッドでは、下部
コア層５１はＭＲヘッドの上部シールド層としても兼用
されるため、上部コア層５７の先端部５７ａの幅より広
く形成されている。そのため、トラック幅Ｔｗは、先端
部５８ａの幅寸法により決定される。

【０００９】以上のようにして、コイル層が第１のコイ
ル層５４及び第２のコイル層５６の二段構造で形成され
た、従来の薄膜磁気ヘッドのインダクティブヘッドが構
成される。そして、第１のコイル層５４及び第２のコイ
ル層５６に記録電流が与えられると、下部コア層５１及
び上部コア層５８に記録磁界が誘導され、ＡＢＳ面Ａに
おける、下部コア層５１と上部コア層５８の先端部５８
ａとの磁気ギャップＧからの漏れ磁界により、磁気記録
媒体に磁気信号が記録される。上述のようにコイル層を
二段構造とすることで、下部コア層５１と上部コア層５
８に形成される磁路を短くして書き込みの効率化が図ら
れると共に高記録密度化が可能となり、インダクタンス
を低減させて、磁気信号の高周波化に対応できる。

【００１０】次に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。まず、図１２Ａに示すように、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金等の磁性材料からなる下部コア層５１上に、
Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁性材料により膜厚（ギャップ長）Ｇｌ
のギャップ層５２を形成する。次に、レジスト材料やそ
の他の有機樹脂材料を用いて、フォトリソグラフィ等に
より第１の絶縁層５３を形成する。この時のレジストを
硬化させるための加熱工程において、レジスト材料の粘
性により、第１の端縁部５３ａには第１の傾斜面５３ｂ
が形成され、上面はギャップ層５２に対して略平行な第
１の平行面５３ｃとが形成されている。また、この後の
工程で形成する上部コア層５８と下部コア層５１とを接
合するための穴Ｈをエッチング等により形成する。

【００１１】次に、図１２Ｂに示すように、第１の平行
面５３ｃ上に、Ｃｕ等を用いてメッキにより、第１のコ
イル層５４を平面螺旋状となるように形成する。次に、
図１２Ｃに示すように、第１のコイル層５４を覆うよう
にして、第１の絶縁層５３上にレジスト材料やその他の
有機樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィにより第２
の絶縁層５５を設ける。この時、第１の絶縁層５３と同
様に、第２の端縁部５５ａには第２の傾斜面５５ｂが形
成され、上面はギャップ層５２に対して略平行な第２の
平行面５５ｃとなる。また、第２の端縁部５５ａは第１
の傾斜面５３ｂ上に位置され、第２の傾斜面５５ｂは第
１の傾斜面５３ｂと略同一な面上に形成される。

【００１２】次に、図１２Ｄに示すように、第２の平行
面５５ｃ上に、Ｃｕ等を用いてメッキにより、第２のコ
イル層５４を平面螺旋状となるように形成し、この第２
のコイル層５６を覆うようにして、第２の絶縁層５５上
にレジスト材料やその他の有機樹脂材料を塗布し、フォ
トリソグラフィにより第３の絶縁層５７を設ける。この
時、第２の絶縁層５５と同様に、第３の端縁部５７ａに
は第３の傾斜面５７ｂが形成され、上面はギャップ層５
２に対して略平行な第３の平行面５７ｃが形成される。
また、第３の端縁部５７ａは第２の傾斜面５５ｂ上に位
置され、第３の傾斜面５７ｂは第２の傾斜面５５ｂと略
同一な面上に形成される。

【００１３】次に、フレームメッキ法により上部コア層
５８を形成する。まず、少なくとも第１〜第３の絶縁層
５３、５５、５７及びギャップ層５２の上に、上部コア
層５８と同じＦｅ−Ｎｉ系合金等の磁性材料（導電性材
料）からなる下地層５９を真空形成法により薄く形成
し、図１３Ａに示すように、下地層５９上にレジスト材
料をスピンコートで塗布してレジスト層６０を形成す
る。次に、図１３Ｂ中に矢印で示した上方からの露光光
により、露光して上部コア層５８の形状パターンをレジ
スト層６０に形成し、現像して、露光された部分のレジ
スト層６０を除去する。次に、下地層５９が露出した部
分にＦｅ−Ｎｉ系合金等の磁性材料をメッキする。そし
て、残存したレジスト層６０、及び不要な下地層５９を
除去することにより上部コア層５８が得られる。尚、上
部コア層５８の上層はＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜（図示せず）
により覆う。

【００１４】最後に、不要な薄膜積層体を除去して、ラ
ップ研削によりＡＢＳ(Air BearingSurface)面Ａを形成
し、ＡＢＳ面Ａと第１の端縁部５３ａとによりギャップ
深さＧｄを決定して、図１１に示したインダクティブヘ
ッドを有する薄膜磁気ヘッドが得られる。なお、図１１
中において、下地層５９は上部コア層５８と一体化され
るため図示していない。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】近時、ハードディスク
等の磁気記録装置の高記録密度化に伴い、上部コア層５
８の先端部５８ａの幅で決定されるトラック幅Ｔｗをよ
り小さくする必要が出てきている。そのため、先端部５
８ａ付近を形成する際に、レジスト層６０の形状パター
ンは特に精密に形成されなければならない。

【００１６】しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドは、
第１及び第２のコイル層５４、５６の二段構造で形成し
ているため、これらを覆う第１〜第３の絶縁層５３、５
５、５７の総合膜厚は厚く、また、略同一面上に形成さ
れた第１〜第３の傾斜面５３ｂ、５５ｂ、５７ｂの立ち
上がり角度も急峻である。フレームメッキ法で上部コア
層５８の形成に用いるレジスト層６０を設けるために、
レジスト材料をスピンコートにより塗布すると下方へ流
れ易く、図１３Ａに示すように、第１の端縁部５３ａ付
近のギャップ層５２上における厚さｔ１が厚くなり、基
部５８ｃが形成される第３の絶縁層５７の上面における
厚さｔ２は薄くなる。レジスト材料の粘度が高いほど厚
さｔ１は厚くなり、例えば８００ｃｐ程度の粘度を有す
るレジスト材料を用いると、下側の厚さｔ１は９〜１０
μｍとなる。一方、形成する上部コア層５８の厚さはお
よそ１〜２μｍとなり、レジスト層６０の厚さｔ１は非
常に厚いものとなっていることがわかる。このように厚
さｔ１が厚いと、フォトリソグラフィにおける露光光源
の焦点深度を深くしなければならないが、焦点深度を深
くすると解像度（分解能）が悪くなり、第１の端縁部５
３ａ付近において、先端部５８ａの形状パターンをレジ
スト層６０に精密に形成できず、所定寸法の狭いトラッ
ク幅Ｔｗの先端部５８ａを得ることができない。

【００１７】そこで、低粘度のレジスト材料の粘度を低
いものを用いてレジスト層６０を形成することが考えら
れる。例えば３００ｃｐ程度の粘度を有するレジスト材
料を用いると、図１３Ａに点線で示したように、下側の
厚さｔ１は薄くなり、６〜７μｍにまで減少する。しか
し、レジスト層６０の上側の厚さｔ２は１μｍ以下とな
り、上部コア層５８と形成するフレームとして用いてフ
レームメッキを行った場合にメッキ材料（パーマロイ）
が周囲に洩れ出して、上部コア層５８の形状を制御する
ことができない。

【００１８】さらに、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、第１〜第３の傾斜面５３ｂ、５５ｂ、５７ｂの立ち
上がり角度が急峻であるため、レジスト層６０を露光し
て上部コア層５８の形状パターンを形成する際に、図１
３Ｂに示すように、上方から入射された露光光の一部が
レジスト層６０を透過した後、下地層５９の表面で乱反
射して、上部コア層５８の形状パターン以外の領域をも
露光することになる。特に第１〜第３の傾斜面５３ｂ、
５５ｂ、５７ｂの角度が４５°以上の部分では、上部コ
ア層５８の基部５８ｃを露光するための光が、下地層５
９の表面で乱反射して先端部５８ａ側にも入射され易
く、図１１Ｂに実線で示したような上部コア層５８の形
状パターンが露光されず、実際には点線で示すように基
部５８ｃが先端部５８ａ側へせり出した状態で露光さ
れ、先端部５８ａ及び連結部５８ｂのトラック幅Ｔｗが
大きくなり、精度の高い形状パターンが形成できない。

【００１９】本発明が解決しようとする課題は、精度高
く形状制御された上部コア層を有し、磁気記録媒体の高
記録密度化を実現することができる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁性材料からなる下部コア層上に設けられた、非磁
性材料からなるギャップ層上には、磁気記録媒体との対
向面側にギャップ深さを決定する第１の端縁部と、該第
１の端縁部から延びる第１の傾斜面と、該第１の傾斜面
に連なって前記ギャップ層に対して略平行な第１の平行
面とを有する第１の絶縁層が設けられ、該第１の絶縁層
上には、前記第１の平行面上に第１のコイル層を有する
と共に、該第１のコイル層を被覆して、磁気記録媒体と
の対向面側の第２の端縁部と、該第２の端縁部から延び
る第２の傾斜面と、該第２の傾斜面に連なって前記ギャ
ップ層に対して略平行な第２の平行面とを有する第２の
絶縁層が積層され、該第２の絶縁層上には、前記第２の
平行面上に第２のコイル層を有し、該第２のコイル層を
被覆して、前記第２の平行面上に設けられた磁気記録媒
体との対向面側の第３の端縁部と、該第３の端縁部から
延びる第３の傾斜面とを有する第３の絶縁層が積層さ
れ、前記第２の平行面と前記第３の傾斜面とで第１のポ
ケット部が形成され、前記ギャップ層及び前記第１〜第
３の絶縁層上には、磁性材料からなり、磁気記録媒体と
の対向面の先端部が前記ギャップ層を介して磁気ギャッ
プを形成すると共に、後端部が前記下部コア層に接触さ
れた上部コア層が設けられた構成とした。

【００２１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第
１のポケット部に、絶縁性材料が充填され、第４の傾斜
面を備えた第４の絶縁層が設けられた構成とした。

【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第
２の端縁部が、前記第１の平行面上に設けられ、露出さ
れた前記第１の平行面と前記第２の傾斜面とで第２のポ
ケット部が構成された構成とした。

【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第
２のポケット部に、絶縁性材料が充填され、第５の傾斜
面を備えた第５の絶縁層が設けられた構成とした。

【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁性材料からなる下部コア層上に設けられた非磁性
材料からなるギャップ層の上層に、磁気記録媒体との対
向面側の第１の端縁部がギャップ深さを決定する第１の
端縁部と、該第１の端縁部から延びる第１の傾斜面と、
該第１の傾斜面に連なって前記ギャップ層に対して略平
行な第１の平行面とを有する第１の絶縁層を形成する工
程と、前記第１の平行面上に第１のコイル層を形成する
工程と、該第１のコイル層を被覆するように、磁気記録
媒体との対向面側の第２の端縁部と、該第２の端縁部か
ら延びる第２の傾斜面と、該第２の傾斜面に連なって前
記ギャップ層に対して略平行な第２の平行面とを有する
第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の平行面上に
第２のコイル層を形成する工程と、該第２のコイル層を
被覆するように、磁気記録媒体との対向面側の第３の端
縁部を前記第２の平行面上に設けた状態で、該第３の端
縁部から延びる第３の傾斜面と、該第３の傾斜面に連な
って前記ギャップ層に対して略平行な第３の平行面とを
有する第３の絶縁層を形成し、露出された前記第２の平
行面と前記第３の傾斜面とで第１のポケット部を形成す
る工程と、前記第１〜第３の絶縁層及び前記ギャップ層
の上に導電性材料からなる下地層を形成する工程と、該
下地層上にレジスト材料を塗布してレジスト層を設けて
フォトリソグラフィにより該レジスト層に前記上部コア
層の形状パターンを形成する工程と、フレームメッキ法
により、磁性材料からなる上部コア層の先端部を前記ギ
ャップ層上に形成すると共に、該先端部と接続され、後
端部が前記下部コア層に接触された基部を前記第１〜第
３の絶縁層上に形成する工程とを有する構成とした。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法の実施の形態について説明する。図１
は本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の説明図
であり、同図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実
施の形態の要部断面図、同図Ｂは、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの上部コア層の上面図である。また、図２及び図３
は本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の製造方
法を説明するための工程断面図である。また、図４は本
発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施の形態の要部断面図
であり、図５は本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施の
形態の製造方法を説明するための断面図である。また、
図６は本発明の薄膜磁気ヘッドの第３の実施の形態の要
部断面図であり、図７は本発明の薄膜磁気ヘッドの第３
の実施の形態の製造方法を説明するための断面図であ
る。また、図８は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
一工程を説明するための要部断面図であり、同図Ａは、
フレームメッキ法に用いるレジスト層を形成した場合の
断面図であり、同図Ｂは、レジスト層を露光するときの
露光光の反射の様子を説明するための断面図である。ま
た、図９は本発明の薄膜磁気ヘッドの第４の実施の形態
の要部断面図であり、図１０は本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の一工程を説明するための要部断面図であ
る。

【００２６】（第１の実施の形態）図１Ａに示す本発明
の薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み用のインダクティ
ブヘッドの下部コア層１は、磁気抵抗効果を利用した読
み出し用のＭＲヘッド２０の上部シールド層と兼用さ
れ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）等の高透磁率材料
からなる。また、Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁性材料からなるギャ
ップ層２は、下部コア層１の上に膜厚Ｇｌで設けられて
いる。

【００２７】また、レジスト材料やその他の有機樹脂材
料で形成された第１の絶縁層３は、ギャップ層２の上に
設けられ、第１の端縁部３ａと、第１の端縁部３ａから
延びてギャップ層２の上面に対して傾斜を有する第１の
傾斜面３ｂと、第１の傾斜面３ｂと連なってギャップ層
２に対して略平行な上面からなる第１の平行面３ｃとを
備える。また、銅（Ｃｕ）等の低抵抗導電性材料からな
る平面螺旋状の第１のコイル層４は、第１の端縁部３ａ
から５μｍ以上の距離を空けて、第１の平行面３ｃの上
に設けられている。また、レジスト材料やその他の有機
樹脂材料からなる第２の絶縁層５は、第１の絶縁層３の
上に第１のコイル層４を被覆するように設けられ、第２
の端縁部５ａと、第２の端縁部５ａから延びて傾斜を有
する第２の傾斜面５ｂと、第２の傾斜面５ｂと連なって
ギャップ層２に対して略平行な上面からなる第２の平行
面５ｃとを備える。また、第２の端縁部５ａは第１の傾
斜面３ｂ上に位置し、第２の傾斜面５ｂは第１の傾斜面
３ｂと略同一な面上に置かれている。

【００２８】また、銅（Ｃｕ）等からなる平面螺旋状の
第２のコイル層６は、第２の端縁部５ａから１０μｍ以
上の距離を空けて、第２の平行面５ｃの上に設けられて
いる。また、レジスト材料やその他の有機樹脂材料から
なる第３の絶縁層７は、第２の絶縁層５の上に第２のコ
イル層６を被覆するように設けられ、第３の端縁部７ａ
と、第３の端縁部７ａから延びて傾斜を有する第３の傾
斜面７ｂと、第３の傾斜面７ｂと連なってギャップ層２
に対して略平行な上面からなる第３の平行面７ｃとを備
える。また、第３の端縁部７ａは、第２の平行面５ｃの
上において、第２の端縁部５ａからおよそ６μｍ以上の
距離を空けた状態となるようにされて、露出された第２
の平行面５ｃと第３の傾斜面７ｂとで第１のポケット部
Ｐ１が構成されている。また、第１のポケット部Ｐ１の
位置は、第２の端縁部５ａから第３の端縁部７ａまでの
距離が１０μｍ以下であることが好ましい。これは、第
２の端縁部５ａから第３の端縁部７ａまでの距離が１０
μｍより大きいと、磁気回路の磁路長が長くなり、イン
ダクタンスが増大して高周波特性が低下するので、これ
を防止するためである。

【００２９】そして、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）
等の磁性材料からなる、約２μｍの略均等な膜厚を有す
る上部コア層８は、第１〜第３の絶縁層３、５、７及び
ギャップ層２の上に設けられ、図１Ｂに示すように磁気
記録媒体との対向面側において下部コア層１とギャップ
層２を介して接合された狭い幅Ｔｗを有する先端部８ａ
と、先端部８ａと略同じ幅で連なり、第１〜第３の傾斜
面３ｂ、５ｂ、７ｂ上に設けられた連結部８ｂと、連結
部８ｂよりも幅広に大きく広がった形状を有し、第１の
コイル層４及び第２のコイル層６の上方の一部を覆う基
部８ｃと、第１のコイル層４及び第２のコイル層６の略
中心位置のギャップ層２及び第１の絶縁層３に設けられ
た穴Ｈを介して、下部コア層１と磁気的に結合され、周
囲に第１のコイル層４及び第２のコイル層６が周回され
た後端部８ｄとを備える。また、連結部８ｂと基部８ｃ
との連結部分（付け根部分）は、ポール・ストレート部
Ｐｓと呼ばれる。尚、第１のコイル層４及び第２のコイ
ル層６は、後端部８ｄの周囲を周回するように形成され
ているが、図１Ａでは第１のコイル層４及び第２のコイ
ル層６の一部のみが現れている。

【００３０】また、磁気ギャップＧは、下部コア層１と
先端部８ａとの間隔（即ちギャップ層２の膜厚）でギャ
ップ長Ｇｌが設定され、先端部８ａの奥行き寸法、即ち
磁気記録媒体との対向面であるＡＢＳ面Ａから第１の端
縁部３ａまでの距離によりギャップ深さＧｄが決定され
る。また、トラック幅Ｔｗは、先端部８ａの幅寸法によ
り決定される。以上のようにして、コイル層が第１のコ
イル層４及び第２のコイル層６の二段構造で形成され
た、本発明の薄膜磁気ヘッドのインダクティブヘッドが
構成される。

【００３１】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
について説明する。まず、図２Ａに示すように、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金等の磁性材料からなる下部コア層１上に、Ａ
ｌ₂Ｏ₃等の非磁性材料により膜厚（ギャップ長）Ｇｌの
ギャップ層２を形成する。次に、レジスト材料やその他
の有機樹脂材料を用いて、フォトリソグラフィ等により
第１の絶縁層３を形成する。この時のレジストを硬化さ
せるための加熱工程において、レジスト材料の粘性によ
り、第１の端縁部３ａには第１の傾斜面３ｂが形成さ
れ、上面はギャップ層２に対して略平行な第１の平行面
３ｃとなる。また、この後の工程で形成する上部コア層
８と下部コア層１とを接合するための穴Ｈをエッチング
等により形成する。

【００３２】次に、図２Ｂに示すように、第１の平行面
３ｃ上に、第１の端縁部３ａから５〜８μｍ程度の距離
を空けて、Ｃｕ等を用いてメッキにより、第１のコイル
層４を平面螺旋状となるように形成する。

【００３３】次に、図２Ｃに示すように、第１のコイル
層４を覆うようにして、第１の絶縁層３上にレジスト材
料やその他の有機樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフ
ィにより第２の絶縁層５を設ける。この時、第１の絶縁
層３と同様に、第２の端縁部５ａには第２の傾斜面５ｂ
が形成され、上面はギャップ層２に対して略平行な第２
の平行面５ｃとなる。また、第２の端縁部５ａは第１の
傾斜面３ｂ上に位置され、第２の傾斜面５ｂは第１の傾
斜面３ｂと略同一な面上に形成される。

【００３４】次に、図２Ｄに示すように、第２の絶縁層
５上に、第２の端縁部５ａから１０μｍ以上の距離を空
けて、Ｃｕ等を用いてメッキにより、第２のコイル層６
を平面螺旋状となるように形成する。

【００３５】次に、図３Ａに示すように、第２のコイル
層６を覆うようにして、第２の絶縁層５上にレジスト材
料やその他の有機樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフ
ィにより第３の絶縁層７を設ける。この時、第２の絶縁
層５と同様に、第３の端縁部７ａには第３の傾斜面７ｂ
が形成され、上面はギャップ層２に対して略平行第３の
平行面７ｃが形成される。また、第３の端縁部７ａは第
２の平行面５ｃ上に位置され、第３の傾斜面７ｂは第２
の傾斜面５ｂと略同一面上に形成されず、また、第２の
平行面５ｃの一部が露出された状態で形成される。この
露出された第２の平行面５ｃと第３の傾斜面７ｂとで第
１のポケット部Ｐ１が設けられる。

【００３６】次に、フレームメッキ法により上部コア層
８を形成する。まず、少なくとも第１〜第３の絶縁層
３、５、７及びギャップ層２の上に、上部コア層８と同
じＦｅ−Ｎｉ系合金等の磁性材料（導電性材料）からな
る下地層９を真空形成法により薄く形成し、図３Ｂに示
すように、下地層９上に比較的低い粘度である約２７０
ｃｐ程度のレジスト材料をスピンコートで塗布してレジ
スト層１０を形成する。この時のレジスト層１０は、レ
ジスト材料の粘度が比較的低いため、第１の端縁部３ａ
付近のギャップ層２上における厚さは７μｍ以下とな
る。また、第３の絶縁層７の上面付近においては、第１
のポケット部Ｐ１内にレジスト材料が入り込み、レジス
ト材料の「溜め」ができて下方へ流れにくくなる。従っ
て、第３の絶縁層７の上面におけるレジスト層１０の厚
さは、低い粘度のレジスト材料を用いているにもかかわ
らず２μｍ以上確保される。従って、ポケット部Ｐ１を
設けることにより、レジスト層１０を形成するためのレ
ジスト材として低い粘度のものが使用でき、上部コア層
８の先端部８ａの近傍、及び連結部８ｂのポールストレ
ート部Ｐｓ付近である第１の端縁部３ａの近傍のレジス
ト層１０の厚さを薄くできると共に、第３の絶縁層７の
上面におけるレジスト層１０の厚さを厚くすることがで
きる。

【００３７】次に、図３Ｂ中に矢印で示した上方からの
露光光により、露光して上部コア層８の形状パターンを
レジスト層１０に形成し、現像して、露光された部分の
レジスト層１０を除去する。次に、下地層９が露出した
部分にＦｅ−Ｎｉ系合金等の磁性材料を膜厚がおよそ４
μｍとなるまでメッキする。そして、図３Ｃに示すよう
に、残存したレジスト層１０、及び不要な下地層９を除
去することにより上部コア層８が得られる。尚、上部コ
ア層８の上層はＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜（図示せず）により
覆う。

【００３８】上部コア層８は、磁気記録媒体との対向面
側のギャップ層２上に幅狭の先端部８ａを形成し、それ
に連なる連結部８ｂは第１の傾斜面３ｂ及び第２の傾斜
面５ｂ上に形成する。また、ポール・ストレート部Ｐｓ
は第３の傾斜面７ｂ上に設け、連結部８ｂと連なる基部
８ｃは、主に第３の平行面７ｃ上の、第１及び第２のコ
イル層４、６の上部に当たる部分を覆うように形成す
る。

【００３９】最後に、不要な薄膜積層体を除去して、ラ
ップ研削によりＡＢＳ面Ａを形成し、ＡＢＳ面Ａと第１
の端縁部３ａとによりギャップ深さＧｄを決定して、図
１に示したインダクティブヘッドを有する薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。なお、図中において、下地層９は上部コ
ア層８と一体化されるため図示していない。

【００４０】このように、第１及び第２のコイル層４、
６の二段構造で形成しているため、これらを覆う第１〜
第３の絶縁層３、５、７の総合膜厚は厚いものの、第３
の端縁部７ａを後退させて、第１のポケット部Ｐ１を形
成したため、レジスト層１０を形成する際に、スピンコ
ートしたレジスト材料が第１のポケット部Ｐ１内に留ま
り、低粘度のレジスト材料であっても下方のギャップ層
２側へ流れるのを防ぐ役割を果たす。よって、第３の絶
縁層７の上面におけるレジスト層１０は、上部コア層８
を形成するに必要な膜厚が確保される。また、低粘度の
レジスト材料を用いていることで、図３Ｂに示したギャ
ップ層２上の第１の端縁部３ａ付近において、レジスト
層１０の膜厚は８００ｃｐ程度の高粘度レジストを用い
た場合よりも薄くなり、フォトリソグラフィによって先
端部８ａの形状パターンをレジスト層１０に形成する際
に、露光光源の波長を短くして焦点深度を深くする必要
がなく解像度（分解能）の低下もないので、先端部８ａ
の形状パターン精密に形成でき、所定寸法の狭いトラッ
ク幅Ｔｗの先端部８ａを精度高く形成できる。

【００４１】（第２の実施の形態）次に本発明の薄膜磁
気ヘッドの第２の実施の形態について説明する。本実施
の形態における薄膜磁気ヘッドは、前述した第１の実施
の形態とほぼ同様の構成であるが、その特徴的な部分と
して、図４に示すように、第１のポケット部Ｐ１内に、
第２の傾斜面５ｂと第３の平行面７ｃとを繋ぐようにさ
れた第４の傾斜面１１ａを有する、第４の絶縁層１１が
設けられている。

【００４２】この第４の絶縁層１１の製造方法を以下に
示す。まず、第１の実施の形態の図３Ａに示したよう
に、第１〜第３の絶縁層３、５、７及び第１、第２のコ
イル層４、６をギャップ層２上に積層し、露出された第
２の平行面５ｃと第３の傾斜面７ｂとからなるポケット
部Ｐ１を設ける。次に、図５Ａに示すように、ギャップ
層２上、第１〜第３の絶縁層３、５、７の上層に、加熱
硬化するレジスト材料を塗布してレジスト層１２を形成
する。次に、図５Ｂに示すように、フォトリソグラフィ
により露光・現像してパターニングを行い、図中Ｔ線で
示した位置で第２の傾斜面５ｂ部分から下方と第３の絶
縁層７より上方の上層にあるレジスト層１２を除去す
る。次に、図５Ｃに示すように、徐々に加熱してレジス
ト材料中の溶剤を蒸発させて体積を減少させながらレジ
スト層１２を硬化する。以上のようにして第２の端縁部
５ａと第３の平行面７ｃとを繋ぐように、ポケット部Ｐ
１に第４の絶縁層１１を形成する。これにより、第４の
傾斜面１１ａの角度は、第１の傾斜面３ｂ及び第２の傾
斜面５ｂの角度よりも緩やかとなる。

【００４３】その後、第１の実施の形態で説明したと同
様に、第１〜第４の絶縁層３、５、７、１１上に、フレ
ームメッキ法により上部コア層８を形成する。この時、
図５Ｄに示すように、下地層９上に粘度が約２７０ｃｐ
のレジスト材料をスピンコートで塗布してレジスト層１
０を形成するが、第１のポケット部Ｐ１が第４の絶縁層
１１で埋まっているため、第１の実施の形態で説明した
ようにレジスト材料が第１のポケット部Ｐ１で溜まるこ
とはない。しかし、設けられた第４の絶縁層１１の第４
の傾斜面１１ａは、前述のように第２の傾斜面５ｂと第
３の平行面７ｃとを緩やかに繋いでおり、第３の絶縁層
７から第４の傾斜面１１ａにかけての上部においてレジ
スト材料が下方へ流れにくく、第３の絶縁層７の上面に
おけるレジスト層１０は、上部コア層８を形成するに十
分な厚さが確保される。また、第４の傾斜面１１ａが緩
やかな角度を有するため、第４の傾斜面１１ａ上の下地
層９上で乱反射された露光光が上部コア層８の形状パタ
ーン以外の領域を露光する方向へ入射されにくくなり、
レジスト１０層に上部コア層８の形状パターンを高精度
に形成することができる。

【００４４】（第３の実施例）次に本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの第３の実施の形態について説明する。本実施の形
態における薄膜磁気ヘッドについても、前述した第１の
実施の形態とほぼ同様の構成であるが、その特徴的な部
分としては、図６に示すように、銅（Ｃｕ）等の低抵抗
導電性材料からなる平面螺旋状の第１のコイル層４は、
第１の端縁部３ａから１０μｍ以上の距離を空けてお
り、それに対応して、第１のコイル層４を被覆するよう
に設けられた第２の絶縁層５は、第２の端縁部５ａが第
１の平行面３ｃの上において第１の端縁部３ａからおよ
そ６μｍ以上の距離を空けた状態となるようにされて、
露出された第１の平行面３ｃと第２の傾斜面５ｂとで第
２のポケット部Ｐ２が構成されている。また、第２のポ
ケット部Ｐ２の位置は、第１の端縁部３ａから第２の端
縁部５ａまでの距離が１０μｍ以下であることが好まし
い。これは、第１の端縁部３ａから第２の端縁部５ａま
での距離が１０μｍより大きいと、磁気回路の磁路長が
長くなり、インダクタンスが増大して高周波特性が低下
するので、これを防止するためである。

【００４５】以下に、本実施の形態の製造方法について
説明する。まず、図７Ａに示すように、第１の実施の形
態と同様に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の磁性材料からなる下
部コア層１上に、Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁性材料により膜厚
（ギャップ長）Ｇｌのギャップ層２を形成する。次に、
レジスト材料やその他の有機樹脂材料を用いて、フォト
リソグラフィ等により第１の絶縁層３を形成する。この
時のレジストを硬化させるための加熱工程において、レ
ジスト材料の粘性により、第１の端縁部３ａには第１の
傾斜面３ｂが形成され、上面はギャップ層２に対して略
平行な第１の平行面３ｃとなる。

【００４６】次に、図７Ｂに示すように、第１の絶縁層
３上に、第１の端縁部３ａから１０μｍ以上の距離を空
けて、Ｃｕ等を用いてメッキにより、第１のコイル層４
を平面螺旋状となるように形成する。

【００４７】次に、図７Ｃに示すように、第１のコイル
層４を覆うようにして、第１の絶縁層３上にレジスト材
料やその他の有機樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフ
ィにより第２の絶縁層５を設ける。この時、第１の絶縁
層３と同様に、第２の端縁部５ａには第２の傾斜面５ｂ
が形成され、上面はギャップ層２に対して略平行な第２
の平行面５ｃとなる。また、第２の端縁部５ａは第１の
平行面３ｃ上に位置され、第２の傾斜面５ｂは第１の傾
斜面３ｂと略同一面上に形成されず、また、第１の平行
面３ｃの一部が露出された状態で形成される。この露出
された第１の平行面３ｃと第２の傾斜面５ｂとで第２の
ポケット部Ｐ２が設けられる。

【００４８】以下、第１の実施の形態で説明したと同様
に、第２のコイル層６及び第３の絶縁層７を形成し、図
７Ｄに示すように、第３の傾斜面７ｂと第２の絶縁層５
の上面とで第１のポケット部Ｐ１を設ける。

【００４９】そして、第１〜第３の絶縁層３、５、７及
びギャップ層２の上に、フレームメッキ法により上部コ
ア層８を形成する。そのために、図８Ａに示すように下
地層９及びレジスト層１０を設ける。第１の実施の形態
で説明したように、第１のポケット部Ｐ１を設けたこと
で、レジスト層１０を形成する際に、スピンコートした
レジスト材料は第１のポケット部Ｐ１内に留まり、下方
のギャップ層２側へ流れるのが防止され、低粘度のレジ
スト材料であっても第３の絶縁層７の上面におけるレジ
スト層１０の膜厚が確保される。また、新たに第２のポ
ケット部Ｐ２を設けることで、レジスト材料は第２のポ
ケット部Ｐ２内に留まり、レジスト層１０の厚さの差が
より減少するとともに、図８Ｂに示すように、レジスト
層１０を露光して上部コア層８の形状パターンを形成す
る際に、第２の傾斜面５ｂ及び第３の傾斜面７ｂ上の下
地層９において乱反射された露光光の多くが、先端部８
ａが形成されるギャップ層２側へ入射されるのを第２の
ポケット部Ｐ２により阻止し、挟いトラック幅Ｔｗの先
端部８ａが精度高く形成される。

【００５０】（第４の実施の形態）次に本発明の薄膜磁
気ヘッドの第４の実施の形態について説明する。本実施
の形態における薄膜磁気ヘッドについては、前述した第
３の実施の形態とほぼ同様の構成であるが、その特徴的
な部分として、図９に示すように、第２のポケット部Ｐ
２内に、第１の傾斜面３ｂと第２の平行面５ｃとを繋ぐ
ようにされた第５の傾斜面１３ａを有する、第５の絶縁
層１３が設けられている。尚、第１のポケット部Ｐ１に
ついても、第４の絶縁層１１が設けられている。

【００５１】この第５の絶縁層１３の製造方法は、第２
の実施の形態で説明した第４の絶縁層１１の形成方法と
同様であり、レジスト材料を塗布して露光・現像後に必
要な部分だけを残して加熱硬化させて形成する方法によ
り、詳細な説明は省略する。

【００５２】また、図１０に示すように、第５の絶縁層
１３を形成した後、第１〜第５の絶縁層３、５、７、１
１、１３上に、上部コア層８と同じＦｅ−Ｎｉ系合金等
の磁性材料からなる下地層９を薄く形成し、その下地層
９上にレジスト材料をスピンコートで塗布してレジスト
層１０を形成する。この際、第５の傾斜面１３ａは第４
の傾斜面１１ａと共に、緩やかな傾斜を構成しており、
レジスト材料が下方へ流れにくく、第３の絶縁層７の上
面におけるレジスト層１０は上部コア層８を形成するに
十分な厚さが確保される。また、露光光により、露光し
て上部コア層８の形状パターンをレジスト層１０に形成
する際に、上方から入射された露光光の一部がレジスト
層１０を透過した後、下地層９の表面で乱反射しても、
第５の絶縁層１３は緩やかな角度で形成されているた
め、乱反射した光は先端部８ａが形成されるギャップ層
２側へ入射されることなく上方へ向かうため、挟いトラ
ック幅Ｔｗの先端部８ａが精度高く形成される。

【００５３】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁性
材料からなる下部コア層上に設けられた、非磁性材料か
らなるギャップ層上には、磁気記録媒体との対向面側に
ギャップ深さを決定する第１の端縁部と、第１の端縁部
から延びる第１の傾斜面と、第１の傾斜面に連なってギ
ャップ層に対して略平行な第１の平行面とを有する第１
の絶縁層が設けられ、第１の絶縁層上には、第１の平行
面上に第１のコイル層を有すると共に、第１のコイル層
を被覆して、磁気記録媒体との対向面側の第２の端縁部
と、第２の端縁部から延びる第２の傾斜面と、第２の傾
斜面に連なってギャップ層に対して略平行な第２の平行
面とを有する第２の絶縁層が積層され、第２の絶縁層上
には、第２の平行面上に第２のコイル層を有し、第２の
コイル層を被覆して、第２の平行面上に設けられた磁気
記録媒体との対向面側の第３の端縁部と、第３の端縁部
から延びる第３の傾斜面とを有する第３の絶縁層が積層
され、第２の平行面と第３の傾斜面とで第１のポケット
部が形成され、ギャップ層及び第１〜第３の絶縁層上に
は、磁性材料からなり、磁気記録媒体との対向面の先端
部がギャップ層を介して磁気ギャップを形成すると共
に、後端部が下部コア層に接触された上部コア層が設け
られたことにより、特に二段構造のコイル層上方の絶縁
層上において、フレームメッキ法により上部コア層を形
成するに十分な膜厚のレジスト層が、低い粘度のレジス
ト材料を用いた場合にも、第１のポケット部の存在によ
り下方側に流れるのを抑えて形成することができ、ま
た、低い粘度のレジストを用いることができるため、先
端部を形成する部分においてはレジスト層を比較的薄く
形成することができ、これにより、上部コア層が精度高
く形状制御された薄膜磁気ヘッドとなっている。

【００５４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
第１のポケット部に、絶縁性材料が充填され、第４の傾
斜面を備えた第４の絶縁層が設けられたことにより、レ
ジスト層を露光して上部コア層の形状パターンを形成す
る際に、第４の傾斜面が緩やかな角度を有するため、第
４の傾斜面上の下地層上で乱反射された露光光が上部コ
ア層の形状パターン以外の領域を露光する方向へ入射さ
れにくくなり、上部コア層の形状パターンが高精度に形
成された薄膜磁気ヘッドとなっている。

【００５５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
第２の端縁部が、第１の平行面上に設けられ、露出され
た第１の平行面と第２の傾斜面とで第２のポケット部が
構成されたことにより、形成されたレジスト層の厚さの
差がより減少するとともに、レジスト層を露光して上部
コア層の形状パターンを形成する工程において、第２の
傾斜面及び第３の傾斜面上の下地層において乱反射され
た露光光が、ギャップ層側（先端部が形成される側）へ
入射されるのを、第１のポケット部と共に阻止すること
で、上部コア層の形状パターンが高精度に形成された薄
膜磁気ヘッドとなっている。

【００５６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
第２のポケット部に、絶縁性材料が充填され、第５の傾
斜面を備えた第５の絶縁層が設けられたことにより、レ
ジスト層を露光して上部コア層の形状パターンを形成す
る工程において、上方から入射された露光光の一部がレ
ジスト層を透過した後、下地層の表面で乱反射しても、
第５の絶縁層は緩やかな角度で形成されているため、乱
反射した光は先端部が形成されるギャップ層側へ入射さ
れることなく上方へ向かうため、上部コア層の形状パタ
ーンが高精度に形成された薄膜磁気ヘッドとなってい
る。

【００５７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁性材料からなる下部コア層上に設けられた非磁性
材料からなるギャップ層の上層に、磁気記録媒体との対
向面側の第１の端縁部がギャップ深さを決定する第１の
端縁部と、第１の端縁部から延びる第１の傾斜面と、第
１の傾斜面に連なってギャップ層に対して略平行な第１
の平行面とを有する第１の絶縁層を形成する工程と、第
１の平行面上に第１のコイル層を形成する工程と、第１
のコイル層を被覆するように、磁気記録媒体との対向面
側の第２の端縁部と、第２の端縁部から延びる第２の傾
斜面と、第２の傾斜面に連なってギャップ層に対して略
平行な第２の平行面とを有する第２の絶縁層を形成する
工程と、第２の平行面上に第２のコイル層を形成する工
程と、第２のコイル層を被覆するように、磁気記録媒体
との対向面側の第３の端縁部を第２の平行面上に設けた
状態で、第３の端縁部から延びる第３の傾斜面と、第３
の傾斜面に連なってギャップ層に対して略平行な第３の
平行面とを有する第３の絶縁層を形成し、露出された第
２の平行面と第３の傾斜面とで第１のポケット部を形成
する工程と、第１〜第３の絶縁層及びギャップ層の上に
導電性材料からなる下地層を形成する工程と、下地層上
にレジスト材料を塗布してレジスト層を設けてフォトリ
ソグラフィによりレジスト層に上部コア層の形状パター
ンを形成する工程と、フレームメッキ法により、磁性材
料からなる上部コア層の先端部をギャップ層上に形成す
ると共に、先端部と接続され、後端部が下部コア層に接
触された基部を第１〜第３の絶縁層上に形成する工程と
を有することにより、特に二段構造のコイル層上方の絶
縁層上において、フレームメッキ法により上部コア層を
形成する工程において、低い粘度のレジスト材料を用い
た場合にも、第１のポケット部の存在により下方側に流
れるのを抑えて十分な膜厚のレジスト層を形成すること
ができ、併せて、低い粘度のレジストを用いることがで
きるので、先端部を形成するギャップ層上においてはレ
ジスト層を比較的薄く形成することができ、これによ
り、上部コア層を精度高く形状制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の
説明図である。

【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の
製造方法を説明するための工程断面図である。

【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の
製造方法を説明するための工程断面図である。

【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施の形態の
要部断面図である。

【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施の形態の
製造方法を説明するための断面図である。

【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの第３の実施の形態の
要部断面図である。

【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの第３の実施の形態の
製造方法を説明するための断面図である。

【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための要部断面図である。

【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの第４の実施の形態の
要部断面図である。

【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程
を説明するための要部断面図である。

【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの説明図である。

【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための要部断面図である。

【符号の説明】

１下部コア層２ギャップ層３第１の絶縁層３ａ第１の端縁部３ｂ第１の傾斜面３ｃ第１の平行面４第１のコイル層５第２の絶縁層５ａ第２の端縁部５ｂ第２の傾斜面５ｃ第２の平行面６第２のコイル層７第３の絶縁層７ａ第３の端縁部７ｂ第３の傾斜面７ｃ第３の平行面８上部コア層８ａ先端部８ｂ連結部８ｃ基部８ｄ後端部９下地層１０レジスト層１１第４の絶縁層１１ａ第４の傾斜面１２レジスト層１３第５の絶縁層１３ａ第５の傾斜面２０ＭＲヘッドＧ磁気ギャップＧｌギャップ長Ｇｄギャップ深さＰｓポール・ストレート部Ｔｗトラック幅ＡＡＢＳ面Ｈ穴Ｐ１第１のポケット部Ｐ２第２のポケット部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性材料からなる下部コア層上に設けら
れた、非磁性材料からなるギャップ層上には、磁気記録
媒体との対向面側にギャップ深さを決定する第１の端縁
部と、該第１の端縁部から延びる第１の傾斜面と、該第
１の傾斜面に連なって前記ギャップ層に対して略平行な
第１の平行面とを有する第１の絶縁層が設けられ、該第
１の絶縁層上には、前記第１の平行面上に第１のコイル
層を有すると共に、該第１のコイル層を被覆して、磁気
記録媒体との対向面側の第２の端縁部と、該第２の端縁
部から延びる第２の傾斜面と、該第２の傾斜面に連なっ
て前記ギャップ層に対して略平行な第２の平行面とを有
する第２の絶縁層が積層され、該第２の絶縁層上には、
前記第２の平行面上に第２のコイル層を有し、該第２の
コイル層を被覆して、前記第２の平行面上に設けられた
磁気記録媒体との対向面側の第３の端縁部と、該第３の
端縁部から延びる第３の傾斜面とを有する第３の絶縁層
が積層され、前記第２の平行面と前記第３の傾斜面とで
第１のポケット部が形成され、前記ギャップ層及び前記
第１〜第３の絶縁層上には、磁性材料からなり、磁気記
録媒体との対向面の先端部が前記ギャップ層を介して磁
気ギャップを形成すると共に、後端部が前記下部コア層
に接触された上部コア層が設けられたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記第１のポケット部に、絶縁性材料が
充填され、第４の傾斜面を備えた第４の絶縁層が設けら
れたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項３】前記第２の端縁部が、前記第１の平行面
上に設けられ、露出された前記第１の平行面と前記第２
の傾斜面とで第２のポケット部が構成されたことを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記第２のポケット部に、絶縁性材料が
充填され、第５の傾斜面を備えた第５の絶縁層が設けら
れたことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項５】磁性材料からなる下部コア層上に設けら
れた非磁性材料からなるギャップ層の上層に、磁気記録
媒体との対向面側の第１の端縁部がギャップ深さを決定
する第１の端縁部と、該第１の端縁部から延びる第１の
傾斜面と、該第１の傾斜面に連なって前記ギャップ層に
対して略平行な第１の平行面とを有する第１の絶縁層を
形成する工程と、前記第１の平行面上に第１のコイル層
を形成する工程と、該第１のコイル層を被覆するよう
に、磁気記録媒体との対向面側の第２の端縁部と、該第
２の端縁部から延びる第２の傾斜面と、該第２の傾斜面
に連なって前記ギャップ層に対して略平行な第２の平行
面とを有する第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２
の平行面上に第２のコイル層を形成する工程と、該第２
のコイル層を被覆するように、磁気記録媒体との対向面
側の第３の端縁部を前記第２の平行面上に設けた状態
で、該第３の端縁部から延びる第３の傾斜面と、該第３
の傾斜面に連なって前記ギャップ層に対して略平行な第
３の平行面とを有する第３の絶縁層を形成し、露出され
た前記第２の平行面と前記第３の傾斜面とで第１のポケ
ット部を形成する工程と、前記第１〜第３の絶縁層及び
前記ギャップ層の上に導電性材料からなる下地層を形成
する工程と、該下地層上にレジスト材料を塗布してレジ
スト層を設けてフォトリソグラフィにより該レジスト層
に前記上部コア層の形状パターンを形成する工程と、フ
レームメッキ法により、磁性材料からなる上部コア層の
先端部を前記ギャップ層上に形成すると共に、該先端部
と接続され、後端部が前記下部コア層に接触された基部
を前記第１〜第３の絶縁層上に形成する工程とを有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。