JP2000124473A - 電圧可変容量を具備した集積回路素子及びこれを用い た電圧制御発振器 - Google Patents

電圧可変容量を具備した集積回路素子及びこれを用い た電圧制御発振器

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JP2000124473A
JP2000124473A JP10309516A JP30951698A JP2000124473A JP 2000124473 A JP2000124473 A JP 2000124473A JP 10309516 A JP10309516 A JP 10309516A JP 30951698 A JP30951698 A JP 30951698A JP 2000124473 A JP2000124473 A JP 2000124473A
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transistor
collector
emitter
npn transistor
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JP10309516A
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Kuichi Kubo
九一 久保
Fumio Asamura
文雄 浅村
Katsuosa Yoshida
克修 吉田
Nagahisa Shibuya
修寿 渋谷
Hisato Takeuchi
久人 竹内
Yoshifumi Miki
祥文 三木
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Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】電圧に対する容量変化の感度に優れ、周波数変
化の直線性を良好に維持した電圧可変容量をIC基板内
に有する集積回路素子及びこれを用いた電圧制御発振器
の提供。 【解決手段】発振回路素子を集積化してなる集積基板6
にPNPトランジスタ7とNPNトランジスタ8とを形
成し、両方のトランジスタのエミッタとコレクタをそれ
ぞれ共通接続して、PNPトランジスタ7のエミッタと
コレクタ及びNPNトランジスタ8のベースとを共通接
続する一方、PNPトランジスタのベースとNPNトラ
ンジスタの共通接続したエミッタとコレクタを共通接続
してPNPトランジスタとNPNトランジスタとを並列
接続し、PNPトランジスタのエミッタとコレクタ及び
NPNトランジスタのベースを−電位として、PNPト
ランジスタのベース及びNPNトランジスタのエミッタ
とコレクタを+電位とした電圧を印加する集積回路素
子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧可変容量を具
備した集積回路素子及びこれを用いた電圧制御発振器を
技術分野とし、特に集積回路素子内に形成する電圧可変
容量に関する。
【0002】
【従来の技術】(発明の背景)電圧制御発振器は、電圧
可変容量素子への印加電圧を変化することにより発振周
波数を制御するものとして広く知られ、例えばPLL
(PHASE LOCKED LOOP)回路に使用される。また、水晶
発振器等においては、温度に応答して変化する発振周波
数を補償する温度補償発振器にも適用される。近年で
の、温度補償発振器は例えば携帯電話を代表とする移動
無線等に重用され、さらなる小型化及び高性能化が求め
られている。
【0003】(従来技術の一例)第9図はこの種の一従
来例を説明する温度補償発振器の図である。温度補償発
振器は、電圧制御発振器1と温度補償部2からなる。電
圧制御発振器1は、例えばコルピッツ型の水晶発振器3
と電圧可変容量素子4からなる。水晶発振器3はATカ
ット等とした水晶振動子5と共振回路を形成する分割コ
ンデンサC1、C2、及び帰還増幅器としてのトランジ
スタTr等からなる。電圧可変容量素子4はPN接合の
可変容量ダイオードからなる。なお、図中のR1〜R4
は抵抗、Vcは電源、Voは出力である。
【0004】温度補償部2は、水晶発振器3の周波数温
度特性(第10図の曲線イ)に応答した補償データを備
え、三次関数的な補償電圧(同図の曲線ロ)を発生する
電圧発生回路からなる。そして、温度に応答した補償電
圧を可変容量ダイオードに印加する。但し、可変容量ダ
イオードのアノードを−電位、カソードを+電位とし、
所謂逆方向電圧(逆電圧とする)として印加される。
【0005】可変容量ダイオードは補償電圧を印加され
ると、PN接合面の状態が変化して接合容量が変化し、
これによって端子間の容量が変化する。したがって、水
晶振動子1から見た回路側の容量(負荷容量)が変化す
るので、補償電圧によって発振周波数を制御できる。こ
のことから、この種の温度補償発振器は電圧制御により
平坦な温度特性を得る。
【0006】そして、このようなものでは、設計を容易
にするために補償電圧に対する周波数変化が直線的に変
化する、電圧可変容量素子が求められる。すなわち、電
圧容量特性と電圧周波数特性との直線性は、周波数fが
容量Cの1/2乗に反比例するため(f=1/2πルートLC)、必
ずしも一致しない。したがって、通常では指数関数的に
変化する電圧容量特性の傾斜を選択して、電圧周波数特
性を直線的にする。
【0007】なお、可変容量ダイオードは、P型半導体
とN型半導体との接合面における不純物濃度を高くして
初期の接合容量(初期容量とする)を大きくした所謂超
階段構造とする。要するに、接合面での対向する±の電
荷量(q)を多くして初期容量(C)を大きくする。そ
して、P型(アノード)に−電圧を、N型(カソード)
に+電圧とした逆電圧(v)を印加することにより、接
合面の±電荷を吸引して対向する電荷量を減少させる
(C=q/v)。換言すると、空乏層の間隙が初期状態
から大きくなる。このことから、逆電圧が高くなると初
期容量から除々に容量が小さくなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】(従来技術の問題点)
しかしながら、このようなものでは、帰還増幅器Tr、
コンデンサC(1、2)、抵抗R(1ー4)及び温度補償部2等
の回路素子はシリコン等を母体とした集積基板(IC基
板)内に形成できても、可変容量ダイオードは超階段構
造とするため、これとは別個に独立した素子としなけれ
ばならなかった。したがって、可変容量ダイオードは温
度補償発振器の小型化を阻害する要因の一つとなってい
た。
【0009】なお、超段階構造としたPN接合のダイオ
ードを集積基板に形成することは不可能ではないが、こ
の場合、ダイオード部分のみのP型及びN型とするため
の不純物濃度を高めることは、製造工程の追加及び変更
等を要し、その実現は困難であった。また、単にダイオ
ードを形成した場合には、十分な容量及び電圧に対する
容量変化が小さいために感度が悪く、実用化はできない
問題があった。
【0010】(発明の目的)本発明は、電圧に対する容
量変化の感度に優れ(傾斜が大きい)、しかも周波数変
化の直線性を良好に維持した電圧可変容量をIC基板内
に有する集積回路素子、及びこれを用いて小型化を促進
した電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】(実験及び着目点)本発
明は、試行錯誤に基づいて既存のトランジスタについて
実験し、その結果に着目した。すなわち、実験では、第
1図(ab)に示したように、IC基板6に形成された
PNPトランジスタ7のP型半導体(エミッタとコレク
タ)を共通接続して−電位を、そしてN型半導体(ベー
ス)に+電位となる逆電圧を印加する。また、第2図
(ab)に示したように、NPNトランジスタ8のN型
半導体を共通接続して逆電圧を印加し、それぞれ印加電
圧に対する容量特性を測定する。なお、図中の黒点は電
子、白丸は正孔を示す。
【0012】第3図(曲線イロ)は、これらの実験結果
による電圧容量(V−C)特性図である。これらから理
解されるように、PNPトランジスタ7の場合(曲線
イ)は、印加電圧Vを上昇すると電圧V1(約0.92V)
にて容量が急激に変化する特異点としての不連続点(矢
印P)を有する。そして、不連続点以降では、非直線性
(指数関数的)となるものの傾斜が大きくなる、即ち電
圧に対する容量変化が大きい感度が高い領域(以下高感
度領域とする)が存在する。また、NPNトランジスタ
8の場合(曲線ロ)は、印加電圧に対する感度は悪いも
のの直線性に優れることが判明した。
【0013】本発明は、従来の可変容量ダイオードのよ
うに超階段構造とすることなく、PNPトランジスタの
高感度領域とNPNトランジスタの直線性を組み合わせ
れば、PNPトランジスタの高感度領域を維持して非直
線性(指数関数的曲線の傾斜)を補正して、電圧に対す
る周波数変化を直線的にできる電圧可変容量を得られる
のではないかと推測し、この点に着目した。
【0014】なお、PNPトランジスタ及びNPNトラ
ンジスタのいずれにおいてもP型半導体とN型半導体と
にはそれぞれ逆電圧が印加されるので、前述したように
初期容量の電荷が吸引され(空乏層が広がり)、電圧の
上昇とともに容量は小さくなる。
【0015】(解決手段)本発明は、PNPトランジス
タ及びNPNトランジスタのエミッタとコレクタをそれ
ぞれ共通接続し、両者を並列接続してエミッタ、コレク
タ及びベースに逆電圧を印加したことを基本的な解決手
段とする。
【0016】
【作用】本発明では、PNPトランジスタとNPNトラ
ンジスタとの電圧容量特性が合成されて中和し、着目し
たとおりに高感度を維持して非直線性の傾斜を補正し
て、電圧に対する周波数変化を直線的にする。
【0017】
【実施形態】第4図及び第5図は本発明の一実施形態を
説明する図で、第4図は集積回路素子の結線を示した模
式的な断面図、第5図はトランジスタ記号による結線図
である。集積回路素子は、前述したように、水晶振動子
5を除く発振回路3及び温度補償部2を構成する回路素
子(前第9図参照)をIC基板6例えばシリコン基板に
集積化してなる(未図示)。この実施例では、さらにP
NPトランジスタ7とNPNトランジスタ8とをIC基
板6の表面層に形成する。そして、PNPトランジスタ
7のP型半導体としたエミッタとコレクタを共通接続
し、NPNトランジスタ8のN型半導体としたエミッタ
とコレクタを共通接続する。
【0018】さらに、PNPトランジスタ7のP型半導
体(エミッタ及びコレクタ)とNPNトランジスタ8の
P型半導体(ベース)とを共通接続する。また、NPN
トランジスタ8のN型半導体(エミッタ及びコレクタ)
とPNPトランジスタ7のN型半導体(ベース)とを共
通接続し、両者を並列接続する。
【0019】そして、いずれもP型半導体として共通接
続されたPNPトランジスタ7のエミッタ、コレクタ及
びNPNトランジスタ8のベースに−電位を、またいず
れもN型半導体として共通接続されたPNPトランジス
タ7のベース及びNPNトランジスタ8のエミッタ、コ
レクタを+電位とした逆電圧を印加する。
【0020】このようなものでは、第6図に示したよう
に、電圧容量特性は両者が合成されてPNPトランジス
タ7による不連続点以降の高感度領域は、その非直線性
(指数関数的曲線の傾斜)がNPNトランジスタの直線
性によって是正される。そして、例えばPNPトランジ
スタ7のP型半導体とN型半導体との接合領域(特にエ
ミッタ・ベース間)がNPNトランジスタ8の面積より
も大きければ、電圧容量特性はPNPトランジスタ7の
特性が支配的となる。
【0021】これとは逆に、NPNトランジスタ8のP
N接合領域(面積)が大きければ、電圧容量特性はNP
Nトランジスタ8の特性が支配的となる。要するに、両
者は並列接続なので、電圧容量特性は、端子間の容量が
大きい方のトランジスタに依存する。したがって、PN
Pトランジスタ7またはNPNトランジスタ8のPN接
合領域に基づく端子閣容量を相対的に可変することによ
り、合成される電圧容量特性を任意に制御でき、電圧に
対する周波数変化を直線的に補正できる。
【0022】このようなことから、補正された電圧容量
特性の高感度領域の例えば中央を基準電圧Vsとして直
流の制御電圧を印加すれば、高感度としてしかも電圧周
波数特性を直線的にできる。
【0023】なお、この実施例では、PNPトランジス
タ及びNPNトランジスタのいずれもエミッタとコレク
タを共通接続したので、エミッタとベース及びコレクタ
とベースの接合容量が合成され、初期容量を大きくでき
る。但し、既存のトランジスタの場合には、通常ではベ
ース・コレクタ間よりもベース・エミッタ間の接合容量
が大きいことから、初期容量はベース・エミッタ間の接
合容量が支配的になる。
【0024】このことから、本実施例で示す集積回路素
子を使用して電圧制御による温度補償発振器を構成すれ
ば、集積回路素子とは別個に可変容量ダイオードを要し
ないので小型化を達成できる。そして、集積回路素子内
に形成されたPNPトランジスタ7とNPNトランジス
タ8の並列接続による電圧可変容量素子は、高感度とと
してしかも補償電圧に対する周波数変化特性も直線的と
なって設計等を容易にする。
【0025】
【他の事項】上記実施例では、PNPトランジスタ7の
P型半導体(エミッタとコレクタ)を共通接続してP型
及びN型半導体7、8にそれぞれ逆電圧を印加したと
き、不連続点及び高感度領域が生ずるとしたが、実験で
は次の接続でも前述と同様の結果であった。すなわち、
第7図(a)に示したようにPNPトランジスタ7のコ
レクタとベースを共通接続する。そして、エミッタには
−電位を、コレクタ及びベースには+電位とした電圧を
印加する。すなわち、エミッタ(P型半導体)及びベー
ス(N型半導体)にはそれぞれ逆電圧を印加する。この
場合でも、前述同様に逆電圧によって電荷が吸引されて
(空乏層が広がって)容量が小さくなり、しかも不連続
点が生じた。
【0026】また、第7図(b)に示したようにNPN
トランジスタ8でもコレクタとベースを共通接続して、
エミッタ(N型半導体)及びベース(P型半導体)に逆
電圧を印加しても、前述同様に感度は小さく直線性に優
れた電圧容量特性が得られた。
【0027】このようなことから、本発明では、PNP
トランジスタ7及びNPNトランジスタ8のコレクタと
ベースをそれぞれ共通接続して、エミッタとベースに逆
電圧が印加されるように両者を並列接続してもよい(第
8図)。この場合でも前述と同様に、両者の電圧容量特
性が合成されて直線性に優れて高感度を得ることができ
る。
【0028】また、上記実施例では、PNPトランジス
タ7とNPNトランジスタ8とを単に並列接続して両者
の電圧容量特性を合成するとしたが、例えばPNPトラ
ンジスタ7の面積すなわちP型半導体とN型半導体との
接合領域(特にエミッタ・ベース間)がNPNトランジ
スタ8の面積よりも大きければ、電圧容量特性はPNP
トランジスタ7の特性が支配的となる。
【0029】また、電圧可変容量素子へ印加する直流の
基準電圧VSは高感度領域の中央としたが、電圧可変容
量素子には直流とした電圧のみならず、実際には高周波
信号も印加されて重畳電圧となる。したがって、高感度
領域内に重畳電圧があれば、容量変化は大きくなるの
で、基準電圧VSは必ずしも高感度領域の中央でなくて
もよい。
【0030】また、本発明では既存のベースの厚みが小
さくベース・エミッタ間の接合容量がベース・コレクタ
間のそれよりも大きいPNPトランジスタ及びNPNト
ランジスタを用いた場合について説明した。しかしなが
ら、説明の趣旨から理解されるように、PNあるいはN
P接合領域の接合容量を任意に制御した単なるPNP接
合半導体あるいはNPN接合半導体でも、同様な電圧可
変容量素子を形成できる。
【0031】要するに、本発明では、PNPトランジス
タ7の高感度領域及びNPNトランジスタ8の直線性に
着目して両者を並列接続して他の回路素子とともにIC
基板6内に良好な特性の電圧可変容量を形成したことを
趣旨とするもので、このような趣旨に基づくものは本発
明の技術的範囲に属する。
【0032】
【発明の効果】本発明は、PNPトランジスタ及びNP
Nトランジスタのエミッタとコレクタをそれぞれ共通接
続して両者を並列接続し、各エミッタ、コレクタ及びベ
ースには逆電圧を印加する。また、PNPトランジスタ
及びNPNトランジスタのコレクタとベースをそれぞれ
共通接続して両者を並列接続し、各エミッタには逆電圧
を各ベース及びコレクタには順電圧を印加する。したが
って、直線性及び感度を良好とした電圧可変容量をIC
基板内に有する集積回路素子、及びこれを用いて小型化
を促進した電圧制御発振器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の元となったPNPトランジスタの図
で、同図(a)は結線を含む模式的な断面図、同図
(b)は記号を用いた結線図である。
【図2】本発明の元となったNPNトランジスタの図
で、同図(a)は結線を含む模式的な断面図、同図
(b)は記号を用いた結線図である。
【図3】本発明の元となったPNP及びNPNトランジ
スタの電圧容量特性図である。
【図4】本発明の一実施例を説明するIC基板に形成し
た結線を含む電圧可変容量の模式的な断面図である。
【図5】本発明の一実施例を説明する電圧可変容量とし
てのトランジスタ記号による結線図である。
【図6】本発明の一実施例による作用効果を説明する電
圧容量特性図である。
【図7】本発明の他の実施例を説明するトランジスタ記
号による結線図で、同図(a)PNPトランジスタ、同
図(b)はNPNトランジスタの結線図である。
【図8】本発明の他の実施例を説明する電圧可変容量と
してのトランジスタ記号による結線図である。
【図9】従来例を説明する温度補償発振器の回路図であ
る。
【図10】従来例を説明する水晶発振器の温度に対する
周波数特性図及び補償電圧特性図である。
【符号の説明】
1 電圧制御発振器、2 温度補償部、3 水晶発振
器、4 可変容量ダイオード、5 水晶振動子、6 I
C基板、7 PNPトランジスタ、8 NPNトランジ
スタ. 不連続点の電圧値 トランジスタの型名 小信号のレベル IC以外に素子があっても良い点を記入する
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 克修 埼玉県狭山市大字上広瀬1275番地の2 日 本電波工業株式会社狭山事業所内 (72)発明者 渋谷 修寿 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 竹内 久人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 三木 祥文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5F038 AC03 AC09 AC12 BH16 DF01 EZ20 5J079 AA04 BA17 DA15 FA02 FA17 GA02

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発振回路素子を集積化してなる集積基板に
    PNPトランジスタとNPNトランジスタとを形成し、
    前記PNPトランジスタとNPNトランジスタのエミッ
    タとコレクタをそれぞれ共通接続して、前記PNPトラ
    ンジスタの共通接続したエミッタとコレクタ及び前記N
    PNトランジスタのベースとを共通接続するとともに、
    前記PNPトランジスタのベースと前記NPNトランジ
    スタの共通接続したエミッタとコレクタを共通接続して
    前記PNPトランジスタとNPNトランジスタとを並列
    接続し、前記PNPトランジスタのエミッタとコレクタ
    及び前記NPNトランジスタのベースを−電位として、
    前記PNPトランジスタのベース及び前記NPNトラン
    ジスタのエミッタとコレクタを+電位とした電圧を印加
    してなる電圧可変容量を具備した集積回路素子。
  2. 【請求項2】発振回路素子を集積化してなる集積基板に
    PNPトランジスタとNPNトランジスタとを形成し、
    前記PNPトランジスタとNPNトランジスタのコレク
    タとベースをそれぞれ共通接続して、前記PNPトラン
    ジスタの共通接続したコレクタとベース及び前記NPN
    トランジスタのエミッタとを共通接続するとともに、前
    記PNPトランジスタのエミッタと前記NPNトランジ
    スタの共通接続したコレクタとベースを共通接続して前
    記PNPトランジスタとNPNトランジスタとを並列接
    続し、前記PNPトランジスタのコレクタとベース及び
    前記NPNトランジスタのエミッタを+電位として、前
    記PNPトランジスタのエミッタ及び前記NPNトラン
    ジスタのコレクタとベースを−電位とした電圧を印加し
    てなる電圧可変容量を具備した集積回路素子。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2のの集積回路素子
    を適用してなる電圧制御発振器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100747657B1 (ko) 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로
US7323763B2 (en) 2004-07-08 2008-01-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having an improved voltage controlled oscillator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323763B2 (en) 2004-07-08 2008-01-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having an improved voltage controlled oscillator
KR100747657B1 (ko) 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로

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