JP2000117053A - ＣｌＦ３処理筒、及びＣｌＦ３を含む被処理ガスの処理方法 - Google Patents
ＣｌＦ３処理筒、及びＣｌＦ３を含む被処理ガスの処理方法Info
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- JP2000117053A JP2000117053A JP10314063A JP31406398A JP2000117053A JP 2000117053 A JP2000117053 A JP 2000117053A JP 10314063 A JP10314063 A JP 10314063A JP 31406398 A JP31406398 A JP 31406398A JP 2000117053 A JP2000117053 A JP 2000117053A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造用ＣＶＤ装置等の清掃の際に排出
される、ＣｌＦ3を含む被処理ガスを無害化処理する。 【解決手段】 処理筒２内に被処理ガスの入口６側から
出口１４側に向かって、少なくともソーダライム等のア
ルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層８と、酸化
第二鉄等の鉄酸化物からなる第１化学処理層１０と、及
び水酸化カルシウム等のアルカリ塩粒子からなる第２化
学処理層１２とを設けた多層式処理筒を用いて、ＣｌＦ
3含有被処理ガス４を無害化する。
される、ＣｌＦ3を含む被処理ガスを無害化処理する。 【解決手段】 処理筒２内に被処理ガスの入口６側から
出口１４側に向かって、少なくともソーダライム等のア
ルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層８と、酸化
第二鉄等の鉄酸化物からなる第１化学処理層１０と、及
び水酸化カルシウム等のアルカリ塩粒子からなる第２化
学処理層１２とを設けた多層式処理筒を用いて、ＣｌＦ
3含有被処理ガス４を無害化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣｌＦ3を含有する
排ガス等の処理方法、及び同排ガス等に用いる処理筒に
関し、更に詳述すればシリンダーキャビネットのベント
ガス、半導体製造に用いるＣＶＤ装置等の内部の清掃の
際等に発生するＳｉＦ4、ＳｉＣｌ4等や、残留したＣｌ
Ｆ3を含有する排ガス等の処理に有用な処理方法、及び
処理筒に関する。
排ガス等の処理方法、及び同排ガス等に用いる処理筒に
関し、更に詳述すればシリンダーキャビネットのベント
ガス、半導体製造に用いるＣＶＤ装置等の内部の清掃の
際等に発生するＳｉＦ4、ＳｉＣｌ4等や、残留したＣｌ
Ｆ3を含有する排ガス等の処理に有用な処理方法、及び
処理筒に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子や、ＬＳＩ等の半導体
デバイスの加工、製造にＣＶＤ装置等が多用されてい
る。これらの装置の内面には、デバイスの製造の際に、
反応ガス由来の各種シリコン化合物が析出し、堆積す
る。この堆積物は、デバイス製造の際にシリコンウエフ
ァに堆積し、得られるデバイスの誤動作等の原因になる
ので、従来ＣＶＤ装置等の半導体製造装置、及び関連器
具は定期的に、若しくは随時清掃し、前記堆積物を除去
している。
デバイスの加工、製造にＣＶＤ装置等が多用されてい
る。これらの装置の内面には、デバイスの製造の際に、
反応ガス由来の各種シリコン化合物が析出し、堆積す
る。この堆積物は、デバイス製造の際にシリコンウエフ
ァに堆積し、得られるデバイスの誤動作等の原因になる
ので、従来ＣＶＤ装置等の半導体製造装置、及び関連器
具は定期的に、若しくは随時清掃し、前記堆積物を除去
している。
【０００３】近年、前記堆積物を除去する方法として、
ＣｌＦ3を用いる方法が、注目されている。ＣｌＦ3はプ
ラズマレスで、しかも低濃度、且つ低温で清掃すること
ができるので、極めて有用なものであるが、ＣｌＦ3は
ＴＬＶ−ＴＷＡが０．１ｐｐｍで、極めて毒性が高いこ
とから、清掃後に発生するＣｌＦ3を含む排ガスの無害
化処理を確実に行うことが重要である。
ＣｌＦ3を用いる方法が、注目されている。ＣｌＦ3はプ
ラズマレスで、しかも低濃度、且つ低温で清掃すること
ができるので、極めて有用なものであるが、ＣｌＦ3は
ＴＬＶ−ＴＷＡが０．１ｐｐｍで、極めて毒性が高いこ
とから、清掃後に発生するＣｌＦ3を含む排ガスの無害
化処理を確実に行うことが重要である。
【０００４】ＣｌＦ3の除去方法としては、アルカリ水
溶液を用いる湿式スクラバー方法や、ソーダ石灰、活性
アルミナ等を用いる乾式除去方法等がある。しかし、こ
れらを単独で使用する場合はＣｌＦ3を完全には除去で
きない上、水や処理剤と反応して生じる各種の有害な副
生物の処理の問題が新たに発生する。
溶液を用いる湿式スクラバー方法や、ソーダ石灰、活性
アルミナ等を用いる乾式除去方法等がある。しかし、こ
れらを単独で使用する場合はＣｌＦ3を完全には除去で
きない上、水や処理剤と反応して生じる各種の有害な副
生物の処理の問題が新たに発生する。
【０００５】これらの問題を解決するものとして、各種
の固体アルカリ組成物を用いてＣｌＦ3を除去する方法
が、特開平８ー２１５５３８号、特開平８ー２１５５３
９号に提案されている。さらに、特公平６ー１７７号に
は、ＣｌＦ3を含有する排ガスを、まず鉄の酸化物と常
温で接触させた後、水酸化カルシウム等のアルカリ土類
金属と接触させる方法が提案されている。
の固体アルカリ組成物を用いてＣｌＦ3を除去する方法
が、特開平８ー２１５５３８号、特開平８ー２１５５３
９号に提案されている。さらに、特公平６ー１７７号に
は、ＣｌＦ3を含有する排ガスを、まず鉄の酸化物と常
温で接触させた後、水酸化カルシウム等のアルカリ土類
金属と接触させる方法が提案されている。
【０００６】これらの方法によれば、ＣｌＦ3をかなり
除去できるが、まだ完全ではなく、更に前記方法と同様
に有害な副生物を生じる問題が残る。
除去できるが、まだ完全ではなく、更に前記方法と同様
に有害な副生物を生じる問題が残る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記問
題を解決するために種々検討した結果、ＣｌＦ3を含有
するガスを、まず固体アルカリベースアルカリ塩に接触
させて分解し、次いで鉄酸化物、更に固体アルカリ塩に
順次接触させると、ＣｌＦ3は勿論、この分解生成物も
完全に除去できること、更にこの順序でＣｌＦ3を接触
させると、処理容量が極めて高いものになることを知得
し、本発明を完成するに至ったものである。従って、本
発明の目的とするところは、ＣｌＦ3を完全に除去し、
且つその他の副生ガスも完全に除去することのできる多
層式ＣｌＦ3処理筒、及び同ガスの処理方法を提供する
ことにある。
題を解決するために種々検討した結果、ＣｌＦ3を含有
するガスを、まず固体アルカリベースアルカリ塩に接触
させて分解し、次いで鉄酸化物、更に固体アルカリ塩に
順次接触させると、ＣｌＦ3は勿論、この分解生成物も
完全に除去できること、更にこの順序でＣｌＦ3を接触
させると、処理容量が極めて高いものになることを知得
し、本発明を完成するに至ったものである。従って、本
発明の目的とするところは、ＣｌＦ3を完全に除去し、
且つその他の副生ガスも完全に除去することのできる多
層式ＣｌＦ3処理筒、及び同ガスの処理方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決する手段】上記目的を達成するために、本
発明は、被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であ
って、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に
向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子か
らなる分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理層と、
及びアルカリ塩粒子からなる第２化学処理層とを設けて
なることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒を提案する
もので、分解層のアルカリベースアルカリ塩粒子がソー
ダライム粒子であること、第１化学処理層の鉄酸化物が
酸化第二鉄を主成分とするものであること、第２化学処
理層のアルカリ塩粒子が水酸化カルシウム粒子であるこ
とを包含する。
発明は、被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であ
って、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に
向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子か
らなる分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理層と、
及びアルカリ塩粒子からなる第２化学処理層とを設けて
なることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒を提案する
もので、分解層のアルカリベースアルカリ塩粒子がソー
ダライム粒子であること、第１化学処理層の鉄酸化物が
酸化第二鉄を主成分とするものであること、第２化学処
理層のアルカリ塩粒子が水酸化カルシウム粒子であるこ
とを包含する。
【０００９】また、本発明は、被処理ガスの入口と出口
とを備えた処理筒であって、前記処理筒内に被処理ガス
の入口側から出口側に向かって、少なくともアルカリベ
ースアルカリ塩粒子からなる分解層と、鉄酸化物からな
る第１化学処理層と、アルカリ塩粒子からなる第２化学
処理層と、モニター層と、及びバックアップ層とを順次
設けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒、及
び被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であって、
前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に向かっ
て、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子からなる
分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理層と、アルカ
リ塩粒子からなる第２化学処理層と、ハロゲンまたはハ
ロゲン化合物検出器と、及びバックアップ層とを順次設
けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒で、バ
ックアップ層が水酸化カルシウムを主成分とするもので
あることを包含する。
とを備えた処理筒であって、前記処理筒内に被処理ガス
の入口側から出口側に向かって、少なくともアルカリベ
ースアルカリ塩粒子からなる分解層と、鉄酸化物からな
る第１化学処理層と、アルカリ塩粒子からなる第２化学
処理層と、モニター層と、及びバックアップ層とを順次
設けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒、及
び被処理ガスの入口と出口とを備えた処理筒であって、
前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出口側に向かっ
て、少なくともアルカリベースアルカリ塩粒子からなる
分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理層と、アルカ
リ塩粒子からなる第２化学処理層と、ハロゲンまたはハ
ロゲン化合物検出器と、及びバックアップ層とを順次設
けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒で、バ
ックアップ層が水酸化カルシウムを主成分とするもので
あることを包含する。
【００１０】更に本発明は、ＣｌＦ3を含む被処理ガス
を、アルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層に通
し、次いで鉄酸化物からなる第１化学処理層に通し、更
にアルカリ粒子からなる第２化学処理層に通して処理す
ることを特徴とするＣｌＦ3を含む被処理ガスの処理方
法である。
を、アルカリベースアルカリ塩粒子からなる分解層に通
し、次いで鉄酸化物からなる第１化学処理層に通し、更
にアルカリ粒子からなる第２化学処理層に通して処理す
ることを特徴とするＣｌＦ3を含む被処理ガスの処理方
法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００１２】図１中、２は両端を閉塞した円筒状のＣｌ
Ｆ3処理筒の一例を示すもので、ＣｌＦ3を含有する被処
理ガス４は前記処理筒２の一端側に設けたガス入口６か
ら処理筒２内に流入する。
Ｆ3処理筒の一例を示すもので、ＣｌＦ3を含有する被処
理ガス４は前記処理筒２の一端側に設けたガス入口６か
ら処理筒２内に流入する。
【００１３】前記処理筒２内には、被処理ガス４の入口
６から出口１４に向かう方向に沿って、順次アルカリベ
ースアルカリ塩粒子からなる分解層８、鉄酸化物粒子か
らなる第１化学処理層１０、アルカリ塩粒子からなる第
２化学処理層１２を形成してある。
６から出口１４に向かう方向に沿って、順次アルカリベ
ースアルカリ塩粒子からなる分解層８、鉄酸化物粒子か
らなる第１化学処理層１０、アルカリ塩粒子からなる第
２化学処理層１２を形成してある。
【００１４】入口６から処理筒２内に流入する、少なく
ともＣｌＦ3を含む被処理ガス４は、順次分解層８、第
１化学処理層１０、第２化学処理層１２を通過し、その
際、ＣｌＦ3及び副生ガスは処理され、最終的に無害化
された後、出口１４を通り、処理済みガス１６として外
部に流出する。
ともＣｌＦ3を含む被処理ガス４は、順次分解層８、第
１化学処理層１０、第２化学処理層１２を通過し、その
際、ＣｌＦ3及び副生ガスは処理され、最終的に無害化
された後、出口１４を通り、処理済みガス１６として外
部に流出する。
【００１５】前記分解層８を構成するアルカリベースア
ルカリ塩粒子は、Ｋ、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇの水酸化物及び
酸化物の混合物等が例示できる。水酸化カルシウム（Ｃ
ａ（ＯＨ）2）を３０〜９０重量％、水酸化ナトリウム
（ＮａＯＨ）を７０〜１０重量％含むアルカリベースア
ルカリ塩粒子が好ましい。特に主反応成分としてＣａ
（ＯＨ）2・ＮａＯＨを含有するソーダライムが好まし
い。粒子径としては、特に制限はないが、被処理ガスの
流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径が０．
５〜１０ｍｍのものが好ましい。
ルカリ塩粒子は、Ｋ、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇの水酸化物及び
酸化物の混合物等が例示できる。水酸化カルシウム（Ｃ
ａ（ＯＨ）2）を３０〜９０重量％、水酸化ナトリウム
（ＮａＯＨ）を７０〜１０重量％含むアルカリベースア
ルカリ塩粒子が好ましい。特に主反応成分としてＣａ
（ＯＨ）2・ＮａＯＨを含有するソーダライムが好まし
い。粒子径としては、特に制限はないが、被処理ガスの
流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径が０．
５〜１０ｍｍのものが好ましい。
【００１６】第１化学処理層１０を構成する鉄酸化物粒
子は、酸化第一鉄、三酸化第二鉄、第二鉄酸化物及びこ
れらの混合物が好ましい。特に主反応成分として酸化第
二鉄Ｆｅ2Ｏ3を３０〜８０重量％含有する粒子が好まし
い。粒子径としては、特に制限はないが、被処理ガスの
流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径が１〜
１５ｍｍのものが好ましい。
子は、酸化第一鉄、三酸化第二鉄、第二鉄酸化物及びこ
れらの混合物が好ましい。特に主反応成分として酸化第
二鉄Ｆｅ2Ｏ3を３０〜８０重量％含有する粒子が好まし
い。粒子径としては、特に制限はないが、被処理ガスの
流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径が１〜
１５ｍｍのものが好ましい。
【００１７】第２化学処理層１２を構成するアルカリ塩
粒子は、Ｋ、Ｎａ、Ｃａの水酸化物及びこれらの混合物
等が例示できる。特に主反応成分として水酸化カルシウ
ムＣａ（ＯＨ）2を５０〜１００重量％含有する粒子が
好ましい。粒子径としては、特に制限はないが、被処理
ガスの流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径
が１〜１０ｍｍのものが好ましい。
粒子は、Ｋ、Ｎａ、Ｃａの水酸化物及びこれらの混合物
等が例示できる。特に主反応成分として水酸化カルシウ
ムＣａ（ＯＨ）2を５０〜１００重量％含有する粒子が
好ましい。粒子径としては、特に制限はないが、被処理
ガスの流通性、及び表面積の兼ね合いとして、平均粒径
が１〜１０ｍｍのものが好ましい。
【００１８】上記分解層８、第１化学処理層１０、第２
化学処理層１２に充填する各粒子の形状は、円筒型、細
長い円柱状の押出し型、粒状等の各種の形状にすること
ができる。
化学処理層１２に充填する各粒子の形状は、円筒型、細
長い円柱状の押出し型、粒状等の各種の形状にすること
ができる。
【００１９】上記分解層８、第１化学処理層１０、第２
化学処理層１２の各充填割合は、被処理ガス中にＣｌＦ
3と共存する他のガス成分、用途等によって適宜決定す
るものであるが、ＣｌＦ3が主成分の場合は分解層の１
００重量部に対し、第１化学処理層を５０〜２００重量
部、第２化学処理層を５０〜２００重量部とすることが
好ましい。
化学処理層１２の各充填割合は、被処理ガス中にＣｌＦ
3と共存する他のガス成分、用途等によって適宜決定す
るものであるが、ＣｌＦ3が主成分の場合は分解層の１
００重量部に対し、第１化学処理層を５０〜２００重量
部、第２化学処理層を５０〜２００重量部とすることが
好ましい。
【００２０】図２は、本発明の処理筒の他の例を示すも
のである。この処理筒５２は、図１に示す処理筒２の出
口側に更にモニター層及びバックアップ層を設けたもの
である。
のである。この処理筒５２は、図１に示す処理筒２の出
口側に更にモニター層及びバックアップ層を設けたもの
である。
【００２１】即ち、図２において、５４は被処理ガス、
５６は入口、５８は分解層、６０は第１化学処理層、６
２は第２化学処理層、６４は出口、６６は処理済みガス
であり、これらの構成は上記と同様である。そして、こ
の例においては前述のように、第２化学処理層６２の出
口側に更にモニター層７２、バックアップ層７４を設け
ている。
５６は入口、５８は分解層、６０は第１化学処理層、６
２は第２化学処理層、６４は出口、６６は処理済みガス
であり、これらの構成は上記と同様である。そして、こ
の例においては前述のように、第２化学処理層６２の出
口側に更にモニター層７２、バックアップ層７４を設け
ている。
【００２２】モニター層７２は所定のガスと接触すると
発色する物質を含むもので、この層７２を設けることに
より、処理筒６２の処理能力が満了する時期を色変化で
知ることができる。モニター層の層厚さは、全層厚さの
１０％以内であることが、実用上好ましいものである。
あるいは、ＣｌＦ3、Ｆ2、Ｃｌ2等のハロゲン化合物や
ハロゲン検出器に置き換えることもできる。
発色する物質を含むもので、この層７２を設けることに
より、処理筒６２の処理能力が満了する時期を色変化で
知ることができる。モニター層の層厚さは、全層厚さの
１０％以内であることが、実用上好ましいものである。
あるいは、ＣｌＦ3、Ｆ2、Ｃｌ2等のハロゲン化合物や
ハロゲン検出器に置き換えることもできる。
【００２３】バックアップ層７４は、ＣｌＦ3、及びその
分解副生ガスが万一第２化学処理層６２を通り抜けるこ
とがあっても、確実に吸収して、処理筒外に上記ガスが
漏洩することの無いようにするために設けるものであ
る。バックアップ層７４の構成材料としては、アルカリ
塩を主反応成分とするものが好ましく、前記第２化学処
理層６２に用いたものをそのまま利用できる。バックア
ップ層７４の層厚さは、処理筒５２内の全層厚さの５〜
１５％とすることが好ましく、特に１０％程度とするこ
とが望ましい。
分解副生ガスが万一第２化学処理層６２を通り抜けるこ
とがあっても、確実に吸収して、処理筒外に上記ガスが
漏洩することの無いようにするために設けるものであ
る。バックアップ層７４の構成材料としては、アルカリ
塩を主反応成分とするものが好ましく、前記第２化学処
理層６２に用いたものをそのまま利用できる。バックア
ップ層７４の層厚さは、処理筒５２内の全層厚さの５〜
１５％とすることが好ましく、特に１０％程度とするこ
とが望ましい。
【００２４】なお、上記処理筒に、更に所望のガスの処
理剤を充填し、若しくは上記処理筒の前段若しくは後段
に所望のガスの処理装置等を連結し、ＣｌＦ3及びその
副生ガス以外のガスを更に除去するように構成しても良
い。
理剤を充填し、若しくは上記処理筒の前段若しくは後段
に所望のガスの処理装置等を連結し、ＣｌＦ3及びその
副生ガス以外のガスを更に除去するように構成しても良
い。
【００２５】上記処理筒において、ＣｌＦ3の通気時に
発熱する部分は、基本的には分解層だけである。第１、
第２化学処理層における発熱はほとんどないものであ
る。従来の処理筒の様に、仮に同一の層でＣｌＦ3の分
解反応、及び分解副生ガスとアルカリや母剤との反応が
起こるとすれば、当然その層の温度はより高いものとな
る。しかし、本発明の処理筒においては、ＣｌＦ3の分
解を行う処理剤と、副生ガスを化学反応により固定する
処理剤とを分離しているため、発熱による温度上昇を最
小に制限できるものである。
発熱する部分は、基本的には分解層だけである。第１、
第２化学処理層における発熱はほとんどないものであ
る。従来の処理筒の様に、仮に同一の層でＣｌＦ3の分
解反応、及び分解副生ガスとアルカリや母剤との反応が
起こるとすれば、当然その層の温度はより高いものとな
る。しかし、本発明の処理筒においては、ＣｌＦ3の分
解を行う処理剤と、副生ガスを化学反応により固定する
処理剤とを分離しているため、発熱による温度上昇を最
小に制限できるものである。
【００２６】また更に、本発明の処理筒を複数個直列に
連結して使用しても良い。
連結して使用しても良い。
【００２７】
【実施例】実施例１〜４、比較例１ 図１に示す構成の処理筒を製造した。充填した処理剤を
表１に示した。これらの処理筒に表１に示した条件で、
ＣｌＦ3含有窒素ガスを通し、単位重量、及び単位容量
当りの処理剤のＣｌＦ3の処理能力を測定した。処理ガ
ス中の所定のガスを検出することにより、破過点を決定
し、これから単位重量、及び単位容量当りの処理剤の処
理能力を算出した。得られた結果を表１に示した。な
お、破過時の決定基準は、各ガスのＴＬＶ−ＴＷＡ以上
の濃度のガスが検出された時とした。
表１に示した。これらの処理筒に表１に示した条件で、
ＣｌＦ3含有窒素ガスを通し、単位重量、及び単位容量
当りの処理剤のＣｌＦ3の処理能力を測定した。処理ガ
ス中の所定のガスを検出することにより、破過点を決定
し、これから単位重量、及び単位容量当りの処理剤の処
理能力を算出した。得られた結果を表１に示した。な
お、破過時の決定基準は、各ガスのＴＬＶ−ＴＷＡ以上
の濃度のガスが検出された時とした。
【００２８】
【表１】 Ａ ：Ｆｅ2Ｏ3を主成分として約５０重量％含む鉄酸化物粒子 Ｂ ：水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）2）を主反応成分として９０重量 ％含むアルカリ塩粒子 Ｃ ：水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）2）を７０重量％、ＮａＯＨを３ ０重量％含むアルカリベースアルカリ塩粒子 表１から明らかなように、処理剤として同じ主反応成分
を用いても、実施例１〜４の様に主反応成分を被処理ガ
スの流れ方向に沿って、Ｃ−Ａ−Ｂの順に配列すると、
比較例１のＣ−Ｂ−Ａの順に配列した場合と比較して、
処理能力が１．６〜２．９倍高くなる。
を用いても、実施例１〜４の様に主反応成分を被処理ガ
スの流れ方向に沿って、Ｃ−Ａ−Ｂの順に配列すると、
比較例１のＣ−Ｂ−Ａの順に配列した場合と比較して、
処理能力が１．６〜２．９倍高くなる。
【００２９】比較例２〜４ 比較のため、前記Ａ、Ｂ、Ｃそれぞれ単独のＣｌＦ3ガ
ス処理能力の測定値を表２に示した。
ス処理能力の測定値を表２に示した。
【００３０】
【表２】 比較例５〜９ 表３に示すように、第１段、続いて第２段の主反応成分
を充填した処理剤を充填し、この順にＣｌＦ3含有窒素
ガスを通し、単位重量、及び単位容量当りの処理剤のＣ
ｌＦ3の処理能力を測定した。処理ガス中の塩素ガスを
検出することにより、破過点を決定し、これから単位重
量、及び単位容量当りの処理剤の処理能力を算出した。
得られた結果を表３に示した。
を充填した処理剤を充填し、この順にＣｌＦ3含有窒素
ガスを通し、単位重量、及び単位容量当りの処理剤のＣ
ｌＦ3の処理能力を測定した。処理ガス中の塩素ガスを
検出することにより、破過点を決定し、これから単位重
量、及び単位容量当りの処理剤の処理能力を算出した。
得られた結果を表３に示した。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【発明の効果】本発明においては、ＣｌＦ3を含む被処
理ガスを処理するに当たり、処理筒を上記の様に構成し
たので、ＣｌＦ3は勿論、その分解により副生するＳｉ
Ｆ4、ＳｉＣｌ4等の各種の有害ガスも確実に除去でき
る。また、処理筒を上記構成にすることにより、ＣｌＦ
3及び副生ガスの処理容量を従来の処理筒と比較し大幅
に高めることができる等の特徴を有する。
理ガスを処理するに当たり、処理筒を上記の様に構成し
たので、ＣｌＦ3は勿論、その分解により副生するＳｉ
Ｆ4、ＳｉＣｌ4等の各種の有害ガスも確実に除去でき
る。また、処理筒を上記構成にすることにより、ＣｌＦ
3及び副生ガスの処理容量を従来の処理筒と比較し大幅
に高めることができる等の特徴を有する。
【図１】本発明の処理筒の一構成例を示す概略側面断面
図である。
図である。
【図２】本発明の処理筒の他の構成例を示す概略側面断
面図である。
面図である。
【符号の説明】 ４ 被処理ガス ６ 入口 ８ 分解層 １０ 第１化学処理層 １２ 第２化学処理層 １４ 出口 １６ 処理済みガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸藤 哲暁 東京都大田区南蒲田１丁目１番25号 株式 会社巴商会内 (72)発明者 三平 博 東京都大田区南蒲田１丁目１番25号 株式 会社巴商会内 Ｆターム(参考） 2E191 BA01 BB00 BC01 BD01 BD11 4D002 AA18 AA22 AC10 BA03 BA04 CA07 DA02 DA05 DA11 DA12 DA16 DA22 EA03 GA02 GB02
Claims (8)
- 【請求項１】 被処理ガスの入口と出口とを備えた処理
筒であって、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出
口側に向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩
粒子からなる分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理
層と、及びアルカリ塩粒子からなる第２化学処理層とを
設けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒。 - 【請求項２】 分解層のアルカリベースアルカリ塩粒子
がソーダライム粒子である請求項１に記載の処理筒。 - 【請求項３】 第１化学処理層の鉄酸化物が酸化第二鉄
を主成分とする請求項１又は２に記載の処理筒。 - 【請求項４】 第２化学処理層のアルカリ塩粒子が水酸
化カルシウム粒子である請求項１乃至３のいずれかに記
載の処理筒。 - 【請求項５】 被処理ガスの入口と出口とを備えた処理
筒であって、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出
口側に向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩
粒子からなる分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理
層と、アルカリ塩粒子からなる第２化学処理層と、モニ
ター層と、及びバックアップ層とを順次設けてなること
を特徴とする多層式ＣｌＦ3処理筒。 - 【請求項６】 被処理ガスの入口と出口とを備えた処理
筒であって、前記処理筒内に被処理ガスの入口側から出
口側に向かって、少なくともアルカリベースアルカリ塩
粒子からなる分解層と、鉄酸化物からなる第１化学処理
層と、アルカリ塩粒子からなる第２化学処理層と、ハロ
ゲンまたはハロゲン化合物検出器と、及びバックアップ
層とを順次設けてなることを特徴とする多層式ＣｌＦ3
処理筒。 - 【請求項７】 バックアップ層が水酸化カルシウムを主
成分とするものである請求項５又は６に記載の処理筒。 - 【請求項８】 ＣｌＦ3を含む被処理ガスを、アルカリ
ベースアルカリ塩粒子からなる分解層に通し、次いで鉄
酸化物からなる第１化学処理層に通し、更にアルカリ粒
子からなる第２化学処理層に通して処理することを特徴
とするＣｌＦ3を含む被処理ガスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314063A JP2000117053A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | ＣｌＦ３処理筒、及びＣｌＦ３を含む被処理ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314063A JP2000117053A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | ＣｌＦ３処理筒、及びＣｌＦ３を含む被処理ガスの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000117053A true JP2000117053A (ja) | 2000-04-25 |
Family
ID=18048790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314063A Pending JP2000117053A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | ＣｌＦ３処理筒、及びＣｌＦ３を含む被処理ガスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000117053A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004351364A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Ebara Corp | 三フッ化塩素を含む無機ハロゲン化ガス含有排ガスの処理方法、処理剤及び処理装置 |
| JP2006158990A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 除害装置及びその管理方法 |
| CN116902922A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-10-20 | 福建省巨颖高能新材料有限公司 | 一种制备工业级五氟化氯的装置及制备方法 |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP10314063A patent/JP2000117053A/ja active Pending
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