JP2000114318A - Semiconductor chip, its manufacture, sheet for applying flux, and method for mounting semiconductor chip - Google Patents

Semiconductor chip, its manufacture, sheet for applying flux, and method for mounting semiconductor chip

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JP2000114318A
JP2000114318A JP10301705A JP30170598A JP2000114318A JP 2000114318 A JP2000114318 A JP 2000114318A JP 10301705 A JP10301705 A JP 10301705A JP 30170598 A JP30170598 A JP 30170598A JP 2000114318 A JP2000114318 A JP 2000114318A
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flux
layer
semiconductor chip
solvent
solution
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JP10301705A
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Japanese (ja)
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Yoshihiro Yoshida
芳博 吉田
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flip-chip mounting method by which the need for a flux residue cleaning removal process can be eliminated, and in addition, adverse effects caused by the residue of flux can be removed. SOLUTION: A flux solution layer 5 for the concentration of flux in the layer 5 becomes lower along towards the overlaying layer from the underlying layer which is a solid-state water soluble flux layer 4 formed into a uniform thickness is formed by applying water in uniform thickness to the layer 4. A ball bump 1, formed on the electrode 3 of a semiconductor chip, is dipped in the flux solution layer 5 and pulled up from the layer 5. Consequently, the flux solution 2 in the layer 5 is applied to the entire surface of the ball bump 1, in such a way that the concentration of the flux gradually becomes lower along the electrode 3 from the front end section of the bump 1. Then the semiconductor chip is mounted on a circuit board through flip-chip welding.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、(1)回路基板上
にフリップチップ方式で実装される半導体チップ、詳し
くは当該半導体チップの電極上に形成されたハンダバン
プに対するフラックスの塗布形態、(2)この半導体チ
ップの製造方法、すなわちハンダバンプへのフラックス
塗布方法、(3)この塗布方法の実施に有効なフラック
ス塗布用シートおよび、(4)回路基板上への前記半導
体チップの実装方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to (1) a semiconductor chip mounted on a circuit board by a flip-chip method, more specifically, a form of applying flux to solder bumps formed on electrodes of the semiconductor chip. The present invention relates to a method of manufacturing the semiconductor chip, that is, a method of applying a flux to solder bumps, (3) a sheet for applying a flux which is effective for performing the applying method, and (4) a method of mounting the semiconductor chip on a circuit board. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、LSIなどの半導体集積回路の実
装技術の一つとして、フリップチップ方式(flip chip
bonding process)が採用されている。この実装方式で
は、半導体チップ(集積回路チップ)の電極上にハンダ
バンプを形成するとともに、回路基板側の電極にもハン
ダバンプを形成しておき、半導体チップの電極と回路基
板の電極との位置合わせを行い、ハンダバンプの融点以
下の低い温度でフラックスの粘着性によりチップと基板
を仮圧着した後、この圧着物をリフロー炉内を通過させ
ることによりハンダバンプを溶融固着させ、その後、フ
ラックス残渣を溶剤で洗浄して除去し、最後にチップと
基板との界面に封止用の樹脂を注入してプロセスを完了
させる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as one of the mounting techniques of a semiconductor integrated circuit such as an LSI, a flip chip method (flip chip method) has been proposed.
bonding process). In this mounting method, solder bumps are formed on the electrodes of the semiconductor chip (integrated circuit chip), and solder bumps are also formed on the electrodes of the circuit board, so that the electrodes of the semiconductor chip and the electrodes of the circuit board are aligned. After that, the chip and the substrate are temporarily press-bonded by the adhesiveness of the flux at a temperature lower than the melting point of the solder bumps, and then the press-bonded material is passed through a reflow furnace to melt and fix the solder bumps. And finally, a sealing resin is injected into the interface between the chip and the substrate to complete the process.

【0003】ところが、この実装方式においては、上記
のようなフラックスの洗浄除去工程が必要となるため、
実装費用がコスト高となる問題があった。この問題を解
決した実装技術として、特開平7−78847号公報
(発明の名称:半導体チップ実装方法)に開示されたも
のがある。この実装技術では、フラックスをチップのハ
ンダバンプ先端部にのみ塗布してから、チップを基板上
にフリップチップボンディングすることで、上記フラッ
クスの洗浄除去工程を省略するとともに、フラックス残
渣に起因する悪影響を排除している。
[0003] However, in this mounting method, the above-mentioned flux washing and removing step is required.
There has been a problem that mounting costs are high. As a mounting technique that solves this problem, there is one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-78847 (title of the invention: semiconductor chip mounting method). In this mounting technology, the flux is applied only to the tip of the solder bumps of the chip, and then the chip is flip-chip bonded to the substrate, eliminating the above-mentioned flux washing and removing step and eliminating the adverse effects caused by the flux residue. are doing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記ハンダバンプが図
5に示すような球形バンプ11(加熱成形されたバン
プ)の場合には、このバンプ上でのフラックスの濡れ広
がりが円滑に進むため、所期の目的が達成される。しか
しながら、図6に示すようなワイヤーバンピングで形成
されたボールバンプ21(ワイヤーボンディング法によ
り形成されたバンプ)は球形ではなく、円板部の中心部
にワイヤーの一部が突出した形状になっているため、球
形バンプ11の場合には適量と考えられる量のフラック
スをボールバンプ21の先端部に塗布しても、加熱時に
バンプ21全体が迅速なフラックスの濡れ広がりによっ
て覆われることは期待できない。
In the case where the solder bump is a spherical bump 11 (heat-formed bump) as shown in FIG. 5, the spread of the flux on the bump proceeds smoothly. Is achieved. However, the ball bumps 21 (bumps formed by the wire bonding method) formed by wire bumping as shown in FIG. 6 are not spherical, but have a shape in which a part of the wire protrudes at the center of the disk portion. Therefore, in the case of the spherical bump 11, even if a suitable amount of flux is applied to the tip of the ball bump 21, it is not expected that the entire bump 21 is covered by the rapid spread of the flux when heated.

【0005】このため、金属表面の酸化膜除去など、フ
ラックスによる所望の作用が得られなくなる。この不具
合をなくすには、バンプ全体をフラックス溜まりに押し
当てることでフラックスをバンプ全体に塗布する必要が
あった。なお図5,6において12,22はLSI電極
である。
[0005] For this reason, the desired action of the flux such as removal of the oxide film from the metal surface cannot be obtained. In order to eliminate this problem, it was necessary to apply the flux to the entire bump by pressing the entire bump against the flux pool. 5 and 6, reference numerals 12 and 22 denote LSI electrodes.

【0006】このように、ワイヤーバンピングで形成さ
れたバンプについては、上記特許公報に開示された実装
方法を適用することができない。また、フラックスをバ
ンプ全体に塗布すると、フラックス量が過剰になりやす
く、この場合にはフラックスがチップ表面にまで広が
り、その凝集力によってチップが傾き、隣接する電極間
でショートが発生することがあり、逆にフラックス量が
少なすぎると、バンプ上部がフラックスで覆われず、接
続時に酸化膜が形成されるため、接続後のパンプ形状が
いびつになるという問題があった。
As described above, the mounting method disclosed in the above-mentioned patent publication cannot be applied to bumps formed by wire bumping. Also, if the flux is applied to the entire bump, the amount of the flux tends to be excessive, and in this case, the flux spreads to the chip surface, and the cohesive force tilts the chip, which may cause a short circuit between adjacent electrodes. Conversely, if the amount of the flux is too small, the upper portion of the bump is not covered with the flux and an oxide film is formed at the time of connection, so that there is a problem that the pump shape after the connection is distorted.

【0007】したがって本発明の目的は、ワイヤーバン
ピングでハンダバンプを形成した半導体チップを回路基
板上にフリップチップ方式で実装するに際して、簡便な
方法で必要量のフラックスをハンダバンプに塗布するこ
とができ、フラックス残渣の洗浄除去工程を省略するこ
とができるうえ、フラックス残渣に起因する悪影響の排
除が可能な、フリップチップ方式の実装技術を提供する
ことである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for applying a required amount of flux to a solder bump by a simple method when mounting a semiconductor chip having a solder bump formed by wire bumping on a circuit board by a flip chip method. An object of the present invention is to provide a flip-chip type mounting technique that can omit a step of cleaning and removing a residue and can eliminate an adverse effect caused by a flux residue.

【0008】すなわち本発明は、(1)半導体チップの
電極上に形成されたハンダバンプに対するフラックスの
塗布形態、(2)そのためのハンダバンプへのフラック
ス塗布方法、(3)この塗布方法の実施に使用するフラ
ックス塗布用シートおよび、(4)回路基板上への半導
体チップの実装方法を、簡単な構成で提供するものであ
る。
That is, the present invention is used for (1) a method of applying a flux to a solder bump formed on an electrode of a semiconductor chip, (2) a method of applying a flux to the solder bump for that purpose, and (3) a method of applying the method. A flux application sheet and (4) a method for mounting a semiconductor chip on a circuit board are provided with a simple configuration.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の半導体
チップは、回路基板上にフリップチップ方式で実装され
る半導体チップであり、電極上にハンダバンプが形成さ
れ該ハンダバンプにフラックスの溶剤溶液が塗布された
ものであって、溶剤に溶解したフラックスの濃度が、ハ
ンダバンプの先端部から前記電極に向かって次第に低下
するように、前記フラックスの溶剤溶液が塗布されてい
ることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip mounted on a circuit board by a flip chip method, wherein a solder bump is formed on an electrode, and a flux solvent solution is applied to the solder bump. Wherein the solvent solution of the flux is applied such that the concentration of the flux dissolved in the solvent gradually decreases from the tip of the solder bump toward the electrode.

【0010】請求項2に記載の半導体チップの製造方法
は、請求項1に記載の半導体チップを製造する方法であ
って、半導体チップの電極上に適宜方法でハンダバンプ
を形成するともに、適宜部材上にフラックスを塗布し、
該フラックス上にこれを溶解する溶剤からなる層を形成
し、該溶剤層とフラックスとを直接接触させることによ
りフラックス上に、前記溶剤層とフラックスとの界面か
ら前記溶剤層側に遠ざかるに従ってフラックス濃度が低
下するフラックス溶液層を形成した後、前記半導体チッ
プのハンダバンプを該ハンダバンプの先端部側から前記
フラックス溶液層に浸漬し、ついで引き上げることを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor chip according to the first aspect, wherein a solder bump is formed on an electrode of the semiconductor chip by an appropriate method, and a solder bump is formed on an appropriate member. Apply flux to
Forming a layer made of a solvent that dissolves the flux on the flux, and by directly contacting the solvent layer and the flux, on the flux, the flux concentration increases with distance from the interface between the solvent layer and the flux to the solvent layer side. After forming a flux solution layer, the solder bump of the semiconductor chip is immersed in the flux solution layer from the tip end side of the solder bump, and then pulled up.

【0011】請求項3に記載の半導体チップの製造方法
は、請求項2においてフラックス上に前記フラックス溶
液層を形成するに際し、溶剤を含浸させた透水性シート
をフラックス上にこれと接触させて重ねるか、または透
水性シートをフラックス上にこれと接触させて重ねた
後、透水性シートに溶剤を含浸させることを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, in forming the flux solution layer on the flux in the second aspect, a water-permeable sheet impregnated with a solvent is overlapped on the flux by contacting the flux. Alternatively, after the water permeable sheet is overlaid on the flux in contact with the flux, the water permeable sheet is impregnated with a solvent.

【0012】請求項4に記載の半導体チップの製造方法
は、請求項3において前記フラックスとして固形の水溶
性フラックスを、前記溶剤として水をそれぞれ用いるこ
とを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor chip according to the third aspect, wherein a solid water-soluble flux is used as the flux, and water is used as the solvent.

【0013】請求項5に記載のフラックス塗布用シート
は、請求項4に記載の半導体チップの製造方法に用いる
ものであって、固形の水溶性フラックス上に、これと接
触させた状態で透水性シートを重ねて一体化したことを
特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a flux coating sheet for use in the method of manufacturing a semiconductor chip according to the fourth aspect, wherein the flux is applied to a solid water-soluble flux in contact with the flux. It is characterized in that the sheets are stacked and integrated.

【0014】請求項6に記載の半導体チップの実装方法
は、回路基板上にフリップチップ方式で半導体チップを
実装するに際し、半導体チップの電極上に適宜方法でハ
ンダバンプを形成するともに、適宜部材上にフラックス
を塗布し、該フラックス上にこれを溶解する溶剤からな
る層を形成し、該溶剤層とフラックスとを直接接触させ
ることによりフラックス上に、前記溶剤層とフラックス
との界面から前記溶剤層側に遠ざかるに従ってフラック
ス濃度が低下するフラックス溶液層を形成し、前記半導
体チップのハンダバンプを該ハンダバンプの先端部側か
ら前記フラックス溶液層に浸漬し、ついで引き上げるこ
とにより、ハンダバンプにフラックスの溶剤溶液が塗布
された半導体チップを作製した後、該半導体チップを前
記回路基板上にフリップチップ方式で接続することを特
徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, when a semiconductor chip is mounted on a circuit board by a flip chip method, a solder bump is formed on an electrode of the semiconductor chip by an appropriate method, and the semiconductor chip is mounted on an appropriate member. The flux is applied, a layer made of a solvent that dissolves the flux is formed on the flux, and the solvent layer and the flux are brought into direct contact with each other on the flux, from the interface between the solvent layer and the flux to the solvent layer side. Forming a flux solution layer in which the flux concentration decreases as the distance from the solder bump increases, the solder bump of the semiconductor chip is immersed in the flux solution layer from the tip end side of the solder bump, and then pulled up, so that a flux solvent solution is applied to the solder bump. After manufacturing the semiconductor chip, the semiconductor chip is mounted on the circuit board. Characterized by connection-Chip method.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。なお、以下ではハンダバン
プとして、ワイヤーバンピングで形成されたボールバン
プ(図6)を例示するが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、通常の球形バンプ(図5)にも適用するこ
とができる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following, a ball bump formed by wire bumping (FIG. 6) is illustrated as an example of the solder bump, but the present invention is not limited to this, and may be applied to a normal spherical bump (FIG. 5). it can.

【0016】実施の形態1(請求項1) 図1は、半導体チップの要部構成に係るもので、所定の
フラックス濃度分布を有するフラックス溶液2が全面に
塗布されたハンダバンプ1を示す模式的断面図である。
3は半導体チップ(図示せず)上に設けたLSI電極で
ある。上記フラックス溶液2は、ペースト状または固形
状のフラックスを適宜の溶剤に溶解したもので、フラッ
クスの濃度がバンプ1の先端部(LSI電極3から遠い
側の端部)からLSI電極3に向かって次第に低下する
ように、ハンダバンプ1に塗布されている。
First Embodiment (Claim 1) FIG. 1 relates to a main part of a semiconductor chip, and is a schematic cross section showing a solder bump 1 having a flux solution 2 having a predetermined flux concentration distribution applied to the entire surface. FIG.
Reference numeral 3 denotes an LSI electrode provided on a semiconductor chip (not shown). The flux solution 2 is obtained by dissolving a paste or solid flux in an appropriate solvent, and the concentration of the flux is from the tip of the bump 1 (the end farther from the LSI electrode 3) toward the LSI electrode 3. It is applied to the solder bump 1 so as to gradually decrease.

【0017】通常、上記ペースト状フラックスは主にベ
ース樹脂、活性剤およびこれらを溶解する溶剤からな
り、上記固形状フラックスは主にベース樹脂と活性剤か
らなる。また、上記フラックスとして、水溶性のベース
樹脂および活性剤を水に溶解して調製したものを用いる
こともできる。この場合には、フラックス溶液2を塗布
するための上記溶剤として水を使用すれば良い。
Usually, the above-mentioned paste-like flux mainly comprises a base resin, an activator and a solvent for dissolving them, and the above-mentioned solid flux mainly comprises a base resin and an activator. Further, as the flux, a flux prepared by dissolving a water-soluble base resin and an activator in water can also be used. In this case, water may be used as the solvent for applying the flux solution 2.

【0018】ハンダバンプ1へのフラックスの塗布形態
を図1のようにすることで、バンプ先端部に、接続電極
を覆うに充分な量のフラックスが確保される。また、バ
ンプ先端部以外の部分には、必要最小限量のフラックス
が塗布されているため、フラックスによる所期の効果が
得られるとともに、フラックス残渣の洗浄除去工程が不
要となる。
By applying the flux to the solder bump 1 as shown in FIG. 1, a sufficient amount of flux to cover the connection electrode is secured at the tip of the bump. In addition, since a necessary minimum amount of flux is applied to portions other than the tip of the bump, the desired effect of the flux can be obtained, and the step of cleaning and removing the flux residue is not required.

【0019】実施の形態2(請求項2) 図2は、ハンダバンプ1の表面に図1の形態でフラック
ス溶液2を塗布する方法を示す模式的断面図であり、以
下この方法について説明する。図2(a)に示すように
半導体チップ(図示せず)のLSI電極3上にハンダバ
ンプ1を形成する。他方、底面が平面状の浅底の皿(図
示せず)にペースト状または固形状のフラックス層4を
均一厚さで形成する。それには例えば、ペースト状フラ
ックスを上記底面に適宜厚さに塗布した後、フラックス
の塗布厚さをスキージ(図示せず)で均一にするか、ま
たは高濃度で流動性の良い液状フラックスを上記皿に注
いだ後、適宜量の溶剤を蒸発除去する。
Embodiment 2 (Claim 2) FIG. 2 is a schematic sectional view showing a method of applying the flux solution 2 to the surface of the solder bump 1 in the form of FIG. 1, and this method will be described below. As shown in FIG. 2A, solder bumps 1 are formed on LSI electrodes 3 of a semiconductor chip (not shown). On the other hand, a paste-like or solid flux layer 4 is formed with a uniform thickness on a shallow dish (not shown) having a flat bottom surface. For example, after applying a paste-like flux to the bottom surface to an appropriate thickness, the applied thickness of the flux is made uniform with a squeegee (not shown), or a liquid flux having a high concentration and good fluidity is applied to the plate. , And an appropriate amount of the solvent is removed by evaporation.

【0020】ついで、上記皿にフラックス層4を溶解す
る溶剤を静かに注ぎ、フラックス層4上にこれと接触さ
せて厚さが例えば50〜500μmの溶剤層を形成した
後、この状態で適宜時間静置する。これによりフラック
ス層4の表面部が溶剤層中に徐々に溶解・拡散するた
め、フラックス層4上に、フラックス濃度がフラックス
層4の表面側から溶剤層の上層に向かって次第に低下す
るフラックス溶液層5が形成される。フラックス層4が
水溶性である場合には、上記溶剤として水が使用でき
る。
Next, a solvent for dissolving the flux layer 4 is gently poured into the above-mentioned dish, and the solvent is brought into contact with the flux layer 4 to form a solvent layer having a thickness of, for example, 50 to 500 μm. Let stand still. As a result, the surface portion of the flux layer 4 gradually dissolves and diffuses in the solvent layer, so that the flux concentration on the flux layer 4 gradually decreases from the surface side of the flux layer 4 toward the upper layer of the solvent layer. 5 are formed. When the flux layer 4 is water-soluble, water can be used as the solvent.

【0021】ついで、図2(a)(b)に示すように上
記半導体チップのハンダバンプ1を、その先端部側から
フラックス溶液層5に近づけ、ハンダバンプ1のほぼ全
体をフラックス溶液層5に浸漬する。ついで、図2
(c)のように半導体チップを徐々に引き上げる。これ
により、フラックス溶液層5のフラックス濃度分布が殆
どそのままハンダバンプ1に移行した形態でフラックス
溶液層5が(つまりフラックスが)、ハンダバンプ1の
全面に塗布される。この場合、ハンダバンプ1の全体を
フラックス溶液層5に浸漬しても良いが、そうしなくて
も、フラックス溶液がハンダバンプ1の表面に濡れ広が
るので問題はなく、フラックスを図1に示す形態でハン
ダバンプに塗布することができる。
Next, as shown in FIGS. 2A and 2B, the solder bump 1 of the semiconductor chip is brought close to the flux solution layer 5 from the tip end side, and almost the entire solder bump 1 is immersed in the flux solution layer 5. . Then, FIG.
The semiconductor chip is gradually pulled up as shown in FIG. As a result, the flux solution layer 5 (that is, the flux) is applied to the entire surface of the solder bump 1 in a form in which the flux concentration distribution of the flux solution layer 5 is transferred to the solder bump 1 almost as it is. In this case, the entire solder bump 1 may be immersed in the flux solution layer 5, but without doing so, there is no problem since the flux solution spreads over the surface of the solder bump 1, and the flux is applied in the form shown in FIG. Can be applied.

【0022】以上のように、この実施の形態ではフラッ
クス層4上に、これを溶解する溶剤の被膜を形成し、該
被膜とフラックス層4とを直接接触させることにより、
フラックス層4上に所定のフラックス濃度分布を有する
フラックス溶液層5を形成するため、図1に示すフラッ
クス塗布形態を簡便な操作で得ることができる。
As described above, in this embodiment, a coating of a solvent that dissolves the coating is formed on the flux layer 4 and the coating is brought into direct contact with the flux layer 4.
Since the flux solution layer 5 having a predetermined flux concentration distribution is formed on the flux layer 4, the flux application form shown in FIG. 1 can be obtained by a simple operation.

【0023】実施の形態3(請求項3,4) 図3は、図1のフラックス塗布形態を得るための別の方
法を示す模式的断面図である。この実施の形態では透水
性シート6、例えば厚さ200μmの紙をフラックス層
4を溶解する溶剤に浸漬して溶剤を含浸させる。つい
で、この透水性シート6をペースト状または固形状のフ
ラックス層4上に重ねて放置する。これにより、フラッ
クス層4の表面部が溶剤層中に徐々に溶解・拡散するた
め、フラックス層4上に、フラックス濃度がフラックス
層4の表面側から溶剤層の上層に向かって次第に低下す
るフラックス溶液層5が形成される。ついで、図3
(a)(b)に示す順でハンダバンプ1のほぼ全体を透
水性シート6に押しつけた後、図3(c)に示すように
半導体チップを徐々に引き上げる。
Embodiment 3 (Claims 3 and 4) FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another method for obtaining the flux application form of FIG. In this embodiment, a water-permeable sheet 6, for example, a paper having a thickness of 200 μm, is immersed in a solvent that dissolves the flux layer 4 to impregnate the solvent. Then, the water permeable sheet 6 is left on the paste-like or solid flux layer 4. As a result, the surface portion of the flux layer 4 gradually dissolves and diffuses in the solvent layer, so that the flux concentration on the flux layer 4 gradually decreases from the surface side of the flux layer 4 toward the upper layer of the solvent layer. Layer 5 is formed. Then, FIG.
(A) After substantially the entire solder bump 1 is pressed against the water-permeable sheet 6 in the order shown in (b), the semiconductor chip is gradually pulled up as shown in FIG. 3 (c).

【0024】なお、上記方法に代えて、フラックス層4
上にこれと接触させた状態で透水性シートを重ねた後、
透水性シート上に溶剤を静かに散布してこれを透水性シ
ートに含浸させることで、図3(a)に示すフラックス
溶液層5を形成することもできる。
It should be noted that instead of the above method, the flux layer 4
After stacking the permeable sheet in contact with this on top,
The flux solution layer 5 shown in FIG. 3A can also be formed by gently spraying a solvent on the water-permeable sheet and impregnating the water-permeable sheet with the solvent.

【0025】これらの実施の形態では、上記溶剤層を形
成するに際し、溶剤を含浸させた透水性シートを用いる
ため、この透水性シート内の溶剤の移動・攪拌が抑えら
れるので、所望のフラックス濃度分布を有するフラック
ス溶液層5を、より確実に形成・維持することができる
とともに、ハンダバンプへのフラックスの転写(塗布)
操作がより簡便になる。また、フラックスとして固形の
水溶性フラックスを、溶剤として水をそれぞれ用いるこ
とで取扱が更に容易となり、ハンダバンプへのフラック
ス転写操作を更に簡便に行うことができる。
In these embodiments, when the solvent layer is formed, a water-permeable sheet impregnated with a solvent is used. Therefore, the movement and stirring of the solvent in the water-permeable sheet can be suppressed. The flux solution layer 5 having distribution can be formed and maintained more reliably, and the flux is transferred (coated) to the solder bumps.
Operation becomes easier. Further, by using a solid water-soluble flux as the flux and water as the solvent, handling becomes easier, and the operation of transferring the flux to the solder bumps can be performed more easily.

【0026】実施の形態4(請求項5) 図4は、固形状のフラックス層4上にこれと接触させた
状態で透水性シート6、例えば厚さ300μmの紙を重
ねて一体化したフラックス塗布用シート7を示す模式的
断面図である。このシート7は、図3(a)に示すフラ
ックス溶液層5を形成するためのもので、その使用に際
しては、透水性シート7にフラックス層4の溶剤を含浸
させれば済む。また、このシート7を作製するには、透
水性シート6の片面にペースト状のフラックスをスキー
ジで均一厚さに塗布した後、フラックス中の溶剤を乾燥
除去すれば良い。
Embodiment 4 (Claim 5) FIG. 4 shows a flux coating in which a water-permeable sheet 6, for example, a paper having a thickness of 300 μm, is laminated on a solid flux layer 4 in contact therewith and integrated. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the use sheet 7. This sheet 7 is for forming the flux solution layer 5 shown in FIG. 3A, and when used, the water-permeable sheet 7 may be impregnated with the solvent for the flux layer 4. In order to produce the sheet 7, a paste-like flux is applied to one surface of the water-permeable sheet 6 to a uniform thickness with a squeegee, and then the solvent in the flux is dried and removed.

【0027】この実施の形態では、固形フラッスクと透
水性シートとを一体化したので取扱が便利であり、また
透水性シートにフラックスの溶剤を含浸させるという簡
単な操作で、所望のフラックス濃度分布を有するフラッ
クス溶液層を形成することができる。さらに、固形フラ
ックスとして水溶性フラックスを用いることにより、所
望のフラックス溶液層をより簡便に形成することができ
る。
In this embodiment, the solid flux and the water-permeable sheet are integrated, so that the handling is convenient, and the desired flux concentration distribution can be obtained by a simple operation of impregnating the water-permeable sheet with a flux solvent. A flux solution layer having the same can be formed. Further, by using a water-soluble flux as the solid flux, a desired flux solution layer can be formed more easily.

【0028】図1に示す形態でフラックスを塗布したハ
ンダバンプバンプ1を設けた半導体チップを回路基板上
に、フリップチップ方式で半導体チップを実装するに際
しては、この半導体チップの電極と回路基板の電極との
位置合わせを行い、ソルダバンプの融点以下の低い温度
でフラックスの粘着性により半導体チップと回路基板を
仮圧着した後、この圧着物をリフロー炉内を通過させる
ことによりソルダバンプを溶融固着させ、最後にチップ
と基板との界面に封止用の樹脂を注入してプロセスを完
了させる(請求項6)。この場合、フラックス残渣を溶
剤で洗浄除去する必要がない。
When a semiconductor chip provided with solder bumps 1 coated with flux in the form shown in FIG. 1 is mounted on a circuit board by a flip chip method, the electrodes of the semiconductor chip and the electrodes of the circuit board are connected to each other. After the semiconductor chip and the circuit board are pre-pressed by the adhesiveness of the flux at a temperature lower than the melting point of the solder bump, the solder bump is melted and fixed by passing the press-bonded product through a reflow furnace. The process is completed by injecting a sealing resin into the interface between the chip and the substrate (claim 6). In this case, it is not necessary to wash and remove the flux residue with a solvent.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば以下の効果が得られる。 (1)請求項1 半導体チップの電極上に形成されたハンダバンプにフラ
ックスの溶剤溶液を塗布したフラックス塗布形態におい
て、上記フラッスク溶剤溶液のフラッスク濃度がハンダ
バンプの先端部から上記電極に向かって次第に低下して
いるため、バンプ先端部に接続電極を覆うに充分な量の
フラックスが確保され、回路基板に対する半導体チップ
の実装形態が的確なものとなる。また、余分なフラック
スの量を最小限に抑えることできるため、フラックス残
渣の洗浄除去工程を省略することができる。そのうえ、
フラックス残渣に起因する悪影響が発生しなくなる。
As apparent from the above description, the following effects can be obtained according to the present invention. (1) In a flux application mode in which a flux solvent solution is applied to a solder bump formed on an electrode of a semiconductor chip, the flux concentration of the flash solvent solution gradually decreases from the tip of the solder bump toward the electrode. Therefore, a sufficient amount of flux to cover the connection electrode is secured at the tip of the bump, and the mounting form of the semiconductor chip on the circuit board is accurate. Further, since the amount of excess flux can be minimized, the step of cleaning and removing the flux residue can be omitted. Besides,
The adverse effect caused by the flux residue does not occur.

【0030】(2)請求項2 フラックス上にこれを溶解する溶剤からなる層を形成し
て、該溶剤層とフラックスとを直接接触させることによ
り、フラックス上に所定のフラックス濃度分布を有する
フラックス溶液層を形成するように構成したため、請求
項1に係るフラックスの塗布形態を、簡便な操作で得る
ことができる。
(2) A flux solution having a predetermined flux concentration distribution on the flux by forming a layer made of a solvent that dissolves the flux on the flux and directly contacting the solvent layer with the flux. Since the layer is formed, the flux application form according to claim 1 can be obtained by a simple operation.

【0031】(3)請求項3 フラックス溶液層を形成するに際し、溶剤を含浸させた
透水性シートを用いるため、この透水性シート内の溶剤
の移動・攪拌が抑えられるので、所望のフラックス濃度
分布を有するフラックス溶液層を、より確実に形成する
ことができるとともに、ハンダバンプへのフラックスの
転写(塗布)操作がより簡便になる。
(3) Claim 3 Since a water-permeable sheet impregnated with a solvent is used in forming the flux solution layer, the movement and stirring of the solvent in the water-permeable sheet can be suppressed, so that a desired flux concentration distribution can be obtained. Can be more reliably formed, and the operation of transferring (applying) the flux to the solder bumps becomes easier.

【0032】(4)請求項4 フラックスとして固形の水溶性フラックスを、溶剤とし
て水をそれぞれ用いるので取扱が更に容易となり、ハン
ダバンプへのフラックス転写操作を更に簡便に行うこと
ができる。
(4) Claim 4 Since a solid water-soluble flux is used as the flux and water is used as the solvent, the handling is further facilitated, and the operation of transferring the flux to the solder bumps can be performed more easily.

【0033】(5)請求項5 固形フラックス上にこれと接触させた状態で透水性シー
トを重ねて一体化したフラックス塗布用シートとしたの
で取扱が便利であり、透水性シートにフラックスの溶剤
を含浸させるという簡単な操作で、所望のフラックス濃
度分布を有するフラックス溶液層を形成することができ
る。また、固形フラックスとして水溶性フラッスク用い
ることにより、所望のフラックス溶液層をより簡便に形
成することができる。
(5) Claim 5 Since a water-permeable sheet is laminated on a solid flux in contact with the solid flux to form an integrated flux coating sheet, handling is convenient, and a flux solvent is applied to the water-permeable sheet. By a simple operation of impregnation, a flux solution layer having a desired flux concentration distribution can be formed. By using a water-soluble flux as the solid flux, a desired flux solution layer can be formed more easily.

【0034】(6)請求項6 この半導体チップの実装方法では、請求項1に係るフラ
ックス塗布形態を有するハンダバンプを形成した半導体
チップを、回路基板上にフリップチップ方式で実装する
ため、回路基板に対する半導体チップの実装形態が的確
なものとなり、フラックス残渣の洗浄除去工程を省略す
ることができるうえ、フラックス残渣に起因する悪影響
が発生しなくなる。
(6) Claim 6 In this method of mounting a semiconductor chip, the semiconductor chip on which the solder bump having the flux application form according to claim 1 is formed is mounted on the circuit board by a flip chip method. The mounting form of the semiconductor chip becomes accurate, the step of cleaning and removing the flux residue can be omitted, and the adverse effect due to the flux residue does not occur.

【0035】なお、請求項1〜6に係る発明は上記ボー
ルバンプに限らず、所望により上記球形バンプに適用す
ることもできる。
The invention according to claims 1 to 6 is not limited to the above-mentioned ball bump, but can be applied to the above-mentioned spherical bump as required.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るもので、所定のフラ
ックス濃度分布を有するフラックス溶液が塗布されたハ
ンダバンプを示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a solder bump to which a flux solution having a predetermined flux concentration distribution is applied according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の別の実施の形態に係るもので、図1に
示すフラックス塗布形態を得る方法を示す模式的断面図
である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for obtaining a flux application form shown in FIG. 1 according to another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の更に別の実施の形態に係るもので、図
1に示すフラックス塗布形態を得るための別の方法を示
す模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing another method for obtaining the flux application form shown in FIG. 1 according to still another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の更に別の実施の形態に係るもので、フ
ラックス塗布用シートを示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a flux application sheet according to still another embodiment of the present invention.

【図5】球形のハンダバンプを示す模式的断面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a spherical solder bump.

【図6】ワイヤーバンピングで形成されたハンダバンプ
(ボールバンプ)を示す模式的断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a solder bump (ball bump) formed by wire bumping.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ハンダバンプ 2 フラックス溶液 3 LSI電極 4 フラックス層 5 フラックス溶液層 6 透水性シート 7 フラックス塗布用シート 11 球形バンプ 12 LSI電極 21 ボールバンプ 22 LSI電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solder bump 2 Flux solution 3 LSI electrode 4 Flux layer 5 Flux solution layer 6 Water permeable sheet 7 Flux coating sheet 11 Spherical bump 12 LSI electrode 21 Ball bump 22 LSI electrode

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路基板上にフリップチップ方式で実装
される半導体チップであり、電極上にハンダバンプが形
成され該ハンダバンプにフラックスの溶剤溶液が塗布さ
れたものであって、溶剤に溶解したフラックスの濃度
が、ハンダバンプの先端部から前記電極に向かって次第
に低下するように、前記フラックスの溶剤溶液が塗布さ
れていることを特徴とする半導体チップ。
1. A semiconductor chip mounted on a circuit board by a flip chip method, wherein solder bumps are formed on electrodes, and a flux solvent solution is applied to the solder bumps. A semiconductor chip, wherein a solvent solution of the flux is applied so that the concentration gradually decreases from the tip of the solder bump toward the electrode.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体チップを製造す
る方法であって、半導体チップの電極上に適宜方法でハ
ンダバンプを形成するともに、適宜部材上にフラックス
を塗布し、該フラックス上にこれを溶解する溶剤からな
る層を形成し、該溶剤層とフラックスとを直接接触させ
ることによりフラックス上に、前記溶剤層とフラックス
との界面から前記溶剤層側に遠ざかるに従ってフラック
ス濃度が低下するフラックス溶液層を形成した後、前記
半導体チップのハンダバンプを該ハンダバンプの先端部
側から前記フラックス溶液層に浸漬し、ついで引き上げ
ることを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein solder bumps are formed on electrodes of the semiconductor chip by an appropriate method, and a flux is applied on an appropriate member. Forming a layer composed of a solvent that dissolves the solvent layer, and by directly contacting the solvent layer and the flux, on the flux, a flux solution in which the flux concentration decreases as the distance from the interface between the solvent layer and the flux to the solvent layer side decreases A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising forming a layer, immersing solder bumps of the semiconductor chip in the flux solution layer from the tip end side of the solder bumps, and then pulling up.
【請求項3】 請求項2においてフラックス上に前記フ
ラックス溶液層を形成するに際し、溶剤を含浸させた透
水性シートをフラックス上にこれと接触させて重ねる
か、または透水性シートをフラックス上にこれと接触さ
せて重ねた後、透水性シートに溶剤を含浸させることを
特徴とする半導体チップの製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein, when forming the flux solution layer on the flux, a water-permeable sheet impregnated with a solvent is brought into contact with the flux and overlapped with the flux, or the water-permeable sheet is placed on the flux. A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising: impregnating a water-permeable sheet with a solvent after contacting and stacking.
【請求項4】 請求項3において、前記フラックスとし
て固形の水溶性フラックスを、前記溶剤として水をそれ
ぞれ用いることを特徴とする半導体チップの製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein a solid water-soluble flux is used as the flux and water is used as the solvent.
【請求項5】 固形の水溶性フラックス上に、これと接
触させた状態で透水性シートを重ねてなることを特徴と
するフラックス塗布用シート。
5. A flux application sheet comprising a solid water-soluble flux and a water-permeable sheet laminated on the solid water-soluble flux in contact therewith.
【請求項6】 回路基板上にフリップチップ方式で半導
体チップを実装するに際し、半導体チップの電極上に適
宜方法でハンダバンプを形成するともに、適宜部材上に
フラックスを塗布し、該フラックス上にこれを溶解する
溶剤からなる層を形成し、該溶剤層とフラックスとを直
接接触させることによりフラックス上に、前記溶剤層と
フラックスとの界面から前記溶剤層側に遠ざかるに従っ
てフラックス濃度が低下するフラックス溶液層を形成
し、前記半導体チップのハンダバンプを該ハンダバンプ
の先端部側から前記フラックス溶液層に浸漬し、ついで
引き上げることにより、ハンダバンプにフラックスの溶
剤溶液が塗布された半導体チップを作製した後、該半導
体チップを前記回路基板上にフリップチップ方式で接続
することを特徴とする半導体チップの実装方法。
6. When a semiconductor chip is mounted on a circuit board by a flip chip method, solder bumps are formed on electrodes of the semiconductor chip by an appropriate method, and a flux is applied on an appropriate member, and the flux is applied on the flux. Forming a layer composed of a solvent that dissolves, on the flux by directly contacting the solvent layer and the flux, a flux solution layer whose flux concentration decreases as the distance from the interface between the solvent layer and the flux to the solvent layer side decreases Is formed, and the solder bump of the semiconductor chip is immersed in the flux solution layer from the tip end side of the solder bump, and then pulled up, to produce a semiconductor chip in which a flux solvent solution is applied to the solder bump. Are connected to the circuit board by a flip-chip method. How to mount semiconductor chips.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8076233B2 (en) 2008-09-24 2011-12-13 Fujitsu Limited Method of forming electrode connecting portion

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