JP2000111515A - 二次元化学画像測定装置 - Google Patents
二次元化学画像測定装置Info
- Publication number
- JP2000111515A JP2000111515A JP10281293A JP28129398A JP2000111515A JP 2000111515 A JP2000111515 A JP 2000111515A JP 10281293 A JP10281293 A JP 10281293A JP 28129398 A JP28129398 A JP 28129398A JP 2000111515 A JP2000111515 A JP 2000111515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- light source
- led module
- chemical image
- dimensional chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサ部分の構造が簡単であり、かつ任意の
空間分解能で高速に測定を行うことができる二次元化学
画像測定装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板６の一方の面にセンサ面８を
有し、前記半導体基板６に対してその他方の面側から走
査光源からの照射光１４を二次元的に照射するように構
成された二次元化学画像測定装置において、前記走査光
源として個別に点灯制御される複数のＬＥＤ１８を二次
元的に配置したＬＥＤモジュール１５を用い、このＬＥ
Ｄモジュール１５と前記半導体基板６との間に、ＬＥＤ
モジュール１５を縮小または拡大して投影する結像光学
系４を設けた。
空間分解能で高速に測定を行うことができる二次元化学
画像測定装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板６の一方の面にセンサ面８を
有し、前記半導体基板６に対してその他方の面側から走
査光源からの照射光１４を二次元的に照射するように構
成された二次元化学画像測定装置において、前記走査光
源として個別に点灯制御される複数のＬＥＤ１８を二次
元的に配置したＬＥＤモジュール１５を用い、このＬＥ
Ｄモジュール１５と前記半導体基板６との間に、ＬＥＤ
モジュール１５を縮小または拡大して投影する結像光学
系４を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板の一
方の面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対してその
他方の面側から走査光源からの照射光を二次元的に照射
するように構成された二次元化学画像測定装置に関す
る。
方の面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対してその
他方の面側から走査光源からの照射光を二次元的に照射
するように構成された二次元化学画像測定装置に関す
る。
【０００２】
【発明の背景】前記二次元化学画像測定装置（または光
走査型二次元濃度分布測定装置ともいう）として、例え
ば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３
（１９９４）ｐｐ Ｌ３９４−Ｌ３９７に記載してある
ように、ＬＡＰＳ（Ｌｉｇｈｔ−Ａｄｄｒｅｓｓａｂｌ
ｅ Ｐｏｔｅｎｔｉｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｅｎｓｏｒ）方
式を採用して、ｐＨ感応膜の表面に生ずる電位を測定す
るものがある。このような装置においては、ＥＩＳ（電
解液Ｅ−絶縁体Ｉ−半導体Ｓ）構造に光を走査し、この
光走査によって半導体中において誘発された交流光電流
を取り出すことにより測定を行うことができる。
走査型二次元濃度分布測定装置ともいう）として、例え
ば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３
（１９９４）ｐｐ Ｌ３９４−Ｌ３９７に記載してある
ように、ＬＡＰＳ（Ｌｉｇｈｔ−Ａｄｄｒｅｓｓａｂｌ
ｅ Ｐｏｔｅｎｔｉｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｅｎｓｏｒ）方
式を採用して、ｐＨ感応膜の表面に生ずる電位を測定す
るものがある。このような装置においては、ＥＩＳ（電
解液Ｅ−絶縁体Ｉ−半導体Ｓ）構造に光を走査し、この
光走査によって半導体中において誘発された交流光電流
を取り出すことにより測定を行うことができる。
【０００３】そして、本願出願人は、このような二次元
化学画像測定装置関連の技術を、例えば特開平８−３２
０３０１号公報、特開平９−２９２３６５号公報、特開
平１０−１１３１９９号公報などのほか、多数特許出願
しているところである。
化学画像測定装置関連の技術を、例えば特開平８−３２
０３０１号公報、特開平９−２９２３６５号公報、特開
平１０−１１３１９９号公報などのほか、多数特許出願
しているところである。
【０００４】
【従来技術およびその問題点】ところで、従来の二次元
化学画像測定装置においては、走査光源が単一の光源か
らなり、各測定点への何らかの方法で光軸を移動させる
必要があった。そのための移動手段として、透過型のＸ
Ｙステージなどの機械的二次元走査機構を用いていた。
その結果、測定に時間がかかり、高速で変化する現象を
測定するのが困難であったり、液体中の物質を測定する
と、走査に起因する振動で前記物質が移動して精度よく
測定できない場合があった。
化学画像測定装置においては、走査光源が単一の光源か
らなり、各測定点への何らかの方法で光軸を移動させる
必要があった。そのための移動手段として、透過型のＸ
Ｙステージなどの機械的二次元走査機構を用いていた。
その結果、測定に時間がかかり、高速で変化する現象を
測定するのが困難であったり、液体中の物質を測定する
と、走査に起因する振動で前記物質が移動して精度よく
測定できない場合があった。
【０００５】これに対して、本願出願人は、センサ部
を、複数の短冊状のセンサを互いに並列に配置してなる
センサアレイと、前記センサの配置方向と直交する方向
に互いに並列に配置され同時点灯する複数のＬＥＤアレ
イからなる走査光源とから構成したものを特許出願（特
願平９−２７５２９９号）している。このような二次元
化学画像測定装置は、完全な固体型二次元化学画像測定
装置であり、従来の二次元化学画像測定装置に比べて、
一画面の測定速度が格段に速くなり、高速測定およびリ
アルタイム測定が可能となり、これまで測定できなかっ
た変化の速い現象などを測定できる。
を、複数の短冊状のセンサを互いに並列に配置してなる
センサアレイと、前記センサの配置方向と直交する方向
に互いに並列に配置され同時点灯する複数のＬＥＤアレ
イからなる走査光源とから構成したものを特許出願（特
願平９−２７５２９９号）している。このような二次元
化学画像測定装置は、完全な固体型二次元化学画像測定
装置であり、従来の二次元化学画像測定装置に比べて、
一画面の測定速度が格段に速くなり、高速測定およびリ
アルタイム測定が可能となり、これまで測定できなかっ
た変化の速い現象などを測定できる。
【０００６】しかしながら、上記センサアレイとＬＥＤ
アレイとを組み合わせた二次元化学画像測定装置におい
ては、センサがセンサアレイよりなるので、センサ部分
の構造が複雑であるとともに、測定の空間分解能が固定
されているので、測定対象部分に応じた空間分解能で測
定できないといった課題がある。
アレイとを組み合わせた二次元化学画像測定装置におい
ては、センサがセンサアレイよりなるので、センサ部分
の構造が複雑であるとともに、測定の空間分解能が固定
されているので、測定対象部分に応じた空間分解能で測
定できないといった課題がある。
【０００７】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、センサ部分の構造が簡単であ
り、かつ任意の空間分解能で高速に測定を行うことがで
きる二次元化学画像測定装置を提供することである。
たもので、その目的は、センサ部分の構造が簡単であ
り、かつ任意の空間分解能で高速に測定を行うことがで
きる二次元化学画像測定装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、半導体基板の一方の面にセンサ面を
有し、前記半導体基板に対してその他方の面側から走査
光源からの照射光を二次元的に照射するように構成され
た二次元化学画像測定装置において、前記走査光源とし
て個別に点灯制御（点灯し、消灯する制御、以下同じ）
される複数のＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュ
ールを用い、このＬＥＤモジュールと前記半導体基板と
の間に、ＬＥＤモジュールを縮小または拡大して投影す
る結像光学系を設けている（請求項１）。
め、この発明では、半導体基板の一方の面にセンサ面を
有し、前記半導体基板に対してその他方の面側から走査
光源からの照射光を二次元的に照射するように構成され
た二次元化学画像測定装置において、前記走査光源とし
て個別に点灯制御（点灯し、消灯する制御、以下同じ）
される複数のＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュ
ールを用い、このＬＥＤモジュールと前記半導体基板と
の間に、ＬＥＤモジュールを縮小または拡大して投影す
る結像光学系を設けている（請求項１）。
【０００９】上記構成の二次元化学画像測定装置におい
ては、半導体基板を走査する走査光源が個別に点灯制御
されるＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュールよ
りなるので、半導体基板を比較的高速で走査することが
できる。そして、前記ＬＥＤモジュールを拡大または縮
小して投影できるようにしているので、任意の空間分解
能が得られ、測定対象部位の大きさにマッチした空間分
解能で測定を行うことができる。
ては、半導体基板を走査する走査光源が個別に点灯制御
されるＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュールよ
りなるので、半導体基板を比較的高速で走査することが
できる。そして、前記ＬＥＤモジュールを拡大または縮
小して投影できるようにしているので、任意の空間分解
能が得られ、測定対象部位の大きさにマッチした空間分
解能で測定を行うことができる。
【００１０】そして、前記二次元化学画像測定装置にお
いて、ＬＥＤモジュールに代えて、画素が個別に点灯制
御されるフラットパネルディスプレイを走査光源として
用いてもよい（請求項２）。
いて、ＬＥＤモジュールに代えて、画素が個別に点灯制
御されるフラットパネルディスプレイを走査光源として
用いてもよい（請求項２）。
【００１１】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、図面を参照
しながら説明する。図１〜図３は、この発明の一つの実
施の形態を示す。まず、図１は、この発明の二次元化学
画像測定装置の一例としての光走査型ｐＨ画像装置の構
成を概略的に示す図で、この図において、１は測定装置
本体で、センサ部２、光照射部３および結像光学系４と
からなる。
しながら説明する。図１〜図３は、この発明の一つの実
施の形態を示す。まず、図１は、この発明の二次元化学
画像測定装置の一例としての光走査型ｐＨ画像装置の構
成を概略的に示す図で、この図において、１は測定装置
本体で、センサ部２、光照射部３および結像光学系４と
からなる。
【００１２】前記センサ部２は、次のように構成されて
いる。すなわち、５はセンサで、シリコンなどの半導体
よりなる矩形状の基板６の一方の面（図示例では上面）
にＳｉＯ2 層７、センサ面としてのＳｉ3 Ｎ4 層８を熱
酸化、ＣＶＤなどの手法によって順次形成してなるもの
で、センサ面８は水素イオンに応答する。９はセンサ面
８を含みその周囲に設けられるセルで、溶液などの試料
１０を収容できるように構成され、合成樹脂などの絶縁
性素材よりなる。なお、センサ面８の材料として、Ｓｉ
3 Ｎ4 層のほか、Ａｌ2 Ｏ3 やＴａ2 Ｏ5 なども用いる
ことができる。
いる。すなわち、５はセンサで、シリコンなどの半導体
よりなる矩形状の基板６の一方の面（図示例では上面）
にＳｉＯ2 層７、センサ面としてのＳｉ3 Ｎ4 層８を熱
酸化、ＣＶＤなどの手法によって順次形成してなるもの
で、センサ面８は水素イオンに応答する。９はセンサ面
８を含みその周囲に設けられるセルで、溶液などの試料
１０を収容できるように構成され、合成樹脂などの絶縁
性素材よりなる。なお、センサ面８の材料として、Ｓｉ
3 Ｎ4 層のほか、Ａｌ2 Ｏ3 やＴａ2 Ｏ5 なども用いる
ことができる。
【００１３】そして、１１，１２はセンサ面８の近傍に
設けられる対極、比較電極（参照極）で、これらの対極
１１、比較電極１２は、ともに後述するポテンショスタ
ット２３に接続されている。また、１３は半導体基板６
に設けられる電流信号取出し用のオーミックコンタクト
で、後述する電流−電圧変換器２４および演算増幅回路
２５を介してポテンショスタット２３に接続されてい
る。
設けられる対極、比較電極（参照極）で、これらの対極
１１、比較電極１２は、ともに後述するポテンショスタ
ット２３に接続されている。また、１３は半導体基板６
に設けられる電流信号取出し用のオーミックコンタクト
で、後述する電流−電圧変換器２４および演算増幅回路
２５を介してポテンショスタット２３に接続されてい
る。
【００１４】次に、前記光照射部３の構成について、図
２および図３を参照しながら説明すると、この光照射部
３は、前記センサ部２の下面側、より詳しくは、半導体
基板６のセンサ面８とは反対側に設けられており、半導
体基板６に対して照射光１４を二次元的に走査しながら
照射するもので、走査光源１５とこの走査光源１５から
の照射光１４を平行光にするコリメートレンズ１６とか
らなる。
２および図３を参照しながら説明すると、この光照射部
３は、前記センサ部２の下面側、より詳しくは、半導体
基板６のセンサ面８とは反対側に設けられており、半導
体基板６に対して照射光１４を二次元的に走査しながら
照射するもので、走査光源１５とこの走査光源１５から
の照射光１４を平行光にするコリメートレンズ１６とか
らなる。
【００１５】前記走査光源１５は、個別に点灯制御され
る複数のＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュール
からなり、このＬＥＤモジュール１５は、図２および図
３に示すように、適宜の基板１７の上面に、例えば８×
８個のＬＥＤ１８を二次元的（Ｘ，Ｙ方向）に配置して
構成されている。そして、各ＬＥＤ１８の出力は、例え
ば１．０μＷ以上であり、その配置ピッチ（図３におけ
る符号ｐで表される長さ）は、例えば１ｍｍ以下であ
る。また、このＬＥＤモジュール１５は、全体がモノリ
シック構造であってもよく、一部を構成するモノリシッ
ク構造のものを組み合わせたハイブリッド構造としてあ
ってもよい。さらに、ＬＥＤモジュール１５として複数
のＬＥＤアレイを組み合わせたものでってもよい。
る複数のＬＥＤを二次元的に配置したＬＥＤモジュール
からなり、このＬＥＤモジュール１５は、図２および図
３に示すように、適宜の基板１７の上面に、例えば８×
８個のＬＥＤ１８を二次元的（Ｘ，Ｙ方向）に配置して
構成されている。そして、各ＬＥＤ１８の出力は、例え
ば１．０μＷ以上であり、その配置ピッチ（図３におけ
る符号ｐで表される長さ）は、例えば１ｍｍ以下であ
る。また、このＬＥＤモジュール１５は、全体がモノリ
シック構造であってもよく、一部を構成するモノリシッ
ク構造のものを組み合わせたハイブリッド構造としてあ
ってもよい。さらに、ＬＥＤモジュール１５として複数
のＬＥＤアレイを組み合わせたものでってもよい。
【００１６】前記コリメートレンズ１６は、前記ＬＥＤ
モジュール１５とセンサ部２との間に設けられている。
モジュール１５とセンサ部２との間に設けられている。
【００１７】次に、結像光学系４の構成について、図２
および図３を参照しながら説明すると、この結像光学系
４は、図２に示すように、コリメートレンズ１６とセン
サ部２との間に設けられた集光レンズ１９と、これをコ
リメートレンズ１６とセンサ部２との間において矢印Ａ
またはＢで示す方向に直線的に移動させる移動機構２０
とからなり、ＬＥＤモジュール１５の各ＬＥＤ１８から
の照射光１４をセンサ部２の半導体基板６の裏面におい
て結像させるものである。
および図３を参照しながら説明すると、この結像光学系
４は、図２に示すように、コリメートレンズ１６とセン
サ部２との間に設けられた集光レンズ１９と、これをコ
リメートレンズ１６とセンサ部２との間において矢印Ａ
またはＢで示す方向に直線的に移動させる移動機構２０
とからなり、ＬＥＤモジュール１５の各ＬＥＤ１８から
の照射光１４をセンサ部２の半導体基板６の裏面におい
て結像させるものである。
【００１８】そして、図１および図２において、２１は
前記光照射部３および結像光学系４を制御する二次元光
照射制御部で、光照射部３は、二次元光照射制御部２１
からの制御信号により、ＬＥＤモジュール１５の各ＬＥ
Ｄ１８を順次点灯する。また、結像光学系４は、二次元
光照射制御部２１からの制御信号により、集光レンズ１
９の位置を矢印ＡまたはＢで示す方向に直線的に移動す
る。
前記光照射部３および結像光学系４を制御する二次元光
照射制御部で、光照射部３は、二次元光照射制御部２１
からの制御信号により、ＬＥＤモジュール１５の各ＬＥ
Ｄ１８を順次点灯する。また、結像光学系４は、二次元
光照射制御部２１からの制御信号により、集光レンズ１
９の位置を矢印ＡまたはＢで示す方向に直線的に移動す
る。
【００１９】なお、図２において、２２は前記光照射部
３からセンサ部２までの光路を、測定に無用の妨害を与
える外部の放射線または電磁波から保護する遮蔽部材で
ある。
３からセンサ部２までの光路を、測定に無用の妨害を与
える外部の放射線または電磁波から保護する遮蔽部材で
ある。
【００２０】さらに、図１において、２３は前記センサ
部２、光照射部３および結像光学系４を制御したり、セ
ンサ部２からの信号を演算制御部としてのコンピュータ
２８（後述する）に送る制御ボックスで、半導体基板６
に適宜のバイアス電圧を印加するためのポテンショスタ
ット２４と、半導体基板６に形成されたオーミックコン
タクト１３から取り出される電流信号を電圧信号に変換
する電流−電圧変換器２５と、この電流−電圧変換器２
５からの信号が入力される演算増幅回路２６と、この演
算増幅回路２６と信号を授受したり、二次元光照射制御
部２１に対する制御信号を出力するインタフェースボー
ド２７などよりなる。
部２、光照射部３および結像光学系４を制御したり、セ
ンサ部２からの信号を演算制御部としてのコンピュータ
２８（後述する）に送る制御ボックスで、半導体基板６
に適宜のバイアス電圧を印加するためのポテンショスタ
ット２４と、半導体基板６に形成されたオーミックコン
タクト１３から取り出される電流信号を電圧信号に変換
する電流−電圧変換器２５と、この電流−電圧変換器２
５からの信号が入力される演算増幅回路２６と、この演
算増幅回路２６と信号を授受したり、二次元光照射制御
部２１に対する制御信号を出力するインタフェースボー
ド２７などよりなる。
【００２１】２８は各種の制御や演算を行うとともに、
画像処理および出力機能を有する画像出力装置としての
コンピュータで、キーボードなどの入力装置２９、カラ
ーディスプレイなどの表示装置３０およびメモリ装置３
１を備えている。
画像処理および出力機能を有する画像出力装置としての
コンピュータで、キーボードなどの入力装置２９、カラ
ーディスプレイなどの表示装置３０およびメモリ装置３
１を備えている。
【００２２】上記構成の二次元化学画像測定装置を用い
て、溶液１０の水素イオン濃度（ｐＨ）を測定する場合
について説明すると、セル９内に溶液１０を入れる。こ
れにより、センサ面８に溶液１０が接する。そして、対
極１１および比較電極１２を溶液１０に浸漬する。
て、溶液１０の水素イオン濃度（ｐＨ）を測定する場合
について説明すると、セル９内に溶液１０を入れる。こ
れにより、センサ面８に溶液１０が接する。そして、対
極１１および比較電極１２を溶液１０に浸漬する。
【００２３】上記の状態で、半導体基板６に空乏層が発
生するように、ポテンショスタット２４からの直流電圧
を比較電極１２とオーミックコンタクト１３との間に印
加して、半導体基板６に所定のバイアス電圧を印加す
る。この状態で半導体基板６に対して光照射部３のＬＥ
Ｄモジュール１５によって照射光１４を一定周期（例え
ば、５ｋＨｚ）で断続的に照射することにより半導体基
板６に交流光電流を発生させる。この照射光１４の断続
照射は、コンピュータ２８の制御信号がインタフェース
ボード２７を介して入力されることによって行われる。
前記光電流は、半導体基板６の照射点に対向する点で、
センサ面８に接している溶液１０におけるｐＨを反映し
た値であり、その値を測定することにより、この部分で
のｐＨ値を知ることができる。
生するように、ポテンショスタット２４からの直流電圧
を比較電極１２とオーミックコンタクト１３との間に印
加して、半導体基板６に所定のバイアス電圧を印加す
る。この状態で半導体基板６に対して光照射部３のＬＥ
Ｄモジュール１５によって照射光１４を一定周期（例え
ば、５ｋＨｚ）で断続的に照射することにより半導体基
板６に交流光電流を発生させる。この照射光１４の断続
照射は、コンピュータ２８の制御信号がインタフェース
ボード２７を介して入力されることによって行われる。
前記光電流は、半導体基板６の照射点に対向する点で、
センサ面８に接している溶液１０におけるｐＨを反映し
た値であり、その値を測定することにより、この部分で
のｐＨ値を知ることができる。
【００２４】さらに、光走査部制御装置２１によってＬ
ＥＤモジュール１５の各ＬＥＤ１８を順次点灯してゆ
き、画素のデータをサンプリングする。例えば、ＬＥＤ
モジュール１５において、左上から順番にＬＥＤ１８を
点灯してゆけば、画像データの画素の並びと同じ配列で
サンプリングすることが可能になる。したがって、溶液
１０における位置信号（Ｘ，Ｙ）と、その場所で観測さ
れた交流光電流値により、表示装置３０の画面上にｐＨ
を表す二次元画像が表示される。
ＥＤモジュール１５の各ＬＥＤ１８を順次点灯してゆ
き、画素のデータをサンプリングする。例えば、ＬＥＤ
モジュール１５において、左上から順番にＬＥＤ１８を
点灯してゆけば、画像データの画素の並びと同じ配列で
サンプリングすることが可能になる。したがって、溶液
１０における位置信号（Ｘ，Ｙ）と、その場所で観測さ
れた交流光電流値により、表示装置３０の画面上にｐＨ
を表す二次元画像が表示される。
【００２５】そして、上記測定に際して、集光レンズ１
９を図２において矢印Ａ方向に移動させると、ＬＥＤモ
ジュール１５の半導体基板６の裏面における像は、図３
における符号ａで示すように縮小され、逆に、集光レン
ズ１９を図２において矢印Ｂ方向に移動させると、ＬＥ
Ｄモジュール１５の半導体基板６の裏面における像は、
図３における符号ｂで示すように拡大される。そして、
この縮小・拡大の倍率αは任意に設定することができる
ので、半導体基板６の裏面において結像するＬＥＤモジ
ュール１５のＬＥＤ１８の像のピッチも任意にとること
ができる（α倍される）。したがって、空間分解能は、
結像光学系４の設定精度の範囲で任意にとることができ
る。
９を図２において矢印Ａ方向に移動させると、ＬＥＤモ
ジュール１５の半導体基板６の裏面における像は、図３
における符号ａで示すように縮小され、逆に、集光レン
ズ１９を図２において矢印Ｂ方向に移動させると、ＬＥ
Ｄモジュール１５の半導体基板６の裏面における像は、
図３における符号ｂで示すように拡大される。そして、
この縮小・拡大の倍率αは任意に設定することができる
ので、半導体基板６の裏面において結像するＬＥＤモジ
ュール１５のＬＥＤ１８の像のピッチも任意にとること
ができる（α倍される）。したがって、空間分解能は、
結像光学系４の設定精度の範囲で任意にとることができ
る。
【００２６】上述のように、結像光学系４によって縮小
投射または拡大投射を自由に行うことができるので、Ｌ
ＥＤモジュール１５におけるＬＥＤ１８のピッチｐは、
現実的な範囲で設計を行うことができるし、市販のＬＥ
Ｄアレイによるモジュールを購入して使用することもで
きる。
投射または拡大投射を自由に行うことができるので、Ｌ
ＥＤモジュール１５におけるＬＥＤ１８のピッチｐは、
現実的な範囲で設計を行うことができるし、市販のＬＥ
Ｄアレイによるモジュールを購入して使用することもで
きる。
【００２７】そして、上記二次元化学画像測定装置にお
いては、透過型のＸＹステージなどの機械的二次元走査
機構を用いてないので、センサ部２の構成が簡単であ
る。また、センサ部２が移動せず、静止した状態である
ので精度よく測定することができる。
いては、透過型のＸＹステージなどの機械的二次元走査
機構を用いてないので、センサ部２の構成が簡単であ
る。また、センサ部２が移動せず、静止した状態である
ので精度よく測定することができる。
【００２８】そして、この二次元化学画像測定装置は、
完全な固体型二次元化学画像測定装置であり、冒頭に掲
げた特願平９−２７５２９９号のものとほぼ同じ程度
に、一画面の測定を高速に行うことができ、したがっ
て、高速測定およびリアルタイム測定が可能となり、こ
れまで測定できなかった変化の速い現象などを測定でき
る。
完全な固体型二次元化学画像測定装置であり、冒頭に掲
げた特願平９−２７５２９９号のものとほぼ同じ程度
に、一画面の測定を高速に行うことができ、したがっ
て、高速測定およびリアルタイム測定が可能となり、こ
れまで測定できなかった変化の速い現象などを測定でき
る。
【００２９】上記実施の形態における二次元化学画像測
定装置においては、走査光源１５としてＬＥＤモジュー
ルを用いていたが、これに代えて、画素が個別に点灯制
御されるフラットパネルディスプレイを用いてもよい。
以下、これについて、図４および図５を参照しながら説
明する。
定装置においては、走査光源１５としてＬＥＤモジュー
ルを用いていたが、これに代えて、画素が個別に点灯制
御されるフラットパネルディスプレイを用いてもよい。
以下、これについて、図４および図５を参照しながら説
明する。
【００３０】図４および図５において、３２は走査光源
としてのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）で、こ
のＦＰＤ３２としては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）方
式のものや、プラズマディスプレイ方式のもの、あるい
は、フィールドエミッタ方式のモノリシック冷陰極アレ
イなど、前記ＬＥＤモジュール１５における個々のＬＥ
Ｄ１８に相当する画素３３（図示例では１０×１０個配
列されている）を個別に点灯制御できる表示装置であれ
ばよい。そして、各画素３３からの照射光の強さが１．
０μＷ以上であるものが好ましい。
としてのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）で、こ
のＦＰＤ３２としては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）方
式のものや、プラズマディスプレイ方式のもの、あるい
は、フィールドエミッタ方式のモノリシック冷陰極アレ
イなど、前記ＬＥＤモジュール１５における個々のＬＥ
Ｄ１８に相当する画素３３（図示例では１０×１０個配
列されている）を個別に点灯制御できる表示装置であれ
ばよい。そして、各画素３３からの照射光の強さが１．
０μＷ以上であるものが好ましい。
【００３１】なお、ＬＣＤのように、パネル自体のスイ
ッチング速度が遅いものを走査光源３２として用いる場
合、ＬＥＤなどによるバックライト光源を必要な周期で
点灯制御させるようにしてもよい。
ッチング速度が遅いものを走査光源３２として用いる場
合、ＬＥＤなどによるバックライト光源を必要な周期で
点灯制御させるようにしてもよい。
【００３２】この実施の形態における動作は、前記第１
の実施の形態におけるそれと同じであるのでその説明は
省略する。
の実施の形態におけるそれと同じであるのでその説明は
省略する。
【００３３】なお、この発明は、上述の各実施の形態に
限られるものではなく、例えばセンサ面８を各種のイオ
ンや化学物質などに対応する物質で適宜修飾することに
より、水素イオン以外のイオンや化学物質の測定を行な
えるようにしてもよい。
限られるものではなく、例えばセンサ面８を各種のイオ
ンや化学物質などに対応する物質で適宜修飾することに
より、水素イオン以外のイオンや化学物質の測定を行な
えるようにしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】この発明の二次元化学画像測定装置にお
いては、センサ部を二次元的に走査する走査光源が、個
々に点灯制御されるＬＥＤを複数個二次元的に配置した
ＬＥＤモジュールや個々に点灯制御される画素を複数個
二次元的に配置したＦＰＤよりなるので、センサ部の半
導体基板を比較的高速で走査することができ、測定を高
速で行うことができる。そして、ＬＥＤモジュールまた
はＦＰＤを拡大または縮小して投影できるようにしてい
るので、任意の空間分解能が得られ、測定対象部位の大
きさにマッチした空間分解能で測定を行うことができ
る。
いては、センサ部を二次元的に走査する走査光源が、個
々に点灯制御されるＬＥＤを複数個二次元的に配置した
ＬＥＤモジュールや個々に点灯制御される画素を複数個
二次元的に配置したＦＰＤよりなるので、センサ部の半
導体基板を比較的高速で走査することができ、測定を高
速で行うことができる。そして、ＬＥＤモジュールまた
はＦＰＤを拡大または縮小して投影できるようにしてい
るので、任意の空間分解能が得られ、測定対象部位の大
きさにマッチした空間分解能で測定を行うことができ
る。
【００３５】また、前記二次元化学画像測定装置におい
ては、センサ部や走査光源において機械的に動きがある
機構を用いてないので、装置全体の構成が簡単であると
いった構造上の利点もある。
ては、センサ部や走査光源において機械的に動きがある
機構を用いてないので、装置全体の構成が簡単であると
いった構造上の利点もある。
【図１】この発明の二次元化学画像測定装置の構成を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図２】前記二次元化学画像測定装置の要部の構成を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図３】前記要部の動作を説明するための図である。
【図４】二次元化学画像測定装置の要部の構成の他の実
施の形態を示す図である。
施の形態を示す図である。
【図５】前記要部の動作を説明するための図である。
４…結像光学系、６…半導体基板、８…センサ面、１４
…照射光、１５…ＬＥＤモジュール、１８…ＬＥＤ、３
２…フラットパネルディスプレイ、３３…画素。
…照射光、１５…ＬＥＤモジュール、１８…ＬＥＤ、３
２…フラットパネルディスプレイ、３３…画素。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面にセンサ面を有
し、前記半導体基板に対してその他方の面側から走査光
源からの照射光を二次元的に照射するように構成された
二次元化学画像測定装置において、前記走査光源として
個別に点灯制御される複数のＬＥＤを二次元的に配置し
たＬＥＤモジュールを用い、このＬＥＤモジュールと前
記半導体基板との間に、ＬＥＤモジュールを縮小または
拡大して投影する結像光学系を設けたことを特徴とする
二次元化学画像測定装置。 - 【請求項２】 半導体基板の一方の面にセンサ面を有
し、前記半導体基板に対してその他方の面側から走査光
源からの照射光を二次元的に照射するように構成された
二次元化学画像測定装置において、前記走査光源として
画素が個別に点灯制御されるフラットパネルディスプレ
イを用い、このフラットパネルディスプレイと前記半導
体基板との間に、フラットパネルディスプレイを縮小ま
たは拡大して投影する結像光学系を設けたことを特徴と
する二次元化学画像測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10281293A JP2000111515A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 二次元化学画像測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10281293A JP2000111515A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 二次元化学画像測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111515A true JP2000111515A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17637057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10281293A Pending JP2000111515A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 二次元化学画像測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111515A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002035219A2 (de) * | 2000-10-24 | 2002-05-02 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Messanordnung zum nachweis einer ein- oder mehrdimensionalen verteilung einer chemischen oder biochemischen komponente |
| JP2009239426A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Kenwood Corp | デジタル無線機、制御方法及びプログラム |
-
1998
- 1998-10-02 JP JP10281293A patent/JP2000111515A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002035219A2 (de) * | 2000-10-24 | 2002-05-02 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Messanordnung zum nachweis einer ein- oder mehrdimensionalen verteilung einer chemischen oder biochemischen komponente |
| WO2002035219A3 (de) * | 2000-10-24 | 2002-12-19 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Messanordnung zum nachweis einer ein- oder mehrdimensionalen verteilung einer chemischen oder biochemischen komponente |
| JP2009239426A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Kenwood Corp | デジタル無線機、制御方法及びプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3425386B2 (ja) | 電子線によるフラットパネルディスプレイのピクセル検査方法及び検査装置 | |
| Wagner et al. | Development and characterisation of a compact light-addressable potentiometric sensor (LAPS) based on the digital light processing (DLP) technology for flexible chemical imaging | |
| Qintao et al. | A novel design of multi-light LAPS based on digital compensation of frequency domain | |
| Ito | High-spatial resolution LAPS | |
| EP0672933A1 (en) | Apparatus and method for display panel inspection | |
| JPH11265678A (ja) | 基板検査用高速電子線計測装置及び基板検査方法 | |
| Das et al. | Analog micromirror-LAPS for chemical imaging and zoom-in application | |
| JP2000111515A (ja) | 二次元化学画像測定装置 | |
| TWI345751B (en) | Control-device with improved test-properties | |
| Wagner et al. | Utilising digital micro-mirror device (DMD) as scanning light source for light-addressable potentiometric sensors (LAPS) | |
| JPH0375548A (ja) | 結晶欠陥検査装置 | |
| JP2000111516A (ja) | 二次元化学画像測定装置 | |
| JPS63269198A (ja) | 液晶表示器用駆動回路基板の検査方法 | |
| JPH1194793A (ja) | 光走査型二次元濃度分布測定装置 | |
| JPH07120694B2 (ja) | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 | |
| Werner et al. | High speed and high resolution chemical imaging based on a new type of OLED-LAPS set-up | |
| JPH1010087A (ja) | 光走査型二次元濃度分布測定装置の校正方法 | |
| JP3706450B2 (ja) | 複合顕微鏡 | |
| JPH09203723A (ja) | 二次元ｐＨ測定装置 | |
| JP3898037B2 (ja) | 液晶表示パネルの点灯表示検査方法及び点灯表示検査装置 | |
| JP2000055875A (ja) | 光走査型二次元濃度分布測定装置 | |
| JPH1068713A (ja) | 光走査型二次元濃度分布測定装置 | |
| JP2000206084A (ja) | 光走査型二次元濃度分布測定装置 | |
| KR100460202B1 (ko) | 라인 스캔형 pH 이미지 검출 시스템 | |
| JPH11183861A (ja) | 液晶パネルの検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |