JP2000114671A - リッジ型半導体光増幅器 - Google Patents
リッジ型半導体光増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速のスイッチング動作が可能で、しかも低
コストなリッジ型半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 半導体基板20上に下部クラッド層21、活
性層22、上部クラッド層23及びコンタクト層24を順次形
成した後、エッチングによりコンタクト層24、上部クラ
ッド層23を略矩形状に加工し、ＳｉＯ2 層26を形成し、
ポリマ層27を形成する際に、結晶成長が１回ですむため
低コストになる。ＳｉＯ2 層26及びポリマ層27の形成プ
ロセスは結晶成長プロセスに比べて十分安価なプロセス
である。また、低誘電率のＳｉＯ2 膜26及びポリマ層27
を用いているので、寄生容量が小さくなり、高速光スイ
ッチングができる。さらに、上部クラッド層23及びコン
タクト層24の幅が信号光の入出射側でテーパ状に細くな
るようにエッチング加工を施すことにより、両側面に接
続される光ファイバと高効率で結合できる。
コストなリッジ型半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 半導体基板20上に下部クラッド層21、活
性層22、上部クラッド層23及びコンタクト層24を順次形
成した後、エッチングによりコンタクト層24、上部クラ
ッド層23を略矩形状に加工し、ＳｉＯ2 層26を形成し、
ポリマ層27を形成する際に、結晶成長が１回ですむため
低コストになる。ＳｉＯ2 層26及びポリマ層27の形成プ
ロセスは結晶成長プロセスに比べて十分安価なプロセス
である。また、低誘電率のＳｉＯ2 膜26及びポリマ層27
を用いているので、寄生容量が小さくなり、高速光スイ
ッチングができる。さらに、上部クラッド層23及びコン
タクト層24の幅が信号光の入出射側でテーパ状に細くな
るようにエッチング加工を施すことにより、両側面に接
続される光ファイバと高効率で結合できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リッジ型半導体光
増幅器に関する。
増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】波長多重伝送を用いた高速、大容量、長
距離伝送方式及びそれに用いる光デバイスの研究開発が
活発に行われている。この方式を実現する上で、広帯域
な光増幅器は必須の光デバイスである。この種の光増幅
器として、小形化、低コスト化が期待できる半導体光増
幅器が再度注目されている。
距離伝送方式及びそれに用いる光デバイスの研究開発が
活発に行われている。この方式を実現する上で、広帯域
な光増幅器は必須の光デバイスである。この種の光増幅
器として、小形化、低コスト化が期待できる半導体光増
幅器が再度注目されている。
【０００３】図６は従来のリッジ型半導体光増幅器の概
略構造を示す図である。
略構造を示す図である。
【０００４】この半導体光増幅器は、ＩｎＰ（ｎ+ ）基
板１上に下部クラッド層としてのＩｎＰ（ｎ）クラッド
層２が形成され、このＩｎＰ（ｎ）クラッド層２上に略
矩形断面形状の活性層３が形成され、この活性層３を覆
うように上部クラッド層としてのＩｎＰ（ｐ）クラッド
層４、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ＩｎＰ（ｐ）埋
込層６及びＩｎＰ（ｎ）埋込層７で埋め込まれた積層体
構造を有している。積層体８の上面には上部電極９が形
成され、下面には下部電極１０が形成されている。積層
体８の両端面には無反射コーティング層１１−１、１１
−２が形成されている。
板１上に下部クラッド層としてのＩｎＰ（ｎ）クラッド
層２が形成され、このＩｎＰ（ｎ）クラッド層２上に略
矩形断面形状の活性層３が形成され、この活性層３を覆
うように上部クラッド層としてのＩｎＰ（ｐ）クラッド
層４、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ＩｎＰ（ｐ）埋
込層６及びＩｎＰ（ｎ）埋込層７で埋め込まれた積層体
構造を有している。積層体８の上面には上部電極９が形
成され、下面には下部電極１０が形成されている。積層
体８の両端面には無反射コーティング層１１−１、１１
−２が形成されている。
【０００５】上部電極９と下部電極１０との間にしきい
値電流以下の順方向電流（矢印１２）を電流注入端子１
３から流し、積層体８の無反射コーティング層１１−
１、１１−２に光ファイバ（図示せず）を突き合わせ
て、一方の光ファイバから信号光を入射させて活性層３
内を伝搬させ、他方の光ファイバから増幅された信号光
を取出すようにしたものである。
値電流以下の順方向電流（矢印１２）を電流注入端子１
３から流し、積層体８の無反射コーティング層１１−
１、１１−２に光ファイバ（図示せず）を突き合わせ
て、一方の光ファイバから信号光を入射させて活性層３
内を伝搬させ、他方の光ファイバから増幅された信号光
を取出すようにしたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示した従来例には以下のような課題がある。
示した従来例には以下のような課題がある。
【０００７】(1) 結晶成長を少なくとも２回に分けて行
わなければならず、製造コストが高くなる。すなわち、
下部クラッド層２及び活性層３を形成し、活性層３を略
矩形断面形状に加工した後、再度結晶成長させることに
より活性層３の外周表面に上部クラッド層４、コンタク
ト層５等を形成しなければならない。
わなければならず、製造コストが高くなる。すなわち、
下部クラッド層２及び活性層３を形成し、活性層３を略
矩形断面形状に加工した後、再度結晶成長させることに
より活性層３の外周表面に上部クラッド層４、コンタク
ト層５等を形成しなければならない。
【０００８】(2) 半導体光増幅器を光ゲートスイッチと
して使用する場合に、スイッチング速度をナノ秒以下の
高速にすることが困難である。
して使用する場合に、スイッチング速度をナノ秒以下の
高速にすることが困難である。
【０００９】(3) 光の入出射面でのモードフィールド径
の拡大を実現させるためには、複雑なプロセスを経なけ
ればならず、結果的にコスト高になる。
の拡大を実現させるためには、複雑なプロセスを経なけ
ればならず、結果的にコスト高になる。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高速のスイッチング動作が可能で、しかも低コスト
なリッジ型半導体光増幅器を提供することにある。
し、高速のスイッチング動作が可能で、しかも低コスト
なリッジ型半導体光増幅器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のリッジ型半導体光増幅器は、半導体基板上に
スラブ状の下部クラッド層と活性層とが形成されるか、
あるいは半導体基板上にスラブ状の下部クラッド層と活
性層とクラッド層とが形成され、活性層あるいはクラッ
ド層の上に略矩形断面形状の上部クラッド層が形成さ
れ、上部クラッド層の側面と活性層あるいはクラッド層
の露出面とに酸化膜及びポリマ層が形成された積層体の
上部クラッド層の上にコンタクト層を介して上部電極が
形成され、半導体基板の裏面に下部電極が形成され、積
層体の両端面に無反射コーティング層が形成され、積層
体の一方の端面から活性層内に信号光が入射され、活性
層で増幅された信号光が積層体の他方の端面から出射さ
れるものである。
に本発明のリッジ型半導体光増幅器は、半導体基板上に
スラブ状の下部クラッド層と活性層とが形成されるか、
あるいは半導体基板上にスラブ状の下部クラッド層と活
性層とクラッド層とが形成され、活性層あるいはクラッ
ド層の上に略矩形断面形状の上部クラッド層が形成さ
れ、上部クラッド層の側面と活性層あるいはクラッド層
の露出面とに酸化膜及びポリマ層が形成された積層体の
上部クラッド層の上にコンタクト層を介して上部電極が
形成され、半導体基板の裏面に下部電極が形成され、積
層体の両端面に無反射コーティング層が形成され、積層
体の一方の端面から活性層内に信号光が入射され、活性
層で増幅された信号光が積層体の他方の端面から出射さ
れるものである。
【００１２】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、酸化膜にはＳｉＯ2 を用い、ポリマ層にはポ
リイミドを用いるのが好ましい。
増幅器は、酸化膜にはＳｉＯ2 を用い、ポリマ層にはポ
リイミドを用いるのが好ましい。
【００１３】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、上部クラッド層及びコンタクト層の幅は、信
号光の入射側及び出射側でテーパ状に細くなっていても
よい。
増幅器は、上部クラッド層及びコンタクト層の幅は、信
号光の入射側及び出射側でテーパ状に細くなっていても
よい。
【００１４】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、活性層は、バルク構造或いは多重量子井戸構
造のいずれかで構成されているのが好ましい。
増幅器は、活性層は、バルク構造或いは多重量子井戸構
造のいずれかで構成されているのが好ましい。
【００１５】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、活性層の上及び下に光導波路層を設けてもよ
い。
増幅器は、活性層の上及び下に光導波路層を設けてもよ
い。
【００１６】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、上部電極は信号光の入射側と出射側との間で
電極分離溝によって分離されて二つの上部電極に分か
れ、それぞれの上部電極に電流を独立に注入することに
よって信号光の増幅利得を制御するようにしてもよい。
増幅器は、上部電極は信号光の入射側と出射側との間で
電極分離溝によって分離されて二つの上部電極に分か
れ、それぞれの上部電極に電流を独立に注入することに
よって信号光の増幅利得を制御するようにしてもよい。
【００１７】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、出射側の上部電極には逆方向電圧を印加する
ことによって可飽和吸収部を形成させ、増幅された信号
光の雑音を低減させるようにしてもよい。
増幅器は、出射側の上部電極には逆方向電圧を印加する
ことによって可飽和吸収部を形成させ、増幅された信号
光の雑音を低減させるようにしてもよい。
【００１８】上記構成に加え本発明のリッジ型半導体光
増幅器は、半導体基板として、Ｖ溝が形成された基板を
用いてよい。
増幅器は、半導体基板として、Ｖ溝が形成された基板を
用いてよい。
【００１９】ここで、従来のリッジ型半導体光増幅器で
は、半導体基板上に下部クラッド層及び活性層を形成し
た後、活性層を略矩形状にエッチング加工し、再度上部
クラッド層及びコンタクト層を結晶成長により形成しな
ければならなかった。すなわち従来技術は２回の結晶成
長を必要としていた。
は、半導体基板上に下部クラッド層及び活性層を形成し
た後、活性層を略矩形状にエッチング加工し、再度上部
クラッド層及びコンタクト層を結晶成長により形成しな
ければならなかった。すなわち従来技術は２回の結晶成
長を必要としていた。
【００２０】本発明によれば、半導体基板上に、下部ク
ラッド層、活性層、上部クラッド層及びコンタクト層を
順次形成した後、エッチングによりコンタクト層、上部
クラッド層（上部クラッド層は大部分は略矩形状に加工
し、一部分をスラブ部分として残しておいてもよい。）
を略矩形状に加工し、ＳｉＯ2 層を形成し、ポリマ層を
形成する際の結晶成長が１回ですむため低コスト化が図
れる。尚、ＳｉＯ2 層及びポリマ層の形成プロセスは結
晶成長プロセスに比べて十分安価なプロセスである。
ラッド層、活性層、上部クラッド層及びコンタクト層を
順次形成した後、エッチングによりコンタクト層、上部
クラッド層（上部クラッド層は大部分は略矩形状に加工
し、一部分をスラブ部分として残しておいてもよい。）
を略矩形状に加工し、ＳｉＯ2 層を形成し、ポリマ層を
形成する際の結晶成長が１回ですむため低コスト化が図
れる。尚、ＳｉＯ2 層及びポリマ層の形成プロセスは結
晶成長プロセスに比べて十分安価なプロセスである。
【００２１】また、本発明によれば低誘電率のＳｉＯ2
膜及びポリマ層を用いているので、寄生容量が小さくな
り、高速の光スイッチングが可能である。
膜及びポリマ層を用いているので、寄生容量が小さくな
り、高速の光スイッチングが可能である。
【００２２】さらに本発明によれば、上部クラッド層及
びコンタクト層の幅を、信号光の入射側及び出射側でテ
ーパ状に細くするだけの簡単なエッチング加工を施すこ
とにより、両側面に接続される光ファイバと高効率で結
合することができる。
びコンタクト層の幅を、信号光の入射側及び出射側でテ
ーパ状に細くするだけの簡単なエッチング加工を施すこ
とにより、両側面に接続される光ファイバと高効率で結
合することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２４】図１（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増
幅器の一実施の形態を示す端面断面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
幅器の一実施の形態を示す端面断面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２５】半導体基板２０にはＩｎＰ、ＧａＡｓを用
いることができるが本実施の形態ではＩｎＰ（ｎ+ ）基
板２０を用いた場合で説明する。
いることができるが本実施の形態ではＩｎＰ（ｎ+ ）基
板２０を用いた場合で説明する。
【００２６】ＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０の上にスラブ状の
下部クラッド層２１としてのＩｎＰ（ｎ）クラッド層２
１が形成され、ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１の上に活性
層２２が形成されている。なお、活性層２２の上には数
十ｎｍの厚さのスラブ状のクラッド層が形成されていて
もよい。このクラッド層は上部クラッド層２３を略矩形
断面形状に加工する際に、途中で加工を中断することに
よって容易に形成することができる。
下部クラッド層２１としてのＩｎＰ（ｎ）クラッド層２
１が形成され、ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１の上に活性
層２２が形成されている。なお、活性層２２の上には数
十ｎｍの厚さのスラブ状のクラッド層が形成されていて
もよい。このクラッド層は上部クラッド層２３を略矩形
断面形状に加工する際に、途中で加工を中断することに
よって容易に形成することができる。
【００２７】活性層２２には、例えば波長１．５５μｍ
帯で増幅する光増幅器を実現する場合には、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層を用い、その厚みは１μｍ以下にするのが好まし
い。ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１の厚みは１．５μｍ以
上に形成される。
帯で増幅する光増幅器を実現する場合には、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層を用い、その厚みは１μｍ以下にするのが好まし
い。ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１の厚みは１．５μｍ以
上に形成される。
【００２８】活性層２２の上には略矩形断面形状（リッ
ジ状）の上部クラッド層２３としてのＩｎＰ（ｐ）クラ
ッド層２３が形成されている。ＩｎＰ（ｐ）クラッド層
２３は、活性層２２内に入射した信号光を上部クラッド
層２３の下の活性層２２内近傍に閉じ込めて伝搬させる
機能を有する。したがって、このＩｎＰ（ｐ）クラッド
層２３にはＩｎＰ（ｐ）が用いられ、その厚みは１．５
μｍから２μｍ程度に定められ、その幅は３．５〜５μ
ｍの値に定められる。このＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３
の活性層２２に面している部分の幅ｗは約２μｍとす
る。
ジ状）の上部クラッド層２３としてのＩｎＰ（ｐ）クラ
ッド層２３が形成されている。ＩｎＰ（ｐ）クラッド層
２３は、活性層２２内に入射した信号光を上部クラッド
層２３の下の活性層２２内近傍に閉じ込めて伝搬させる
機能を有する。したがって、このＩｎＰ（ｐ）クラッド
層２３にはＩｎＰ（ｐ）が用いられ、その厚みは１．５
μｍから２μｍ程度に定められ、その幅は３．５〜５μ
ｍの値に定められる。このＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３
の活性層２２に面している部分の幅ｗは約２μｍとす
る。
【００２９】ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３の上にはコン
タクト層２４としてのＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４
が形成され、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４の上には
上部電極２５が形成されている。活性層２２、あるいは
ＩｎＰ（ｐ）スラブクラッド層の露出した上面とＩｎＰ
（ｐ）クラッド層２３の側面は酸化膜（絶縁層）として
のＳｉＯ2 層２６で覆われ、そのＳｉＯ2 層２６はポリ
マ層２７としてのポリイミド（商品名ＰＩＸ）膜２７で
覆われて積層体２８が構成されている。ポリマ層２７は
埋込み層として作用する。ＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０の下
面には下部電極２９が形成されている。これらＩｎＰ
（ｎ+ ）基板２０、ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１、活性
層２２、ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３、ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層２４、ＳｉＯ2 層２６及びポリマ層２７か
らなる積層体２８の両端面には無反射コーティング層３
０−１、３０−２が形成されている。
タクト層２４としてのＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４
が形成され、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４の上には
上部電極２５が形成されている。活性層２２、あるいは
ＩｎＰ（ｐ）スラブクラッド層の露出した上面とＩｎＰ
（ｐ）クラッド層２３の側面は酸化膜（絶縁層）として
のＳｉＯ2 層２６で覆われ、そのＳｉＯ2 層２６はポリ
マ層２７としてのポリイミド（商品名ＰＩＸ）膜２７で
覆われて積層体２８が構成されている。ポリマ層２７は
埋込み層として作用する。ＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０の下
面には下部電極２９が形成されている。これらＩｎＰ
（ｎ+ ）基板２０、ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２１、活性
層２２、ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３、ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層２４、ＳｉＯ2 層２６及びポリマ層２７か
らなる積層体２８の両端面には無反射コーティング層３
０−１、３０−２が形成されている。
【００３０】リッジ型半導体光増幅器３１の上部電極２
５の電流注入端子３２から矢印３３方向にしきい値電流
以下の順方向電流Ｉk が注入される。
５の電流注入端子３２から矢印３３方向にしきい値電流
以下の順方向電流Ｉk が注入される。
【００３１】両無反射コーティング層３０−１、３０−
２には図示しない光ファイバが接続される。
２には図示しない光ファイバが接続される。
【００３２】このようなリッジ型半導体光増幅器３１の
光ファイバ内を伝搬してきた信号光は、無反射コーティ
ング３０−１層を通して活性層２２内へ入射して増幅さ
れ、活性層２２内を伝搬して反対側の無反射コーティン
グ層３０−２を透過して他の光ファイバ（図示せず）内
へ出射される。
光ファイバ内を伝搬してきた信号光は、無反射コーティ
ング３０−１層を通して活性層２２内へ入射して増幅さ
れ、活性層２２内を伝搬して反対側の無反射コーティン
グ層３０−２を透過して他の光ファイバ（図示せず）内
へ出射される。
【００３３】このリッジ型半導体光増幅器の第一の特徴
は、製造時における結晶成長が１回でよい点である。す
なわち、ＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０上にＩｎＰ（ｎ）クラ
ッド層２１、活性層２２、ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２
３、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４を順次形成させる
だけでよい。ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４を形成し
た後、フォトマスクを介してＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層（膜厚約０．２μｍ）２４と、ＩｎＰ（ｐ）クラッド
層２３とを略矩形断面形状にエッチング加工する。
は、製造時における結晶成長が１回でよい点である。す
なわち、ＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０上にＩｎＰ（ｎ）クラ
ッド層２１、活性層２２、ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２
３、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４を順次形成させる
だけでよい。ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４を形成し
た後、フォトマスクを介してＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層（膜厚約０．２μｍ）２４と、ＩｎＰ（ｐ）クラッド
層２３とを略矩形断面形状にエッチング加工する。
【００３４】なお、ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３は大部
分を略矩形断面形状に加工し、一部分をスラブ状ＩｎＰ
（ｐ）クラッド層として残しておいてもよい。
分を略矩形断面形状に加工し、一部分をスラブ状ＩｎＰ
（ｐ）クラッド層として残しておいてもよい。
【００３５】ＩｎＰ（ｐ）クラッド層２３の側面と活性
層２２の上面にＳｉＯ2 層２６をＣＶＤ法で形成する。
ついでスピンコーティング法により、ＳｉＯ2 層２６の
上にポリイミド膜２７を塗布し、加熱し、ＩｎＰ
（ｎ+ ）基板２０の下面に下部電極２９を形成し、最後
にＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４に上部電極２５を形
成することによりリッジ型半導体光増幅器３１が得られ
る。
層２２の上面にＳｉＯ2 層２６をＣＶＤ法で形成する。
ついでスピンコーティング法により、ＳｉＯ2 層２６の
上にポリイミド膜２７を塗布し、加熱し、ＩｎＰ
（ｎ+ ）基板２０の下面に下部電極２９を形成し、最後
にＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２４に上部電極２５を形
成することによりリッジ型半導体光増幅器３１が得られ
る。
【００３６】このリッジ型半導体光増幅器３１の第二の
特徴は、埋込み層に低誘電率のＳｉＯ2 層２６及びポリ
イミド膜２７を用いているので、寄生容量が小さくな
り、光ゲートスイッチとして用いると、高速の光スイッ
チング動作を実現することができる点である。尚、Ｓｉ
Ｏ2 層２６は、ポリイミド膜２７中の水分が活性層２２
内に混入しないようにするための耐湿性を向上させるた
めに設けたものである。このＳｉＯ2 層２６の膜厚は数
千オングストロームから１μｍ程度の厚さに形成される
のが好ましい。
特徴は、埋込み層に低誘電率のＳｉＯ2 層２６及びポリ
イミド膜２７を用いているので、寄生容量が小さくな
り、光ゲートスイッチとして用いると、高速の光スイッ
チング動作を実現することができる点である。尚、Ｓｉ
Ｏ2 層２６は、ポリイミド膜２７中の水分が活性層２２
内に混入しないようにするための耐湿性を向上させるた
めに設けたものである。このＳｉＯ2 層２６の膜厚は数
千オングストロームから１μｍ程度の厚さに形成される
のが好ましい。
【００３７】図２（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増
幅器の実施の形態を示す端面断面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、図２（ｃ）は図
２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。以下、図１に示した
実施の形態と同様の部材には共通の符号を用いた。
幅器の実施の形態を示す端面断面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、図２（ｃ）は図
２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。以下、図１に示した
実施の形態と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００３８】図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施
の形態との相違点は、上部クラッド層２３及びコンタク
ト層２４の幅が、信号光の入射側及び出射側で外側に向
かって細くなるテーパ状に形成されている点である。
の形態との相違点は、上部クラッド層２３及びコンタク
ト層２４の幅が、信号光の入射側及び出射側で外側に向
かって細くなるテーパ状に形成されている点である。
【００３９】このリッジ型半導体光増幅器４０は、テー
パ状領域４１−１、４１−２の下側の活性層２２ａ内を
伝搬する信号光のビームに広がりを持たせることができ
るので、入出射端面側での活性層２２ａ内のモードフィ
ールド径を広げることにより、光ファイバのモードフィ
ールド径に等しくすることができる。その結果、光ファ
イバ（図示せず）からリッジ型半導体光増幅器４０へ伝
搬する光信号や、リッジ型半導体光増幅器４０から光フ
ァイバへ伝搬する光信号を高効率で光結合させることが
できる。尚、上部電極２５も上部クラッド層２３及びコ
ンタクト層２４と同様に入出射側で外側に向かって細く
なるテーパ状領域を設けるのが好ましい。
パ状領域４１−１、４１−２の下側の活性層２２ａ内を
伝搬する信号光のビームに広がりを持たせることができ
るので、入出射端面側での活性層２２ａ内のモードフィ
ールド径を広げることにより、光ファイバのモードフィ
ールド径に等しくすることができる。その結果、光ファ
イバ（図示せず）からリッジ型半導体光増幅器４０へ伝
搬する光信号や、リッジ型半導体光増幅器４０から光フ
ァイバへ伝搬する光信号を高効率で光結合させることが
できる。尚、上部電極２５も上部クラッド層２３及びコ
ンタクト層２４と同様に入出射側で外側に向かって細く
なるテーパ状領域を設けるのが好ましい。
【００４０】図３（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増
幅器の他の実施の形態を示す端面断面図であり、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図３
（ｃ）は図３（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
幅器の他の実施の形態を示す端面断面図であり、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図３
（ｃ）は図３（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【００４１】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施
の形態との相違点は、上部電極２５ｂ−１、２５ｂ−２
が信号光の入射側と出射側との間で電極分離溝５２で分
離されている点である。この電極分離溝５２は活性層２
２ｂの近傍か、あるいは活性層２２ｂを横断するように
深く形成して光増幅部５３と可飽和吸収部５４とのアイ
ソレーションを大きくとっておくのが好ましい。
の形態との相違点は、上部電極２５ｂ−１、２５ｂ−２
が信号光の入射側と出射側との間で電極分離溝５２で分
離されている点である。この電極分離溝５２は活性層２
２ｂの近傍か、あるいは活性層２２ｂを横断するように
深く形成して光増幅部５３と可飽和吸収部５４とのアイ
ソレーションを大きくとっておくのが好ましい。
【００４２】このリッジ型半導体光増幅器５０は、電極
分離溝５２により分離された二つの上部電極２５ｂ−
１、２５ｂ−２のうち、入射側の上部電極２５ｂ−１の
電流注入端子３２−１にしきい値電流以下の順方向電流
Ｉk を注入することにより光増幅部５３が構成され、出
射側の上部電極２５ｂ−２の電圧印加端子３２−２に逆
方向電圧−Ｖk を印加することにより可飽和吸収部５４
が構成されるようになっている。
分離溝５２により分離された二つの上部電極２５ｂ−
１、２５ｂ−２のうち、入射側の上部電極２５ｂ−１の
電流注入端子３２−１にしきい値電流以下の順方向電流
Ｉk を注入することにより光増幅部５３が構成され、出
射側の上部電極２５ｂ−２の電圧印加端子３２−２に逆
方向電圧−Ｖk を印加することにより可飽和吸収部５４
が構成されるようになっている。
【００４３】可飽和吸収部５４は、増幅された信号光に
含まれている雑音成分を低減させることができる。尚、
光増幅部５３の素子長は可飽和吸収部５４の素子長より
も長く形成されている。尚、領域５１−１、５１−２は
信号光の入射側及び出射側でテーパ状に細くなってい
る。
含まれている雑音成分を低減させることができる。尚、
光増幅部５３の素子長は可飽和吸収部５４の素子長より
も長く形成されている。尚、領域５１−１、５１−２は
信号光の入射側及び出射側でテーパ状に細くなってい
る。
【００４４】図４（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増
幅器の他の実施の形態を示す端面断面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ線断面図であり、図４
（ｃ）は図４（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
幅器の他の実施の形態を示す端面断面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ線断面図であり、図４
（ｃ）は図４（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【００４５】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施
の形態との相違点は、入射側の上部電極２５ｃ−１にし
きい値電流以下の順方向電流Ｉk1を注入し、出射側の上
部電極２５ｃ−２にしきい値電流以下の順方向電流Ｉk2
を注入するようにした点である。
の形態との相違点は、入射側の上部電極２５ｃ−１にし
きい値電流以下の順方向電流Ｉk1を注入し、出射側の上
部電極２５ｃ−２にしきい値電流以下の順方向電流Ｉk2
を注入するようにした点である。
【００４６】このリッジ型半導体光増幅器６０は、電極
分離溝６２で分離された入射側の上部電極２５ｃ−１に
しきい値電流以下の順方向電流Ｉk1を注入することによ
り光増幅部６３が構成され、出射側の上部電極２５ｃ−
２にしきい値電流以下の順方向電流Ｉk2を注入すること
により光増幅部６４が構成されるようになっている。こ
れらの順方向電流Ｉk1と順方向電流Ｉk2とをそれぞれ独
立に調整することによって広帯域にわたり、高利得特性
を実現することができる。尚、領域６１−１、６１−２
は信号光の入射側及び出射側で細くなるテーパ状領域で
ある。
分離溝６２で分離された入射側の上部電極２５ｃ−１に
しきい値電流以下の順方向電流Ｉk1を注入することによ
り光増幅部６３が構成され、出射側の上部電極２５ｃ−
２にしきい値電流以下の順方向電流Ｉk2を注入すること
により光増幅部６４が構成されるようになっている。こ
れらの順方向電流Ｉk1と順方向電流Ｉk2とをそれぞれ独
立に調整することによって広帯域にわたり、高利得特性
を実現することができる。尚、領域６１−１、６１−２
は信号光の入射側及び出射側で細くなるテーパ状領域で
ある。
【００４７】図５は本発明のリッジ型半導体光増幅器の
他の実施の形態を示す端面断面図である。
他の実施の形態を示す端面断面図である。
【００４８】図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施
の形態との相違点は、半導体基板として、Ｖ溝７１が形
成されたＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０ａを用いた点である。
の形態との相違点は、半導体基板として、Ｖ溝７１が形
成されたＩｎＰ（ｎ+ ）基板２０ａを用いた点である。
【００４９】このリッジ型半導体光増幅器７０は、表面
にＶ溝７１を形成したＩｎＰ（ｎ+）基板２０ａの上
に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層
２３及びコンタクト層２４を順次形成し、上部クラッド
層２３とコンタクト層２４とを略矩形断面形状に加工
し、ＳｉＯ2 層２６及びポリイミド膜２７、上部電極２
５及び下部電極２９を形成したものである。
にＶ溝７１を形成したＩｎＰ（ｎ+）基板２０ａの上
に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層
２３及びコンタクト層２４を順次形成し、上部クラッド
層２３とコンタクト層２４とを略矩形断面形状に加工
し、ＳｉＯ2 層２６及びポリイミド膜２７、上部電極２
５及び下部電極２９を形成したものである。
【００５０】なお、この構造でも活性層２２の上にスラ
ブ状のクラッド層２３が形成されていてもよい。
ブ状のクラッド層２３が形成されていてもよい。
【００５１】このようにＶ溝７１上に下部クラッド層２
１と活性層２２とを形成し、上部クラッド層２３の入出
射端側をテーパ状に加工しておくと、Ｖ溝７１内の下部
クラッド層２１と活性層２２とが湾曲し、膜厚も薄くな
るので、厚み方向のモードフィールド径が広がり、テー
パ状領域の下部の活性層２２のモードフィールド径は、
テーパ状に幅方向に広がると共に、厚み方向にもテーパ
状に広がる。この結果、このリッジ型半導体光増幅器７
０は、ビームスポット径を活性層の幅方向以外に厚み方
向へも拡大させることができる。
１と活性層２２とを形成し、上部クラッド層２３の入出
射端側をテーパ状に加工しておくと、Ｖ溝７１内の下部
クラッド層２１と活性層２２とが湾曲し、膜厚も薄くな
るので、厚み方向のモードフィールド径が広がり、テー
パ状領域の下部の活性層２２のモードフィールド径は、
テーパ状に幅方向に広がると共に、厚み方向にもテーパ
状に広がる。この結果、このリッジ型半導体光増幅器７
０は、ビームスポット径を活性層の幅方向以外に厚み方
向へも拡大させることができる。
【００５２】本発明は、上述した実施の形態には限定さ
れない。図１から図５に示した実施の形態において、活
性層２２にはバルク構造以外に、多重量子井戸構造を用
いることができる。例えば、活性層２２を量子井戸構造
で７周期構造とする。信号光の波長帯を１．５５μｍ帯
とすると、７周期構造は井戸層（膜厚約７ｎｍ、ＩｎＧ
ａＡｓ層）と、バリア層（膜厚約８ｎｍ、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層）の７周期構造である。尚、活性層の層数はあまり
多いと利得は高くなるが、キャリアが注入されにくくな
る。また、活性層２２の上と下とに導波路層（図示せ
ず）を設けてモードフィールド径をひろげるようにして
もよい。例えば上の導波路層にバンドギャップ波長が
１．１５μｍで厚さが約０．０５μｍのものを形成し、
下の導波路層にバンドギャップ波長が１．１５μｍで厚
さが約０．１５μｍのものを形成しておくと、より大き
なモードフィールド径を得ることができる。
れない。図１から図５に示した実施の形態において、活
性層２２にはバルク構造以外に、多重量子井戸構造を用
いることができる。例えば、活性層２２を量子井戸構造
で７周期構造とする。信号光の波長帯を１．５５μｍ帯
とすると、７周期構造は井戸層（膜厚約７ｎｍ、ＩｎＧ
ａＡｓ層）と、バリア層（膜厚約８ｎｍ、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層）の７周期構造である。尚、活性層の層数はあまり
多いと利得は高くなるが、キャリアが注入されにくくな
る。また、活性層２２の上と下とに導波路層（図示せ
ず）を設けてモードフィールド径をひろげるようにして
もよい。例えば上の導波路層にバンドギャップ波長が
１．１５μｍで厚さが約０．０５μｍのものを形成し、
下の導波路層にバンドギャップ波長が１．１５μｍで厚
さが約０．１５μｍのものを形成しておくと、より大き
なモードフィールド径を得ることができる。
【００５３】酸化膜（絶縁層）には、ＳｉＯ2 以外にフ
ッ素を添加したＳｉＯ2 、ＳｉＯＮ等を用いることがで
きる。またポリマ層にはポリイミド以外にフッ素を添加
したポリイミドを用いてもよい。フッ素を添加すると、
より低誘電率特性を実現することができるが、フッ素の
添加量が多すぎると耐熱性、耐湿度性が低下する。
ッ素を添加したＳｉＯ2 、ＳｉＯＮ等を用いることがで
きる。またポリマ層にはポリイミド以外にフッ素を添加
したポリイミドを用いてもよい。フッ素を添加すると、
より低誘電率特性を実現することができるが、フッ素の
添加量が多すぎると耐熱性、耐湿度性が低下する。
【００５４】以上において、本発明によれば、 (1) 従来は半導体基板上に下部クラッド層及び活性層を
形成した後、活性層を矩形状にエッチング加工し、その
後で再び上部クラッド層及びコンタクト層を結晶成長に
より形成しなければならなかった。つまり、従来技術は
２回の結晶成長を必要としていた。これに対し、本発明
では、半導体基板上に１回の結晶成長で下部クラッド
層、活性層、上部クラッド層、コンタクト層及び上部ク
ラッド層を略矩形状に加工し、ついでＳｉＯ2 を形成し
た後、ポリイミド層を塗布、加熱することによって形成
する、いわゆる結晶成長が１回ですむために、低コスト
化が図れる。また各層間に散乱中心となるような不均一
な構造不整や、光吸収物等が生じにくいので、高利得の
光増幅器を実現することができる。
形成した後、活性層を矩形状にエッチング加工し、その
後で再び上部クラッド層及びコンタクト層を結晶成長に
より形成しなければならなかった。つまり、従来技術は
２回の結晶成長を必要としていた。これに対し、本発明
では、半導体基板上に１回の結晶成長で下部クラッド
層、活性層、上部クラッド層、コンタクト層及び上部ク
ラッド層を略矩形状に加工し、ついでＳｉＯ2 を形成し
た後、ポリイミド層を塗布、加熱することによって形成
する、いわゆる結晶成長が１回ですむために、低コスト
化が図れる。また各層間に散乱中心となるような不均一
な構造不整や、光吸収物等が生じにくいので、高利得の
光増幅器を実現することができる。
【００５５】(2) 尚、ＳｉＯ2 膜及びポリイミド膜形成
プロセスは結晶成長プロセスに比べて十分に安価なプロ
セスである。
プロセスは結晶成長プロセスに比べて十分に安価なプロ
セスである。
【００５６】(3) 従来は、上部クラッド層、ＩｎＰ
（ｐ）埋込み層、ＩｎＰ（ｎ）埋込み層が高誘電率の結
晶材料で構成されているために、寄生容量が大きく、こ
のような結晶材料で製造した半導体光増幅器を光ゲート
スイッチとして用いる場合には、寄生容量が影響を及ぼ
して高速の光スイッチング動作が困難であった。これに
対し、本発明は、ＩｎＰ（ｎ）埋込み層、ＩｎＰ（ｎ）
埋込み層の代わりに低誘電率のＳｉＯ2 膜及びポリイミ
ド膜、あるいはフッ素添加膜を用いるので、高速の光ス
イッチングが可能である。
（ｐ）埋込み層、ＩｎＰ（ｎ）埋込み層が高誘電率の結
晶材料で構成されているために、寄生容量が大きく、こ
のような結晶材料で製造した半導体光増幅器を光ゲート
スイッチとして用いる場合には、寄生容量が影響を及ぼ
して高速の光スイッチング動作が困難であった。これに
対し、本発明は、ＩｎＰ（ｎ）埋込み層、ＩｎＰ（ｎ）
埋込み層の代わりに低誘電率のＳｉＯ2 膜及びポリイミ
ド膜、あるいはフッ素添加膜を用いるので、高速の光ス
イッチングが可能である。
【００５７】(4) 上部クラッド層及びコンタクト層の幅
を、信号光の入射端側及び出射端側でテーパ状に細くな
るように形成することにより、両側面に接続される光フ
ァイバとの光結合を高効率で実現することができる。す
なわち、本発明のリッジ型半導体光増幅器は、上部クラ
ッド層及びコンタクト層の幅を入射端側及び出射端側で
テーパ状に細くするだけの簡単なエッチング加工のみで
光ビームスポットサイズ変換機能をもたせることができ
る。従来の構成光ビームスポットサイズ変換機能をもた
せようとすると、矩形状の活性層の幅及び厚みを入射端
と出射端側でテーパ状に細くする加工が必要となり、こ
のような加工は高価なプロセスを必要とする。
を、信号光の入射端側及び出射端側でテーパ状に細くな
るように形成することにより、両側面に接続される光フ
ァイバとの光結合を高効率で実現することができる。す
なわち、本発明のリッジ型半導体光増幅器は、上部クラ
ッド層及びコンタクト層の幅を入射端側及び出射端側で
テーパ状に細くするだけの簡単なエッチング加工のみで
光ビームスポットサイズ変換機能をもたせることができ
る。従来の構成光ビームスポットサイズ変換機能をもた
せようとすると、矩形状の活性層の幅及び厚みを入射端
と出射端側でテーパ状に細くする加工が必要となり、こ
のような加工は高価なプロセスを必要とする。
【００５８】(5) 本半導体光増幅器を並列にアレイ状に
配置した構造が光マトリクススイッチや光マトリクスゲ
ート回路等を実現する上で必須になってくるが、上記ア
レイ状構造を製造するのが容易であり、かつ、各々の光
増幅器の構造を非常に均一に製造することができ、結果
的に光学特性のそろった光増幅器を実現することができ
る。これは、結晶成長が１回でよいことと、酸化膜及び
ポリマ膜を形成する工程を用いているためである。すな
わち、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層及びコ
ンタクト層の物理的特性（例えば組成、膜厚等）が各々
の光増幅器に対してそろっていること、酸化膜及びポリ
マ膜も同様であることによる。
配置した構造が光マトリクススイッチや光マトリクスゲ
ート回路等を実現する上で必須になってくるが、上記ア
レイ状構造を製造するのが容易であり、かつ、各々の光
増幅器の構造を非常に均一に製造することができ、結果
的に光学特性のそろった光増幅器を実現することができ
る。これは、結晶成長が１回でよいことと、酸化膜及び
ポリマ膜を形成する工程を用いているためである。すな
わち、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層及びコ
ンタクト層の物理的特性（例えば組成、膜厚等）が各々
の光増幅器に対してそろっていること、酸化膜及びポリ
マ膜も同様であることによる。
【００５９】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６０】高速のスイッチング動作が可能で、しかも
低コストなリッジ型半導体光増幅器の提供を実現するこ
とができる。
低コストなリッジ型半導体光増幅器の提供を実現するこ
とができる。
【図１】（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増幅器の一
実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図である。
実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増幅器の実
施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図
である。
施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図
である。
【図３】（ａ）は本発明のリッジ型半導体光増幅器の他
の実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＤ−Ｄ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断
面図である。
の実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＤ−Ｄ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断
面図である。
【図４】（ａ）は、本発明のリッジ型半導体光増幅器の
他の実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＦ−Ｆ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＧ−
Ｇ線断面図である。
他の実施の形態を示す端面断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＦ−Ｆ線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＧ−
Ｇ線断面図である。
【図５】本発明のリッジ型半導体光増幅器の他の実施の
形態を示す端面断面図である。
形態を示す端面断面図である。
【図６】従来のリッジ型半導体光増幅器の概略構造を示
す図である。
す図である。
２０ 半導体基板（ＩｎＰ（ｎ+ ）基板） ２１ 下部クラッド層（ＩｎＰ（ｎ）クラッド層） ２２ 活性層 ２３ 上部クラッド層（ＩｎＰ（ｐ）クラッド層） ２４ コンタクト層（ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層） ２５ 上部電極 ２６ 酸化膜（絶縁層、ＳｉＯ2 層） ２７ ポリマ層（ポリイミド膜） ２９ 下部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝山 俊夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F072 AB13 JJ20 MM03 MM04 MM08 MM20 5F073 AA13 AA14 AA45 AA61 AA74 AA83 AA89 AB21 AB22 CB11 EA14 EA27
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板上にスラブ状の下部クラッド
層と活性層とが形成され、該活性層の上に略矩形断面形
状の上部クラッド層が形成され、該上部クラッド層の側
面と上記活性層の露出面とに酸化膜及びポリマ層が形成
された積層体の上記上部クラッド層の上にコンタクト層
を介して上部電極が形成され、上記半導体基板の裏面に
下部電極が形成され、上記積層体の両端面に無反射コー
ティング層が形成され、上記積層体の一方の端面から上
記活性層内に信号光が入射され、上記活性層で増幅され
た信号光が上記積層体の他方の端面から出射されること
を特徴とするリッジ型半導体光増幅器。 - 【請求項２】 上記スラブ状の活性層と略矩形断面形状
の上部クラッド層との間にスラブ状のクラッド層が付加
され、該上部クラッド層の側面と上記スラブ状のクラッ
ド層の露出面とに酸化膜及びポリマ層が形成されている
請求項１に記載のリッジ型半導体光増幅器。 - 【請求項３】 上記酸化膜にはＳｉＯ2 を用い、上記ポ
リマ層にはポリイミドを用いた請求項１又は２に記載の
リッジ型半導体光増幅器。 - 【請求項４】 上記上部クラッド層及び上記コンタクト
層の幅は、信号光の入射側及び出射側でテーパ状に細く
なっている請求項１から３のいずれかに記載のリッジ型
半導体光増幅器。 - 【請求項５】 上記活性層は、バルク構造或いは多重量
子井戸構造のいずれかで構成されている請求項１から４
のいずれかに記載のリッジ型半導体光増幅器。 - 【請求項６】 上記活性層の上及び下に光導波路層を設
けた請求項１から５のいずれかに記載のリッジ型半導体
光増幅器。 - 【請求項７】 上記上部電極は信号光の入射側と出射側
との間で電極分離溝によって分離されて二つの上部電極
に分かれ、それぞれの上部電極に電流を独立に注入する
ことによって信号光の増幅利得を制御するようにした請
求項１から６のいずれかに記載のリッジ型半導体光増幅
器。 - 【請求項８】 出射側の上部電極には逆方向電圧を印加
することによって可飽和吸収部を形成させ、増幅された
信号光の雑音を低減させるようにした請求項７に記載の
リッジ型半導体光増幅器。 - 【請求項９】 上記半導体基板として、Ｖ溝が形成され
た基板を用いた請求項１から８のいずれかに記載のリッ
ジ型半導体光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286721A JP2000114671A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | リッジ型半導体光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286721A JP2000114671A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | リッジ型半導体光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114671A true JP2000114671A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17708161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10286721A Pending JP2000114671A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | リッジ型半導体光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114671A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152605A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Korea Electronics Telecommun | 光増幅器が集積されたスーパーミネッセンスダイオード及びこれを利用した外部共振レーザー |
| JP2010199379A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
| CN102315590A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 索尼公司 | 半导体光放大器 |
| JP2014170958A (ja) * | 2014-05-01 | 2014-09-18 | Sony Corp | 半導体光増幅器及び半導体レーザ装置組立体並びに半導体光増幅器の位置調整方法 |
| WO2018079112A1 (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体光導波路及び光集積素子 |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10286721A patent/JP2000114671A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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