JP2000124320A - Method and device for verifying layout - Google Patents

Method and device for verifying layout

Info

Publication number
JP2000124320A
JP2000124320A JP10291784A JP29178498A JP2000124320A JP 2000124320 A JP2000124320 A JP 2000124320A JP 10291784 A JP10291784 A JP 10291784A JP 29178498 A JP29178498 A JP 29178498A JP 2000124320 A JP2000124320 A JP 2000124320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layout
information
dummy layer
withstand voltage
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10291784A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Senoo
豪 妹尾
Masanori Kanehama
正典 金浜
Hiroyuki Takeno
弘幸 嶽ノ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP10291784A priority Critical patent/JP2000124320A/en
Publication of JP2000124320A publication Critical patent/JP2000124320A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently and quickly verify the layout of an IC which is operated by a plurality of power supply voltages. SOLUTION: A method and device is provided with a breakdown voltage information addition means 41, that adds a power supply voltage value for operating a element to a pad part connected to the element, an element recognition/isoelectric tracking means 42 that allows layout data, where power voltage information is added to be subjected to the recognition of the element and isoelectric tracking for extracting the circuit information of the layout, and extracts the information of the breakdown voltage of an element part, a dummy layer generation means 43 that generates dummy layer information for each breakdown voltage according to the information of the breakdown voltage, a dummy layer information addition means 45 that adds dummy layer information to the layout data, DRC(design rule checking) execution means 34 and 35 that verify design rules, an error information addition means 38 that adds DRC error information to the layout data where the dummy layer data is added, and a display means 39 that combines the layout data, the dummy layer information, and the error information for displaying.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レイアウト検証方
法およびレイアウト検証装置に関し、特に異なる複数の
電源電圧により動作される素子が混在するIC(模集積
回路)の設計用のレイアウト検証方法およびレイアウト
検証装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a layout verification method and a layout verification apparatus, and more particularly to a layout verification method and layout verification for designing an IC (simulated integrated circuit) in which elements operated by a plurality of different power supply voltages are mixed. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10には、電圧値の異なる電源により
動作される素子が混在するICのチップレイアウトが示
されている。このIC1において、素子10aは電源電
圧Vaで動作し、素子10bは電源電圧Vb(Va<V
bと仮定する)で動作する。この場合、素子10aは電
圧Vaに対応する耐圧を有し、一方素子10bは電圧V
bに対応する耐圧を有している必要がある。
2. Description of the Related Art FIG. 10 shows a chip layout of an IC in which elements operated by power supplies having different voltage values are mixed. In this IC 1, the element 10a operates at the power supply voltage Va, and the element 10b operates at the power supply voltage Vb (Va <V
b). In this case, element 10a has a withstand voltage corresponding to voltage Va, while element 10b
It is necessary to have a withstand voltage corresponding to b.

【0003】その理由は、耐圧を大きくするには、素子
内の個々の構成部分(構成領域)の寸法やそれらの相互
間の距離、および素子間の距離を大きくする必要がある
ので、より小さな電圧Vaで動作する素子10aを、よ
り大きな動作電圧Vbの素子10bと同じ耐圧で設計し
てしまうと、素子10aは必要以上に大きくなり、且つ
素子どうしが必要以上に離れて配置されてしまうため、
レイアウト上不利であるということと、その逆に動作電
圧がより大きい素子10bを、動作電圧がより小さい素
子10aと同じ寸法で設計してしまうと、素子10bは
十分な耐圧が得られず、特性上好ましくないからであ
る。
[0003] The reason is that, in order to increase the breakdown voltage, it is necessary to increase the dimensions of individual components (configuration regions) in the element, the distance between them, and the distance between the elements. If the element 10a operating at the voltage Va is designed with the same withstand voltage as the element 10b at the higher operating voltage Vb, the element 10a becomes unnecessarily large and the elements are arranged more than necessary. ,
If the element 10b having a higher operating voltage is designed to have the same dimensions as the element 10a having a lower operating voltage, the element 10b cannot obtain a sufficient withstand voltage. This is because it is not preferable.

【0004】一般に、耐圧の異なる素子は、ポリゴンデ
ータの形状や重なりは同一であり、寸法のみが異なる場
合が多い。例えば、図10の素子10a,10bは、同
一の形状をしているが、それらの耐圧が異なるため、各
素子10a,10b内のレイヤ1の幅AwとBw、レイ
ヤ1とレイヤ2との間隔AsとBs、およびレイヤ2と
レイヤ3の包含距離AeとBeでは、それぞれ製造装置
の設計ルールの最小許容値が異なる。
In general, elements having different withstand voltages have the same polygon data shape and overlap, and are often different only in dimensions. For example, the elements 10a and 10b in FIG. 10 have the same shape, but have different withstand voltages, so that the widths Aw and Bw of the layer 1 in each of the elements 10a and 10b, and the distance between the layers 1 and 2 The minimum allowable value of the design rule of the manufacturing apparatus is different between As and Bs and between the inclusion distances Ae and Be between the layers 2 and 3.

【0005】一般にICの設計時には、レイアウト検証
装置を用いて各素子の寸法や素子間の距離、すなわちI
Cのレイアウトが適切であるか否かの検証を行う。
In general, at the time of designing an IC, the dimensions of each element and the distance between elements, that is, I
Verify whether the layout of C is appropriate.

【0006】図11に、従来のIC設計用レイアウト検
証装置の概略構成を示す。このレイアウト検証装置は、
レイアウトデータを記憶した記憶部11、電源電圧Va
に対する耐圧での設計ルールを記憶した記憶部12、電
源電圧Vbに対する耐圧での設計ルールを記憶した記憶
部13、レイアウトデータに基づくレイアウトが製造装
置の制約から決まる幾何学的な設計ルールを満足してい
るか否かを検証するためのDRC(デザイン・ルール・
チェッキング)を実行する手段(以下、DRC実行手段
とする)14,15、各DRC実行手段14,15によ
る検証の結果得られたDRCエラー情報を記憶する記憶
部16,17、レイアウトデータにエラー情報を付加す
る手段(以下、エラー情報付加手段とする)18、およ
びレイアウトデータとエラー情報とが合成されてなるレ
イアウトを表示する表示手段19からなる。
FIG. 11 shows a schematic configuration of a conventional IC design layout verification apparatus. This layout verification device
Storage unit 11 storing layout data, power supply voltage Va
A storage unit 12 storing design rules based on the withstand voltage for the power supply voltage Vb, a storage unit 13 storing design rules based on the withstand voltage for the power supply voltage Vb, and a geometric design rule whose layout based on the layout data satisfies the constraints of the manufacturing apparatus. DRC (design rules,
(Checking) means (hereinafter referred to as DRC executing means) 14 and 15, storage units 16 and 17 for storing DRC error information obtained as a result of verification by the DRC executing means 14 and 15, errors in layout data It comprises a means for adding information (hereinafter referred to as error information adding means) 18 and a display means 19 for displaying a layout in which layout data and error information are combined.

【0007】なお各記憶部11,12,13,16,1
7は、1または2以上の記憶装置に設けられる。またD
RC実行手段14,15は、説明の便宜上2つに分けて
いるが、同一の手段であってもよい。
[0007] Each of the storage units 11, 12, 13, 16, 1
7 is provided in one or more storage devices. Also D
Although the RC executing means 14 and 15 are divided into two for convenience of explanation, they may be the same means.

【0008】従来のレイアウト検証装置では、単一の電
源電圧により動作するICのレイアウト検証を行う場合
には、ポリゴンデータの形状や重なりに基づいて素子の
判別を行ない、それらがどの様な素子であるかを識別
し、DRC実行手段14(15)にてレイアウトデータ
が幾何学的な設計ルールを満たしているかをチェックす
る。そしてエラー情報付加手段18にてレイアウトにエ
ラー情報を付加し、それを表示手段19で表示する。
In a conventional layout verification apparatus, when verifying the layout of an IC operated by a single power supply voltage, elements are determined based on the shape and overlap of polygon data, and the type of the element is determined. Then, the DRC execution means 14 (15) checks whether the layout data satisfies the geometric design rule. Then, the error information is added to the layout by the error information adding means 18, and the error information is displayed on the display means 19.

【0009】一方、従来のレイアウト検証装置でもって
複数の電源電圧で動作するICのレイアウト検証を行う
場合、上述したように耐圧の異なる素子(例えば図10
の素子10a,10b)はポリゴンデータの形状や重な
りが同一であることが多いため、耐圧の異なる素子を判
別し、各素子の耐圧を識別することは容易ではない。従
って、従来は複数の電源電圧で動作するIC、すなわち
複数の耐圧が設定されたICを設計する場合には、同一
のレイアウトに対して耐圧毎にチェック値を変えてDR
Cを実行している。
On the other hand, when the layout verification of an IC operating at a plurality of power supply voltages is performed by a conventional layout verification device, as described above, elements having different withstand voltages (for example, FIG.
Since the elements 10a and 10b) often have the same polygon data shape and overlap, it is not easy to identify elements having different withstand voltages and identify the withstand voltage of each element. Therefore, conventionally, when designing an IC that operates with a plurality of power supply voltages, that is, an IC in which a plurality of withstand voltages is set, the check value is changed for each withstand voltage for the same layout and the DR value is changed.
C is running.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、耐圧が
小さいため寸法が小さくてもよい素子の寸法やそのよう
な素子間の距離に対して、耐圧が大きい素子のためのチ
ェック値、すなわち必要以上に大きい値のチェック値を
用いてチェックが行われた部分では、エラーが発生して
しまう。そしてそのエラーが、上述したようにチェック
値が大き過ぎることによる疑似的なエラーであるか、本
当のエラーであるかの確認を、表示手段19に表示され
たレイアウト図と、各素子の動作電圧が分かるような回
路図等とを照らし合わせながら、エラー表示された寸法
が設計上の耐圧に適しているかの比較を逐一目視で行う
ため、レイアウト検証の結果を確認するのに膨大な時間
を要するという問題点があった。
However, a check value for an element having a high withstand voltage, that is, an unnecessarily large check value for an element having a small withstand voltage and a distance between such elements which may be small in size, that is, more than necessary. An error occurs in a portion where a check is performed using a large check value. Then, as described above, whether the error is a pseudo error due to an excessively large check value or a real error is determined by checking the layout diagram displayed on the display unit 19 and the operating voltage of each element. It takes an enormous amount of time to confirm the layout verification result because the comparison of the dimensions indicated by the error with the design withstand voltage is performed at a glance while comparing it with the circuit diagram etc. There was a problem.

【0011】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、複数の電源電圧で動作するICのレイア
ウト検証時に、耐圧の違いにより発生する疑似的なエラ
ーの確認を効率的に行うことができ、従来よりも短時間
でDRCの結果確認を完了することができるレイアウト
検証方法を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem. In verifying the layout of an IC that operates with a plurality of power supply voltages, the present invention efficiently checks a pseudo error caused by a difference in breakdown voltage. An object of the present invention is to provide a layout verification method that can complete the DRC result check in a shorter time than in the related art.

【0012】また本発明は、ICのレイアウト検証装置
において、複数の電源電圧で動作するICのレイアウト
検証時に、耐圧の違いにより発生する疑似的なエラーの
確認を効率的に行うことができ、従来よりも短時間でD
RCの結果確認を完了することができるレイアウト検証
装置を得ることをも目的とする。
Further, according to the present invention, in an IC layout verification apparatus, when verifying the layout of an IC operating with a plurality of power supply voltages, a pseudo error generated due to a difference in breakdown voltage can be efficiently confirmed. D in less time than
It is another object of the present invention to obtain a layout verification device that can complete the result check of the RC.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、異なる電圧で動作する素子が混在する集
積回路のレイアウト検証を行うにあたって、各素子毎
に、当該素子の動作電圧に基づいてその動作電圧に応じ
たダミーレイヤを発生する工程と、生成されたダミーレ
イヤをレイアウト図と重ねて表示する工程と、を含む。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for verifying the layout of an integrated circuit in which elements operating at different voltages are mixed, based on the operating voltage of each element. And generating a dummy layer according to the operating voltage, and displaying the generated dummy layer in a manner superimposed on the layout diagram.

【0014】本発明によれば、レイアウト図に素子の耐
圧に応じたダミーレイヤが重ねて表示されるため、耐圧
の違いにより設計ルールの検証時に発生する疑似的なエ
ラーの確認を効率的に行うことができる。
According to the present invention, a dummy layer corresponding to the withstand voltage of the element is superimposed and displayed on the layout diagram, so that a pseudo error generated at the time of design rule verification due to a difference in withstand voltage is efficiently confirmed. be able to.

【0015】本発明において、前記ダミーレイヤを発生
する工程は、素子に接続されたパッド部に印加される電
圧の情報と、同電位の配線情報とに基づいて、異なる電
圧の電源に接続される素子の耐圧情報を抽出する工程
と、その耐圧情報に基づいて耐圧毎のダミーレイヤを発
生する工程と、を含む。
In the present invention, in the step of generating the dummy layer, the dummy layer is connected to a power supply of a different voltage based on information of a voltage applied to a pad connected to the element and wiring information of the same potential. The method includes a step of extracting breakdown voltage information of the element and a step of generating a dummy layer for each breakdown voltage based on the breakdown voltage information.

【0016】本発明によれば、レイアウトの配線情報お
よびパッド部に付加された電圧情報から耐圧情報が抽出
され、それに基づいて耐圧別のダミーレイヤが自動的に
生成され、それがレイアウト図に重ねて表示されるた
め、耐圧毎のダミーレイヤで囲まれるエリア内で耐圧に
対してチェックする値が変わるエラー部分を目視により
容易に確認することが可能となる。
According to the present invention, the withstand voltage information is extracted from the wiring information of the layout and the voltage information added to the pad portion, and a dummy layer for each withstand voltage is automatically generated based on the extracted withstand voltage information. Therefore, it is possible to easily visually confirm an error portion in which a value to be checked for a withstand voltage changes in an area surrounded by a dummy layer for each withstand voltage.

【0017】あるいは本発明において、前記ダミーレイ
ヤを発生する工程は、回路図のシンボルに動作電圧の情
報が付加された回路図に基づいて、検証対象のレイアウ
トに対して素子または素子間の接続が正しいことを検証
する工程と、その検証結果とシンボルに付加された動作
電圧情報とに基づいて、レイアウト図の素子の耐圧情報
を抽出する工程と、その耐圧情報に基づいて耐圧毎のダ
ミーレイヤを発生する工程と、を含む。
Alternatively, in the present invention, the step of generating a dummy layer includes the step of connecting elements or connections between elements to a layout to be verified based on a circuit diagram in which operating voltage information is added to symbols of the circuit diagram. A step of verifying correctness, a step of extracting withstand voltage information of the elements in the layout diagram based on the verification result and the operating voltage information added to the symbol, and a step of forming a dummy layer for each withstand voltage based on the withstand voltage information. Generating step.

【0018】本発明によれば、素子シンボルに付加され
た電圧情報から耐圧情報が抽出され、それに基づいて耐
圧別のダミーレイヤが自動的に生成され、それがレイア
ウト図に重ねて表示されるため、耐圧毎のダミーレイヤ
で囲まれるエリア内で耐圧に対してチェックする値が変
わるエラー部分を目視により容易に確認することが可能
となる。
According to the present invention, the withstand voltage information is extracted from the voltage information added to the element symbol, and a dummy layer for each withstand voltage is automatically generated based on the extracted withstand voltage information. In addition, it is possible to easily visually confirm an error portion in which a value to be checked for a withstand voltage changes in an area surrounded by a dummy layer for each withstand voltage.

【0019】本発明において、レイアウト図の、ダミー
レイヤで囲まれたエリア内で耐圧によってチェック値を
変化できる設計ルールを用い、チェック対象の素子また
は部分に対して、チェック値をその素子または部分の耐
圧に応じて変更しながら設計ルールに適合していること
の検証を行うようにしてもよい。
In the present invention, a design rule that can change the check value depending on the breakdown voltage in the area surrounded by the dummy layer in the layout diagram is used, and the check value is assigned to the element or portion to be checked. Verification that the design rule is satisfied may be performed while changing according to the withstand voltage.

【0020】本発明によれば、耐圧毎のダミーレイヤが
レイアウト上に配置された後、ダミーレイヤで囲まれた
エリア内で耐圧によってチェック値を変化できる設計ル
ールを用いることにより、ダミーレイヤに重なるエリア
内では耐圧に応じてレイヤ幅、間隔および包含距離等の
チェック値が自動的に変更されて検証が行われるため、
疑似的なエラーの発生が回避される。
According to the present invention, after the dummy layer for each withstand voltage is arranged on the layout, the design rule that can change the check value depending on the withstand voltage in the area surrounded by the dummy layer is used to overlap the dummy layer. In the area, the check values such as the layer width, interval and inclusion distance are automatically changed according to the withstand voltage, and the verification is performed.
The occurrence of spurious errors is avoided.

【0021】また本発明は、異なる電圧で動作する素子
が混在する集積回路のレイアウト検証を行うレイアウト
検証装置であって、各素子毎に、当該素子の動作電圧に
基づいてその動作電圧に応じたダミーレイヤを発生する
手段と、生成されたダミーレイヤをレイアウト図と重ね
て表示する手段と、を具備する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a layout verifying apparatus for verifying a layout of an integrated circuit in which elements operating at different voltages are mixed, wherein each of the elements has an operating voltage based on the operating voltage of the element. There is provided a means for generating a dummy layer and a means for displaying the generated dummy layer so as to overlap the layout diagram.

【0022】本発明によれば、レイアウト図に素子の耐
圧に応じたダミーレイヤが重ねて表示されるため、耐圧
の違いにより設計ルールの検証時に発生する疑似的なエ
ラーの確認を効率的に行うことができる。
According to the present invention, a dummy layer corresponding to the withstand voltage of the element is superimposed and displayed on the layout diagram, so that a pseudo error generated at the time of design rule verification due to a difference in withstand voltage is efficiently confirmed. be able to.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるレイアウト
検証方法およびレイアウト検証装置の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
Embodiments of a layout verification method and a layout verification apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0024】実施の形態1.図1は、本発明の実施の形
態1によるレイアウト検証装置の概略構成を示すブロッ
ク図であり、図2は、このレイアウト検証装置による検
証結果の表示例の一部を示すレイアウト図である。この
レイアウト検証装置は、レイアウトデータを記憶した記
憶部31、電源電圧Vaに対する耐圧での設計ルールを
記憶した記憶部32、電源電圧Vbに対する耐圧での設
計ルールを記憶した記憶部33、DRC実行手段34,
35、DRCの実行により得られたDRCエラー情報を
記憶する記憶部36,37、エラー情報付加手段38、
および表示手段39を備えている。
Embodiment 1 FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a layout verification device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a layout diagram illustrating a part of a display example of a verification result by the layout verification device. The layout verification device includes a storage unit 31 storing layout data, a storage unit 32 storing design rules at a withstand voltage for a power supply voltage Va, a storage unit 33 storing a design rule at a withstand voltage for a power supply voltage Vb, and DRC execution means. 34,
35, storage units 36 and 37 for storing DRC error information obtained by executing DRC, error information adding means 38,
And display means 39.

【0025】これらの各記憶部31,32,33,3
6,37および各手段34,35は、それぞれ図10に
示す従来の各記憶部11,12,13,16,17およ
び手段14,15と同様であるため、その説明を省略す
る。エラー情報付加手段38および表示手段39につい
ては後述する。
Each of these storage units 31, 32, 33, 3
6, 37 and means 34, 35 are the same as the conventional storage units 11, 12, 13, 16, 17 and means 14, 15 shown in FIG. The error information adding means 38 and the display means 39 will be described later.

【0026】またこのレイアウト検証装置は、耐圧情報
付加手段41、素子認識、同電位追跡手段42、ダミー
レイヤ発生手段43、耐圧別ダミーレイヤ情報を記憶す
る記憶部44、およびダミーレイヤ情報付加手段45を
備えている。
The layout verifying apparatus includes a withstand voltage information adding unit 41, an element recognizing and same potential tracking unit 42, a dummy layer generating unit 43, a storage unit 44 for storing withstand voltage-specific dummy layer information, and a dummy layer information adding unit 45. It has.

【0027】耐圧情報付加手段41は、レイアウトデー
タ内の、素子(例えば図2の素子20a,20b)に接
続されたパッド部(例えば図2のパッド部21a,21
b)に、耐圧別の情報の基礎となる例えばその素子を動
作させるための電源電圧(Va,Vb)の値を付加する
機能を有する。各素子に対する電源電圧の情報は、例え
ばレイアウト検証装置に接続されたキー入力部(図示省
略)等により入力される。
The withstand voltage information adding means 41 includes a pad portion (for example, the pad portions 21a and 21b of FIG. 2) connected to an element (for example, the devices 20a and 20b of FIG. 2) in the layout data.
b) has a function of adding a value of a power supply voltage (Va, Vb) for operating the element, for example, which serves as a basis for information on the breakdown voltage. Information on the power supply voltage for each element is input, for example, from a key input unit (not shown) connected to the layout verification device.

【0028】素子認識、同電位追跡手段42は、電源電
圧情報が付加されたレイアウトデータに対して、素子の
認識と同電位追跡を行うことによってレイアウトの回路
情報を抽出し、パッド部からの電位追跡により素子部の
耐圧の情報を抽出する機能を有する。
The element recognizing and equipotential tracking means 42 extracts the circuit information of the layout by performing element recognizing and equipotential tracking on the layout data to which the power supply voltage information is added, and extracts the potential from the pad portion. It has a function of extracting information on the breakdown voltage of the element section by tracking.

【0029】ダミーレイヤ発生手段43は、抽出された
耐圧の情報から耐圧別のダミーレイヤ情報を発生させる
機能を有する。発生されたダミーレイヤ情報は記憶部4
4に記憶される。ダミーレイヤ情報付加手段45は、記
憶部44に記憶されたダミーレイヤ情報をレイアウトデ
ータに付加する機能を有する。
The dummy layer generating means 43 has a function of generating withstand voltage-specific dummy layer information from the extracted withstand voltage information. The generated dummy layer information is stored in the storage unit 4
4 is stored. The dummy layer information adding unit 45 has a function of adding the dummy layer information stored in the storage unit 44 to the layout data.

【0030】エラー情報付加手段38は、ダミーレイヤ
情報を付加されたレイアウトデータにDRCのエラー情
報を付加する機能を有する。表示手段39は、レイアウ
トデータとダミーレイヤ情報とエラー情報とが合成され
てなるレイアウトを表示する機能を有する。
The error information adding means 38 has a function of adding DRC error information to layout data to which dummy layer information has been added. The display means 39 has a function of displaying a layout in which layout data, dummy layer information, and error information are combined.

【0031】なお各記憶部31,32,33,36,3
7,44は、1または2以上の記憶装置に設けられる。
また大きさの異なる電源電圧の数が3以上である場合に
は、各電源電圧毎にその電源電圧に対する耐圧での設計
ルールを記憶した記憶部が設けられ、且つ電源電圧の数
だけDRC実行手段が設けられる。DRC実行手段は、
各電源電圧毎に分けずに、同一の手段であってもよい。
Each of the storage units 31, 32, 33, 36, 3
7, 44 are provided in one or two or more storage devices.
When the number of power supply voltages having different magnitudes is three or more, a storage unit is provided for storing a design rule with a withstand voltage for each power supply voltage. Is provided. The DRC executing means includes:
The same means may be used without being divided for each power supply voltage.

【0032】つぎにこのレイアウト検証装置の作用につ
いて図3を参照しながら説明する。レイアウトの検証が
開始され、例えばパッド部に印加される電圧(電源電圧
Va,Vb)の情報がキー入力部等を介して入力される
(ステップS1)と、耐圧情報付加手段41は、パッド
部に、そこに印加される電圧の情報を付加する(ステッ
プS2)。
Next, the operation of the layout verification apparatus will be described with reference to FIG. When verification of the layout is started and, for example, information on the voltages (power supply voltages Va and Vb) applied to the pad section is input via the key input section or the like (step S1), the withstand voltage information adding means 41 sets the pad section to the pad section. Then, information on the voltage applied thereto is added (step S2).

【0033】つぎに素子認識、同電位追跡手段42は、
レイアウト図に対して素子認識と同電位追跡を行ない、
パッド部に付加された印加電圧の情報および同電位の配
線情報に基づいて各電源電圧Va,Vbの電源に接続さ
れる素子の耐圧を判別し、耐圧情報を抽出する(ステッ
プS3)。
Next, the element recognition and potential tracking means 42
Perform element recognition and same potential tracking on the layout diagram,
Based on the information on the applied voltage added to the pad section and the wiring information on the same potential, the withstand voltage of the element connected to the power supply of each power supply voltage Va, Vb is determined, and the withstand voltage information is extracted (step S3).

【0034】つぎにダミーレイヤ発生手段43は、抽出
された耐圧情報に基づいて耐圧毎のダミーレイヤを生成
する(ステップS4)。ダミーレイヤ情報付加手段45
は、生成された耐圧毎のダミーレイヤをレイアウト上に
配置する(ステップS5)。またDRC実行手段34,
35は、電源電圧Vaおよび電源電圧Vbに対して順次
レイアウトが設計ルールを満足しているか否かの検証を
行い(ステップS6,S7)、エラー情報付加手段38
は、ダミーレイヤが配置されたレイアウト上にDRCの
エラー情報を付加する(ステップS8)。そして表示手
段39は、ダミーレイヤ情報とエラー情報とが付加され
たレイアウトを表示し(ステップS9)、終了する。
Next, the dummy layer generating means 43 generates a dummy layer for each withstand voltage based on the extracted withstand voltage information (step S4). Dummy layer information adding means 45
Arranges the generated dummy layers for each withstand voltage on the layout (step S5). DRC execution means 34,
35 sequentially verifies whether the layout satisfies the design rule with respect to the power supply voltage Va and the power supply voltage Vb (steps S6 and S7), and outputs error information adding means 38.
Adds the DRC error information to the layout in which the dummy layers are arranged (step S8). Then, the display means 39 displays the layout to which the dummy layer information and the error information are added (step S9), and ends.

【0035】その表示例を示す図2において、ダミーレ
イヤ22a,22bはそれぞれ素子20a,20bに重
なるように表示されている。ダミーレイヤ22a,22
bは、図2に示すように電源電圧毎に異なる模様で示さ
れていてもよいし、異なる模様の代わりに例えば色分け
されていてもよい。
In FIG. 2 showing a display example, the dummy layers 22a and 22b are displayed so as to overlap the elements 20a and 20b, respectively. Dummy layers 22a, 22
b may be shown in a different pattern for each power supply voltage as shown in FIG. 2, or may be color-coded instead of the different pattern.

【0036】そして検証作業を行っている検査員が、図
2に示すレイアウト表示を目視して、耐圧毎のダミーレ
イヤが重なるエリア内で耐圧に対してチェックする値が
変わるエラー部分の確認を行なう。
Then, the inspector performing the verification work visually checks the layout display shown in FIG. 2 and checks an error portion where the value to be checked for the withstand voltage changes in the area where the dummy layers for each withstand voltage overlap. .

【0037】この実施の形態1によれば、レイアウトの
配線情報およびパッド部に付加された電源電圧情報から
耐圧別の情報が抽出され、それに基づいて耐圧別のダミ
ーレイヤが自動的に生成され、それがレイアウト図に重
ねて表示されるため、耐圧毎のダミーレイヤで囲まれる
エリア内で耐圧に対してチェックする値が変わるエラー
部分を目視により容易に確認することができる。
According to the first embodiment, withstand voltage-specific information is extracted from the layout wiring information and the power supply voltage information added to the pad portion, and a withstand-voltage-specific dummy layer is automatically generated based on the information. Since it is superimposed and displayed on the layout diagram, an error portion where the value to be checked for the withstand voltage changes in the area surrounded by the dummy layer for each withstand voltage can be easily confirmed visually.

【0038】従って検査員がレイアウト検証結果のエラ
ー情報が擬似的なエラーであるか本当のエラーであるか
を調べる際に、表示されたレイアウト図を見るだけでダ
ミーレイヤによりその素子の耐圧が分かるので、耐圧情
報が付加された回路図と見比べる必要がなくなり、レイ
アウト検証の結果確認に要する時間を短縮することがで
きる。
Therefore, when the inspector checks whether the error information of the layout verification result is a pseudo error or a real error, the dummy layer can determine the withstand voltage of the element only by looking at the displayed layout diagram. Therefore, there is no need to compare the circuit diagram with the withstand voltage information, and the time required for confirming the result of the layout verification can be reduced.

【0039】実施の形態2.図4は、本発明の実施の形
態2によるレイアウト検証装置の概略構成を示すブロッ
ク図であり、図5は、このレイアウト検証装置による検
証結果の表示例の一部をそれに対応する回路図とともに
示すレイアウト図である。この実施の形態2のレイアウ
ト検証装置が、図1に示す実施の形態1と異なるのは、
耐圧情報付加手段41および素子認識、同電位追跡手段
42に代えて、耐圧情報付加手段51、回路図データを
記憶した記憶部52、および回路図・レイアウト情報比
較手段53を設けた点である。その他の構成および機能
については実施の形態1と同じであるので、同一の符号
を付して説明を省略する。
Embodiment 2 FIG. 4 is a block diagram showing a schematic configuration of a layout verification device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a part of a display example of a verification result by the layout verification device together with a corresponding circuit diagram. It is a layout diagram. The difference between the layout verification apparatus of the second embodiment and the first embodiment shown in FIG.
The difference is that a withstand voltage information adding unit 51, a storage unit 52 for storing circuit diagram data, and a circuit diagram / layout information comparing unit 53 are provided instead of the withstand voltage information adding unit 41 and the element recognition and same potential tracking unit 42. Other configurations and functions are the same as those of the first embodiment, and thus the same reference numerals are given and the description will be omitted.

【0040】耐圧情報付加手段51は、回路図データ内
の、素子シンボル(例えば図5の上側に示されたトラン
ジスタのシンボル23a,23b)に、耐圧の情報の基
礎となる例えばその素子を動作させるための電源電圧
(Va,Vb)の値を付加する機能を有する。各素子に
対する電源電圧の情報は、例えばレイアウト検証装置に
接続されたキー入力部(図示省略)等により入力され
る。
The withstand voltage information adding means 51 causes the element symbol (for example, the transistor symbols 23a and 23b shown in the upper part of FIG. 5) in the circuit diagram data to operate, for example, the element as the basis of the withstand voltage information. To add the value of the power supply voltage (Va, Vb) for the purpose. Information on the power supply voltage for each element is input, for example, from a key input unit (not shown) connected to the layout verification device.

【0041】回路図・レイアウト情報比較手段53は、
回路図データおよびレイアウトデータに基づいて、素子
や素子間の接続が正しく実現されているか否かを検証す
るLVS(レイアウト・バーサス・スキマティック)を
実行し、その結果得られたレイアウト情報からそれと等
価な回路図上の素子シンボルに付加された耐圧の情報を
抽出する機能を有する。
The circuit diagram / layout information comparison means 53
Based on the circuit diagram data and the layout data, an LVS (Layout Versus Schematic) for verifying whether or not the elements and the connection between the elements are correctly realized is executed, and the equivalent is obtained from the layout information obtained as a result. It has a function of extracting the information of the withstand voltage added to the element symbol on the simple circuit diagram.

【0042】なお各記憶部31,32,33,36,3
7,44,52は、1または2以上の記憶装置に設けら
れる。また大きさの異なる電源電圧の数が3以上である
場合には、各電源電圧毎にその電源電圧に対する耐圧で
の設計ルールを記憶した記憶部が設けられ、且つ電源電
圧の数だけDRC実行手段が設けられる。DRC実行手
段は、各電源電圧毎に分けずに、同一の手段であっても
よい。
Each of the storage units 31, 32, 33, 36, 3
7, 44, and 52 are provided in one or more storage devices. When the number of power supply voltages having different magnitudes is three or more, a storage unit is provided for storing a design rule with a withstand voltage for each power supply voltage. Is provided. The DRC executing means may be the same means without being divided for each power supply voltage.

【0043】つぎにこのレイアウト検証装置の作用につ
いて図6を参照しながら説明する。レイアウトの検証が
開始され、例えば素子シンボルに対する電源電圧Va,
Vbの情報がキー入力部等を介して入力される(ステッ
プS11)と、耐圧情報付加手段51は、各素子シンボ
ルにその素子の動作電圧(電源電圧Va,Vb)の情報
を付加する(ステップS12)。
Next, the operation of the layout verification apparatus will be described with reference to FIG. Verification of the layout is started. For example, the power supply voltages Va,
When the information on Vb is input via the key input unit or the like (step S11), the withstand voltage information adding means 51 adds information on the operating voltage (power supply voltage Va, Vb) of the element to each element symbol (step S11). S12).

【0044】なお予め記憶部52に回路図データを記憶
させる際に、素子情報として各シンボルに動作電圧の情
報を付加しておいてもよい。つぎに回路図・レイアウト
情報比較手段53は、回路図および目的のレイアウトに
対してLVSを実行し、その結果と回路図に付加された
電源電圧情報とからレイアウト図側の素子の耐圧を判別
し、耐圧情報を抽出する(ステップS13)。
When the circuit diagram data is stored in the storage unit 52 in advance, operating voltage information may be added to each symbol as element information. Next, the circuit diagram / layout information comparing means 53 executes LVS on the circuit diagram and the target layout, and determines the withstand voltage of the element on the layout diagram side from the result and the power supply voltage information added to the circuit diagram. Then, withstand voltage information is extracted (step S13).

【0045】つぎにダミーレイヤ発生手段43は、抽出
された耐圧情報に基づいて耐圧毎のダミーレイヤを生成
する(ステップS14)。ダミーレイヤ情報付加手段4
5は、生成された耐圧毎のダミーレイヤをレイアウト上
に配置する(ステップS15)。
Next, the dummy layer generating means 43 generates a dummy layer for each withstand voltage based on the extracted withstand voltage information (step S14). Dummy layer information adding means 4
5 arranges the generated dummy layer for each withstand voltage on the layout (step S15).

【0046】またDRC実行手段34,35は、電源電
圧Vaおよび電源電圧Vbに対して順次レイアウトが設
計ルールを満足しているか否かの検証を行い(ステップ
S16,S17)、エラー情報付加手段38は、ダミー
レイヤが配置されたレイアウト上にDRCのエラー情報
を付加する(ステップS18)。そして表示手段39
は、ダミーレイヤ情報とエラー情報とが付加されたレイ
アウトを表示し(ステップS19)、終了する。
The DRC executing means 34 and 35 sequentially verify whether or not the layout satisfies the design rule with respect to the power supply voltage Va and the power supply voltage Vb (steps S16 and S17). Adds the DRC error information to the layout in which the dummy layers are arranged (step S18). And display means 39
Displays a layout to which dummy layer information and error information are added (step S19), and ends.

【0047】その表示例を示す図5において、ダミーレ
イヤ22a,22bはそれぞれ素子20a,20bに重
なるように表示されている。なお実際に表示されるの
は、図5の下側の「レイアウト図」の部分であり、図5
の上側の「回路図」の部分は表示されない。
In FIG. 5 showing a display example, the dummy layers 22a and 22b are displayed so as to overlap the elements 20a and 20b, respectively. Note that what is actually displayed is the “layout diagram” portion on the lower side of FIG.
Is not displayed on the upper side of the "circuit diagram".

【0048】そして検証作業を行っている検査員が、図
5に示すレイアウト表示を目視して、耐圧毎のダミーレ
イヤが重なるエリア内で耐圧に対してチェックする値が
変わるエラー部分の確認を行なう。
Then, the inspector who is performing the verification work visually checks the layout display shown in FIG. 5 and confirms an error portion where the value to be checked for the withstand voltage changes in the area where the dummy layers for each withstand voltage overlap. .

【0049】この実施の形態2によれば、素子シンボル
に付加された電源電圧情報から耐圧別の情報が抽出さ
れ、それに基づいて耐圧別のダミーレイヤが自動的に生
成され、それがレイアウト図に重ねて表示されるため、
耐圧毎のダミーレイヤで囲まれるエリア内で耐圧に対し
てチェックする値が変わるエラー部分を目視により容易
に確認することができる。
According to the second embodiment, breakdown voltage-specific information is extracted from the power supply voltage information added to the element symbol, and a breakdown-voltage-specific dummy layer is automatically generated based on the information. Because they are displayed in layers,
An error portion where a value to be checked for a withstand voltage changes in an area surrounded by a dummy layer for each withstand voltage can be easily confirmed visually.

【0050】従って検査員がレイアウト検証結果のエラ
ー情報が擬似的なエラーであるか本当のエラーであるか
を調べる際に、表示されたレイアウト図を見るだけでダ
ミーレイヤによりその素子の耐圧が分かるので、耐圧情
報が付加された回路図と見比べる必要がなくなり、レイ
アウト検証の結果確認に要する時間を短縮することがで
きる。
Therefore, when the inspector checks whether the error information of the layout verification result is a pseudo error or a real error, the dummy layer can determine the withstand voltage of the element only by looking at the displayed layout diagram. Therefore, there is no need to compare the circuit diagram with the withstand voltage information, and the time required for confirming the result of the layout verification can be reduced.

【0051】実施の形態3.図7は、本発明の実施の形
態3によるレイアウト検証装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。この実施の形態3のレイアウト検証装置
は、ダミーレイヤ発生手段61、耐圧別ダミーレイヤ情
報を記憶する記憶部62、ダミーレイヤ情報付加手段6
3、レイアウトデータを記憶した記憶部64、ダミーレ
イヤで囲まれたエリア内で耐圧によってチェック値を変
化できる設計ルールを記憶した記憶部65、DRC実行
手段66、DRCの実行により得られたDRCエラー情
報を記憶する記憶部67、エラー情報付加手段68、お
よび表示手段69を備えている。
Embodiment 3 FIG. FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of a layout verification device according to the third embodiment of the present invention. The layout verification apparatus according to the third embodiment includes a dummy layer generation unit 61, a storage unit 62 for storing withstand voltage-specific dummy layer information, and a dummy layer information addition unit 6.
3. A storage unit 64 storing layout data, a storage unit 65 storing a design rule capable of changing a check value depending on withstand voltage in an area surrounded by a dummy layer, a DRC execution unit 66, and a DRC error obtained by executing the DRC. A storage unit 67 for storing information, an error information adding unit 68, and a display unit 69 are provided.

【0052】これらのうち各記憶部64,67は、それ
ぞれ図10に示す従来の各記憶部11,16と同様であ
り、また記憶部62および各手段63,69は、それぞ
れ図1に示す実施の形態1の記憶部44および各手段4
5,39と同様であるため、その説明を省略する。
The storage sections 64 and 67 are the same as the conventional storage sections 11 and 16 shown in FIG. 10, respectively, and the storage section 62 and the means 63 and 69 are the same as those shown in FIG. Storage unit 44 of Embodiment 1 and each unit 4
The description is omitted because it is the same as 5 and 39.

【0053】ダミーレイヤ発生手段61は、耐圧の情報
を抽出し、その耐圧の情報から耐圧別のダミーレイヤ情
報を発生させる機能を有しており、例えば実施の形態1
の耐圧情報付加手段41、素子認識、同電位追跡手段4
2およびダミーレイヤ発生手段43の機能を併せ持つ。
あるいはダミーレイヤ発生手段61は、実施の形態2の
耐圧情報付加手段51、回路図・レイアウト情報比較手
段53およびダミーレイヤ発生手段43の機能を併せ持
つ。
The dummy layer generating means 61 has a function of extracting the information of the breakdown voltage and generating the dummy layer information for each breakdown voltage from the information of the breakdown voltage.
Withstand voltage information adding means 41, element recognition, same potential tracking means 4
2 and the function of the dummy layer generating means 43.
Alternatively, the dummy layer generating means 61 has the functions of the withstand voltage information adding means 51, the circuit diagram / layout information comparing means 53, and the dummy layer generating means 43 of the second embodiment.

【0054】DRC実行手段66は、ダミーレイヤで囲
まれたエリア内で耐圧によってチェック値を変化できる
設計ルールを用い、チェック対象の素子や部分に対し
て、その素子や部分に対応する耐圧に応じてDRCを実
行する機能を有する。従って上述したような擬似的なエ
ラーは発生しない。
The DRC execution means 66 uses a design rule that can change the check value depending on the withstand voltage in the area surrounded by the dummy layer, and applies a check to the element or part to be checked according to the withstand voltage corresponding to the element or part. And has a function of executing DRC. Therefore, the pseudo error as described above does not occur.

【0055】エラー情報付加手段68は、ダミーレイヤ
情報を付加されたレイアウトデータに、DRCの、擬似
的なエラー情報を含まないエラー情報を付加する機能を
有する。
The error information adding means 68 has a function of adding error information not including pseudo error information of the DRC to the layout data to which the dummy layer information has been added.

【0056】なお各記憶部62,65,65,67は、
1または2以上の記憶装置に設けられる。
Each of the storage units 62, 65, 65, 67
It is provided in one or more storage devices.

【0057】つぎにこのレイアウト検証装置の作用につ
いて図8を参照しながら説明する。レイアウトの検証が
開始されると、ダミーレイヤ発生手段61は、例えば実
施の形態1のステップS1〜S4または実施の形態2の
ステップS11〜S14のようにして素子の耐圧情報を
抽出し、それに基づいて耐圧毎のダミーレイヤを生成す
る(ステップS21)。ダミーレイヤ情報付加手段63
は、生成された耐圧毎のダミーレイヤをレイアウト上に
配置する(ステップS22)。
Next, the operation of the layout verification apparatus will be described with reference to FIG. When the layout verification is started, the dummy layer generation unit 61 extracts the withstand voltage information of the element as in, for example, steps S1 to S4 of the first embodiment or steps S11 to S14 of the second embodiment, and based on the extracted information. Then, a dummy layer for each withstand voltage is generated (step S21). Dummy layer information adding means 63
Arranges the generated dummy layers for each withstand voltage on the layout (step S22).

【0058】またDRC実行手段66は、ダミーレイヤ
で囲まれたエリア内で耐圧によってチェック値を変化で
きる設計ルールを用い、耐圧に応じてレイアウトが設計
ルールを満足しているか否かの検証を行う(ステップS
23)。そしてエラー情報付加手段68は、ダミーレイ
ヤが配置されたレイアウト上にDRCのエラー情報を付
加し(ステップS24)、それを表示手段69に表示し
(ステップS25)、終了する。
The DRC executing means 66 uses a design rule which can change the check value depending on the breakdown voltage in the area surrounded by the dummy layer, and verifies whether the layout satisfies the design rule according to the breakdown voltage. (Step S
23). Then, the error information adding means 68 adds the error information of the DRC to the layout on which the dummy layer is arranged (step S24), displays it on the display means 69 (step S25), and ends.

【0059】この実施の形態3によれば、例えば上記実
施の形態1または実施の形態2で判別した耐圧毎のダミ
ーレイヤがレイアウト上に配置された後、ダミーレイヤ
で囲まれたエリア内で耐圧によってチェック値を変化で
きる設計ルールを用いてDRCが実行されることによ
り、ダミーレイヤに重なるエリア内では耐圧に応じてレ
イヤ幅、間隔および包含距離等のチェック値が自動的に
変更されて検証が行われるため、疑似的なエラーが発生
しない。従ってエラーのチェックミスを防止でき、精度
よくエラー確認を極めて短時間で行うことができる。ま
た異なる耐圧毎にDRCを実行する手間が省けるので、
DRC実行時間が短縮される。
According to the third embodiment, for example, after the dummy layers for each withstand voltage determined in the first or second embodiment are arranged on the layout, the withstand voltage in the area surrounded by the dummy layers is increased. The DRC is executed using a design rule that can change the check value, and in the area overlapping the dummy layer, the check values such as the layer width, the interval, and the inclusion distance are automatically changed according to the withstand voltage, and the verification is performed. No false error occurs. Therefore, errors in checking errors can be prevented, and errors can be accurately confirmed in a very short time. Also, since it is not necessary to execute the DRC for each different withstand voltage,
DRC execution time is reduced.

【0060】以上において本発明は、種々変更可能であ
り、例えば各記憶部はハードディスク装置等の磁気ディ
スク装置でもよいし、光磁気ディスク装置などでもよ
い。また各手段はソフトウェアにより実現されてもよい
し、ハードウェアにより実現されてもよい。
In the above, the present invention can be variously modified. For example, each storage unit may be a magnetic disk device such as a hard disk device or a magneto-optical disk device. Further, each means may be realized by software or hardware.

【0061】また本発明は、実施の形態1または実施の
形態2のようにして判別した耐圧毎のダミーレイヤの配
置情報に基づいて、図9に示す素子と素子との分離幅に
対して、そのレイヤどうしの間隔で耐圧に不十分なレイ
アウト部分を発見することにも適用できる。このように
すれば、目視で確認することなくダミーレイヤで囲まれ
るエリア外で自動的にレイヤ幅、間隔のチェック値を変
更することによってチェックミスを防ぐことができるの
で、DRCを精度よく実行することができる。
Further, according to the present invention, based on the arrangement information of the dummy layers for each withstand voltage determined as in the first or second embodiment, the separation width between the elements shown in FIG. The invention can also be applied to finding a layout portion having an insufficient withstand voltage at an interval between the layers. By doing so, it is possible to prevent a check error by automatically changing the check values of the layer width and the interval outside the area surrounded by the dummy layer without visually confirming, so that the DRC can be executed accurately. be able to.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上、説明したとおり、本発明にかかる
レイアウト検証方法によれば、レイアウト図に素子の耐
圧に応じたダミーレイヤが重ねて表示されるため、耐圧
の違いにより設計ルールの検証時に発生する疑似的なエ
ラーの確認を効率的に行うことができ、従来よりも短時
間でレイアウト検証の結果確認を完了することができ
る。
As described above, according to the layout verification method of the present invention, a dummy layer corresponding to the withstand voltage of an element is superimposed and displayed on a layout diagram. The pseudo error that occurs can be efficiently confirmed, and the result of layout verification can be completed in a shorter time than before.

【0063】また本発明にかかるレイアウト検証方法に
よれば、レイアウトの配線情報およびパッド部に付加さ
れた電圧情報から耐圧情報が抽出され、それに基づいて
耐圧別のダミーレイヤが自動的に生成され、それがレイ
アウト図に重ねて表示されるため、耐圧毎のダミーレイ
ヤで囲まれるエリア内で耐圧に対してチェックする値が
変わるエラー部分を目視により容易に確認することが可
能となり、擬似的なエラーと本当のエラーとの判別を迅
速に行うことができ、レイアウト検証の結果確認に要す
る時間を短縮することができる。
According to the layout verification method of the present invention, withstand voltage information is extracted from the wiring information of the layout and the voltage information added to the pad portion, and a dummy layer for each withstand voltage is automatically generated based on the information. Since it is superimposed on the layout diagram, it is possible to easily visually confirm an error portion in which the value to be checked with respect to the withstand voltage changes in an area surrounded by the dummy layer for each withstand voltage, and to provide a pseudo error. And a real error can be quickly determined, and the time required to confirm the layout verification result can be reduced.

【0064】また本発明にかかるレイアウト検証方法に
よれば、素子シンボルに付加された電圧情報から耐圧情
報が抽出され、それに基づいて耐圧別のダミーレイヤが
自動的に生成され、それがレイアウト図に重ねて表示さ
れるため、耐圧毎のダミーレイヤで囲まれるエリア内で
耐圧に対してチェックする値が変わるエラー部分を目視
により容易に確認することが可能となり、擬似的なエラ
ーと本当のエラーとの判別を迅速に行うことができ、レ
イアウト検証の結果確認に要する時間を短縮することが
できる。
According to the layout verification method of the present invention, withstand voltage information is extracted from the voltage information added to the element symbols, and a dummy layer for each withstand voltage is automatically generated based on the extracted withstand voltage information. Since it is displayed in an overlapping manner, it is possible to easily visually confirm an error portion where a value to be checked with respect to a withstand voltage changes in an area surrounded by a dummy layer for each withstand voltage, and a pseudo error and a real error can be confirmed. Can be promptly determined, and the time required for confirming the layout verification result can be reduced.

【0065】さらに本発明にかかるレイアウト検証方法
によれば、耐圧毎のダミーレイヤがレイアウト上に配置
された後、ダミーレイヤで囲まれたエリア内で耐圧によ
ってチェック値を変化できる設計ルールを用いることに
より、ダミーレイヤに重なるエリア内では耐圧に応じて
レイヤ幅、間隔および包含距離等のチェック値が自動的
に変更されて検証が行われるため、疑似的なエラーが発
生しない。従ってエラーのチェックミスを防止でき、精
度よくエラー確認を極めて短時間で行うことができる。
また異なる耐圧毎に設計ルールの検証を実行する手間が
省けるので、設計ルールの検証時間が短縮される。
Further, according to the layout verification method of the present invention, after a dummy layer for each withstand voltage is arranged on the layout, a design rule that can change the check value depending on the withstand voltage in an area surrounded by the dummy layer is used. Accordingly, in the area overlapping the dummy layer, the check values such as the layer width, the interval, and the inclusion distance are automatically changed according to the withstand voltage, and the verification is performed, so that a pseudo error does not occur. Therefore, errors in checking errors can be prevented, and errors can be accurately confirmed in a very short time.
Further, since it is not necessary to execute the verification of the design rule for each different withstand voltage, the verification time of the design rule is reduced.

【0066】本発明にかかるレイアウト検証装置によれ
ば、レイアウト図に素子の耐圧に応じたダミーレイヤが
重ねて表示されるため、耐圧の違いにより設計ルールの
検証時に発生する疑似的なエラーの確認を効率的に行う
ことができ、従来よりも短時間でレイアウト検証の結果
確認を完了することができる。
According to the layout verifying apparatus of the present invention, a dummy layer corresponding to the withstand voltage of the element is superimposed and displayed on the layout diagram, so that a pseudo error generated at the time of design rule verification due to a difference in withstand voltage is confirmed. Can be performed efficiently, and the result of layout verification can be confirmed in a shorter time than before.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1によるレイアウト検証
装置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a layout verification device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 実施の形態1によるレイアウト検証結果の表
示例の一部を示すレイアウト図である。
FIG. 2 is a layout diagram illustrating a part of a display example of a layout verification result according to the first embodiment;

【図3】 実施の形態1によるレイアウト検証手順の一
例を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a layout verification procedure according to the first embodiment;

【図4】 本発明の実施の形態2によるレイアウト検証
装置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a layout verification device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 実施の形態2によるレイアウト検証結果の表
示例の一部を示すレイアウト図である。
FIG. 5 is a layout diagram showing a part of a display example of a layout verification result according to the second embodiment.

【図6】 実施の形態2によるレイアウト検証手順の一
例を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a layout verification procedure according to the second embodiment;

【図7】 本発明の実施の形態3によるレイアウト検証
装置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a layout verification device according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 実施の形態3によるレイアウト検証手順の一
例を示すフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a layout verification procedure according to the third embodiment;

【図9】 判別した耐圧毎のダミーレイヤの配置情報に
基づいて、素子と素子の分離幅に対して、そのレイヤど
うしの間隔で耐圧に不十分なレイアウト部分を発見する
ことができることを説明するICのチップレイアウトを
示す模式図である。
FIG. 9 explains that, based on the determined dummy layer arrangement information for each withstand voltage, a layout portion having an insufficient withstand voltage can be found at an interval between layers with respect to an element-to-element separation width. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an IC chip layout.

【図10】 電圧値の異なる電源により動作される素子
が混在するICのチップレイアウトを示す模式図であ
る。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a chip layout of an IC in which elements operated by power supplies having different voltage values are mixed.

【図11】 従来におけるIC設計用レイアウト検証装
置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional IC design layout verification apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Va,Vb 電源電圧、20a,20b 素子、21
a,21b パッド部、22a,22b ダミーレイ
ヤ、23a,23b シンボル、31,64 レイアウ
トデータを記憶した記憶部、32 電源電圧Vaに対す
る耐圧での設計ルールを記憶した記憶部、33 電源電
圧Vbに対する耐圧での設計ルールを記憶した記憶部、
34,35,66 DRC実行手段、36,37,67
DRCエラー情報を記憶する記憶部、38,68 エ
ラー情報付加手段、39,69 表示手段、41,51
耐圧情報付加手段、42 素子認識、同電位追跡手
段、43,61 ダミーレイヤ発生手段、44,62
耐圧別ダミーレイヤ情報を記憶する記憶部、45,63
ダミーレイヤ情報付加手段、52 回路図データを記
憶した記憶部、53 回路図・レイアウト情報比較手
段、65 ダミーレイヤで囲まれたエリア内で耐圧によ
ってチェック値を変化できる設計ルールを記憶した記憶
部。
Va, Vb power supply voltage, 20a, 20b element, 21
a, 21b pad section, 22a, 22b dummy layer, 23a, 23b symbol, 31, 64 storage section for storing layout data, 32 storage section for storing design rules based on withstand voltage for power supply voltage Va, 33 withstand voltage for power supply voltage Vb Storage unit that stores the design rules in
34, 35, 66 DRC executing means, 36, 37, 67
Storage section for storing DRC error information, 38, 68 error information adding means, 39, 69 display means, 41, 51
Withstand voltage information adding means, 42 element recognition, same potential tracking means, 43, 61 dummy layer generating means, 44, 62
Storage unit for storing breakdown voltage-specific dummy layer information, 45, 63
Dummy layer information adding means, 52 Storage section storing circuit diagram data, 53 Circuit diagram / layout information comparing section, 65 Storage section storing design rules capable of changing a check value depending on withstand voltage in an area surrounded by a dummy layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶽ノ 弘幸 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5F038 BE09 CA18 DT10 DT19 EZ20 5F064 DD26 DD39 DD46 HH10 HH14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Hiroyuki Takeno 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 5F038 BE09 CA18 DT10 DT19 EZ20 5F064 DD26 DD39 DD46 HH10 HH14

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 異なる電圧で動作する素子が混在する集
積回路のレイアウト検証を行うにあたって、 各素子毎に、当該素子の動作電圧に基づいてその動作電
圧に応じたダミーレイヤを発生する工程と、 生成されたダミーレイヤをレイアウト図と重ねて表示す
る工程と、 を含むことを特徴とするレイアウト検証方法。
In performing a layout verification of an integrated circuit in which elements operating at different voltages are mixed, a step of generating a dummy layer corresponding to the operating voltage for each element based on the operating voltage of the element; Displaying the generated dummy layer in a manner superimposed on the layout diagram.
【請求項2】 前記ダミーレイヤを発生する工程は、 素子に接続されたパッド部に印加される電圧の情報と、
同電位の配線情報とに基づいて、異なる電圧の電源に接
続される素子の耐圧情報を抽出する工程と、 その耐圧情報に基づいて耐圧毎のダミーレイヤを発生す
る工程と、 を含むことを特徴とする請求項1に記載のレイアウト検
証方法。
2. The step of generating the dummy layer includes: information on a voltage applied to a pad connected to an element;
A step of extracting withstand voltage information of elements connected to power supplies of different voltages based on wiring information of the same potential; and a step of generating a dummy layer for each withstand voltage based on the withstand voltage information. 2. The layout verification method according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記ダミーレイヤを発生する工程は、 回路図のシンボルに動作電圧の情報が付加された回路図
に基づいて、検証対象のレイアウトに対して素子または
素子間の接続が正しいことを検証する工程と、 その検証結果とシンボルに付加された動作電圧情報とに
基づいて、レイアウト図の素子の耐圧情報を抽出する工
程と、 その耐圧情報に基づいて耐圧毎のダミーレイヤを発生す
る工程と、 を含むことを特徴とする請求項1に記載のレイアウト検
証方法。
3. The step of generating a dummy layer includes: verifying that elements or connections between elements are correct for a layout to be verified based on a circuit diagram in which operating voltage information is added to a symbol of the circuit diagram. A step of verifying, a step of extracting withstand voltage information of an element in a layout diagram based on the verification result and the operating voltage information added to the symbol, and a step of generating a dummy layer for each withstand voltage based on the withstand voltage information The layout verification method according to claim 1, further comprising:
【請求項4】 レイアウト図の、ダミーレイヤで囲まれ
たエリア内で耐圧によってチェック値を変化できる設計
ルールを用い、チェック対象の素子または部分に対し
て、チェック値をその素子または部分の耐圧に応じて変
更しながら設計ルールに適合していることの検証を行う
ことを特徴とする請求項1、2または3に記載のレイア
ウト検証方法。
4. A design rule that can change a check value according to a withstand voltage in an area surrounded by a dummy layer in a layout diagram, and for a device or a portion to be checked, the check value is set to a withstand voltage of the device or the portion. 4. The layout verification method according to claim 1, wherein the verification is performed while conforming to the design rule while changing the layout.
【請求項5】 異なる電圧で動作する素子が混在する集
積回路のレイアウト検証を行うレイアウト検証装置であ
って、 各素子毎に、当該素子の動作電圧に基づいてその動作電
圧に応じたダミーレイヤを発生する手段と、 生成されたダミーレイヤをレイアウト図と重ねて表示す
る手段と、 を具備することを特徴とするレイアウト検証装置。
5. A layout verification apparatus for verifying a layout of an integrated circuit in which elements operating at different voltages are mixed, wherein a dummy layer corresponding to the operation voltage is provided for each element based on the operation voltage of the element. A layout verification device comprising: a generating unit; and a unit configured to display the generated dummy layer so as to overlap the layout diagram.
JP10291784A 1998-10-14 1998-10-14 Method and device for verifying layout Pending JP2000124320A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10291784A JP2000124320A (en) 1998-10-14 1998-10-14 Method and device for verifying layout

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10291784A JP2000124320A (en) 1998-10-14 1998-10-14 Method and device for verifying layout

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000124320A true JP2000124320A (en) 2000-04-28

Family

ID=17773392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10291784A Pending JP2000124320A (en) 1998-10-14 1998-10-14 Method and device for verifying layout

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000124320A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1298047C (en) * 2003-02-21 2007-01-31 上海芯华微电子有限公司 Validity verification of bipolar integrated circuit design and electric network consistency comparison method
JP2009194315A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Nec Electronics Corp Layout verification apparatus and layout verification method
EP4187430A1 (en) 2021-11-30 2023-05-31 ABLIC Inc. Layout design support apparatus, layout design support method, and manufacturing method of semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1298047C (en) * 2003-02-21 2007-01-31 上海芯华微电子有限公司 Validity verification of bipolar integrated circuit design and electric network consistency comparison method
JP2009194315A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Nec Electronics Corp Layout verification apparatus and layout verification method
EP4187430A1 (en) 2021-11-30 2023-05-31 ABLIC Inc. Layout design support apparatus, layout design support method, and manufacturing method of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6732338B2 (en) Method for comprehensively verifying design rule checking runsets
US20070234262A1 (en) Method and apparatus for inspecting element layout in semiconductor device
US6502229B2 (en) Method for inserting antenna diodes into an integrated circuit design
CN109543308B (en) Method for verifying design rule check script
US20090094568A1 (en) Validation Of An Integrated Circuit For Electro Static Discharge Compliance
JP2000124320A (en) Method and device for verifying layout
CN112347735A (en) Method for detecting and generating standard cell, medium, and device
US7073148B1 (en) Antenna violation correction in high-density integrated circuits
CN112257382A (en) Physical verification method, system, device and storage medium for chip design
JP2004220132A (en) Wiring pattern verification method, program and device
JP2006155524A (en) Verification method, verification device and verification program for semiconductor integrated circuit
TW200421133A (en) Method of wide wire identification
US6965853B2 (en) Back annotation apparatus for carrying out a simulation based on the extraction result in regard to parasitic elements
JP5650362B2 (en) Semiconductor integrated circuit design method
JP2002269169A (en) Automatic circuit verifying device
JP2822969B2 (en) Verification method of integrated circuit mask pattern
JPH1196200A (en) Semiconductor designing device
US20240012946A1 (en) Security measures for signal paths with tree structures
JP3917342B2 (en) Test program generator for logic verification
JP2000035982A (en) Verification device for lsi design
JP2017162429A (en) Information processing device and method, and program
JP2007011995A (en) Transistor model generation device and transistor model generation method
JPH01293530A (en) Method of sampling transistor size from mask pattern
JP2004062340A (en) Device and method for verifying wiring width
JP2012238144A (en) Layout verification device, layout verification method, and program