JP2000138246A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージの製造方法に関し、汎用性
のあるモールド型で、安価に半導体パッケージを製造す
ることができるようにすることを目的とする。 【解決手段】 半導体チップ１２と、該半導体チップを
搭載するＦＰＣテープ７０と、該半導体チップを保護す
るモールド樹脂と、該ＦＰＣテープに設けられた導体接
続用の金属ボールとを備えた半導体パッケージの製造方
法において、複数の半導体チップ１２をＦＰＣテープ７
０に搭載し、ＦＰＣテープに取り付けられた複数の半導
体チップ１２をモールド型７６で一括してモールドして
モールド製品８０を形成し、該モールド製品を個々のパ
ッケージに切断する構成とする。
のあるモールド型で、安価に半導体パッケージを製造す
ることができるようにすることを目的とする。 【解決手段】 半導体チップ１２と、該半導体チップを
搭載するＦＰＣテープ７０と、該半導体チップを保護す
るモールド樹脂と、該ＦＰＣテープに設けられた導体接
続用の金属ボールとを備えた半導体パッケージの製造方
法において、複数の半導体チップ１２をＦＰＣテープ７
０に搭載し、ＦＰＣテープに取り付けられた複数の半導
体チップ１２をモールド型７６で一括してモールドして
モールド製品８０を形成し、該モールド製品を個々のパ
ッケージに切断する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ユーザーの要求として高密度実装
があり、半導体パッケージが小型化してきている。この
ような要求を満たすために、半導体チップをＴＡＢテー
プ等のＦＰＣテープに搭載し、半導体チップをモールド
樹脂によって保護した半導体パッケージが知られてい
る。さらに、ＦＰＣテープにはんだボール等の金属ボー
ルを設けたテープＢＧＡと呼ばれる半導体パッケージが
開発されている。この半導体パッケージは金属ボールに
より機械的及び電気的に回路基板に接続されることがで
きる。端子のピッチが非常に小さい小さいものは、ＦＢ
ＧＡと呼ばれる。
があり、半導体パッケージが小型化してきている。この
ような要求を満たすために、半導体チップをＴＡＢテー
プ等のＦＰＣテープに搭載し、半導体チップをモールド
樹脂によって保護した半導体パッケージが知られてい
る。さらに、ＦＰＣテープにはんだボール等の金属ボー
ルを設けたテープＢＧＡと呼ばれる半導体パッケージが
開発されている。この半導体パッケージは金属ボールに
より機械的及び電気的に回路基板に接続されることがで
きる。端子のピッチが非常に小さい小さいものは、ＦＢ
ＧＡと呼ばれる。
【０００３】ＣＳＰ（Chip Size Package)と呼ばれる半
導体パッケージが市場で求められてきている。ＣＳＰは
モールド樹脂が半導体チップとほとんど同じくらいの大
きさに形成された半導体パッケージである。ＣＳＰタイ
プのＦＢＧＡは、非常に小さく、且つ高密度に形成でき
るので、高性能の電子装置を製造するのに必要になって
きている。
導体パッケージが市場で求められてきている。ＣＳＰは
モールド樹脂が半導体チップとほとんど同じくらいの大
きさに形成された半導体パッケージである。ＣＳＰタイ
プのＦＢＧＡは、非常に小さく、且つ高密度に形成でき
るので、高性能の電子装置を製造するのに必要になって
きている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＳＰは、半導体チッ
プをＦＰＣテープに搭載し、ＦＰＣテープを個々のパッ
ケージ分ずつ切断した後、ＦＰＣテープに搭載された半
導体チップをモールド型に入れて、樹脂でモールドする
ことにより製造される。モールド型は上型と下型とを有
し、上型と下型とによってキャビティが形成される。キ
ャビティの形状が製造すべき半導体パッケージの形状に
合わせてある。
プをＦＰＣテープに搭載し、ＦＰＣテープを個々のパッ
ケージ分ずつ切断した後、ＦＰＣテープに搭載された半
導体チップをモールド型に入れて、樹脂でモールドする
ことにより製造される。モールド型は上型と下型とを有
し、上型と下型とによってキャビティが形成される。キ
ャビティの形状が製造すべき半導体パッケージの形状に
合わせてある。
【０００５】従って、半導体パッケージを製造するため
には、個々の半導体パッケージに適合した切断装置と、
モールド型とが必要である。半導体パッケージの種類が
変われば、それに合わせて切断装置とモールド型を作る
必要があり、納期及び費用がかかる。従って、半導体パ
ッケージの種類が変わっても、切断装置とモールド型を
変えずに半導体パッケージを製造できることが求められ
る。また、半導体パッケージを安価なコストで製造でき
ることが求められている。
には、個々の半導体パッケージに適合した切断装置と、
モールド型とが必要である。半導体パッケージの種類が
変われば、それに合わせて切断装置とモールド型を作る
必要があり、納期及び費用がかかる。従って、半導体パ
ッケージの種類が変わっても、切断装置とモールド型を
変えずに半導体パッケージを製造できることが求められ
る。また、半導体パッケージを安価なコストで製造でき
ることが求められている。
【０００６】本発明の目的は、汎用性のあるモールド型
で、安価に半導体パッケージを製造することができる半
導体パッケージの製造方法を提供することである。
で、安価に半導体パッケージを製造することができる半
導体パッケージの製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体パッ
ケージの製造方法は、半導体チップと、該半導体チップ
を搭載するＦＰＣテープと、該半導体チップを保護する
モールド樹脂と、該ＦＰＣテープに設けられた導体接続
用の金属ボールとを備えた半導体パッケージの製造方法
において、複数の半導体チップをＦＰＣテープに搭載
し、ＦＰＣテープに取り付けられた複数の半導体チップ
をモールド型で一括してモールドしてモールド製品を形
成し、該モールド製品を個々のパッケージに切断するこ
とを特徴とするものである。
ケージの製造方法は、半導体チップと、該半導体チップ
を搭載するＦＰＣテープと、該半導体チップを保護する
モールド樹脂と、該ＦＰＣテープに設けられた導体接続
用の金属ボールとを備えた半導体パッケージの製造方法
において、複数の半導体チップをＦＰＣテープに搭載
し、ＦＰＣテープに取り付けられた複数の半導体チップ
をモールド型で一括してモールドしてモールド製品を形
成し、該モールド製品を個々のパッケージに切断するこ
とを特徴とするものである。
【０００８】この方法によれば、半導体パッケージの種
類が変わっても、モールド型を変えずに半導体パッケー
ジを製造することができる。また、樹脂モールドを大き
な面積（体積）で実施することができるので、半導体パ
ッケージを安価なコストで製造することができる。好ま
しくは、金属ボールをＦＰＣテープに取り付ける工程
が、モールド工程の後で切断工程の前に行われる。
類が変わっても、モールド型を変えずに半導体パッケー
ジを製造することができる。また、樹脂モールドを大き
な面積（体積）で実施することができるので、半導体パ
ッケージを安価なコストで製造することができる。好ま
しくは、金属ボールをＦＰＣテープに取り付ける工程
が、モールド工程の後で切断工程の前に行われる。
【０００９】好ましくは、モールド樹脂は、ガラス転移
温度が２００℃以上であり、線膨張係数が１３から１８
ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１５００から３０００ｋ
ｇ／ｍｍである。好ましくは、ＦＰＣテープは複数のス
プロケットホールを有し、モールド型は該ＦＰＣテープ
が該モールド型に配置されたときに隣接するスプロケッ
トホールの間に位置するエジェクターピンを有する。
温度が２００℃以上であり、線膨張係数が１３から１８
ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１５００から３０００ｋ
ｇ／ｍｍである。好ましくは、ＦＰＣテープは複数のス
プロケットホールを有し、モールド型は該ＦＰＣテープ
が該モールド型に配置されたときに隣接するスプロケッ
トホールの間に位置するエジェクターピンを有する。
【００１０】好ましくは、ＦＰＣテープは複数のスプロ
ケットホールを有し、モールド型は少なくとも１つのス
プロケットホールを横切るゲートを有し、該モールド型
は該ゲート内に位置し且つ該少なくとも１つのスプロケ
ットホールを覆う壁を含み、該壁は該ゲートの側壁から
島状に分離されている。この場合、ゲートは該島状の壁
によって分離された後に該ＦＰＣテープ上で合流してい
るのがよい。
ケットホールを有し、モールド型は少なくとも１つのス
プロケットホールを横切るゲートを有し、該モールド型
は該ゲート内に位置し且つ該少なくとも１つのスプロケ
ットホールを覆う壁を含み、該壁は該ゲートの側壁から
島状に分離されている。この場合、ゲートは該島状の壁
によって分離された後に該ＦＰＣテープ上で合流してい
るのがよい。
【００１１】好ましくは、モールド製品は２つの隣接す
る半導体パッケージの外端から外端までの寸法が該２つ
の隣接する半導体パッケージを形成すべき寸法プラス該
２つの隣接する半導体パッケージ間の間隙の寸法であ
り、該間隙の寸法が０．３ｍｍ以下である。好ましく
は、モールド製品を個々のパッケージに切断するための
アライメントマークをパッケージ毎に有する。この場
合、アライメントマークは該ＦＰＣテープに設けられた
穴と該ＦＰＣテープ上に設けられた層のエッチングされ
たパターンからなるのがよい。
る半導体パッケージの外端から外端までの寸法が該２つ
の隣接する半導体パッケージを形成すべき寸法プラス該
２つの隣接する半導体パッケージ間の間隙の寸法であ
り、該間隙の寸法が０．３ｍｍ以下である。好ましく
は、モールド製品を個々のパッケージに切断するための
アライメントマークをパッケージ毎に有する。この場
合、アライメントマークは該ＦＰＣテープに設けられた
穴と該ＦＰＣテープ上に設けられた層のエッチングされ
たパターンからなるのがよい。
【００１２】好ましくは、切断工程において金属ボール
を同時に洗浄する。この場合、ダイサーのシャワーを切
断用ブレード及び金属ボールにあてるのがよい。好まし
くは、複数の半導体チップをそれぞれに含む複数のＦＰ
Ｃテープを単一のモールド型にセットできるようにす
る。好ましくは、モールド型は複数のブロックからな
り、それぞれのブロックにエジェクターピンが取り付け
られるようにする。
を同時に洗浄する。この場合、ダイサーのシャワーを切
断用ブレード及び金属ボールにあてるのがよい。好まし
くは、複数の半導体チップをそれぞれに含む複数のＦＰ
Ｃテープを単一のモールド型にセットできるようにす
る。好ましくは、モールド型は複数のブロックからな
り、それぞれのブロックにエジェクターピンが取り付け
られるようにする。
【００１３】好ましくは、ゲート及びベント部分にモー
ルド部分より厚い樹脂部分を作り、その硬さをもって反
りを防ぐようにした。好ましくは、モールド製品は１つ
の半導体パッケージが複数の半導体チップを含むように
切断される。
ルド部分より厚い樹脂部分を作り、その硬さをもって反
りを防ぐようにした。好ましくは、モールド製品は１つ
の半導体パッケージが複数の半導体チップを含むように
切断される。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に従って製造された
半導体パッケージの一例を示す断面図である。図１にお
いて、半導体パッケージ１０は、半導体チップ１２と、
半導体チップ１２を搭載するＦＰＣテープ１４と、半導
体チップ１２を保護するモールド樹脂１６と、ＦＰＣテ
ープ１４に設けられ、回路基板に接続するための金属ボ
ール１８とを備えている。半導体チップ１２はダイス付
け材２０によりＦＰＣテープ１４に固定される。モール
ド樹脂１６は半導体チップ１２を覆っている。この半導
体パッケージ１０は、電極となる金属ボール１８が微細
なピッチで配置されたＣＳＰタイプのＦＢＧＡである。
半導体パッケージの一例を示す断面図である。図１にお
いて、半導体パッケージ１０は、半導体チップ１２と、
半導体チップ１２を搭載するＦＰＣテープ１４と、半導
体チップ１２を保護するモールド樹脂１６と、ＦＰＣテ
ープ１４に設けられ、回路基板に接続するための金属ボ
ール１８とを備えている。半導体チップ１２はダイス付
け材２０によりＦＰＣテープ１４に固定される。モール
ド樹脂１６は半導体チップ１２を覆っている。この半導
体パッケージ１０は、電極となる金属ボール１８が微細
なピッチで配置されたＣＳＰタイプのＦＢＧＡである。
【００１５】ＦＰＣテープ１４はＴＡＢテープと呼ばれ
るものであり、ポリイミド樹脂のテープに電気回路及び
電極パッド（図示せず）を有する。半導体チップ１２の
電極パッド（図示せず）はボンディングワイヤ２２によ
ってＦＰＣテープ１４の電極パッドに接続される。ま
た、金属ボール１８ははんだボールであり、ＦＰＣテー
プ１４の電気回路に接続されている。従って、金属ボー
ル１８は半導体チップ１２の電気回路に接続されてい
る。
るものであり、ポリイミド樹脂のテープに電気回路及び
電極パッド（図示せず）を有する。半導体チップ１２の
電極パッド（図示せず）はボンディングワイヤ２２によ
ってＦＰＣテープ１４の電極パッドに接続される。ま
た、金属ボール１８ははんだボールであり、ＦＰＣテー
プ１４の電気回路に接続されている。従って、金属ボー
ル１８は半導体チップ１２の電気回路に接続されてい
る。
【００１６】ＦＰＣテープ１４を使用した半導体パッケ
ージ１０は、セラミック基板を使用したものよりも反り
やすくなる。モールド樹脂１６として、半導体パッケー
ジ１０が反らないような樹脂を選択するのが望ましい。
好ましいモールド樹脂１６の一例は、ガラス転移温度が
２００℃以上であり、線膨張係数が１３から１８ｐｐｍ
／℃であり、ヤング率が１５００から３０００ｋｇ／ｍ
ｍであることを特徴とする樹脂である。このような樹脂
の詳細は本願の先願である特願平１０−０７９８１２号
に記載されている。従って、ここでは簡単に説明するに
止める。
ージ１０は、セラミック基板を使用したものよりも反り
やすくなる。モールド樹脂１６として、半導体パッケー
ジ１０が反らないような樹脂を選択するのが望ましい。
好ましいモールド樹脂１６の一例は、ガラス転移温度が
２００℃以上であり、線膨張係数が１３から１８ｐｐｍ
／℃であり、ヤング率が１５００から３０００ｋｇ／ｍ
ｍであることを特徴とする樹脂である。このような樹脂
の詳細は本願の先願である特願平１０−０７９８１２号
に記載されている。従って、ここでは簡単に説明するに
止める。
【００１７】モールド樹脂１６は、大きく分けて、
（ａ）ベース樹脂（主剤／硬化剤）と、（ｂ）充填材
（シリカフィラー）と、（ｃ）添加剤とから構成されて
いる。ベース樹脂の主剤として多官能基を有するエポキ
シ樹脂を使用する。例えば、ベース樹脂の主剤として
は、下記の構成の樹脂ａ１及びａ２を使用し、ベース樹
脂の硬化剤としては、下記の構成の樹脂ａ３を使用する
ことができる。樹脂ａ１及びａ２は両方ともに使用する
ことができ、あるいは一方のみを使用することもでき
る。
（ａ）ベース樹脂（主剤／硬化剤）と、（ｂ）充填材
（シリカフィラー）と、（ｃ）添加剤とから構成されて
いる。ベース樹脂の主剤として多官能基を有するエポキ
シ樹脂を使用する。例えば、ベース樹脂の主剤として
は、下記の構成の樹脂ａ１及びａ２を使用し、ベース樹
脂の硬化剤としては、下記の構成の樹脂ａ３を使用する
ことができる。樹脂ａ１及びａ２は両方ともに使用する
ことができ、あるいは一方のみを使用することもでき
る。
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】 このベース樹脂を使用することにより、モールド樹脂１
６のガラス転移温度Ｔｇを２００℃以上、好ましくは２
０５℃以上にし、モールド樹脂１６の線膨張係数α1 を
プリント回路基板３２の線膨張係数α1 に近づけること
ができる。それから、充填材（シリカフィラー）の充填
量を加減することにより、モールド樹脂１６の線膨張係
数α1 を加減することができる。さらに、シリコンオイ
ルやシリコンゴム等のエラストマー等の添加剤を加える
ことによって、モールド樹脂１６のヤング率Ｅを低下す
ることができる。
６のガラス転移温度Ｔｇを２００℃以上、好ましくは２
０５℃以上にし、モールド樹脂１６の線膨張係数α1 を
プリント回路基板３２の線膨張係数α1 に近づけること
ができる。それから、充填材（シリカフィラー）の充填
量を加減することにより、モールド樹脂１６の線膨張係
数α1 を加減することができる。さらに、シリコンオイ
ルやシリコンゴム等のエラストマー等の添加剤を加える
ことによって、モールド樹脂１６のヤング率Ｅを低下す
ることができる。
【００２１】図２は従来の半導体パッケージの樹脂モー
ルド工程を示す図である。図２において、７０はＦＰＣ
テープを示し、このＦＰＣテープ７０には複数の半導体
チップ１２（図２には示されない）が搭載されている。
ＦＰＣテープ７０はモールド型に入れられ、このモール
ド型は複数のキャビティ７２を有する。各キャビティ７
２は、１つの半導体チップ１２に適合して形成されたも
のであり、ゲート７４を有する。このような樹脂モール
ド工程を採用すると、半導体パッケージ１０の種類が変
われば、キャビティ７２の形状を設計し直さなければな
らず、納期及び費用がかかる。
ルド工程を示す図である。図２において、７０はＦＰＣ
テープを示し、このＦＰＣテープ７０には複数の半導体
チップ１２（図２には示されない）が搭載されている。
ＦＰＣテープ７０はモールド型に入れられ、このモール
ド型は複数のキャビティ７２を有する。各キャビティ７
２は、１つの半導体チップ１２に適合して形成されたも
のであり、ゲート７４を有する。このような樹脂モール
ド工程を採用すると、半導体パッケージ１０の種類が変
われば、キャビティ７２の形状を設計し直さなければな
らず、納期及び費用がかかる。
【００２２】図３は本発明による半導体パッケージの樹
脂モールド工程を示す図、図４は図３の工程の後の切断
工程を示す図である。図３において、７０はＦＰＣテー
プを示し、このＦＰＣテープ７０には複数の半導体チッ
プ１２が搭載されている。ＦＰＣテープ７０はキャビテ
ィ７６を有するモールド型に入れられる。キャビティ７
６は複数の半導体パッケージの面積とほぼ等しい面積を
有し、複数の半導体チップ１２を一括してモールドする
ようになっている。キャビティ７６はゲート７８を有す
る。ゲート７８からキャビティ７６に樹脂を流しこむ
と、樹脂がキャビティ７６に充填され、モールド（半）
製品８０が形成される。
脂モールド工程を示す図、図４は図３の工程の後の切断
工程を示す図である。図３において、７０はＦＰＣテー
プを示し、このＦＰＣテープ７０には複数の半導体チッ
プ１２が搭載されている。ＦＰＣテープ７０はキャビテ
ィ７６を有するモールド型に入れられる。キャビティ７
６は複数の半導体パッケージの面積とほぼ等しい面積を
有し、複数の半導体チップ１２を一括してモールドする
ようになっている。キャビティ７６はゲート７８を有す
る。ゲート７８からキャビティ７６に樹脂を流しこむ
と、樹脂がキャビティ７６に充填され、モールド（半）
製品８０が形成される。
【００２３】図４において、モールド製品８０は個々の
半導体パッケージ１０に切断される（樹脂及びテープを
ダイサーでカットする）。なお、図１の金属ボール１８
は、図３のモールド工程の後で図４の切断工程の前に、
ＦＰＣテープ７０に取り付けられる。図１のＦＰＣテー
プ１４は図３のＦＰＣテープ７０を半導体パッケージ１
０毎に切断したものである。
半導体パッケージ１０に切断される（樹脂及びテープを
ダイサーでカットする）。なお、図１の金属ボール１８
は、図３のモールド工程の後で図４の切断工程の前に、
ＦＰＣテープ７０に取り付けられる。図１のＦＰＣテー
プ１４は図３のＦＰＣテープ７０を半導体パッケージ１
０毎に切断したものである。
【００２４】本発明によれば、このように、複数の半導
体チップ１２を一括してトランスファー成形し、その後
にモールド製品８０を半導体パッケージのサイズに切断
する。ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０の場合、ＦＰＣテープ１４の幅は半
導体チップ１２の種類にかかわらず一定であり、例えば
３５ｍｍである。種々の半導体チップ１２のサイズの範
囲は予測できるので、キャビティ７６の幅を、種々のサ
イズの半導体チップ１２をキャビティ７６内に収容する
ことができるように設定することができる。従って、こ
のキャビティ７６を有するモールド型を一つ準備してお
けば、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０のデザインの変更に対応可能にな
る。当然、納期にも対応可能になる。
体チップ１２を一括してトランスファー成形し、その後
にモールド製品８０を半導体パッケージのサイズに切断
する。ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０の場合、ＦＰＣテープ１４の幅は半
導体チップ１２の種類にかかわらず一定であり、例えば
３５ｍｍである。種々の半導体チップ１２のサイズの範
囲は予測できるので、キャビティ７６の幅を、種々のサ
イズの半導体チップ１２をキャビティ７６内に収容する
ことができるように設定することができる。従って、こ
のキャビティ７６を有するモールド型を一つ準備してお
けば、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０のデザインの変更に対応可能にな
る。当然、納期にも対応可能になる。
【００２５】３５ｍｍ幅のＦＰＣテープ１４は一列の半
導体チップ１２を配置することができる。本発明によれ
ば、７０ｍｍ幅のＦＰＣテープ１４を使用することによ
って、２列の半導体チップ１２を配置し、それを一括し
てモールドすることができる。また、３５ｍｍの倍数の
幅のＦＰＣテープ１４を使用することによって、多列の
半導体チップ１２を配置し、それを一括してモールドす
ることができる。このようにして、一度に多くの半導体
パッケージ１０を形成することができる。
導体チップ１２を配置することができる。本発明によれ
ば、７０ｍｍ幅のＦＰＣテープ１４を使用することによ
って、２列の半導体チップ１２を配置し、それを一括し
てモールドすることができる。また、３５ｍｍの倍数の
幅のＦＰＣテープ１４を使用することによって、多列の
半導体チップ１２を配置し、それを一括してモールドす
ることができる。このようにして、一度に多くの半導体
パッケージ１０を形成することができる。
【００２６】一括モールドする方法は、ポッティングと
プリント配線板の組み合わせとして実施されたことがあ
るが、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０において一括モールドすることは考
えられなかった。つまり、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテー
プ）１４を使用した半導体パッケージ１０は反りが大き
くなるので、一括モールドできなかった。仮に一括モー
ルドできたとしても、半導体パッケージ１０の反りが大
きいと、半導体パッケージ１０を製造ラインを流すこと
ができない。
プリント配線板の組み合わせとして実施されたことがあ
るが、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテープ）１４を使用した半
導体パッケージ１０において一括モールドすることは考
えられなかった。つまり、ＦＰＣテープ（ＴＡＢテー
プ）１４を使用した半導体パッケージ１０は反りが大き
くなるので、一括モールドできなかった。仮に一括モー
ルドできたとしても、半導体パッケージ１０の反りが大
きいと、半導体パッケージ１０を製造ラインを流すこと
ができない。
【００２７】上記したように、反りを小さくできるモー
ルド樹脂１６が得られたので、半導体パッケージ１０を
一括モールドを行うことができ、半導体パッケージ１０
を製造ラインを流すことができるようになった。例え
ば、一般的な樹脂の場合には半導体パッケージ１０の反
りは約４ｍｍになるが、上記した樹脂を使用すると半導
体パッケージ１０の反りは約０．２ｍｍになる。半導体
パッケージ１０は約２ｍｍの反りまで工程を流すことが
できる。追加効果として、ダイサーで切断することによ
り半導体パッケージ１０の端面のはがれのダメージが減
少し、信頼性が向上した。
ルド樹脂１６が得られたので、半導体パッケージ１０を
一括モールドを行うことができ、半導体パッケージ１０
を製造ラインを流すことができるようになった。例え
ば、一般的な樹脂の場合には半導体パッケージ１０の反
りは約４ｍｍになるが、上記した樹脂を使用すると半導
体パッケージ１０の反りは約０．２ｍｍになる。半導体
パッケージ１０は約２ｍｍの反りまで工程を流すことが
できる。追加効果として、ダイサーで切断することによ
り半導体パッケージ１０の端面のはがれのダメージが減
少し、信頼性が向上した。
【００２８】図５はモールド工程で使用するキャビティ
のベント側の部分を示す図である。図５はＦＰＣテープ
７０も示している。ＦＰＣテープ７０は複数のスプロケ
ットホール８２を有する。スプロケットホール８２は通
常テープメーカーからＦＰＣテープ７０を購入するとき
にすでに設けられている。キャビティ７６の側端部７６
ａはＦＰＣテープ７０のスプロケットホール８２よりも
内寄りに位置するように設定される。
のベント側の部分を示す図である。図５はＦＰＣテープ
７０も示している。ＦＰＣテープ７０は複数のスプロケ
ットホール８２を有する。スプロケットホール８２は通
常テープメーカーからＦＰＣテープ７０を購入するとき
にすでに設けられている。キャビティ７６の側端部７６
ａはＦＰＣテープ７０のスプロケットホール８２よりも
内寄りに位置するように設定される。
【００２９】モールド型（例えば図２０のモールド型１
００参照）はモールド完了後に製品を突き出すためのエ
ジェクターピン８４を有する。図５においては、エジェ
クターピン８４は、ＦＰＣテープ７０がモールド型に配
置されたときに隣接するスプロケットホール８２の間に
位置する。キャビティ７６は側端部７６ａを越えて外側
へ突出する部分７６ｂを有し、エジェクターピン８４は
この突出する部分７６ｂの上方の位置に配置される。
００参照）はモールド完了後に製品を突き出すためのエ
ジェクターピン８４を有する。図５においては、エジェ
クターピン８４は、ＦＰＣテープ７０がモールド型に配
置されたときに隣接するスプロケットホール８２の間に
位置する。キャビティ７６は側端部７６ａを越えて外側
へ突出する部分７６ｂを有し、エジェクターピン８４は
この突出する部分７６ｂの上方の位置に配置される。
【００３０】樹脂がキャビティ７６に充填されると、樹
脂は突出する部分７６ｂにも充填される。モールドが完
了してモールド型が開かれるときに、エジェクターピン
８４はキャビティ７６の突出する部分７６ｂに充填され
ている樹脂をモールド型から突き出す。エジェクターピ
ン８４はキャビティ７６の側端部７６ａよりも外側に位
置するので、キャビティ７６の側端部７６ａよりも内側
の部分を有効なエリアとして利用可能になり、一定の面
積のキャビティ７６及びＦＰＣテープ７０内で半導体パ
ッケージ１０の取り数をできるだけ多くすることができ
るようになる。半導体パッケージ１０の取り数が多くな
ると、コストダウンに寄与する。
脂は突出する部分７６ｂにも充填される。モールドが完
了してモールド型が開かれるときに、エジェクターピン
８４はキャビティ７６の突出する部分７６ｂに充填され
ている樹脂をモールド型から突き出す。エジェクターピ
ン８４はキャビティ７６の側端部７６ａよりも外側に位
置するので、キャビティ７６の側端部７６ａよりも内側
の部分を有効なエリアとして利用可能になり、一定の面
積のキャビティ７６及びＦＰＣテープ７０内で半導体パ
ッケージ１０の取り数をできるだけ多くすることができ
るようになる。半導体パッケージ１０の取り数が多くな
ると、コストダウンに寄与する。
【００３１】図６はモールド工程で使用するキャビティ
７６のゲート側の部分を示す図である。図３に示したよ
うな一括成形では、樹脂の充填性が問題になる。図６に
おいては、ゲート７８は複数のスプロケットホール８２
を横切って延びる。モールド型は、ゲート７８内に位置
し且つ各スプロケットホール８２を覆う壁８６を含む。
この壁８６はゲート７８の側壁から島状に分離されてい
る。ゲート７８は島状の壁８６によって分離された後に
ＦＰＣテープ７０上で合流している。つまり、ゲート７
８は、スプロケットホール８２を一旦逃げた後ＦＰＣテ
ープ７０上で再合流し、ＦＰＣテープ７０の端面全てを
ゲートとし、樹脂の流れを改善する。このゲート７８を
採用することで、多数の半導体パッケージ１０を同時に
形成するための樹脂の充填が可能になった。８８はカル
である。
７６のゲート側の部分を示す図である。図３に示したよ
うな一括成形では、樹脂の充填性が問題になる。図６に
おいては、ゲート７８は複数のスプロケットホール８２
を横切って延びる。モールド型は、ゲート７８内に位置
し且つ各スプロケットホール８２を覆う壁８６を含む。
この壁８６はゲート７８の側壁から島状に分離されてい
る。ゲート７８は島状の壁８６によって分離された後に
ＦＰＣテープ７０上で合流している。つまり、ゲート７
８は、スプロケットホール８２を一旦逃げた後ＦＰＣテ
ープ７０上で再合流し、ＦＰＣテープ７０の端面全てを
ゲートとし、樹脂の流れを改善する。このゲート７８を
採用することで、多数の半導体パッケージ１０を同時に
形成するための樹脂の充填が可能になった。８８はカル
である。
【００３２】図７はモールド工程で使用するキャビティ
７６のゲート側の部分の他の例を示す図である。この例
は、ゲート７８内でスプロケットホール８２を覆う壁８
６の形状が異なっている点を除くと図６の例と類似して
いる。壁８６は樹脂の流れ方向の上流側が丸くなってお
り、スプロケットホール８２を覆った後そのままの形で
ＦＰＣテープ７０の端面まで延びている。従って、壁８
６の空き端部の位置においてゲート７８の面積が狭くな
る。そのため、樹脂の流れが８９で示されるように波う
ちを生じ、樹脂の充填性が低下する。従って、現在で
は、図６の構成が好ましい。
７６のゲート側の部分の他の例を示す図である。この例
は、ゲート７８内でスプロケットホール８２を覆う壁８
６の形状が異なっている点を除くと図６の例と類似して
いる。壁８６は樹脂の流れ方向の上流側が丸くなってお
り、スプロケットホール８２を覆った後そのままの形で
ＦＰＣテープ７０の端面まで延びている。従って、壁８
６の空き端部の位置においてゲート７８の面積が狭くな
る。そのため、樹脂の流れが８９で示されるように波う
ちを生じ、樹脂の充填性が低下する。従って、現在で
は、図６の構成が好ましい。
【００３３】図８及び図９はモールド製品８０に金属ボ
ール１８を取り付けた後でモールド製品８０を切断する
例を示す。モールド製品８０を切断線９０に沿ってダイ
サーのブレード９２によって個々の半導体パッケージ１
０に切断する。ダイサーはシャワー装置９４を含む。シ
ャワー装置９４は通常はブレード９２に水をあてるよう
になっている。しかし、この例においては、シャワー装
置９４はブレード９２及び金属ボール１８を含む半導体
パッケージ１０の表面に同時に水をあてるようになって
いる。水はブレード９２による樹脂の切断を助けるとと
もに、金属ボール１８を洗浄する。
ール１８を取り付けた後でモールド製品８０を切断する
例を示す。モールド製品８０を切断線９０に沿ってダイ
サーのブレード９２によって個々の半導体パッケージ１
０に切断する。ダイサーはシャワー装置９４を含む。シ
ャワー装置９４は通常はブレード９２に水をあてるよう
になっている。しかし、この例においては、シャワー装
置９４はブレード９２及び金属ボール１８を含む半導体
パッケージ１０の表面に同時に水をあてるようになって
いる。水はブレード９２による樹脂の切断を助けるとと
もに、金属ボール１８を洗浄する。
【００３４】通常のＦＢＧＡの金属ボール１８付け工程
以降は（ボール付け＋リフロー＋洗浄＋ダイサー切断）
である。この例は洗浄工程を省くことによってコストダ
ウンを図る。通常のダイサーはブレード９２を回転させ
て樹脂を切り、ダイサーが熱をもつため、水でそのブレ
ード９２を冷却している。この水噴射を利用して、金属
ボール１８の洗浄を行う。それに伴い、シャワーの数及
び箇所の変更は必要となる場合がある。金属ボール１８
の洗浄を水で行うためには、金属ボール１８のフラック
スは水溶性のものでなければならない。
以降は（ボール付け＋リフロー＋洗浄＋ダイサー切断）
である。この例は洗浄工程を省くことによってコストダ
ウンを図る。通常のダイサーはブレード９２を回転させ
て樹脂を切り、ダイサーが熱をもつため、水でそのブレ
ード９２を冷却している。この水噴射を利用して、金属
ボール１８の洗浄を行う。それに伴い、シャワーの数及
び箇所の変更は必要となる場合がある。金属ボール１８
の洗浄を水で行うためには、金属ボール１８のフラック
スは水溶性のものでなければならない。
【００３５】図１０はモールド製品８０を切断して得ら
れた半導体パッケージ１０を示す図である。（Ａ）は半
導体パッケージ１０の平面図、（Ｂ）は半導体パッケー
ジ１０の側面図、（Ｃ）は半導体パッケージ１０の他の
側面図である。半導体パッケージ１０の側面はダイサー
で切断されているので半導体パッケージ１０の表面に対
して垂直になっている。
れた半導体パッケージ１０を示す図である。（Ａ）は半
導体パッケージ１０の平面図、（Ｂ）は半導体パッケー
ジ１０の側面図、（Ｃ）は半導体パッケージ１０の他の
側面図である。半導体パッケージ１０の側面はダイサー
で切断されているので半導体パッケージ１０の表面に対
して垂直になっている。
【００３６】図１１は半導体パッケージ１０を得るため
のモールド製品８０の切断のための特徴を示す図であ
る。この例では、半導体パッケージ１０を得るためのモ
ールド製品８０の切断のための切りしろａは、ＭＡＸ
０．３ｍｍである。言い換えると、モールド製品８０は
２つの隣接する半導体パッケージ１０の外端から外端ま
での寸法が該２つの隣接する半導体パッケージ１０を形
成すべき寸法プラス該２つの隣接する半導体パッケージ
１０間の間隙の寸法であり、該間隙の寸法ａが０．３ｍ
ｍ以下である。
のモールド製品８０の切断のための特徴を示す図であ
る。この例では、半導体パッケージ１０を得るためのモ
ールド製品８０の切断のための切りしろａは、ＭＡＸ
０．３ｍｍである。言い換えると、モールド製品８０は
２つの隣接する半導体パッケージ１０の外端から外端ま
での寸法が該２つの隣接する半導体パッケージ１０を形
成すべき寸法プラス該２つの隣接する半導体パッケージ
１０間の間隙の寸法であり、該間隙の寸法ａが０．３ｍ
ｍ以下である。
【００３７】切りしろａが０．３ｍｍ以内であれば、モ
ールド製品８０をブレード９２で１回で切断し、得られ
た半導体パッケージ１０の寸法が許容値に収まる。切り
しろａが例えば０．５ｍｍになると、モールド製品８０
をブレード９２で１回で切断することができず、２回以
上の切断が必要になる。切りしろａを０．３ｍｍ以内に
することより、切断工程に時間がかかるとともに、一定
の面積のキャビティ７８に対して、半導体パッケージ１
０の取り数を最大にすることができる。
ールド製品８０をブレード９２で１回で切断し、得られ
た半導体パッケージ１０の寸法が許容値に収まる。切り
しろａが例えば０．５ｍｍになると、モールド製品８０
をブレード９２で１回で切断することができず、２回以
上の切断が必要になる。切りしろａを０．３ｍｍ以内に
することより、切断工程に時間がかかるとともに、一定
の面積のキャビティ７８に対して、半導体パッケージ１
０の取り数を最大にすることができる。
【００３８】図１２は半導体パッケージ１０を得るため
のモールド製品８０の切断のための特徴を示す図であ
る。この例では、モールド製品８０を個々の半導体パッ
ケージ１０に切断用のアライメントマーク９６がパッケ
ージ分毎に設けられる。このダイサー切断認識用のアラ
イメントマーク９６をつけることにより、より精度の高
い切断が可能になった。
のモールド製品８０の切断のための特徴を示す図であ
る。この例では、モールド製品８０を個々の半導体パッ
ケージ１０に切断用のアライメントマーク９６がパッケ
ージ分毎に設けられる。このダイサー切断認識用のアラ
イメントマーク９６をつけることにより、より精度の高
い切断が可能になった。
【００３９】図１３はモールド製品８０の一例を示す
図、図１４は図１３のモールド製品８０の一部を示す拡
大図である。図１５は図１４の丸印Ａのアライメントマ
ーク９６の拡大図、図１６は図１４の丸印Ｂのアライメ
ントマーク９６の拡大図である。アライメントマーク９
６はほぼ切断線９０上に位置している。この例は、さら
に図１１及び図１２を参照して説明した特徴を含んでい
る。
図、図１４は図１３のモールド製品８０の一部を示す拡
大図である。図１５は図１４の丸印Ａのアライメントマ
ーク９６の拡大図、図１６は図１４の丸印Ｂのアライメ
ントマーク９６の拡大図である。アライメントマーク９
６はほぼ切断線９０上に位置している。この例は、さら
に図１１及び図１２を参照して説明した特徴を含んでい
る。
【００４０】図１５に示されるアライメントマーク９６
は、ＦＰＣテープ７０に設けられた穴９６ａと、ＦＰＣ
テープ７０に設けられた銅層のエッチングされたパター
ン９６ｂとからなる。このアライメントマーク９６は２
つの切断線９０の交差部に配置される。また、図１６に
示されるアライメントマーク９６は、ＦＰＣテープ７０
に設けられた穴９６ｃと、ＦＰＣテープ７０に設けられ
た銅層のエッチングされたパターン９６ｄとからなる。
は、ＦＰＣテープ７０に設けられた穴９６ａと、ＦＰＣ
テープ７０に設けられた銅層のエッチングされたパター
ン９６ｂとからなる。このアライメントマーク９６は２
つの切断線９０の交差部に配置される。また、図１６に
示されるアライメントマーク９６は、ＦＰＣテープ７０
に設けられた穴９６ｃと、ＦＰＣテープ７０に設けられ
た銅層のエッチングされたパターン９６ｄとからなる。
【００４１】このように、ＦＰＣテープ７０に設けられ
た穴に合わせた認識及びエッチングパターンに合わせた
認識が両方できるような形にしておく。これにより、ど
ちらでも認識が可能なため、精度よく切断が可能とな
る。また、ＦＰＣテープ７０に設けられた穴は精度が低
いので、銅層に回路パターンとともに形成されたパター
ン９６ｂ、９６ｄを使用すれば、精度が高くなる。
た穴に合わせた認識及びエッチングパターンに合わせた
認識が両方できるような形にしておく。これにより、ど
ちらでも認識が可能なため、精度よく切断が可能とな
る。また、ＦＰＣテープ７０に設けられた穴は精度が低
いので、銅層に回路パターンとともに形成されたパター
ン９６ｂ、９６ｄを使用すれば、精度が高くなる。
【００４２】図１７はモールド製品８０の他の例を示す
図、図１８は図１７の丸印Ｄのアライメントマーク９６
の拡大図、図１９は図１７の丸印Ｃのアライメントマー
ク９６の拡大図である。この例では、２つのアライメン
トマーク９６が１つの切断線９０の両側に切断線９０等
距離の位置に配置されている。ＦＰＣテープ７０の周縁
部及び一部の切断線９０に沿って銅の直線パターンが設
けられ、アライメントマーク９６は前の例で示したもの
同様にＦＰＣテープ７０に設けられた穴及びその上の層
に形成されたパターンからなっている。
図、図１８は図１７の丸印Ｄのアライメントマーク９６
の拡大図、図１９は図１７の丸印Ｃのアライメントマー
ク９６の拡大図である。この例では、２つのアライメン
トマーク９６が１つの切断線９０の両側に切断線９０等
距離の位置に配置されている。ＦＰＣテープ７０の周縁
部及び一部の切断線９０に沿って銅の直線パターンが設
けられ、アライメントマーク９６は前の例で示したもの
同様にＦＰＣテープ７０に設けられた穴及びその上の層
に形成されたパターンからなっている。
【００４３】図２０はモールド型を示す断面図である。
モールド型１００は上型１００Ｕと下型１００Ｌとを有
する。上型１００Ｕと下型１００Ｌとでキャビティ７８
を形成する。これは典型的なモールド型１００の例であ
る。図２１は２つのＦＰＣテープを同時に配置するモー
ルド型を示す断面図である。モールド型１００は上型１
００Ｕと下型１００Ｌとを有する。上型１００Ｕと下型
１００Ｌとはそれぞれキャビティ７８Ｕ、７８Ｌを形成
する。各キャビティ７８Ｕ、７８Ｌには、それぞれＦＰ
Ｃテープ７０Ｕ、７０Ｌを配置できるようになってい
る。各ＦＰＣテープ７０Ｕ、７０Ｌは複数の半導体チッ
プ１２を搭載されている。このように、複数の半導体チ
ップ１２をそれぞれに含む複数のＦＰＣテープ７０Ｕ、
７０Ｌを単一のモールド型１００にセットできるように
したので、モールド工程での効率アップを図ることがで
きる。
モールド型１００は上型１００Ｕと下型１００Ｌとを有
する。上型１００Ｕと下型１００Ｌとでキャビティ７８
を形成する。これは典型的なモールド型１００の例であ
る。図２１は２つのＦＰＣテープを同時に配置するモー
ルド型を示す断面図である。モールド型１００は上型１
００Ｕと下型１００Ｌとを有する。上型１００Ｕと下型
１００Ｌとはそれぞれキャビティ７８Ｕ、７８Ｌを形成
する。各キャビティ７８Ｕ、７８Ｌには、それぞれＦＰ
Ｃテープ７０Ｕ、７０Ｌを配置できるようになってい
る。各ＦＰＣテープ７０Ｕ、７０Ｌは複数の半導体チッ
プ１２を搭載されている。このように、複数の半導体チ
ップ１２をそれぞれに含む複数のＦＰＣテープ７０Ｕ、
７０Ｌを単一のモールド型１００にセットできるように
したので、モールド工程での効率アップを図ることがで
きる。
【００４４】図２２はエジェクターピンを含むモールド
型を示す断面図である。モールド型１００は上型１００
Ｕと下型１００Ｌとを有する。上型１００Ｕは複数のブ
ロック１００Ｂからなる。ブロック１００Ｂはエジェク
ターピン８４を有する。幾つかの種類のブロック１００
Ｂがあり、半導体チップ１２の種類に応じて使用するブ
ロック１００Ｂを選択することができる。この構成は、
一括成形での離型性のマージンアップ及び取り数アップ
を図ることができる。一括成形での離型に問題が生じた
場合に、中央部分にエジェクターピン８４を設ける。
型を示す断面図である。モールド型１００は上型１００
Ｕと下型１００Ｌとを有する。上型１００Ｕは複数のブ
ロック１００Ｂからなる。ブロック１００Ｂはエジェク
ターピン８４を有する。幾つかの種類のブロック１００
Ｂがあり、半導体チップ１２の種類に応じて使用するブ
ロック１００Ｂを選択することができる。この構成は、
一括成形での離型性のマージンアップ及び取り数アップ
を図ることができる。一括成形での離型に問題が生じた
場合に、中央部分にエジェクターピン８４を設ける。
【００４５】図２３は図２２の丸印Ｅの部分を示す拡大
図である。半導体パッケージ１０のモールド樹脂１６に
窪み１０２ができるようにモールド型を形成しておく。
窪み１０２はモールド工程の後の切断工程において切断
の目印となり、切断線がエジェクターピン８４の位置し
たところを通るようにする。図２４はモールド部分より
厚い樹脂部分を有するモールド製品を示す断面図であ
る。図２５は図２４の線XXV ─XXV に沿った断面図であ
る。モールド製品８０はＦＰＣテープ７０上に複数の半
導体チップ１２（図２４では示されない）を搭載されて
おり、その半導体チップ１２を覆って樹脂モールドされ
ている。矢印で示される側がゲート側であり、反対側が
ベント側である。
図である。半導体パッケージ１０のモールド樹脂１６に
窪み１０２ができるようにモールド型を形成しておく。
窪み１０２はモールド工程の後の切断工程において切断
の目印となり、切断線がエジェクターピン８４の位置し
たところを通るようにする。図２４はモールド部分より
厚い樹脂部分を有するモールド製品を示す断面図であ
る。図２５は図２４の線XXV ─XXV に沿った断面図であ
る。モールド製品８０はＦＰＣテープ７０上に複数の半
導体チップ１２（図２４では示されない）を搭載されて
おり、その半導体チップ１２を覆って樹脂モールドされ
ている。矢印で示される側がゲート側であり、反対側が
ベント側である。
【００４６】モールド部分１０４は半導体チップ１２を
覆っているモールド樹脂の部分であり、ここで言う樹脂
部分１０６はゲート及びベント部分に設けられたモール
ド樹脂の部分である。樹脂部分１０６はモールド部分１
０４の両側部にあって半導体チップ１２のない領域であ
り、切断工程においては切断して捨てられる領域であ
る。しかし、樹脂部分１０６は長手方向に厚く形成され
ているので、モールド製品８０にかなりの強度を与え、
モールド製品８０が反りにくくなっている。従って、モ
ールド製品８０は生産ラインを流されることができる。
覆っているモールド樹脂の部分であり、ここで言う樹脂
部分１０６はゲート及びベント部分に設けられたモール
ド樹脂の部分である。樹脂部分１０６はモールド部分１
０４の両側部にあって半導体チップ１２のない領域であ
り、切断工程においては切断して捨てられる領域であ
る。しかし、樹脂部分１０６は長手方向に厚く形成され
ているので、モールド製品８０にかなりの強度を与え、
モールド製品８０が反りにくくなっている。従って、モ
ールド製品８０は生産ラインを流されることができる。
【００４７】図２６は切断線を変形したモールド製品を
示す図である。モールド製品８０はＡ、Ｂで区別された
２種類の半導体チップ１２を含む。切断線９０は必ずし
も半導体チップ１２を１つずつ区分するようには設定さ
れていず、１つの半導体パッケージ１０が複数の半導体
チップ１２を含むように切断されるようになっている。
例えば、ある半導体パッケージ１０は２種類の半導体チ
ップ（Ａ、Ｂ）１２を含むようになっている。また、他
の半導体パッケージ１０は２つの同じ半導体チップ（Ａ
又はＢ）１２を含むようになっている。このように、一
括成形して切断の仕方を変えることにより、ＭＣＭに相
当する半導体パッケージ１０を得ることができる。
示す図である。モールド製品８０はＡ、Ｂで区別された
２種類の半導体チップ１２を含む。切断線９０は必ずし
も半導体チップ１２を１つずつ区分するようには設定さ
れていず、１つの半導体パッケージ１０が複数の半導体
チップ１２を含むように切断されるようになっている。
例えば、ある半導体パッケージ１０は２種類の半導体チ
ップ（Ａ、Ｂ）１２を含むようになっている。また、他
の半導体パッケージ１０は２つの同じ半導体チップ（Ａ
又はＢ）１２を含むようになっている。このように、一
括成形して切断の仕方を変えることにより、ＭＣＭに相
当する半導体パッケージ１０を得ることができる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高密度実装の半導体パッケージの組立が容易になる。大
きな面積のＦＰＣテープを使用し、１つのＦＰＣテープ
当たりの半導体パッケージの取り数を増やすことができ
るので、コストダウンすることができる。
高密度実装の半導体パッケージの組立が容易になる。大
きな面積のＦＰＣテープを使用し、１つのＦＰＣテープ
当たりの半導体パッケージの取り数を増やすことができ
るので、コストダウンすることができる。
【図１】本発明に従って製造された半導体パッケージの
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体パッケージの樹脂モールド工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明による半導体パッケージの樹脂モールド
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図４】図３の工程の後の切断工程を示す図である。
【図５】モールド工程で使用するキャビティのベント側
の部分を示す図である。
の部分を示す図である。
【図６】モールド工程で使用するキャビティのベント側
の部分を示す図である。
の部分を示す図である。
【図７】モールド工程で使用するキャビティのベント側
の部分の他の例を示す図である。
の部分の他の例を示す図である。
【図８】モールド製品に金属ボールを取り付けた後でモ
ールド製品を切断する例を示す図である。
ールド製品を切断する例を示す図である。
【図９】モールド製品を切断する例を示す図である。
【図１０】モールド製品を切断して得られた半導体パッ
ケージを示し、（Ａ）は半導体パッケージの平面図、
（Ｂ）は半導体パッケージの側面図、（Ｃ）は半導体パ
ッケージの他の側面図である。
ケージを示し、（Ａ）は半導体パッケージの平面図、
（Ｂ）は半導体パッケージの側面図、（Ｃ）は半導体パ
ッケージの他の側面図である。
【図１１】半導体パッケージを得るためのモールド製品
の切断のための特徴を示す図である。
の切断のための特徴を示す図である。
【図１２】半導体パッケージを得るためのモールド製品
の切断のための他の特徴を示す図である。
の切断のための他の特徴を示す図である。
【図１３】モールド製品の一例を示す図である。
【図１４】図１３のモールド製品の一部を示す拡大図で
ある。
ある。
【図１５】図１４の丸印Ａのアライメントマークの拡大
図である。
図である。
【図１６】図１４の丸印Ｂのアライメントマークの拡大
図である。
図である。
【図１７】モールド製品の他の例を示す図である。
【図１８】図１７のアライメントマークの拡大図であ
る。
る。
【図１９】図１７のもう一つのアライメントマークの拡
大図である。
大図である。
【図２０】モールド型を示す断面図である。
【図２１】２つのＦＰＣテープを同時に配置するモール
ド型を示す断面図である。
ド型を示す断面図である。
【図２２】エジェクタピンを含むモールド型を示す断面
図である。
図である。
【図２３】図２２の丸印Ｅの部分を示す拡大図である。
【図２４】モールド部分より厚い樹脂部分を有するモー
ルド製品を示す断面図である。
ルド製品を示す断面図である。
【図２５】図２４の線XXV ─XXV に沿った断面図であ
る。
る。
【図２６】切断線を変形したモールド製品を示す図であ
る。
る。
１０…半導体パッケージ １２…半導体チップ １４…ＦＰＣテープ １６…モールド樹脂 １８…金属ボール ７０…ＦＰＣテープ ７６…キャビティ ７８…ゲート ８０…モールド製品 ８２…スプロケットホール ８４…エジェクターピン ８６…壁 ９０…切断線 ９２…ブレード ９４…シャワー ９６…アライメントマーク １００…モールド型 １０４…モールド部分 １０６…樹脂部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小酒井 一成 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 東山 敏久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 KK19 MM31 MM40 MM42 RR19 5F061 AA01 BA05 CA21 CB13 DA05 DA08 DA15
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体チップと、該半導体チップを搭載
するＦＰＣテープと、該半導体チップを保護するモール
ド樹脂と、該ＦＰＣテープに設けられた導体接続用の金
属ボールとを備えた半導体パッケージの製造方法におい
て、複数の半導体チップをＦＰＣテープに搭載し、ＦＰ
Ｃテープに取り付けられた複数の半導体チップをモール
ド型で一括してモールドしてモールド製品を形成し、該
モールド製品を個々のパッケージに切断することを特徴
とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 該金属ボールを該ＦＰＣテープに取り付
ける工程が、モールド工程の後で切断工程の前に行われ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ
の製造方法。 - 【請求項３】 該モールド樹脂は、ガラス転移温度が２
００℃以上であり、線膨張係数が１３から１８ｐｐｍ／
℃であり、ヤング率が１５００から３０００ｋｇ／ｍｍ
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケ
ージの製造方法。 - 【請求項４】 該ＦＰＣテープは複数のスプロケットホ
ールを有し、モールド型は該ＦＰＣテープが該モールド
型に配置されたときに隣接するスプロケットホールの間
に位置するエジェクターピンを有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項５】 該ＦＰＣテープは複数のスプロケットホ
ールを有し、モールド型は少なくとも１つのスプロケッ
トホールを横切るゲートを有し、該モールド型は該ゲー
ト内に位置し且つ該少なくとも１つのスプロケットホー
ルを覆う壁を含み、該壁は該ゲートの側壁から島状に分
離されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
パッケージの製造方法。 - 【請求項６】 該ゲートは該島状の壁によって分離され
た後に該ＦＰＣテープ上で合流していることを特徴とす
る請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項７】 該モールド製品は２つの隣接するパッケ
ージの外端から外端までの寸法が該２つの隣接する半導
体パッケージを形成すべき寸法プラス該２つの隣接する
半導体パッケージ間の間隙の寸法であり、該間隙の寸法
が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項８】 該モールド製品を個々のパッケージに切
断するためのアライメントマークをパッケージ毎に有す
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ
の製造方法。 - 【請求項９】 該アライメントマークは該ＦＰＣテープ
に設けられた穴と該ＦＰＣテープ上に設けられた層のエ
ッチングされたパターンからなることを特徴とする請求
項８に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１０】 切断工程において金属ボールを同時に
洗浄することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッ
ケージの製造方法。 - 【請求項１１】 ダイサーのシャワーを切断用ブレード
及び金属ボールにあてることを特徴とする請求項１０に
記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１２】 複数の半導体チップをそれぞれに含む
複数のＦＰＣテープを単一のモールド型にセットできる
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項１３】 該モールド型は複数のブロックからな
り、それぞれのブロックにエジェクターピンが取り付け
られるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半
導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１４】 ゲート及びベント部分にモールド部分
より厚い樹脂部分を作り、その硬さをもって反りを防ぐ
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項１５】 該モールド製品は１つの半導体パッケ
ージが複数の半導体チップを含むように切断されること
を特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31087798A JP3601985B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体パッケージの製造方法 |
| TW087121665A TW401632B (en) | 1998-03-26 | 1998-12-24 | Resin molded semiconductor device and method of manufacturing semiconductor package |
| US09/220,351 US6166433A (en) | 1998-03-26 | 1998-12-24 | Resin molded semiconductor device and method of manufacturing semiconductor package |
| KR1019980062703A KR100309965B1 (ko) | 1998-03-26 | 1998-12-31 | 수지성형반도체장치및반도체패키지의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31087798A JP3601985B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138246A true JP2000138246A (ja) | 2000-05-16 |
| JP2000138246A5 JP2000138246A5 (ja) | 2004-12-09 |
| JP3601985B2 JP3601985B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18010468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31087798A Expired - Fee Related JP3601985B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-10-30 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601985B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG92821A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-11-19 | Hitachi Ltd | A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| US6720647B2 (en) | 2000-06-05 | 2004-04-13 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2009188147A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017139343A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720647B2 (en) | 2000-06-05 | 2004-04-13 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| SG92821A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-11-19 | Hitachi Ltd | A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| US6596561B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device using reinforcing patterns for ensuring mechanical strength during manufacture |
| US6723583B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-20 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device using a mold |
| US6872597B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-03-29 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| US7015069B2 (en) | 2000-12-20 | 2006-03-21 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| JP2009188147A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3601985B2 (ja) | 2004-12-15 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 4 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 7 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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