JP2000105385A - Production of liquid crystal display element - Google Patents

Production of liquid crystal display element

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JP2000105385A
JP2000105385A JP10276718A JP27671898A JP2000105385A JP 2000105385 A JP2000105385 A JP 2000105385A JP 10276718 A JP10276718 A JP 10276718A JP 27671898 A JP27671898 A JP 27671898A JP 2000105385 A JP2000105385 A JP 2000105385A
Authority
JP
Japan
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exposure
time
photoresist
photomask
liquid crystal
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10276718A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinsuke Iguchi
真介 井口
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Kyocera Display Corp
Original Assignee
Kyocera Display Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently form alignment marks to be used for the second time at the time of subjecting a transparent substrate with transparent electrodes to multiple exposure twice. SOLUTION: A photoresist 2 is applied on the transparent substrate 1 with the transparent electrodes and is subjected to the first time of the exposure via a photomask 3a having prescribed electrode forming patterns. In succession, the photoresist is subjected to the second time of the exposure by using a photomask 3b having the same electrode forming patterns. At this time, the alignment mark M when executing the exposure of the second time are formed in the prescribed positions of the photoresist 2 by a laser beam at the time of the exposure of the first time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子の製造
方法に関し、さらに詳しく言えば、透明電極のパターニ
ング工程における透明基板の位置合わせ技術に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a technique for aligning a transparent substrate in a transparent electrode patterning step.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子の透明電極はITO(In
dium Tin Oxide)からなるが、そのIT
Oのパターニングはますますファインになってきてお
り、最近では各電極の線間は10μm以下にまで狭めら
れている。
2. Description of the Related Art A transparent electrode of a liquid crystal display element is made of ITO (In).
Dim Tin Oxide), but its IT
O patterning has become increasingly finer, and the line spacing between electrodes has recently been reduced to 10 μm or less.

【0003】一般的にITOのパターニングは、基板洗
浄→フォトレジスト塗布→プリベイク→露光→現像→ポ
ストベイク→エッチング→フォトレジスト剥離の順で行
なわれ、通常、TNやSTN型の液晶表示素子のITO
パターニングには、平行光を利用した非結像型の露光機
が用いられている。
In general, the patterning of ITO is performed in the order of substrate cleaning → photoresist coating → prebaking → exposure → development → postbaking → etching → photoresist stripping. Usually, ITO of a TN or STN type liquid crystal display element is used.
For patterning, a non-imaging type exposure machine using parallel light is used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光時
に用いられるフォトマスクに異物などが付着している
と、それが原因で同じロット内で同一箇所に電極間リー
クが発生することがある。このような不良は、フォトレ
ジスト剥離後の例えばショート・オープンチェッカーに
よる検査工程で発見される。
However, if foreign matter adheres to a photomask used at the time of exposure, a leak between electrodes may occur at the same place in the same lot due to the foreign matter. Such a defect is found in an inspection process using, for example, a short / open checker after the photoresist is removed.

【0005】従来において、この種の不良品をリペアす
るため、パターニング終了後にレーザー光にてリーク部
のITOを揮散させたり、再度フォトレジスト塗布して
2重露光による再パターニングを行なうようにしている
が、いずれにしてもかなりの時間と労力が費やされる。
特に、2重露光の場合には、先に形成したITOパター
ンを基準としてフォトマスクを位置合わせしなければな
らないため、その作業はかなり困難なものとなる。
Conventionally, in order to repair this kind of defective product, after patterning is completed, the ITO at the leak portion is volatilized by laser light, or a photoresist is again applied and re-patterning is performed by double exposure. But anyway, considerable time and effort is spent.
In particular, in the case of double exposure, the photomask must be aligned with reference to the previously formed ITO pattern, so that the operation is considerably difficult.

【0006】そこで、別の方法として、透明基板の所定
箇所にあらかじめクロムなどにより位置合わせマークを
形成しておき、そのマークにより透明基板を位置決めし
て2重露光することが行われている。すなわち、同じパ
ターンの複数のフォトマスクを用いて露光を2回にわた
って行なう。
Therefore, as another method, an alignment mark is formed in advance on a predetermined portion of the transparent substrate by chrome or the like, and the transparent substrate is positioned by the mark to perform double exposure. That is, exposure is performed twice using a plurality of photomasks having the same pattern.

【0007】この方法によれば、確率的に2つのフォト
マスクの同一箇所に異物が付着することはかなり低いた
め、それに応じて電極間リークの発生率を少なくするこ
とができる。しかしながら、透明基板に位置合わせマー
クを形成する工程が追加的に必要となるため、生産効率
の面で好ましくない。
[0007] According to this method, the probability that foreign matter adheres to the same portion of the two photomasks stochastically is extremely low, so that the rate of occurrence of inter-electrode leakage can be reduced accordingly. However, an additional step of forming an alignment mark on the transparent substrate is required, which is not preferable in terms of production efficiency.

【0008】また、カラーフィルタ付き基板の場合に
は、カラーフィルタ形成用の位置合わせマークを利用す
ることも考えられるが、カラーフィルタ形成用の露光機
とITOパターニング用の露光機とでは適用位置合わせ
マーク間隙が相違するために、位置合わせ精度が低下し
不都合である。
In the case of a substrate with a color filter, it is conceivable to use an alignment mark for forming a color filter. Since the mark gaps are different, the alignment accuracy is reduced, which is inconvenient.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明は、透明電極付き透明基板上にフォトレ
ジストを塗布し、所定の電極形成パターンを有するフォ
トマスクを介して第1回目の露光を行ない、引き続い
て、同一の電極形成パターンを有するフォトマスクを用
いて第2回目の露光を行ない、しかる後現像工程、エッ
チング工程およびフォトレジスト剥離工程を含む諸工程
を通して透明基板上に所定の透明電極パターンを形成す
る液晶表示素子の製造方法において、第1回目の露光時
に、レーザー光によりフォトレジストの所定位置に第2
回目の露光を行なう際の位置合わせマークを形成するこ
とを特徴としている。このとき2回の露光を同型式で同
性能の露光機を用いて行なうことが好ましい。
In order to solve such a problem, the present invention provides a method of applying a photoresist on a transparent substrate provided with a transparent electrode, and applying the photoresist through a photomask having a predetermined electrode forming pattern. And then a second exposure using a photomask having the same electrode formation pattern, followed by a predetermined step on a transparent substrate through various steps including a development step, an etching step and a photoresist stripping step. In the method for manufacturing a liquid crystal display element for forming a transparent electrode pattern according to (1), the second exposure is performed at a predetermined position of the photoresist by a laser beam during the first exposure.
It is characterized in that an alignment mark for performing the second exposure is formed. At this time, it is preferable to perform two exposures using an exposure machine of the same type and performance.

【0010】このように、本発明によれば、第1回目の
露光時に位置合わせマークが形成されるため、あらかじ
め透明基板に位置合わせマークを形成する工程を必要と
しない。
As described above, according to the present invention, since the alignment mark is formed at the time of the first exposure, the step of forming the alignment mark on the transparent substrate in advance is not required.

【0011】本発明においては、第2回目の露光に用い
られるフォトマスクの電極形成パターンの線間が、第1
回目の露光に用いられるフォトマスクの電極形成パター
ンの線間よりも実質的に狭くされていることが好まし
い。これによれば、第2回目の露光時に位置合わせに多
少のズレがあっても、線間の拡大とそれによる線幅の縮
小が生じるのを抑制することができる。
In the present invention, the distance between the electrode forming patterns of the photomask used for the second exposure is the first.
It is preferable that the width is substantially smaller than the distance between the electrode forming patterns of the photomask used for the second exposure. According to this, even if there is some misalignment in the alignment at the time of the second exposure, it is possible to suppress the enlargement between the lines and the reduction in the line width due to the enlargement.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながらより詳しく説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

【0013】まず、本発明において、ITOのパターニ
ングは基板洗浄→フォトレジスト塗布→プリベイク→第
1回目の露光→第2回目の露光→現像→ポストベイク→
エッチング→フォトレジスト剥離の順で行なわれ、図1
には第1回目の露光時の模式図が示されている。
First, in the present invention, the patterning of the ITO is performed by washing the substrate, applying a photoresist, prebaking, exposing for the first time, exposing for the second time, developing, and postbaking.
Etching is performed in the order of photoresist removal.
2 shows a schematic diagram at the time of the first exposure.

【0014】これによると、透明電極付き透明基板(全
面透明電極基板)1上に塗布されているフォトレジスト
2に対して、例えば非結像型露光機4により所定の電極
形成パターンを有するフォトマスク3aを介して露光が
行なわれるが、この第1回目の露光工程には、フォトレ
ジスト2に位置合わせマークMを形成するためのレーザ
ー照射機5が用意されている。
According to this, a photomask having a predetermined electrode forming pattern is applied to a photoresist 2 applied on a transparent substrate with transparent electrodes (entire transparent electrode substrate) 1 by, for example, a non-imaging type exposure machine 4. Exposure is performed through 3a. In the first exposure step, a laser irradiator 5 for forming an alignment mark M on the photoresist 2 is provided.

【0015】この実施例では、一つのレーザー照射機5
にてフォトレジスト2の左右2箇所に位置合わせマーク
Mを形成するようにしており、そのため、レーザー照射
機5は透明基板1の側方において、その光軸がその基板
面と平行となるように設置されている。そして、その光
軸上にビームスプリッタ(光分割器)6aと反射ミラー
6bとが配置されている。
In this embodiment, one laser irradiator 5
, Alignment marks M are formed at two positions on the left and right sides of the photoresist 2. Therefore, the laser irradiator 5 is arranged so that the optical axis is parallel to the substrate surface on the side of the transparent substrate 1. is set up. A beam splitter (light splitter) 6a and a reflection mirror 6b are arranged on the optical axis.

【0016】この場合、レーザー照射機5から見て、ビ
ームスプリッタ6aは手前側の位置合わせマークM上に
配置され、反射ミラー6bはその反対側の位置合わせマ
ークM上に配置されている。
In this case, as viewed from the laser irradiator 5, the beam splitter 6a is disposed on the positioning mark M on the near side, and the reflecting mirror 6b is disposed on the positioning mark M on the opposite side.

【0017】位置合わせマークMは、液晶表示部以外の
いわば余白部分に形成される。詳しくは図示されていな
いが、フォトマスク3aには位置合わせマークMに対応
する形を有する透光部が設けられている。すなわち、レ
ーザー照射機5からのレーザー光によりフォトレジスト
2上に透光部の形が位置合わせマークMとして描画され
る。
The alignment mark M is formed in a margin other than the liquid crystal display. Although not shown in detail, the photomask 3a is provided with a light transmitting portion having a shape corresponding to the alignment mark M. That is, the shape of the translucent portion is drawn as the alignment mark M on the photoresist 2 by the laser light from the laser irradiator 5.

【0018】なお、このレーザー光による位置合わせマ
ークMの形成は、露光と同時または露光の前もしくは後
のいずれに行なってもよい。また、レーザー光はフォト
レジスト2のみを揮散させれば足りるため、そのパワー
は微小であってよい。
The formation of the alignment mark M by the laser beam may be performed at the same time as the exposure or before or after the exposure. Further, since the laser beam only needs to volatilize the photoresist 2 alone, the power may be very small.

【0019】第1回目の露光後に、透明電極付き透明基
板1はそのまま第2回目の露光工程に移送され、図2に
は第2回目の露光時の模式図が示されている。この第2
回目の露光工程においても、第1回目の露光工程と同じ
く、例えば非結像型露光機4とフォトマスク3bとが用
いられるが、第2回目の露光を行なうにあたっては、先
に形成された位置合わせマークMを基準にして全体の位
置合わせが行なわれる。
After the first exposure, the transparent substrate 1 with a transparent electrode is directly transferred to a second exposure step, and FIG. 2 is a schematic diagram at the time of the second exposure. This second
In the second exposure step, for example, the non-imaging type exposure machine 4 and the photomask 3b are used as in the first exposure step. However, when the second exposure is performed, the position formed beforehand is used. The entire alignment is performed based on the alignment mark M.

【0020】この実施例では、2台のCCDカメラ7,
7にて左右両側の位置合わせマークMを読み取り、図示
しない画像処理手段にて各位置合わせマークMの座標位
置を割り出して、これを基準に透明電極付き透明基板1
に対してフォトマスク3bを位置決めするようにしてい
る。
In this embodiment, two CCD cameras 7,
7, the alignment marks M on both the left and right sides are read, and the coordinate position of each alignment mark M is determined by image processing means (not shown).
, The photomask 3b is positioned.

【0021】この位置決め後に、露光機4により再度
(第2回目)の露光が行なわれる。これにより、第1回
目の露光時に電極間リークがある場合には、その電極間
リークがリペアされる。なお、フォトマスク3bには第
1回目の露光時のフォトマスク3aと同じ電極形成パタ
ーンが設けられているが、この実施例では、フォトマス
ク3bの線間ピッチはフォトマスク3aの線間よりも1
〜2μm程度狭くされている。
After the positioning, exposure is performed again (second time) by the exposing machine 4. Thus, if there is a leak between the electrodes during the first exposure, the leak between the electrodes is repaired. Although the same electrode formation pattern as that of the photomask 3a at the time of the first exposure is provided on the photomask 3b, in this embodiment, the line pitch of the photomask 3b is larger than the line pitch of the photomask 3a. 1
22 μm.

【0022】[0022]

【実施例】線間10μmのXGA(Extended
Video GraphicsArray:1024×
768画素)のパターニングを目的として、洗浄した全
面透明電極基板にポジ型のフォトレジストを1.5μm
厚に塗布し、プリベイクを行なった後、上記のような装
置にて第1回目の露光を行なうとともに、レーザー光に
てフォトレジストにフォトマスクの位置合わせマークを
描画した。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS XGA (Extended
Video Graphics Array: 1024 ×
For the purpose of patterning of 768 pixels), a positive type photoresist was applied to the cleaned entire transparent electrode substrate at 1.5 μm.
After thick coating and pre-baking, the first exposure was performed by the above-described apparatus, and a photomask alignment mark was drawn on the photoresist by laser light.

【0023】次に、その全面透明電極基板を第2回目の
露光工程に移送し、第1回目よりも線間を2μm狭くし
たフォトマスクを第1回目に形成した位置合わせマーク
を基準にして位置決めして、再度露光した。
Next, the whole transparent electrode substrate is transferred to a second exposure step, and a photomask having a line gap of 2 μm narrower than the first exposure is positioned with reference to the alignment mark formed in the first exposure. Then, it was exposed again.

【0024】その結果、電極間リーク不良は全体の約5
%であった。ちなみに、従来の方法にしたがって、第1
回目の露光のみとした場合の電極間リーク不良の発生率
は15%であり、本発明によれば電極間リークによる不
良発生率が約10%程度減少できた。また、不良となっ
た5%の基板について、レーザー光にてそのリーク部を
揮散させるリペアを行なったが、それに要する時間も従
来の1/3で済んだ。
As a result, the leakage failure between the electrodes is about 5
%Met. By the way, according to the conventional method, the first
The rate of occurrence of inter-electrode leak failure when only the first exposure was performed was 15%. According to the present invention, the rate of occurrence of failure due to inter-electrode leakage could be reduced by about 10%. In addition, a repair was performed on 5% of the defective substrates with a laser beam to volatilize the leak portion, and the time required for the repair was reduced to 1/3 of the conventional time.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透明電極付き透明基板上にフォトレジストを塗布して、
2回にわたって多重露光するにあたって、第1回目の露
光時に、レーザー光によりフォトレジストの所定位置に
第2回目の露光を行なう際の位置合わせマークを形成す
るようにしたことにより、あらかじめ透明基板に位置合
わせマークを形成する工程が不要となり、生産性がより
高められる。
As described above, according to the present invention,
Apply a photoresist on a transparent substrate with a transparent electrode,
When performing multiple exposures twice, the laser beam is used to form alignment marks at the predetermined positions of the photoresist at the time of the first exposure, so that the alignment marks are formed on the transparent substrate in advance. The step of forming alignment marks is not required, and the productivity is further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示素子の製造工程中の第1
回目の露光工程を示した模式図。
FIG. 1 shows a first example of a liquid crystal display device during a manufacturing process according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic view showing a second exposure step.

【図2】本発明による液晶表示素子の製造工程中の第2
回目の露光工程を示した模式図。
FIG. 2 shows a second example of the liquid crystal display device during the manufacturing process according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic view showing a second exposure step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明電極付き透明基板 2 フォトレジスト 3a,3b フォトマスク 4 露光機 5 レーザー照射機 6a ビームスプリッタ 6b 反射ミラー 7 CCDカメラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate with a transparent electrode 2 Photoresist 3a, 3b Photomask 4 Exposure machine 5 Laser irradiation machine 6a Beam splitter 6b Reflection mirror 7 CCD camera

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明電極付き透明基板上にフォトレジス
トを塗布し、所定の電極形成パターンを有するフォトマ
スクを介して第1回目の露光を行ない、引き続いて、同
一の電極形成パターンを有するフォトマスクを用いて第
2回目の露光を行ない、しかる後現像工程、エッチング
工程およびフォトレジスト剥離工程を含む諸工程を通し
て透明基板上に所定の透明電極パターンを形成する液晶
表示素子の製造方法において、 第1回目の露光時に、レーザー光によりフォトレジスト
の所定位置に第2回目の露光を行なう際の位置合わせマ
ークを形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。
1. A photoresist is applied on a transparent substrate with a transparent electrode, a first exposure is performed through a photomask having a predetermined electrode formation pattern, and subsequently, a photomask having the same electrode formation pattern A second exposure using, followed by forming a predetermined transparent electrode pattern on a transparent substrate through various steps including a developing step, an etching step, and a photoresist stripping step. A method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising: forming a positioning mark for performing a second exposure at a predetermined position of a photoresist by a laser beam at the time of the second exposure.
【請求項2】 第2回目の露光に用いられるフォトマス
クの電極形成パターンの線間が、第1回目の露光に用い
られるフォトマスクの電極形成パターンの線間よりも実
質的に狭くされていることを特徴とする請求項1に記載
の液晶表示素子の製造方法。
2. The space between the electrode formation patterns of the photomask used for the second exposure is substantially smaller than the space between the electrode formation patterns of the photomask used for the first exposure. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
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