JP2000137929A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】記録層における結晶質状態と非晶質状態での反
射率差を強調し、光記録媒体のＢＥＲ等の再生特性を向
上させる。 【解決手段】ポリカーボネートから成る３．５インチ径
のディスク状の透明基板１１の主面上に、膜厚約１００
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第１透明誘電体層１
２、膜厚約１０ｎｍ、ＩｎＢｉ等から成る反射光強調層
１３、膜厚約１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第２
透明誘電体層１４、膜厚約２０ｎｍ、ＧｅＴｅから成る
記録層１５、膜厚約２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成
る第３透明誘電体層１６、膜厚約１００ｎｍ、Ａｌから
成る反射層１７を、マグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。このとき、反射光強調層１３の光吸収率差
Ａａ−Ａc が、Ａａ−Ａc ≧１０％、結晶質状態の反射
率Ｒc が５０％以下である。
射率差を強調し、光記録媒体のＢＥＲ等の再生特性を向
上させる。 【解決手段】ポリカーボネートから成る３．５インチ径
のディスク状の透明基板１１の主面上に、膜厚約１００
ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第１透明誘電体層１
２、膜厚約１０ｎｍ、ＩｎＢｉ等から成る反射光強調層
１３、膜厚約１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第２
透明誘電体層１４、膜厚約２０ｎｍ、ＧｅＴｅから成る
記録層１５、膜厚約２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成
る第３透明誘電体層１６、膜厚約１００ｎｍ、Ａｌから
成る反射層１７を、マグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。このとき、反射光強調層１３の光吸収率差
Ａａ−Ａc が、Ａａ−Ａc ≧１０％、結晶質状態の反射
率Ｒc が５０％以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射するレーザ光
等の光線の出力に応じて非晶質−結晶質の２状態に相変
化する記録層を有し、前記２状態における記録ピットの
光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生する
ものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
等の光線の出力に応じて非晶質−結晶質の２状態に相変
化する記録層を有し、前記２状態における記録ピットの
光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生する
ものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の相転移を利用した書き換え可能な
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
１に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の透明基板、２はＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴ
ｅ等から成り非晶質−結晶質の２状態に相変化可能な記
録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
１に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の透明基板、２はＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴ
ｅ等から成り非晶質−結晶質の２状態に相変化可能な記
録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
【０００３】このような書き換え可能な媒体Ｍにおい
て、記録層３は結晶状態と非結晶状態とで光の反射率が
異なっており、一般的には結晶状態の方が反射率が高
い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなものであ
る。まず、記録層３の全ての記録ピットを結晶化してお
く。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。情報
の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザパワ
ーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出力
（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された
記録ピットでは記録層３材料の融点よりも高温になり、
溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５〜１
０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ピットで
は、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温された
後、冷却され結晶状態になる。
て、記録層３は結晶状態と非結晶状態とで光の反射率が
異なっており、一般的には結晶状態の方が反射率が高
い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなものであ
る。まず、記録層３の全ての記録ピットを結晶化してお
く。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。情報
の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザパワ
ーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出力
（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された
記録ピットでは記録層３材料の融点よりも高温になり、
溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５〜１
０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ピットで
は、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温された
後、冷却され結晶状態になる。
【０００４】上記の書込動作は、古い情報が残留してい
る上から直接行うことができ、各記録ピットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライトが可能である。再生は、読取用の低出力
（１〜２ｍＷ程度）のレーザビームを照射して、高反射
率の結晶質相か低反射率の非晶質相かを判読し、０，１
のデジタル情報として読み取る。
る上から直接行うことができ、各記録ピットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライトが可能である。再生は、読取用の低出力
（１〜２ｍＷ程度）のレーザビームを照射して、高反射
率の結晶質相か低反射率の非晶質相かを判読し、０，１
のデジタル情報として読み取る。
【０００５】上記記録層３の材料としては、Ｔｅ，Ｓ
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
【０００６】そして、従来、このような相変化型の媒体
Ｍにおいて、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 等の記録層と、記録層
を挟む上地透明誘電体層及び下地透明誘電体層と、反射
層とを有する光記録媒体において、上地透明誘電体層又
は下地透明誘電体層に近接し、かつ融点が記録層に比べ
て低い溶融層（Ｉｎ，Ｔｅ等）を有するものが提案され
ている（特開平５−７３９６１号公報：従来例１とす
る）。
Ｍにおいて、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 等の記録層と、記録層
を挟む上地透明誘電体層及び下地透明誘電体層と、反射
層とを有する光記録媒体において、上地透明誘電体層又
は下地透明誘電体層に近接し、かつ融点が記録層に比べ
て低い溶融層（Ｉｎ，Ｔｅ等）を有するものが提案され
ている（特開平５−７３９６１号公報：従来例１とす
る）。
【０００７】また、他の従来例として、記録層とは別に
光照射によって光学定数が変化する反射率調整層（Ａｕ
−Ｓｎ合金等）を有し、弱い光照射時の方が強い光照射
時より反射率が相対的に高いものも公知である（特開平
８−６３７８５号公報：従来例２とする）。
光照射によって光学定数が変化する反射率調整層（Ａｕ
−Ｓｎ合金等）を有し、弱い光照射時の方が強い光照射
時より反射率が相対的に高いものも公知である（特開平
８−６３７８５号公報：従来例２とする）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
１は、溶融層を溶融マスク層として機能させ、読出し時
に起こる隣接した記録マークからの信号の重なりを抑
え、記録密度を向上させるものであり、所謂超解像技術
に関する。また、従来例２は、光スポット内の高温部の
屈折率を照射前に対して変化させ、前記高温部の反射率
を低下させるものである。即ち、高反射率領域（結晶領
域）の光吸収率の方が低反射率領域（非晶質領域）の光
吸収率より大きくなるようにすることで、半導体レーザ
の出力を小さくでき、またオーバーライトによる書き換
え時に、非晶質の記録マーク部分の温度がその他の部分
より高くなることによる新たな記録マーク部分の形状歪
みを防止するという効果を狙ったものである。
１は、溶融層を溶融マスク層として機能させ、読出し時
に起こる隣接した記録マークからの信号の重なりを抑
え、記録密度を向上させるものであり、所謂超解像技術
に関する。また、従来例２は、光スポット内の高温部の
屈折率を照射前に対して変化させ、前記高温部の反射率
を低下させるものである。即ち、高反射率領域（結晶領
域）の光吸収率の方が低反射率領域（非晶質領域）の光
吸収率より大きくなるようにすることで、半導体レーザ
の出力を小さくでき、またオーバーライトによる書き換
え時に、非晶質の記録マーク部分の温度がその他の部分
より高くなることによる新たな記録マーク部分の形状歪
みを防止するという効果を狙ったものである。
【０００９】つまり、上記従来例においては、非晶質と
結晶質の２状態間での反射率差を十分取ることができな
いという問題点があった。
結晶質の２状態間での反射率差を十分取ることができな
いという問題点があった。
【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は記録ピットにおける非晶質
と結晶質の２状態間での反射率差を大きくし、ビットエ
ラーレート（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅで、以下、
ＢＥＲという）等の再生特性を改善することにある。
れたものであり、その目的は記録ピットにおける非晶質
と結晶質の２状態間での反射率差を大きくし、ビットエ
ラーレート（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅで、以下、
ＢＥＲという）等の再生特性を改善することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明基板上に、照射する光線の出力に応じて非晶質−結
晶質に相変化する記録ピットを形成した記録層を有する
光記録媒体であって、前記非晶質状態における光吸収率
をＡａ、前記結晶質状態における光吸収率をＡc 、反射
率をＲc とした場合、Ａａ−Ａc ≧１０％かつＲc ≦５
０％とする反射光強調層を前記透明基板と前記記録層と
の間に設層したことを特徴とし、これにより、非晶質と
結晶質の２状態間での反射率差が大きくなり、ＢＥＲ等
の再生特性が改善する。
透明基板上に、照射する光線の出力に応じて非晶質−結
晶質に相変化する記録ピットを形成した記録層を有する
光記録媒体であって、前記非晶質状態における光吸収率
をＡａ、前記結晶質状態における光吸収率をＡc 、反射
率をＲc とした場合、Ａａ−Ａc ≧１０％かつＲc ≦５
０％とする反射光強調層を前記透明基板と前記記録層と
の間に設層したことを特徴とし、これにより、非晶質と
結晶質の２状態間での反射率差が大きくなり、ＢＥＲ等
の再生特性が改善する。
【００１２】本発明において、好ましくは、前記反射光
強調層がＢｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｃ
ｒＯ，ＴａＯ，ＷＯ，ＢｉＧａ，ＢｉＳｎ，ＧａＩｎ，
ＧａＳｎ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2 Ｂｉ，ＳｅＴｅ，ＴｅＢ
ｉ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅのうちの少なくとも１種を含
む。
強調層がＢｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｃ
ｒＯ，ＴａＯ，ＷＯ，ＢｉＧａ，ＢｉＳｎ，ＧａＩｎ，
ＧａＳｎ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2 Ｂｉ，ＳｅＴｅ，ＴｅＢ
ｉ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅのうちの少なくとも１種を含
む。
【００１３】また、前記記録層と前記反射光強調層との
間に、厚さ２０ｎｍ以下の透明誘電体層を積層するのが
好ましい。
間に、厚さ２０ｎｍ以下の透明誘電体層を積層するのが
好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍ１の基本的な層構
成を図２に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミック等から成るディスク状の透明基板、１２はＺｎＳ
−ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、１３は反射光
強調層、１４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘
電体層、１５は相変化型の記録層、１６はＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 等から成る第３透明誘電体層、１７はＡｌ等から成
る反射層である。
成を図２に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミック等から成るディスク状の透明基板、１２はＺｎＳ
−ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、１３は反射光
強調層、１４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘
電体層、１５は相変化型の記録層、１６はＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 等から成る第３透明誘電体層、１７はＡｌ等から成
る反射層である。
【００１５】本発明において、記録層１５はＧｅＴｅ、
ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等の材
料がよく、なかでもＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が
大きく、結晶化する際に短時間の結晶化が可能であり、
非晶質状態の安定性も高いという点で好ましい。
ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等の材
料がよく、なかでもＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が
大きく、結晶化する際に短時間の結晶化が可能であり、
非晶質状態の安定性も高いという点で好ましい。
【００１６】また、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc とした場合、５
ａｔ％≦ａ≦７０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では結晶
化速度が遅く、７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定
になる。０ａｔ％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％
＜ｂでは非晶質状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦
７０ａｔ％がよく、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高
くなりすぎ、７０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高く
なりすぎる。
ａｔ％≦ａ≦７０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では結晶
化速度が遅く、７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定
になる。０ａｔ％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％
＜ｂでは非晶質状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦
７０ａｔ％がよく、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高
くなりすぎ、７０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高く
なりすぎる。
【００１７】また、記録層１５の厚さは、５〜３０ｎｍ
がよく、５ｎｍ未満では結晶質状態と非晶質状態間の反
射率差が小さくなり、３０ｎｍを超えると繰り返し記録
再生によるＢＥＲ等の特性劣化が大きくなる。より好ま
しくは、１０〜２０ｎｍである。
がよく、５ｎｍ未満では結晶質状態と非晶質状態間の反
射率差が小さくなり、３０ｎｍを超えると繰り返し記録
再生によるＢＥＲ等の特性劣化が大きくなる。より好ま
しくは、１０〜２０ｎｍである。
【００１８】また、本発明の反射光強調層１３は温度に
より光吸収率が変化する材料からなり、即ち低温（室温
付近）で光吸収率が小さく、高温で光吸収率が大きいも
のである。具体的には、Ｂｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｗ，ＣｒＯ，ＴａＯ，ＷＯ，ＢｉＧａ，Ｂｉ
Ｓｎ，ＧａＩｎ，ＧａＳｎ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2 Ｂｉ，Ｓ
ｅＴｅ，ＴｅＢｉ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅのうちの少なく
とも１種を含むものが好ましく、特にＩｎＢｉ，Ｉｎ2
Ｂｉがより好ましく、これらは低融点でありかつ反射率
の温度依存性が大きい。ＩｎＢｉの場合、Ｉｎd Ｂｉ
100-d とすれば、４０ａｔ％≦ｄ≦９０ａｔ％が好適で
あり、ｄ＜４０ａｔ％では反射率変化が起こる温度が高
すぎ、ｄ＞９０ａｔ％では反射光強調効果を大きくとれ
ない。
より光吸収率が変化する材料からなり、即ち低温（室温
付近）で光吸収率が小さく、高温で光吸収率が大きいも
のである。具体的には、Ｂｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｗ，ＣｒＯ，ＴａＯ，ＷＯ，ＢｉＧａ，Ｂｉ
Ｓｎ，ＧａＩｎ，ＧａＳｎ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2 Ｂｉ，Ｓ
ｅＴｅ，ＴｅＢｉ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅのうちの少なく
とも１種を含むものが好ましく、特にＩｎＢｉ，Ｉｎ2
Ｂｉがより好ましく、これらは低融点でありかつ反射率
の温度依存性が大きい。ＩｎＢｉの場合、Ｉｎd Ｂｉ
100-d とすれば、４０ａｔ％≦ｄ≦９０ａｔ％が好適で
あり、ｄ＜４０ａｔ％では反射率変化が起こる温度が高
すぎ、ｄ＞９０ａｔ％では反射光強調効果を大きくとれ
ない。
【００１９】前記反射光強調層１３の厚みについては、
２〜４０ｎｍが好適であり、２ｎｍ未満では反射光を強
調するという効果が小さすぎ、４０ｎｍを超えると反射
光強調層１３による反射光強度のむらが大きくなり再生
信号波形の歪むが発生し易い。
２〜４０ｎｍが好適であり、２ｎｍ未満では反射光を強
調するという効果が小さすぎ、４０ｎｍを超えると反射
光強調層１３による反射光強度のむらが大きくなり再生
信号波形の歪むが発生し易い。
【００２０】本発明の反射光強調層１３は、以下のよう
な機能を有する。光照射により記録層１５が昇温され、
最も高い温度で非晶質状態、２番目に高い温度で結晶質
状態となるが、反射光強調層１３も同様に加熱される。
そして、前記非晶質状態における記録層１５の反射率を
Ｒa 、光吸収率をＡａ、前記結晶質状態における記録層
１５の反射率をＲc 、光吸収率をＡc とすると、ほぼＡ
ａ＝１−Ｒa 、Ａc ＝１−Ｒc で表すことができる。
な機能を有する。光照射により記録層１５が昇温され、
最も高い温度で非晶質状態、２番目に高い温度で結晶質
状態となるが、反射光強調層１３も同様に加熱される。
そして、前記非晶質状態における記録層１５の反射率を
Ｒa 、光吸収率をＡａ、前記結晶質状態における記録層
１５の反射率をＲc 、光吸収率をＡc とすると、ほぼＡ
ａ＝１−Ｒa 、Ａc ＝１−Ｒc で表すことができる。
【００２１】ここで、反射率差Ｒc −Ｒa （一般的にＲ
c ＞Ｒa ）を大きくしてＢＥＲ等を改善しようとすれ
ば、Ｒc −Ｒa を極大化すればよい。即ち、Ａａ＞Ａc
とすればよいことになる。よって、本発明は反射光強調
層１３によってＡａ−Ａc ≧１０％とすることにより、
反射率差Ｒc −Ｒa を大きくでき、結晶質状態と非晶質
状態での反射率差を強調し、その結果光記録媒体のＢＥ
Ｒ等の再生特性を向上し得る。
c ＞Ｒa ）を大きくしてＢＥＲ等を改善しようとすれ
ば、Ｒc −Ｒa を極大化すればよい。即ち、Ａａ＞Ａc
とすればよいことになる。よって、本発明は反射光強調
層１３によってＡａ−Ａc ≧１０％とすることにより、
反射率差Ｒc −Ｒa を大きくでき、結晶質状態と非晶質
状態での反射率差を強調し、その結果光記録媒体のＢＥ
Ｒ等の再生特性を向上し得る。
【００２２】また、記録層１５の反射率Ｒc はＲc ≦５
０％であり、Ｒc ＞５０％になると光学的干渉の影響が
大きくなり、その結果Ａａ−Ａc が大きくとれなくな
る。
０％であり、Ｒc ＞５０％になると光学的干渉の影響が
大きくなり、その結果Ａａ−Ａc が大きくとれなくな
る。
【００２３】更に、第１〜第３透明誘電体層１２、１
４、１６は、記録層１５や反射光強調層１３の保護層及
び中間層として機能するものであり、その材質は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと
表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。
４、１６は、記録層１５や反射光強調層１３の保護層及
び中間層として機能するものであり、その材質は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと
表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。
【００２４】特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 がよく、この材料
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッタを劣化
させる。
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッタを劣化
させる。
【００２５】これら第１〜第３透明誘電体層１２、１
４、１６の厚みは、５ｎｍ〜２００ｎｍが良く、５ｎｍ
未満では均一に成膜することが困難であり、２００ｎｍ
を超えると繰り返し記録再生に対するＢＥＲ等の特性劣
化が大きい。
４、１６の厚みは、５ｎｍ〜２００ｎｍが良く、５ｎｍ
未満では均一に成膜することが困難であり、２００ｎｍ
を超えると繰り返し記録再生に対するＢＥＲ等の特性劣
化が大きい。
【００２６】そして、記録層１５と反射光強調層１３と
の間に積層された第２透明誘電体層１４については、膜
厚を２０ｎｍ以下とするのがよく、２０ｎｍを超えると
記録層１５と反射光強調層１３間の距離が離れ過ぎ、反
射光強調層１３の昇温が不十分となる。
の間に積層された第２透明誘電体層１４については、膜
厚を２０ｎｍ以下とするのがよく、２０ｎｍを超えると
記録層１５と反射光強調層１３間の距離が離れ過ぎ、反
射光強調層１３の昇温が不十分となる。
【００２７】また、反射層１７はＡｌ，ＡｌＣｕ合金，
ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，Ａｕ
Ｐｔ合金等が好ましく用いられる。
ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，Ａｕ
Ｐｔ合金等が好ましく用いられる。
【００２８】かくして、本発明の光記録媒体は、反射光
強調層により結晶質状態と非晶質状態での反射率差を強
調し、その結果光記録媒体のＢＥＲ等の再生特性が向上
するという作用効果を有する。
強調層により結晶質状態と非晶質状態での反射率差を強
調し、その結果光記録媒体のＢＥＲ等の再生特性が向上
するという作用効果を有する。
【００２９】本発明において、上記各層を透明基板１１
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式にも応
用可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光デ
ィスクであり、ＤＶＤ（デジタル・ビデオ・ディス
ク）、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディス
クに適用できる。
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式にも応
用可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光デ
ィスクであり、ＤＶＤ（デジタル・ビデオ・ディス
ク）、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディス
クに適用できる。
【００３０】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３１】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。図２の光
ディスクを以下のようにして構成した。ポリカーボネー
トから成る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１
の主面上に、膜厚約１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から
成る第１透明誘電体層１２、膜厚約１０ｎｍ、ＩｎＢ
ｉ，ＷＯ，ＢｉＴｅ，ＩｎＢｉＣｒ，ＧａＩｎ又はＴｌ
ＳｅＣｒＯから成る反射光強調層１３、膜厚約１０ｎ
ｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第２透明誘電体層１４、
膜厚約２０ｎｍ、ＧｅＴｅから成る記録層１５、膜厚約
２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第３透明誘電体層
１６、膜厚約１００ｎｍ、Ａｌから成る反射層１７を、
マグネトロンスパッタリング法により成膜した。
ディスクを以下のようにして構成した。ポリカーボネー
トから成る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１
の主面上に、膜厚約１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から
成る第１透明誘電体層１２、膜厚約１０ｎｍ、ＩｎＢ
ｉ，ＷＯ，ＢｉＴｅ，ＩｎＢｉＣｒ，ＧａＩｎ又はＴｌ
ＳｅＣｒＯから成る反射光強調層１３、膜厚約１０ｎ
ｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第２透明誘電体層１４、
膜厚約２０ｎｍ、ＧｅＴｅから成る記録層１５、膜厚約
２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る第３透明誘電体層
１６、膜厚約１００ｎｍ、Ａｌから成る反射層１７を、
マグネトロンスパッタリング法により成膜した。
【００３２】そして、Ｒc 、反射率差Ｒc −Ｒa 、Ａa
−Ａc 、ＢＥＲについて測定した結果を表１に示す。ま
た、比較例として、反射光強調層を持たない図１の媒体
Ｍ（比較例１）と、Ａa −Ａc ＝７．８％である反射光
強調層を有するもの（比較例２）とについて、同様に測
定した結果を表１に記載した。
−Ａc 、ＢＥＲについて測定した結果を表１に示す。ま
た、比較例として、反射光強調層を持たない図１の媒体
Ｍ（比較例１）と、Ａa −Ａc ＝７．８％である反射光
強調層を有するもの（比較例２）とについて、同様に測
定した結果を表１に記載した。
【００３３】尚、比較例２のものは層構成は図２と同様
であるが、第１透明誘電体層１２が膜厚約５０ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 、反射光強調層１３が膜厚約１０ｎｍの
Ｉｎ2 Ｂｉ、第２透明誘電体層１４が膜厚約１０ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、記録層１５が膜厚約４ｎｍのＧｅＴ
ｅ、第３透明誘電体層１６が膜厚約２０ｎｍのＺｎＳ−
ＳｉＯ2 、反射層１７が膜厚約１００ｎｍのＡｌから成
る。つまり、記録層１５等の厚さが異なる。
であるが、第１透明誘電体層１２が膜厚約５０ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 、反射光強調層１３が膜厚約１０ｎｍの
Ｉｎ2 Ｂｉ、第２透明誘電体層１４が膜厚約１０ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、記録層１５が膜厚約４ｎｍのＧｅＴ
ｅ、第３透明誘電体層１６が膜厚約２０ｎｍのＺｎＳ−
ＳｉＯ2 、反射層１７が膜厚約１００ｎｍのＡｌから成
る。つまり、記録層１５等の厚さが異なる。
【００３４】
【表１】
【００３５】上記の測定は以下のようにして行った。ま
ず、光ディスクのトラックの線速度を６ｍ／ｓとし、光
波長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍ
Ｗ（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビー
ムを照射したときのＲc 、反射率差Ｒa −Ｒc 、光吸収
率差Ａa −Ａc 及びＢＥＲを、各々の光ディスクについ
て測定した。
ず、光ディスクのトラックの線速度を６ｍ／ｓとし、光
波長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍ
Ｗ（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビー
ムを照射したときのＲc 、反射率差Ｒa −Ｒc 、光吸収
率差Ａa −Ａc 及びＢＥＲを、各々の光ディスクについ
て測定した。
【００３６】表１に示すように、本発明品はＡa −Ａc
が大きくなりＢＥＲが１桁から２桁改善された。また、
上記反射光強調層１３をＢｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｗ，ＣｒＯ，ＴａＯ，ＢｉＧａ，ＢｉＳｎ，
ＧａＳｎ，Ｉｎ2 Ｂｉ，ＳｅＴｅ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅ
で各々形成した場合にも、本実施例と同様の効果が得ら
れた。
が大きくなりＢＥＲが１桁から２桁改善された。また、
上記反射光強調層１３をＢｉ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｗ，ＣｒＯ，ＴａＯ，ＢｉＧａ，ＢｉＳｎ，
ＧａＳｎ，Ｉｎ2 Ｂｉ，ＳｅＴｅ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅ
で各々形成した場合にも、本実施例と同様の効果が得ら
れた。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、非晶質状態における光吸収率
をＡａ、結晶質状態における光吸収率をＡc 、反射率を
Ｒc とした場合、Ａａ−Ａc ≧１０％かつＲc ≦５０％
とする反射光強調層を透明基板と記録層との間に設層し
たことにより、記録層の結晶質状態と非晶質状態での反
射率差を強調し、その結果光記録媒体のＢＥＲ等の再生
特性が向上するという作用効果を有する。
をＡａ、結晶質状態における光吸収率をＡc 、反射率を
Ｒc とした場合、Ａａ−Ａc ≧１０％かつＲc ≦５０％
とする反射光強調層を透明基板と記録層との間に設層し
たことにより、記録層の結晶質状態と非晶質状態での反
射率差を強調し、その結果光記録媒体のＢＥＲ等の再生
特性が向上するという作用効果を有する。
【図１】従来の光記録媒体Ｍの部分断面図である。
【図２】本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面図である。
【符号の説明】 １：透明基板 ２：第１透明誘電体層 ３：記録層 ４：第２透明誘電体層 ５：反射層 １１：透明基板 １２：第１透明誘電体層 １３：反射光強調層 １４：第２透明誘電体層 １５：記録層 １６：第２透明誘電体層 １７：反射層
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上に、照射する光線の出力に応じ
て非晶質又は結晶質に相変化する記録層を有する光記録
媒体であって、前記非晶質状態における記録層の光吸収
率をＡａ、前記結晶質状態における記録層の光吸収率を
Ａc 、反射率をＲc とした場合、Ａａ−Ａc ≧１０％か
つＲc ≦５０％とする反射光強調層を前記透明基板と前
記記録層との間に設層したことを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】前記反射光強調層が、Ｂｉ，Ｃｒ，Ｇａ，
Ｓｅ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，ＣｒＯ，ＴａＯ，ＷＯ，ＢｉＧ
ａ，ＢｉＳｎ，ＧａＩｎ，ＧａＳｎ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2
Ｂｉ，ＳｅＴｅ，ＴｅＢｉ，ＴｌＳｅ，ＴｌＴｅのうち
の少なくとも１種を含む請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】前記記録層と前記反射光強調層との間に、
厚さ２０ｎｍ以下の透明誘電体層を積層した請求項１又
は２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309216A JP2000137929A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309216A JP2000137929A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000137929A true JP2000137929A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17990338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10309216A Pending JP2000137929A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000137929A (ja) |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10309216A patent/JP2000137929A/ja active Pending
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