JP2000124382A

JP2000124382A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000124382A
Application number: JP29938998A
Authority: JP
Inventors: Masanori Nano; 匡紀南尾; Osamu Adachi; 修安達; Toru Nomura; 徹野村
Original assignee: Matsushita Electronics Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-10-21
Filing date: 1998-10-21
Publication date: 2000-04-28
Anticipated expiration: 2018-10-21
Also published as: JP2986788B1

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のリードフレームによる樹脂封止型半導
体装置では、半導体素子の多ピン化に対応できず、また
小型、薄型にも限界があった。【解決手段】金属板よりなるフレーム本体と、その領
域内に配設されて、薄厚部によりフレーム本体と接続
し、フレーム本体よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体とよりなるターミナルランドフレームから形成
され、第１のランド構成体２１ａ，２１ｂ上に搭載され
た半導体素子２３と、半導体素子２３と金属細線２４に
より接続された第２のランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２
１ｅ，２１ｆと、各ランド構成体２１の底面を突出させ
て半導体素子２３の外囲を封止した封止樹脂２５とより
なり、リード体を用いず、ランド体を用いたフレームに
より、底面に高密度配置のランド電極を有し、小型、薄
型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームに関するもので、それを用いて半導体素子を搭載
し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置および
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。

【０００４】図１５は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１５に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。

【０００５】なお、リードフレームは、図１５に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１６は、図１５に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。

【０００７】図１６に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図１７に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図１６
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図１７において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。

【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。

【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金属板よ
りなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配
設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、か
つ前記フレーム本体よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体とよりなるターミナルランドフレームを用い
て形成された樹脂封止型半導体装置であって、第１のラ
ンド構成体群上に搭載された半導体素子と、前記半導体
素子の周辺に配置され、前記半導体素子と金属細線によ
り電気的に接続された第２のランド構成体群と、前記各
ランド構成体群の底面を突出させて前記半導体素子の外
囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体
群の封止樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み
量から前記ランド構成体群が前記フレーム本体から突出
した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置であ
る。

【００１４】また、封止樹脂に封止された側のランド構
成体の上面の面積が、前記封止樹脂から露出した側のラ
ンド構成体の底面の面積よりも大きく、封止された側の
ランド構成体の上面のエッジ部は曲面を有しているもの
である。

【００１５】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内であって、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、
かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された半導体
素子が搭載されるダイパッド部と、前記フレーム本体の
領域内であって前記ダイパッド部の周囲に配設されて、
薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレ
ーム本体よりも突出して形成された複数のランド構成体
とよりなるターミナルランドフレームを用いて形成され
た樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイパッド部上
に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の周辺に配
置され、前記半導体素子と金属細線により電気的に接続
されたランド構成体群と、前記ランド構成体群の底面と
ダイパッド部の底面とを突出させて前記半導体素子の外
囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体
群および前記ダイパッド部の封止樹脂からの突出量は、
前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体群およ
び前記ダイパッド部が前記フレーム本体から突出した量
を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置である。

【００１６】そして封止樹脂に封止された側のランド構
成体の上面の面積が、前記封止樹脂から露出した側のラ
ンド構成体の底面の面積よりも大きく、封止された側の
ランド構成体の上面のエッジ部は曲面を有しており、前
記封止樹脂に封止された側のダイパッド部の上面の面積
が、前記封止樹脂から露出した側のダイパッド部の底面
の面積よりも大きく、封止された側のダイパッド部の上
面のエッジ部は曲面を有しているものである。

【００１７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成
体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力に
より、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群が前
記フレーム本体より分離される構成であるターミナルラ
ンドフレームを用意する工程と、前記ターミナルランド
フレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成体の
突出した側に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半
導体素子とランド構成体とを金属細線により電気的に接
続する工程と、前記半導体素子の外囲であって、前記タ
ーミナルランドフレームの上面側のみを封止樹脂により
封止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記
ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定し
た状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成
体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群と
フレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記
フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。

【００１８】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム
本体の領域内であって、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記フレ
ーム本体の領域内であって前記ダイパッド部の周囲に配
設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、か
つ前記フレーム本体よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体とよりなり、前記ダイパッド部および前記ラ
ンド構成体は、前記フレーム本体から突出した方向への
押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成
体が前記フレーム本体より分離される構成であるターミ
ナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナル
ランドフレームの前記ダイパッド部の突出した側に半導
体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子とランド
構成体とを金属細線により電気的に接続する工程と、前
記半導体素子の外囲であって、前記ターミナルランドフ
レームの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止
型半導体装置を形成する工程と、前記ターミナルランド
フレームの前記フレーム本体を固定した状態で前記フレ
ーム本体の底面側から前記ランド構成体の底面側と前記
ダイパッド部の底面側とに対して押圧力を印加し、ラン
ド構成体群およびダイパッド部とフレーム本体とを接続
している薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂
封止型半導体装置を分離する樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。

【００１９】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。

【００２０】またランド構成体、またはランド構成体お
よびダイパッド部において、その突出した上面はコイニ
ングされてキノコ状を構成しているので、本発明のター
ミナルランドフレームに対して、半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際には、封止樹脂の食いつきを良好にし、
封止樹脂の密着性を向上させることができる。

【００２１】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。

【００２２】したがって本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ランド構成体がその底面に配列され、またランド構
成体が封止樹脂の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置のランド構成体の突出量は、フ
レーム本体の厚み量からランド構成体が突出した量を差
し引いた量となり、ランド構成体の外部ランド電極とし
てのスタンドオフが、ターミナルランドフレームを用い
ることにより、別工程によりスタンドオフを形成せずに
自己整合的に形成されるものである。

【００２３】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き上
げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半
導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したラ
ンド電極を配列することができる。また、本発明のター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分への
樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部
電極としてのスタンドオフが確保できるものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。

【００２５】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。

【００２６】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。

【００２７】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。

【００２８】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。

【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。

【００３０】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。

【００３１】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。

【００３２】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。

【００３３】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。

【００３４】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。図４および図５は、タ
ーミナルランドフレームの製造方法を示す断面図であ
り、ランド構成体部分を示す断面図である。

【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。

【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。

【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。

【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。

【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。

【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。

【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８，せん断部１９，破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。

【００４２】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。

【００４３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。

【００４４】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２
１ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体
素子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２
のランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各
ランド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の
外囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。

【００４５】本実施形態では、ランド構成体２１の一部
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。

【００４６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。

【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。

【００４８】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレーム本体
２６より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。

【００４９】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着材２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。

【００５０】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。

【００５１】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。

【００５２】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。

【００５３】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体２
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。

【００５４】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。

【００５５】次に本発明のターミナルランドフレームの
別の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００５６】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを示す平面図である。図１１は本実施形態のター
ミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０にお
いて、Ｃ−Ｃ１箇所の断面を示している。また基本概念
は前記した実施形態のターミナルランドフレームと同様
である。

【００５７】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設さ
れて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、か
つフレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体１２と、ダイパッド部３４よりなるものであ
る。すなわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２、
ダイパッド部３４および薄厚部１１は同一の金属板より
一体で形成されているものである。そしてランド構成体
１２はフレーム本体１０から突出した方向への押圧力に
より、薄厚部１１が破断されてランド構成体１２がフレ
ーム本体１０より分離される構成を有するものである。

【００５８】ここで本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、前述した図１，図２および図３に示したターミ
ナルランドフレームと同様な構成を有するものの、半導
体素子を搭載するダイパッド部３４を設けたものであ
る。

【００５９】したがって、ランド構成体１２およびダイ
パッド部３４の底面部分１２ａ，３４ａに対して、突出
した方向への押圧力を印加することにより、薄厚部１１
の破線部分で破断されることになり、フレーム本体１０
からランド構成体１２とダイパッド部３４とが分離する
ものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体１０自
体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形成され
る「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のランド構成
体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜き加工
し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分程度の
打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフレーム
本体１０から突出し、その突出した部分がランド構成体
１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切断され
ずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成するもの
である。

【００６０】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２、ダイパッド部３４は、その
突出量はフレーム本体１０自体の厚みの過半数以上の突
出量を有しており、例えば本実施形態では、ターミナル
ランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０
の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２、ダイ
パッド部３４の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
としている。

【００６１】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、必要に応じてメッキ処理されたものであり、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）な
どの金属が積層されて適宜メッキされているものであ
る。

【００６２】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１０に示すように、ランド構成
体１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・
上下に連続して形成できるものであり、従来のように個
々の分離は必要なく、またタイバーを設ける必要もな
い。またランド構成体１２の形状は円形としているが、
角形や長方形でもよく、また大きさは、ターミナルラン
ドフレーム内ですべて同一としてもよいし、樹脂封止型
半導体装置を構成し、ランド電極とした場合、基板実装
の際の応力緩和のために、周辺部に位置するランド構成
体１２を大きくするようにしてもよい。本実施形態で
は、ランド構成体１２の上面の大きさは、半導体素子を
搭載し、電気的接続手段として、金線等の金属細線によ
り接続する際、ボンディング可能な大きさであればよ
く、１００［μｍ］φ以上の大きさとしている。

【００６３】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部を有さず、ランド電極としてランド構成体１
２を有し、そのランド構成体１２を半導体素子が搭載さ
れる面内に格子状、千鳥状に配列することにより、この
ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を構成した場合、底面にランド電極を面配置で備えた
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また従
来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構成で
はなく、ランド構成体１２であるため、それらを面状に
配置することができ、ランド構成体１２の配置の自由度
が向上し、多ピン化に対応することができる。

【００６４】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。製造方法についても前
述したターミナルランドフレームの製造方法と同様であ
り、基本概念は前記した実施形態のターミナルランドフ
レームの製造方法と同様であるが、ランド構成体を形成
すると同時にダイパッド部も形成するものである。

【００６５】すなわち、打ち抜き金型のダイ部上の所定
の位置に固定した金属板に対して、その上方からパンチ
部材により押圧による打ち抜き加工を行い、金属板の一
部をダイ部側の開口部側に突出するように押圧して、金
属板の所定箇所を半切断状態にし、ランド構成体および
ダイパッド部を形成する。ここで薄厚部により金属板と
接続されて残存し、かつ金属板の本体部よりも突出して
形成されたランド構成体とダイパッド部とを形成するも
のである。また、金属板のランド構成体およびダイパッ
ド部を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面積は
ダイ部に設けた開口部の各開口面積よりも小さく、その
パンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板から
突出したランド構成体とダイパッド部とを形成する工程
においては、金属板から突出したランド構成体、ダイパ
ッド部の各上面部分の面積が、金属板側に接続したラン
ド構成体、ダイパッド部の各底面部分の面積よりも大き
く、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は抜き
ダレによる曲面を有しているランド構成体、ダイパッド
部を形成するものである。この構造により、形成された
ランド構成体、ダイパッド部は、それらが突出した方向
に対しての押圧力、すなわちランド構成体、ダイパッド
部の各底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであり、またそれが突出した方向、すなわちラン
ド構成体、ダイパッド部の各上面部分からの押圧力によ
っては分離しないものであり、一方向からの押圧力にの
み分離する構造となる。

【００６６】本実施形態において、金属板に対してラン
ド構成体、ダイパッド部を形成する際、突出させるその
突出量については、金属板自体の厚みの過半数以上と
し、本実施形態では、２００［μｍ］の金属板の厚みに
対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出したランド構成
体、ダイパッド部を形成している。したがって、突出し
た形成されたランド構成体、ダイパッド部は、金属板の
本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部により接続され
ていることになる。本実施形態では、薄厚部の厚みとし
ては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（金属板自体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）であり、ランド構成体、ダ
イパッド部が突出した方向に対しての押圧力により、容
易に分離されるものである。

【００６７】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図１２は断面図であ
り、図１３は底面図である。なお、図１２の断面図は図
１３の底面図において、Ｄ−Ｄ１箇所の断面を示す図で
あり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す平
面図については、いわゆる矩形状を示すのみであり省略
する。また基本概念は前記した実施形態のターミナルラ
ンドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の構造と同
様である。

【００６８】図１２，図１３に示すように、本実施形態
の樹脂封止型半導体装置は、前述したような図１０，図
１１に示したターミナルランドフレームを用いて、半導
体素子を搭載した半導体装置であり、ダイパッド部３５
上に銀ペースト等の導電性接着剤２２により搭載、接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３の周辺に
配置され、半導体素子２３と金属細線２４により電気的
に接続されたランド構成体２１と、各ランド構成体２１
の底面を突出させて半導体素子２３の外囲を封止した封
止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体装置である。そ
して本実施形態において、ランド構成体２１，ダイパッ
ド部３５の封止樹脂２５からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２
１，ダイパッド部がそのフレーム本体から突出した量を
差し引いた量であり、基板実装時のスタンドオフを有し
ているものである。

【００６９】本実施形態では、ダイパッド部３５により
半導体素子２３を支持する構造であるが、ランド構成体
２１は電極として使用し、底面配列においては、ランド
・グリッド・アレイを構成しているものである。

【００７０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１、
ダイパッド部３５の上面の面積が、封止樹脂２５から露
出、突出した側のランド構成体２１、ダイパッド部３５
の底面の面積よりも大きく、封止された側のランド構成
体２１、ダイパッド部３５の上面のエッジ部は曲面を有
しており、略逆台形状の断面形状を有しているものであ
る。この構造により、封止樹脂２５とランド構成体２
１、ダイパッド部３５との食いつきを良好にし、密着性
を向上させることができ、基板実装の際の接続の信頼性
を得ることができるものである。またこの構造により、
底面側で基板実装することができ、従来のようなビーム
状のリードによる基板実装に比べて、実装の信頼性を向
上させることができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以上の
信頼性を有するものである。

【００７１】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態においても、基本概念は前記した実施形態の
ターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法と同様である。図１４（ａ）〜（ｆ）は本
実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。

【００７２】まず図１４（ａ）に示すように、フレーム
本体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とダイパッド部３６とよりなり、ランド構
成体２８、ダイパッド部３６はフレーム本体２６からそ
れが突出した方向への押圧力により、薄厚部２７が破断
されてランド構成体２８、ダイパッド部３６がフレーム
本体２６より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。

【００７３】次に図１４（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのランド構成体２８、ダイパッド部３
６が突出した面側であって、ダイパッド部３６上に導電
性接着剤２９により半導体素子３０を載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加
熱処理により半導体素子３０を接合するものである。こ
こで、ターミナルランドフレームは、ダイパッド部３６
が突出した方向に対しての押圧力、すなわちダイパッド
部３６の底面部分側からの押圧力により、容易に分離さ
れるものであるが、それが突出した方向、すなわちダイ
パッド部３６の上面部分からの押圧力によっては分離し
ないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構
造であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレーム
に対して下方の押圧力が作用しても、ダイパッド部３６
は分離せず、安定してダイボンドできるものである。

【００７４】次に図１４（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド
構成体２８とを金属細線３１により電気的に接続する。
したがって、ランド構成体２８は上面の金属細線３１が
接続される面の面積は１００［μｍ］以上である。ま
た、この工程においても、ランド構成体２８は一方向か
らの押圧力にのみ分離する構造であるため、金属細線３
１をランド構成体２８の上面に接続する際、下方に押圧
力が作用しても、ランド構成体２８は分離せず、安定し
てワイヤーボンドできるものである。

【００７５】次に図１４（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および
電気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３
２により封止する。通常は上下封止金型を用いたトラン
スファーモールドにより片面封止を行う。ここではター
ミナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面
のみが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面
封止構造となっている。そして各ランド構成体２８、ダ
イパッド部は突出して設けられているため、封止樹脂３
２がその段差構造に対して、食いつくため片面封止構造
であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂３２
との密着性を得ることができる。

【００７６】次に図１４（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体２８およびダイパッド部３６の
底面に対して、押圧力を印加する。この場合、ターミナ
ルランドフレームの端部を固定し、その下方から突き上
げピンにより突き上げて押圧力を印加することにより、
ランド構成体２８、ダイパッド部３６とターミナルラン
ドフレームのフレーム本体２６とが分離するものであ
る。これはランド構成体２８、ダイパッド部３６とフレ
ーム本体２６とを接続している極薄の薄厚部２７が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されるも
のである。

【００７７】図１４（ｆ）に示すように、ランド構成体
２８、ダイパッド部３６とフレーム本体とを接続してい
る極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で破断され
ることにより分離されて、樹脂封止型半導体装置３７を
得ることができる。図示するように、樹脂封止型半導体
装置３７は、ランド構成体２８がその底面に配列され、
またランド構成体２８が封止樹脂３２の底面よりも突出
して設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されて
いるものである。ここで樹脂封止型半導体装置３７のラ
ンド構成体２８の突出量は、フレーム本体の厚み量から
ランド構成体２８が突出した量を差し引いた量となり、
ランド構成体２８の外部ランド電極としてのスタンドオ
フが形成されるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体
２８を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。

【００７８】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。

【００７９】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力の強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。

【００８０】

【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。そして本発明により、樹脂封止型半導
体装置の底面のランド電極を基板等を用いることなく、
フレーム状態から形成でき、また自己整合的にランド電
極のスタンドオフを形成できるものであり、従来にない
フレーム構造、工法によりランド電極を有したリードレ
スパッケージ型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができるものである。

【００８１】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図

【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図

【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図

【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図

【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図

【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図

【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図

【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１５】従来のリードフレームを示す平面図

【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図

【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図

【符号の説明】

１フレーム枠２ダイパッド部３吊りリード部４インナーリード部５アウターリード部６タイバー部７半導体素子８金属細線９封止樹脂１０フレーム本体１１薄厚部１２ランド構成体１２ａ底面部分１２ｂ上面部分１３金属板１４ダイ部１５押え金型１６開口部１７パンチ部材１８抜きダレ部１９せん断部２０破断部２１ランド構成体２２導電性接着剤２３半導体素子２４金属細線２５封止樹脂２６フレーム本体２７薄厚部２８ランド構成体２９導電性接着剤３０半導体素子３１金属細線３２封止樹脂３３，３７樹脂封止型半導体装置３４，３５，３６ダイパッド部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年７月２８日（１９９９．７．２
８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金属板よ
りなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配
設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、か
つ前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底面
の面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構成体と
よりなり、前記ランド構成体は前記フレーム本体から突
出した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断
されて前記ランド構成体が前記フレーム本体より分離さ
れる構成であるターミナルランドフレームを用いて形成
された樹脂封止型半導体装置であって、第１のランド構
成体群上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の
周辺に配置され、前記半導体素子と金属細線により電気
的に接続された第２のランド構成体群と、前記各ランド
構成体群の底面を突出させて前記半導体素子の外囲を封
止した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体群の封
止樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から
前記ランド構成体群が前記フレーム本体から突出した量
を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置である。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】また、封止樹脂に封止された側のランド構
成体の上面のエッジ部は曲面を有しているものである。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内であって、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、
かつ前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底
面の面積よりも上面の面積が大きい半導体素子が搭載さ
れるダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内であっ
て前記ダイパッド部の周囲に配設されて、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成され、その底面の面積よりも上面の面積
が大きい複数のランド構成体とよりなり、前記ダイパッ
ド部および前記ランド構成体は、前記フレーム本体から
突出した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破
断されて前記ランド構成体およびダイパッド部が前記フ
レーム本体より分離される構成であるターミナルランド
フレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置であ
って、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の周辺に配置され、前記半導体素子と金
属細線により電気的に接続されたランド構成体群と、前
記ランド構成体群の底面とダイパッド部の底面とを突出
させて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とより
なり、前記各ランド構成体群および前記ダイパッド部の
封止樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量か
ら前記ランド構成体群および前記ダイパッド部が前記フ
レーム本体から突出した量を差し引いた量である樹脂封
止型半導体装置である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】そして封止樹脂に封止された側のランド構
成体の上面のエッジ部は曲面を有しており、前記封止樹
脂に封止された側のダイパッド部の上面のエッジ部は曲
面を有しているものである。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れ、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のラ
ンド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は前記フ
レーム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、
前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群が前記フレ
ーム本体より分離される構成であるターミナルランドフ
レームを用意する工程と、前記ターミナルランドフレー
ムの前記ランド構成体群の一部のランド構成体の突出し
た側に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素
子とランド構成体とを金属細線により電気的に接続する
工程と、前記半導体素子の外囲であって、前記ターミナ
ルランドフレームの上面側のみを封止樹脂により封止
し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記ター
ミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定した状
態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体の
底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフレ
ーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フレ
ーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム
本体の領域内であって、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れ、その底面の面積よりも上面の面積が大きい半導体素
子が搭載されるダイパッド部と、前記フレーム本体の領
域内であって前記ダイパッド部の周囲に配設されて、薄
厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレー
ム本体よりも突出して形成され、その底面の面積よりも
上面の面積が大きい複数のランド構成体とよりなり、前
記ダイパッド部および前記ランド構成体は、前記フレー
ム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、前記
薄厚部が破断されて前記ランド構成体およびダイパッド
部が前記フレーム本体より分離される構成であるターミ
ナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナル
ランドフレームの前記ダイパッド部の突出した側に半導
体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子とランド
構成体とを金属細線により電気的に接続する工程と、前
記半導体素子の外囲であって、前記ターミナルランドフ
レームの上面側のみを封止樹脂により封止する工程と、
前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固
定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド
構成体の底面側と前記ダイパッド部の底面側とに対して
押圧力を印加し、ランド構成体群およびダイパッド部と
フレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記
フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ // Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者野村徹大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内Ｆターム(参考） 4E048 AB01 EA04 4F206 AD19 AH37 JA02 JB17 JF05 JW23 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 FA02 GA03 5F067 AA01 AA09 AA10 AB04 AB07 BA08 BC12 BE10 DA01 DA11 DA14 DC16 DC17 DC18 DE18 EA02 EA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された複数のランド構成体とよりなるターミナ
ルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体
装置であって、第１のランド構成体群上に搭載された半
導体素子と、前記半導体素子の周辺に配置され、前記半
導体素子と金属細線により電気的に接続された第２のラ
ンド構成体群と、前記各ランド構成体群の底面を突出さ
せて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とよりな
り、前記各ランド構成体群の封止樹脂からの突出量は、
前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体群が前
記フレーム本体から突出した量を差し引いた量であるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】封止樹脂に封止された側のランド構成体
の上面の面積が、前記封止樹脂から露出した側のランド
構成体の底面の面積よりも大きく、封止された側のラン
ド構成体の上面のエッジ部は曲面を有していることを特
徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成された半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前
記フレーム本体の領域内であって前記ダイパッド部の周
囲に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複
数のランド構成体とよりなるターミナルランドフレーム
を用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、前
記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導
体素子の周辺に配置され、前記半導体素子と金属細線に
より電気的に接続されたランド構成体群と、前記ランド
構成体群の底面とダイパッド部の底面とを突出させて前
記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前
記各ランド構成体群および前記ダイパッド部の封止樹脂
からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記ラ
ンド構成体群および前記ダイパッド部が前記フレーム本
体から突出した量を差し引いた量であることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】封止樹脂に封止された側のランド構成体
の上面の面積が、前記封止樹脂から露出した側のランド
構成体の底面の面積よりも大きく、封止された側のラン
ド構成体の上面のエッジ部は曲面を有しており、前記封
止樹脂に封止された側のダイパッド部の上面の面積が、
前記封止樹脂から露出した側のダイパッド部の底面の面
積よりも大きく、封止された側のダイパッド部の上面の
エッジ部は曲面を有していることを特徴とする請求項３
に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された複数のランド構成体群とよりなり、前記
ランド構成体群は前記フレーム本体から突出した方向へ
の押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
ーミナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミ
ナルランドフレームの前記ランド構成体群の一部のラン
ド構成体の突出した側に半導体素子を搭載する工程と、
搭載した半導体素子とランド構成体とを金属細線により
電気的に接続する工程と、前記半導体素子の外囲であっ
て、前記ターミナルランドフレームの上面側のみを封止
樹脂により封止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工
程と、前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本
体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記
ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド
構成体群とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断
させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分
離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
【請求項６】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成された半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前
記フレーム本体の領域内であって前記ダイパッド部の周
囲に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複
数のランド構成体とよりなり、前記ダイパッド部および
前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出した方
向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ラン
ド構成体が前記フレーム本体より分離される構成である
ターミナルランドフレームを用意する工程と、前記ター
ミナルランドフレームの前記ダイパッド部の突出した側
に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子と
ランド構成体とを金属細線により電気的に接続する工程
と、前記半導体素子の外囲であって、前記ターミナルラ
ンドフレームの上面側のみを封止樹脂により封止する工
程と、前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本
体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記
ランド構成体の底面側と前記ダイパッド部の底面側とに
対して押圧力を印加し、ランド構成体群およびダイパッ
ド部とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断さ
せ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。