JPH07301793A - Production of color filter and liquid crystal display device - Google Patents

Production of color filter and liquid crystal display device

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JPH07301793A
JPH07301793A JP6339091A JP33909194A JPH07301793A JP H07301793 A JPH07301793 A JP H07301793A JP 6339091 A JP6339091 A JP 6339091A JP 33909194 A JP33909194 A JP 33909194A JP H07301793 A JPH07301793 A JP H07301793A
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JP
Japan
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layer
light
shielding
substrate
transparent conductive
Prior art date
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Application number
JP6339091A
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Japanese (ja)
Inventor
Tameyuki Suzuki
為之 鈴木
Akira Kubo
晟 久保
Yoshikatsu Okada
良克 岡田
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Shinto Paint Co Ltd
Original Assignee
Shinto Paint Co Ltd
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Publication date
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Priority to KR1019950003831A priority patent/KR950033595A/en
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    • G03F7/004Photosensitive materials

Abstract

PURPOSE:To obtain a color filter and a liquid crystal display device in which leaking of light can be prevented and sharp colors and excellent optical characteristics are obtd. CONSTITUTION:A substrate having a transparent conductive layer 2 as a lower layer and a photoresist layer 3 as an upper layer formed into a circuit state is obtd. Then (e) the photoresist layer is formed into fine chips, and if necessary, the photoresist layer is heat treated. (f) A light-shielding resin layer 4 is formed on the substrate. (g) The substrate is exposed through the back surface to develop and to remove the unexposed part of the light-shielding resin layer. (h) During the unexposed part of the resin layer is removed or after removed in the process (g), the surface of the transparent conductive layer in the process (e) is exposed to air. (i) A color layer 5 is formed on the transparent conductive layer exposed to air in fine chip state by electrodeposition method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、カラーフィルターおよ
び液晶表示装置の製造方法に関する。更に詳しくは、本
発明は、細片状の着色層を有しその間隙に遮光性塗膜を
有するカラーフィルターの新規な製造方法およびそのカ
ラーフィルターを用いて液晶表示装置を製造する方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color filter and a method for manufacturing a liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a novel method for producing a color filter having a striped colored layer and a light-shielding coating film in the gap, and a method for producing a liquid crystal display device using the color filter.

【0002】[0002]

【従来の技術と発明が解決しようとする課題】液晶表示
装置(LCD)は、いわゆるポケットテレビ等に使われ
てきたが、近年大型化、大画面化が急速に進められてい
る。画質もTN液晶からSTN液晶やTFTに代表され
るアクティブ駆動素子の開発でCRTに迫るものが商品
化されている。LCDの多色化に使用されるカラーフィ
ルターについては、従来から、画質の向上と生産性の改
善について様々な検討が行われている。とりわけ、光リ
ークの防止や画質の向上などのために、赤、緑および青
色などからなる着色層の間隙に形成されるブラックマト
リックスと呼ばれる遮光性塗膜についての検討は重要で
ある。特に、将来が有望視されているTFT方式のカラ
ーLCDにおいては、遮光性塗膜の遮光率向上が要求さ
れるとともに、遮光性塗膜のパターンは格子状であるこ
とが要求されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices (LCDs) have been used for so-called pocket televisions and the like, but in recent years, their size and screen have been rapidly increased. In terms of image quality, the development of active driving elements represented by STN liquid crystal and TFT from TN liquid crystal has commercialized products that approach CRT. For color filters used for making LCDs multi-colored, various studies have been conventionally conducted to improve image quality and productivity. In particular, in order to prevent light leakage and improve image quality, it is important to study a light-shielding coating film called a black matrix formed in the gaps between the colored layers of red, green and blue. In particular, in a TFT-type color LCD, which is expected to be promising in the future, it is required to improve the light-shielding rate of the light-shielding coating film, and the pattern of the light-shielding coating film is required to have a grid pattern.

【0003】カラーフィルターの着色層の間隙を埋める
遮光性塗膜の形成方法としては、シルクスクリーン法、
オフセット法などの印刷技術による方法が知られてい
る。また、基板上に設けられている互いに絶縁されたス
トライプ状の導電性回路上に電着法によって着色層を形
成し、次いで遮光性塗膜を与える光硬化性樹脂組成物を
全面に塗布し、基板の背面から前記着色層をマスク代わ
りにして露光、現像することによって、ストライプ状の
着色層の間隙に遮光性塗膜を形成する方法も知られてい
る(特開昭62−247331号公報)。しかしなが
ら、従来の印刷技術による方法では、格子間が約100
μm程度の粗いパターンのものしかできず、格子状に精
度よく遮光性塗膜を形成することは困難である。また、
特開昭62−247331号公報に記載の方法では、着
色層を細片状に形成し、その格子状の間隙に遮光性塗膜
を形成することは困難である。
As a method for forming a light-shielding coating film which fills the gaps between the colored layers of the color filter, a silk screen method,
A method based on a printing technique such as an offset method is known. Further, a colored layer is formed by an electrodeposition method on a stripe-shaped conductive circuit that is insulated from each other provided on a substrate, and then a photocurable resin composition that gives a light-shielding coating film is applied to the entire surface, There is also known a method of forming a light-shielding coating film in the gap between stripe-shaped colored layers by exposing and developing from the back surface of the substrate using the colored layer as a mask (JP-A-62-247331). . However, in the conventional printing method, the interstitial space is about 100.
Only a rough pattern of about μm can be formed, and it is difficult to accurately form a light-shielding coating film in a grid pattern. Also,
According to the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-247331, it is difficult to form the colored layer into strips and form the light-shielding coating film in the lattice-like gaps.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、着色層を
極めて精度よく導電性回路上にのみ選択的に形成するこ
とができる電着塗装方法を応用し、ポジ型フォトレジス
トを巧みに用いることによって上記した従来の課題を解
決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
The present inventors have applied a method of electrodeposition coating capable of selectively forming a colored layer only on a conductive circuit with extremely high precision, and skillfully made a positive photoresist. The inventors have found that the above-mentioned conventional problems can be solved by using them, and have completed the present invention.

【0005】すなわち、本発明は、(a)透明基板上に
透明導電層を形成し、(b)該透明導電層上に遮光性材
料を含有するポジ型フォトレジスト組成物を塗布して遮
光性のフォトレジスト層を形成し、(c)該フォトレジ
スト層を所定のパターンを有するフォトマスクを介して
露光後、現像することによって回路状に形成し、(d)
該回路状のフォトレジスト層の間隙に露出した透明導電
層をエッチング除去することによって、透明導電層を下
層とし該フォトレジスト層がその上層を構成する回路状
の積層が形成された基板を得、(e)該基板を所定のパ
ターンを有するフォトマスクを介して露光後、現像する
ことによって、積層の上層を構成している該フォトレジ
スト層を細片状に形成し、必要により、形成した細片状
の該フォトレジスト層を加熱処理または/および光照射
処理し、(f)該基板上に遮光性材料を含有する光硬化
性樹脂組成物を塗布して遮光性樹脂層を形成し、(g)
該基板の裏面から露光、現像することによって該遮光性
樹脂層の未露光部分を除去し、(h)(g)の工程にお
ける遮光性樹脂層の未露光部分の除去と共にまたはその
除去後に、(e)の工程で細片状に形成したフォトレジ
スト層を除去して透明導電層の表面を露出し、(i)熱
または光硬化性の樹脂材料を用いる電着により露出した
細片状の透明導電層上に着色層を形成することを特徴と
する細片状の着色層を有しその間隙に遮光性塗膜を有す
るカラーフィルターの製造方法、およびその方法で製造
されたカラーフィルターを用いることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法を提供する。
That is, according to the present invention, (a) a transparent conductive layer is formed on a transparent substrate, and (b) a positive photoresist composition containing a light-shielding material is applied on the transparent conductive layer to apply the light-shielding property. Forming a photoresist layer, and (c) exposing the photoresist layer through a photomask having a predetermined pattern and developing the photoresist layer to form a circuit, (d)
The transparent conductive layer exposed in the gap between the circuit-shaped photoresist layers is removed by etching to obtain a substrate on which a circuit-shaped laminate having the transparent conductive layer as a lower layer and the photoresist layer as an upper layer is formed, (E) The photoresist layer constituting the upper layer of the laminate is formed into strips by exposing the substrate through a photomask having a predetermined pattern and then developing, and if necessary, the formed photoresist layer is formed. The strip-shaped photoresist layer is subjected to heat treatment and / or light irradiation treatment, and (f) a photocurable resin composition containing a light-shielding material is applied onto the substrate to form a light-shielding resin layer, g)
The unexposed portion of the light-shielding resin layer is removed by exposing and developing from the back surface of the substrate, and together with or after the removal of the unexposed portion of the light-shielding resin layer in the steps (h) and (g), ( The photoresist layer formed in strips in step e) is removed to expose the surface of the transparent conductive layer, and (i) strip-shaped transparent exposed by electrodeposition using a thermosetting or photocurable resin material. A method for producing a color filter having a striped colored layer characterized by forming a colored layer on a conductive layer and having a light-shielding coating film in the gap, and using the color filter produced by the method A method for manufacturing a liquid crystal display device is provided.

【0006】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて使用される透明基板としては、ガラス板あるいは
プラスチック板など従来公知の基板を例示することがで
きる。本発明における工程(a)は、上記の基板上の全
面または所定の範囲に透明導電層を形成する工程であ
る。この工程では、公知の方法に従ってITO膜(錫を
ドープした酸化インジウム膜)あるいはネサ膜(アンチ
モンドープした酸化錫膜)等の透明導電層を基板上に形
成することができる。本発明における工程(b)は工程
(a)において形成された透明導電層上に遮光性材料を
含有するポジ型フォトレジスト組成物を塗布して遮光性
のフォトレジスト層を形成する工程である。この工程で
使用する遮光性材料を含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、ポジ型フォトレジスト組成物は、露光、
現像により露光部分が溶出除去できる材料であればよ
く、例えばノボラック型フェノール樹脂およびキノンジ
アジド系感光剤などからなる組成物が好適である。ま
た、OFPR−800(東京応化工業社製)、PF−7
400(住友化学工業社製)、FH−2030(富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製)、などの市販
品から適宜選択して使用することもできる。
The present invention will be described in detail below. As the transparent substrate used in the present invention, a conventionally known substrate such as a glass plate or a plastic plate can be exemplified. The step (a) in the present invention is a step of forming a transparent conductive layer on the entire surface or a predetermined range of the substrate. In this step, a transparent conductive layer such as an ITO film (tin-doped indium oxide film) or a Nesa film (antimony-doped tin oxide film) can be formed on the substrate by a known method. The step (b) in the present invention is a step of forming a light-shielding photoresist layer by applying a positive photoresist composition containing a light-shielding material on the transparent conductive layer formed in the step (a). In the positive photoresist composition containing the light-shielding material used in this step, the positive photoresist composition is exposed to light,
Any material can be used as long as it can elute and remove the exposed portion by development, and for example, a composition comprising a novolac type phenol resin and a quinonediazide-based photosensitizer is suitable. In addition, OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), PF-7
It can also be appropriately selected and used from commercially available products such as 400 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and FH-2030 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.).

【0007】遮光性材料としては特に制限されないが、
例えば、金属酸化物系黒色顔料、カーボンブラック、硫
化ビスマス、黒色染料などの有機または無機の顔料、染
料などが挙げられる。遮光性材料を含有するポジ型フォ
トレジスト組成物は、所望により、更に粘度調整剤、有
機溶剤、接着向上剤、その他公知の補助剤などを含有す
ることができる。この工程で用いる遮光性材料を含有す
るポジ型フォトレジスト組成物は、それを塗布して形成
したフォトレジスト層が、後述する工程(c)では露
光、現像によって溶出し、工程(g)で基板の裏面から
露光した際には、工程(f)でその上層に形成された遮
光性樹脂層に対してフォトマスクとして機能するもので
ある。
The light-shielding material is not particularly limited,
Examples thereof include metal oxide black pigments, carbon black, bismuth sulfide, organic or inorganic pigments such as black dyes, and dyes. The positive photoresist composition containing a light-shielding material may further contain a viscosity modifier, an organic solvent, an adhesion improver, and other known auxiliary agents, if desired. In the positive photoresist composition containing the light-shielding material used in this step, the photoresist layer formed by applying the same is eluted by exposure and development in step (c) described below, and the photoresist layer is formed in step (g). When exposed from the back surface of the above, it functions as a photomask for the light-shielding resin layer formed on the upper layer in the step (f).

【0008】塗布する方法としては、スクリーン印刷
法、オフセット印刷法、ロールコート法、バーコート
法、スピンコート法等が使用できる。これらの中で、ス
ピンコート法により塗膜を形成する場合には、該ポジ型
フォトレジスト組成物に希釈剤(例えばエチルセロソル
ブアセテートなどの非反応性希釈剤)を加え低粘度化す
るのが好ましく、組成物100重量部に対して5〜40
重量部の希釈剤を加えるのが、特に好ましい。また、ス
ピンコート法における回転数は、二段階とし、初めに1
00〜400rpmで基板上に広げ、次に800〜50
00rpmで膜厚を均一にすることが推奨される。スピ
ンコート法は、透明導電層に忠実に精度良く塗膜を形成
することができる。このようにして形成された遮光性の
フォトレジスト層は必要に応じて60〜100℃、5〜
60分間の条件で熱処理される。熱処理をすることによ
り、そのフォトレジスト組成物中の樹脂が予備硬化さ
れ、その塗膜と導電層との密着性が向上する。
As a coating method, a screen printing method, an offset printing method, a roll coating method, a bar coating method, a spin coating method or the like can be used. Among these, when forming a coating film by the spin coating method, it is preferable to add a diluent (for example, a non-reactive diluent such as ethyl cellosolve acetate) to the positive photoresist composition to reduce the viscosity. , 5 to 40 parts by weight of the composition
It is particularly preferred to add parts by weight of diluent. In addition, the number of rotations in the spin coating method is two steps, and the first is 1
Spread on substrate at 00-400 rpm, then 800-50
It is recommended to make the film thickness uniform at 00 rpm. The spin coating method can form a coating film on the transparent conductive layer with high precision and fidelity. The light-shielding photoresist layer thus formed may have a temperature of 60 to 100 ° C.
Heat treatment is performed for 60 minutes. By heat treatment, the resin in the photoresist composition is pre-cured, and the adhesion between the coating film and the conductive layer is improved.

【0009】本発明における工程(c)は、工程(b)
で形成した遮光性のフォトレジスト層を所定のパターン
を有するフォトマスクを介して露光後、現像して露光部
分を溶解除去し、未露光部分を不溶部分として残すこと
によって該フォトレジスト層を回路状に形成する工程で
ある。この工程は、後述する工程(d)を伴って、透明
基板上形成されている透明導電層を互いに絶縁された複
数の透明導電性回路に形成しようとする工程であり、フ
ォトマスクのパターンは、形成しようとする細片状の着
色層の配列、例えば、平行状、トライアングル状または
モザイク状などの配列に応じて適宜決定することができ
る。この工程での露光には、工程(b)で用いるポジ型
フォトレジスト組成物の種類により種々の範囲の波長光
を使用できるが、一般に紫外領域の波長光が好ましく、
光源として超高圧水銀灯、メタルハライドランプ等を使
用した装置を用いることができる。露光条件は、使用す
る光源およびポジ型フォトレジスト組成物の種類により
異なるが、通常の露光量は10〜4000mJ/cm2
である。露光部分を除去する現像は、適当な溶解力を有
する薬剤(現像液)に接触させることにより行われる。
このような薬剤は、ポジ型フォトレジスト組成物の種類
により適宜選択されるが、通常、苛性ソーダ、炭酸ソー
ダ、4級アンモニウム塩および有機アミン等を水に溶か
したアルカリ水溶液、あるいは、エステル、ケトン、ア
ルコール、エーテル、塩素化炭化水素等の有機溶剤など
から適宜選択される。除去は、浸漬あるいはシャワーな
どにより5秒ないし20分程度で行なうことができる。
必要により、ブラシ、織布などによるラビングが使用さ
れる。その後、有機溶剤、水などを使用してよく洗浄す
ることが望ましい。
The step (c) in the present invention comprises the step (b)
The light-shielding photoresist layer formed in 1. is exposed through a photomask having a predetermined pattern, and then developed to dissolve and remove the exposed portion, leaving the unexposed portion as an insoluble portion, thereby forming a circuit layer of the photoresist layer. Is a step of forming. This step is a step for forming the transparent conductive layer formed on the transparent substrate into a plurality of transparent conductive circuits insulated from each other, together with the step (d) described later, and the pattern of the photomask is It can be appropriately determined according to the arrangement of the strip-shaped colored layers to be formed, for example, the arrangement of parallel, triangle, or mosaic. For the exposure in this step, light of various wavelengths can be used depending on the type of the positive photoresist composition used in step (b), but generally light of wavelength in the ultraviolet region is preferable,
A device using an ultra-high pressure mercury lamp, a metal halide lamp or the like as a light source can be used. The exposure conditions vary depending on the light source used and the type of positive photoresist composition, but the usual exposure amount is 10 to 4000 mJ / cm 2.
Is. The development for removing the exposed portion is carried out by bringing it into contact with a drug (developing solution) having an appropriate dissolving power.
Such an agent is appropriately selected depending on the type of the positive photoresist composition, but is usually an alkaline aqueous solution obtained by dissolving caustic soda, sodium carbonate, a quaternary ammonium salt, an organic amine, or the like, or an ester, a ketone, It is appropriately selected from alcohols, ethers, organic solvents such as chlorinated hydrocarbons, and the like. The removal can be performed in about 5 seconds to 20 minutes by immersion or shower.
If necessary, rubbing with a brush or a woven cloth is used. After that, it is desirable to thoroughly wash with an organic solvent or water.

【0010】工程(d)は、工程(c)で露光部分を溶
解除去することによって、回路状に形成したフォトレジ
スト層の間隙に露出した透明導電層をエッチング除去す
ることによって、透明導電層を下層とし、遮光性のフォ
トレジスト層がその上層を構成する回路状の積層が表面
に形成された基板を得る工程である。透明導電層のエッ
チング除去は常法に従って容易に行うことができる。エ
ッチングに用いる薬剤は透明導電層の種類によって適宜
選択されるが、例えば、鉱酸、有機酸またはそれらの塩
などから選択することができる。
In step (d), the exposed portion is dissolved and removed in step (c), and the transparent conductive layer exposed in the gap between the photoresist layers formed in a circuit shape is removed by etching to remove the transparent conductive layer. This is a step of obtaining a substrate on which a circuit-shaped laminate, which is a lower layer and has a light-shielding photoresist layer as an upper layer, is formed on the surface. The transparent conductive layer can be easily removed by etching according to a conventional method. The chemical used for etching is appropriately selected depending on the type of the transparent conductive layer, and can be selected from, for example, mineral acids, organic acids or salts thereof.

【0011】工程(e)は、工程(d)において形成し
た基板を所定のパターンを有するフォトマスクを介して
露光後、現像することによって、積層の上層を構成して
いる遮光性のフォトレジスト層を細片状に形成し、必要
により、形成した細片状の該フォトレジスト層を加熱処
理または/および光照射処理する工程である。この工程
で用いるフォトマスクは、形成しようとする細片状のフ
ォトレジスト層に相当する部分を遮光し、その間隙に相
当する部分を透光するようにパターン化されている。露
光および現像は工程(c)におけると同様にして行うこ
とができる。このようにして細片状に形成したフォトレ
ジスト層は、必要によって、加熱処理または/および光
照射処理を行う。加熱処理は、100〜300℃で1〜
120分、光照射処理は、紫外〜遠紫外領域の波長光を
用い、露光量50〜5000mj/cm2 の条件下に行
うことができる。加熱処理および光照射処理の両処理を
おこなう場合の順序は特に限定されされるものではな
い。このような処理を行うことによって、次工程(f)
における遮光性材料を含有する光硬化性樹脂組成物の塗
布や遮光性樹脂層の硬化に伴う細片状のフォトレジスト
層の変形や損傷を防止することができ、さらに、工程
(h)におけるフォトレジスト層の除去を容易にするこ
とができる。
In step (e), the substrate formed in step (d) is exposed through a photomask having a predetermined pattern and then developed to develop a light-shielding photoresist layer constituting an upper layer of the laminate. Is formed into a strip shape, and if necessary, the formed strip-shaped photoresist layer is subjected to heat treatment and / or light irradiation treatment. The photomask used in this step is patterned so that a portion corresponding to the strip-shaped photoresist layer to be formed is shielded from light and a portion corresponding to the gap is transmitted. Exposure and development can be performed in the same manner as in step (c). The photoresist layer thus formed into strips is subjected to heat treatment and / or light irradiation treatment, if necessary. The heat treatment is 100 to 300 ° C. for 1 to
The light irradiation treatment for 120 minutes can be performed under the condition of an exposure amount of 50 to 5000 mj / cm 2 using light having a wavelength in the ultraviolet to far ultraviolet region. The order of performing both the heat treatment and the light irradiation treatment is not particularly limited. By performing such processing, the next step (f)
It is possible to prevent deformation and damage of the strip-shaped photoresist layer due to application of the photo-curable resin composition containing the light-shielding material and curing of the light-shielding resin layer in the step (h). The removal of the resist layer can be facilitated.

【0012】工程(f)は、工程(e)で得られた基板
上の全面に遮光性材料を含有する光硬化性樹脂組成物を
塗布して遮光性樹脂層を形成する工程である。光硬化性
樹脂組成物は露光、現像によって、遮光部分が溶出除去
できるものであればよく、例えば、アクリル系、ウレタ
ン系、エポキシ系、合成ゴム系、ポリビニルアルコール
系等の各種の樹脂、あるいはゼラチン、および光重合開
始剤としてのアゾ化合物、過酸化物、ハロゲン化物など
からなる組成物が挙げられる。また、OMR−83(東
京応化工業社製)などのネガ型フォトレジスト組成物と
しての市販品、または光硬化型塗料またはインキとして
市販されているものから適宜選択して使用することもで
きる。このような光硬化性樹脂組成物に混合する遮光性
材料は、特に制限されないが、例えば、金属酸化物系黒
色顔料、カーボンブラック、硫化ビスマス、黒色染料な
どの色素が挙げられる。この際、使用されるLCDの種
類により絶縁性の色素が好ましい場合がある。遮光性材
料を含有する光硬化性樹脂組成物は、所望により、更に
反応性希釈剤、反応開始剤、光増感剤、接着向上剤、粘
度調整のための有機溶剤や水などを含有することができ
る。塗布は、スピンコート法、ロールコート法、スクリ
ーン印刷法、オフセット印刷法、浸漬コート法などの方
法によって行うことができ、このようにして均質な遮光
性樹脂層を形成することができる。
Step (f) is a step of forming a light-shielding resin layer by applying a photocurable resin composition containing a light-shielding material on the entire surface of the substrate obtained in step (e). The photocurable resin composition may be any one as long as it can elute and remove the light-shielding portion by exposure and development. For example, various resins such as acryl-based, urethane-based, epoxy-based, synthetic rubber-based, polyvinyl alcohol-based, or gelatin. And a composition comprising an azo compound as a photopolymerization initiator, a peroxide, a halide and the like. Further, a commercially available product as a negative photoresist composition such as OMR-83 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) or a commercially available product as a photocurable coating or ink can be appropriately selected and used. The light-shielding material mixed with such a photocurable resin composition is not particularly limited, but examples thereof include pigments such as metal oxide-based black pigments, carbon black, bismuth sulfide, and black dyes. In this case, an insulating dye may be preferable depending on the type of LCD used. The photocurable resin composition containing the light-shielding material may further contain a reactive diluent, a reaction initiator, a photosensitizer, an adhesion improver, an organic solvent for adjusting the viscosity, water, etc., if desired. You can The coating can be performed by a method such as a spin coating method, a roll coating method, a screen printing method, an offset printing method, and a dip coating method, and thus a uniform light-shielding resin layer can be formed.

【0013】工程(g)は、工程(f)でその表面の全
面に遮光性樹脂層が形成された基板の裏面から露光、現
像することによって遮光性樹脂層の未露光部分を除去す
る工程である。この工程で露光は、光硬化性樹脂組成物
の種類により種々の範囲の波長の光が使用できるが、一
般には、紫外領域の波長光が好ましく、光源として超高
圧水銀灯、メタルハライドランプ等を使用した装置を用
いて行うことができる。露光条件は、使用する光源およ
び光硬化性樹脂組成物の種類により異なるが、通常の露
光量は100〜4000mJ/cm2 である。露光され
た部分は、架橋反応が進行し不溶性となり硬化する。露
光の際の空気中の酸素による重合阻害を防止するため
に、窒素ガス雰囲気下に露光を行ってもよく、また、ポ
リビニルアルコールを主成分とする酸素遮断膜を設けて
露光を行ってもよい。
The step (g) is a step of removing the unexposed portion of the light-shielding resin layer by exposing and developing from the back surface of the substrate having the light-shielding resin layer formed on the entire surface in the step (f). is there. Exposure in this step can use light with a wavelength in various ranges depending on the type of the photocurable resin composition, but in general, light with a wavelength in the ultraviolet region is preferable, and an ultrahigh pressure mercury lamp, a metal halide lamp or the like was used as a light source. It can be performed using the device. The exposure conditions vary depending on the light source used and the type of the photocurable resin composition, but the usual exposure amount is 100 to 4000 mJ / cm 2 . The exposed portion undergoes a crosslinking reaction to become insoluble and hardens. In order to prevent polymerization inhibition due to oxygen in the air during exposure, the exposure may be performed in a nitrogen gas atmosphere, or the exposure may be performed by providing an oxygen barrier film containing polyvinyl alcohol as a main component. .

【0014】この工程で現像は、遮光性樹脂層の未露光
部分を溶出、除去するために行う。この除去は、適当な
溶解力を有する薬剤(現像液)に接触させ、溶出するこ
とにより行われる。このような薬剤は、光硬化性樹脂組
成物の種類により選択されるが、通常はカ性ソーダ、炭
酸ソーダ、4級アンモニウム塩又は有機アミン等を水に
溶かしたアルカリ水溶液、あるいはエステル、ケトン、
アルコール、塩素化炭化水素等の有機溶剤などから適宜
選択される。溶出は浸漬あるいはシャワーなどにより3
0秒ないし5分程度行えばよい。その後に、水、有機溶
剤などを使用してよく洗浄することが望ましい。
In this step, development is carried out to elute and remove the unexposed portion of the light-shielding resin layer. This removal is performed by contacting with a drug (developing solution) having an appropriate dissolving power and eluting. Such an agent is selected depending on the type of the photocurable resin composition, but is usually an alkaline aqueous solution obtained by dissolving caustic soda, sodium carbonate, a quaternary ammonium salt or an organic amine in water, or an ester or ketone.
It is appropriately selected from alcohols, organic solvents such as chlorinated hydrocarbons, and the like. Elution is by immersion or shower, etc. 3
It may be performed for 0 seconds to 5 minutes. After that, it is desirable to thoroughly wash with water, an organic solvent or the like.

【0015】工程(h)は、工程(e)で細片状に形成
し、必要により加熱または/および光照射処理を施した
遮光性のフォトレジスト層を除去して透明導電層の表面
を露出する工程である。該フォトレジスト層の除去は、
工程(g)において、遮光性樹脂層の除去と共に行って
もよく、また、遮光性樹脂層の除去後に行うこともでき
る。除去は、適当な溶解力および剥離力を有する薬剤に
接触させることにより行われる。このような薬剤は、ポ
ジ型フォトレジスト組成物の種類により適宜選択される
が、通常、苛性ソーダ、炭酸ソーダ、4級アンモニウム
塩および有機アミン等を水に溶かしたアルカリ水溶液、
あるいは、エステル、ケトン、アルコール、エーテル、
塩素化炭化水素等の有機溶剤などから適宜選択される。
除去は、浸漬あるいはシャワーなどにより5秒ないし2
0分程度で行なうことができる。必要により、ブラシ、
織布などによるラビングまたは高圧シャワーなどが使用
される。その後、有機溶剤、水などを使用してよく洗浄
することが望ましい。この工程で透明導電層が細片状に
露出し、その間隙が遮光性樹脂層(遮光性塗膜)で埋め
られた基板が形成される。細片の間隙を構成している遮
光性樹脂層は、工程(g)における現像に次いで、また
は、工程(h)における遮光性フォトレジスト層の除去
に次いで、例えば、温度100〜280℃で10〜12
0分間加熱処理することによって塗膜の強度を向上する
ことが望ましい。
Step (h) exposes the surface of the transparent conductive layer by removing the light-shielding photoresist layer which has been formed into strips in step (e) and which has been heated and / or irradiated with light as necessary. It is a process to do. Removal of the photoresist layer
In step (g), it may be performed together with the removal of the light-shielding resin layer, or may be performed after the removal of the light-shielding resin layer. The removal is carried out by contact with a drug having an appropriate dissolving power and peeling force. Such an agent is appropriately selected depending on the type of the positive photoresist composition, but is usually an alkaline aqueous solution obtained by dissolving caustic soda, sodium carbonate, a quaternary ammonium salt, an organic amine and the like in water,
Alternatively, ester, ketone, alcohol, ether,
It is appropriately selected from organic solvents such as chlorinated hydrocarbons.
Removal is 5 seconds to 2 by immersion or shower.
It can be done in about 0 minutes. Brush if necessary,
Rubbing with a woven cloth or a high pressure shower is used. After that, it is desirable to thoroughly wash with an organic solvent or water. In this step, the transparent conductive layer is exposed in strips, and the gap is filled with the light-shielding resin layer (light-shielding coating film) to form a substrate. The light-shielding resin layer forming the gap between the strips is, for example, at a temperature of 100 to 280 ° C. after the development in step (g) or the removal of the light-shielding photoresist layer in step (h). ~ 12
It is desirable to improve the strength of the coating film by heat treatment for 0 minutes.

【0016】工程(i)は工程(g)で露出した透明導
電層上に電着により着色層を形成する工程である。この
工程で行う電着法は一般に公知である。電着法には、ア
ニオン系とカチオン系があり、本発明においてはいずれ
の方法も使用可能であるが、回路への影響が少ないこと
などからアニオン系電着法が好ましい。
Step (i) is a step of forming a colored layer on the transparent conductive layer exposed in step (g) by electrodeposition. The electrodeposition method performed in this step is generally known. The electrodeposition method includes an anion type and a cation type, and either method can be used in the present invention, but the anion type electrodeposition method is preferable because it has little influence on the circuit.

【0017】電着に用いる電着液の樹脂材料(バインダ
ー)としては、マレイン化油系、アクリル系、ポリエス
テル系、ポリブタジエン系、ポリオレフィン系などの熱
硬化性の樹脂、または、例えば、それらの樹脂に2−ヒ
ドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート等の(メタ)アクリロイル基を有する水酸
基含有モノマーを半エステル付加させて得られる光硬化
性の樹脂などがあげられる。これらは、それぞれ単独
で、あるいは混合して使用できる。これらのバインダー
に染料、顔料などの所望の色相を有する色素を配合す
る。電着液は、一般に、バインダー、色素等の成分を水
に分散、溶解、希釈して調製することができる。電着液
としては、水以外に有機溶剤を使用する電着液も使用す
ることができる。
The resin material (binder) of the electrodeposition liquid used for electrodeposition is a thermosetting resin such as a maleinized oil type, an acrylic type, a polyester type, a polybutadiene type or a polyolefin type, or a resin thereof, for example. Examples thereof include photocurable resins obtained by half-esterifying a hydroxyl group-containing monomer having a (meth) acryloyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate. These can be used alone or as a mixture. A dye having a desired hue such as a dye or a pigment is added to these binders. The electrodeposition liquid can generally be prepared by dispersing, dissolving and diluting components such as a binder and a dye in water. As the electrodeposition liquid, an electrodeposition liquid using an organic solvent other than water can also be used.

【0018】電着液の入った浴中に上記の工程を経て得
られた基板を入れ、アニオン電着法の場合は、その導電
性回路を正極とし、非腐蝕性の導電材料(ステンレスな
ど)を対極として入れて直流電圧を印加すると、その導
電性回路の上に位置する細片状の導電層上に選択的に電
着塗膜が形成される。
The substrate obtained through the above steps is placed in a bath containing an electrodeposition liquid, and in the case of the anion electrodeposition method, its conductive circuit serves as a positive electrode and a non-corrosive conductive material (stainless steel or the like). Is applied as a counter electrode and a DC voltage is applied, an electrodeposition coating film is selectively formed on the strip-shaped conductive layer located on the conductive circuit.

【0019】電着塗膜の膜厚は、電着条件により制御す
ることができる。電着条件は、通常10〜300Vで1
秒から3分程度である。電着塗膜は、塗膜形成後よく洗
浄して不要物質を除去することが望ましい。塗膜強度を
高めるために、必要により、100〜280℃、10〜
120分間の条件で熱処理することができる。
The thickness of the electrodeposition coating film can be controlled by the electrodeposition conditions. The electrodeposition condition is usually 10 to 300 V and 1
It is about 2 to 3 minutes. It is desirable that the electrodeposition coating film is thoroughly washed after forming the coating film to remove unnecessary substances. To increase the strength of the coating film, if necessary, 100 to 280 ° C, 10 to
The heat treatment can be performed for 120 minutes.

【0020】この工程で、樹脂材料として光硬化性樹脂
を用いて電着を行った場合は、電着後に、例えば、工程
(g)と同様に基板の裏面から露光、現像することによ
って、遮光性塗膜である遮光性樹脂層上に電着によって
形成されることがある着色塗膜の除去を行うことができ
る。
In this step, when electrodeposition is carried out using a photo-curable resin as the resin material, after the electrodeposition, for example, by exposing and developing from the back surface of the substrate in the same manner as in step (g), light shielding is performed. It is possible to remove the colored coating film that may be formed by electrodeposition on the light-shielding resin layer that is a conductive coating film.

【0021】このようにして細片状の着色層を有しその
間隙に遮光性塗膜を有する基板を作製することができ
る。細片状の着色層の配列は使用されるLCDの種類に
より異なるが、例えば、赤色、緑色および青色の各着色
層の細片が平行状、トライアングル状、モザイク状など
に配列されたものが例示される。本発明によれば、工程
(c)および工程(e)で用いるフォトマスクのパター
ンを適宜選択することにより所望の配列を得ることがで
きる。このようにして作製された基板を用いてカラーフ
ィルターを製造する。カラーフィルターは常法に従って
製造することができる。例えば、上記のとおり形成され
た着色層および遮光性塗膜の上に、必要により、オーバ
ーコート膜(保護膜)を形成し、必要によりその上に液
晶駆動用の透明導電膜を形成し、必要に応じて回路パタ
ーンを形成してカラーフィルターを製造することができ
る。本発明の方法によって製造されたカラーフィルター
を用い、公知の方法にしたがって液晶表示装置を製造す
ることができる。
Thus, a substrate having a strip-shaped colored layer and a light-shielding coating film in the gap can be prepared. The arrangement of strip-shaped colored layers varies depending on the type of LCD used, but for example, strips of red, green and blue colored layers are arranged in parallel, triangle or mosaic. To be done. According to the present invention, a desired arrangement can be obtained by appropriately selecting the pattern of the photomask used in step (c) and step (e). A color filter is manufactured using the substrate thus manufactured. The color filter can be manufactured according to a conventional method. For example, if necessary, an overcoat film (protective film) may be formed on the colored layer and the light-shielding coating film formed as described above, and if necessary, a transparent conductive film for liquid crystal driving may be formed thereon. According to the above, a color filter can be manufactured by forming a circuit pattern. A liquid crystal display device can be manufactured by a known method using the color filter manufactured by the method of the present invention.

【0022】以下に本発明の方法に従って、細片状の着
色層が平行状に配列され、その間隙に遮光性塗膜を有す
る基板を形成する実施の態様を図面によって説明する。
図1(1)〜(7)は本発明の方法によって形成される
基板の断面の模式図であり、図2(1)および(2)は
その平面の模式図である。
An embodiment of forming a substrate having strip-shaped colored layers arranged in parallel and having a light-shielding coating film in the gap according to the method of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 (1) to 1 (7) are schematic views of a cross section of a substrate formed by the method of the present invention, and FIGS. 2 (1) and 2 (2) are schematic views of the plane thereof.

【0023】工程(a)で、厚さ1.1mmのガラス基
板などの透明基板1の上にITO(In2 3 +SnO
2 )などの透明導電層2を形成する。〔図1(1)〕 工程(b)で、例えば、FH−2030(富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製のポジ型フォトレジス
ト組成物)に遮光性材料を混合して調製した遮光性のポ
ジ型フォトレジスト組成物を透明導電層2の上に塗布し
て遮光性のフォトレジスト層3を形成する。〔図1
(2)〕
In step (a), ITO (In 2 O 3 + SnO) is formed on a transparent substrate 1 such as a glass substrate having a thickness of 1.1 mm.
2 ) etc. to form a transparent conductive layer 2. [FIG. 1 (1)] In the step (b), for example, a light-shielding positive photoresist prepared by mixing FH-2030 (a positive photoresist composition manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) with a light-shielding material. The composition is applied on the transparent conductive layer 2 to form a light-shielding photoresist layer 3. [Fig. 1
(2)]

【0024】工程(c)で、フォトレジスト層3の上
に、パターンがストライプ状であり、例えば遮光部巾が
80μm、透光部巾が20μmであるフォトマスクを重
ね、常法に従って、露光、現像を行ってフォトレジスト
層3をストライプ状(巾80μm)に形成するとともに
その間隙(巾20μm)に透明導電層2の表面を露出さ
せる。〔図1(3)〕
In step (c), a photomask having a stripe pattern, for example, a light-shielding portion width of 80 μm and a light-transmitting portion width of 20 μm is overlaid on the photoresist layer 3 and exposed according to a conventional method. The photoresist layer 3 is developed to form stripes (width 80 μm) and the surface of the transparent conductive layer 2 is exposed in the gap (width 20 μm). [Fig. 1 (3)]

【0025】工程(d)では、工程(c)で表面が露出
した透明導電層2の部分を常法に従ってエッチング除去
する。この工程で、基板1の上に、下層を透明導電層2
を、その上層にフォトレジスト層3を有するストライプ
状の積層を形成する。〔図1(4)〕
In step (d), the portion of the transparent conductive layer 2 whose surface is exposed in step (c) is removed by etching according to a conventional method. In this step, the lower layer is formed on the substrate 1 by the transparent conductive layer 2
Is formed into a stripe-shaped laminated layer having a photoresist layer 3 as an upper layer. [Fig. 1 (4)]

【0026】工程(e)では、工程(d)で形成された
ストライプ状の積層の上層を構成するフォトレジスト層
3を細片状に形成するために、例えば工程(c)で用い
たフォトマスクを該積層の長手方向に対し垂直方向に重
ね、常法に従って露光後現像を行う。このようにして縦
方向の間隙は基板1の表面が、横方向の間隙は透明導電
層2の表面が露出した、全体の間隙が格子状である細片
状のフォトレジスト層3を形成する。〔図2(1)〕
In the step (e), for example, the photomask used in the step (c) in order to form the photoresist layer 3 constituting the upper layer of the stripe-shaped laminated layer formed in the step (d) into a strip shape. Are laminated in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the laminate, and post-exposure development is performed according to a conventional method. In this way, the strip-shaped photoresist layer 3 is formed in which the surface of the substrate 1 is exposed in the vertical gap and the surface of the transparent conductive layer 2 is exposed in the horizontal gap, and the entire gap is in a lattice shape. [Fig. 2 (1)]

【0027】細片状のフォトレジスト層に、必要によ
り、例えば、紫外領域の波長光を1000mj/cm2
照射し、次いで100℃で10分間熱処理を行う。次い
で、工程(f)で、基板の全面に、遮光性材料を含有す
るネガ型フォトレジスト組成物を塗布し、必要に応じ
て、100℃で10分間熱処理を行い予備硬化させて、
遮光性樹脂層4を形成する。〔図1(5)〕
If necessary, light having a wavelength in the ultraviolet region of 1000 mj / cm 2 is applied to the strip-shaped photoresist layer.
Irradiation and then heat treatment at 100 ° C. for 10 minutes. Then, in step (f), a negative photoresist composition containing a light-shielding material is applied to the entire surface of the substrate, and if necessary, heat treatment is performed at 100 ° C. for 10 minutes to pre-cure it.
The light blocking resin layer 4 is formed. [Fig. 1 (5)]

【0028】工程(g)で、基板1の裏面から常法に従
って露光、現像して遮光性樹脂層4の未露光部分を除去
した後、例えば230℃で30分間熱処理を施して現像
後に残存する遮光性樹脂層4の硬化を完結する。引き続
き、工程(h)で、工程(e)において細片状に形成さ
れたフォトレジスト層3を常法によって剥離除去する。
このようにして、透明導電層2の表面が細片状に露出
し、その格子状の間隙が遮光性樹脂層で埋められた基板
を形成する。〔図1(6)〕
In step (g), the back surface of the substrate 1 is exposed and developed by a conventional method to remove the unexposed portion of the light-shielding resin layer 4, and then heat-treated at, for example, 230 ° C. for 30 minutes to remain after development. The curing of the light shielding resin layer 4 is completed. Subsequently, in step (h), the strip-shaped photoresist layer 3 formed in step (e) is removed by a conventional method.
In this way, a substrate is formed in which the surface of the transparent conductive layer 2 is exposed in the form of strips and the lattice-shaped gaps are filled with the light-shielding resin layer. [Fig. 1 (6)]

【0029】次いで、工程(i)で、基板1上の透明導
電層2を一方の電極として従来公知の電着法に従い電着
を行って細片状に露出している透明導電層上に着色層5
を形成する。このようにして細片状の着色層を有し、そ
の格子状の間隙が遮光性塗膜で精度よく埋められた基板
を工業的有利に形成することができる。〔形成された基
板の断面は図1(7)、平面は図2(2)に示す。尚、
図中、Rは赤色着色層、Gは緑色着色層、Bは青色着色
層を表わす。〕
Then, in step (i), the transparent conductive layer 2 on the substrate 1 is used as one electrode for electrodeposition according to a conventionally known electrodeposition method to color the transparent conductive layer exposed in strips. Layer 5
To form. In this way, it is possible to industrially form a substrate having a strip-shaped colored layer and precisely filling the lattice-shaped gaps with the light-shielding coating film. [The cross section of the formed substrate is shown in FIG. 1 (7), and the plane is shown in FIG. 2 (2). still,
In the figure, R represents a red colored layer, G represents a green colored layer, and B represents a blue colored layer. ]

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明の方法によって、細片状の着色層
とその間隙を埋める遮光性塗膜が精度よく形成され、光
リークがよく防止されており、着色が鮮明で光学特性が
優れるカラーフィルターを工業的有利に製造することが
でき、それを用いて高画質の液晶表示装置を製造するこ
とができる。
According to the method of the present invention, a striped colored layer and a light-shielding coating film for filling the gap between the striped colored layer and the gap are accurately formed, light leakage is well prevented, and coloring is clear and excellent in optical characteristics. The filter can be manufactured industrially advantageously, and a high quality liquid crystal display device can be manufactured using the filter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の各工程で形成される形状を有する基板
の断面の模式図である。
FIG. 1 is a schematic view of a cross section of a substrate having a shape formed in each step of the present invention.

【図2】本発明の各工程で形成される形状を有する基板
の平面の模式図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of a substrate having a shape formed in each step of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 透明導電層 3 遮光性のフォトレジスト層 4 遮光性樹脂層 5 着色層 R 赤色着色層 G 緑色着色層 B 青色着色層 1 Transparent Substrate 2 Transparent Conductive Layer 3 Light-Shielding Photoresist Layer 4 Light-Shielding Resin Layer 5 Coloring Layer R Red Coloring Layer G Green Coloring Layer B Blue Coloring Layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)透明基板上に透明導電層を形成
し、 (b)該透明導電層上に遮光性材料を含有するポジ型フ
ォトレジスト組成物を塗布して遮光性のフォトレジスト
層を形成し、 (c)該フォトレジスト層を所定のパターンを有するフ
ォトマスクを介して露光後、現像することによって回路
状に形成し、 (d)該回路状のフォトレジスト層の間隙に露出した透
明導電層をエッチング除去することによって、透明導電
層を下層とし該フォトレジスト層がその上層を構成する
回路状の積層が形成された基板を得、 (e)該基板を所定のパターンを有するフォトマスクを
介して露光後、現像することによって、積層の上層を構
成している該フォトレジスト層を細片状に形成し、必要
により、形成した細片状の該フォトレジスト層を加熱処
理または/および光照射処理し、 (f)該基板上に遮光性材料を含有する光硬化性樹脂組
成物を塗布して遮光性樹脂層を形成し、 (g)該基板の裏面から露光、現像することによって該
遮光性樹脂層の未露光部分を除去し、 (h)(g)の工程における遮光性樹脂層の未露光部分
の除去と共にまたはその除去後に、(e)の工程で細片
状に形成したフォトレジスト層を除去して透明導電層の
表面を露出し、 (i)熱または光硬化性の樹脂材料を用いる電着により
露出した細片状の透明導電層上に着色層を形成すること
を特徴とする細片状の着色層を有しその間隙に遮光性塗
膜を有するカラーフィルターの製造方法。
1. A light-shielding photoresist layer comprising: (a) forming a transparent conductive layer on a transparent substrate; and (b) coating a positive photoresist composition containing a light-shielding material on the transparent conductive layer. And (c) the photoresist layer is exposed through a photomask having a predetermined pattern and then developed to form a circuit, and (d) the photoresist layer is exposed in a gap between the photoresist layers. The transparent conductive layer is removed by etching to obtain a substrate on which a circuit-like laminate having the transparent conductive layer as a lower layer and the photoresist layer as an upper layer is formed. (E) The substrate having a predetermined pattern After exposure through a mask, development is performed to form the photoresist layer forming the upper layer of the laminate into strips, and if necessary, the striped photoresist layer is subjected to heat treatment. And / or light irradiation treatment, (f) applying a photocurable resin composition containing a light-shielding material onto the substrate to form a light-shielding resin layer, (g) exposing and developing from the back surface of the substrate By removing the unexposed portion of the light-shielding resin layer, and (h) with the removal of the unexposed portion of the light-shielding resin layer in the step (g), or after removing the strip-shaped in the step (e) The surface of the transparent conductive layer is exposed by removing the photoresist layer formed in step (i), and a colored layer is formed on the strip-shaped transparent conductive layer exposed by electrodeposition using a thermosetting or photocurable resin material. A method for producing a color filter having a strip-shaped colored layer having a light-shielding coating film in a gap between the colored layers.
【請求項2】 (e)の工程で細片状の該フォトレジス
ト層を加熱処理または/および光照射処理する請求項1
に記載の方法。
2. The strip-shaped photoresist layer is heat-treated and / or light-irradiated in the step (e).
The method described in.
【請求項3】 (i)の工程で光硬化性の樹脂材料を用
いて電着を行う請求項1または2に記載の方法。
3. The method according to claim 1, wherein in the step (i), electrodeposition is performed using a photocurable resin material.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の方法に
よって製造されたカラーフィルターを用いることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises using the color filter manufactured by the method according to claim 1.
JP6339091A 1994-03-07 1994-12-28 Production of color filter and liquid crystal display device Pending JPH07301793A (en)

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JP6339091A JPH07301793A (en) 1994-03-07 1994-12-28 Production of color filter and liquid crystal display device
KR1019950003831A KR950033595A (en) 1994-03-07 1995-02-27 Manufacturing method of color filter and liquid crystal display

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100433660B1 (en) * 1996-12-18 2004-12-29 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Liquid crystal display element and a fabrication method thereof, especially for reducing topology of an opposing substrate
KR100582276B1 (en) * 2002-11-06 2006-05-23 삼성코닝 주식회사 Filter for plasma display panel and manufacturing method therefor
JP2015021598A (en) * 2013-07-23 2015-02-02 東京エレクトロン株式会社 Heat insulation unit and thermal treatment device including the same

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