JP2000113998A - 帯電除去方法および装置 - Google Patents
帯電除去方法および装置Info
- Publication number
- JP2000113998A JP2000113998A JP10279879A JP27987998A JP2000113998A JP 2000113998 A JP2000113998 A JP 2000113998A JP 10279879 A JP10279879 A JP 10279879A JP 27987998 A JP27987998 A JP 27987998A JP 2000113998 A JP2000113998 A JP 2000113998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- charge
- chamber
- electrostatic charge
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空雰囲気中で絶縁物上に載置された物体の
帯電を、金属等他の物質を付着させることなく、除去で
きる帯電除去方法等を提供する。 【解決手段】 真空雰囲気中で絶縁物２上に載置された
物体１の帯電を、前記真空雰囲気に瞬時少量の気体を導
入して除去する。
帯電を、金属等他の物質を付着させることなく、除去で
きる帯電除去方法等を提供する。 【解決手段】 真空雰囲気中で絶縁物２上に載置された
物体１の帯電を、前記真空雰囲気に瞬時少量の気体を導
入して除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空雰囲気中で絶
縁物上に載置された物体の帯電を除去する帯電除去方法
および装置に関するものである。
縁物上に載置された物体の帯電を除去する帯電除去方法
および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、蛍光Ｘ線分析装置を
用いた半導体ウエハの汚染分析においては、減圧される
試料室内で試料台にウエハを載置し、１次Ｘ線を照射し
て発生した蛍光Ｘ線の強度を測定する。ここで、試料台
は、ウエハを静電吸着して保持すべく、セラミック（サ
ファイアガラス、炭化けい素、アルミナ等）の円板の表
面を平滑に研磨し、電極を埋め込んで静電チャックを形
成している。セラミックを用いるのは、金属を用いたの
では、ウエハを静電吸着できず、また、ウエハが金属で
汚染されると洗浄槽等を介して他のウエハを２次汚染す
る不都合が生じるからである。
用いた半導体ウエハの汚染分析においては、減圧される
試料室内で試料台にウエハを載置し、１次Ｘ線を照射し
て発生した蛍光Ｘ線の強度を測定する。ここで、試料台
は、ウエハを静電吸着して保持すべく、セラミック（サ
ファイアガラス、炭化けい素、アルミナ等）の円板の表
面を平滑に研磨し、電極を埋め込んで静電チャックを形
成している。セラミックを用いるのは、金属を用いたの
では、ウエハを静電吸着できず、また、ウエハが金属で
汚染されると洗浄槽等を介して他のウエハを２次汚染す
る不都合が生じるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、真空雰囲気中
で絶縁物たる試料台に載置されたウエハに１次Ｘ線が照
射されると、光電効果により電子がたたき出されてプラ
スに帯電するので、静電チャックとしての静電吸着を解
除しても、前記帯電による静電吸着のために、ウエハが
試料台から離れにくくなり、分析後のロボットハンドに
よる搬出等に支障をきたす。これに対し、接地された金
属棒等をウエハに接触させて帯電を逃がすと、金属汚染
の問題が生じる。
で絶縁物たる試料台に載置されたウエハに１次Ｘ線が照
射されると、光電効果により電子がたたき出されてプラ
スに帯電するので、静電チャックとしての静電吸着を解
除しても、前記帯電による静電吸着のために、ウエハが
試料台から離れにくくなり、分析後のロボットハンドに
よる搬出等に支障をきたす。これに対し、接地された金
属棒等をウエハに接触させて帯電を逃がすと、金属汚染
の問題が生じる。
【０００４】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、真空雰囲気中で絶縁物上に載置された物体の帯
電を、金属等他の物質を付着させることなく、除去でき
る帯電除去方法等を提供することを目的とする。
もので、真空雰囲気中で絶縁物上に載置された物体の帯
電を、金属等他の物質を付着させることなく、除去でき
る帯電除去方法等を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１の帯電除去方法では、真空雰囲気中で絶縁
物上に載置された物体の帯電を、前記真空雰囲気に瞬時
少量の気体を導入して除去する。請求項１の方法によれ
ば、真空雰囲気に瞬時少量の気体を導入するので、物体
に金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去で
きる。
に、請求項１の帯電除去方法では、真空雰囲気中で絶縁
物上に載置された物体の帯電を、前記真空雰囲気に瞬時
少量の気体を導入して除去する。請求項１の方法によれ
ば、真空雰囲気に瞬時少量の気体を導入するので、物体
に金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去で
きる。
【０００６】請求項２の帯電除去装置は、減圧されるチ
ャンバ内で絶縁物上に載置された物体の帯電を、減圧さ
れたチャンバに瞬時少量の気体を導入して除去する。請
求項２の装置によれば、減圧されたチャンバに瞬時少量
の気体を導入するので、物体に金属等他の物質を付着さ
せることなく、帯電を除去できる。
ャンバ内で絶縁物上に載置された物体の帯電を、減圧さ
れたチャンバに瞬時少量の気体を導入して除去する。請
求項２の装置によれば、減圧されたチャンバに瞬時少量
の気体を導入するので、物体に金属等他の物質を付着さ
せることなく、帯電を除去できる。
【０００７】請求項３の蛍光Ｘ線分析装置は、減圧され
る試料室内で試料台に載置された試料に１次Ｘ線を照射
して発生した蛍光Ｘ線の強度を測定する蛍光Ｘ線分析装
置であって、前記試料台の少なくとも試料と接触する部
分が絶縁物で形成され、１次Ｘ線を照射されて帯電した
試料を試料台から搬出する前に、減圧された試料室に瞬
時少量の気体を導入して帯電を除去する帯電除去装置を
備える。請求項３の装置によれば、減圧された試料室に
帯電除去装置で瞬時少量の気体を導入するので、試料に
金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去でき
る。
る試料室内で試料台に載置された試料に１次Ｘ線を照射
して発生した蛍光Ｘ線の強度を測定する蛍光Ｘ線分析装
置であって、前記試料台の少なくとも試料と接触する部
分が絶縁物で形成され、１次Ｘ線を照射されて帯電した
試料を試料台から搬出する前に、減圧された試料室に瞬
時少量の気体を導入して帯電を除去する帯電除去装置を
備える。請求項３の装置によれば、減圧された試料室に
帯電除去装置で瞬時少量の気体を導入するので、試料に
金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去でき
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態の装置
について説明する。まず、この装置の構成について説明
する。この装置は、図２の平面図に示すように試料たる
ウエハ１が載置される試料台２と、試料１に１次Ｘ線３
を照射するＸ線管等のＸ線源４と、試料１から発生した
蛍光Ｘ線の強度を測定するＳＳＤ等の検出手段５とを備
えている。試料台２は、従来の技術で説明したのと同様
に、ウエハ１を静電吸着して保持すべく、例えばサファ
イアガラスの円板の表面を平滑に研磨し、電極を埋め込
んで静電チャックを形成している。この装置は、いわゆ
る全反射蛍光Ｘ線分析装置であり、１次Ｘ線３はウエハ
１の表面にほぼ平行に微小な入射角で入射し、検出手段
５はウエハ１の上方に設置される。
について説明する。まず、この装置の構成について説明
する。この装置は、図２の平面図に示すように試料たる
ウエハ１が載置される試料台２と、試料１に１次Ｘ線３
を照射するＸ線管等のＸ線源４と、試料１から発生した
蛍光Ｘ線の強度を測定するＳＳＤ等の検出手段５とを備
えている。試料台２は、従来の技術で説明したのと同様
に、ウエハ１を静電吸着して保持すべく、例えばサファ
イアガラスの円板の表面を平滑に研磨し、電極を埋め込
んで静電チャックを形成している。この装置は、いわゆ
る全反射蛍光Ｘ線分析装置であり、１次Ｘ線３はウエハ
１の表面にほぼ平行に微小な入射角で入射し、検出手段
５はウエハ１の上方に設置される。
【０００９】また、この装置においては、通常複数の試
料たるウエハ１を棚に収納したカセット６が、カセット
室７に搬入される。試料台２とカセット室７の間には、
カセット６の入出口（開口し、紙面に垂直な左側の面）
６ａから、ウエハ１を１枚ずつ試料台２へ搬出入するロ
ボットハンド８を備えている。ロボットハンド８の先端
部も、ウエハ１が金属汚染されないようサファイアガラ
スからなる。Ｘ線源４の前部が収納されるＸ線源室１０
と、カセット室７は、試料台１、ロボットハンド８が設
けられる試料室９と連通し、真空ポンプ１７、バルブ１
８，１９等の減圧手段１６で減圧される。カセット室７
を減圧する際には、蓋１１が閉められる。なお、Ｘ線源
室１０と試料室９は断面で示し、各室１０，７，９のさ
らに外側の装置の筐体等は図示を省略している。
料たるウエハ１を棚に収納したカセット６が、カセット
室７に搬入される。試料台２とカセット室７の間には、
カセット６の入出口（開口し、紙面に垂直な左側の面）
６ａから、ウエハ１を１枚ずつ試料台２へ搬出入するロ
ボットハンド８を備えている。ロボットハンド８の先端
部も、ウエハ１が金属汚染されないようサファイアガラ
スからなる。Ｘ線源４の前部が収納されるＸ線源室１０
と、カセット室７は、試料台１、ロボットハンド８が設
けられる試料室９と連通し、真空ポンプ１７、バルブ１
８，１９等の減圧手段１６で減圧される。カセット室７
を減圧する際には、蓋１１が閉められる。なお、Ｘ線源
室１０と試料室９は断面で示し、各室１０，７，９のさ
らに外側の装置の筐体等は図示を省略している。
【００１０】さらに、この装置は、１次Ｘ線３を照射さ
れて帯電したウエハ１を試料台２からロボットハンド８
で搬出する前に、減圧された試料室９に瞬時少量の不活
性ガス例えば窒素を導入して帯電を除去する帯電除去装
置１２を備えている。帯電除去装置１２は、カセット室
７の側壁に設けられた開閉自在のバルブ１３と、それに
連結された窒素ガスの供給源たるボンベ１４と、ウエハ
１を試料台２からロボットハンド８で搬出する前にバル
ブ１３を瞬時開く制御手段１２とからなる。
れて帯電したウエハ１を試料台２からロボットハンド８
で搬出する前に、減圧された試料室９に瞬時少量の不活
性ガス例えば窒素を導入して帯電を除去する帯電除去装
置１２を備えている。帯電除去装置１２は、カセット室
７の側壁に設けられた開閉自在のバルブ１３と、それに
連結された窒素ガスの供給源たるボンベ１４と、ウエハ
１を試料台２からロボットハンド８で搬出する前にバル
ブ１３を瞬時開く制御手段１２とからなる。
【００１１】次に、この装置の動作について説明する。
カセット室７にウエハ１が収納されたカセット６が搬入
され、蓋１１が閉じられると、試料室９およびカセット
室７が減圧され数パスカル以下の真空雰囲気となる。ロ
ボットハンド８は、分析対象であるウエハ１を先端部に
載せてカセット６から搬出し、試料台２まで搬送して載
置する。試料台２はウエハ１を静電吸着して保持する。
このウエハ１にＸ線源４から１次Ｘ線３が照射され、発
生した蛍光Ｘ線の強度が検出手段５で測定され、分析が
なされる。
カセット室７にウエハ１が収納されたカセット６が搬入
され、蓋１１が閉じられると、試料室９およびカセット
室７が減圧され数パスカル以下の真空雰囲気となる。ロ
ボットハンド８は、分析対象であるウエハ１を先端部に
載せてカセット６から搬出し、試料台２まで搬送して載
置する。試料台２はウエハ１を静電吸着して保持する。
このウエハ１にＸ線源４から１次Ｘ線３が照射され、発
生した蛍光Ｘ線の強度が検出手段５で測定され、分析が
なされる。
【００１２】ここで、真空雰囲気中で絶縁物たるサファ
イアガラス製の試料台２に載置されたウエハ１に１次Ｘ
線３が照射されると、光電効果によりウエハ１が帯電す
るので、静電チャックとしての静電吸着を解除しても、
前記帯電による静電吸着のために、ウエハ１が試料台２
から離れにくくなっている。したがって、ロボットハン
ド８の先端部にウエハ１を載せて試料台２から搬出しよ
うとしても困難である。また、試料台２から搬出できて
も、今度は、帯電したウエハ１がロボットハンド８の先
端部に静電吸着して離れにくくなり、ウエハ１をカセッ
ト６に戻すべく搬入しても、ウエハ１をカセット６の棚
に載置してロボットハンド８を図２に示す待機状態に戻
すことが困難になる。
イアガラス製の試料台２に載置されたウエハ１に１次Ｘ
線３が照射されると、光電効果によりウエハ１が帯電す
るので、静電チャックとしての静電吸着を解除しても、
前記帯電による静電吸着のために、ウエハ１が試料台２
から離れにくくなっている。したがって、ロボットハン
ド８の先端部にウエハ１を載せて試料台２から搬出しよ
うとしても困難である。また、試料台２から搬出できて
も、今度は、帯電したウエハ１がロボットハンド８の先
端部に静電吸着して離れにくくなり、ウエハ１をカセッ
ト６に戻すべく搬入しても、ウエハ１をカセット６の棚
に載置してロボットハンド８を図２に示す待機状態に戻
すことが困難になる。
【００１３】そこで、本実施形態の装置では、制御手段
１２が、ウエハ１の分析後試料台２からロボットハンド
８で搬出する前にバルブ１３を瞬時例えば１秒程度開
く。すると、ボンベ１４の窒素ガスが、バルブ１３を介
して、真空雰囲気のカセット室７および試料室９に瞬時
に拡散しつつ少量導入され、ウエハ１の帯電が除去され
る。バルブ１３を開いて窒素ガスを導入する時間は、帯
電の程度に応じて、すなわち、１次Ｘ線３の強度および
照射時間や試料１および試料台２の材質等に応じて、調
整すればよい。帯電が除去される理由は必ずしも明確で
ないが、真空雰囲気に導入された窒素ガスがイオン化し
て電子を放出し、その電子が、プラスに帯電したウエハ
の電荷と相殺するからと推測される。
１２が、ウエハ１の分析後試料台２からロボットハンド
８で搬出する前にバルブ１３を瞬時例えば１秒程度開
く。すると、ボンベ１４の窒素ガスが、バルブ１３を介
して、真空雰囲気のカセット室７および試料室９に瞬時
に拡散しつつ少量導入され、ウエハ１の帯電が除去され
る。バルブ１３を開いて窒素ガスを導入する時間は、帯
電の程度に応じて、すなわち、１次Ｘ線３の強度および
照射時間や試料１および試料台２の材質等に応じて、調
整すればよい。帯電が除去される理由は必ずしも明確で
ないが、真空雰囲気に導入された窒素ガスがイオン化し
て電子を放出し、その電子が、プラスに帯電したウエハ
の電荷と相殺するからと推測される。
【００１４】このように、本実施形態の装置によれば、
減圧された試料室９に帯電除去装置１２で瞬時少量の窒
素ガスを導入するので、ウエハ１に金属等他の物質を付
着させることなく、帯電を除去でき、分析後のロボット
ハンド８による試料台２からの搬出等が円滑に行われ
る。しかも、導入される窒素ガスは少量であるので、遅
くとも２〜３分以内、通常は１分以内でもとの真空雰囲
気にまで減圧でき、ウエハ１の分析を連続して迅速に行
える。
減圧された試料室９に帯電除去装置１２で瞬時少量の窒
素ガスを導入するので、ウエハ１に金属等他の物質を付
着させることなく、帯電を除去でき、分析後のロボット
ハンド８による試料台２からの搬出等が円滑に行われ
る。しかも、導入される窒素ガスは少量であるので、遅
くとも２〜３分以内、通常は１分以内でもとの真空雰囲
気にまで減圧でき、ウエハ１の分析を連続して迅速に行
える。
【００１５】なお、蛍光Ｘ線分析装置は、試料室９等が
何らかの原因で汚染されてしまった場合等に、分析中に
ウエハ１に汚染物質を付着させないために、減圧中の試
料室９に窒素ガス等を連続して流すパージ装置を通常備
えている。帯電除去装置１２は、このパージ装置をその
まま利用することができる。また、窒素に限らずアルゴ
ンやその他の不活性ガスであれば、ウエハ１に付着して
汚染しないので、用いることができる。バルブ１３は、
カセット室７の側壁でなくても、試料室９に連通するの
であればどこに設けてもよい。さらに、本実施形態の蛍
光Ｘ線分析装置において説明したような帯電除去装置１
２や帯電除去方法は、蛍光Ｘ線分析装置に限らず、真空
雰囲気中で絶縁物上に載置された物体の帯電を除去する
のに、広く適用することができる。
何らかの原因で汚染されてしまった場合等に、分析中に
ウエハ１に汚染物質を付着させないために、減圧中の試
料室９に窒素ガス等を連続して流すパージ装置を通常備
えている。帯電除去装置１２は、このパージ装置をその
まま利用することができる。また、窒素に限らずアルゴ
ンやその他の不活性ガスであれば、ウエハ１に付着して
汚染しないので、用いることができる。バルブ１３は、
カセット室７の側壁でなくても、試料室９に連通するの
であればどこに設けてもよい。さらに、本実施形態の蛍
光Ｘ線分析装置において説明したような帯電除去装置１
２や帯電除去方法は、蛍光Ｘ線分析装置に限らず、真空
雰囲気中で絶縁物上に載置された物体の帯電を除去する
のに、広く適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、真空雰囲気に瞬時少量の気体を導入するので、物
体に金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去
できる。
れば、真空雰囲気に瞬時少量の気体を導入するので、物
体に金属等他の物質を付着させることなく、帯電を除去
できる。
【図１】本発明の一実施形態の蛍光Ｘ線分析装置の平面
図である。
図である。
１…試料（物体）、２…試料台（絶縁物）、３…１次Ｘ
線、９…試料室（チャンバ）、１２…帯電除去装置。
線、９…試料室（チャンバ）、１２…帯電除去装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA04 CA01 DA01 GA12 GA13 JA07 JA12 JA14 KA01 LA11 MA05 PA01 PA02 PA07 PA11 PA30 QA01 5G067 AA70 DA01 DA40
Claims (3)
- 【請求項１】 真空雰囲気中で絶縁物上に載置された物
体の帯電を、前記真空雰囲気に瞬時少量の気体を導入し
て除去する帯電除去方法。 - 【請求項２】 減圧されるチャンバ内で絶縁物上に載置
された物体の帯電を、減圧されたチャンバに瞬時少量の
気体を導入して除去する帯電除去装置。 - 【請求項３】 減圧される試料室内で試料台に載置され
た試料に１次Ｘ線を照射して発生した蛍光Ｘ線の強度を
測定する蛍光Ｘ線分析装置であって、 前記試料台の少なくとも試料と接触する部分が絶縁物で
形成され、 １次Ｘ線を照射されて帯電した試料を試料台から搬出す
る前に、減圧された試料室に瞬時少量の気体を導入して
帯電を除去する帯電除去装置を備えた蛍光Ｘ線分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279879A JP2000113998A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 帯電除去方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279879A JP2000113998A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 帯電除去方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000113998A true JP2000113998A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17617220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10279879A Pending JP2000113998A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 帯電除去方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000113998A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105814974A (zh) * | 2013-10-15 | 2016-07-27 | 禅才高科技股份有限公司 | 真空室用软x线除静电装置 |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP10279879A patent/JP2000113998A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105814974A (zh) * | 2013-10-15 | 2016-07-27 | 禅才高科技股份有限公司 | 真空室用软x线除静电装置 |
| CN105814974B (zh) * | 2013-10-15 | 2018-08-10 | 禅才高科技股份有限公司 | 真空室用软x线除静电装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0951578B1 (en) | Precision etching and coating system | |
| US8236109B2 (en) | Component cleaning method and storage medium | |
| US6344115B1 (en) | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system | |
| JP2977098B2 (ja) | 帯電物の中和装置 | |
| JP2000077395A5 (ja) | ||
| US6894474B2 (en) | Non-intrusive plasma probe | |
| TW494484B (en) | Evaluating method of hydrophobolic process, forming method of resist pattern, and forming system of resist pattern | |
| TW200603196A (en) | Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device | |
| JP2008117982A (ja) | 載置装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| WO1997009735A1 (en) | Simultaneous specimen and stage cleaning device for analytical electron microscope | |
| KR101624067B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
| JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005134170A (ja) | 電子分光分析方法及び分析装置 | |
| JP2000113998A (ja) | 帯電除去方法および装置 | |
| JP3254482B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH1187457A (ja) | 異物除去機能付き静電吸着装置を備えた半導体製造装置 | |
| JP4060507B2 (ja) | 基板搬送装置および基板処理方法 | |
| JPH04262253A (ja) | グロー放電質量分析法 | |
| JP3135626B2 (ja) | Ｘ線照射装置及び照射方法 | |
| JPH0837175A (ja) | 汚染測定方法 | |
| JP2008226509A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| KR100618808B1 (ko) | 세정 기능을 갖는 챔버 시스템 및 이를 이용한 시료 세정방법 | |
| JPH06140294A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH03124021A (ja) | ドライプロセス処理装置 | |
| JP2523246Y2 (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |