JP2000114220A - Device and method for spin processing - Google Patents

Device and method for spin processing

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JP2000114220A
JP2000114220A JP10277669A JP27766998A JP2000114220A JP 2000114220 A JP2000114220 A JP 2000114220A JP 10277669 A JP10277669 A JP 10277669A JP 27766998 A JP27766998 A JP 27766998A JP 2000114220 A JP2000114220 A JP 2000114220A
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JP
Japan
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ultrasonic
processing
processing liquid
nozzle body
semiconductor wafer
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JP10277669A
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Japanese (ja)
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Hidetaka Nakajima
英貴 中嶋
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin processing device, capable of surely measuring the intensity of ultrasonic vibrations applied to a processing liquid. SOLUTION: A spin-processing device for processing a semiconductor wafer U by a processing liquid, to which ultrasonic vibrations are applied has a rotary table 12 for holding and rotating the semiconductor wafer U; an ultrasonic nozzle 31 driven along the radial direction of the semiconductor wafer U held by the rotary table 12, and applying ultrasonic vibration to a processing liquid supplied thereinto and injecting it, and a sound pressure detecting device 55 arranged outside the peripheral end in the radial direction of the semiconductor wafer on a direct extension in the direction, in which the ultrasonic nozzle 31 is driven and for detecting the sound pressure of the ultrasonic waves applied to a processing liquid by the ultrasonic nozzle 31.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は被処理物を超音波
振動が付与された処理液で処理するためのスピン処理装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin processing apparatus for processing an object to be processed with a processing liquid to which ultrasonic vibration has been applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば液晶製造装置や半導体製造装置
においては、液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの被
処理物を高い清浄度で洗浄処理することが要求される工
程があり、そのような工程では被処理物を回転させなが
ら処理するスピン処理装置が用いられている。
2. Description of the Related Art For example, in a liquid crystal manufacturing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus, there is a process required to clean an object to be processed such as a glass substrate for a liquid crystal or a semiconductor wafer with high cleanliness. 2. Description of the Related Art A spin processing apparatus that performs processing while rotating an object to be processed is used.

【0003】スピン処理装置において、上記被処理物を
高い清浄度で洗浄する場合、上記被処理物を洗浄する処
理液に超音波振動を付与するということが行われてい
る。超音波振動が付与された処理液で被処理物を洗浄す
ると、この被処理物に付着した微粒子などを効率よく剥
離できるため、洗浄効果を高めることが可能となる。
[0003] In a spin processing apparatus, when the object to be processed is cleaned with a high degree of cleanliness, ultrasonic vibration is applied to a processing liquid for cleaning the object to be processed. When the object to be processed is cleaned with the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied, fine particles and the like adhering to the object to be processed can be efficiently removed, so that the cleaning effect can be enhanced.

【0004】処理液に超音波振動を付与するためには、
内部に振動板が設けられた超音波ノズル体が用いられて
いる。つまり、上記超音波ノズル体には処理液が供給さ
れる空間部が形成され、この空間部には、上記振動板が
内面を露出させて設けられている。
In order to apply ultrasonic vibration to a processing liquid,
An ultrasonic nozzle body having a vibration plate provided therein is used. That is, the ultrasonic nozzle body has a space portion to which the processing liquid is supplied, and in this space portion, the diaphragm is provided so as to expose the inner surface.

【0005】上記振動板の外面には超音波振動子が接着
されている。この超音波振動子には超音波発振器が電気
的に接続され、この超音波発振器から給電されることで
超音波振動する。それによって、上記振動板は超音波振
動子とともに超音波振動するから、この振動板によって
上記空間部に供給された処理液に超音波振動が付与され
るようになっている。
An ultrasonic vibrator is adhered to the outer surface of the vibrating plate. An ultrasonic oscillator is electrically connected to the ultrasonic vibrator, and the ultrasonic oscillator vibrates by being supplied with power from the ultrasonic oscillator. Accordingly, the vibration plate vibrates ultrasonically together with the ultrasonic vibrator, so that the vibration plate applies ultrasonic vibration to the processing liquid supplied to the space.

【0006】ところで、このような処理装置において、
被処理物の処理効果の良否を左右する要因の一つとして
上記処理液に付与される超音波振動の強度がある。処理
液に付与される超音波振動の強度は種々の原因によって
変動する。
By the way, in such a processing apparatus,
One of the factors which influence the quality of the processing effect of the processing object is the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid. The intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid varies depending on various causes.

【0007】たとえば、超音波ノズル体の振動板には超
音波振動子が接着剤によって取着されているが、使用に
ともなってその接着状態が劣化することが避けられな
い。それによって、超音波振動子から振動板への振動の
伝達効率が低下するから、処理液に付与される超音波振
動の強度も低下し、洗浄効果も低下するということにな
る。したがって、超音波ノズル体によって処理液に付与
される超音波振動の強度を測定し、確実な洗浄効果が得
られるよう管理しなければならない。
For example, an ultrasonic vibrator is attached to a vibration plate of an ultrasonic nozzle body with an adhesive, but it is inevitable that the state of adhesion is deteriorated with use. As a result, the transmission efficiency of the vibration from the ultrasonic vibrator to the diaphragm is reduced, so that the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid is also reduced, and the cleaning effect is also reduced. Therefore, the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle body must be measured and managed so as to obtain a reliable cleaning effect.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このように、超音波振
動が付与された処理液で被処理物を処理するスピン処理
装置においては、処理液に所定の強度の超音波振動が付
与されているか否かを測定する必要があるものの、従来
のスピン処理装置においてはそのようなことが行われて
いなかった。
As described above, in a spin processing apparatus for processing an object to be processed with a processing liquid to which ultrasonic vibration has been applied, is the processing liquid subjected to ultrasonic vibration of a predetermined intensity? Although it is necessary to determine whether or not it is, such a thing has not been performed in the conventional spin processing apparatus.

【0009】この発明は、超音波ノズル体によって処理
液に所定強度の超音波振動が付与されているか否かを効
率よく検出できるようにしたスピン処理装置を提供する
ことにある。
It is an object of the present invention to provide a spin processing apparatus capable of efficiently detecting whether or not ultrasonic vibration of a predetermined intensity is applied to a processing liquid by an ultrasonic nozzle body.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被処
理物を超音波振動が付与された処理液によって処理する
スピン処理装置において、上記被処理物を保持して回転
駆動される回転テーブルと、この回転テーブルに保持さ
れた被処理物の径方向に沿って駆動されるとともに内部
に供給された処理液に超音波振動を付与して噴出する超
音波ノズル体と、この超音波ノズル体の駆動方向の延長
線上で、上記被処理物の径方向周縁よりも外方の待機位
置に配置され上記超音波ノズル体が処理液に付与する超
音波の音圧を検出する音圧検出手段とを具備したことを
特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a spin processing apparatus for processing an object to be processed with a processing liquid to which ultrasonic vibrations are applied. A table, an ultrasonic nozzle body that is driven along the radial direction of the object to be processed held by the rotary table, applies ultrasonic vibration to the processing liquid supplied therein, and jets the processing liquid; A sound pressure detecting means which is arranged at a standby position outside the radial periphery of the object to be processed on an extension of the body driving direction and detects the sound pressure of ultrasonic waves applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle body. And characterized in that:

【0011】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記超音波ノズル体は、上記回転テーブルに保持さ
れた被処理物の被処理面と平行に揺動駆動されるアーム
体に、軸線を上記被処理物の被処理面に対して所定角度
傾斜させて設けられていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the ultrasonic nozzle body includes an arm body that is driven to swing in parallel with a processing surface of the processing object held on the rotary table. An axis is inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the object to be processed.

【0012】請求項3の発明は、被処理物を超音波振動
が付与された処理液によって処理するスピン処理方法に
おいて、上記被処理物を保持して回転駆動させる工程
と、上記処理液に超音波振動を付与して噴出する超音波
ノズル体を上記回転テーブルに保持されて回転駆動され
る上記被処理物の径方向に沿って駆動する工程と、上記
超音波ノズル体の駆動方向の延長線上で、上記被処理物
の径方向周縁よりも外方の待機位置で上記超音波ノズル
体が処理液に付与する超音波の音圧を検出する工程とを
具備したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a spin processing method for processing an object to be processed by a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied, wherein the step of holding and rotating the object to be processed, A step of driving an ultrasonic nozzle body that applies and ejects ultrasonic vibrations along a radial direction of the object to be processed, which is held on the rotary table and driven to rotate, and on an extension of a driving direction of the ultrasonic nozzle body. A step of detecting the sound pressure of the ultrasonic wave applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle at a standby position outside the radial periphery of the object to be processed.

【0013】請求項1と請求項3の発明によれば、音圧
検出手段によって超音波ノズル体から噴出される処理液
に付与された超音波振動の強度を測定することができ、
しかも音圧検出手段は超音波ノズル体の移動方向延長線
上の待機位置に設けられているから、被処理物を回転テ
ーブルに着脱するために、超音波ノズル体を退避させた
ときに超音波振動の強度を測定することができる。
According to the first and third aspects of the present invention, the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid ejected from the ultrasonic nozzle body by the sound pressure detecting means can be measured.
Moreover, since the sound pressure detecting means is provided at the standby position on the extension of the moving direction of the ultrasonic nozzle body, the ultrasonic vibration is generated when the ultrasonic nozzle body is retracted in order to attach and detach the object to be processed to and from the rotary table. Can be measured.

【0014】請求項2の発明によれば、超音波ノズル体
が被処理物の処理面に対して傾斜していることで、被処
理面からの反射波が超音波ノズル体からの進行波と干渉
し合って検出精度の低下を招くのを防止することができ
る。
According to the second aspect of the present invention, since the ultrasonic nozzle body is inclined with respect to the processing surface of the object to be processed, the reflected wave from the surface to be processed is different from the traveling wave from the ultrasonic nozzle body. It is possible to prevent the detection accuracy from being lowered due to interference.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】図1はスピン処理装置を示し、このスピン
処理装置はカップ体1を有する。このカップ体1は設置
板2上に設けられた下カップ3と、この下カップ3の上
側に図示しない上下駆動機構によって上下駆動自在に設
けられた上カップ4とからなる。
FIG. 1 shows a spin processing device, which has a cup body 1. The cup body 1 includes a lower cup 3 provided on an installation plate 2 and an upper cup 4 provided on the upper side of the lower cup 3 so as to be vertically movable by a vertical driving mechanism (not shown).

【0017】上記下カップ3の底壁の中心部と載置板2
とにはこれらを貫通する通孔5が形成されており、また
上記下カップ3の周壁3aは上記上カップ4の二重構造
の周壁4aにスライド自在に嵌挿し、これら周壁によっ
てラビリンス構造をなしている。
The center of the bottom wall of the lower cup 3 and the mounting plate 2
The upper cup 4 is formed with a through hole 5 penetrating therethrough, and the peripheral wall 3a of the lower cup 3 is slidably inserted into the double peripheral wall 4a of the upper cup 4 to form a labyrinth structure by these peripheral walls. ing.

【0018】上記上カップ4の上面は開口していて、こ
の上カップ4が下降方向に駆動されることで、後述する
ようにカップ体1内で洗浄などの処理がなされた被処理
物としてのたとえば半導体ウエハUを取り出したり、未
処理の半導体ウエハUを供給するなどのことができるよ
うになっている。
The upper surface of the upper cup 4 is open, and when the upper cup 4 is driven in a downward direction, as an object to be processed which has been subjected to a process such as washing in the cup body 1 as described later. For example, it is possible to take out a semiconductor wafer U or supply an unprocessed semiconductor wafer U.

【0019】上記下カップ3の底壁には周方向に所定間
隔で複数の排出管6の一端が接続され、他端は図示しな
い吸引ポンプに連通している。それによって、上記半導
体ウエハUを処理したり、乾燥処理することで上記カッ
プ体1の内底部に滴下する処理液を排出できるようにな
っている。
One end of a plurality of discharge pipes 6 is connected to the bottom wall of the lower cup 3 at predetermined intervals in the circumferential direction, and the other end is connected to a suction pump (not shown). Thereby, the processing liquid dropped onto the inner bottom of the cup body 1 by processing or drying the semiconductor wafer U can be discharged.

【0020】上記カップ体1の下面側にはベ−ス7が配
置されている。このベ−ス7には上記カップ体1の通孔
5と対応する位置に取付孔8が形成されていて、この取
付孔8には駆動手段を構成するパルス制御モ−タ9の固
定子9aの上端部が嵌入固定されている。
A base 7 is arranged on the lower surface side of the cup body 1. A mounting hole 8 is formed in the base 7 at a position corresponding to the through hole 5 of the cup body 1, and the mounting hole 8 has a stator 9a of a pulse control motor 9 constituting driving means. Is fitted and fixed.

【0021】上記固定子9aは筒状をなしていて、その
内部には同じく筒状の回転子9bが回転自在に嵌挿され
ている。この回転子9bの上端面には筒状の連結体11
が下端面を接合させて一体的に固定されている。この連
結体11の下端面には上記固定子9aの内径寸法よりも
大径な鍔部11aが形成されている。この鍔部11aは
上記固定子9aの上端面に摺動自在に接合しており、そ
れによって回転子9bの回転を阻止することなくこの回
転子9bが固定子9aから抜け落ちるのを規制してい
る。
The stator 9a has a cylindrical shape, and a cylindrical rotor 9b is rotatably fitted therein. A cylindrical connecting body 11 is provided on the upper end surface of the rotor 9b.
Are fixed integrally by joining the lower end surfaces. A flange 11a having a diameter larger than the inner diameter of the stator 9a is formed on the lower end surface of the connecting body 11. The flange 11a is slidably joined to the upper end surface of the stator 9a, thereby restricting the rotor 9b from falling off the stator 9a without preventing rotation of the rotor 9b. .

【0022】上記連結体11は上記カップ体1の通孔5
からその内部に突出し、上端面には円板状の回転テーブ
ル12が取付け固定されている。この回転テーブル12
の上面の周辺部には周方向に所定間隔で複数、この実施
の形態では90度間隔で4本の保持部材13が回転可能
に設けられている。この保持部材13の上面には中心部
に円錐状の支持ピン14が突設され、偏心位置に逆テ−
パ状のロックピン15が突設されている。
The connecting body 11 is provided with the through hole 5 of the cup body 1.
And a disk-shaped rotary table 12 is attached and fixed to the upper end surface thereof. This rotary table 12
A plurality of holding members 13 are rotatably provided at predetermined intervals in the circumferential direction at the peripheral portion of the upper surface of the holding member 13, in this embodiment, at 90 ° intervals. On the upper surface of the holding member 13, a conical support pin 14 is protruded at the center, and a reverse taper is provided at an eccentric position.
A lock pin 15 in the shape of a protrusion projects.

【0023】カップ体1内に図示しないロボットによっ
て供給された半導体ウエハUは、周辺部の下面が上記支
持ピン14に支持される。その状態で上記保持部材13
が回転してロックピン15が偏心回転することで、半導
体ウエハUの外周面に係合してこの半導体ウエハUを保
持するようになっている。
The semiconductor wafer U supplied into the cup body 1 by a robot (not shown) is supported on the support pins 14 on the lower surface of the peripheral portion. In this state, the holding member 13
Rotates and the lock pin 15 rotates eccentrically, thereby engaging with the outer peripheral surface of the semiconductor wafer U and holding the semiconductor wafer U.

【0024】上記連結体11の外周面には付勢ばね16
が設けられている。この付勢ばね16は上記回転テーブ
ル12の下面側にこの回転テーブル12に対して回転自
在に設けられた親歯車(図示せず)を所定の回転方向に
付勢している。この親歯車には複数の子歯車(図示せ
ず)が噛合しており、各子歯車は上記保持部材13の上
記回転テーブル12の下面側に突出した端部にそれぞれ
嵌着されている。それによって、上記保持部材13は上
記付勢ばね16によりロックピン15が半導体ウエハU
の外周面に係合するロック方向に付勢されている。
An urging spring 16 is provided on the outer peripheral surface of the connecting body 11.
Is provided. The urging spring 16 urges a parent gear (not shown) rotatably provided on the lower surface of the rotary table 12 with respect to the rotary table 12 in a predetermined rotation direction. A plurality of child gears (not shown) are meshed with the parent gear, and each child gear is fitted to an end of the holding member 13 protruding from the lower surface of the rotary table 12. As a result, the holding pin 13 of the semiconductor wafer U
Are urged in the locking direction to be engaged with the outer peripheral surface of.

【0025】上記ロックピン15による半導体ウエハU
のロック状態の解除は解除機構17によって行われる。
この解除機構17は解除シリンダ18と、この解除シリ
ンダ18によって駆動されるア−ム19と、このア−ム
19の上端に設けられた解除ピン21とからなる。
The semiconductor wafer U by the lock pin 15
Is released by the release mechanism 17.
The release mechanism 17 includes a release cylinder 18, an arm 19 driven by the release cylinder 18, and a release pin 21 provided at an upper end of the arm 19.

【0026】上記解除シリンダ18が作動して解除ピン
21が上記親歯車の回転を阻止した状態で、上記回転テ
ーブル12がパルス制御モ−タ9により上記付勢ばね1
6の付勢力に抗して所定角度回転駆動されることで、上
記保持部材13が回転され、上記ロックピン15による
半導体ウエハUのロック状態が解除されるようになって
いる。
When the release cylinder 18 is actuated and the release pin 21 prevents the rotation of the master gear, the rotary table 12 is driven by the pulse control motor 9 to rotate the urging spring 1.
6, the holding member 13 is rotated, and the lock state of the semiconductor wafer U by the lock pin 15 is released.

【0027】上記回転テーブル12の中心部には通孔1
2aが形成されている。上記回転子9bには中空状の固
定軸22が通され、この固定軸22の上端部は上記回転
テーブル12の通孔12a内に突出位置している。固定
軸22の上端にはノズルヘッド23が嵌着されている。
このノズルヘッド23には、上記回転テーブル12に保
持された半導体ウエハUの下面に向けて処理液を噴射す
る複数の下部洗浄ノズル24及び窒素などの乾燥用の気
体を噴射する気体用ノズル(図示せず)などが設けられ
ている。
A through hole 1 is provided at the center of the rotary table 12.
2a is formed. A hollow fixed shaft 22 is passed through the rotor 9b, and the upper end of the fixed shaft 22 projects into the through hole 12a of the rotary table 12. A nozzle head 23 is fitted on the upper end of the fixed shaft 22.
The nozzle head 23 has a plurality of lower cleaning nozzles 24 for injecting a processing liquid toward the lower surface of the semiconductor wafer U held on the rotary table 12 and a gas nozzle for injecting a drying gas such as nitrogen (FIG. (Not shown).

【0028】上記固定軸22の下端部はパルス制御モ−
タ9の下面側に配置された支持体25の支持孔25aに
嵌入固定されている。この支持体25にはブレ−キシリ
ダ26が設けられている。このブレ−キシリンダ26の
駆動軸にはブレ−キシュ−27が設けられ、このブレ−
キシュ−27はブレ−キシリンダ26が作動すること
で、上記パルス制御モ−タ9の下端面に設けられたブレ
−キディスク28に圧接する。それによって、上記パル
ス制御モ−タ9の回転子9bが回転するのを阻止するよ
うになっている。
The lower end of the fixed shaft 22 has a pulse control mode.
It is fitted and fixed in a support hole 25 a of a support 25 arranged on the lower surface side of the table 9. The support 25 is provided with a brake xylider 26. A brake shaft 27 is provided on the drive shaft of the brake cylinder 26.
When the brake cylinder 26 operates, the kish 27 comes into pressure contact with a brake disk 28 provided on the lower end surface of the pulse control motor 9. Thereby, the rotor 9b of the pulse control motor 9 is prevented from rotating.

【0029】つまり、回転テーブル12を付勢ばね16
の付勢力に抗して所定角度回転させ、上記ロックピン1
5による半導体ウエハUのロック状態を解除していると
きに、停電などによってパルス制御モ−タ9による駆動
力が消失しても、上記回転テーブル12が付勢ばね16
の復元力で回転するのを阻止している。それによって、
停電が生じても、ロックピン15による半導体ウエハU
の解除状態を確実に維持できるようになっている。
That is, the rotary table 12 is moved to the biasing spring 16
Is rotated a predetermined angle against the urging force of the lock pin 1
When the driving force of the pulse control motor 9 is lost due to a power failure or the like while the locked state of the semiconductor wafer U by the lock table 5 is released, the rotary table 12 can be biased by the biasing spring 16.
It prevents rotation by the restoring force. Thereby,
Even if a power outage occurs, the semiconductor wafer U
Can be reliably maintained.

【0030】上記回転テーブル12の上面側は乱流防止
カバ−29によって覆われている。この乱流防止カバ−
29には上記ノズルヘッド23を露出させる開口部29
aと、上記保持部材13を露出させる開口部29bとが
形成されている。この乱流防止カバ−29は上記支持ピ
ン14に支持された半導体ウエハUの下面に所定の間隔
で離間しており、回転テーブル12の回転にともない半
導体ウエハUの下面側で空気流が乱流となるのを防止し
ている。
The upper surface of the rotary table 12 is covered with a turbulence prevention cover 29. This turbulence prevention cover
An opening 29 for exposing the nozzle head 23 is provided at 29.
a and an opening 29b for exposing the holding member 13 are formed. The turbulence prevention cover 29 is spaced apart from the lower surface of the semiconductor wafer U supported by the support pins 14 at a predetermined interval. Is prevented.

【0031】上記カップ体1内に保持された半導体ウエ
ハUの被処理面となる上面は超音波ノズル体31から噴
出される処理液によって洗浄処理されるようになってい
る。この超音波ノズル体31は図2に示すように空間部
32が形成された本体33を有する。この本体33に
は、側面に上記空間部32に処理液を供給する供給口3
4が形成され、下端面には上記空間部32に供給された
処理液を噴出するノズル孔35が形成されている。
The upper surface to be processed of the semiconductor wafer U held in the cup body 1 is subjected to a cleaning process using a processing liquid ejected from the ultrasonic nozzle body 31. The ultrasonic nozzle body 31 has a main body 33 in which a space 32 is formed as shown in FIG. The main body 33 has a supply port 3 on a side surface for supplying a processing liquid to the space 32.
A nozzle hole 35 for ejecting the processing liquid supplied to the space 32 is formed on the lower end surface.

【0032】さらに、上記本体33には振動板36が下
面を上記空間部32に臨ませて液密に設けられている。
この振動板36の上面には超音波振動子37が接着など
の手段によって取着されている。この超音波振動子37
には図示しない超音波発振器に電気的に接続され、給電
されるようになっている。それによって、上記超音波振
動子37が超音波振動し、それに振動板36が連動する
から、本体33の空間部32に供給された処理液に超音
波振動を付与できるようになっている。
Further, the main body 33 is provided with a vibration plate 36 in a liquid-tight manner with the lower surface facing the space 32.
An ultrasonic vibrator 37 is attached to the upper surface of the vibrating plate 36 by means such as bonding. This ultrasonic vibrator 37
Is electrically connected to an ultrasonic oscillator (not shown) and is supplied with power. Thereby, the ultrasonic vibrator 37 ultrasonically vibrates and the vibration plate 36 is interlocked with the ultrasonic vibrator 37, so that the ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid supplied to the space 32 of the main body 33.

【0033】上記超音波ノズル体31は、図1に示すよ
うに垂直部42と水平部43とによってほぼ逆L字状を
なしたア−ム体41の、上記水平部43の先端部に形成
された取付け部43aに軸線を上記半導体ウエハUの上
面に対して所定の角度θ、たとえば5〜30度の角度で
傾斜させ、かつ傾斜方向上側となる部分に本体33に形
成された供給口34を位置させて取付けられている。
As shown in FIG. 1, the ultrasonic nozzle body 31 is formed at the tip of the horizontal part 43 of an arm 41 having a substantially inverted L-shape formed by a vertical part 42 and a horizontal part 43. The supply port 34 formed in the main body 33 at a portion which is inclined at a predetermined angle? It is installed in the position.

【0034】上記本体33の供給口34には処理液を供
給するための供給管44の一端が接続されている。この
供給管44は上記ア−ム体41の中空状をなした垂直部
42と水平部43との内部を通され、図示しない処理液
の供給源に連通している。
The supply port 34 of the main body 33 is connected to one end of a supply pipe 44 for supplying a processing liquid. The supply pipe 44 passes through the hollow vertical portion 42 and the horizontal portion 43 of the arm 41 and communicates with a processing liquid supply source (not shown).

【0035】なお、上記本体33の上端面には上記超音
波振動子37に給電するリ−ド線(図示せず)が通され
た配線管45の一端が接続されている。この配線管45
は上記供給管44と同様、水平部43から垂直部42の
内部を通され、図示しない超音波発振器に接続されてい
る。
An upper end of the main body 33 is connected to one end of a wiring tube 45 through which a lead wire (not shown) for supplying power to the ultrasonic vibrator 37 is passed. This wiring tube 45
As in the case of the supply pipe 44, is passed through the interior of the vertical portion 42 from the horizontal portion 43 and is connected to an ultrasonic oscillator (not shown).

【0036】さらに、上記超音波ノズル体31の本体3
3の外周面はカバ−体46によって覆われている。この
カバ−体46は、上記上部超音波ノズル体31の先端部
のノズル孔35の周辺部を取り囲んでいる。それによっ
て、上部超音波ノズル体31から噴出した処理液が半導
体ウエハUに衝突したときに発生するミストは上記カバ
−体46の内周面に衝突し、周囲に飛散するのが抑制さ
れるようになっている。
Further, the main body 3 of the ultrasonic nozzle body 31
The outer peripheral surface of 3 is covered with a cover body 46. The cover body 46 surrounds the periphery of the nozzle hole 35 at the tip of the upper ultrasonic nozzle body 31. Thereby, the mist generated when the processing liquid ejected from the upper ultrasonic nozzle body 31 collides with the semiconductor wafer U collides with the inner peripheral surface of the cover body 46 and is prevented from scattering around. It has become.

【0037】なお、カバ−体46の下端面は、半導体ウ
エハUの上面と平行になるよう、上部超音波ノズル体3
1の傾斜角度θに応じた傾斜面に形成されている。それ
によって、半導体ウエハUの上面とカバ−体46の下端
面との隙間が大きくなるのを防止している。
The lower end of the cover body 46 is parallel to the upper surface of the semiconductor wafer U so that the upper ultrasonic nozzle 3
1 is formed on an inclined surface corresponding to the inclination angle θ. This prevents a gap between the upper surface of the semiconductor wafer U and the lower end surface of the cover body 46 from increasing.

【0038】上記ア−ム体41の垂直部42は上記ベ−
ス7に形成された挿通孔47を通され、このア−ム体4
1を所定の角度の範囲内で揺動駆動する中空軸モ−タか
らなる第1の駆動源48の図示しない回転子に連結され
ている。この第1の駆動源48は可動板49に取付けら
れている。この可動板49は上記ベ−ス7に垂設された
固定板51に図示しないリニアガイドによって上下方向
にスライド自在に設けられている。
The vertical portion 42 of the arm body 41 is
Through the insertion hole 47 formed in the arm 7 and the arm 4
1 is connected to a rotor (not shown) of a first drive source 48 composed of a hollow shaft motor which drives the rocker 1 within a predetermined angle range. The first drive source 48 is attached to a movable plate 49. The movable plate 49 is slidably provided in a vertical direction on a fixed plate 51 suspended from the base 7 by a linear guide (not shown).

【0039】上記固定板51には第2の駆動源52が設
けられている。この第2の駆動源52の駆動軸52aに
は図示しないボ−ルねじが連結され、このボ−ルねじは
上記可動板49に設けられた図示しないナット体に螺合
されている。したがって、第2の駆動源52が作動して
ボ−ルねじが回転駆動されれば、上記可動板49が矢印
で示す上下方向に駆動されることになる。
The fixed plate 51 is provided with a second drive source 52. A ball screw (not shown) is connected to the drive shaft 52a of the second drive source 52, and the ball screw is screwed to a nut (not shown) provided on the movable plate 49. Therefore, when the second drive source 52 is operated to rotate the ball screw, the movable plate 49 is driven in the vertical direction indicated by the arrow.

【0040】つまり、上記超音波ノズル体31は、第1
の駆動源48によってカップ体1内に保持された半導体
ウエハUの上方で、この半導体ウエハUの径方向に沿っ
て揺動駆動されるとともに、第2の駆動源52によって
上下方向に駆動され、所定の高さ位置で保持されるよう
になっている。
That is, the ultrasonic nozzle body 31 is
Above the semiconductor wafer U held in the cup body 1 by the driving source 48, and is oscillated along the radial direction of the semiconductor wafer U, and is driven vertically by the second driving source 52, It is held at a predetermined height position.

【0041】図3と図4に示すように、上記超音波ノズ
ル体31の揺動方向の延長線上で、半導体ウエハUの径
方向周縁よりも外方の位置となる、上記カップ体1の外
側には上記超音波ノズル体31によって処理液に付与さ
れた超音波振動の強度を検出するための音圧検出器55
が設けられている。音圧検出器55は超音波ノズル体3
1が半導体ウエハUを洗浄処理しないときに待機する位
置に対向して配設されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the outer side of the cup body 1 is located outside the radial periphery of the semiconductor wafer U on the extension line in the swinging direction of the ultrasonic nozzle body 31. A sound pressure detector 55 for detecting the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle body 31
Is provided. The sound pressure detector 55 is an ultrasonic nozzle 3
1 is disposed opposite to a position where the semiconductor wafer U stands by when the semiconductor wafer U is not subjected to the cleaning process.

【0042】上記音圧検出器55は超音波振動が付与さ
れた処理液が噴射されることでその超音波振動を電圧に
変換するプローブ56と、プローブ56によって検出さ
れた電圧値を表示するとともに所定値以下のときにブザ
ーやランプ表示などの警報を出す表示部57とから構成
されている。
The sound pressure detector 55 displays a probe 56 for converting the ultrasonic vibration into a voltage by spraying the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied, and a voltage value detected by the probe 56. A display section 57 for issuing an alarm such as a buzzer or a lamp when the value is equal to or less than a predetermined value.

【0043】つぎに、上記構成の処理装置によって半導
体ウエハUを洗浄処理する場合について説明する。ま
ず、未洗浄の半導体ウエハUをカップ体1内に供給し、
支持ピン14によって支持するとともにロックピン15
によってロックしたならば、超音波ノズル体31に処理
液を供給し、その本体33の空間部32の空気抜きを行
う。
Next, a case where the semiconductor wafer U is cleaned by the processing apparatus having the above configuration will be described. First, an uncleaned semiconductor wafer U is supplied into the cup body 1,
It is supported by the support pin 14 and the lock pin 15
Then, the processing liquid is supplied to the ultrasonic nozzle body 31, and the air in the space 32 of the main body 33 is vented.

【0044】上記超音波ノズル体31はア−ム体41の
水平部43に所定の角度で傾斜し、しかも処理液を供給
する供給管44が接続された供給口34を傾斜方向上側
に位置させて取付けられている。そのため、超音波ノズ
ル体31の空間部32に処理液が充満してくると、この
空間部32に残留する空気は空間部32内の高い位置で
ある、供給口34側に溜まる。
The ultrasonic nozzle body 31 is inclined at a predetermined angle to the horizontal portion 43 of the arm body 41, and the supply port 34 to which the supply pipe 44 for supplying the processing liquid is connected is positioned on the upper side in the inclination direction. Installed. Therefore, when the processing liquid fills the space 32 of the ultrasonic nozzle body 31, the air remaining in the space 32 accumulates on the supply port 34 side, which is a high position in the space 32.

【0045】空間部32の供給口34側に溜まった空気
は、この供給口34から空間部32へ供給される処理液
によって押し流されてノズル孔35から処理液とともに
流出し易い。そのため、空間部32内の空気抜きを比較
的短時間で、しかも確実に行うことができる。
The air collected on the supply port 34 side of the space 32 is easily washed away by the processing liquid supplied from the supply port 34 to the space 32 and flows out of the nozzle hole 35 together with the processing liquid. Therefore, air can be removed from the space 32 in a relatively short time and reliably.

【0046】超音波ノズル体31の空間部32の空気抜
きが終了したならば、回転テーブル12を駆動して半導
体ウエハUを回転させるとともに、ア−ム体41を揺動
させて超音波ノズル体31を半導体ウエハUの上面の径
方向中心部に位置させ、ついで径方向外方へに揺動させ
る。それと同時に、超音波振動子37に給電して振動板
36を超音波振動させる。
When the air bleeding of the space 32 of the ultrasonic nozzle body 31 is completed, the rotary table 12 is driven to rotate the semiconductor wafer U, and the arm body 41 is swung so that the ultrasonic nozzle body 31 is rotated. Is positioned at the radial center of the upper surface of the semiconductor wafer U, and is then swung radially outward. At the same time, power is supplied to the ultrasonic vibrator 37 to ultrasonically vibrate the diaphragm 36.

【0047】それによって、超音波ノズル体31の空間
部32を流通する処理液は超音波振動が付与されてノズ
ル孔35から半導体ウエハUに向けて噴出するから、半
導体ウエハUの上面は処理液によって超音波洗浄される
ことになる。
As a result, the processing liquid flowing through the space 32 of the ultrasonic nozzle body 31 is subjected to ultrasonic vibration and is ejected from the nozzle hole 35 toward the semiconductor wafer U. Ultrasonic cleaning.

【0048】超音波振動が付与された処理液が半導体ウ
エハUの上面に衝突すると、処理液の一部がミストとな
り、そのミストが回転テーブル12の回転にともなう空
気流によって周囲に飛散しようとする。
When the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied collides with the upper surface of the semiconductor wafer U, a part of the processing liquid becomes a mist, and the mist tends to scatter around by the air flow accompanying the rotation of the rotary table 12. .

【0049】しかしながら、上記超音波ノズル体31の
本体33の下端部にはその外周面を覆うカバ−体46が
設けられている。そのため、処理液が上部超音波ノズル
体31のノズル孔35から噴出されて半導体ウエハUに
衝突することでミストが発生しても、そのミストのほと
んどは上記カバ−体46の内周面に付着し、周囲に飛散
するミストはほとんどないから、洗浄し終えた半導体ウ
エハUにミストが再付着するのを防止することができ
る。
However, at the lower end of the main body 33 of the ultrasonic nozzle body 31, there is provided a cover body 46 for covering the outer peripheral surface thereof. Therefore, even if the processing liquid is ejected from the nozzle holes 35 of the upper ultrasonic nozzle body 31 and collides with the semiconductor wafer U, mist is generated. Most of the mist adheres to the inner peripheral surface of the cover body 46. However, since there is almost no mist scattered around, it is possible to prevent the mist from re-adhering to the washed semiconductor wafer U.

【0050】超音波振動が付与された処理液が半導体ウ
エハUに衝突することで、図2に矢印で示すように超音
波振動波Wが半導体ウエハUの板面で反射する。しかし
ながら、上記上部超音波ノズル体31はア−ム体41に
所定の角度θで傾斜して取付けられていることで、その
超音波振動波Wの進行波の出射方向に対して半導体ウエ
ハUで反射する反射波の方向が異なるから、その超音波
振動波Wの反射波が超音波ノズル体31のノズル孔35
からその内部に入射するのを防止できる。
When the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied collides with the semiconductor wafer U, the ultrasonic vibration wave W is reflected on the surface of the semiconductor wafer U as shown by an arrow in FIG. However, since the upper ultrasonic nozzle body 31 is attached to the arm body 41 at a predetermined angle θ, the upper ultrasonic nozzle body 31 is positioned on the semiconductor wafer U in the emission direction of the traveling wave of the ultrasonic vibration wave W. Since the direction of the reflected wave to be reflected is different, the reflected wave of the ultrasonic vibration wave W is reflected by the nozzle hole 35 of the ultrasonic nozzle body 31.
From the inside.

【0051】仮に、半導体ウエハUで反射した超音波振
動波Wが上部超音波ノズル体31内に入射すると、その
反射波が振動板36に作用し、振動板36の振動を減衰
したり、共振状態を招いて振動板36や超音波振動子3
7を損傷させたり、さらには進行波に対して反射波が干
渉して進行波の強度を低下させるなどの虞があるが、半
導体ウエハUで反射した反射波が進行波と異なる方向に
反射するため、そのような不都合が生じるのを防止でき
る。
If the ultrasonic vibration wave W reflected by the semiconductor wafer U is incident on the upper ultrasonic nozzle body 31, the reflected wave acts on the vibration plate 36 to attenuate the vibration of the vibration plate 36 or to reduce the resonance. Inducing the state, the diaphragm 36 and the ultrasonic vibrator 3
7, the reflected wave interferes with the traveling wave to reduce the intensity of the traveling wave, but the reflected wave reflected by the semiconductor wafer U is reflected in a direction different from the traveling wave. Therefore, occurrence of such inconvenience can be prevented.

【0052】なお、半導体ウエハUは、必要に応じて上
面と同時に下部洗浄ノズル24から下面に向けて処理液
を噴出させることで、その下面も洗浄することができ
る。
The lower surface of the semiconductor wafer U can also be cleaned by jetting a processing liquid from the lower cleaning nozzle 24 toward the lower surface simultaneously with the upper surface, if necessary.

【0053】このようにして半導体ウエハUの洗浄が終
了したならば、半導体ウエハUの上面と下面とに乾燥用
気体を供給して乾燥処理をしたならば、カップ体1の上
カップ4を下降させたのち、上部超音波ノズル体31を
カップ体1の外方の音圧検出器55のプローブ56の上
方に対向する待機位置まで退避させる。ついで、ロック
ピン15による半導体ウエハUのロック状態を解除した
ならば、その半導体ウエハUを取り出し、未洗浄の半導
体ウエハUを供給する。
When the cleaning of the semiconductor wafer U is completed in this manner, a drying gas is supplied to the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer U to perform a drying process, and the upper cup 4 of the cup body 1 is lowered. After that, the upper ultrasonic nozzle body 31 is retracted to the standby position facing the probe 56 of the sound pressure detector 55 outside the cup body 1. Next, when the locked state of the semiconductor wafer U by the lock pins 15 is released, the semiconductor wafer U is taken out and the uncleaned semiconductor wafer U is supplied.

【0054】半導体ウエハUの取り出しと供給を行う待
機時に、超音波ノズル体31からプローブ56に向けて
超音波振動が付与された処理液を噴射し、処理液に付与
された超音波振動の強度を測定する。その強度があらか
じめ設定された設定値以上であれば、その状態で新たな
半導体ウエハUの洗浄が行われ、設定値以下であると、
そのことが表示部57によって警報されるから、超音波
ノズル体31の点検、修理を行うようにする。それによ
って、半導体ウエハUを所定の強度以下の超音波振動が
付与された処理液で洗浄処理して洗浄不良の発生を招く
のを未然に防止することが可能となる。
During the standby time for taking out and supplying the semiconductor wafer U, the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied is jetted from the ultrasonic nozzle body 31 toward the probe 56, and the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid is increased. Is measured. If the intensity is equal to or greater than a preset value, a new semiconductor wafer U is cleaned in that state, and if the intensity is equal to or less than the set value,
Since this is warned by the display unit 57, the inspection and repair of the ultrasonic nozzle body 31 are performed. This makes it possible to prevent the semiconductor wafer U from being cleaned by a processing liquid to which ultrasonic vibration having a predetermined intensity or less is applied and causing a cleaning defect.

【0055】また、処理液に付与される音圧強度の測定
は、超音波ノズル体31の揺動方向の延長線上で、しか
も半導体ウエハUを回転テーブル着脱する間、つまり待
機時に行うことができる。そのため、その測定を半導体
ウエハUの処理工程と別の工程として行わなくてすむか
ら、その測定によって生産性の低下を招くということが
ない。しかも、各半導体ウエハUを洗浄処理する前に測
定することが可能となるから、全ての半導体ウエハUを
所定の強度の超音波振動が付与された処理液で確実に洗
浄することが可能となる。
Further, the measurement of the sound pressure intensity applied to the processing liquid can be performed on an extension of the oscillation direction of the ultrasonic nozzle body 31 and while the semiconductor wafer U is being attached to and detached from the rotary table, that is, at the time of standby. . Therefore, the measurement does not need to be performed as a separate step from the processing step of the semiconductor wafer U, and the measurement does not cause a decrease in productivity. Moreover, since the measurement can be performed before each semiconductor wafer U is subjected to the cleaning process, it is possible to reliably clean all the semiconductor wafers U with the processing liquid to which the ultrasonic vibration of the predetermined intensity is applied. .

【0056】さらに、上部超音波ノズル体31はア−ム
体41に所定の角度θで傾斜して取付けられていること
で、図2に示すように半導体ウエハUを洗浄処理する場
合と同様、その超音波振動波Wの進行波の出射方向に対
して同図に鎖線で示すようにプローブ56で反射する反
射波の方向が異なる。
Further, since the upper ultrasonic nozzle body 31 is attached to the arm body 41 at a predetermined angle .theta., The same as in the case of cleaning the semiconductor wafer U as shown in FIG. The direction of the reflected wave reflected by the probe 56 is different from the emission direction of the traveling wave of the ultrasonic vibration wave W as shown by a chain line in FIG.

【0057】したがって、超音波ノズル体31からの進
行波に対してプローブ56からの反射波が干渉して進行
波の強度を低下させるということがないから、超音波振
動波Wの強度を正確に測定することができる。
Therefore, since the reflected wave from the probe 56 does not interfere with the traveling wave from the ultrasonic nozzle body 31 to reduce the intensity of the traveling wave, the intensity of the ultrasonic vibration wave W can be accurately determined. Can be measured.

【0058】なお、上記一実施の形態では被処理物とし
て半導体ウエハを挙げたが、半導体ウエハに代わり液晶
用ガラス基板などであってもよく、要は超音波振動が付
与された処理液によって処理することが要求される被処
理物であればよい。
In the above-described embodiment, a semiconductor wafer is described as an object to be processed. However, a glass substrate for liquid crystal may be used instead of the semiconductor wafer. What is necessary is just an object to be processed.

【0059】[0059]

【発明の効果】請求項1と請求項3の発明によれば、超
音波ノズル体から噴出される処理液に付与された超音波
振動の強度を測定する音圧検出器を、超音波ノズル体の
移動方向延長線上の超音波ノズル体の待機位置に設ける
ようにした。
According to the first and third aspects of the present invention, the sound pressure detector for measuring the intensity of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid ejected from the ultrasonic nozzle body is provided by the ultrasonic nozzle body. At the standby position of the ultrasonic nozzle on the extension of the moving direction of the ultrasonic nozzle.

【0060】そのため、被処理物を回転テーブルに着脱
するために、超音波ノズル体を待機位置に退避させたと
きに処理液に付与される超音波振動の強度を測定するこ
とができるから、その測定を行うために生産性の低下を
招いたり、余計な手間を掛けずにすむ。
Therefore, the strength of the ultrasonic vibration applied to the processing liquid when the ultrasonic nozzle body is retracted to the standby position in order to attach and detach the object to be processed to and from the rotary table can be measured. It is not necessary to reduce productivity or to take extra time to perform the measurement.

【0061】請求項2の発明によれば、超音波ノズル体
を被処理物の処理面に対して傾斜させて設けるようにし
た。
According to the second aspect of the present invention, the ultrasonic nozzle body is provided so as to be inclined with respect to the processing surface of the workpiece.

【0062】そのため、超音波振動の強度を測定する場
合、超音波ノズル体からの進行波が音圧検出器からの反
射波と干渉し合うのを防止できるから、超音波振動の強
度を正確に検出することができる。
Therefore, when measuring the intensity of the ultrasonic vibration, it is possible to prevent the traveling wave from the ultrasonic nozzle from interfering with the reflected wave from the sound pressure detector. Can be detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態を示すスピン処理装置
の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a spin processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく超音波ノズル体の断面図。FIG. 2 is a sectional view of the ultrasonic nozzle body.

【図3】同じくスピン処理装置と音圧検出器との配置状
態を示す平面図。
FIG. 3 is a plan view showing an arrangement state of a spin processing device and a sound pressure detector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12…回転テーブル 31…超音波ノズル体 41…ア−ム体 55…音圧検出器(音圧検出手段) U…半導体ウエハ(被処理物) 12: rotary table 31: ultrasonic nozzle body 41: arm body 55: sound pressure detector (sound pressure detecting means) U: semiconductor wafer (workpiece)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物を超音波振動が付与された処理
液によって処理するスピン処理装置において、 上記被処理物を保持して回転駆動される回転テーブル
と、 この回転テーブルに保持された被処理物の径方向に沿っ
て駆動されるとともに内部に供給された処理液に超音波
振動を付与して噴出する超音波ノズル体と、 この超音波超音波ノズル体の駆動方向の延長線上で、上
記被処理物の径方向周縁よりも外方の待機位置に配置さ
れ上記超音波ノズル体が処理液に付与する超音波の音圧
を検出する音圧検出手段とを具備したことを特徴とする
スピン処理装置。
1. A spin processing apparatus for processing an object to be processed with a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied, comprising: a rotary table that holds and rotates the object to be processed; and a rotating table that is held by the rotary table. An ultrasonic nozzle body that is driven along the radial direction of the processing object and applies ultrasonic vibration to the processing liquid supplied therein and ejects the processing liquid, and on an extension of the driving direction of the ultrasonic ultrasonic nozzle body, And a sound pressure detecting means for detecting a sound pressure of an ultrasonic wave applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle body, which is disposed at a standby position outside a radial periphery of the object to be processed. Spin processing device.
【請求項2】 上記超音波ノズル体は、上記回転テーブ
ルに保持された被処理物の被処理面と平行に揺動駆動さ
れるアーム体に、軸線を上記被処理物の被処理面に対し
て所定角度傾斜させて設けられていることを特徴とする
請求項1記載のスピン処理装置。
2. The ultrasonic nozzle body includes an arm body that is swingably driven in parallel with a processing surface of the processing object held on the rotary table, and has an axis line with respect to the processing surface of the processing object. 2. The spin processing device according to claim 1, wherein the spin processing device is provided at a predetermined angle.
【請求項3】 被処理物を超音波振動が付与された処理
液によって処理するスピン処理方法において、 上記被処理物を保持して回転駆動させる工程と、 上記処理液に超音波振動を付与して噴出する超音波ノズ
ル体を上記回転テーブルに保持されて回転駆動される上
記被処理物の径方向に沿って駆動する工程と、 上記超音波ノズル体の駆動方向の延長線上で、上記被処
理物の径方向周縁よりも外方の待機位置で上記超音波ノ
ズル体が処理液に付与する超音波の音圧を検出する工程
とを具備したことを特徴とするスピン処理方法。
3. A spin processing method for processing an object to be processed with a processing liquid to which ultrasonic vibration has been applied, wherein: a step of holding and rotating the object to be processed; and applying ultrasonic vibration to the processing liquid. Driving the ultrasonic nozzle body to be ejected along the radial direction of the workpiece to be held and rotated by the rotary table; and extending the ultrasonic nozzle body on the extension of the driving direction of the ultrasonic nozzle body. Detecting a sound pressure of an ultrasonic wave applied to the processing liquid by the ultrasonic nozzle body at a standby position outside a peripheral edge in a radial direction of the object.
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