JP2000138452A - Manufacture of multilayered printed wiring board - Google Patents
Manufacture of multilayered printed wiring boardInfo
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- JP2000138452A JP2000138452A JP30853298A JP30853298A JP2000138452A JP 2000138452 A JP2000138452 A JP 2000138452A JP 30853298 A JP30853298 A JP 30853298A JP 30853298 A JP30853298 A JP 30853298A JP 2000138452 A JP2000138452 A JP 2000138452A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、導体回路が形成さ
れた樹脂基板を用いた多層プリント配線板に関し、特
に、樹脂絶縁層と導体回路の密着性、高周波数帯域の信
号伝搬性に優れる多層プリント配線板についての提案で
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board using a resin substrate on which a conductive circuit is formed, and more particularly to a multilayer printed wiring board having excellent adhesion between a resin insulating layer and a conductive circuit and excellent signal propagation in a high frequency band. This is a proposal for a printed wiring board.
【0002】[0002]
【従来の技術】信号の高周波数化に伴ってパッケージ基
板の材料特性として低誘電率、低誘電正接であることが
求められており、基板材料はセラミックから樹脂へとそ
の主流が移りつつある。2. Description of the Related Art As the frequency of signals increases, the package substrate is required to have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and the mainstream of the substrate material is shifting from ceramic to resin.
【0003】このような背景の下、特開平5−2955
53号のように、層間樹脂絶縁層をフィルム化して回路
基板に圧着し、表面をクロム酸で粗化してめっきを施し
て導体回路を形成する技術が提案されている。[0003] Against this background, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
As disclosed in Japanese Patent No. 53, there has been proposed a technique of forming a conductive circuit by forming an interlayer resin insulating layer into a film, pressing the film onto a circuit board, roughening the surface with chromic acid, and plating the surface.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな樹脂絶縁フィルムを使用する場合、基板の導体回路
表面を粗化する必要がある。このため、高周波数の信号
を伝搬させると、表皮効果により、信号が粗化された導
体回路の表面部分のみを伝搬し、その表面の凹凸に起因
して信号にノイズが生じてしまうという問題がある。こ
の問題は、セラミック基板に比べて低誘電率および低誘
電正接を持つ樹脂基板を使用する場合に、特に顕著であ
った。However, when such a resin insulating film is used, it is necessary to roughen the surface of the conductive circuit of the substrate. Therefore, when a high-frequency signal is propagated, the signal propagates only through the surface portion of the roughened conductor circuit due to the skin effect, and noise is generated in the signal due to unevenness of the surface. is there. This problem was particularly remarkable when a resin substrate having a lower dielectric constant and a lower dielectric loss tangent than a ceramic substrate was used.
【0005】そこで本発明は、樹脂基板が抱える上述し
た問題を解消するためになされたものであり、その主た
る目的は、信号のノイズを防止することにある。Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems of the resin substrate, and a main object thereof is to prevent signal noise.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。即ち、本発明は、導体回路が
形成された樹脂基板上に樹脂絶縁フィルムを積層して加
熱加圧することにより、樹脂絶縁層を設け、その樹脂絶
縁層上に導体回路を形成する多層プリント配線板の製造
方法であって、前記樹脂絶縁フィルムの基板側面を予め
プラズマ処理、コロナ放電処理および紫外線照射処理か
ら選ばれるいずれか少なくとも1以上の方法にて改質す
ることを特徴とする。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have intensively studied for realizing the above-mentioned object, and as a result, have arrived at an invention having the following content as a gist configuration. That is, the present invention provides a multilayer printed wiring board in which a resin insulating layer is provided by laminating a resin insulating film on a resin substrate on which a conductive circuit is formed, and is heated and pressed to form a conductive circuit on the resin insulating layer. Wherein the side surface of the substrate of the resin insulating film is modified in advance by at least one method selected from plasma treatment, corona discharge treatment and ultraviolet irradiation treatment.
【0007】本発明においては、樹脂絶縁フィルム表面
をプラズマ処理、コロナ放電、紫外線照射処理あるいは
これらの組合せにより処理することが必要である。プラ
ズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理を行うこと
により、樹脂表面に水酸基やカルボニル基等の極性基が
導入され、金属との密着性が向上する。このため、基板
上の導体回路表面を粗化しなくとも樹脂絶縁層との密着
性を改善できる。それゆえ、導体回路表面を粗化する必
要がなく、高周波数の信号を伝搬させてもノイズが発生
しない。前記プラズマ処理としては、逆スパッタリン
グ、酸素プラズマやCF4 ガスプラズマなどが使用され
る。逆スパッタリング処理とは、通常のスパッタリング
処理とは逆にターゲット材料を陽極に、樹脂絶縁フィル
ムを陰極にしてスパッタリング処理を行うものをいう。In the present invention, it is necessary to treat the surface of the resin insulating film by plasma treatment, corona discharge, ultraviolet irradiation treatment or a combination thereof. By performing a plasma treatment, a corona discharge treatment, or an ultraviolet irradiation treatment, a polar group such as a hydroxyl group or a carbonyl group is introduced into the resin surface, and the adhesion to a metal is improved. For this reason, the adhesion with the resin insulating layer can be improved without roughening the surface of the conductive circuit on the substrate. Therefore, there is no need to roughen the surface of the conductor circuit, and no noise is generated even when a high-frequency signal is propagated. As the plasma treatment, reverse sputtering, oxygen plasma, CF 4 gas plasma, or the like is used. Reverse sputtering refers to a process in which a sputtering process is performed using a target material as an anode and a resin insulating film as a cathode, contrary to a normal sputtering process.
【0008】プラズマ処理では、ガスイオンは、樹脂絶
縁フィルムに引き寄せられ、樹脂表面を叩いたり、表面
分子と反応することにより表面改質される。プラズマ処
理で使用されるガスとしては、例えば、アルゴン、ネオ
ン、ヘリウム、クリプトン、窒素などの不活性ガス、あ
るいは酸素、CF4 などの反応性ガスが使用される。プ
ラズマ処理を行う際の圧力は、0.1〜1.0Pa・s
が好ましい。また、処理の時間は、0.5〜5分が好ま
しい。また、処理の温度は、50〜100℃が好まし
い。コロナ放電は、樹脂絶縁フィルムと電極の間に電場
を印加し、絶縁破壊によって生じる放電により、表面を
改質する処理である。また、低圧水銀ランプを用いて紫
外線を照射することにより、表面改質することもでき
る。いすれの処理でも樹脂の分子鎖中の結合が切断され
て極性基が生じるものと推定されている。[0008] In the plasma treatment, gas ions are attracted to the resin insulating film, and the surface is modified by hitting the resin surface or reacting with surface molecules. As a gas used in the plasma treatment, for example, an inert gas such as argon, neon, helium, krypton, or nitrogen, or a reactive gas such as oxygen or CF 4 is used. The pressure for performing the plasma treatment is 0.1 to 1.0 Pa · s.
Is preferred. The processing time is preferably 0.5 to 5 minutes. The temperature of the treatment is preferably 50 to 100 ° C. Corona discharge is a process in which an electric field is applied between a resin insulating film and an electrode, and the surface is modified by discharge generated by dielectric breakdown. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp. It is presumed that the bond in the molecular chain of the resin is broken by any of the treatments to generate a polar group.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明のプリント配線板を
製造する方法を多層プリント配線板を例にして説明す
る。 (1)まず、樹脂基板の表面に内層銅パターンを形成した
配線基板を作製する。樹脂基板としては、無機繊維を有
する樹脂基板が望ましく、具体的には、ガラス布エポキ
シ基板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂基板およびガラス布フッ素樹脂基
板から選ばれる少なくとも1種以上がよい。この樹脂基
板への銅パターンの形成は、樹脂基板両面に銅箔を張っ
た銅張積層板をエッチングして行う。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described with reference to a multilayer printed wiring board as an example. (1) First, a wiring board in which an inner layer copper pattern is formed on the surface of a resin substrate is manufactured. As the resin substrate, a resin substrate having inorganic fibers is desirable, and specifically, at least one or more selected from a glass cloth epoxy substrate, a glass cloth polyimide substrate, a glass cloth bismaleimide-triazine resin substrate, and a glass cloth fluororesin substrate Is good. The formation of the copper pattern on the resin substrate is performed by etching a copper-clad laminate having copper foil on both sides of the resin substrate.
【0010】また、この基板にドリルで貫通孔を明け、
貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してス
ルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっき
がよい。なお、フッ素樹脂基板のようにめっきのつきま
わりが悪い基板の場合は、有機金属ナトリウムからなる
前処理液(商品名:テトラエッチ)による処理、プラズ
マ処理などの表面改質を行う。次に、厚付けのために電
解めっきを行う。この電解めっきとしては銅めっきがよ
い。なお、スルーホール内壁および電解めっき膜表面を
粗化処理してもよい。粗化処理としては、黒化(酸化)
−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるス
プレー処理、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金めっ
きによる処理などがある。また、必要に応じてスルーホ
ール内に導電ペーストを充填し、この導電ペーストを覆
う導体層を無電解めっきもしくは電解めっきにて形成す
ることもできる。In addition, a through hole is drilled in this substrate by a drill,
Electroless plating is applied to the wall surfaces of the through holes and the copper foil surface to form through holes. Copper plating is preferred as the electroless plating. In the case of a substrate such as a fluororesin substrate, which has poor coverage of plating, surface modification such as treatment with a pretreatment liquid (trade name: tetra-etch) made of organometallic sodium or plasma treatment is performed. Next, electrolytic plating is performed for thickening. Copper plating is preferable as the electrolytic plating. The inner wall of the through hole and the surface of the electrolytic plating film may be roughened. As roughening treatment, blackening (oxidation)
-Reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, or treatment with copper-nickel-phosphorus needle-like alloy plating. Alternatively, a conductive paste may be filled in the through holes as necessary, and a conductive layer covering the conductive paste may be formed by electroless plating or electrolytic plating.
【0011】(2)前記(1) で作製した配線基板に樹脂絶
縁層を形成する。この樹脂絶縁層は、多層プリント配線
板の層間樹脂絶縁層として機能する。この樹脂絶縁層
は、前述したように樹脂絶縁フィルムの基板側の面をプ
ラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線処理等を行うこと
により、樹脂絶縁フィルムの基板側の面を改質する。次
に、本発明の樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂またはこれらの複合樹脂で構成されていることが望ま
しい。熱硬化性樹脂としては、熱硬化型ポリオレフィン
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹
脂、ビスマレイミドトアジン樹脂から選ばれる少なくと
も1種以上を用いることが望ましい。熱可塑性樹脂とし
ては、ポリメチルペンテン(PMP)、ポリスチレン
(PS)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリフ
ェニレンエーテル(PPE)、ポリフェニレンスルフィ
ド(PPS)などのエンジニアリングプラスチックを用
いることが望ましい。(2) A resin insulating layer is formed on the wiring board manufactured in (1). This resin insulating layer functions as an interlayer resin insulating layer of the multilayer printed wiring board. As described above, the resin-insulating layer modifies the surface of the resin-insulating film on the substrate side by subjecting the surface of the resin-insulating film on the substrate side to plasma treatment, corona discharge treatment, ultraviolet treatment, or the like. Next, the resin insulating layer of the present invention is desirably made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite resin thereof. As the thermosetting resin, it is desirable to use at least one or more selected from thermosetting polyolefin resins, epoxy resins, polyimide resins, phenol resins, and bismaleimide toazine resins. As the thermoplastic resin, it is desirable to use engineering plastics such as polymethylpentene (PMP), polystyrene (PS), polyethersulfone (PES), polyphenylene ether (PPE), and polyphenylene sulfide (PPS).
【0012】特に本発明においては、樹脂絶縁層として
ポリオレフィン系樹脂を使用することが最適である。ポ
リオレフィン系樹脂は、以下のような構造を有する樹脂
である。 .下記構造式で示される1種の繰り返し単位からなる
樹脂。Particularly, in the present invention, it is optimal to use a polyolefin resin as the resin insulating layer. The polyolefin-based resin is a resin having the following structure. . A resin comprising one type of repeating unit represented by the following structural formula.
【化1】 .下記構造式で示される繰り返し単位のうちの異なる
2種類以上が共重合したものからなる樹脂。Embedded image . A resin comprising a copolymer of two or more different repeating units represented by the following structural formula.
【化2】 .下記構造式で示される繰り返し単位を有し、その分
子主鎖中には、二重結合、オキシド構造、ラクトン構
造、モノもしくはポリシクロペンタジエン構造を有する
樹脂。Embedded image . A resin having a repeating unit represented by the following structural formula and having a double bond, an oxide structure, a lactone structure, or a mono- or polycyclopentadiene structure in its molecular main chain.
【化3】 .前記,,の群から選ばれる2種以上の樹脂を
混合した混合樹脂、前記,,の群から選ばれる樹
脂と熱硬化性樹脂との混合樹脂、または前記,,
の群から選ばれる樹脂が互いに架橋した樹脂。 なお、本発明で「樹脂」という場合は、いわゆる「ポリ
マー」および「オリゴマー」を包括する概念である。Embedded image . A mixed resin obtained by mixing two or more resins selected from the group of the above, a mixed resin of a resin selected from the group of the above and the thermosetting resin, or
A resin obtained by crosslinking resins selected from the group consisting of: In the present invention, “resin” is a concept including so-called “polymer” and “oligomer”.
【0013】〜の樹脂について詳述する。前述した
繰り返し単位の構造を含む〜の樹脂の樹脂を採用す
る理由は、破壊靱性値を低下させることなく、熱硬化型
のポリオレフィンとすることが可能だからである。ここ
で、前記繰り返し単位中のXとして採用されるアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基から
選ばれる少なくとも1種以上が望ましい。前記繰り返し
単位中のXとして採用されるC2〜C3の不飽和炭化水
素としては、CH2 =CH−、CH3 CH=CH−、C
H2 =C(CH3 ) −、アセチレン基から選ばれる少な
くとも1種以上が望ましい。前記繰り返し単位中のXと
して採用されるオキシド基としては、エポキシ基、プロ
ポキシ基が望ましく、ラクトン基としては、β−ラクト
ン基、γ−ラクトン基、δ−ラクトン基から選ばれる少
なくとも1種以上が望ましい。The resin (1) will be described in detail. The reason why the resin of the above-mentioned resin containing the structure of the repeating unit is adopted is that a thermosetting polyolefin can be obtained without lowering the fracture toughness value. Here, as the alkyl group used as X in the repeating unit, at least one selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, and a t-butyl group is preferable. Examples of the C2-C3 unsaturated hydrocarbon employed as X in the repeating unit include CH 2 CHCH—, CH 3 CH = CH—, and C 2
At least one selected from H 2 CC (CH 3 ) — and an acetylene group is desirable. The oxide group employed as X in the repeating unit is preferably an epoxy group or a propoxy group, and the lactone group is at least one selected from a β-lactone group, a γ-lactone group, and a δ-lactone group. desirable.
【0014】また、繰り返し単位中のXとしてC2〜C
3の不飽和炭化水素、オキシド基、ラクトン基、水酸基
を採用する理由は、反応性が高く、これらの官能基を含
む樹脂(この場合はオリゴマー)同士を架橋しやすいか
らである。さらに、nを1〜10000 とする理由は、nが
10000を超えると溶剤不溶性となり扱いにくくなるから
である。Further, X in the repeating unit is C2 to C2.
The reason why the unsaturated hydrocarbon, oxide group, lactone group, and hydroxyl group of No. 3 are employed is that they have high reactivity and easily crosslink resins (in this case, oligomers) containing these functional groups. Further, the reason why n is set to 1 to 10,000 is that n is
If it exceeds 10,000, the solvent becomes insoluble and it becomes difficult to handle.
【0015】前記の樹脂において、分子主鎖中の二重
結合構造としては、下記構造式で示される繰り返し単位
と、−(CH=CH)−または−(CH2 −CH=CH
−CH2 )−の繰り返し単位が共重合したものがよい。In the above resin, the double bond structure in the molecular main chain includes a repeating unit represented by the following structural formula,-(CH = CH)-or-(CH 2 -CH = CH
It is preferable that a repeating unit of —CH 2 ) — is copolymerized.
【0016】[0016]
【化4】 Embedded image
【0017】前記の樹脂において、分子主鎖のオキシ
ド構造としては、エポキシ構造がよい。また、分子主鎖
のラクトン構造としては、β−ラクトン、γ−ラクトン
構造が望ましい。さらに、分子主鎖のモノ、ポリシクロ
ペンタジエンとしては、シクロペンタジエンおよびビシ
クロペンタジエンから選ばれる構造を採用できる。In the above resin, the oxide structure of the molecular main chain is preferably an epoxy structure. As the lactone structure of the molecular main chain, β-lactone and γ-lactone structures are desirable. Further, as the mono- or polycyclopentadiene of the molecular main chain, a structure selected from cyclopentadiene and bicyclopentadiene can be adopted.
【0018】前記共重合は、繰り返し単位がABAB・
・・のように交互共重合する場合、繰り返し単位がAB
AABAAAAB・・・のようにランダム共重合する場
合、あるいはAAAABBB・・・のようなブロック共
重合する場合がある。In the above copolymer, the repeating unit is ABAB.
..When alternating copolymerization as in the above, the repeating unit is AB
There are cases where random copolymerization such as AAABAAAAB... Or block copolymerization such as AAAAABBB.
【0019】次に、の樹脂について説明する。の樹
脂は、前記,,の群から選ばれる2種以上の樹脂
を混合した混合樹脂、前記,,の群から選ばれる
樹脂と熱硬化性樹脂との混合樹脂、または前記,,
の群から選ばれる樹脂が互いに架橋した樹脂である。
これらのうち、前記,,の群から選ばれる2種以
上の樹脂を混合する場合は、樹脂粉末を有機溶剤に溶解
させるか、あるいは熱溶融させて混合する。また、前記
,,の群から選ばれる樹脂と熱硬化性樹脂を混合
する場合も樹脂粉末を有機溶剤に溶解させて混合する。
この場合に混合する熱硬化性樹脂としては、熱硬化型ポ
リオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂
から選ばれる少なくとも1種以上を用いることが望まし
い。さらに、前記,,の群から選ばれる樹脂を互
いに架橋させる場合は、C2〜C3の不飽和炭化水素、
オキシド基、ラクトン基、水酸基および分子主鎖中の二
重結合、オキシド構造、ラクトン構造を架橋のための結
合手とする。Next, the following resin will be described. Is a mixed resin obtained by mixing two or more kinds of resins selected from the group of,,, or a mixed resin of a resin selected from the group of,, and a thermosetting resin, or the resin,,
Are resins cross-linked with each other.
When two or more resins selected from the above groups are mixed, the resin powder is dissolved in an organic solvent or is melted by heat and mixed. In addition, when a resin selected from the group described above and a thermosetting resin are mixed, the resin powder is dissolved in an organic solvent and mixed.
As the thermosetting resin to be mixed in this case, it is desirable to use at least one or more selected from thermosetting polyolefin resins, epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, and bismaleimide triazine (BT) resins. Further, when the resins selected from the groups described above are crosslinked with each other, a C2 to C3 unsaturated hydrocarbon,
An oxide group, a lactone group, a hydroxyl group and a double bond in the molecular main chain, an oxide structure, and a lactone structure are used as bonds for crosslinking.
【0020】なお、本発明で使用される熱硬化型ポリオ
レフィン樹脂の市販品としては、住友スリーエム製の商
品名1592が挙げられる。また、融点 200℃以上の熱
可塑型ポリオレフィン樹脂の市販品としては、三井化学
製の商品名TPX(融点 240℃)、出光石油化学製の商
品名SPS(融点 270℃)が挙げられる。TPXは、前
記繰り返し単位におけるXがイソブチル基の樹脂であ
り、SPSは、当該Xがフェニル基でシンジオタクティ
ック構造を持っている樹脂である。As a commercially available product of the thermosetting polyolefin resin used in the present invention, 1592 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited) can be mentioned. Commercially available thermoplastic polyolefin resins having a melting point of 200 ° C. or higher include TPX (trade name: 240 ° C.) manufactured by Mitsui Chemicals and SPS (melting point: 270 ° C.) manufactured by Idemitsu Petrochemical. TPX is a resin in which X in the repeating unit is an isobutyl group, and SPS is a resin in which X is a phenyl group and has a syndiotactic structure.
【0021】このようなポリオレフィン系樹脂は、導体
回路との密着性に優れるため、樹脂絶縁層表面を粗化す
ることなく導体形成することができる。即ち、平坦な樹
脂絶縁層の表面に導体回路を形成することができる。ま
た、このポリオレフィン系樹脂は、誘電率が3以下、誘
電正接が0.05以下でありエポキシ樹脂よりも低く、高周
波数の信号でも伝搬遅延がない。また、ポリオレフィン
系樹脂は、耐熱性もエポキシ樹脂に比べて遜色がなく、
はんだ溶融温度でも導体回路の剥離がみられない。さら
に、破壊靱性値も大きいため、ヒートサイクルにより導
体回路と樹脂絶縁層との境界を起点とするクラックが発
生することはない。この樹脂絶縁フィルムを導体回路形
成基板に熱圧してラミネートすることにより形成され
る。Since such a polyolefin resin has excellent adhesion to a conductor circuit, a conductor can be formed without roughening the surface of the resin insulating layer. That is, a conductive circuit can be formed on the surface of the flat resin insulating layer. Further, this polyolefin resin has a dielectric constant of 3 or less and a dielectric loss tangent of 0.05 or less, which is lower than that of the epoxy resin, and has no propagation delay even at a high frequency signal. In addition, polyolefin resin has heat resistance comparable to epoxy resin,
No peeling of the conductor circuit is observed even at the solder melting temperature. Furthermore, since the fracture toughness value is large, cracks starting from the boundary between the conductor circuit and the resin insulating layer due to the heat cycle do not occur. The resin insulating film is formed by hot-pressing and laminating the resin insulating film on a conductive circuit forming substrate.
【0022】(3)次に、この樹脂絶縁層に、下層の導体
回路との電気的接続を確保するための開口を設ける。こ
の開口の穿設は、レーザ光にて行う。このとき、使用さ
れるレーザ光は、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキ
シマレーザなどがある。CO2 レーザ光にて孔明けした場
合は、デスミア処理を行う。デスミア処理は、クロム
酸、過マンガン酸塩などの水溶液からなる酸化剤を使用
して行うことができ、また酸素プラズマ、CF4 と酸素
の混合プラズマやコロナ放電、紫外線照射処理などで処
理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を
照射することにより、表面改質することもできる。特に
CF4 と酸素の混合プラズマは、樹脂表面に、水酸基や
カルボニル基などの親水性基を導入することができ、後
のCVDやPVD処理がしやすいため、有利である。(3) Next, the resin insulating layer is provided with an opening for ensuring electrical connection with a lower conductive circuit. The perforation of this opening is performed by laser light. At this time, a laser beam used includes a carbon dioxide gas laser, an ultraviolet laser, an excimer laser, and the like. If holes are formed by CO 2 laser light, desmear processing is performed. Desmear treatment, chromic acid, it can be carried out using an oxidizing agent comprising an aqueous solution, such as permanganate, the oxygen plasma, mixed plasma or corona discharge of CF 4 and oxygen, by treatment with an ultraviolet irradiation treatment Is also good. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp. In particular, a mixed plasma of CF 4 and oxygen is advantageous because a hydrophilic group such as a hydroxyl group or a carbonyl group can be introduced to the resin surface, and the subsequent CVD or PVD treatment is easily performed.
【0023】(4)前記(3) で開口を設けた樹脂絶縁層の
表面に、第4a族から第1b族で第4〜第7周期の金属
から選ばれる少なくとも1種以上、Sn、Alなどの薄
い金属層を、めっき法、PVD法あるいはCVD法にて
形成する。このような金属は、絶縁樹脂との密着性に優
れるため、樹脂絶縁層は、その表面に粗化層を設けなく
とも上層の導体回路との密着性を確保することができ
る。前記PVD法としては、スパッタリング、イオンビ
ームスパタリングなどの蒸着法が具体的に挙げられる。
また、CVD法としては、アリルシクロペンタジフェニ
ルパラジウム、ジメチルゴールドアセチルアセテート、
スズテトラメチルアクリロニトリル、ジコバルトオクタ
カルボニルアクリロニトリルなどの有機金属(MO)を
供給材料とするPE−CVD(Plasma Enhanced CVD)な
どが具体的に挙げられる。また、前述した遷移金属上に
Cu層を設けてもよい。Cu層はその上に形成される導
体回路が銅である場合に、遷移金属との導体回路の密着
性を改善することができる。(4) On the surface of the resin insulating layer provided with the opening in the above (3), at least one kind selected from metals of Groups 4a to 1b and fourth to seventh periods, Sn, Al, etc. Is formed by a plating method, a PVD method or a CVD method. Since such a metal has excellent adhesion to an insulating resin, the resin insulation layer can ensure adhesion to an upper conductive circuit without providing a roughened layer on the surface. Specific examples of the PVD method include vapor deposition methods such as sputtering and ion beam sputtering.
Further, as the CVD method, allylcyclopentadiphenylpalladium, dimethyl gold acetyl acetate,
Specific examples include PE-CVD (Plasma Enhanced CVD) using an organic metal (MO) such as tin tetramethylacrylonitrile or dicobalt octacarbonylacrylonitrile as a supply material. Further, a Cu layer may be provided on the above-described transition metal. The Cu layer can improve the adhesion of the conductor circuit to the transition metal when the conductor circuit formed thereon is copper.
【0024】このような本発明のプリント配線板におい
て、前記金属層を構成する、第4a族から第1b族で第
4〜第7周期の金属(Cu除く)、Sn、Alから選ば
れる少なくとも1種以上の金属としては、Al、Fe、
W、Mo、Sn、Ni、Co、Cr、Tiおよび貴金属
から選ばれる少なくとも1種以上が望ましい。また、貴
金属としては、Pd、Au、Ptが好ましい。In the printed wiring board of the present invention, at least one selected from metals (excluding Cu), Sn, and Al in the fourth to seventh periods in the 4a to 1b groups constituting the metal layer. Al, Fe,
At least one selected from W, Mo, Sn, Ni, Co, Cr, Ti and a noble metal is desirable. Pd, Au, and Pt are preferable as the noble metal.
【0025】これら金属層の厚みは、0.02μm〜0.2 μ
mが望ましい。この理由は、0.02μm以上の厚さとする
ことにより、樹脂絶縁層と導体回路間の密着性を確保で
き、かつ、0.2 μm以下とすることにより、スパッタリ
ングにて金属層を形成する際の応力が原因となって発生
するクラックを防止できるだけでなく、導体回路形成後
に不要となる導体回路間の金属層を容易にエッチング除
去できるからである。また、金属層上に形成されるCu
層の厚さは、0.02μm〜0.2 μmが望ましい。この理由
は、0.02μm以上の厚さとすることにより、金属層と導
体回路間の密着性を確保でき、かつ、0.2 μm以下とす
ることにより、スパッタリングにて金属層を形成する際
の応力が原因となって発生するクラックを防止できるだ
けでなく、導体回路形成後に不要となる導体回路間のC
u層を容易にエッチング除去できるからである。The thickness of these metal layers is 0.02 μm to 0.2 μm.
m is desirable. The reason is that by setting the thickness to 0.02 μm or more, the adhesion between the resin insulating layer and the conductor circuit can be secured, and by setting the thickness to 0.2 μm or less, the stress when forming the metal layer by sputtering is reduced. This is because not only can cracks occurring as a cause be prevented be prevented, but also unnecessary metal layers between the conductor circuits after the formation of the conductor circuits can be easily removed by etching. In addition, Cu formed on the metal layer
The thickness of the layer is preferably from 0.02 μm to 0.2 μm. The reason for this is that by setting the thickness to 0.02 μm or more, the adhesion between the metal layer and the conductor circuit can be secured, and when the thickness is set to 0.2 μm or less, the stress when forming the metal layer by sputtering is caused. Not only can prevent cracks that occur due to the
This is because the u layer can be easily removed by etching.
【0026】前記金属層上には、必要に応じて別の種類
の金属層を設けることが望ましい。具体的には、樹脂絶
縁層上にニッケル層を形成し、その上に銅層をもうける
ことにより、導体回路を形成する際のめっきの未析出を
防止することができる。前記金属層は、無電解めっき、
電解めっき、スパッタリング、蒸着、CVDなどの方法
により形成される。It is desirable to provide another type of metal layer on the metal layer as needed. Specifically, by forming a nickel layer on the resin insulating layer and forming a copper layer on the nickel layer, it is possible to prevent non-precipitation of plating when forming a conductor circuit. The metal layer, electroless plating,
It is formed by a method such as electrolytic plating, sputtering, vapor deposition, or CVD.
【0027】(5)次に、前記(4) で形成した金属層上
に、次工程の無電解めっき膜と同種の金属層をスパッタ
リングなどによって形成する。これは、無電解めっき膜
との親和性を改善するためである。具体的には、銅層を
スパッタリングにより設けることが望ましい。(5) Next, on the metal layer formed in the above (4), a metal layer of the same type as the electroless plating film in the next step is formed by sputtering or the like. This is to improve the affinity with the electroless plating film. Specifically, it is desirable to provide a copper layer by sputtering.
【0028】(6)次に、前記(5) で形成した金属層上に
無電解めっきを施す。無電解めっきとしては銅めっきが
最適である。また、無電解めっきの膜厚は、0.1〜5μ
mがよい。この理由は、後に行う電解めっきの導電層と
しての機能を損なうことなく、エッチング除去できるよ
うにするためである。(6) Next, electroless plating is performed on the metal layer formed in (5). Copper plating is most suitable as electroless plating. The thickness of the electroless plating is 0.1 to 5 μm.
m is good. The reason for this is to enable etching removal without impairing the function of the electroplating performed later as a conductive layer.
【0029】(7)前記(6) で形成した無電解めっき膜上
にめっきレジストを形成する。このめっきレジストは、
感光性ドライフィルムをラミネートして露光、現像処理
して形成される。(7) A plating resist is formed on the electroless plating film formed in (6). This plating resist
It is formed by laminating a photosensitive dry film, exposing and developing.
【0030】(8)次に、無電解めっき膜をめっきリード
として電解めっきを行い、導体回路を厚付けする。電解
めっき膜は、5〜30μmがよい。(8) Next, electrolytic plating is performed using the electroless plating film as a plating lead to thicken the conductor circuit. The thickness of the electrolytic plating film is preferably 5 to 30 μm.
【0031】(9)そして、めっきレジストを剥離した
後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜と第4a族
から第1b族で第4〜第7周期の金属、Sn、Alから
選ばれる少なくとも1種以上の金属層をエッチング除去
して、独立した導体回路とする。エッチング液として
は、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過
硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶
液、塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱
希硫酸などを使用できる。(9) Then, after the plating resist is removed, the electroless plating film under the plating resist and at least one selected from metals of Group 4a to Group 1b in the fourth to seventh periods, Sn, and Al. At least one kind of metal layer is removed by etching to form an independent conductor circuit. Examples of the etchant include sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, ammonium persulfate, sodium persulfate, potassium persulfate aqueous solution, ferric chloride, cupric chloride aqueous solution, hydrochloric acid, nitric acid, hot dilute sulfuric acid and the like. Can be used.
【0032】(10) さらに必要に応じて、導体回路表面
に、第4a族から第1b族で第4〜第7周期の金属から
選ばれる少なくとも1種以上の薄い金属層を、めっき
法、PVD法あるいはCVD法で形成し、さらに前記
(2)〜(9) の工程を繰り返すことにより多層化したプリ
ント配線板を得る。(10) If necessary, at least one or more thin metal layers selected from metals of Groups 4a to 1b and of the fourth to seventh periods are formed on the surface of the conductor circuit by plating, PVD, or the like. Formed by the CVD method or the CVD method.
By repeating the steps (2) to (9), a multilayer printed wiring board is obtained.
【0033】なお、以上の説明では、導体回路の形成方
法としてセミアディティブ法を採用したが、フルアディ
ティブ法を採用することもできる。このフルアディティ
ブ法では、樹脂絶縁層表面にCVDあるいはPVD処理
にて薄い金属層を形成した後、感光性ドライフィルムを
ラミネートするか、または液状の感光性樹脂を塗布し、
露光、現像処理してめっきレジストを設け、無電解めっ
きにて厚付けを行い、導体回路を形成する。In the above description, the semi-additive method is employed as a method of forming a conductor circuit, but a full-additive method may be employed. In this fully additive method, after forming a thin metal layer on the surface of the resin insulating layer by CVD or PVD processing, laminating a photosensitive dry film or applying a liquid photosensitive resin,
Exposure and development are performed to provide a plating resist, which is then thickened by electroless plating to form a conductor circuit.
【0034】あるいは、樹脂絶縁層表面にめっきレジス
トを形成した後、CVDあるいはPVD処理にて薄い金
属層を設け、さらにめっきレジスト表面に付着したこの
金属層を研磨などで除去するか、めっきレジストそのも
のを除去し、この金属層を触媒として無電解めっきを行
い、導体回路を形成することもできる。以下、実施例を
もとに説明する。Alternatively, after forming a plating resist on the surface of the resin insulating layer, a thin metal layer is provided by CVD or PVD treatment, and the metal layer adhered to the surface of the plating resist is removed by polishing or the like, or the plating resist itself is removed. Is removed, and electroless plating is performed using the metal layer as a catalyst to form a conductor circuit. Hereinafter, description will be made based on embodiments.
【0035】[0035]
EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分 EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 30 minutes at a liquid temperature of 70 ° C.
【0036】さらに、下記組成の電解めっき水溶液で下
記条件にて電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅め
っき膜を形成した(図1(c) 参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温Further, electrolytic copper plating was performed with an electrolytic plating aqueous solution having the following composition under the following conditions to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 15 μm (see FIG. 1 (c)). [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Capparaside GL) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0037】(2)こうして内層銅パターン(スルーホー
ル3を含む)を形成した基板を、水洗いし、乾燥した
後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(20g/l)、NaCl
O2(50g/l)、Na3PO4(15.0g/l)の水溶液を用
い、還元浴として、NaOH( 2.7g/l)、NaBH4 ( 1.0
g/l)の水溶液を用いた酸化還元処理に供し、導体回
路、スルーホール全表面に粗化層4を設けた(図1(d)
参照)。(2) The substrate on which the inner layer copper pattern (including the through holes 3) was formed was washed with water and dried, and then used as an oxidation bath (blackening bath) as NaOH (20 g / l), NaCl
An aqueous solution of O 2 (50 g / l) and Na 3 PO 4 (15.0 g / l) was used, and NaOH (2.7 g / l), NaBH 4 (1.0
g / l) of an aqueous solution of an aqueous solution (FIG. 1 (d)).
reference).
【0038】(3)銅粒子を含む導電ペースト5をスクリ
ーン印刷により、スルーホール3内に充填し、乾燥、硬
化させた。そして、導体上面の粗化層4およびスルーホ
ール3からはみ出した導電ペースト5を、#400 のベル
ト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研磨
により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化し
た(図1(e) 参照)。(3) The conductive paste 5 containing copper particles was filled in the through holes 3 by screen printing, dried and cured. Then, the conductive paste 5 protruding from the roughened layer 4 and the through holes 3 on the upper surface of the conductor is removed by belt sanding using # 400 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku), and further, the scratches caused by the belt sanding are removed. The substrate surface was flattened by buffing to remove it (see FIG. 1 (e)).
【0039】(4)前記(3) で平坦化した基板表面に、常
法に従ってパラジウムコロイド触媒を付与してから無電
解めっきを施すことにより、厚さ 0.6μmの無電解銅め
っき膜6を形成した(図1(f) 参照)。(4) An electroless copper plating film 6 having a thickness of 0.6 μm is formed by applying a palladium colloid catalyst according to a conventional method on the substrate surface flattened in the above (3), and then performing electroless plating. (See FIG. 1 (f)).
【0040】(5)ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜7を形成し、導体回
路9となる部分の厚付け、およびスルーホール3に充填
された導電ペースト5を覆う導体層(ふためっき層)10
となる部分を形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温(5) Next, electrolytic copper plating is performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 7 having a thickness of 15 μm, a portion to be a conductor circuit 9 is thickened, and a conductive film filled in the through hole 3 is formed. Conductor layer (lid plating layer) 10 covering paste 5
Was formed. [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Capparaside GL) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0041】(6)導体回路9および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張りつけ、マスクを載置して、 100mJ/cm2 で露光、
0.8%炭酸水素ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmの
エッチングレジスト8を形成した(図2(a) 参照)。(6) A commercially available photosensitive dry film is adhered to both sides of the substrate on which the portions to be the conductor circuits 9 and the conductor layers 10 are formed, a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
The resist was developed with 0.8% sodium bicarbonate to form an etching resist 8 having a thickness of 15 μm (see FIG. 2A).
【0042】(7)そして、エッチングレジスト8を形成
していない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、めっき
レジスト8を5%KOHで剥離除去して、独立した導体
回路9および導電ぺースト5を覆う導体層(以下、この
導体層のことを単に「ふためっき層」という。)10を形
成した(図2(b) 参照)。(7) Then, the plating film in the portion where the etching resist 8 is not formed is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the plating resist 8 is stripped with 5% KOH. After removal, a conductor layer 10 (hereinafter, this conductor layer is simply referred to as a “lid plating layer”) 10 covering the independent conductor circuit 9 and the conductive paste 5 was formed (see FIG. 2B).
【0043】(8)次に厚さ50μmの熱硬化型ポリオレフ
ィン樹脂シート(住友3M製、商品名:1592)の基
板側の表面を日本真空技術株式会社製のSV−4540
を用いてプラズマ処理を行い、表面改質層11を設け
た。不活性ガスとしてはアルゴンガスを用いた。条件
は、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度70℃の条
件で、2分間逆スパッタリングした。(図3(a) 、(b)
参照)(8) Next, the surface of the substrate side of the thermosetting polyolefin resin sheet (manufactured by Sumitomo 3M, trade name: 1592) having a thickness of 50 μm was coated with SV-4540 manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.
To perform a plasma treatment to provide a surface modified layer 11. Argon gas was used as the inert gas. The reverse sputtering was performed for 2 minutes under the conditions of power 200 W, gas pressure 0.6 Pa, and temperature 70 ° C. (Fig. 3 (a), (b)
reference)
【0044】(9)基板の両面に、この熱硬化型ポリオレ
フィン樹脂シートを温度50〜180 ℃まで昇温しながら圧
力10kg/cm2 で加熱プレスして積層し、ポリオレフィン
系樹脂からなる層間樹脂絶縁層12を設けた(図3(c) 、
図4(a) 参照)。(9) This thermosetting polyolefin resin sheet is laminated on both sides of the substrate by heating and pressing at a pressure of 10 kg / cm 2 while the temperature is raised to a temperature of 50 to 180 ° C., and an interlayer resin insulation made of a polyolefin resin is formed. The layer 12 was provided (FIG. 3 (c),
(See FIG. 4 (a)).
【0045】(10)波長10.4μmのCO2 ガスレーザに
て、ポリオレフィン系樹脂からなる樹脂絶縁層12に直径
80μmのバイアホール用開口13を設けた。さらに、CF
4 および酸素混合気体のプラズマ処理により、デスミア
およびポリオレフィン系樹脂絶縁層表面の改質を行った
(図4(b) 参照)。なお、酸素プラズマ処理条件は、電
力 800W、 500mTorr、20分間である。(10) With a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm, the resin insulating layer 12 made of a polyolefin resin has a diameter of
An 80 μm via hole opening 13 was provided. Furthermore, CF
The surface of the desmear and polyolefin-based resin insulation layer was modified by plasma treatment with a mixed gas of 4 and oxygen (see FIG. 4 (b)). The oxygen plasma processing conditions are power 800 W, 500 mTorr, and 20 minutes.
【0046】(11)Niをターゲットにしたスパッタリン
グを、気圧 0.6Pa、温度80℃、電力200W、時間5分
間の条件で行い、Ni薄膜をポリオレフィン系樹脂絶縁
層12の表面に形成した。このとき、形成されたNi金属
層の厚さは 0.1μmであった。さらに、Ni金属層上
に、同様の条件にて厚さ 0.1μmの銅層をスパッタリン
グで形成した。なお、スパッタリングのための装置は、
日本真空技術株式会社製のSV−4540を使用した。(11) Sputtering using Ni as a target was performed under the conditions of a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., a power of 200 W, and a time of 5 minutes to form a Ni thin film on the surface of the polyolefin resin insulating layer 12. At this time, the thickness of the formed Ni metal layer was 0.1 μm. Further, on the Ni metal layer, a copper layer having a thickness of 0.1 μm was formed by sputtering under the same conditions. The equipment for sputtering is
SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used.
【0047】(12)前記(11)の処理を終えた基板に対し
て、前記(1) の 無電解めっきを施し、厚さ 0.7μmの
無電解めっき膜14を形成した(図5(a) 参照)。(12) The substrate subjected to the treatment of (11) is subjected to the electroless plating of (1) to form an electroless plating film 14 having a thickness of 0.7 μm (FIG. 5A). reference).
【0048】(13)前記(12)で無電解めっき膜14を形成し
た基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張りつ
け、フォトマスクフィルムを載置して、 100mJ/cm2 で
露光、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μm
のめっきレジスト16を設けた(図5(b) 参照)。(13) A commercially available photosensitive dry film is stuck on both sides of the substrate on which the electroless plating film 14 is formed in the above (12), a photomask film is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2. Developed with 15% sodium carbonate
(See FIG. 5 (b)).
【0049】(14)さらに、前記(1) の電解めっきを施し
て、厚さ15μmの電解めっき膜15を形成し、導体回路9
部分の厚付け、およびバイアホール17部分のめっき充填
を行った(図5(c) 参照)。(14) Further, the electrolytic plating of (1) is performed to form an electrolytic plating film 15 having a thickness of 15 μm.
The portion was thickened and the via hole 17 was plated and filled (see FIG. 5 (c)).
【0050】(15)そしてさらに、めっきレジスト16を5
%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の
Ni膜および無電解めっき膜14を硝酸および硫酸/過酸
化水素混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ni
膜、無電解銅めっき膜14および電解銅めっき膜15からな
る厚さ16μmの導体回路(バイアホール17を含む)とし
た(図5(d) 参照)。(15) Further, the plating resist 16 is
% KOH, the Ni film under the plating resist 16 and the electroless plated film 14 are dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid and sulfuric acid / hydrogen peroxide.
A 16 μm-thick conductor circuit (including the via hole 17) composed of the film, the electroless copper plating film 14, and the electrolytic copper plating film 15 was formed (see FIG. 5D).
【0051】(実施例2)本実施例では、ポリオレフィ
ン系樹脂として、三井化学製のTPX(商品名)を使用
し、プラズマ処理に代えて、コロナ放電を使用した。ま
た、本実施例ではさらに、Pdを、気圧 0.6Pa、温度
100℃、電力 200W、時間2分間の条件でポリオレフィ
ン系樹脂絶縁層に厚さ 0.1μmで付着させたこと以外
は、実施例1と同様にして多層プリント配線板を製造し
た。(Example 2) In this example, TPX (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals was used as the polyolefin resin, and corona discharge was used instead of the plasma treatment. Further, in this embodiment, Pd is further set to an atmospheric pressure of 0.6 Pa, and a temperature of 0.6 Pa.
A multi-layer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polyolefin-based resin insulating layer was attached at a thickness of 0.1 μm under the conditions of 100 ° C., power of 200 W, and time of 2 minutes.
【0052】(実施例3)本実施例では、ポリオレフィ
ン系樹脂として、出光石油化学製のSPS(商品名)を
使用し、プラズマ処理に代えて、低圧水銀灯により紫外
線を照射して表面改質を行った。照射量は3000mJ
であった。さらに、Tiを、気圧 0.6Pa、温度 100
℃、電力 200W、時間5分間の条件でポリオレフィン系
樹脂絶縁層に厚さ 0.1μmで付着させたこと以外は、実
施例1と同様にして多層プリント配線板を製造した。Example 3 In this example, SPS (trade name) manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. was used as a polyolefin resin, and instead of plasma treatment, UV irradiation was performed by a low-pressure mercury lamp to perform surface modification. went. The irradiation dose is 3000mJ
Met. Further, Ti is supplied at a pressure of 0.6 Pa and a temperature of 100 Pa.
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the polyolefin-based resin insulating layer was adhered at a thickness of 0.1 μm at a temperature of 200 ° C., a power of 200 W, and a time of 5 minutes.
【0053】(比較例1) (1)本比較例は、実施例1と同様であるが、層間樹脂絶
縁層を構成するポリオレフィン系樹脂の基板側の面を特
段の処理をせずに、加熱圧着した。実施例1〜3および
比較例で得られたプリント配線板について、スチーム試
験を実施した。条件は、120℃、2気圧で336時間
放置して行った。実施例1〜3では、ポリオレフィン樹
脂絶縁層と導体回路との間で剥離は見られなかったが、
比較例では剥離が見られた。(Comparative Example 1) (1) This comparative example is the same as Example 1, except that the surface of the polyolefin resin constituting the interlayer resin insulating layer on the substrate side is heated without any special treatment. Crimped. Steam tests were performed on the printed wiring boards obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example. The conditions were left at 120 ° C. and 2 atm for 336 hours. In Examples 1 to 3, although no separation was observed between the polyolefin resin insulating layer and the conductor circuit,
In the comparative example, peeling was observed.
【0054】[0054]
【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板によれば、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着強度
を低下させることなく、導体回路と樹脂絶縁層との界面
を平坦化して高周波数帯域の信号伝搬性に優れるプリン
ト配線板を提供することができる。As described above, according to the printed wiring board of the present invention, the interface between the conductor circuit and the resin insulation layer is flattened without reducing the adhesion strength between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer. It is possible to provide a printed wiring board having excellent signal propagation properties in a high frequency band.
【図1】(a)〜(f) は、実施例1の多層プリント配線板
を製造する工程の一部を示す図であるFIGS. 1A to 1F are views showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to a first embodiment;
【図2】(a)、(b) は、実施例1の多層プリント配線板
を製造する工程の一部を示す図であるFIGS. 2A and 2B are diagrams illustrating a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of Example 1. FIGS.
【図3】(a)、(b) 、(c) は、実施例1の多層プリント
配線板を製造する工程の一部を示す図であるFIGS. 3 (a), (b), and (c) are views showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of Example 1. FIG.
【図4】(a),(b) は、実施例1の多層プリント配線板
を製造する工程の一部を示す図であるFIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board according to the first embodiment;
【図5】(a)〜(d) は、実施例1の多層プリント配線板
を製造する工程の一部を示す図であるFIGS. 5A to 5D are views showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board according to the first embodiment;
1 基板 2 銅箔 3 スルーホール 4 粗化層 5 樹脂充填材 6,14 無電解めっき膜 7,15 電解めっき膜 8 エッチングレジスト 9 導体回路 10 導体層(ふためっき層) 11 表面改質層 12 層間樹脂絶縁層 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Copper foil 3 Through hole 4 Roughening layer 5 Resin filler 6,14 Electroless plating film 7,15 Electrolytic plating film 8 Etching resist 9 Conductor circuit 10 Conductor layer (lid plating layer) 11 Surface modification layer 12 Interlayer Resin insulation layer 13 Via hole opening 16 Plating resist 17 Via hole
フロントページの続き Fターム(参考) 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 BB02 CC08 DD02 DD22 DD33 DD47 EE02 EE06 EE08 EE19 EE31 EE33 EE38 FF03 FF12 FF17 GG02 GG15 GG17 GG22 GG27 GG28 HH01 HH06 HH11 Continued on front page F term (reference) 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 BB02 CC08 DD02 DD22 DD33 DD47 EE02 EE06 EE08 EE19 EE31 EE33 EE38 FF03 FF12 FF17 GG02 GG15 GG17 GG22 GG27 H11H06
Claims (2)
絶縁フィルムを積層して加熱加圧することにより、樹脂
絶縁層を設け、その樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
多層プリント配線板の製造方法であって、 前記樹脂絶縁フィルムの基板に接する面を予めプラズマ
処理、コロナ放電処理および紫外線照射処理から選ばれ
るいずれか少なくとも1以上の方法により改質すること
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法。1. A multilayer printed wiring board comprising: a resin insulating film provided on a resin substrate on which a conductive circuit is formed; and heating and pressing to form a resin insulating layer, and a conductive circuit formed on the resin insulating layer. A multilayer printed wiring board, characterized in that the surface of the resin insulating film that contacts the substrate is modified in advance by at least one method selected from plasma treatment, corona discharge treatment, and ultraviolet irradiation treatment. Manufacturing method.
グ、酸素プラズマ、CF4 プラズマ処理、酸素およびC
F4 の混合ガスプラズマ処理である請求項1に記載の多
層プリント配線板の製造方法。2. The plasma processing includes reverse sputtering, oxygen plasma, CF 4 plasma processing, oxygen and C
Method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1 which is a mixed gas plasma treatment F 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30853298A JP2000138452A (en) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | Manufacture of multilayered printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30853298A JP2000138452A (en) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | Manufacture of multilayered printed wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000138452A true JP2000138452A (en) | 2000-05-16 |
Family
ID=17982175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30853298A Pending JP2000138452A (en) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | Manufacture of multilayered printed wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000138452A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353629A (en) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | Method of manufacturing printed board |
JP2015226005A (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | トヨタ自動車株式会社 | Multilayer wiring board and manufacturing method of the same |
KR102142803B1 (en) * | 2019-02-25 | 2020-08-10 | (주)티에스이 | Manufacturing method for circuit using polyimide film |
CN112930038A (en) * | 2021-02-08 | 2021-06-08 | 隽美经纬电路有限公司 | Flexible circuit board manufacturing process |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP30853298A patent/JP2000138452A/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081111 |