JP2000140584A - 水素分離膜の水素透過性能回復方法 - Google Patents
水素分離膜の水素透過性能回復方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】できるだけエネルギ−ロスを少なくし、また、
装置の複雑な構成をより簡略化すると共に、操作も容易
な水素透過性能回復方法を提供する。 【解決手段】パラジウム系水素分離膜装置の水素透過性
能が低下した水素分離膜の透過性能を回復する方法にお
いて、パラジウム系水素分離膜装置への水素含有ガスの
供給を停止し、パラジウム系水素分離膜装置の温度を少
なくとも水素分離操作温度に保持して、非透過側に水蒸
気を流通させることを特徴とする水素分離膜の水素透過
性能回復方法。
装置の複雑な構成をより簡略化すると共に、操作も容易
な水素透過性能回復方法を提供する。 【解決手段】パラジウム系水素分離膜装置の水素透過性
能が低下した水素分離膜の透過性能を回復する方法にお
いて、パラジウム系水素分離膜装置への水素含有ガスの
供給を停止し、パラジウム系水素分離膜装置の温度を少
なくとも水素分離操作温度に保持して、非透過側に水蒸
気を流通させることを特徴とする水素分離膜の水素透過
性能回復方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パラジウム系水素
分離膜装置を用いて高純度水素を製造するにあたり、水
素透過性能が低下したパラジウム系水素分離膜（以下単
に水素分離膜という）の透過性能を回復する方法に関す
る。
分離膜装置を用いて高純度水素を製造するにあたり、水
素透過性能が低下したパラジウム系水素分離膜（以下単
に水素分離膜という）の透過性能を回復する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、都市ガス、天然ガス、ナフサ、灯
油又はメタノールなどの炭化水素を原料とし、水蒸気を
混合して、白金、ルテニウム又はニッケルなどの金属を
アルミナやシリカなどの担体に担持した改質触媒を用い
た水蒸気改質装置で水素含有ガスに改質し、得られた水
素含有ガスから溶液吸収法、吸着法、深冷分離法又は膜
分離法などにより水素を分離し、分離した水素は燃料電
池用水素、半導体製造用水素又は石油化学用原料などと
して使用されている。
油又はメタノールなどの炭化水素を原料とし、水蒸気を
混合して、白金、ルテニウム又はニッケルなどの金属を
アルミナやシリカなどの担体に担持した改質触媒を用い
た水蒸気改質装置で水素含有ガスに改質し、得られた水
素含有ガスから溶液吸収法、吸着法、深冷分離法又は膜
分離法などにより水素を分離し、分離した水素は燃料電
池用水素、半導体製造用水素又は石油化学用原料などと
して使用されている。
【０００３】前記各種の水素分離法において、膜分離法
は、省エネルギ−、高分離効率、装置の簡易な構造及び
運転の容易性などから近年多く使用されてきている。な
お、膜分離法で使用される水素分離膜としては、ポリイ
ミド膜やポリスルホン膜などの有機水素分離膜やパラジ
ウム膜又は銀、銅又はニッケルなどの金属とパラジウム
とを合金化した合金膜などの無機水素分離膜が用いられ
るが、特に前記水蒸気改質装置と組み合わせて使用する
水素分離膜装置としては、耐熱性もあり、極めて高純度
の水素を得ることができるパラジウム系の無機水素分離
膜装置（以下単に水素分離膜装置という）が主に用いら
れる。
は、省エネルギ−、高分離効率、装置の簡易な構造及び
運転の容易性などから近年多く使用されてきている。な
お、膜分離法で使用される水素分離膜としては、ポリイ
ミド膜やポリスルホン膜などの有機水素分離膜やパラジ
ウム膜又は銀、銅又はニッケルなどの金属とパラジウム
とを合金化した合金膜などの無機水素分離膜が用いられ
るが、特に前記水蒸気改質装置と組み合わせて使用する
水素分離膜装置としては、耐熱性もあり、極めて高純度
の水素を得ることができるパラジウム系の無機水素分離
膜装置（以下単に水素分離膜装置という）が主に用いら
れる。
【０００４】前記パラジウム系の無機水素分離膜の製造
方法としては、ガラス、セラミックス又は金属の無機多
孔質支持体にパラジウム膜などの水素分離膜を被着させ
て成るが、水素分離膜の被着方法として、特開昭６２−
１２１６１６号公報に気相化学反応法や真空蒸着法、特
開昭６２−２７３０３０号公報に化学メッキ法、特開平
４−３２６９３１号公報に電気メッキ法などの方法が開
示されている。
方法としては、ガラス、セラミックス又は金属の無機多
孔質支持体にパラジウム膜などの水素分離膜を被着させ
て成るが、水素分離膜の被着方法として、特開昭６２−
１２１６１６号公報に気相化学反応法や真空蒸着法、特
開昭６２−２７３０３０号公報に化学メッキ法、特開平
４−３２６９３１号公報に電気メッキ法などの方法が開
示されている。
【０００５】また、従来の前記水蒸気改質装置と水素分
離膜装置とを組み合わせた高純度水素製造装置において
は、適宜に脱硫した原料炭化水素と水蒸気を混合して水
蒸気改質装置に供給し、水蒸気改質装置で温度を７５０
〜８５０℃、圧力を常圧〜１０kg/cm2Ｇで反応させて水
素含有ガスを製造し、水素分離膜装置に供給して、温度
を２００〜６００℃、圧力を５〜１０kg/cm2Ｇで運転し
て、透過側に９９．９９９％以上の高純度水素を分離回
収している。
離膜装置とを組み合わせた高純度水素製造装置において
は、適宜に脱硫した原料炭化水素と水蒸気を混合して水
蒸気改質装置に供給し、水蒸気改質装置で温度を７５０
〜８５０℃、圧力を常圧〜１０kg/cm2Ｇで反応させて水
素含有ガスを製造し、水素分離膜装置に供給して、温度
を２００〜６００℃、圧力を５〜１０kg/cm2Ｇで運転し
て、透過側に９９．９９９％以上の高純度水素を分離回
収している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記高純度水素製造装
置による高純度水素の製造方法においては、装置を一定
期間連続運転することにより、水素分離膜の表面に炭素
や炭素化合物などの不純物が附着して水素の透過性能が
悪くなり、水素分離効率が低下する問題があった。本発
明は、できるだけエネルギ−ロスを少なくし、装置構成
も簡略化すると共に、操作も容易な水素透過性能回復方
法を提供する目的で成されたものである。
置による高純度水素の製造方法においては、装置を一定
期間連続運転することにより、水素分離膜の表面に炭素
や炭素化合物などの不純物が附着して水素の透過性能が
悪くなり、水素分離効率が低下する問題があった。本発
明は、できるだけエネルギ−ロスを少なくし、装置構成
も簡略化すると共に、操作も容易な水素透過性能回復方
法を提供する目的で成されたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の要旨は、請求項１に記載の発明においては、
パラジウム系水素分離膜装置を用いて高純度水素を製造
するにあたり、水素透過性能が低下したパラジウム系水
素分離膜の透過性能を回復する方法において、パラジウ
ム系水素分離膜装置への水素含有ガスの供給を停止し、
パラジウム系水素分離膜装置の温度を、少なくとも水素
分離操作温度に保持して、非透過側に水蒸気を流通させ
ることを特徴とする水素分離膜の水素透過性能回復方法
である。
の本発明の要旨は、請求項１に記載の発明においては、
パラジウム系水素分離膜装置を用いて高純度水素を製造
するにあたり、水素透過性能が低下したパラジウム系水
素分離膜の透過性能を回復する方法において、パラジウ
ム系水素分離膜装置への水素含有ガスの供給を停止し、
パラジウム系水素分離膜装置の温度を、少なくとも水素
分離操作温度に保持して、非透過側に水蒸気を流通させ
ることを特徴とする水素分離膜の水素透過性能回復方法
である。
【０００８】また、請求項２に記載の発明においては、
炭化水素を水蒸気改質装置で改質して水素含有ガスを製
造し、パラジウム系水素分離膜装置を用いて高純度水素
を製造するにあたり、水素透過性能が低下したパラジウ
ム系水素分離膜の透過性能を回復する方法において、水
蒸気改質装置への原料ガスの供給を停止し、パラジウム
系水素分離膜装置の温度を、少なくとも水素分離操作温
度に保持して、水蒸気改質装置に供給する水蒸気をパラ
ジウム系水素分離膜装置の非透過側に流通させることを
特徴とする水素分離膜の水素透過性能回復方法である。
炭化水素を水蒸気改質装置で改質して水素含有ガスを製
造し、パラジウム系水素分離膜装置を用いて高純度水素
を製造するにあたり、水素透過性能が低下したパラジウ
ム系水素分離膜の透過性能を回復する方法において、水
蒸気改質装置への原料ガスの供給を停止し、パラジウム
系水素分離膜装置の温度を、少なくとも水素分離操作温
度に保持して、水蒸気改質装置に供給する水蒸気をパラ
ジウム系水素分離膜装置の非透過側に流通させることを
特徴とする水素分離膜の水素透過性能回復方法である。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は請求項２記載の水素分離膜の水素透過性能回復方法
において、パラジウム系水素分離膜装置の水素分離操作
温度が２００〜６００℃、好ましくは４００〜５５０℃
である水素分離膜の水素透過性能回復方法である。
又は請求項２記載の水素分離膜の水素透過性能回復方法
において、パラジウム系水素分離膜装置の水素分離操作
温度が２００〜６００℃、好ましくは４００〜５５０℃
である水素分離膜の水素透過性能回復方法である。
【００１０】更に、請求項４に記載の発明は、請求項
１、請求項２又は請求項３記載の水素分離膜の水素透過
性能回復方法において、パラジウム系水素分離膜装置の
非透過側に水蒸気を３〜６時間流通させる水素分離膜の
水素透過性能回復方法。
１、請求項２又は請求項３記載の水素分離膜の水素透過
性能回復方法において、パラジウム系水素分離膜装置の
非透過側に水蒸気を３〜６時間流通させる水素分離膜の
水素透過性能回復方法。
【００１１】前記において、パラジウム系水素分離膜装
置の温度は、少なくとも水素分離操作温度に保持して水
素透過性能回復操作が行われるが、低くなるほど水素透
過性能の回復効果が少なくなるため、２００℃以上、好
ましくは４００℃以上の温度、また、温度を高くしても
効果の向上は期待できず、エネルギ−ロスが大きくなる
ため、６００℃以下、好ましくは５５０℃以下の温度に
保持される。
置の温度は、少なくとも水素分離操作温度に保持して水
素透過性能回復操作が行われるが、低くなるほど水素透
過性能の回復効果が少なくなるため、２００℃以上、好
ましくは４００℃以上の温度、また、温度を高くしても
効果の向上は期待できず、エネルギ−ロスが大きくなる
ため、６００℃以下、好ましくは５５０℃以下の温度に
保持される。
【００１２】更に、パラジウム系水素分離膜装置の非透
過側に流通させる水蒸気の流通時間は、長いほど回復効
果があり、３時間以上が好ましいが、あまり長くしても
効果の向上は期待できず徒に時間を費やすのみとなるた
め、６時間以下が好ましい。
過側に流通させる水蒸気の流通時間は、長いほど回復効
果があり、３時間以上が好ましいが、あまり長くしても
効果の向上は期待できず徒に時間を費やすのみとなるた
め、６時間以下が好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。図１は本発明の一実施の形態の高純度水
素製造装置の系統図である。
いて説明する。図１は本発明の一実施の形態の高純度水
素製造装置の系統図である。
【００１４】１は一端が閉塞した管状の水素分離膜２が
内設された水素分離膜装置であり、水素分離膜２の外側
の非透過側と内側の水素透過側とが、シ−ル部材３によ
り区画され、非透過側には、水素含有ガス供給管５及び
非透過ガス排出管７が接続され、また、水素透過側に
は、高純度水素排出管６が接続されている。更に、水素
分離膜装置１の外周部には、加熱器４が付設されてい
る。
内設された水素分離膜装置であり、水素分離膜２の外側
の非透過側と内側の水素透過側とが、シ−ル部材３によ
り区画され、非透過側には、水素含有ガス供給管５及び
非透過ガス排出管７が接続され、また、水素透過側に
は、高純度水素排出管６が接続されている。更に、水素
分離膜装置１の外周部には、加熱器４が付設されてい
る。
【００１５】なお、前記水素分離膜２は、ガラス、セラ
ミックス又は金属の無機多孔質支持体にパラジウム膜な
どの分離膜を被着させて成り、分離膜の被着方法とし
て、気相化学反応法、真空蒸着法、化学メッキ法、又は
電気メッキ法などのいずれの方法を用いて製造してもよ
く、また、その形状も管状や平板状などいずれでもよ
く、更に、水素分離膜装置１に内設する水素分離膜２の
数も限定されない。
ミックス又は金属の無機多孔質支持体にパラジウム膜な
どの分離膜を被着させて成り、分離膜の被着方法とし
て、気相化学反応法、真空蒸着法、化学メッキ法、又は
電気メッキ法などのいずれの方法を用いて製造してもよ
く、また、その形状も管状や平板状などいずれでもよ
く、更に、水素分離膜装置１に内設する水素分離膜２の
数も限定されない。
【００１６】１０は、白金、ルテニウム又はニッケルな
どの金属をアルミナやシリカなどの担体に担持した改質
触媒が充填された反応管が内設された水蒸気改質装置で
あり、都市ガス、天然ガス、ナフサ、灯油又はメタノー
ルなどの炭化水素を原料として導入する原料ガス導入管
１１と、水蒸気を導入する水蒸気導入管１２とを接続し
て混合し、混合ガスを水素含有ガス製造用の原料ガスと
して供給する原料ガス供給管１３と、原料ガスを改質し
て得られ水素含有ガスを水素分離膜装置に供給する水素
含有ガス供給管５が接続されている。
どの金属をアルミナやシリカなどの担体に担持した改質
触媒が充填された反応管が内設された水蒸気改質装置で
あり、都市ガス、天然ガス、ナフサ、灯油又はメタノー
ルなどの炭化水素を原料として導入する原料ガス導入管
１１と、水蒸気を導入する水蒸気導入管１２とを接続し
て混合し、混合ガスを水素含有ガス製造用の原料ガスと
して供給する原料ガス供給管１３と、原料ガスを改質し
て得られ水素含有ガスを水素分離膜装置に供給する水素
含有ガス供給管５が接続されている。
【００１７】前記構成の装置により高純度水素を製造す
る方法は、都市ガス、天然ガス、ナフサ、灯油又はメタ
ノールなどの炭化水素の原料を、原料ガス導入管１１に
具備した原料ガス導入弁１４を開き、また、水蒸気を水
蒸気導入管１２に具備した水蒸気導入弁１５を開いて混
合し、原料ガスとして原料ガス供給管１３から水蒸気改
質装置１０に供給する。
る方法は、都市ガス、天然ガス、ナフサ、灯油又はメタ
ノールなどの炭化水素の原料を、原料ガス導入管１１に
具備した原料ガス導入弁１４を開き、また、水蒸気を水
蒸気導入管１２に具備した水蒸気導入弁１５を開いて混
合し、原料ガスとして原料ガス供給管１３から水蒸気改
質装置１０に供給する。
【００１８】水蒸気改質装置１０で、温度を７５０〜８
５０℃、圧力を常圧〜１０kg/cm2Ｇで原料と水蒸気とを
反応させて水素含有ガスを製造し、水素分離膜装置１に
水素含有ガス供給管５から供給して、加熱器４を併用し
ながら温度を２００〜６００℃、好ましくは４００〜５
５０℃、圧力を５〜１０kg/cm2Ｇで運転して、水素透過
側の高純度水素排出管６から９９．９９９％以上の高純
度水素を分離回収し、非透過ガスは非透過ガス排出管７
から系外の図示しない次工程に排出する。
５０℃、圧力を常圧〜１０kg/cm2Ｇで原料と水蒸気とを
反応させて水素含有ガスを製造し、水素分離膜装置１に
水素含有ガス供給管５から供給して、加熱器４を併用し
ながら温度を２００〜６００℃、好ましくは４００〜５
５０℃、圧力を５〜１０kg/cm2Ｇで運転して、水素透過
側の高純度水素排出管６から９９．９９９％以上の高純
度水素を分離回収し、非透過ガスは非透過ガス排出管７
から系外の図示しない次工程に排出する。
【００１９】前記の高純度水素製造装置を一定期間連続
して運転すると、水素分離膜２の表面に炭素や炭素化合
物などの不純物が附着して水素の透過性能が悪くなり、
水素分離効率が低下するため、一定効率以下に低下した
場合には、水素分離膜２の透過性能を回復する操作が行
われる。
して運転すると、水素分離膜２の表面に炭素や炭素化合
物などの不純物が附着して水素の透過性能が悪くなり、
水素分離効率が低下するため、一定効率以下に低下した
場合には、水素分離膜２の透過性能を回復する操作が行
われる。
【００２０】水素透過性能が低下した水素分離膜２の透
過性能を回復する方法は、水蒸気導入管１２に具備した
水蒸気導入弁１５を開いた状態で、原料ガス導入管１１
に具備した原料ガス導入弁１４を閉めて原料ガスの供給
を停止し、水蒸気改質装置１０及び水素分離膜装置１の
圧力を大気圧まで低下させる。
過性能を回復する方法は、水蒸気導入管１２に具備した
水蒸気導入弁１５を開いた状態で、原料ガス導入管１１
に具備した原料ガス導入弁１４を閉めて原料ガスの供給
を停止し、水蒸気改質装置１０及び水素分離膜装置１の
圧力を大気圧まで低下させる。
【００２１】前記において、水素分離膜装置１の温度
は、少なくとも水素分離操作温度に保持して水素透過性
能回復操作が行われるが、低くなるほど水素透過性能の
回復効果が少なくなるため、２００℃以上、好ましくは
４００℃以上の温度、また、温度を高くしても効果の向
上は期待できず、エネルギ−ロスが大きくなるため、６
００℃以下、好ましくは５５０℃以下の温度に保持され
る。
は、少なくとも水素分離操作温度に保持して水素透過性
能回復操作が行われるが、低くなるほど水素透過性能の
回復効果が少なくなるため、２００℃以上、好ましくは
４００℃以上の温度、また、温度を高くしても効果の向
上は期待できず、エネルギ−ロスが大きくなるため、６
００℃以下、好ましくは５５０℃以下の温度に保持され
る。
【００２２】また、水素分離膜装置１の非透過側に流通
させる水蒸気の流通時間は長いほど回復効果があり、ま
た、あまり長くしても効果の向上は期待できず、徒に時
間を費やすのみとなるため、水蒸気導入管１２から供給
される水蒸気は、３〜６時間供給し、水素分離膜装置１
の非透過側に流通させるのが好ましい。
させる水蒸気の流通時間は長いほど回復効果があり、ま
た、あまり長くしても効果の向上は期待できず、徒に時
間を費やすのみとなるため、水蒸気導入管１２から供給
される水蒸気は、３〜６時間供給し、水素分離膜装置１
の非透過側に流通させるのが好ましい。
【００２３】なお、水蒸気の供給は、水素含有ガス供給
管５に水蒸気導入管を接続し、前記の水蒸気導入管１２
を用いることなく行うことにより、水蒸気改質装置１０
と切り離して水素分離膜２の透過性能回復方法を行うこ
とができ、同様な効果を得ることができる。
管５に水蒸気導入管を接続し、前記の水蒸気導入管１２
を用いることなく行うことにより、水蒸気改質装置１０
と切り離して水素分離膜２の透過性能回復方法を行うこ
とができ、同様な効果を得ることができる。
【００２４】
【実施例】前記構成の高純度水素製造装置を用いて都市
ガスから高純度水素を製造した実施例について以下記載
する。なお、水素分離膜装置の分離膜としては、パラジ
ウム系の無機水素分離膜を用いた。 （実施例１）水素分離膜装置の水素分離操作温度を５０
０℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ３／Ｈｒで５
００時間連続運転した結果、高純度水素製造量が１．１
Ｎｍ３／Ｈｒまで低下したため原料ガスの供給を停止
し、水素分離操作温度である５００℃に保持して水蒸気
６．２ｋｇ／Ｈｒを３時間供給し、水素分離膜装置の非
透過側に流通させた結果、高純度水素製造量が３．７Ｎ
ｍ３／Ｈｒに回復した。
ガスから高純度水素を製造した実施例について以下記載
する。なお、水素分離膜装置の分離膜としては、パラジ
ウム系の無機水素分離膜を用いた。 （実施例１）水素分離膜装置の水素分離操作温度を５０
０℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ３／Ｈｒで５
００時間連続運転した結果、高純度水素製造量が１．１
Ｎｍ３／Ｈｒまで低下したため原料ガスの供給を停止
し、水素分離操作温度である５００℃に保持して水蒸気
６．２ｋｇ／Ｈｒを３時間供給し、水素分離膜装置の非
透過側に流通させた結果、高純度水素製造量が３．７Ｎ
ｍ３／Ｈｒに回復した。
【００２５】（実施例２）水素分離膜装置の水素分離操
作温度を４００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が１．５Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を停止し、水素
分離操作温度である４００℃に保持して水蒸気６．２ｋ
ｇ／Ｈｒを５時間供給し、水素分離膜装置の非透過側に
流通させた結果、高純度水素製造量が３．５Ｎｍ３／Ｈ
ｒに回復した。
作温度を４００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が１．５Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を停止し、水素
分離操作温度である４００℃に保持して水蒸気６．２ｋ
ｇ／Ｈｒを５時間供給し、水素分離膜装置の非透過側に
流通させた結果、高純度水素製造量が３．５Ｎｍ３／Ｈ
ｒに回復した。
【００２６】（比較例１）水素分離膜装置の水素分離操
作温度を５００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が１．２Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を停止し、水素
分離操作温度の５００℃から３５０℃に降温しながら水
蒸気６．２ｋｇ／Ｈｒを４時間供給し、水素分離膜装置
の非透過側に流通させた結果、高純度水素製造量は２．
３Ｎｍ３／Ｈｒまでしか回復しなかった。
作温度を５００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が１．２Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を停止し、水素
分離操作温度の５００℃から３５０℃に降温しながら水
蒸気６．２ｋｇ／Ｈｒを４時間供給し、水素分離膜装置
の非透過側に流通させた結果、高純度水素製造量は２．
３Ｎｍ３／Ｈｒまでしか回復しなかった。
【００２７】（比較例２）水素分離膜装置の水素分離操
作温度を５００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が２．４Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を１／１０に低
下させて供給し、水素分離操作温度である５００℃に保
持して水蒸気６．２ｋｇ／Ｈｒを４時間供給し、水素分
離膜装置の非透過側に流通させた結果、高純度水素製造
量は２．４Ｎｍ３／Ｈｒのままで水素分離膜の水素透過
性能は回復しなかった。
作温度を５００℃とし、高純度水素製造量が３．７Ｎｍ
３／Ｈｒで運転し、高純度水素製造量が２．４Ｎｍ３／
Ｈｒまで低下した時点で原料ガスの供給を１／１０に低
下させて供給し、水素分離操作温度である５００℃に保
持して水蒸気６．２ｋｇ／Ｈｒを４時間供給し、水素分
離膜装置の非透過側に流通させた結果、高純度水素製造
量は２．４Ｎｍ３／Ｈｒのままで水素分離膜の水素透過
性能は回復しなかった。
【００２８】前記の実施例及び比較例から、水素分離膜
の水素透過性能回復方法としては、少なくとも水素分離
膜装置の水素分離操作温度に保持し、原料ガス又は水素
含有ガスの供給を停止して水蒸気を流通させることが、
効率的に水素分離膜の水素透過性能を回復させる上で必
要であることが判明した。
の水素透過性能回復方法としては、少なくとも水素分離
膜装置の水素分離操作温度に保持し、原料ガス又は水素
含有ガスの供給を停止して水蒸気を流通させることが、
効率的に水素分離膜の水素透過性能を回復させる上で必
要であることが判明した。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、エネルギ−ロスを少なくし、
装置構成も簡略化すると共に、操作も容易な水素透過性
能回復方法である。
装置構成も簡略化すると共に、操作も容易な水素透過性
能回復方法である。
【図１】本発明の一実施の形態の高純度水素製造装置の
系統図
系統図
１：水素分離膜装置 ２：水素分離膜 ３：シ−ル部材 ４：加熱器 ５：水素含有ガス供給管 ６：高純度水素排出管 ７：非透過ガス排出管 １０：水蒸気改質装置
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Claims (4)
- 【請求項１】パラジウム系水素分離膜装置を用いて高純
度水素を製造するにあたり、水素透過性能が低下したパ
ラジウム系水素分離膜の透過性能を回復する方法におい
て、パラジウム系水素分離膜装置への水素含有ガスの供
給を停止し、パラジウム系水素分離膜装置の温度を、少
なくとも水素分離操作温度に保持して、非透過側に水蒸
気を流通させることを特徴とする水素分離膜の水素透過
性能回復方法。 - 【請求項２】炭化水素を水蒸気改質装置で改質して水素
含有ガスを製造し、パラジウム系水素分離膜装置を用い
て高純度水素を製造するにあたり、水素透過性能が低下
したパラジウム系水素分離膜の透過性能を回復する方法
において、水蒸気改質装置への原料ガスの供給を停止
し、パラジウム系水素分離膜装置の温度を、少なくとも
水素分離操作温度に保持して、水蒸気改質装置に供給す
る水蒸気をパラジウム系水素分離膜装置の非透過側に流
通させることを特徴とする水素分離膜の水素透過性能回
復方法。 - 【請求項３】前記パラジウム系水素分離膜装置の水素分
離操作温度が２００〜６００℃、好ましくは４００〜５
５０℃である請求項１又は請求項２記載の水素分離膜の
水素透過性能回復方法。 - 【請求項４】前記パラジウム系水素分離膜装置の非透過
側に水蒸気を３〜６時間流通させる請求項１、請求項２
又は請求項３記載の水素分離膜の水素透過性能回復方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324809A JP2000140584A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 水素分離膜の水素透過性能回復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324809A JP2000140584A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 水素分離膜の水素透過性能回復方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000140584A true JP2000140584A (ja) | 2000-05-23 |
Family
ID=18169927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10324809A Pending JP2000140584A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 水素分離膜の水素透過性能回復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000140584A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118594A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離膜を用いた燃料電池システム及びその制御方法 |
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| JP2015530352A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-10-15 | マーンケン・アンド・パートナー・ゲーエムベーハーＭａｈｎｋｅｎ ＆Ｐａｒｔｎｅｒ ＧｍｂＨ | 水素を獲得するための方法および獲得のための装置 |
| US11999621B2 (en) | 2020-10-23 | 2024-06-04 | H2 Powertech, Llc | Systems and methods for increasing the hydrogen permeance of hydrogen-separation membranes in situ |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10324809A patent/JP2000140584A/ja active Pending
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| US11999621B2 (en) | 2020-10-23 | 2024-06-04 | H2 Powertech, Llc | Systems and methods for increasing the hydrogen permeance of hydrogen-separation membranes in situ |
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