JP2000117092A

JP2000117092A - 集塵装置、乾式処理装置および搬送装置

Info

Publication number: JP2000117092A
Application number: JP29192298A
Authority: JP
Inventors: Yozo Ishii; 洋三石井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-10-14
Filing date: 1998-10-14
Publication date: 2000-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】生産性を低下させることなく、ダストを除去
することができ、ダストによる不良の発生や信頼性の低
下を防止することができる集塵装置、乾式処理装置およ
び搬送装置を提供する。【解決手段】ダストを集塵する集塵用電極３、４を設
けた集塵室１と、Ｎ₂ガスを供給するガス供給系１９
と、集塵室１内を排気する排気系２１とから集塵装置を
構成する。集塵用電極３、４によってユニット２２内の
ダストを集塵した後、シャッターバルブ２を閉じる。集
塵用電極３、４を接地した後、集塵室１内にガス供給系
１９によりＮ₂ガスを流し、排気系２１により排気す
る。集塵室１内に生じたＮ₂ガスの流れに沿って、集塵
用電極３、４に集塵されたダストを外部に除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、集塵装置、乾式
処理装置および搬送装置に関し、特に、真空の処理室内
や搬送室内に生じるダストの除去に適用して好適なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体装置の製造プロセスに
おいては、ＩＣなどの製品の微細化が進むのにともな
い、製造された半導体装置における微小の塵や埃（以
下、ダストと総称する）による不良や信頼性の低下が問
題になってきている。

【０００３】そこで、半導体装置の製造の際に使用する
半導体製造装置や搬送装置などの装置に、内部のダスト
の発生を抑制するようにした装置が用いられるようにな
ってきた。

【０００４】しかしながら、このような、ダストの発生
を抑制するようにした装置であっても、装置内部のダス
トの数を０個にすることは不可能であり、装置内におけ
るダストレベルが悪化すると、やはり人手によるクリー
ニングが必要となる。

【０００５】特に、内部を真空にして使用する装置にお
いては、搬送機構も真空中に設けられているものが多
い。このような搬送機構が真空中に設けられた装置にお
いてその内部をクリーニングするためには、装置内の圧
力を一旦大気圧にまで戻す必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、一旦大気圧
に戻された装置内を使用可能な程度の真空にするまでに
は数時間を要してしまう。そのため、このような装置で
は製造プロセスにおける生産性の低下を引き起こしてし
まう。

【０００７】したがって、この発明の目的は、搬送装置
や乾式処理装置などの装置の生産性を低下させることな
く、それらの装置内のダストを除去することができ、製
品のダストによる不良の発生や信頼性の低下を防止する
ことができる集塵装置を提供することにある。

【０００８】また、この発明の他の目的は、乾式処理装
置の処理効率を低下させることなく、その装置内のダス
トを除去することができ、乾式処理が行われる被処理物
のダストによる不良の発生や信頼性の低下を防止し、歩
留まりの向上を図ることができる乾式処理装置を提供す
ることにある。

【０００９】また、この発明の他の目的は、搬送装置の
搬送効率を低下させることなく、その装置内のダストを
除去することができ、搬送される被搬送物のダストによ
る不良の発生や信頼性の低下を防止することができる搬
送装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、ダストを集塵する集塵手
段が設けられた集塵室と、集塵室内にガスを供給するガ
ス供給手段と、集塵室内を排気するガス排気手段とを有
し、ガス供給手段により集塵室内にガスを流すととも
に、ガス排気手段により集塵室内を排気することによっ
て、集塵手段に集塵されたダストを除去するように構成
されていることを特徴とする集塵装置である。

【００１１】この第１の発明において、典型的には、集
塵室の一面に開閉可能なシャッターが設けられており、
好適には、このシャッターの開閉は自動で行われる。ま
た、この第１の発明において、典型的には、集塵装置
は、乾式処理装置または搬送装置とこのシャッターを介
して接続可能に構成されており、好適には、これらの乾
式処理装置または搬送装置は、その内部を真空にするこ
とができるように構成されている。

【００１２】この発明の第２の発明は、被処理物に対し
て乾式処理を行う処理室を有する乾式処理装置におい
て、ダストを集塵する集塵手段を有する集塵室と、集塵
室内にガスを供給するガス供給手段と、集塵室内を排気
するガス排気手段とを有し、集塵室が、開閉可能なシャ
ッターを介して処理室に取り付けられていることを特徴
とするものである。

【００１３】この第２の発明において、典型的には、シ
ャッターを閉じることにより処理室と集塵室とを分離し
た後、ガス供給手段により集塵室内にガスを流すととも
に、ガス排気手段により集塵室内を排気することによっ
て、集塵手段に集塵されたダストを除去することができ
るように構成されている。また、この第２の発明におい
て、好適には、集塵室内および処理室内を真空にするこ
とができるように構成されている。

【００１４】この発明の第３の発明は、被搬送物の搬送
を行う搬送室を有する搬送装置において、ダストを集塵
する集塵手段を有する集塵室と、集塵室にガスを供給す
るガス供給手段と、集塵室内を排気するガス排気手段と
を有し、集塵室が、開閉可能なシャッターを介して搬送
室に取り付けられていることを特徴とするものである。

【００１５】この第３の発明において、典型的には、シ
ャッターを閉じることにより搬送室と集塵室とを分離し
た後、ガス供給手段により集塵室内にガスを流すととも
に、ガス排気手段により集塵室内を排気することによっ
て、集塵手段に集塵されたダストを除去することができ
るように構成されている。また、この第３の発明におい
て、好適には、集塵室内および搬送室内を真空にするこ
とができるように構成されている。

【００１６】この発明において、典型的には、集塵手段
は電極から構成されており、この電極に正または負の直
流電圧を印加することによりダストを集塵することがで
き、この電極を接地することによりダストを電極から離
すことができるように構成されている。また、この発明
において、好適には、電極への直流電圧の印加と電極の
接地との切り換えを、自動で行うことができるように構
成されている。また、電圧を上げると集塵することがで
きる距離は長くなるが、電圧を上げすぎると放電が起こ
りやすくなり、絶縁に必要な距離が長くなってしまうた
め、この電極に印加する正または負の直流電圧の絶対値
は、典型的には、５００〜５０００Ｖであり、好適に
は、１０００〜３０００Ｖである。また、この発明にお
いて、電極を接地する代わりに、ダストの集塵の際に電
極に印加されていた電圧と極性が逆の電圧を印加するよ
うにしてもよい。

【００１７】この発明において、典型的には、集塵手段
は電極から構成されるが、必要に応じて、ペルチェ素子
冷却器などの冷却を制御することができる冷却手段が設
けられた耐腐食性および熱伝導率が高い板などから構成
することも可能である。

【００１８】この発明において、好適には、集塵手段は
複数の電極から構成され、複数の電極のうちの少なくと
も１つの電極に正の直流電圧を印加するとともに、複数
の電極のうちの他の電極に負の直流電圧を印加すること
ができるように構成されている。また、この発明におい
て、これらの複数の電極に印加する正または負の直流電
圧の絶対値は、典型的には、５００〜５０００Ｖであ
り、好適には、１０００〜３０００Ｖである。また、こ
の発明において、これらの複数の電極を接地する代わり
に、集塵の際にこれらの電極に印加されていた電圧と極
性が逆の電圧を印加するようにしてもよい。また、この
発明において、好適には、複数の電極を接地した後、ガ
ス供給手段により集塵室にガスを供給するとともに、ガ
ス排気手段により集塵室内を排気することができるよう
に構成されている。

【００１９】この発明において、好適には、ガス供給手
段によるガスの集塵室内への供給の制御とガス排気手段
による集塵室内の排気の制御とは、自動で行うことがで
きるように構成されている。

【００２０】この発明において、典型的には、電極を接
地した後、集塵室内の圧力が大気圧程度であった場合に
は、ガス供給手段により集塵室内にガスを供給するとと
もにガス排気手段により集塵室内を排気し、また、集塵
室内の圧力が真空あるいは減圧であった場合には、ガス
供給手段により集塵室内にガスを供給して集塵室内の圧
力を大気圧にした後、ガス供給手段により集塵室内にガ
スを供給しつつガス排気手段により集塵室内を排気す
る。また、必要に応じて、ガス供給手段により集塵室内
にガスを供給しつつガス排気手段により集塵室内を排気
して、集塵室内にガス流を生成した後、電極を接地して
ダストを電極から離すようにすることも可能である。

【００２１】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、集塵手段に集塵されたダストを離し、集塵室内への
ガスの供給および集塵室内の排気を行うことにより、集
塵手段に集塵されたダストを除去することができるよう
に構成されていることにより、集塵手段によって集塵さ
れたダストを有効に除去することができる。そのため、
集塵装置を乾式処理装置の処理室や搬送装置の搬送室に
取り付けて用いることにより、これらの処理室や搬送室
の内部を大気に解放することなく、それらの内部で生じ
たダストを除去することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００２３】まず、この発明の第１の実施形態による集
塵装置について説明する。図１はこの第１の実施形態に
よる集塵装置を示す。

【００２４】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる集塵装置は、ダストを集塵するための集塵室１を有
し、集塵室１の下部には開閉可能なシャッターバルブ２
が設けられている。集塵室１の内部には、例えばＡｌか
らなる２枚の集塵用電極３、４が設けられている。これ
らの集塵用電極３、４はそれぞれ絶縁ガラス５、６によ
って集塵室１に固定されている。

【００２５】集塵用電極３は、ライン７を通じて直流電
源８の陽極に接続されている。また、直流電源８の陰極
はライン９を通じ、スイッチＳＷ１を介して接地されて
いる。これによって、スイッチＳＷ１を導通状態（ＯＮ
状態）にすることで、集塵用電極３に正の電圧を印加
し、正電荷を帯電させることができるようになってい
る。ここで、直流電源８の電源電圧は、５００〜５００
０Ｖの範囲内、好適には１０００〜３０００Ｖの範囲内
に選ばれ、この第１の実施形態においては例えば１００
０Ｖに選ばれる。また、集塵用電極３は、ライン７、１
０を順次通じ、スイッチＳＷ２を介して接地されてい
る。これによって、スイッチＳＷ２をＯＮ状態にするこ
とで、集塵用電極３を接地させることができるようにな
っている。

【００２６】集塵用電極４は、ライン１１を通じて直流
電源１２の陰極に接続されている。また、直流電源１２
の陽極はライン１３、９を順次通じ、スイッチＳＷ１を
介して接地されている。これによって、スイッチＳＷ１
をＯＮ状態にすることで、集塵用電極４に負の電圧を印
加し、負電荷を帯電させることができるようになってい
る。ここで、直流電源１２の電源電圧は、５００〜５０
００Ｖの範囲内、好適には１０００〜３０００Ｖの範囲
内に選ばれ、この第１の実施形態においては例えば１０
００Ｖに選ばれる。また、集塵用電極４は、ライン１
１、１４を順次通じ、スイッチＳＷ３を介して接地され
ている。これによって、スイッチＳＷ３をＯＮ状態にす
ることで、集塵用電極４を接地させることができるよう
になっている。

【００２７】また、集塵室１の両側の側面には、配管１
５、１６が接続されて設けられている。

【００２８】配管１５には、バルブ１７およびフィルタ
ー１８が設けられている。また、配管１５には、例えば
Ｎ₂ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給系
１９が接続されている。これによって、不活性ガス供給
系１９から集塵室１に、フィルター１８およびバルブ１
７を順次通じて例えばＮ₂ガスを供給することができる
ようになっている。ここで、バルブ１７はＮ₂ガスの集
塵室１内への供給を制御するためのものであり、フィル
ター１８は不活性ガス供給系１９から供給されるＮ₂ガ
ス中のダストなどを集塵するためのものである。

【００２９】配管１６には、バルブ２０が設けられてい
る。また、配管１６には例えば真空ポンプなどから構成
される排気系２１が接続されている。これによって、集
塵室１の内部に供給されたＮ₂ガスを配管１６を通じて
排気することができるようになっている。また、バルブ
２０は、排気系２１による集塵室１内の排気を制御する
ためのものである。

【００３０】以上のように構成された集塵装置は、イオ
ン注入装置、化学気相成長（ＣＶＤ）装置、あるいはド
ライエッチング装置などの半導体製造装置における処理
室、あるいは、これらの半導体製造装置間やチャンバー
間などで半導体ウェーハなどの半導体製品を搬送するた
めの搬送室からなるユニット２２に、シャッターバルブ
２を介して取り付けられている。

【００３１】次に、上述のように構成された集塵装置を
用いて、ユニット２２の内部のダストの集塵方法につい
て説明する。なお、この第１の実施形態において、ユニ
ット２２の内部は例えば大気圧である。

【００３２】すなわち、まず、シャッターバルブ２を開
けることにより、ユニット２２と集塵室１とを開放す
る。一方でスイッチＳＷ１をＯＮ状態にすることによ
り、集塵用電極３に正の電圧を印加するとともに、集塵
用電極４に負の電圧を印加する。これによって、集塵用
電極３、４にそれぞれ正電荷、負電荷を帯電させ、この
状態を所定時間維持することにより、ユニット２２内の
ダストを集塵用電極３、４に引き寄せ、それらに付着さ
せ、ユニット２２内のダストを集塵する。

【００３３】次に、ユニット２２内のほとんどのダスト
が集塵用電極３、４に集塵された後、シャッターバルブ
２を閉じることによって集塵室１とユニット２２とを分
離する。これによって、集塵用電極３、４に集塵された
ダストはユニット２２から隔離され、ユニット２２に再
び入りこむことがない。

【００３４】次に、スイッチＳＷ１を絶縁状態（ＯＦＦ
状態）にするとともに、スイッチＳＷ２、ＳＷ３をＯＮ
状態にすることにより、集塵用電極３、４をともに接地
させ、その電位を０Ｖとする。これによって、ダストが
集塵用電極３、４から離れる。その後、バルブ１７、２
０を開け、配管１６を通じて排気系２１による排気を行
いつつ不活性ガス供給系１９から配管１５を通じてＮ₂
ガスを集塵室１に供給する。これによって、集塵室１内
にＮ₂ガスの流れ（図１中、右方向）が生じる。ここ
で、Ｎ₂ガスの供給における流量は、１００〜５０００
ｓｃｃｍ、供給圧力は４９〜１４７ｋＰａの範囲内に選
ばれる。

【００３５】集塵用電極３、４から離れたダストは、Ｎ
₂ガスの流れに沿って流れ、いわゆるエアーブローされ
て、排気系２１により配管１６を通じて集塵室１外に除
去される。Ｎ₂ガスによるエアーブローは、集塵用電極
３、４に集塵されたダストがそれらの集塵用電極３、４
から十分に除去されるまで行う。

【００３６】以上のようにして、ユニット２２の内部の
ダストが集塵用電極３、４に集塵され、排気系２１によ
り配管１６を通じて外部に除去される。

【００３７】次に、集塵室１内の圧力をユニット２２内
の圧力とほぼ同一にした後、シャッターノズル２を開
け、上述と同様にしてユニット２２内のダストの除去を
行う。

【００３８】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、集塵装置に集塵用電極３、４、不活性ガス供
給系１９および排気系２１を設け、集塵用電極３、４に
それぞれ正、負の直流電圧を印加し、静電気を利用して
ユニット２２内のダストを集塵し、シャッターバルブ２
を閉じた後、Ｎ₂ガスによるエアーブローを行って、集
塵されたダストを除去するようにしていることにより、
ユニット２２内のダストを大幅に低減させることができ
る。そして、ユニット２２内にある半導体ウェーハなど
の半導体製品へのダストの付着を防止することができる
ので、ユニット２２内において搬送されたり製造された
りする半導体製品に関して、ダストによる不良の発生や
信頼性の悪化を未然に防止することができ、歩留まりの
向上を図ることができる。

【００３９】次に、この発明の第２の実施形態による集
塵装置および集塵方法について説明する。なお、この第
２の実施形態における集塵装置は、第１の実施形態にお
けると同様であるので説明を省略する。また、この第２
の実施形態におけるユニット２２の内部は、第１の実施
形態と異なり、常に真空状態あるいは減圧状態（以下、
真空状態）に保たれている。

【００４０】まず、この第２の実施形態による集塵方法
においては、まず、バルブ１７を閉じバルブ２０を開け
た状態で、排気系２１による集塵室１内の排気を行うこ
とにより、ユニット２２内の真空状態とほぼ同じ状態に
した後、バルブ２０を閉める。その後、第１の実施形態
と同様にして、シャッターバルブ２を開いた後、ユニッ
ト２２内のダストを集塵用電極３、４に集塵させる。

【００４１】次に、シャッターバルブ２を閉じ、集塵室
１とユニット２２とを分離する。このとき、集塵室１内
は真空状態である。次に、第１の実施形態と同様にし
て、集塵用電極３、４を接地させて０Ｖとする。その
後、第１の実施形態と異なり、バルブ１７を開け集塵室
１内にＮ₂ガスを供給し、集塵室１内の圧力をほぼ大気
圧にした後、バルブ２０を開け、配管１６を通じて集塵
室１内のＮ₂ガスの排気を行う。これによって、集塵室
１内にＮ₂ガスの流れが生じ、集塵用電極３、４から離
れたダストは、このＮ₂ガスの流れに沿って配管１６に
向かい排気系２１により外部に除去される。

【００４２】以上説明したように、この第２の実施形態
によれば、集塵室１内の集塵用電極３、４に静電気を利
用してダストを集塵させ、それらのダストを排気系２１
により外部に除去するようにしていることにより、第１
の実施形態と同様の効果を得ることができるとともに、
集塵室１の内部をユニット２２の内部と同様の真空状態
にした後、シャッターバルブ２を開け、ユニット２２内
のダストを集塵用電極３、４に集塵するようにしている
ことにより、ユニット２２内の真空を破ることなく、ユ
ニット２２内のダストを有効に除去することができる。

【００４３】次に、この発明の第３の実施形態による集
塵装置について説明する。図２は、この第３の実施形態
による集塵装置を示す。

【００４４】この第３の実施形態による集塵装置におい
ては、図２に示すように、第１の実施形態とは異なり、
集塵室１の外部に例えばＣＰＵなどからなる制御部３１
が設けられている。そして、この制御部３１により、シ
ャッターバルブ２、バルブ１７、２０およびスイッチＳ
Ｗ１、ＳＷ２、ＳＷ３を自動で制御することができるよ
うに構成されている。なお、不活性ガス供給系１９およ
び排気系２１の制御は、手動で行うようにしても、制御
部３１により自動で行うようにしてもよい。その他の集
塵装置の構成は第１の実施形態と同様であるので、説明
を省略する。

【００４５】また、集塵方法においても、ユニット２２
の内部が常に常圧程度の場合には、第１の実施形態にお
けると同様であり、ユニット２２の内部が常に減圧状
態、あるいは真空状態である場合には、第２の実施形態
におけると同様であるので、説明を省略する。

【００４６】この第３の実施形態による集塵装置によれ
ば、第１の実施形態と同様の集塵用電極３、４を有して
いることにより、ユニット２２の内部が常圧である場合
には、第１の実施形態と同様の効果を得ることができ、
ユニット２２の内部が真空状態である場合には、第２の
実施形態と同様の効果を得ることができる。また、シャ
ッターバルブ２、バルブ１７、２０およびスイッチＳＷ
１、ＳＷ２、ＳＷ３の制御を制御部３１により自動で行
うようにしていることにより、ユニット２２内のダスト
の集塵を自動で行うことができるとともに、ユニット２
２の内部のクリーニングを人手により行う必要がなくな
る。したがって、イオン注入装置、ＣＶＤ装置、ドライ
エッチング装置などの半導体製造装置の処理室における
処理効率や搬送装置の搬送室における搬送効率といった
ユニット２２の生産性の向上を図ることができる。

【００４７】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。

【００４８】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる
数値を用いてもよい。

【００４９】また、例えば上述の第１の実施形態におい
ては、集塵用電極３、４に直流電圧を印加する際に、ス
イッチを用いて切り換えを行っているが、必要に応じて
リレー接点を用いるようにしてもよい。

【００５０】また、例えば上述の第１、第２および第３
の実施形態においては、集塵用電極３、４をほぼ同じ高
さで水平に並べて設置しているが、必ずしも集塵用電極
３、４を水平に並べた設置状態に限定するものではな
く、集塵用電極３、４を対向させて平行に設置すること
も可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、集塵手段により集塵し、ガス供給手段により集塵室
内にガスを流すとともに、ガス排気手段により集塵室内
を排気することによって、集塵されたダストを除去する
ようにしていることにより、搬送装置や乾式処理装置な
どの装置に接続して用いる場合において、それらの装置
の生産性を低下させることなくその内部のダストを除去
することができ、被処理物や被搬送物の製品に関して、
ダストによる不良の発生や信頼性の低下を防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による集塵装置を示
す略線図である。

【図２】この発明の第３の実施形態による集塵装置を示
す略線図である。

【符号の説明】

１・・・集塵室、２・・・シャッターバルブ、３、４・
・・集塵用電極、１９・・・不活性ガス供給系、２１・
・・排気系、３１・・・制御部、ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ
３・・・スイッチ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダストを集塵する集塵手段が設けられた
集塵室と、上記集塵室内にガスを供給するガス供給手段と、上記集塵室内を排気するガス排気手段とを有し、上記ガス供給手段により上記集塵室内にガスを流すとと
もに、上記ガス排気手段により上記集塵室内を排気する
ことによって、上記集塵手段に集塵された上記ダストを
除去するように構成されていることを特徴とする集塵装
置。
【請求項２】上記集塵室の一面に開閉可能なシャッタ
ーが設けられていることを特徴とする請求項１記載の集
塵装置。
【請求項３】乾式処理装置または搬送装置と、上記シ
ャッターを介して接続可能に構成されていることを特徴
とする請求項２記載の集塵装置。
【請求項４】上記乾式処理装置または上記搬送装置
が、その内部を真空にすることができるように構成され
ていることを特徴とする請求項３記載の集塵装置。
【請求項５】上記シャッターの開閉を自動で行うこと
ができるように構成されていることを特徴とする請求項
２記載の集塵装置。
【請求項６】上記集塵手段が電極から構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の集塵装置。
【請求項７】上記電極に正または負の直流電圧を印加
することにより、上記ダストを集塵することができるよ
うに構成されているとともに、上記電極を接地すること
により、上記ダストを上記電極から離すことができるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項６記載の集
塵装置。
【請求項８】上記電極への上記直流電圧の印加と上記
電極の接地との切り換えを自動で行うことができるよう
に構成されていることを特徴とする請求項７記載の集塵
装置。
【請求項９】上記集塵手段が複数の電極から構成さ
れ、上記複数の電極のうちの少なくとも１つの電極に正
の直流電圧を印加するとともに、上記複数の電極のうち
の他の電極に負の直流電圧を印加することができるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１記載の集塵
装置。
【請求項１０】上記複数の電極を接地した後、上記ガ
ス供給手段により上記集塵室に上記ガスを供給するとと
もに、上記ガス排気手段により上記集塵室内を排気する
ことができるように構成されていることを特徴とする請
求項９記載の集塵装置。
【請求項１１】上記ガス供給手段による上記ガスの上
記集塵室内への供給の制御と、上記ガス排気手段による
上記集塵室内の排気の制御とを自動で行うことができる
ように構成されていることを特徴とする請求項１記載の
集塵装置。
【請求項１２】被処理物に対して乾式処理を行う処理
室を有する乾式処理装置において、ダストを集塵する集塵手段を有する集塵室と、上記集塵室内にガスを供給するガス供給手段と、上記集塵室内を排気するガス排気手段とを有し、上記集塵室が、開閉可能なシャッターを介して上記処理
室に取り付けられていることを特徴とする乾式処理装
置。
【請求項１３】上記シャッターを閉じることにより上
記処理室と上記集塵室とを分離した後、上記ガス供給手
段により上記集塵室内に上記ガスを流すとともに、上記
ガス排気手段により上記集塵室内を排気することによっ
て、上記集塵手段に集塵された上記ダストを除去するこ
とができるように構成されていることを特徴とする請求
項１２記載の乾式処理装置。
【請求項１４】上記集塵室内および上記処理室内を真
空にすることができるように構成されていることを特徴
とする請求項１２記載の乾式処理装置。
【請求項１５】上記集塵手段が電極から構成されてい
ることを特徴とする請求項１２記載の乾式処理装置。
【請求項１６】上記集塵手段が複数の電極から構成さ
れ、上記複数の電極のうちの少なくとも１つの電極に正
の直流電圧を印加するとともに、上記複数の電極のうち
の他の電極に負の直流電圧を印加することができるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１２記載の乾
式処理装置。
【請求項１７】被搬送物の搬送を行う搬送室を有する
搬送装置において、ダストを集塵する集塵手段を有する集塵室と、上記集塵室にガスを供給するガス供給手段と、上記集塵室内を排気するガス排気手段とを有し、上記集塵室が、開閉可能なシャッターを介して上記搬送
室に取り付けられていることを特徴とする搬送装置。
【請求項１８】上記シャッターを閉じることにより上
記搬送室と上記集塵室とを分離した後、上記ガス供給手
段により上記集塵室内に上記ガスを流すとともに、上記
ガス排気手段により上記集塵室内を排気することによっ
て、上記集塵手段に集塵された上記ダストを除去するこ
とができるように構成されていることを特徴とする請求
項１７記載の搬送装置。
【請求項１９】上記集塵室内および上記搬送室内を真
空にすることができるように構成されていることを特徴
とする請求項１７記載の搬送装置。
【請求項２０】上記集塵手段が電極から構成されてい
ることを特徴とする請求項１７記載の搬送装置。
【請求項２１】上記集塵手段が複数の電極から構成さ
れ、上記複数の電極のうちの少なくとも１つの電極に正
の直流電圧を印加するとともに、上記複数の電極のうち
の他の電極に負の直流電圧を印加することができるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１７記載の搬
送装置。