JP2000114140A - 微粒子除去装置 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子線を用いた露光装置に使用されるレ
チクルの開口中の側壁に付着した微粒子を効果的に除去
することができる微小粒子除去装置を提供する。 【解決手段】 パルスレーザー１から、パルスレーザー
光２をレチクル４に照射すると、レチクル４の照射部分
は急激に熱膨張する。このとき、レチクル４の表面や開
口の側壁に付着している微粒子は、加速度を与えられて
レチクルの表面や側壁から離脱する。レチクル４には、
ガス供給装置８からガス管６を介してガスが導入されて
いるので、レチクル４の開口の中はガスが流れている。
開口の側壁から離脱した微粒子は、ガスの流れに乗って
開口中を移動し、最終的に開口の外に押し流されて除去
される。
チクルの開口中の側壁に付着した微粒子を効果的に除去
することができる微小粒子除去装置を提供する。 【解決手段】 パルスレーザー１から、パルスレーザー
光２をレチクル４に照射すると、レチクル４の照射部分
は急激に熱膨張する。このとき、レチクル４の表面や開
口の側壁に付着している微粒子は、加速度を与えられて
レチクルの表面や側壁から離脱する。レチクル４には、
ガス供給装置８からガス管６を介してガスが導入されて
いるので、レチクル４の開口の中はガスが流れている。
開口の側壁から離脱した微粒子は、ガスの流れに乗って
開口中を移動し、最終的に開口の外に押し流されて除去
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に付着した粒
子を除去し、清浄化するための装置に関し、さらに詳し
くは、荷電粒子線露光装置用のレチクル（マスクを含
む、本明細書中において同じ）に付着した微粒子を除去
するための装置に関するものである。
子を除去し、清浄化するための装置に関し、さらに詳し
くは、荷電粒子線露光装置用のレチクル（マスクを含
む、本明細書中において同じ）に付着した微粒子を除去
するための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細な回路パターンを作製
する露光工程において、レチクルに付着した微粒子は、
回路パターンの欠陥の原因になる。そのため、光を用い
て露光を行うフォトリソグラフィでは、ペリクルと呼ば
れる薄い透明な膜を用いて、レチクルに直接微粒子が付
着しないように保護している。
する露光工程において、レチクルに付着した微粒子は、
回路パターンの欠陥の原因になる。そのため、光を用い
て露光を行うフォトリソグラフィでは、ペリクルと呼ば
れる薄い透明な膜を用いて、レチクルに直接微粒子が付
着しないように保護している。
【０００３】フォトリソグラフィでは作製することが困
難な微細なパターンを作製するためには、電子やイオン
等の荷電粒子線を用いて露光が行われている。荷電粒子
ビームを用いる露光方法では、ビームの行程に物体が存
在するとビームを遮ることになり、露光することができ
なくなるため、フォトリソグラフィで用いられるペリク
ルのような保護膜を用いることができない。
難な微細なパターンを作製するためには、電子やイオン
等の荷電粒子線を用いて露光が行われている。荷電粒子
ビームを用いる露光方法では、ビームの行程に物体が存
在するとビームを遮ることになり、露光することができ
なくなるため、フォトリソグラフィで用いられるペリク
ルのような保護膜を用いることができない。
【０００４】荷電粒子線を用いた露光方法において用い
られるレチクルは、厚さ数μｍのＳｉ（シリコン）また
は、Ｂ（ホウ素）がドープされたＳｉのメンブレンに回
路パターンに相当する開口が設けられたものが用いられ
る。粒子線は照明光学系を介してレチクル面を照射し、
開口の部分を通過した粒子線が、転写露光光学系を介し
てシリコンウェハ等の感応基板に照射される。これによ
り、レチクル上に作成された回路パターンが、感応基板
上に転写される。
られるレチクルは、厚さ数μｍのＳｉ（シリコン）また
は、Ｂ（ホウ素）がドープされたＳｉのメンブレンに回
路パターンに相当する開口が設けられたものが用いられ
る。粒子線は照明光学系を介してレチクル面を照射し、
開口の部分を通過した粒子線が、転写露光光学系を介し
てシリコンウェハ等の感応基板に照射される。これによ
り、レチクル上に作成された回路パターンが、感応基板
上に転写される。
【０００５】開口部に微粒子が付着した場合、粒子線は
微粒子によって遮断され、所望の回路パターンが基板に
転写できなくなる。前述のように、荷電粒子線を利用し
た露光装置においては、予めレチクルに付着した微粒子
を取除き、その後にペリクルで保護することができない
ため、微粒子が付着するたびに除去することが必要とな
る。そのような目的のために使用される装置として、レ
ーザー光をレチクルに照射して微粒子を除去する装置
が、特公平６−９５５１０号公報に開示されている。
微粒子によって遮断され、所望の回路パターンが基板に
転写できなくなる。前述のように、荷電粒子線を利用し
た露光装置においては、予めレチクルに付着した微粒子
を取除き、その後にペリクルで保護することができない
ため、微粒子が付着するたびに除去することが必要とな
る。そのような目的のために使用される装置として、レ
ーザー光をレチクルに照射して微粒子を除去する装置
が、特公平６−９５５１０号公報に開示されている。
【０００６】この装置によれば、パルスレーザー光源か
ら、パルスレーザー光をレチクルの表面に照射すると、
パルスレーザー光が照射されたレチクル表面に付着して
いる微粒子は、パルスレーザー光を吸収し、加熱されて
蒸発したり、微粒子またはレチクル表面の急激な熱膨張
によって発生する加速度によって、レチクル表面から引
き離される。
ら、パルスレーザー光をレチクルの表面に照射すると、
パルスレーザー光が照射されたレチクル表面に付着して
いる微粒子は、パルスレーザー光を吸収し、加熱されて
蒸発したり、微粒子またはレチクル表面の急激な熱膨張
によって発生する加速度によって、レチクル表面から引
き離される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、レチクルの表面に付着している微粒子は
除去できるが、レチクルの開口中の側壁に付着している
微粒子は、パルスレーザー光の照射により付着している
面から引き離された後、対面の側壁に再付着し、結果と
してレチクルから除去できないという問題があった。
従来技術では、レチクルの表面に付着している微粒子は
除去できるが、レチクルの開口中の側壁に付着している
微粒子は、パルスレーザー光の照射により付着している
面から引き離された後、対面の側壁に再付着し、結果と
してレチクルから除去できないという問題があった。
【０００８】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたもので、荷電粒子線を用いた露光装置に使用
されるレチクルの開口中の側壁に付着した微粒子を効果
的に除去することができる微小粒子除去装置を提供する
ことを課題とする。
になされたもので、荷電粒子線を用いた露光装置に使用
されるレチクルの開口中の側壁に付着した微粒子を効果
的に除去することができる微小粒子除去装置を提供する
ことを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、荷電粒子線露光装置用のレチクルに付
着した微粒子を除去するための装置であって、前記レチ
クルを保持する手段と、前記レチクルにパルスレーザー
光を照射するパルスレーザー光発生手段と、前記レチク
ルにガスを流す手段を備えることを特徴とする微小粒子
除去装置（請求項１）である。
の第１の手段は、荷電粒子線露光装置用のレチクルに付
着した微粒子を除去するための装置であって、前記レチ
クルを保持する手段と、前記レチクルにパルスレーザー
光を照射するパルスレーザー光発生手段と、前記レチク
ルにガスを流す手段を備えることを特徴とする微小粒子
除去装置（請求項１）である。
【００１０】本手段においては、パルスレーザー光の照
射によってレチクルの開口部から剥離された微粒子は、
ガスによって開口部の外部に押し流され、対面の側壁に
再付着することがなくなる。よって、開口部に付着した
微粒子を効果的に除去することができる。
射によってレチクルの開口部から剥離された微粒子は、
ガスによって開口部の外部に押し流され、対面の側壁に
再付着することがなくなる。よって、開口部に付着した
微粒子を効果的に除去することができる。
【００１１】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、レチクルに流すガスを帯電さ
せる手段と、前記帯電させたガスと反対の極性の電圧を
印加した電極を、レチクルに対し、ガス供給面と反対側
の面に備えることを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
前記第１の手段であって、レチクルに流すガスを帯電さ
せる手段と、前記帯電させたガスと反対の極性の電圧を
印加した電極を、レチクルに対し、ガス供給面と反対側
の面に備えることを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
【００１２】本手段においては、レチクルに流すガスが
帯電されているので、パルスレーザー光の照射によって
レチクルの開口部から剥離された微粒子は、ガスと同じ
電位に帯電する。そして、ガスの流れに加え、反対の極
性を有する電極に引き寄せられて、開口部の外に排出さ
れ、対面の側壁に再付着することがなくなる。よって、
開口部に付着した微粒子を効果的に除去することができ
る。
帯電されているので、パルスレーザー光の照射によって
レチクルの開口部から剥離された微粒子は、ガスと同じ
電位に帯電する。そして、ガスの流れに加え、反対の極
性を有する電極に引き寄せられて、開口部の外に排出さ
れ、対面の側壁に再付着することがなくなる。よって、
開口部に付着した微粒子を効果的に除去することができ
る。
【００１３】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、レチクルに照
射するパルスレーザー光が紫外光であり、レチクルに流
すガスが、ハロゲン若しくはハロゲンを含む化合物又は
これらと他のガスとの混合物であることを特徴とするも
の（請求項３）である。
前記第１の手段又は第２の手段であって、レチクルに照
射するパルスレーザー光が紫外光であり、レチクルに流
すガスが、ハロゲン若しくはハロゲンを含む化合物又は
これらと他のガスとの混合物であることを特徴とするも
の（請求項３）である。
【００１４】本手段においては、ハロゲンガスと紫外光
との相互作用によりラジカルが発生する。ラジカルはレ
チクルに付着している微粒子と反応し、微粒子は気化し
てレチクルから離脱する。ラジカルはレチクルの開口に
も入り込むので、開口の側壁に付着した微粒子に対して
も除去効果がある。
との相互作用によりラジカルが発生する。ラジカルはレ
チクルに付着している微粒子と反応し、微粒子は気化し
てレチクルから離脱する。ラジカルはレチクルの開口に
も入り込むので、開口の側壁に付着した微粒子に対して
も除去効果がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
から図３を参照して説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態に係る微粒子除去装置の構成図である。図１
において、１はパルスレーザー、２はパルスレーザー
光、３はレンズ、４はレチクル、５はレチクルホルダ
ー、６はガス管、７は流量計、８はガス供給装置であ
る。
から図３を参照して説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態に係る微粒子除去装置の構成図である。図１
において、１はパルスレーザー、２はパルスレーザー
光、３はレンズ、４はレチクル、５はレチクルホルダ
ー、６はガス管、７は流量計、８はガス供給装置であ
る。
【００１６】パルスレーザー１からのパルスレーザー光
２はレンズ３で集光され、レチクル４に照射される。レ
チクル４はレチクルホルダー５に設置されている。レチ
クルホルダー５には、レチクル４にガスを照射できるよ
うに、ガス管６が設置されている。ガスはガス供給装置
８から供給され、流量計７でガスの流量を制御できるよ
うになっている。なお、図示されてはいないが、レチク
ルホルダー５の位置を変えることにより、パルスレーザ
ー光２を、レチクル４の全表面に照射可能とされてい
る。
２はレンズ３で集光され、レチクル４に照射される。レ
チクル４はレチクルホルダー５に設置されている。レチ
クルホルダー５には、レチクル４にガスを照射できるよ
うに、ガス管６が設置されている。ガスはガス供給装置
８から供給され、流量計７でガスの流量を制御できるよ
うになっている。なお、図示されてはいないが、レチク
ルホルダー５の位置を変えることにより、パルスレーザ
ー光２を、レチクル４の全表面に照射可能とされてい
る。
【００１７】パルスレーザー１としては、ＡｒＦレーザ
ー、ＸｅＣｌレーザー等のエキシマレーザーや、窒素レ
ーザー、二酸化炭素レーザー、Ｅｒ：ＹＡＧレーザー等
を用いることができる。また、ガスとしては、窒素ガス
や他の種類のガスを用いることができる。ガス流入の方
向は、レチクル４の開口中をガスが流れればよいので、
図１に示すようにレチクル４の裏面から導入することが
好ましいが、これに限られるものではない。
ー、ＸｅＣｌレーザー等のエキシマレーザーや、窒素レ
ーザー、二酸化炭素レーザー、Ｅｒ：ＹＡＧレーザー等
を用いることができる。また、ガスとしては、窒素ガス
や他の種類のガスを用いることができる。ガス流入の方
向は、レチクル４の開口中をガスが流れればよいので、
図１に示すようにレチクル４の裏面から導入することが
好ましいが、これに限られるものではない。
【００１８】上記構成の微粒子除去装置について、動作
を説明する。パルスレーザー１から、パルスレーザー光
２をレチクル４に照射すると、レチクル４の照射部分は
急激に熱膨張する。このとき、レチクル４の表面や開口
の側壁に付着している微粒子は、加速度を与えられてレ
チクルの表面や側壁から離脱する。レチクル４にはガス
が導入されているので、レチクル４の開口の中はガスが
流れている。開口の側壁から離脱した微粒子は、ガスの
流れに乗って開口中を移動し、最終的に開口の外に押し
流されて除去される。
を説明する。パルスレーザー１から、パルスレーザー光
２をレチクル４に照射すると、レチクル４の照射部分は
急激に熱膨張する。このとき、レチクル４の表面や開口
の側壁に付着している微粒子は、加速度を与えられてレ
チクルの表面や側壁から離脱する。レチクル４にはガス
が導入されているので、レチクル４の開口の中はガスが
流れている。開口の側壁から離脱した微粒子は、ガスの
流れに乗って開口中を移動し、最終的に開口の外に押し
流されて除去される。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施の形態に係る
微粒子除去装置の構成図である。以下の図において、前
出の図に示しされた構成要素と同一の構成要素には同じ
符号を付してその説明を省略する。図２において、９は
電極、１０はイオン発生装置、１１は直流電源である。
微粒子除去装置の構成図である。以下の図において、前
出の図に示しされた構成要素と同一の構成要素には同じ
符号を付してその説明を省略する。図２において、９は
電極、１０はイオン発生装置、１１は直流電源である。
【００２０】電極９には、パルスレーザー光２を通過さ
せるための穴が設けられており、直流電源１１から電圧
が印加されている。イオン発生装置１０にはガス管６が
接続されている。電極９に印加される電圧の極性とイオ
ン発生装置１０で生成されるイオンの極性は互いに反対
になるように設定されている。イオンとガスが反応する
と、イオンの効果は低減するので、ガスはイオンと反応
しにくいものを用いることが望ましい。反応しにくいガ
スとして、窒素や、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不
活性ガスを用いることができる。
せるための穴が設けられており、直流電源１１から電圧
が印加されている。イオン発生装置１０にはガス管６が
接続されている。電極９に印加される電圧の極性とイオ
ン発生装置１０で生成されるイオンの極性は互いに反対
になるように設定されている。イオンとガスが反応する
と、イオンの効果は低減するので、ガスはイオンと反応
しにくいものを用いることが望ましい。反応しにくいガ
スとして、窒素や、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不
活性ガスを用いることができる。
【００２１】上記構成の微粒子除去装置の動作について
説明する。イオン発生装置１０でイオンが生成される。
イオン発生装置１０とガス供給装置８はガス管６により
接続されているので、ガス管６の中でガスとイオンが混
合する。レチクル４にはイオンを含んだ帯電したガスが
導入される。パルスレーザー光２の照射によって、レチ
クル４の側壁から引き離された微粒子は、イオンを含ん
だガスに触れて帯電する。帯電した微粒子は、ガスの流
れに加えて、電極９に印加された電圧により発生する電
界により電極９に引き寄せられ、レチクル４の開口の外
に引き出され、電極９に吸着する。
説明する。イオン発生装置１０でイオンが生成される。
イオン発生装置１０とガス供給装置８はガス管６により
接続されているので、ガス管６の中でガスとイオンが混
合する。レチクル４にはイオンを含んだ帯電したガスが
導入される。パルスレーザー光２の照射によって、レチ
クル４の側壁から引き離された微粒子は、イオンを含ん
だガスに触れて帯電する。帯電した微粒子は、ガスの流
れに加えて、電極９に印加された電圧により発生する電
界により電極９に引き寄せられ、レチクル４の開口の外
に引き出され、電極９に吸着する。
【００２２】図３は、本発明の第３の実施の形態に係る
微粒子除去装置の構成図である。図３において、１２は
チャンバ、１３は真空ポンプ、１４はパルスレーザ光導
入窓である。
微粒子除去装置の構成図である。図３において、１２は
チャンバ、１３は真空ポンプ、１４はパルスレーザ光導
入窓である。
【００２３】レチクル４とレチクルホルダー５は、チャ
ンバ１２の中に設置されている。ガス供給装置８の中に
はハロゲンやハロゲンを含む化合物のガスが充填されて
いる。ガス供給装置８から供給されるガスは、流量計７
でガスの流量を制御して、ガス管６を通してチャンバ１
２の中に導入される。真空ポンプ１３は、チャンバ１２
に接続され、チャンバ１２の中を排気する。パルスレー
ザー光２は、レンズ３で集光され、チャンバ１２に備え
られたパルス光導入窓１４を通してレチクル４に照射さ
れる。ガスとしては、塩素ガス、四塩化ケイ素、フッ素
等のハロゲンを含む化合物のガスを用いることができ
る。また、１種類のガスでけでなく、数種類のガスを組
み合わせて用いることもでき、これらのガスと他のガス
との混合物を用いることもできる。パルスレーザー１と
しては、紫外光のパルスを発生することができるレーザ
ーとして、エキシマレーザーや窒素レーザーを用いるこ
とができる。
ンバ１２の中に設置されている。ガス供給装置８の中に
はハロゲンやハロゲンを含む化合物のガスが充填されて
いる。ガス供給装置８から供給されるガスは、流量計７
でガスの流量を制御して、ガス管６を通してチャンバ１
２の中に導入される。真空ポンプ１３は、チャンバ１２
に接続され、チャンバ１２の中を排気する。パルスレー
ザー光２は、レンズ３で集光され、チャンバ１２に備え
られたパルス光導入窓１４を通してレチクル４に照射さ
れる。ガスとしては、塩素ガス、四塩化ケイ素、フッ素
等のハロゲンを含む化合物のガスを用いることができ
る。また、１種類のガスでけでなく、数種類のガスを組
み合わせて用いることもでき、これらのガスと他のガス
との混合物を用いることもできる。パルスレーザー１と
しては、紫外光のパルスを発生することができるレーザ
ーとして、エキシマレーザーや窒素レーザーを用いるこ
とができる。
【００２４】上記構成の微粒子除去装置の動作について
説明する。真空ポンプ１３により、チャンバ１２中を排
気し、ガス供給装置８からハロゲンやハロゲンを含む化
合物のガスを供給する。本実施の形態において、レチク
ル４に照射されるパルスレーザ光２は紫外光である。チ
ャンバ１２中のハロゲンを含むガスと紫外光との相互作
用により、ラジカルが発生する。ラジカルはレチクル４
に付着している微粒子と反応し、微粒子は気化しレチク
ル４から離脱する。ラジカルは、レチクル４の開口の中
にも入り込むので、開口の側壁に付着した微粒子に対し
ても除去効果がある。ラジカルと反応して気化した微粒
子は、真空ポンプ１３によってチャンバ１２の外に排出
される。
説明する。真空ポンプ１３により、チャンバ１２中を排
気し、ガス供給装置８からハロゲンやハロゲンを含む化
合物のガスを供給する。本実施の形態において、レチク
ル４に照射されるパルスレーザ光２は紫外光である。チ
ャンバ１２中のハロゲンを含むガスと紫外光との相互作
用により、ラジカルが発生する。ラジカルはレチクル４
に付着している微粒子と反応し、微粒子は気化しレチク
ル４から離脱する。ラジカルは、レチクル４の開口の中
にも入り込むので、開口の側壁に付着した微粒子に対し
ても除去効果がある。ラジカルと反応して気化した微粒
子は、真空ポンプ１３によってチャンバ１２の外に排出
される。
【００２５】
【実施例】（実施例１）図１に示すような微粒子除去装
置を製作した。パルスレーザー１として、ＫｒＦレーザ
ーを、ガス供給装置８から供給されるガスとして、窒素
ガスを用いた。パルスレーザー光２の強度としては、レ
チクル４を破壊しない程度が望ましく、１パルス当たり
数１００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよい。ガスは、窒素ガ
スを用い、図１に示すようにレチクル４の裏面からレチ
クル４に導入した。
置を製作した。パルスレーザー１として、ＫｒＦレーザ
ーを、ガス供給装置８から供給されるガスとして、窒素
ガスを用いた。パルスレーザー光２の強度としては、レ
チクル４を破壊しない程度が望ましく、１パルス当たり
数１００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよい。ガスは、窒素ガ
スを用い、図１に示すようにレチクル４の裏面からレチ
クル４に導入した。
【００２６】この装置においては、レチクル４の表面及
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
【００２７】（実施例２）図２に示すような微粒子除去
装置を製作した。イオン発生装置１０として、酸素のイ
オンを発生する装置を用い、ガスとして窒素を用いた。
酸素イオンは負に帯電しているので、電極９には＋１ｋ
Ｖの電圧を印加した。
装置を製作した。イオン発生装置１０として、酸素のイ
オンを発生する装置を用い、ガスとして窒素を用いた。
酸素イオンは負に帯電しているので、電極９には＋１ｋ
Ｖの電圧を印加した。
【００２８】この装置においても、レチクル４の表面及
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
【００２９】（実施例３）図３に示すような微粒子除去
装置を製作した。パルスレーザー１として、２４８ｎｍ
の紫外光を発生するＫｒＦレーザーを、ハロゲンガスと
して、塩素を用いた。真空ポンプ１３でチャンバ１２の
中を真空にした後、塩素ガスを導入して、チャンバ１２
の中の圧力を２ＫＰａ程度にした。塩素ガスは、ＫｒＦ
レーザーの光との相互作用により、ラジカルになった。
塩素のラジカルはレチクルに付着した金属微粒子と反応
して、金属の塩化物のガスとなり、レチクルから離脱し
た。
装置を製作した。パルスレーザー１として、２４８ｎｍ
の紫外光を発生するＫｒＦレーザーを、ハロゲンガスと
して、塩素を用いた。真空ポンプ１３でチャンバ１２の
中を真空にした後、塩素ガスを導入して、チャンバ１２
の中の圧力を２ＫＰａ程度にした。塩素ガスは、ＫｒＦ
レーザーの光との相互作用により、ラジカルになった。
塩素のラジカルはレチクルに付着した金属微粒子と反応
して、金属の塩化物のガスとなり、レチクルから離脱し
た。
【００３０】この装置においても、レチクル４の表面及
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
び開口中に付着した微粒子を完全に除去することができ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る発明においては、パルスレーザー光の照射に
よってレチクルの開口部から剥離された微粒子は、ガス
によって開口部の外部に押し流され、対面の側壁に再付
着することがなくなる。よって、開口部に付着した微粒
子を効果的に除去することができる。
項１に係る発明においては、パルスレーザー光の照射に
よってレチクルの開口部から剥離された微粒子は、ガス
によって開口部の外部に押し流され、対面の側壁に再付
着することがなくなる。よって、開口部に付着した微粒
子を効果的に除去することができる。
【００３２】請求項２に係る発明においては、レチクル
の開口部から剥離された微粒子は、ガスと同じ電位に帯
電し、ガスの流れに加え、反対の極性を有する電極に引
き寄せられて、開口部の外に排出され、対面の側壁に再
付着することがなくなる。よって、開口部に付着した微
粒子を効果的に除去することができる。
の開口部から剥離された微粒子は、ガスと同じ電位に帯
電し、ガスの流れに加え、反対の極性を有する電極に引
き寄せられて、開口部の外に排出され、対面の側壁に再
付着することがなくなる。よって、開口部に付着した微
粒子を効果的に除去することができる。
【００３３】請求項３に係る発明においては、ハロゲン
ガスと紫外光との相互作用により発生したラジカルが、
レチクルに付着している微粒子と反応し、微粒子は気化
してレチクルから離脱する。よって、開口部に付着した
微粒子を効果的に除去することができる。
ガスと紫外光との相互作用により発生したラジカルが、
レチクルに付着している微粒子と反応し、微粒子は気化
してレチクルから離脱する。よって、開口部に付着した
微粒子を効果的に除去することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る微粒子除去装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る微粒子除去装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る微粒子除去装
置の構成図である。
置の構成図である。
１…パルスレーザー ２…パルスレーザー光 ３…レンズ ４…レチクル ５…レチクルホルダー ６…ガス管 ７…流量計 ８…ガス供給装置 ９…電極 １０…イオン発生装置 １１…直流電源 １２…チャンバ １３…真空ポンプ １４…パルスレーザー光導入窓
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電粒子線露光装置用のレチクルに付着
した微粒子を除去するための装置であって、前記レチク
ルを保持する手段と、前記レチクルにパルスレーザー光
を照射するパルスレーザー光発生手段と、前記レチクル
にガスを流す手段を備えることを特徴とする微小粒子除
去装置。 - 【請求項２】 前記レチクルに流すガスを帯電させる手
段と、前記帯電させたガスと反対の極性の電圧を印加し
た電極を、レチクルに対し、ガス供給面と反対側の面に
備えることを特徴とする請求項１に記載の微小粒子除去
装置。 - 【請求項３】 前記レチクルに照射するパルスレーザー
光が紫外光であり、前記レチクルに流すガスが、ハロゲ
ン若しくはハロゲンを含む化合物又はこれらと他のガス
との混合物であることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の微小粒子除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279698A JP2000114140A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 微粒子除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279698A JP2000114140A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 微粒子除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114140A true JP2000114140A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17614639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10279698A Pending JP2000114140A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 微粒子除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114140A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289442A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Sony Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2010067970A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP10279698A patent/JP2000114140A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289442A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Sony Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2010067970A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
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