JP2000124004A

JP2000124004A - Ｐｔｃサーミスタ素子

Info

Publication number: JP2000124004A
Application number: JP10290945A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Yamada; 芳弘山田; Gakuo Haga; 岳夫芳賀; Yoshitaka Nagao; 吉高長尾
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-13
Filing date: 1998-10-13
Publication date: 2000-04-28
Also published as: EP0994491A2; EP0994491A3; TW445463B

Abstract

(57)【要約】【課題】サーミスタ素体の厚みが薄く、低抵抗化が可
能であり、サーミスタ素体の破損が生じ難く、リード付
き電子部品として構成し得るＰＴＣサーミスタ素子を得
る。【解決手段】チタン酸バリウム系セラミックスよりな
り、厚みが０．１〜０．３ｍｍの範囲にあり、かつ両主
面の面積が２５〜１２１ｍｍ²の範囲または両主面の面
方向に沿う最大寸法が６〜１７ｍｍの範囲にある板状の
サーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の両主面に形成
された一対の電極２ｃ，２ｄと、電極２ｃ，２ｄに接合
されたリード線３，４と、リード線３，４が引き出され
ている部分を除いてサーミスタ素体を被覆するように形
成された絶縁性樹脂層７とを備えるＰＴＣサーミスタ素
子１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば過電流保護
用素子として用いられるＰＴＣ（正特性）サーミスタ素
子に関し、より詳細には、低抵抗化に対応するために厚
みを薄くすることが可能とされたＰＴＣサーミスタ素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】過電流保護素子や熱検出素子として、Ｐ
ＴＣサーミスタ素子が用いられている。近年、より抵抗
値が低いＰＴＣサーミスタ素子が求められている。一般
に、ＰＴＣサーミスタ素子は、板状のサーミスタ素体の
両主面に電極を形成した構造を有する。従って、抵抗値
を低めるには、板状のサーミスタ素体を薄くし、かつサ
ーミスタ素体の対向し合っている主面に形成されている
電極の面積を大きくすればよい。

【０００３】従って、外形寸法の増大を避けるために、
サーミスタ素体の主面の大きさを一定としたまま抵抗値
を低めるには、サーミスタ素体の厚みを薄くする必要が
ある。しかしながら、サーミスタ素体の厚みを薄くした
場合、サーミスタ素体の抗折強度が大幅に低下する。

【０００４】すなわち、ＰＴＣサーミスタ素子において
サーミスタ素体に加わる応力をＰｍとし、サーミスタ素
体の抗折力をτとすると、Ｐｍ＝（２／３）τ・Ｗ・
（ｔ²／Ｌ）となる。ここで、Ｗはサーミスタ素体の幅
寸法を、ｔはサーミスタ素体の厚みを、Ｌは抗折強度を
測定するために上記幅方向と直交する方向に一対の支点
を配置して応力を加えた場合の支点間の距離を示す。

【０００５】従って、上記式から明らかなように、サー
ミスタ素体が耐え得る応力は、厚みの二乗に比例する。
また、サーミスタ素体の主面の寸法を大きくすること
は、上記支点間距離Ｌが大きくなることを意味し、従っ
て、それによってもサーミスタ素体が耐え得る応力の低
下を招くことになる。

【０００６】よって、サーミスタ素体の厚みを薄くする
にも、抗折強度が低下するため限度があり、かつサーミ
スタ素体の主面の面積を大きくした場合においても、や
はり抗折強度が低下することになる。すなわち、単にサ
ーミスタ素体の厚みを薄くし、かつその主面の面積を大
きくするにも限度があり、ＰＴＣサーミスタ素子の低抵
抗化には大きな制約があった。

【０００７】一般に、チタン酸バリウム系セラミックス
を主体とするサーミスタ素体を用いたＰＴＣサーミスタ
素子では、サーミスタ素体の厚みが０．４ｍｍ以下にな
ると、上記支点間距離Ｌ＝６ｍｍの場合、６００ｇ・ｆ
程度の応力に耐えられない。従って、リード線が接合さ
れたタイプのＰＴＣサーミスタ素子を構成した場合、リ
ード線接合時に加わる応力が６００ｇ・ｆ程度であるた
め、サーミスタ素体の割れが生じ易くなる。従って、チ
タン酸バリウム系セラミックスを用いた場合、実際に
は、サーミスタ素体の厚みを０．４ｍｍ以下としたリー
ド付きのＰＴＣサーミスタ素子を製品化することは非常
に困難であった。

【０００８】また、上記のような厚みのＰＴＣサーミス
タ素子を得ることが可能であったとしても、プリント回
路基板などに実装するに際し加わる応力により、サーミ
スタ素体の破損が生じるおそれがあった。

【０００９】他方、特開平８−１３８９０６号公報に
は、厚みが０．４ｍｍ以下のサーミスタ素体を用いた正
特性サーミスタ装置が開示されている。ここでは、両面
に電極が形成されたサーミスタ素体が支持基板２に積層
されており、該支持基板２によりサーミスタ素体が補強
されている。支持基板の補強効果を利用することによ
り、０．４ｍｍ以下の厚みのサーミスタ素体を用いて２
０Ω以下の低抵抗のＰＴＣサーミスタ装置が得られるこ
とが示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】特開平８−１３８９０
６号公報に開示されている正特性サーミスタ装置では、
サーミスタ素体の一方主面側に支持基板が積層されてお
り、該支持基板により補強効果が得られている。従っ
て、支持基板側のサーミスタ素体主面に形成された電極
が支持基板で隠されるため、該電極を支持基板とサーミ
スタ素体との積層体側面に引き出すためにさらに電極を
形成する必要があった。

【００１１】また、支持基板側のサーミスタ素体主面の
電極の外側面が支持基板で隠されることになるため、リ
ード付き電子部品として構成することが困難であった。
すなわち、サーミスタ素体の両主面に形成された電極に
一対のリード線をそれぞれ接合してなる通常のリード付
き電子部品として構成することは非常に困難であった。

【００１２】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、サーミスタ素体の厚みが薄く、それによって
抵抗値を低めることが可能であるだけでなく、サーミス
タ素体の破損が生じ難く、リード付き電子部品として構
成することができ、かつ外部との接続のための余分な電
極の形成を必要としない、ＰＴＣサーミスタ素子を提供
することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、チタン酸バリウム系セラミックスからなるサーミス
タ素体を用いて構成されており、２５℃における抵抗値
が０．２Ω以下であるＰＴＣサーミスタ素子であって、
チタン酸バリウム系セラミックスよりなり、厚みが０．
１〜０．３ｍｍの範囲にあり、かつ両主面の面積が２５
〜１２１ｍｍ²の範囲もしくは両主面の面方向に沿う最
大寸法が６〜１７ｍｍの範囲にある板状のサーミスタ素
体と、前記サーミスタ素体の両主面に形成された一対の
電極と、前記一対の電極にそれぞれ接合された一対のリ
ード線と、前記リード線が引き出されている部分を除い
て前記サーミスタ素体、電極及びリード線を被覆するよ
うに形成された絶縁性樹脂層とを備えることを特徴とす
る。

【００１４】請求項２に記載の発明では、リード線が、
半田で被覆されたＣｕ線またはＦｅ線からなり、該リー
ド線の直径が０．６５ｍｍ以下とされている。請求項３
に記載の発明では、少なくとも１つのリード線のサーミ
スタ素体から引き出されている部分の途中にキンク形状
部が設けられている。

【００１５】請求項４に記載の発明では、絶縁性樹脂層
が、ＪＩＳＫ６９１１における曲げ強度が１０Ｍｐａ
以上、５０Ｍｐａ以下の樹脂材料からなり、絶縁性樹脂
層のサーミスタ素体上における厚みが０．４〜０．８ｍ
ｍの範囲とされている。請求項５に記載の発明では、絶
縁性樹脂層が、シリコーン系樹脂材料またはエポキシ系
樹脂材料により構成されている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。

【００１７】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施
例に係るＰＴＣサーミスタ素子を示す正面図及び略図的
側面図である。ＰＴＣサーミスタ素子１は、図１（ｂ）
に示すように、サーミスタ素体２と、リード線３，４と
を有する。

【００１８】図２（ａ）及び（ｂ）に、サーミスタ素体
２の両主面にリード線３，４を接合した状態を示す。サ
ーミスタ素体２は、本実施例では、チタン酸バリウム系
セラミックスよりなり、かつ矩形板状の形状を有する。
サーミスタ素体２は、その厚みが０．１〜０．３ｍｍの
範囲とされている。また、対向し合う一対の主面２ａ，
２ｂの面積は２５〜１２１ｍｍ²の範囲にあり、あるい
は両主面２ａ，２ｂの面方向に沿う最大寸法が６〜１７
ｍｍの範囲にある。なお、面方向についての説明は後述
する。

【００１９】サーミスタ素体の厚みが０．１ｍｍ未満の
場合には、機械的強度が低くなりすぎ、ＰＴＣサーミス
タ素子の製造が不可能となり、０．３ｍｍを超えると、
抵抗値が大きくなり、低抵抗化を図るには素子寸法が大
きくなる。

【００２０】サーミスタ素体の一対の主面２ａ，２ｂの
面積が１２１ｍｍ²を超えると、サーミスタ素体の厚み
が上記のように薄いため、リード線３，４の取り付けに
際してのヒートショックによりサーミスタ素体２が割れ
易くなる。サーミスタ素体２の主面２ａ，２ｂの面積が
２５ｍｍ²未満の場合には、低抵抗化が困難となる。

【００２１】また、サーミスタ素体２の主面２ａ，２ｂ
の面方向に沿う最大寸法が１７ｍｍを超えると、上記の
ようにサーミスタ素体の主面２ａ，２ｂの面積が大きく
なった場合と同様に、リード線３，４の接合に際しての
ヒートショックによりサーミスタ素体２が割れ易くな
る。また、上記最大寸法が６ｍｍ未満の場合には、低抵
抗化を図ることが困難となる。

【００２２】なお、サーミスタ素体２の主面２ａ，２ｂ
の面方向に沿う最大寸法とは、サーミスタ素体２が正方
形板の場合には、正方形の一辺の長さとなり、矩形の場
合には、長辺の長さである。また、サーミスタ素体２が
円板状の場合には、円の直径をいうものとする。

【００２３】また、サーミスタ素体２の両主面２ａ，２
ｂには、一対の電極２ｃ，２ｄが形成されている。電極
２ｃ，２ｄは、Ｃｒ層、Ｎｉ−Ｃｕ層及びＡｇ層を積層
した構造を有する。

【００２４】電極２ｃ，２ｄ上には、それぞれ、半田
５，６を介してリード線３，４が接合されている。リー
ド線３，４は、一端側において、電極２ｃ，２ｄに半田
５，６を用いて接合されている。また、リード線３，４
のサーミスタ素体２から引き出されている部分の途中に
は、キンク形状部３ａ，４ａが形成されている。キンク
形状部３ａ，４ａとは、図１及び図２に示されているよ
うに、リード線３，４の一部が側方に突出するように折
り曲げられた形状をいうものとする。

【００２５】このキンク形状部３ａ，４ａが設けられて
いるため、リード線３，４のキンク形状部３ａ，４ａよ
りも先端側部分３ｂ，４ｂに応力が加わった場合、該応
力がキンク形状部３ａ，４ａで吸収される。従って、上
記応力が、サーミスタ素体２側に伝わり難く、それによ
ってサーミスタ素体２とリード線３，４との半田５，６
による接合部分の破壊やサーミスタ素体２の破損が生じ
難い。

【００２６】上記キンク形状部３ａ，４ａは、図示の実
施例では、リード線３，４の途中の１ヵ所に設けられて
いたが、キンク形状部３ａ，４ａは複数設けられていて
もよい。

【００２７】リード線３，４は、本実施例では、０．６
５ｍｍのＣｕ線により構成されている。従って、リード
線３，４が比較的柔らかいため、それによってもリード
線３，４に加わった応力が、サーミスタ素体２やサーミ
スタ素体２とリード線３，４との接合部分に加わり難
い。もっとも、Ｃｕ線に代えて、Ｆｅ線などの他の比較
的柔らかい金属材料によりリード線３，４を構成しても
よい。

【００２８】リード線３，４の直径については、０．６
５ｍｍ以下とすることが望ましい。リード線３，４の直
径が０．６５ｍｍを超えると、リード線３，４の剛性が
高くなり、リード線に加わった応力がサーミスタ素体２
側に加わり易くなることがある。

【００２９】本実施例のＰＴＣサーミスタ素子１では、
上記のようにサーミスタ素体２に半田５，６によりリー
ド線３，４が接合された構造において、図１に示すよう
に、リード線３，４が引き出されている部分を除く残り
の部分が絶縁性樹脂層７により被覆されている。すなわ
ち、リード線３，４が引き出されている部分を除いて、
サーミスタ素体２、電極２ｃ，２ｄ及びリード線３，４
を被覆するように絶縁性樹脂層７が形成されている。

【００３０】上記絶縁性樹脂層７は、サーミスタ素体２
が比較的薄いため、その機械的強度を補強するため、並
びに耐湿性などの耐環境特性を高めるために設けられて
いる。

【００３１】絶縁性樹脂層７としては、好ましくは、Ｊ
ＩＳＫ６９１１における曲げ強度が１０Ｍｐａ以上、
５０Ｍｐａ以下の樹脂材料が用いられる。この曲げ強度
が１０Ｍｐａ未満の樹脂材料の場合には、サーミスタ素
体２を補強する効果が十分に得られず、サーミスタ素体
２の厚みを上記のようにかなり薄くし、低抵抗化を図っ
た場合、ＰＴＣサーミスタ素子１の抗曲強度が低下する
ことがある。また、上記曲げ強度の上限値については、
高い方が好ましいが、曲げ強度が大きい樹脂は一般に反
応収縮が大きく、樹脂硬化後にサーミスタ素体２に大き
な応力がかかることになり、本発明のように薄いＰＴＣ
サーミスタ素子を用いる場合は割れを防ぐために通常の
絶縁性樹脂層の場合、５０Ｍｐａ程度が上限値となる。

【００３２】また、上記絶縁性樹脂層７のサーミスタ素
体２上における厚みは、０．４〜０．８ｍｍの範囲とす
ることが好ましい。０．４ｍｍ未満では、サーミスタ素
体２を補強する効果が十分に得られないことがあり、
０．８ｍｍを超えると、サーミスタ素体２を補強する効
果は十分であるものの、樹脂による熱容量の増大を招
き、サーミスタ素子発熱時の温度応答性が低下する。

【００３３】上記絶縁性樹脂層７を構成する絶縁性樹脂
としては、上述した曲げ強度を達成し得るものが好まし
く、特に限定されるわけではない。用いる絶縁性樹脂の
例としては、上記曲げ強度を実現するには、エポキシ樹
脂やフェノール樹脂などの機械的強度に優れた樹脂材料
を用いることができる。また、シリコーン樹脂のような
機械的強度の低い樹脂材料の場合においても、シリコー
ン樹脂に、シリカなどの無機充填剤を配合することによ
り機械的強度を高めることができ、従って、シリコーン
系樹脂材料も用いることができる。

【００３４】特に、ＰＴＣサーミスタ素子１は発熱素子
であるため、耐熱性に優れた樹脂材料により絶縁性樹脂
層７を構成することが好ましい。従って、エポキシ樹脂
や、上記のように無機充填剤を配合することにより機械
的強度が高められたシリコーン系樹脂材料は、耐熱性に
優れているため、絶縁性樹脂層７を構成する材料として
好適に用いられる。

【００３５】本実施例のＰＴＣサーミスタ素子１では、
上記のように、サーミスタ素体がチタン酸バリウム系セ
ラミックスよりなり、その厚みが０．３ｍｍ以下であ
り、両主面の面積が２５〜１２１ｍｍ²の範囲にあり、
両主面の面方向に沿う最大寸法が６〜１７ｍｍの範囲に
あるため、両主面に形成された電極間の２５℃における
抵抗値が０．２Ω以下と非常に低くされる。しかも、上
記のように厚みの薄いサーミスタ素体を用いているが、
リード線３，４が引き出されている部分を除いて、サー
ミスタ素体２、電極２ｃ，２ｄを被覆するように絶縁性
樹脂層７が形成されてサーミスタ素体２が補強されてい
るので、機械的強度が効果的に高められる。

【００３６】加えて、キンク形状部３ａ，４ａがリード
線３，４に形成されているため、並びにリード線３，４
が比較的柔らかい直径０．６５ｍｍのＣｕ線により構成
されているので、リード線３，４に応力が加わったとし
ても、サーミスタ素体２及びサーミスタ素体２とリード
線３，４との接合部分への応力の伝達が効果的に抑制さ
れる。従って、ＰＴＣサーミスタ素子１の絶縁性樹脂層
７の外表面に接触方法にてマーキングすることができ
る。また、従来の比較的抵抗値の大きなリード付きＰＴ
Ｃサーミスタ素子と同様に、袋内に多数のＰＴＣサーミ
スタ素子１をランダムに収納し、出荷することができ
る。さらに、ＰＴＣサーミスタ素子１をプリント回路基
板などに実装する際に、リード線３，４に応力が加わっ
たとしても、素子の破壊が生じ難い。

【００３７】なお、上記実施例では、ＰＴＣサーミスタ
素子１のサーミスタ素体２は矩形板状の形状とされてい
たが、円板状などの他の形状とされていてもよい。すな
わち、図３（ａ），（ｂ）並びに図４（ａ），（ｂ）に
示すように、円板状のサーミスタ素体１２を用いてもよ
い。なお、図３及び図４に示すＰＴＣサーミスタ素子１
１は、円板状のサーミスタ素体１２を用いたことを除い
ては、上記実施例のＰＴＣサーミスタ素子１と同様に構
成されている。

【００３８】次に、具体的な実験例につき説明する。チ
タン酸バリウム系セラミックスを主体とする正の温度特
性を有するサーミスタ材料を用い、下記の表１に示すよ
うに種々のサーミスタ素体を用意した。用意したサーミ
スタ素体は正方形板状であるため、表１における素子長
寸法とは、正方形の一辺の長さを示す。上述した種々の
サーミスタ素体を用い、以下の従来例及び実施例の各Ｐ
ＴＣサーミスタ素子を用意した。

【００３９】（従来例）上記サーミスタ素体として、厚
みが０．５ｍｍであり、素子長寸法が４〜２５ｍｍの範
囲にある種々のサーミスタ素体を用いた。上記サーミス
タ素体の抗折強度を測定した。結果を下記の表１及び図
５に示す。

【００４０】サーミスタ素体の両主面に、Ｃｒ、Ｎｉ−
Ｃｕ及びＡｇをこの順にスパッタリングし、両主面の全
面に電極を形成した。上記両主面の電極に、直径０．６
ｍｍのＣｕ線をリード線として半田により接合した。

【００４１】さらに、絶縁性樹脂層を構成する樹脂材料
としてシリコーン系樹脂を用い、リード線が引き出され
ている部分を除いて該樹脂材料で被覆し、０．５ｍｍの
厚みの絶縁性樹脂層を形成した。なお、上記絶縁性樹脂
層を構成する樹脂材料のＪＩＳＫ６９１１における曲
げ強度は１０Ｍｐａである。上記のようにして得た従来
例のＰＴＣサーミスタ素子について、その抗折強度を測
定した。結果を表１及び図５に示す。

【００４２】（実施例）上記従来例として用意したサー
ミスタ素体を構成したサーミスタ材料と同じ材料を用
い、但し、厚みが０．２ｍｍであり、素子長寸法が４〜
１４ｍｍの範囲にある複数の正方形板状のサーミスタ素
体を用いた。各サーミスタ素体について、従来例の場合
と同様にして抗折強度を測定した。結果を下記の表１及
び図５に示す。

【００４３】さらに、上記のようにして得たサーミスタ
素体の両主面に、従来例の場合と同様にして電極を形成
し、かつ直径０．５ｍｍのＣｕ線をリード線として半田
により接合した。さらに、リード線を接合した後に、シ
リコーン系樹脂よりなる樹脂材料を用い、厚み０．６、
０．７または０．８ｍｍの絶縁性樹脂層を形成し、実施
例１〜３のＰＴＣサーミスタ素子を得た。

【００４４】なお、上記樹脂材料の曲げ強度は１０Ｍｐ
ａである。上記のようにして得た各ＰＴＣサーミスタ素
子の抗折強度を表１及び図５に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】図５における破線Ａは、従来法による加工
限界（抗折強度＝６００ｇ・ｆ）を示す。図５から明ら
かなように、従来例のサーミスタ素体では、素子長寸法
が２０ｍｍの場合には、抗折強度が５５５．６ｇ・ｆで
あり、加工限界を下回る。もっとも、リード線を接合
し、絶縁性樹脂層を構成した従来例のＰＴＣサーミスタ
素子では、長寸法２０ｍｍの場合においても、抗折強度
は６９１．６ｇ・ｆであり、加工限界を上回ることがわ
かる。

【００４７】すなわち、従来例のＰＴＣサーミスタ素子
では、素子厚みが０．５ｍｍと厚いため、加工限界を上
回る抗折強度が実現されている。他方、実施例で用意し
た発明品サーミスタ素体では、表１及び図５から明らか
なように、素子長寸法が４〜１４ｍｍの範囲において、
２６８．３ｇ・ｆ以下と非常に小さく、従って加工限界
を下回っていることがわかる。

【００４８】しかしながら、実施例１〜３に示されてい
るように、上記サーミスタ素体にリード線を接合し、絶
縁性樹脂層を形成した場合には、素子厚みが０．２ｍｍ
と薄い場合であっても、表１及び図５から明らかなよう
に、抗折強度が加工限界である６００ｇ・ｆを上回るこ
とがわかる。すなわち、厚みが０．２ｍｍと薄いサーミ
スタ素体を用いた場合であっても、本発明に従ってリー
ド線を接合し、絶縁性樹脂層を構成した場合、加工限界
を上回るため、厚みの薄いサーミスタ素体を用い、小型
でありかつ低抵抗のＰＴＣサーミスタ素子を提供し得る
ことがわかる。

【００４９】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るＰＴＣサー
ミスタ素子では、チタン酸バリウム系セラミックスから
なり、厚みが０．１〜０．３ｍｍと非常に薄いサーミス
タ素体を用いているが、該サーミスタ素体の両主面の面
積が２５〜１２１ｍｍ²の範囲または両主面の面方向に
沿う最大寸法が６〜１７ｍｍの範囲にあるため、両主面
に形成された一対の電極に、リード線を例えば半田によ
り接合した場合、サーミスタ素体の割れが生じ難い。加
えて、絶縁性樹脂層によりサーミスタ素体が被覆される
ので、ＰＴＣサーミスタ素子の抗折強度が効果的に高め
られる。

【００５０】よって、厚みが０．３ｍｍと薄いサーミス
タ素体を用いることによって、従来困難であった２５℃
における抵抗値が０．２Ω以下のＰＴＣサーミスタ素子
をリード付き形状でサーミスタ素体に割れを生じさせる
ことなく安定に供給することができる。

【００５１】請求項２に記載の発明では、上記リード線
が、半田で被覆されたＣｕ線またはＦｅ線からなり、か
つリード線の直径が０．６５ｍｍ以下であるため、リー
ド線が十分な柔軟性を有する。従って、リード線接合時
のサーミスタ素体に加わる応力を吸収することができ、
それによってリード線接合時にサーミスタ素体の割れが
生じ難い。

【００５２】請求項３に記載の発明では、少なくとも１
つのリード線のサーミスタ素体から引き出されている部
分の途中に上記キンク形状部が設けられているので、リ
ード線接合時に際し、キンク形状部よりも外側のリード
線部分に応力が加わったとしても、該応力がキンク形状
部により効果的に吸収される。従って、リード線接合時
のサーミスタ素体の割れがより一層生じ難く、かつ最終
的に得られたＰＴＣサーミスタ素子の取り扱いに際して
の破損も生じ難い。

【００５３】請求項４に記載の発明では、絶縁性樹脂層
がＪＩＳＫ６９１１における曲げ強度が１０〜５０Ｍ
ｐａの樹脂材料からなり、絶縁性樹脂層のサーミスタ素
体上における厚みが０．４〜０．８ｍｍの範囲とされて
いるので、ＰＴＣサーミスタ素子全体の熱容量を大きく
し、かつ動作特性を損なうことなく、絶縁性樹脂層によ
りサーミスタ素体が効果的に補強される。

【００５４】請求項５に記載の発明では、絶縁性樹脂層
として、シリコーン系樹脂材料またはエポキシ系樹脂材
料が用いられ、それによってサーミスタ素体が効果的に
補強されると共に、これらの樹脂材料が耐熱性に優れて
いるので、熱劣化の生じ難いＰＴＣサーミスタ素子を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施例に係る
ＰＴＣサーミスタ素子を説明するための正面図及び略図
的側面図。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示したＰＴＣサー
ミスタ素子から絶縁性樹脂層を取り除いた状態を示す正
面図及び側面図。

【図３】（ａ）及び（ｂ）は、主面の形状が円形である
変形例のＰＴＣサーミスタ素子を説明するための正面図
及び略図的側面図。

【図４】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図３に示した
ＰＴＣサーミスタ素子から絶縁性樹脂層を取り除いた状
態を示す正面図及び側面図。

【図５】具体的な実験例において得られたＰＴＣサーミ
スタ素体及びＰＴＣサーミスタ素子の主面の面方向に沿
う最大寸法（素子長寸法）と、抗折強度との関係を示す
図。

【符号の説明】

１…ＰＴＣサーミスタ素子２…サーミスタ素体２ｃ，２ｄ…電極３，４…リード線３ａ，４ａ…キンク形状部５，６…半田７…絶縁性樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長尾吉高京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5E034 AA07 AB01 AC02 DA02 DA03 DB01 DB05 DC02 DC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チタン酸バリウム系セラミックスからな
るサーミスタ素体を用いて構成されており、２５℃にお
ける抵抗値が０．２Ω以下であるＰＴＣサーミスタ素子
であって、チタン酸バリウム系セラミックスよりなり、厚みが０．
１〜０．３ｍｍの範囲にあり、両主面の面積が２５〜１
２１ｍｍ²の範囲または両主面の面方向に沿う最大寸法
が６〜１７ｍｍの範囲にある板状のサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体の両主面に形成された一対の電極
と、前記一対の電極にそれぞれ接合された一対のリード線
と、前記リード線が引き出されている部分を除いて前記サー
ミスタ素体、電極及びリード線を被覆するように形成さ
れた絶縁性樹脂層とを備えることを特徴とする、ＰＴＣ
サーミスタ素子。
【請求項２】前記リード線が、半田で被覆されたＣｕ
線またはＦｅ線からなり、該リード線の直径が０．６５
ｍｍ以下である、請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ素
子。
【請求項３】少なくとも１つのリード線のサーミスタ
素体から引き出されている部分の途中にキンク形状部が
設けられている、請求項１または２に記載のＰＴＣサー
ミスタ素子。
【請求項４】前記絶縁性樹脂層が、ＪＩＳＫ６９１
１における曲げ強度が１０Ｍｐａ以上、５０Ｍｐａ以下
の樹脂材料からなり、前記絶縁性樹脂層のサーミスタ素
体上における厚みが０．４〜０．８ｍｍの範囲とされて
いる、請求項１〜３のいずれかに記載のＰＴＣサーミス
タ素子。
【請求項５】前記絶縁性樹脂層が、シリコーン系樹脂
材料またはエポキシ系樹脂材料により構成されている、
請求項４に記載のＰＴＣサーミスタ素子。