JP2000138434A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JP2000138434A JP2000138434A JP10310596A JP31059698A JP2000138434A JP 2000138434 A JP2000138434 A JP 2000138434A JP 10310596 A JP10310596 A JP 10310596A JP 31059698 A JP31059698 A JP 31059698A JP 2000138434 A JP2000138434 A JP 2000138434A
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- Japan
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- filler
- conductive paste
- hole
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- paste
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電気的接続部の信頼性を高め、且つスルーホー
ル接続での高電導性を確保する。 【解決手段】ガラスエポキシ基板１の両面には絶縁層２
又は銅箔３が形成されている。ガラスエポキシ基板１に
はスルーホール４が形成され、そのスルーホール４内に
は導電性ペースト５が充填されている。また、基板表面
には無電解若しくは電解めっきによる銅めっき層６が施
されている。導電性ペースト５は金属フィラと樹脂成分
とからなる。ペースト５の導電性はフィラの種類に依存
するところが大きく、特にフィラの材質、形状に大きく
左右される。ここでは、異方性形状で代表的なりん片状
フィラ（又はフレーク状フィラ）と、球状フィラとが混
在する導電性ペーストを使用した。従って、スルーホー
ル４に導電性ペースト５を充填する際、異方形状フィラ
を適用することでフィラの配向が促進され、高い導電性
が得られる。
ル接続での高電導性を確保する。 【解決手段】ガラスエポキシ基板１の両面には絶縁層２
又は銅箔３が形成されている。ガラスエポキシ基板１に
はスルーホール４が形成され、そのスルーホール４内に
は導電性ペースト５が充填されている。また、基板表面
には無電解若しくは電解めっきによる銅めっき層６が施
されている。導電性ペースト５は金属フィラと樹脂成分
とからなる。ペースト５の導電性はフィラの種類に依存
するところが大きく、特にフィラの材質、形状に大きく
左右される。ここでは、異方性形状で代表的なりん片状
フィラ（又はフレーク状フィラ）と、球状フィラとが混
在する導電性ペーストを使用した。従って、スルーホー
ル４に導電性ペースト５を充填する際、異方形状フィラ
を適用することでフィラの配向が促進され、高い導電性
が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基材に形成さ
れたスルーホールに導電性ペーストを充填し、その導電
性ペーストでの高電導性を得るための回路基板に関する
ものである。
れたスルーホールに導電性ペーストを充填し、その導電
性ペーストでの高電導性を得るための回路基板に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器に対する小型軽量化のニ
ーズが益々高まりつつある。そのため、回路基板への部
品実装をより高密度化する必要があり、これに対応する
ために、高密度化基板の開発が積極的に進められてい
る。
ーズが益々高まりつつある。そのため、回路基板への部
品実装をより高密度化する必要があり、これに対応する
ために、高密度化基板の開発が積極的に進められてい
る。
【０００３】この種の従来技術として、ＡＬＩＶＨ（An
y Layer Interstitial Via Hole ）基板が提案されてい
る。これは、アラミド基板に孔あけして銅ペーストを充
填し、銅箔をプレス接着することで導電性を確保したも
のである。導電性ペーストの特徴としては、特開平７−
１７６８４６号公報に示す通り、プレスによりフィラ密
度を向上させることで導電性が高められるようになって
いる。
y Layer Interstitial Via Hole ）基板が提案されてい
る。これは、アラミド基板に孔あけして銅ペーストを充
填し、銅箔をプレス接着することで導電性を確保したも
のである。導電性ペーストの特徴としては、特開平７−
１７６８４６号公報に示す通り、プレスによりフィラ密
度を向上させることで導電性が高められるようになって
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プレス
での接続は、導電性ペースト中の樹脂と銅箔との接着に
よるものであり、接続部の信頼性に劣る。この場合、リ
ジッド基板に孔あけして導電性ペーストを充填し、銅メ
ッキによる金属結合により、電気的接続を確保する方法
が有利であると言える。従って、上記の如くプレスによ
る接続ではなく、他の方法で導電性を高める技術が要望
されている。
での接続は、導電性ペースト中の樹脂と銅箔との接着に
よるものであり、接続部の信頼性に劣る。この場合、リ
ジッド基板に孔あけして導電性ペーストを充填し、銅メ
ッキによる金属結合により、電気的接続を確保する方法
が有利であると言える。従って、上記の如くプレスによ
る接続ではなく、他の方法で導電性を高める技術が要望
されている。
【０００５】本発明は、上記問題に着目してなされたも
のであって、その目的とするところは、電気的接続部の
信頼性を高め、且つスルーホール接続での高電導性を確
保することができる回路基板を提供することである。
のであって、その目的とするところは、電気的接続部の
信頼性を高め、且つスルーホール接続での高電導性を確
保することができる回路基板を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、絶縁基材にスルーホール
を形成し、該スルーホールには異方性形状の金属フィラ
を含有する導電性ペーストを充填したことを特徴とす
る。
に、請求項１に記載の発明は、絶縁基材にスルーホール
を形成し、該スルーホールには異方性形状の金属フィラ
を含有する導電性ペーストを充填したことを特徴とす
る。
【０００７】異方性形状（例えばりん片状）の金属フィ
ラを含有する導電性ペーストを絶縁基材のスルーホール
に充填することにより、フィラの配向性が向上する。つ
まり、導電性ペーストをスルーホールに充填する際、ペ
ーストの流れに従い金属フィラが同ペーストの流れ方向
に配向する。かかる場合、電流方向と金属フィラの配向
の方向とが平行になるため、フィラの接触状態が改善さ
れて導電性が向上する。その結果、電気的接続部の信頼
性を高め、且つスルーホール接続での高電導性を確保す
ることができる。このとき、プレス接着をしなくても、
導電性ペーストの充填のみで高導電特性が得られる。
ラを含有する導電性ペーストを絶縁基材のスルーホール
に充填することにより、フィラの配向性が向上する。つ
まり、導電性ペーストをスルーホールに充填する際、ペ
ーストの流れに従い金属フィラが同ペーストの流れ方向
に配向する。かかる場合、電流方向と金属フィラの配向
の方向とが平行になるため、フィラの接触状態が改善さ
れて導電性が向上する。その結果、電気的接続部の信頼
性を高め、且つスルーホール接続での高電導性を確保す
ることができる。このとき、プレス接着をしなくても、
導電性ペーストの充填のみで高導電特性が得られる。
【０００８】望ましくは、請求項２に記載したように、
導電性ペーストの全フィラ中における異方形状フィラの
割合を７０ｖｏｌ％以上とするとよい。この構成によれ
ば、ペーストの流れ方向への配向率が急激に上昇し、よ
り確実に高導電特性が得られる。
導電性ペーストの全フィラ中における異方形状フィラの
割合を７０ｖｏｌ％以上とするとよい。この構成によれ
ば、ペーストの流れ方向への配向率が急激に上昇し、よ
り確実に高導電特性が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した一実
施の形態を図面に従って説明する。図１（ａ），（ｂ）
に基板の基本構造を示す。図１（ａ），（ｂ）におい
て、絶縁基材としてのガラスエポキシ基板１の両面には
絶縁層２又は電解銅箔３が形成されている。ガラスエポ
キシ基板１にはスルーホール（貫通孔）４が形成され、
そのスルーホール４内には導電性ペースト５が充填され
ている。また、基板表面には無電解若しくは電解めっき
法による銅めっき層６が形成されている。
施の形態を図面に従って説明する。図１（ａ），（ｂ）
に基板の基本構造を示す。図１（ａ），（ｂ）におい
て、絶縁基材としてのガラスエポキシ基板１の両面には
絶縁層２又は電解銅箔３が形成されている。ガラスエポ
キシ基板１にはスルーホール（貫通孔）４が形成され、
そのスルーホール４内には導電性ペースト５が充填され
ている。また、基板表面には無電解若しくは電解めっき
法による銅めっき層６が形成されている。
【００１０】図２に基板の製造工程を示す。ガラスエポ
キシ基板１にＮＣドリルで孔あけしてスルーホール４を
形成し、そのスルーホール４にスクリーン印刷により導
電性ペースト５を充填する。すなわち、スクリーンＳＣ
の上を往復運動するスキージＳＱの圧力により導電性ペ
ースト５が当該スクリーンＳＣから押し出され、スルー
ホール４内に充填される。
キシ基板１にＮＣドリルで孔あけしてスルーホール４を
形成し、そのスルーホール４にスクリーン印刷により導
電性ペースト５を充填する。すなわち、スクリーンＳＣ
の上を往復運動するスキージＳＱの圧力により導電性ペ
ースト５が当該スクリーンＳＣから押し出され、スルー
ホール４内に充填される。
【００１１】次に、仮硬化により導電性ペースト５を半
硬化状態にし、バフ研磨等で表面を平坦（フラット）な
状態にする。次に、本硬化により、導電性ペースト５の
硬化度を９５％以上にし、その後、酸洗等の表面処理を
行った後、銅めっき層６を形成する。以上の工程によ
り、図１（ａ）又は（ｂ）に示す基板の基本構造が得ら
れる。
硬化状態にし、バフ研磨等で表面を平坦（フラット）な
状態にする。次に、本硬化により、導電性ペースト５の
硬化度を９５％以上にし、その後、酸洗等の表面処理を
行った後、銅めっき層６を形成する。以上の工程によ
り、図１（ａ）又は（ｂ）に示す基板の基本構造が得ら
れる。
【００１２】ここで、導電性ペースト５は金属フィラと
樹脂成分とからなる。本実施の形態では、樹脂の種類に
ついては基板材料と同じエポキシ系とした。また、ペー
ストに十分な流動性を与えるため、液状とした。樹脂組
成としては、ガラス転位点（１００℃以上）、熱膨張係
数（６０〜８０ｐｐｍ／℃）等からエポキシ当量１６０
〜１８０のものを選定し、硬化剤については、放置安定
性（粘度、吸湿性）からホウ酸ブロック型アミン系化合
物を選定した。樹脂含有量は耐めっき性の観点から、１
４ｗｔ％以上必要とするため、配合バラツキを考慮し、
１８±２ｗｔ％とした。
樹脂成分とからなる。本実施の形態では、樹脂の種類に
ついては基板材料と同じエポキシ系とした。また、ペー
ストに十分な流動性を与えるため、液状とした。樹脂組
成としては、ガラス転位点（１００℃以上）、熱膨張係
数（６０〜８０ｐｐｍ／℃）等からエポキシ当量１６０
〜１８０のものを選定し、硬化剤については、放置安定
性（粘度、吸湿性）からホウ酸ブロック型アミン系化合
物を選定した。樹脂含有量は耐めっき性の観点から、１
４ｗｔ％以上必要とするため、配合バラツキを考慮し、
１８±２ｗｔ％とした。
【００１３】ペースト５の導電性はフィラの種類に依存
するところが大きく、特にフィラの材質、形状に大きく
左右される。フィラ材質については主に、Ａｇ粉、Ｃｕ
粉、Ｎｉ粉、そしてＣｕ粉表面にＡｇをめっきした、Ａ
ｇめっきＣｕ粉等がある。本実施の形態では、酸化によ
る抵抗上昇の影響を殆ど受けないＡｇ粉としたが、本発
明の実施に当たってはフィラ材質として、何ら制限する
必要はない。
するところが大きく、特にフィラの材質、形状に大きく
左右される。フィラ材質については主に、Ａｇ粉、Ｃｕ
粉、Ｎｉ粉、そしてＣｕ粉表面にＡｇをめっきした、Ａ
ｇめっきＣｕ粉等がある。本実施の形態では、酸化によ
る抵抗上昇の影響を殆ど受けないＡｇ粉としたが、本発
明の実施に当たってはフィラ材質として、何ら制限する
必要はない。
【００１４】また本実施の形態ではフィラ形状に着目
し、異方性形状で代表的なりん片状フィラ（又はフレー
ク状フィラ）と、球状フィラとが混在する導電性ペース
トを使用した。図３には、りん片状フィラと球状フィラ
との配合比（ｖｏｌ％）に対する導電性ペーストの体積
固有抵抗と配向性とについて評価した結果を示す。図
中、配向率は、ペーストの流れ方向に対して平行及び垂
直方向でペーストを断面カットした時のフィラ占有面積
率の比（Ｓｈ／Ｓｖ）で表す。すなわち、配向性が高い
と、この値が増加する。なお同図には比較として、表面
パターン（バルク）での評価結果を破線で示す。
し、異方性形状で代表的なりん片状フィラ（又はフレー
ク状フィラ）と、球状フィラとが混在する導電性ペース
トを使用した。図３には、りん片状フィラと球状フィラ
との配合比（ｖｏｌ％）に対する導電性ペーストの体積
固有抵抗と配向性とについて評価した結果を示す。図
中、配向率は、ペーストの流れ方向に対して平行及び垂
直方向でペーストを断面カットした時のフィラ占有面積
率の比（Ｓｈ／Ｓｖ）で表す。すなわち、配向性が高い
と、この値が増加する。なお同図には比較として、表面
パターン（バルク）での評価結果を破線で示す。
【００１５】図３によれば、球状フィラに対してりん片
状フィラ（異方形状フィラ）を増加させることにより徐
々に配向率が増加し、りん片状／球状＝７０／３０ｖｏ
ｌ％を超えると急激に配向率が増加する。そしてそれに
伴い、体積固有抵抗ρが低下する。一方、バルクの場合
は、これらフィラ配合比に拘わらず、常に配向率は小さ
い。以上のことから、スルーホール４に導電性ペースト
５を充填する場合、異方形状フィラを適用することでフ
ィラの配向が促進され、高い導電性が得られることが確
認された。
状フィラ（異方形状フィラ）を増加させることにより徐
々に配向率が増加し、りん片状／球状＝７０／３０ｖｏ
ｌ％を超えると急激に配向率が増加する。そしてそれに
伴い、体積固有抵抗ρが低下する。一方、バルクの場合
は、これらフィラ配合比に拘わらず、常に配向率は小さ
い。以上のことから、スルーホール４に導電性ペースト
５を充填する場合、異方形状フィラを適用することでフ
ィラの配向が促進され、高い導電性が得られることが確
認された。
【００１６】以上詳述した本実施の形態によれば、以下
に示す効果が得られる。異方形状フィラを含有する導電
性ペースト５をスルーホール４内に充填したので、フィ
ラの配向性が向上する。つまり、導電性ペースト５を充
填する際、ペーストの流れに従い金属フィラが同ペース
トの流れ方向に配向する。かかる場合、電流方向と金属
フィラの配向の方向とが平行になるため、フィラの接触
状態が改善されて導電性が向上する。その結果、電気的
接続部の信頼性を高め、且つスルーホール接続での高電
導性を確保することができる。このとき、プレス接着を
しなくても、導電性ペースト５の充填のみで高導電特性
が得られる。
に示す効果が得られる。異方形状フィラを含有する導電
性ペースト５をスルーホール４内に充填したので、フィ
ラの配向性が向上する。つまり、導電性ペースト５を充
填する際、ペーストの流れに従い金属フィラが同ペース
トの流れ方向に配向する。かかる場合、電流方向と金属
フィラの配向の方向とが平行になるため、フィラの接触
状態が改善されて導電性が向上する。その結果、電気的
接続部の信頼性を高め、且つスルーホール接続での高電
導性を確保することができる。このとき、プレス接着を
しなくても、導電性ペースト５の充填のみで高導電特性
が得られる。
【００１７】実際には、導電性ペースト５の全フィラ中
における異方形状フィラの割合を７０ｖｏｌ％以上とし
た。この構成によれば、ペーストの流れ方向への配向率
が急激に上昇し、より確実に高導電特性が得られる。勿
論全ての金属フィラを異方形状フィラとしてもよい。
における異方形状フィラの割合を７０ｖｏｌ％以上とし
た。この構成によれば、ペーストの流れ方向への配向率
が急激に上昇し、より確実に高導電特性が得られる。勿
論全ての金属フィラを異方形状フィラとしてもよい。
【００１８】なお、本発明の実施の形態は、上記以外に
次の形態にて具体化できる。異方性形状の金属フィラと
しては、りん片状又はフレーク状に限定されず、他の形
状であってもよい。要は、粉末のアスペクト比（縦横
比）が１よりも大きくなるような形状であればよい。ま
た、フィラ材質としてＡｇ粉以外の材質、すなわちＣｕ
粉、Ｎｉ粉、又はＣｕ粉表面にＡｇをめっきした、Ａｇ
めっきＣｕ粉等を適宜使用してもよい。
次の形態にて具体化できる。異方性形状の金属フィラと
しては、りん片状又はフレーク状に限定されず、他の形
状であってもよい。要は、粉末のアスペクト比（縦横
比）が１よりも大きくなるような形状であればよい。ま
た、フィラ材質としてＡｇ粉以外の材質、すなわちＣｕ
粉、Ｎｉ粉、又はＣｕ粉表面にＡｇをめっきした、Ａｇ
めっきＣｕ粉等を適宜使用してもよい。
【００１９】本発明が適用可能な回路基板は前記図１に
限定されず、以下の構造であってもよい。図４〜図８に
は、回路例をその製造過程と共に示す。以下には相違点
を中心に説明する。
限定されず、以下の構造であってもよい。図４〜図８に
は、回路例をその製造過程と共に示す。以下には相違点
を中心に説明する。
【００２０】図４では、ガラスエポキシ基板１の両面に
絶縁層２が形成されると共に、その上にレジスト層１１
と銅めっき層１２とが形成される。レジスト層１１は、
例えば電子部品実装に使用される半田が必要な箇所以外
に付着することを防止する目的で形成される。図５で
は、ガラスエポキシ基板１の両面に銅箔３及び銅めっき
層６が形成されると共に、その一部がエッチングにて除
去される。図６では、ガラスエポキシ基板１の両面に銅
箔３が形成されると共に、その一部がエッチングにて除
去される。
絶縁層２が形成されると共に、その上にレジスト層１１
と銅めっき層１２とが形成される。レジスト層１１は、
例えば電子部品実装に使用される半田が必要な箇所以外
に付着することを防止する目的で形成される。図５で
は、ガラスエポキシ基板１の両面に銅箔３及び銅めっき
層６が形成されると共に、その一部がエッチングにて除
去される。図６では、ガラスエポキシ基板１の両面に銅
箔３が形成されると共に、その一部がエッチングにて除
去される。
【００２１】また、図７，図８では、スルーホール４に
銅めっき１３が施される。そして、図７では、ガラスエ
ポキシ基板１の両面に銅箔３及び銅めっき層６が形成さ
れると共に、その一部がエッチングにて除去される。図
８では、ガラスエポキシ基板１の両面に銅箔３が形成さ
れると共に、その一部がエッチングにて除去される。要
するに、ガラスエポキシ基板１（絶縁基材）の両面のラ
ンドは何れの手法にて形成されていてもよく、また、ス
ルーホールめっきの実施も任意でよい。
銅めっき１３が施される。そして、図７では、ガラスエ
ポキシ基板１の両面に銅箔３及び銅めっき層６が形成さ
れると共に、その一部がエッチングにて除去される。図
８では、ガラスエポキシ基板１の両面に銅箔３が形成さ
れると共に、その一部がエッチングにて除去される。要
するに、ガラスエポキシ基板１（絶縁基材）の両面のラ
ンドは何れの手法にて形成されていてもよく、また、ス
ルーホールめっきの実施も任意でよい。
【００２２】図示の構成以外にも多層回路基板に適用
し、異方性形状の金属フィラを含有すること、を特徴と
する導電性ペーストを使用して層間接続を行うようにし
てもよい。
し、異方性形状の金属フィラを含有すること、を特徴と
する導電性ペーストを使用して層間接続を行うようにし
てもよい。
【図１】発明の実施の形態における基板の基本構造を示
す断面図。
す断面図。
【図２】基板の製造過程を説明するための断面図。
【図３】フィラ形状比と、配向率及び体積固有抵抗との
関係を示す図。
関係を示す図。
【図４】基板適用例を示す断面図。
【図５】基板適用例を示す断面図。
【図６】基板適用例を示す断面図。
【図７】基板適用例を示す断面図。
【図８】基板適用例を示す断面図。
１…絶縁基材としてのガラスエポキシ基板、４…スルー
ホール、５…導電性ペースト。
ホール、５…導電性ペースト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 隆雄 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4E351 AA03 BB01 BB31 BB49 CC06 CC11 DD04 DD05 DD19 DD52 DD53 DD56 EE02 EE16 GG06 5E317 BB02 BB12 BB14 BB15 BB19 BB25 CC22 CC25 CC31 CD01 CD11 CD27 CD32 GG11
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基材にスルーホールを形成し、該スル
ーホールには異方性形状の金属フィラを含有する導電性
ペーストを充填したことを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】前記導電性ペーストの全フィラ中における
異方形状フィラの割合が７０ｖｏｌ％以上である請求項
１に記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310596A JP2000138434A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310596A JP2000138434A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138434A true JP2000138434A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18007165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10310596A Pending JP2000138434A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019998A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermosetting electroconductive paste for electroconductive bump use |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP10310596A patent/JP2000138434A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019998A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermosetting electroconductive paste for electroconductive bump use |
| US6800223B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-10-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermosetting electroconductive paste for electroconductive bump use |
| CN1322794C (zh) * | 2001-08-24 | 2007-06-20 | 纳幕尔杜邦公司 | 用于导电凸点的热固性导电膏 |
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