CN105814974B - 真空室用软x线除静电装置 - Google Patents
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- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
- H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
- H05F3/06—Carrying-off electrostatic charges by means of ionising radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
Abstract
本发明揭示了一种真空室用软X线除静电装置,其包括:高电压生成单元,产生用于生成软X线的高电压;软X线生成单元,通过上述高电压生成软X线并且朝外部发射;挠性连接单元,把上述高电压生成单元与上述软X线生成单元加以连接并且把上述高电压传递到上述软X线生成单元;及固定单元,安装在上述软X线生成单元并且固定于预设的安装对象。
Description
技术领域
本发明涉及一种真空室用软X线除静电装置,尤其是一种把真空室内部进行工艺的过程中发生的静电有效地去除的真空室用软X线除静电装置。
背景技术
一般来说,存储元件、TFT之类的平板元件、IC之类的高度集成电路通过进行预设工艺的多个反应室(或处理室,process chamber)后制成。
制造前述半导体元件的反应室大部分维持着真空状态,例如,进行干式蚀刻工艺的石英板的反应室在放进拟蚀刻的晶片时成为真空状态。
但是,如前所述的存储元件、TFT之类的平板元件、IC之类的高度集成电路在制造过程中会经过多阶段制造工艺,移送到用于各工艺的反应室时会经过预设的传递室(transfer chamber),该传递室内会存在着相当数量的静电电荷。
尤其是,通过上述室制造的制造物从各反应室移送到传递室时会存在着相当数量的静电电荷。
因此,如果没有妥当地去除位于各反应室之间的传递室内的静电电荷,将会在移送过程中对制造物造成恶劣影响。
亦即,以平板显示器制造物为例,由于没有去除各反应室的静电而发生无法触控的动作不良、画面异常驱动、线性不良、画面晃动之类的各种错误动作、玻璃破损等问题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种真空室用软X线除静电装置,能为真空室内部提供用于除电的软X线。
本发明的另一个目的是提供一种真空室用软X线除静电装置,能够把用于供应软X线的软X线生成单元可拆卸地安装到真空室。
本发明的再一个目的是提供一种真空室用软X线除静电装置,能够在没有直接内置于真空室内部的状态下可变地调整软X线的供应位置。
(二)技术方案
根据本发明的一个实施形态,本发明提供的除静电装置包括:高电压生成单元,可产生用于生成软X线的高电压;软X线生成单元,生成上述软X线并且朝外部发射;挠性连接单元,把上述高电压生成单元与上述软X线生成单元加以连接并且把上述高电压从上述高电压生成单元传递到上述软X线生成单元;及固定单元,安装在上述软X线生成单元并且固定于预设的安装对象。
优选地,上述安装对象是形成真空氛围的真空室。
优选地,上述软X线生成单元贯穿上述真空室而暴露于上述真空室内部空间,上述固定单元把上述软X线生成单元固定在上述真空室的外墙。
优选地,上述固定单元包括:固定件,在上述软X线生成单元的外周以上述软X线生成单元为中心具备一定直径地突出形成;紧固部件,具备了在上述固定件上隔离地形成的多个固定孔、紧固在上述固定孔及上述真空室外墙地被固定的多个紧固件。
优选地,在上述固定件与上述真空室的外墙之间还安装了用来维持真空室内的真空的硅垫片。
优选地,上述软X线生成单元的端部以上述真空室的内侧墙为基准朝上述真空室内部空间突出地安装。
优选地,上述软X线生成单元的端部以和上述真空室的内侧墙实际上位于同一面上地配置。
优选地,上述真空室形成有让上述软X线生成单元贯穿并插入的贯通孔。
优选地,在上述贯通孔的内周还安装了贴紧上述软X线生成单元的外周并且用于维持上述真空室真空的硅质气密件。
优选地,上述软X线生成单元以圆筒形状形成并且和上述贯通孔进行螺纹结合地被固定。
优选地,上述软X线生成单元与上述贯通孔形成至少一个以上的轴肩部地贴紧固定。
优选地,上述软X线生成单元的端部可以在暴露于上述真空室内部空间的状态下进行水平旋转。
优选地,上述软X线生成单元还包括旋转器,该旋转器接收从外部传递过来的控制信号后驱使上述软X线生成单元端部旋转而调整上述软X线生成单元的端部的旋转位置。
优选地,上述除静电装置还可以具备除电控制单元。
优选地,上述除电控制单元包括:测量仪,测量上述真空室内部空间里的静电水准;控制器,控制上述高电压生成单元的驱动以便根据上述测量出来的静电水准实现预设的软X线生成量。
(三)有益效果
本发明能为真空室内部提供用于除电的软X线。
而且,本发明能够把用于供应软X线的软X线生成单元可拆卸地安装到真空室。
而且,本发明能够在没有直接内置于真空室内部的状态下可变地调整软X线的供应位置。
附图说明
图1是示出本发明的真空室用软X线除静电装置的立体图。
图2是示出本发明的真空室用软X线除静电装置的高电压生成单元的图形。
图3是示出本发明的除静电装置的高电压生成单元的分解立体图。
图4是示出图3所示除静电装置的高电压生成单元的剖视图。
图5是示出除静电装置安装在真空室的另一例的剖视图。
图6是示出软X线生成单元本体与贯通孔之间的另一个结合例的剖视图。
图7是例示软X线生成单元本体的端部可旋转地地构成的图形。
图8是示出具备除电控制单元的除静电装置的图形。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的真空室用软X线除静电装置。
图1是示出本发明的真空室用软X线除静电装置的立体图,图2是示出本发明的真空室用软X线除静电装置的高电压生成单元的图形。
本发明的除静电装置(200)可拆卸地安装在真空室。
请参阅图1及图2,本发明的除静电装置主要包括高电压生成单元100、软X线生成单元200、挠性连接单元230、固定单元400。
上述高电压生成单元100生成用来产生软X线的高电压。
请参阅图3,上述高电压生成单元100具有内置了电源单元(未图示)的箱111。
请参阅图1,上述挠性连接单元300具备一定长度并且以柔性材质管状形成,还能进一步形成防止软X线泄漏到外部的硅层(未图示)。
上述挠性连接单元300的一端可以紧固在前面提到的辐射件113a。上述紧固方式采取了螺母紧固方式,还能安装防止X线泄漏的气密环(未图示)。
上述挠性连接单元300的另一端和上述软X线生成单元200连接,挠性连接单元300的作用是把高电压生成单元100所生成的高电压传递到软X线生成单元220。
上述软X线生成单元200包括:软X线生成单元本体210;软X线生成单元侧X线管220,安装在上述软X线生成单元本体210的内部并且朝外部发射软X线;硅胶模(siliconemolding)230,包裹上述软X线生成单元侧X线管220并且防止X线泄漏;及顶罩(head cap)240,紧固在上述软X线生成单元本体210的末端。
在此,优选地,上述软X线生成单元本体210以圆筒形状形成。
请参阅图4,根据本发明的固定单元400由固定件410与紧固部件420构成。
上述固定件410以具备一定厚度的圆盘形状形成并且从上述软X线生成单元本体210的外周突出地形成。
在此,上述固定件410的中心和软X线生成单元本体210的中心维持一致地安装。
而且,优选地,上述固定件410和软X线生成单元本体210成一体地形成。
但如图5所示,固定件410可以正向旋转或反向旋转而得以沿着软X线生成单元本体210的长度方向调整位置地构成。
这种情况下,优选地,固定件410和软X线生成单元本体210的外周进行螺纹结合。
上述紧固部件420包括:多个固定孔420a,在上述固定件410上隔离地形成;多个紧固件420b,紧固在上述固定孔420a及上述真空室的外墙地固定。
上述紧固件420b可以是紧固螺栓,其可以和固定孔420a进行螺纹结合。
而且,上述紧固件420b和固定孔420a紧固并且贯穿真空室的外墙地进行螺纹紧固。
另一方面,请参阅图5,真空室1的外墙形成有让上述软X线生成单元本体210插入的贯通孔h。
上述贯通孔h的内周可以形成光滑的内墙,也可以和上述软X线生成单元本体210的外周进行螺纹结合地形成。
在此,插入贯通孔h的软X线生成单元本体210的端部可以配置在和真空室1的内墙实际上构成同一面的位置。
在这种情形下,虽然没有图示,但还可以在上述真空室1的内墙侧安装包裹贯通孔h并且传递X线的罩(未图示)。
此时,形成于软X线生成单元本体210的固定件410则以一面贴紧真空室1的外墙地配置。
而且,形成于固定件410的固定孔420a的位置和形成于真空室1外墙的紧固孔h1的位置一致。
而且,使用多个紧固件420b插入固定孔420a及紧固孔h1地紧固。
因此,软X线生成单元本体210可以在被插入形成于真空室1外墙的贯通孔h的状态下固定其位置。
而且,在真空室1的外墙与固定件410的一面之间还能安装以硅材质形成的硅垫片(未图示)。
这样就能保护位于前端部的X线管220并且把X线管220的高压连接部位加以固定或保护。
在此,优选地,软X线生成单元本体210与贯通孔h如图5所示地进行螺纹结合的话,硅质气密件(未图示)在贯通孔h的内周进行涂层处理。
请参阅图5,根据本发明的软X线生成单元本体210的端部也可以突出于真空室1的内部空间1a地固定安装。
此时,固定件410可以如前所述地沿着软X线生成单元本体210的长度方向改变固定位置时能够适用。
由于能够调整软X线生成单元本体210的端部在真空室1的内部空间1a的突出长度,因此能够控制发射X线的位置。
在上述情况下,固定件410以螺纹结合方式插入软X线生成单元本体221。
图6是示出软X线生成单元本体与贯通孔之间的另一个结合例的剖视图。
请参阅图6,上述软X线生成单元200与贯通孔h'可以形成至少一个以上的轴肩部S。
亦即,形成轴肩部S而得以防止软X线生成单元本体210的固定位置上的游动,形成多层而得以更加有效地防止真空泄漏到外部。
图7是例示软X线生成单元本体的端部可旋转地地构成的图形。
请参阅图7,根据本发明的软X线生成单元本体210的端部可以是在暴露于上述真空室1的内部空间1a的状态下可水平旋转地形成的旋转本体221a。
因此,在软X线生成单元本体210与旋转本体210a之间可以安装柔性外管210b。
而且,柔性外管210b形成有用来诱导旋转本体210a旋转的旋转端H。旋转端H则和旋转器600连接。
旋转器600能够接收从外部传递过来的控制信号后驱使上述旋转本体210a旋转而调整上述软X线生成单元200的端部的旋转位置。
实际上,凭借着通过旋转器的控制来决定发射软X线的软X线生成单元本体的端部方向,因此考虑到真空室内部空间的空间面积而调整成朝向面积较大的一侧。
图8是示出具备除电控制单元的除静电装置的图形。
另一方面,请参阅图8,本发明的除静电装置能进一步包括除电控制单元500。
上述除电控制单元500包括:测量仪510,测量上述真空室1的内部空间1a的静电水准;控制器520,控制上述高电压生成单元510的驱动以便根据上述测量出来的静电水准实现预设的软X线生成量。
测量仪510也可以安装在真空室1的内墙侧,也可以从软X线生成单元本体210的端部突出地安装。
上述测量仪510测量真空室1内部空间1a的静电水准并且将其传输到控制器520。
上述控制器520根据静电水准预设软X线生成量。
因此,上述控制器520能够控制高电压生成单元100的驱动以便实现相应于测量出来的静电水准的软X线生成量。
请参阅前文的上述结构及作用,根据本发明的实施例能为真空室内部提供用于除电的软X线。
而且,根据本发明的实施例能够把用于供应软X线的软X线生成单元可拆卸地安装到真空室。
而且,根据本发明的实施例也能够在没有直接内置于真空室内部的状态下可变地调整软X线的供应位置。
而且,根据本发明的实施例有效地去除真空室内部空间里的静电而得以解决在真空室内部制造的平板显示器的触控部的触控动作不良,防止画面异常驱动、线性不良、画面晃动之类的各种错误动作,解决玻璃破损等问题。
前文针对具备本发明除静电装置的平板显示器制造设备的具体实施例进行了说明,当然,在不脱离本发明范围的情形下能够实现各种变形。
因此不能把本发明的范围局限于所说明的实施例,其应该由后述的权利要求书及其均值物定义。
亦即,前述实施例在所有方面都只是例示而没有限定性,本发明的范围不应由前面的详细说明定义而应由后述的权利要求书定义,该权利要求书的意义、范围及其等值概念所导出的一切修改与变形形态均应阐释为属于本发明的范围。
产业上的用途
本发明可应用于去除真空室内部所发生的静电之用途。
Claims (8)
1.一种真空室用软X线除静电装置,其特征在于,包括:
高电压生成单元,可产生用于生成软X线的高电压;
软X线生成单元,通过所述高电压生成软X线并且朝外部发射;
挠性连接单元,把所述高电压生成单元与所述软X线生成单元加以连接并且把所述高电压传递到所述软X线生成单元;以及
固定单元,包括在所述软X线生成单元的外周以所述软X线生成单元为中心具备一定直径地突出形成的固定件,及具备了在所述固定件上隔离地形成的多个固定孔、紧固在所述固定孔及固定在所述真空室外墙的多个紧固件的紧固部件,所述固定件和所述软X线生成单元的外周进行螺纹结合且固定于预设的真空室;
其中,所述真空室形成有让所述软X线生成单元贯穿并插入的贯通孔,在所述贯通孔的内周还安装了贴紧所述软X线生成单元的外周并且用于维持所述真空室真空的硅质气密件,所述软X线生成单元以圆筒形状形成并且和所述贯通孔进行螺纹结合地被固定,所述软X线生成单元的端部突出于所述真空室的内部空间,所述固定单元沿着所述软X线生成单元改变固定位置。
2.根据权利要求1所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述软X线生成单元贯穿所述真空室而暴露于所述真空室内部空间,
所述固定单元把所述软X线生成单元固定在所述真空室的外墙。
3.根据权利要求1所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
在所述固定件与所述真空室的外墙之间还安装了用来维持所述真空室的真空的硅垫片。
4.根据权利要求1所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述软X线生成单元的端部以所述真空室的内侧墙为基准朝所述真空室内部空间突出地安装。
5.根据权利要求1所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述软X线生成单元的端部以和所述真空室的内侧墙实际上位于同一面上地配置。
6.根据权利要求1所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述软X线生成单元与所述贯通孔形成至少一个的轴肩部,且所述软X线生成单元与所述贯通孔贴紧固定。
7.根据权利要求2所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述软X线生成单元的端部是在暴露于所述真空室内部空间的状态下可水平旋转地形成的旋转本体,
所述软X线生成单元还包括旋转器,所述旋转器接收从外部传递过来的控制信号后驱使所述软X线生成单元端部旋转而调整所述软X线生成单元的端部的旋转位置。
8.根据权利要求2所述的真空室用软X线除静电装置,其特征在于,
所述除静电装置还包括除电控制单元,
所述除电控制单元则包括:
测量仪,测量所述真空室内部空间里的静电水准;
控制器,控制所述高电压生成单元的驱动以便根据测量出来的所述静电水准实现预设的软X线生成量。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130122604A KR101471382B1 (ko) | 2013-10-15 | 2013-10-15 | 진공챔버용 연엑스선 제전장치 |
KR10-2013-0122604 | 2013-10-15 | ||
PCT/KR2014/009601 WO2015056943A1 (ko) | 2013-10-15 | 2014-10-14 | 진공챔버용 연엑스선 제전장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105814974A CN105814974A (zh) | 2016-07-27 |
CN105814974B true CN105814974B (zh) | 2018-08-10 |
Family
ID=52678437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480056055.2A Expired - Fee Related CN105814974B (zh) | 2013-10-15 | 2014-10-14 | 真空室用软x线除静电装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160278194A1 (zh) |
JP (1) | JP6243019B2 (zh) |
KR (1) | KR101471382B1 (zh) |
CN (1) | CN105814974B (zh) |
WO (1) | WO2015056943A1 (zh) |
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-
2013
- 2013-10-15 KR KR1020130122604A patent/KR101471382B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-10-14 US US15/028,254 patent/US20160278194A1/en not_active Abandoned
- 2014-10-14 JP JP2016522019A patent/JP6243019B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-14 CN CN201480056055.2A patent/CN105814974B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-14 WO PCT/KR2014/009601 patent/WO2015056943A1/ko active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101471382B1 (ko) | 2014-12-10 |
US20160278194A1 (en) | 2016-09-22 |
JP6243019B2 (ja) | 2017-12-06 |
WO2015056943A1 (ko) | 2015-04-23 |
JP2016539455A (ja) | 2016-12-15 |
CN105814974A (zh) | 2016-07-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |