KR960006819B1 - Method of manufacturing i.c. devices and photomask using them - Google Patents

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KR960006819B1
KR960006819B1 KR1019920018202A KR920018202A KR960006819B1 KR 960006819 B1 KR960006819 B1 KR 960006819B1 KR 1019920018202 A KR1019920018202 A KR 1019920018202A KR 920018202 A KR920018202 A KR 920018202A KR 960006819 B1 KR960006819 B1 KR 960006819B1
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light
mask
pattern
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light transmission
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KR1019920018202A
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요시히꼬 오까모또
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가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미따 가쓰시게
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Abstract

내용 없음No content

Description

집적회로장치의 제조방법 및 그에 사용되는 광학 마스크Manufacturing Method of Integrated Circuit Device and Optical Mask Used Thereof

제1도는 본 발명의 일실시예인 마스크의 요부 단면도.1 is a cross-sectional view of the main portion of a mask that is an embodiment of the present invention.

제2도(a)-(c)는 이 마스크의 제조공정을 나타낸 마스크의 요부 단면도.(A)-(c) is sectional drawing of the principal part which showed the manufacturing process of this mask.

제3도(a)는 제1도의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.FIG. 3A is a cross-sectional view showing the exposure state of the mask of FIG.

제3도(b)-(d)는 이 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.3 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of this mask.

제4도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도.4 is a sectional view of principal parts of a mask that is another embodiment of the present invention.

제5도(a)는 제4도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.FIG. 5A is a cross-sectional view showing the exposure state of the mask shown in FIG.

제5도(b)-(d)는 제4도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.5 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of the mask shown in FIG.

제6도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도.6 is a sectional view of principal parts of a mask that is another embodiment of the present invention.

제7도는 제6도에 나타낸 마스크의 요부 평면도.7 is a plan view of main parts of the mask shown in FIG.

제8도는 이 마스크의 제조에 사용되는 집속이온비임장치의 구성도.8 is a block diagram of a focused ion beam apparatus used for manufacturing this mask.

제9도(a), (b)는 이 마스크의 제조공정을 나타낸 마스크의 요부 단면도9 (a) and 9 (b) are cross-sectional views of principal parts of the mask showing the manufacturing process of the mask.

제10도는 위상 시프트오목(凹)부의 패턴데이터의 작성순서를 나타낸 호름도.10 is a hormonal diagram showing a procedure for creating pattern data of a phase shift recess.

제11도(a)는 제6도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.FIG. 11A is a cross-sectional view showing the exposure state of the mask shown in FIG.

제11도(b)-(d)는 제6도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.11 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of the mask shown in FIG.

제12도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도.12 is a sectional view of principal parts of a mask that is another embodiment of the present invention.

제13도(a)는 제12도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.FIG. 13A is a cross-sectional view showing the exposure state of the mask shown in FIG.

제13도(b)-(d)는 제12도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.13 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of the mask shown in FIG.

제14도는 본 발명의 또 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도14 is a sectional view of principal parts of a mask which is another embodiment of the present invention.

제15도는 제14도에 나타낸 마스크의 요부 평면도.FIG. 15 is a plan view of main parts of the mask shown in FIG. 14. FIG.

제16도는 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴데이터 작성예를 설명하기 위한 마스크의 요부 평면도.Fig. 16 is a plan view of a main portion of a mask for explaining an example of pattern data creation of concave portions and in-phase auxiliary transmission regions.

제17도는 제16도에 나타낸 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴데이터의 작성순서를 나타낸 호름도.FIG. 17 is a hormonal diagram showing the procedure for creating pattern data of the concave portion and in-phase auxiliary transmission region shown in FIG. 16; FIG.

제18도(a)-(i)는 제16도에 나타낸 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴의 작성공정에 있어서의 패턴형상을 나타낸 설명도.18A to 18I are explanatory views showing the pattern shape in the process of creating a pattern of the concave portion and the in-phase auxiliary transmission region shown in FIG.

제19도(a)는 제14도 및 제15도의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도·.19A is a cross-sectional view showing the exposure state of the masks of FIGS. 14 and 15. FIG.

제19도(b)-(d)는 제14도 및 제15도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.19 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of the mask shown in FIGS. 14 and 15;

제20도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 마스크의 요부 단면도.20 is a sectional view of principal parts of a mask showing still another embodiment of the present invention.

제21도는 이 마스크의 요부 평면도.21 is a plan view of main parts of this mask.

제22도(a)는 제20도 및 제21도의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.FIG. 22A is a cross-sectional view showing the exposure state of the mask of FIGS. 20 and 21;

제22도(b)-(d)는 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.22 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region.

제23도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 마스크의 요부 단면도23 is a sectional view of principal parts of a mask showing still another embodiment of the present invention.

제24도(a)는 종래의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.24A is a cross-sectional view showing an exposure state of a conventional mask.

제24도(b)-(d)는 종래의 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도.제25도(a)는 종래의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도.24 (b) to 24 (d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmitting region of the conventional mask. FIG. 25 (a) is a cross sectional view showing the exposure state of the conventional mask.

제25도(b)-(d)는 종래의 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도25 (b)-(d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of the conventional mask.

제26도는 종래의 마스크를 나타낸 부분 평면도이다.Fig. 26 is a partial plan view showing a conventional mask.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

A : 광차폐영역 B : 광투과영역A: Light shielding area B: Light transmitting area

1a-1g : 마스크 2 : 기판1a-1g: mask 2: substrate

3 : 금속층 4a,4b,4c :투명막3: metal layer 4a, 4b, 4c: transparent film

5a,5b : 포토레지스트 7a-7b : 위상 시프트 오목(凹)부5a, 5b: photoresist 7a-7b: phase shift recessed portion

8 : 집속이온비임장치 9 : 이온원8: focused ion beam device 9: ion source

12a-12c : 개구전극 15 : 유지기12a-12c: opening electrode 15: retainer

36 : MT 데크 37 : 오목(凹)부36: MT deck 37: recessed portion

38-46 : 패턴 X1: 두께.38-46: pattern X 1 : thickness.

본 발명은, 포토리소그래피(photolhhography)에서 사용하는 마스크 및 그 제조기술에 관하며, 특히, 반도체 집적회로장치의 제조에 사용하는 마스크에 적용하는 유효한 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to masks used in photolithography and manufacturing techniques thereof, and more particularly, to effective techniques applied to masks used in the manufacture of semiconductor integrated circuit devices.

근년, 반도체 집적회로장치에 있어서는, 회로를 구성하는 소자나 배선의 미세파, 및 소자간격이나 배선간격의 협소화가 진행되고 있다.In recent years, in semiconductor integrated circuit devices, the narrowing of the microwaves of elements and wirings constituting a circuit, and the element intervals and wiring intervals are progressing.

그러나, 소자나 배선의 미세화, 및 소자간격이나 배선간격의 협소화에 따라서, 코히런트광에 의해서 웨이퍼상에 집적회로패턴을 전사하는 마스크의 패턴전사 정밀도의 저하가 문제로 되어가고 있다.However, with the miniaturization of devices and wirings, and the narrowing of device spacings and wiring spacings, there has been a problem of deterioration in pattern transfer accuracy of masks for transferring integrated circuit patterns onto wafers by coherent light.

이를 제24도(a)-(d)에 의해 설명하면 이하와 같다.This will be described below with reference to FIGS. 24 (a)-(d).

즉, 제24도(a)에 나타낸 마스크(50)에 형성된 소정의 집적회로패턴을 투영노광법 등에 의해 웨이퍼상에 전사할때, 광차폐영역 N을 끼는 한쌍의 광투과영역 P1, P2각각을 투과한 광은, 제24도(b)에 나타낸 바와같이 위상이 같기 때문에, 이들의 간섭광이 제24도(c)에 나타낸 것처럼, 상기한-한쌍의 광투과영역 P1, P2에끼여진 광차폐영역 N에 있어서, 강하게 합쳐지고 만다. 이 결과, 제24도(d)에 나타낸 것처럼, 웨이퍼상에 있어서의 투과상의 콘트라스트가 저하할 뿐더러, 초점의 심도가 얕아지며, 마스크의 패턴전사 정밀도가 대폭적으로 저하해버린다.That is, when the predetermined integrated circuit pattern formed on the mask 50 shown in Fig. 24A is transferred onto the wafer by the projection exposure method or the like, a pair of light transmission areas P 1 and P 2 sandwiching the light shielding area N are provided. Since the light transmitted through each has the same phase as shown in FIG. 24 (b), the above-paired light transmission regions P 1 and P 2 as their interference light are shown in FIG. 24 (c). In the enclosed light shielding area N, they are strongly combined. As a result, as shown in Fig. 24 (d), the contrast of the transmission image on the wafer is lowered, the depth of focus is shallow, and the pattern transfer accuracy of the mask is greatly reduced.

이와 같은 문제를 개선하는 수단으로서, 마스크를 투과하는 광의 위상을 조작하므로써 투영상의 분해능및 콘트라스트를 향상시키는 위상 시프트 리소그래피가 개발되고 있다. 위상 시프트 리소그래피에 대해서는 예컨대 특개소 58-173744호(특공소 62-59296호) 공보 및 특개소 62-·67514호 공보에 기재된 것이 있다.As a means to solve such a problem, phase shift lithography has been developed which improves the resolution and contrast of the projected image by manipulating the phase of light passing through the mask. About phase shift lithography, for example, there exist some described in Unexamined-Japanese-Patent No. 58-173744 (Patent No. 62-59296) and Unexamined-Japanese-Patent No. 62-.67514.

상기 특개소 58-173744호 공보에는, 광차폐영역과 광투과영역을 구비한 마스크에 있어서, 광차폐영역을 끼는 한쌍의 광투과영역의 적에도 한쪽에 투명재료를 설치하고, 노광시에 각각의 광투과영역을 투과한 광사이에 위상차를 생기게 하여, 이들의 광이 웨이퍼상의 본래의 광차폐영역이 되는 영역에서 간섭하여 약하게 합쳐지도록 한 마스크 구조에 대해서 설명되고 있다.In Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-173744, in a mask having a light shielding area and a light transmitting area, a transparent material is provided on one side of the pair of light transmitting areas sandwiching the light shielding area, A mask structure has been described in which a phase difference is generated between the light transmitted through the light transmission region, and the light is interferenced and weakly merged in a region that becomes the original light shielding region on the wafer.

이와 같은 마스크에 있어서의 투과광의 작용을 제25도(a)-(d)에 의해 설명하면 이하와 같다.The operation of the transmitted light in such a mask will be described below with reference to Figs. 25A to 25D.

즉, 제25도(a)에 나타낸 마스크(51)에 헝성된 소정의 집적회로패턴을 투영노광법 등에 의해 웨이퍼상에전사할때, 광차폐영역 N을 끼는 한쌍의 광투과영역 P1, P2중 투명재료(52)가 설치된 광투과영역 P2를 투과한 광의 위상과, 통상의 광투과영역 P1을 투과한 광의 위상과의 사이에는, 25도(b),(c)에 나타낸 것처럼 18O도의 위상차가 생기고 있다. 따라서, 한쌍의 광투과영역 P1, P2를 투과한 광이, 이들 광투과영역 P1, P2에 끼여진 광차폐영역 N에서 간섭하여 서로 상쇄되기 때문에, 제25도(d)에 나타낸 것처럼, 웨이퍼상에 있어서의 투영상의 콘트라스트가 개선되며, 해상도 및 초점의 심도가 향상되고. 마스크(51)의 패턴전사 정밀도가 양호해진다.That is, when the predetermined integrated circuit pattern formed on the mask 51 shown in Fig. 25 (a) is transferred onto the wafer by the projection exposure method or the like, a pair of light transmission areas P 1 and P sandwiching the light shielding area N are provided. As shown in 25 degrees (b) and (c) between the phase of the light transmitted through the light transmissive region P 2 provided with the double transparent material 52 and the phase of the light transmitted through the normal light transmissive region P 1 . The phase difference of 18O degree is generated. Therefore, since light transmitted through a pair of light transmission areas P 1 and P 2 interferes with each other in the light shielding area N sandwiched between these light transmission areas P 1 and P 2 , as shown in FIG. 25 (d), The contrast of the projection image on the wafer is improved, and the resolution and depth of focus are improved. The pattern transfer precision of the mask 51 becomes good.

또, 상기 특개소 62-67514호 공보에는, 광차폐막에 의해서 형성된 광차계영역과 광차폐막이 제거되어 형성된 광투과영역을 구비한 마스크에 있어서, 광차폐막에 그 일부를 제거하여 미세한 개구패턴을 형성항과 함께, 광투과영역이나, 혹은 개구패턴의 에느 한쪽에 위상 시프트층을 설치하고, 광투과영역을 투과한 광과 개구패턴을 투과한 광과의 사이에 위상차를 생기게 하여 광투과영역을 투마한 광의 진폭분포가 가로방향으로 퍼지지 않도록 한 마스크 구조에 대해서 설명되고 있다.Further, Japanese Patent Laid-Open No. 62-67514 discloses a mask having a light shielding region formed by a light shielding film and a light transmitting region formed by removing the light shielding film, wherein a part of the light shielding film is removed to form a fine opening pattern. In addition to the above, a phase shift layer is provided on either the light transmissive region or the aperture pattern, and a phase difference is generated between the light transmitted through the light transmissive region and the light transmitted through the aperture pattern to transmit the light transmissive region. A mask structure is described in which the amplitude distribution of the dead light does not spread in the horizontal direction.

그런데, 상기 특개소 58-173744호 공보에 기재된 종래의 기술에는, 이하의 문제가 있다는 것을 본 발명자는 발견하였다.By the way, the present inventors found out that the prior art described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-173744 has the following problems.

즉, 한쌍의 광투과영역을 투과한 광 사이에 위상차를 생기게 하는 상기 종래 기술에 있어서는, 패턴이 1차된적으로 단순히 반복해서 배치되어 있을 경우에는, 투명재료의 배치에 문제는 없지만, 패턴이 실제의 집적회로패턴과 같이 복잡한 경우, 투명재료의 배치가 불가능하게 되는 경우가 생기며, 부분적으로 충분한 해상도가 얻어지지 않는 곳이 발생한다고 하는 문제가 있다.That is, in the above-mentioned prior art which produces a phase difference between the light transmitted through a pair of light transmission areas, when the pattern is simply and repeatedly arranged primarily, there is no problem in the arrangement of the transparent material, but the pattern is actually In complex cases such as the integrated circuit pattern, the arrangement of the transparent material may be impossible, and there is a problem that a place where a sufficient resolution is not partially obtained.

예컨대 제26도에 나타낸 바와 같은 집적회로패턴(53)이 있는 경우, 광투다영역 P2에 투명재료를 설치하면, 확실히, 광차폐영역 Nl, N2의 해상도는 향상한다. 그러나, 광차폐영역 N3의 해상도를 향상시키기 위하여광투과영역 P1에 투명재료를 배치하면, 광투과영역 P1, P2를 투과한 광의 위상이 같아쳐서 광차폐영역 N2의 해상도가 저하해버린다. 또, 광차폐영역 N3의 해상도를 향상시키기 위하여, 광투과영역 P3와 같은 투과패턴에 투명재료를 배치하자면, 투명재료를 광투과영역 P3의 일부분에 배치하면 좋지만, 그와 같이 하면 동일한 광투과영역 P3내를 투과한 광에 있어서 위상의 반전이 생기며, 웨이퍼상에 불필요한 패턴이 형성되어 버린다. 따라서, 광차폐영역 N3의 해상도를 향상시키는 것이 불가능해진다.For example, when there is an integrated circuit pattern 53 as shown in FIG. 26, if a transparent material is provided in the light transmission region P 2 , the resolution of the light shielding regions N 1 and N 2 is surely improved. However, in order to improve the resolution of the light shielding area N 3 , when a transparent material is disposed in the light transmitting area P1, the phases of the light transmitted through the light transmitting areas P 1 and P 2 are equal to each other and the resolution of the light shielding area N 2 is reduced. Throw it away. In order to improve the resolution of the light shielding area N 3 , if the transparent material is disposed in the same transmission pattern as the light transmitting area P 3 , the transparent material may be disposed in a part of the light transmitting area P 3 . In the light transmitted through the light transmission region P 3 , phase inversion occurs, and an unnecessary pattern is formed on the wafer. Therefore, it is not possible to improve the light-shielding area N 3 resolution.

또, 패턴이 실제의 집적회로패턴과 같이 복잡한 경우, 상기한 바와같이, 투명재료의 배치에 제약이 생기기때문에, 투명재료의 패턴데이터를 자동적으로 작성하는 것은 곤란하다. 따라서, 종래는, 광의 위상 시프트수단을 구비한 마스크의 제조때, 투명재료의 패턴을 상기한 배치의 제약을 , 고려하면서 특별히 작성하지 않으면 안되었으므로, 마스크의 제조에 많은 시간과 노력을 필요로 하는 문제가 있다.In addition, when the pattern is as complicated as the actual integrated circuit pattern, as described above, since the arrangement of the transparent material is restricted, it is difficult to automatically generate the pattern data of the transparent material. Therefore, conventionally, when manufacturing a mask having a phase shifting means of light, a pattern of transparent material has to be prepared in particular while taking into consideration the constraints of the above arrangement, which requires a lot of time and effort for the manufacture of the mask. there is a problem.

한편, 광차폐영역에 개구패턴을 형성하고, 개구패턴을 투과한 광과 광투과영역을 투과한 광과의 사이에 위상차를 생기게 하는 특개소 62-67514호 공보의 기술에 있어서는, 상기 공보와 마찬가지로, 패턴이 집적회로패턴과 같이 복잡하고, 또한 미세한 경우, 개구패턴의 배치가 곤란해진다. 예컨대 광차폐영역의 패턴폭이 좁아지면, 개구패턴의 배치가 곤란해져 버리는 문제가 있다.On the other hand, in the technique of Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-67514, which forms an opening pattern in the light shielding area and creates a phase difference between the light passing through the opening pattern and the light passing through the light transmitting area, similarly to the above publication. When the pattern is complex and fine like an integrated circuit pattern, the arrangement of the opening pattern becomes difficult. For example, when the pattern width of the light shielding region is narrowed, there is a problem that arrangement of the opening pattern becomes difficult.

또, 이 종래 기술에 있어서는, 광투과영역의 미세화에 따라 발생하는 광투과영역의 코오너부분의 광강도가 저하하는 것에 대해서 충분한 고려가 되어지고 있지 않으며, 투영된 패턴상의 코오너부분이 둥근 상태를 띠고 마는 문제가 있다.Moreover, in this prior art, sufficient consideration has not been given to the decrease in the light intensity of the nose holder portion of the light transmission region generated due to the miniaturization of the light transmission region, and the nose holder portion on the projected pattern is rounded. There is a problem with wearing.

본 발명은 상기한 과제어 착안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 마스크에 형성된 패턴의 전사 정밀도를 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는데 있다.The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a technique capable of improving the transfer accuracy of a pattern formed on a mask.

본 발명의 다른 목적은, 광의 위상을 시프트시키는 수단을 갗춘 마스크의 제조시간을 단축시킬 수 있는기술을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a technique capable of shortening the manufacturing time of a mask provided with means for shifting the phase of light.

본 발명의 다른 목적은, 투영된 상의 각 변 뿐만 아니라, 각 코오너부분의 해상도도 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving not only the sides of the projected image but also the resolution of each coowner portion.

본 출된에 있어서, 개시되는 발명중, 대표적인 것의 개요를 간단히 실명하자면 이하와 같다.In the present invention, a brief summary of representative ones of the disclosed inventions is as follows.

즉, 제1의 발명은, 제1주면과 제2주면을 갖는 투명 마스크기판의 상기 제1주면상에 형성된 회로패턴을 집적회로가 형성되는 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 광학 투영노광장치에 의해 노광하는 집적회로장치의 제조방법에 있어서, 금속층으로 된 광차폐영역과, 제1광투과영역 및 상기 제1광투과영역과 경계를 접하는 제2광투과영역으로 이루어지는 상기 회로패턴을 갖는 상기 마스크기판을 상기 광학 투영노광장치의 소정의 부위에 얹어놓는 공정, 상기 포토레지스트막이 형성된 상기 집적회로 웨이퍼를 상기 광학 투영노광장치의 소정의 부위에 얹어놓는 공정, 상기 소정의 부위에 얹어놓은 상기 마스크기판에 소정의 파장을 갖는 노광광을 조사하고, 상기 제1광투과영역 및 상기 제2광투과영역의 에느 한쪽에 설치된 위상 시프트수만에 의해 상기 노광광중, 상기 제1광투과영역과 상기 제2광투과영역을 투과한 광의 위상이 상호 반전하도록하여 투과시키는 공정, 상기 마스크기판을 투과한 상기 노광광을 상기 광학 투영노광장치에 의해 집광하고, 상기 마스크기판상의 회로패턴의 실상을상기 제1광투과영역의 상기 제2광투과영역측에 있어서 상기 실상의 단부가 선명하게 되도록 상기 소정의 부위에 얹어놓은 상기 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 투영하고, 노광하는 공정으로 이루어져, 이것들에 의해 상기 마스크기판상의 회로패턴을 상기 집적회로 웨이퍼상에 상기 포토레지스트막의 패턴으로서 전사하는 집적회로장치의 제조방법과, 제1주면과 제2주면을 갖는투명 마스크기판과, 상기 아스크기판의 상기 제1주면상에 설치된 회로패턴을 가지며, 상기 회로패턴을 광학투영노광장치에 의해 소정의 파장을 갖는 노광광으로 노광하여 집적회로를 형성해야 할 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 상기 회로패턴의 실상을 결상하는 것에 의하여 상기 집적회로 웨이퍼상에 상기 마스크기판상의 회로패턴을 상기 포토레지스트막의 패턴으로 전사하기 위한 집적회로장치 제조를 위한 광학 마스크에 있어서, 상기 회로괘턴은 금속층으로 된 광차폐영역과, 제1광투과영역과, 상기 제1광투과영역과 경계를 접하는 제2광투과영역을 구비하며, 상기 마스크기판은 상기 제1광투과영역의 상기 제2광투과영역측에 있어서 상기 실상의 단부를 선명하게 하기 위해 상기 제1광투과영역에서 상기 마스크기판을 투과한 상기노광광의 위상과 비교하여 상기 제2광투과영역에서 상기 마스크판을 투과한 상기 노광광의 위상을 반전하기 위한 위상 시프트수단을 갖는 집적회로장치 제조를 위한 광학 마스크이다.That is, in the first invention, a circuit pattern formed on the first main surface of a transparent mask substrate having a first main surface and a second main surface is formed by an optical projection exposure apparatus on a photoresist film on an integrated circuit wafer on which an integrated circuit is formed. A method of manufacturing an integrated circuit device for exposing, the mask substrate having the circuit pattern comprising a light shielding area made of a metal layer, and a first light transmitting area and a second light transmitting area in contact with the first light transmitting area. To a predetermined portion of the optical projection exposure apparatus, a step of placing the integrated circuit wafer on which the photoresist film is formed on a predetermined portion of the optical projection exposure apparatus, and on the mask substrate placed on the predetermined portion. The exposure light having a predetermined wavelength is irradiated, and only by the number of phase shifts provided in one of the first light transmission region and the second light transmission region. Transmitting light by inverting the phases of the light transmitted through the first light transmission region and the second light transmission region among the exposure light, and collecting the exposure light transmitted through the mask substrate by the optical projection exposure apparatus. And onto the photoresist film on the integrated circuit wafer on which the actual image of the circuit pattern on the mask substrate is placed on the predetermined portion so that the end of the actual image on the second light transmission region side of the first light transmission region becomes clear. And a step of projecting and exposing, the method of manufacturing an integrated circuit device which transfers the circuit pattern on the mask substrate onto the integrated circuit wafer as a pattern of the photoresist film, thereby having a first main surface and a second main surface. A transparent mask substrate and a circuit pattern provided on the first main surface of the ASCII substrate, the circuit pattern being an optical projection exposure apparatus; The circuit pattern on the mask substrate is formed on the integrated circuit wafer by forming an image of the circuit pattern on the photoresist film on the integrated circuit wafer which is to be exposed to exposure light having a predetermined wavelength to form an integrated circuit. An optical mask for fabricating an integrated circuit device for transferring a pattern of a photoresist film, wherein the circuit turn includes a light shielding area made of a metal layer, a first light transmitting area, and a second contacting boundary with the first light transmitting area. And a light transmitting area, wherein the mask substrate transmits the mask substrate in the first light transmitting area so as to sharpen an end portion of the actual image on the second light transmitting area side of the first light transmitting area. Phase shift for inverting the phase of the exposure light transmitted through the mask plate in the second light transmission region compared with the phase of exposure light It is an optical mask for manufacturing an integrated circuit device having a means.

제2발명은, 위상 시프트수단의 패턴데이터를 설계데이터로부터 작성된 광차폐영역 또는 광투과영역의 실패턴데이터에 의거하여 자동적으로 작성하는 위상 시프트 마스크 제작방법이다.A second invention is a phase shift mask manufacturing method for automatically creating pattern data of phase shifting means based on failure turn data of a light shielding area or a light transmission area created from design data.

제3발명은, 제1주면과 제2주면을 갖는 투명 마스크기판과, 상기 마스크기만쪄 상기 제1주면측에 설치된 금속층으로 된 광차폐영역, 제1광투과영역 및 상기 제1광투과영역에 접하거나 근접하여 설치된, 그 투과광의 위상이 상기 제1광투과영역을 투과한 투과광의 위상과 비교하여 반전하도록 한 제2광투과영역을 포함하는 회로패턴을 가지며, 상기 회로패턴을 광학 투영노광장치에 의해 소정의 파장을 갖는 노광광으로 노광하여 집적회로를 형성해야 할 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 상기 제1 및 제2광투과영역을 투과한 각각의 투과광 사이의 상호간섭에 의하여 상기 회로패턴의 선명한 실상을 결상하는 것에 의하여 상기집적회로 웨이퍼상에 상기 마스크기판상의 회로패턴을 상기 포토레지스트막의 패턴으로 전사하는 위상 시프트 투영노광을 위한 광학 마스크 가공방법으로서, 마스크기판의 상기 제1주면측에서 소정의 개소에 집속이온비임을 작용시킴으로써 상기 제1주면측에 소정의 평면형상의 평탄한 저면을 갖는 오목(凹)부를 형성하는공정을 구비하는 위상 시프트 투영노광을 위한 광학 마스크 가공방법이다.A third aspect of the present invention provides a transparent mask substrate having a first main surface and a second main surface, and a light shielding region, a first light transmitting region, and the first light transmitting region, each of which comprises a metal layer provided on the first main surface side of the mask. A circuit pattern including a second light transmission region in contact with or adjacent to and inverted in phase with respect to a phase of the transmission light transmitted through the first light transmission region, wherein the circuit pattern is an optical projection exposure apparatus. The circuit pattern by mutual interference between respective transmitted light passing through the first and second light transmitting regions on a photoresist film on an integrated circuit wafer to be exposed to exposure light having a predetermined wavelength to form an integrated circuit. Phase shift projection exposure for transferring the circuit pattern on the mask substrate onto the pattern of the photoresist film on the integrated circuit wafer by forming a clear image of the film. An optical mask processing method for forming a concave portion having a predetermined planar flat bottom surface on a first main surface side by actuating a focusing ion beam at a predetermined position on the first main surface side of a mask substrate. An optical mask processing method for phase shift projection exposure.

제4의 발명은, 제1주면과 제2주면을 갖는 투명 마스크기판과, 상기 마스크기판의 상기 제1주면상에 설치된 금속층으로 된 광차폐영역, 제1광투과영역 및 상기 제1광투과영역에 접하거나 근접하여 설치된, 그투과광의 위상이 상기 제1광투과영역을 투과한 투과광의 위상과 비교하여 반전하도록 한 제2광투과영역을 포함하는 회로패턴을 갖는 광학 마스크의 상기 회로패턴을 광학 투영노광장치에 의해 소정의 파장을 갖는 노광광으로 노광하여 집적회로를 형성해야 할 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 상기 제1 및 제2광투과영역을 투과한 각각의 투과광 사이의 상호간섭에 의하여 상기 회로패턴의 선명한 실상을 결상하는 것에 의하여 상기 집적회로 웨이퍼상에 상기 마스크기판상의 회로패턴을 상기 포토레지스트막의 패턴으로 전사하는 집적회로장치의 제조방법으로서, 상기 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 결상되는 상기 제1광투과영역에 대응하는 실상중, 광의 간섭에 의하여 광량이 부족한 부분에 대응하는 마스크상의 상기 제1광투과영역의 대응하는 부분의 근방에 그 자체의 독럽된 실상을 결상하지 않는 정도로 작은 치수를 가지며, 그 투과광의 위상이 상기 제1광투과영역을 투과한 투과광과 동일하도록 한 동위상 보조투과영역을 설치하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 웨이퍼상에 마스크기판상의 회로패턴을 포토레지스트막의 패턴으로서 전사하는 집적회로장치의 제조방법과 그러한 동위상 보조투과영역이 설치되어 있는 광학 마스크이다.In a fourth aspect of the present invention, there is provided a transparent mask substrate having a first main surface and a second main surface, and a light shielding region, a first light transmitting region, and the first light transmitting region formed of a metal layer provided on the first main surface of the mask substrate. Optically converting the circuit pattern of the optical mask having a circuit pattern including a second light transmission region disposed in contact with or in proximity to the phase of the transmitted light so as to invert the phase of the transmitted light passing through the first light transmission region; By mutual interference between the respective transmitted light passing through the first and second light transmission regions to the photoresist film on the integrated circuit wafer to be exposed to the exposure light having a predetermined wavelength by the projection exposure apparatus to form an integrated circuit An integrated circuit for transferring the circuit pattern on the mask substrate onto the pattern of the photoresist film on the integrated circuit wafer by forming a clear image of the circuit pattern. A manufacturing method of an apparatus, comprising: correspondence of a first light transmission region on a mask corresponding to a portion where light quantity is insufficient due to interference of light in an actual image corresponding to the first light transmission region formed on a photoresist film on the integrated circuit wafer; It has a dimension small enough not to form its own isolated image in the vicinity of the portion, and the in-phase auxiliary transmission region is provided so that the phase of the transmitted light is the same as the transmitted light transmitted through the first light transmission region. A manufacturing method of an integrated circuit device for transferring a circuit pattern on a mask substrate as a pattern of a photoresist film on a wafer of an integrated circuit, and an optical mask provided with such an in-phase auxiliary transmissive region.

상기한 제1의 발명에 의하면, 노광시, 각각 제1광투과영역과 이것에 경계를 접하는 제2광투과영역으로이루어지는 광투과영역에 있어서, 제1광투과영역과 제2광투과영역 에느 한쪽에 구비된 위상 시프트수만을 투과한 광과, 이것이 형성되어 있지 않은 영역을 투과한 광이, 상기 제1광투과영역의 상기 제2광투과영역측에 있어서 약해져 합치도록 상호간섭하므로써, 웨이퍼상의 포토레지스트막에 투영된 마스크 회로패턴의 실상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시킬 수 있다.According to the first invention described above, in the light transmission area which consists of a 1st light transmission area | region and the 2nd light transmission area which contact | connects a boundary at the time of exposure, either one of a 1st light transmission area | region and a 2nd light transmission area | region The photo on the wafer by interfering with each other so that the light transmitted through only the number of phase shifts provided in the light and the light transmitted through the region where it is not formed weaken and merge on the second light transmission region side of the first light transmission region. The blur of the contour portion of the actual image of the mask circuit pattern projected on the resist film is reduced, the contrast of the projected image is greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved.

특히, 본 발명의 경우, 하나의 광투과영역내의 서로 경계를 접하는 제1광투과영역과 제2광투과영역에서 위상차를 생기게 하기 때문에, 마스크상의 패턴이 복잡하더라도, 제26도에 나타낸 바와같은 경우에도 위상시프트수단의 배치에 제약이 생기지 않도록 할 수도 있다. 또, 광차폐영역의 패턴폭이 좁아져 제15도 또는제21도에 도시하는 보조개구가 배치될 수 없는 경우에도, 위상 시프트수만쪄 배치가 곤란해지는 일은 없다.In particular, in the case of the present invention, since the phase difference occurs between the first light transmission region and the second light transmission region in contact with each other in one light transmission region, even if the pattern on the mask is complicated, as shown in FIG. In addition, it is also possible to prevent restrictions on the arrangement of the phase shift means. Further, even when the pattern width of the light shielding region is narrowed and the auxiliary opening shown in FIG. 15 or 21 cannot be arranged, it is not difficult to arrange only the number of phase shifts.

상기한 제2의 발명에 의하면, 설계데이터와의 대응관계가 명확한 실(實:위상 인자를 포함하지 않는다는뜻) 패턴데이터를 설계데이터로부터 작성한 다음, 얻어진 실패턴데이터에서 시프트막 패턴데이터를 자동작성하는 것이 가능하므로 광의 위상 시프트수만을 갖는 마스크의 제조시간을 대폭적으로 단축시킬 수 있다.According to the second invention described above, real pattern data having a clear correspondence with design data is created from the design data, and then shift film pattern data is automatically generated from the obtained fail turn data. Since it is possible to do this, the manufacturing time of a mask having only the number of phase shifts of light can be significantly shortened.

제 3 발명에 의하면, 마스크의 투명기판의 표면부분을 집속이온비임(Focused Ion Beam)에 의하여 절삭하므로써 수직인 측벽을 가지며, 평탄한 저면을 갖는 위상 시프트 오목[凹)부를 형성시킬 수 있으므로 위상시프트의 효과를 최대로 이끌어낼 수 있다. 또한, 부가적인 포토레지스탄공정을 사용하지 않고 위상 시프트오목(凹)부를 집속이온비임에 의해 마스크의 패턴데이터를 이용하여 직접 주사하므로써 패턴닝할 수도 있으므로 위상 시프트 마스크의 제조과정을 용이하게 할 수도 있다.According to the third aspect of the present invention, the surface portion of the transparent substrate of the mask is cut by a focused ion beam, so that a phase shift concave portion having a vertical sidewall and having a flat bottom surface can be formed. It can bring out the maximum effect. In addition, since the phase shift concave portion can be patterned directly by using the pattern data of the mask by the focused ion beam without using an additional photoresist process, the manufacturing process of the phase shift mask can be facilitated. have.

상기한 제4의 발명에 의하면, 위상 시프트 노광에 있어 예컨대 광투마영역의 코오너부분과 같이 광의 간섭에 의하여 광량이 부족한 부분의 근방에 동위상 보조투과영역을 설치하므로써, 상기 광투과영역의 코오너부분의 광강도가 증가하기 때문에, 각 변의 해상도 뿐만 아니라, 코오너부분과 같이 광량이 부족한 부분의 해상도도 향상되어 위상 시프트의 효과를 저해하지 않고 광투과영역의 노광시의 변형을 최소한도로 저감하는 것이 가능해진다.According to the fourth aspect of the present invention, in the phase shift exposure, the nose of the light transmission region is provided by providing an in-phase auxiliary transmission region in the vicinity of a portion where light quantity is insufficient due to light interference, such as a nose owner portion of the light transmission region. As the light intensity of the owner portion is increased, not only the resolution of each side but also the resolution of the portion with insufficient light, such as the coowner portion, is improved, so that deformation during exposure of the light transmissive region is minimized without impairing the effect of phase shift. It becomes possible.

[실시예 1]Example 1

제1도는 본 발명의 일실시예인 마스크의 요부 단면도, 제2도(a)-(c)는 이 마스크의 제조공정을 나타낸 마스크의 요부 단면도, 제3도(a)는 제1도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제3도(b)-(d)는 이 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.FIG. 1 is a sectional view showing main parts of an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2C are sectional views of main parts showing a mask manufacturing process, and FIG. 3A is a mask shown in FIG. Fig. 3 (b)-(d) is an explanatory diagram showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region of this mask.

제1도에 나타낸 본 실시예 1의 마스크(la)는, 예컨대 반도체 집적회로장치의 소정의 제조공정에서 사용되는 레티클(reticle)이다. 그리고, 본 실시예 1의 마스크(la)에는, 예컹대 실제치수의 5배의 집적회로패턴의 원화가 형성되어 있다.The mask la of the first embodiment shown in FIG. 1 is a reticle used in a predetermined manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, for example. In the mask la of the first embodiment, an original circuit pattern of an integrated circuit pattern five times larger than the actual size is formed.

마스크(la)를 구성하는 투명한 마스크기판(이하, 간만하게 기판이라 함) (2)은 예컨대 굴절율 1.47의 합성석영유리 등으로 이루어지며 제1주면과 제2주면을 갖는다. 기판(2)의 제1주면위에는, 예컨대 두께 500-3000Å 정도의 금속층(3)이 소정의 형상으로 패턴 형성되어 있다.The transparent mask substrate (hereinafter simply referred to as substrate) constituting the mask la is made of, for example, synthetic quartz glass having a refractive index of 1.47, and has a first main surface and a second main surface. On the first main surface of the substrate 2, for example, a metal layer 3 having a thickness of about 500-3000 mm is patterned in a predetermined shape.

금속층(3)은, 예컨대 Cr 막으로 구성되어 있으며, 노광시에는, 광차폐영역(A)으로 된다. 그리고, 금속층(3)은, Cr 층의 상층에 산화크롬을 적층한 적층구조로 하여도 좋다.The metal layer 3 is comprised with Cr film, for example, and becomes light shielding area A at the time of exposure. The metal layer 3 may have a laminated structure in which chromium oxide is laminated on the Cr layer.

또, 금속층(3)이 제거되어 있는 부분은, 노광시에 광투과영역(B)으로 된다. 그리고, 마스크(la)상에 형성된 집적회로패턴의 원화는, 광차폐영역(A)과 광투과영역(B)에 의해서 구성되어 있다.In addition, the part from which the metal layer 3 is removed becomes the light transmission area B at the time of exposure. The original circuit pattern formed on the mask la is constituted by the light shielding area A and the light transmitting area B. FIG.

제1도에는 상기 마스크(la)의 회로패턴이 광차폐영역(A)과 광투과영역(B)으로 대별되어 나타내져 있을뿐만 아니라, 제 1 광차폐영역 (Al), 제 2 광차폐영역 (A2), 제 1 의 1 광투과영역 (B'1), 제 1 의 2 광투과영역 (B'2), 제 2 의 1 광투과영역(B" 1), 제 2 의 2 광투과영역(B" 2), 제 2 의 3 광투과영역(B" 3)으로 세분되어 나타내져 있다. 이하에서는 그 세영역에 의한 작용은 동일하므로 광차폐영역(A), 제1광투과영역(B'), 제2광투과영역(B" )과 같이 첨자에 의한 구분없이 설명한다.In FIG. 1, not only the circuit pattern of the mask la is divided into the light shielding area A and the light transmitting area B, but also the first light shielding area Al and the second light shielding area ( A2), the first first light transmission region B'1, the first second light transmission region B'2, the second first light transmission region B "1, and the second second light transmission region ( B ″ 2) and the second three light transmissive areas B ″ 3. The operations by the three areas are the same below, so the light shielding area A and the first light transmissive area B 'are shown. ) And the second light transmission region B ″ will be described without division by subscript.

본 실시예 1의 마스크(1a)에 있어서는, 상기한 금속층(3)의 패턴폭 보다 약간 폭넓게 패턴형성된 투명막(4a)이 그 일부를 금속층(3)의 윤곽부에서 광투과영역(B)에 삐어져나오게 한 상태로 마스크(la)상에 배치되어 있다. 따라서, 하나의 광투과영역(B)은, 투명막(4a)에 피복된 제2 광투과영역(B" )과, 투명막(4a)에 피복되어 있지 않은 제1광투과영역(B')으로써 구성되어 있다.In the mask 1a of the first embodiment, a transparent film 4a patterned slightly wider than the pattern width of the metal layer 3 is partially transferred to the light transmission region B at the contour of the metal layer 3. It is arrange | positioned on the mask la in the protruding state. Therefore, one light transmission region B includes the second light transmission region B ″ coated on the transparent film 4a and the first light transmission region B 'not covered with the transparent film 4a. It consists of.

투명막(4a)은, 예컨대 산화인듐(InOx)으로 된다. 투명막(4a)의 재료에는, 투과율이 기판(2)에 대해서 충분히 높고(적에도 90% 이상 필요), 또한 기판(2)과의 접착성이 높은 재료가 선택되고 있다. 투명막(4a)의 제2광투과영역(B" )으로 삐어져나온 부분의 폭은, 예컨대 광투과영역(B)의 패턴폭을 2μm 정도로 하면,0.5μm 정도이다. 투명막(4a)은, 투명막(4a)의 기판(2)의 제1주면으로부터의 두께를 X1, 투명막(4a)의 굴절울을 nl, 노광시에 조사되는 광의 파장을 λ로 하면, X1=λ/[2(n1-1)]익 관계를 만족하도록 형성되어 있다. 이것은 노광시, 하나의 광투과영역(B)을 투과한 광증, 제2광투과영역(B" )의 투명막(4a)을 투과한 광과, 제1광투과영역(B')인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차를 생기게 하기 위함이다. 예컨대 노광시에 조사되는 팡의 파장 λ을 0.365μmG서)γ 투명마14a)의 굴절율 n1을 1.5로 한 경우에는, 투명막(4a)의 기판(2)의 제1주면으로부터의 두께 X1는 0.37μm 정도로 하면 좋다. 그리고, 도시하지 않았으나, 마스크(la)에는 예컨대 투명막(4a)을 형성할때, 금속층(3)과의 위치맞춤을 하기 위한 위치맞춤마아크가 형성되어 있다.The transparent film 4a is made of, for example, indium oxide (InOx). As the material of the transparent film 4a, a material having a sufficiently high transmittance with respect to the substrate 2 (at least 90% or more) and a high adhesiveness with the substrate 2 is selected. The width of the portion protruding into the second light transmission region B ″ of the transparent film 4a is about 0.5 μm, for example, when the pattern width of the light transmission region B is about 2 μm. When the thickness from the first main surface of the substrate 2 of the transparent film 4a is X 1 , the refraction of the transparent film 4a is nl, and the wavelength of light irradiated at the time of exposure is λ, X 1 = λ / It is formed so as to satisfy the [2 (n 1 -1)] blade relationship, which is a photomembrane transmitted through one light transmission region B during the exposure, and a transparent film 4a of the second light transmission region B ″. This is to create a phase difference of 180 degrees between the light transmitted through the light and the light transmitted through the normal light transmission region B, which is the first light transmission region B '. For example, when the wavelength λ of the Pang irradiated at the time of exposure is 0.365 μmG and the refractive index n 1 of the γ transparent hemp 14a) is 1.5, the thickness X1 from the first main surface of the substrate 2 of the transparent film 4a is What is necessary is about 0.37 micrometer. Although not shown, in the mask la, for example, when forming the transparent film 4a, an alignment mark for aligning with the metal layer 3 is formed.

다음에, 본 실시예 1의 마스크(la)의 제조방법을 제2도(a)-(c)에 의해 설명한다.Next, the manufacturing method of the mask la of Example 1 is demonstrated by FIG.2 (a)-(c).

먼저, 합성 석영유리 등으로 된 투명한 기판(2)의 표면을 연마, 세정(洗淨)한 후, 제2도(a)에 나타낸 것처럼, 그 제1주면상에, 예컨대 두께 500-3000Å 정도의 Cr 등으로 된 금속층(3)을 스퍼터링법(spatteringmethod) 등에 의해 형성한다. 이어서, 이 금속층(3)의 상면에, 예컨대 [1 4-0.8μm의 포토레지스트(이하, 레지스트라 함)(5a)를 도포한다. 계속해서, 레지스트(5a)를 프리베이크(prfbake)한 후, 도시하지 않는 자기데이프 등에 미리 코오드화된 반도체 집적회로장치의 집적회로패턴 데이터에 의거하여 전자선 노광방식 등에 의해 레지스트(5a)의 소정부분에 전자선(E)을 조사한다. 그리고, 집적회로패턴 데이터에는, 패턴의 위치좌표나 형상 등이 기록되어 있다.First, the surface of the transparent substrate 2 made of synthetic quartz glass or the like is polished and cleaned, and then, as shown in FIG. 2A, on the first main surface thereof, for example, having a thickness of about 500-3000 mm. The metal layer 3 made of Cr or the like is formed by a sputtering method or the like. Subsequently, a photoresist (hereinafter referred to as a resist) 5a of [1 4-0.8 μm] is applied to the upper surface of the metal layer 3, for example. Subsequently, after prebakeing the resist 5a, the predetermined portion of the resist 5a is subjected to electron beam exposure or the like based on the integrated circuit pattern data of a semiconductor integrated circuit device previously coded for a magnetic tape (not shown). Irradiate the electron beam (E). In the integrated circuit pattern data, the position coordinates and the shape of the pattern are recorded.

이어서, 제2도(b)에 나타낸 것처럼, 예컨대 레지스트(5a)의 노광부분을 소정의 현상액에 의해 제거한 후, 노출한 금속층(3)을 도라이에칭법 등에 의해 에칭제거하여 소정의 형상으로 패턴형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, after exposing the exposed portion of the resist 5a with a predetermined developer, the exposed metal layer 3 is etched away by a Torai etching method or the like to form a pattern in a predetermined shape. do.

계속해서, 레지스트(5a)를 레지스트 박리액에 의해 제거하고, 기판(2)을 세정, 검사한 후, 제2도(c)에 나타낸 것처럼, 기판(2)의 제1주면상에 산화인듐(InOx) 등으로 된 투명막(4a)을 스퍼터링법 등에 의해 피착한다. 이때, 투명막(4a)의 기판(2)의 제1주면으로부터의 두께 X1은, 예켄대 0.37μm 정도이다.Subsequently, the resist 5a is removed with a resist stripping solution, and the substrate 2 is washed and inspected. Then, as shown in FIG. 2C, indium oxide ( The transparent film 4a made of InOx) or the like is deposited by the sputtering method or the like. At this time, the thickness from the first major surface of the substrate 2 in the transparent film (4a), X 1 is an example kendae 0.37μm approximately.

그후, 투명막(4a)의 상면에, 예컨대 0.4-0.8μm의 레지스트(5b)를 도크하고, 다시 그 상면에, 예컨대 두께 0.05μm의 알루미늄(Al)으로 된 대전방지층(6)을 스퍼터링법 등에 의해 형성한다.Thereafter, for example, a resist 5b of 0.4-0.8 µm is docked on the upper surface of the transparent film 4a, and the antistatic layer 6 made of aluminum (Al) having a thickness of 0.05 µm, for example, is sputtered or the like. By forming.

이어서, 투명막(4a)의 패턴데이터에 의거하여 전자선 노광방식 등에 의해 레지스트(5b)에 투명막(4a)의 패턴을 전사한다.Next, the pattern of the transparent film 4a is transferred to the resist 5b by the electron beam exposure method etc. based on the pattern data of the transparent film 4a.

투명막(4a)의 패턴데이터는, 상기한 집적회로 패턴데이터의 광차폐영역(A) 또는 광투과영역(B)의 패턴폭을 확대 또는 축소하여 자동적으로 작성한다. 예컨대 본 실시예 1에 있어서는, 광차폐영역(A)의 패턴폭을, 예컨대 0.5-2 0μm 정도 굵게하므로써, 투명막(4a)의 패턴데이터를 자동적으로 작성하도록 되어 있다.The pattern data of the transparent film 4a is automatically created by enlarging or reducing the pattern width of the light shielding area A or the light transmitting area B of the integrated circuit pattern data. For example, in Example 1, the pattern data of the light shielding area A is made thick, for example, about 0.5-2 0 m, so that the pattern data of the transparent film 4a is automatically created.

그후, 현상, 투명막(4a)의 소정부분의 에칭, 레지스트(5b)의 제거, 다시 세정, 검사등의 공정을 거쳐, 제1도에 나타낸 마스크(la)가 제조된다.Thereafter, the mask la shown in FIG. 1 is manufactured through processes such as development, etching of a predetermined portion of the transparent film 4a, removal of the resist 5b, washing again, and inspection.

이와 같이 해서 제조된 마스크(la)를 사용하여 레지스트가 도포된 웨이퍼상에 마스크(la)상의 집적회로패턴을 전사하여 집적회로장치를 제조하자면, 예컨대 이하와 같이 한다.To fabricate the integrated circuit device by transferring the integrated circuit pattern on the mask la onto the wafer on which the resist is applied using the mask la manufactured in this way, for example, the following is performed.

즉, 도시하지 않는 축소투영노광장치에 마스크(la) 및 웨이퍼를 각각 배치하여, 마스크(la)에 소정의 파장을 갖는 노광광을 조사하여 제1광투과영역(B')과 위상 시프트 투명막(4a)이 설치된 제2광투과영역(Bμ )을 투과한 광의 위상이 상호 반전하도록 투과시키고, 투과한 노광광을 집광하여 마스크(1a)상의 집적회로패턴의 원화가 광학적으로 1/5로 축소되게 웨이퍼상에 투영함과 함께1 웨이퍼를 순차적으로 스템상으로 이동시킬때마다, 투영노광을 반복하므로써, 마스크(la)상의 집적회로패턴 을 집적회로 웨이퍼상의 레지스트막에 전사하여 집적회로장치를 제조한다.That is, the mask la and the wafer are respectively disposed in a reduction projection exposure apparatus (not shown), and the exposure light having a predetermined wavelength is irradiated to the mask la to thereby expose the first light transmission region B 'and the phase shift transparent film. The phases of the light transmitted through the second light transmission region Bμ provided with (4a) are transmitted so as to reverse each other, and the transmitted exposure light is collected so that the originalization of the integrated circuit pattern on the mask 1a is optically reduced to 1/5. Each time the wafer is projected onto the wafer and the wafer is sequentially moved onto the stem, the projection exposure is repeated so that the integrated circuit pattern on the mask la is transferred to the resist film on the integrated circuit wafer to manufacture the integrated circuit device. .

다음에, 본 실시예 1의 작용을 제3도(a)-(d)에 따라 설명한다.Next, the operation of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.

제3도(a)에 나타낸 본 실시예 1의 마스크(la)에 있어서는, 마스크(la]상에 형성된 소정의 집적회로패턴의 원화를 축소투영노광법 등에 의해 웨이퍼상의 레지스트막에 전사할때, 마스크(la) 각각의 광투과영역(B)에 있어서, 제2광투과영역(B" )의 투명막(4a)을 투과한 광과, 제1광투과영역(B)인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차가 생긴다(제3도(b),(c)).In the mask la of the first embodiment shown in Fig. 3A, when the original image of a predetermined integrated circuit pattern formed on the mask la is transferred to a resist film on a wafer by a reduction projection exposure method or the like, In the light transmissive region B of each of the masks la, the light transmitted through the transparent film 4a of the second light transmissive region B ″, and the normal light transmissive region which is the first light transmissive region B The phase difference of 180 degrees arises with the light which permeate | transmitted (B) (FIG. 3 (b), (c)).

여기서, 동일한 광투과영역(B)을 투과한 서로가 반대위상의 투과광은, 제2광투과영역(B" )의 투명막(4a)이 광투과영역(B)의 주번에 배치되어 있기 때문에, 광투과영역(B)과 랑차폐영역(A)과의 경계부에서 약해져 합쳐진다. 따라서, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도가 대폭으로 향상한다(제3도(d)). 그리고, 광강도는, 광의 진폭의 제곱으로 되기 때문에, 웨이퍼상에 있어서의 광의 진폭의 부측(negativeside)의 파형은, 제3도(d)에 나타낸것처럼 정측(positive side)으로 반전된다.Here, in the transmitted light having the opposite phases transmitted through the same light transmissive region B, the transparent film 4a of the second light transmissive region B ″ is disposed at the main time of the light transmissive region B, It is weakened and merged at the boundary between the light transmission area B and the trench shielding area A. Therefore, the blur of the contour portion of the image projected on the wafer is reduced, the contrast of the projection image is greatly improved, and the resolution and depth of focus are increased. Significantly improves (Fig. 3 (d)), and since the light intensity becomes the square of the amplitude of the light, the waveform of the negative side of the amplitude of the light on the wafer is shown in Fig. 3d. Inverted to the positive side as shown.

이와 같이 본 실시예 1에 의하면, 이하의 효과를 얻는 것이 가능해진다.As described above, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 노광에 즈음해서, 각각의 광투과영역(B)을 투과한 광중, 제2광투과영역(Bμ )의 투명막(4a)를 투과한 광과, 투명막(4a)이 없는 제1광투과영역(B')을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차가 생기고, 이들의광이 광차폐영역(A)과 광투과영역(B)과의 경계부에 있어서 약해져 합치도록 하므로써, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐을 저감시키는 것이 가능해진다. 이 결과, 투영상의 콘트라스트를 대폭으로 개선할수가 있으며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해지다.(1) The light which permeate | transmitted the transparent film | membrane 4a of the 2nd light transmissive area | region B (micro) of the light which permeate | transmitted each light transmission area | region B on exposure, and the 1st without transparent film 4a A phase difference of 180 degrees occurs between the light passing through the light transmission region B 'and the light is weakened and merged at the boundary between the light shielding region A and the light transmission region B, thereby forming a wafer shape. It becomes possible to reduce the blurring of the contour portion of the image projected on the surface. As a result, the contrast in the projection can be greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved.

(2) 상기 (1)에 의해, 노광여유를 넓게하는 것이 가능해진다.(2) By said (1), it becomes possible to widen exposure margin.

(3) 하나의 광투과영역(B)의 내부에서 위상차를 생기게 하기 때문에. 마스크(la)상의 패턴이 복잡하더라도, 투명막(4a)의 배치에 제약이 생기는 일은 없다. 또, 광차폐영역(A)의 패턴폭이 좁더라도 투명막(4a)의배치가 곤란해지는 일은 없다. 이 결과, 마스크(la)상에 형성된 패턴이, 집적회로패턴과 같이 복잡하며, 또한 미세하더라도, 부분적으로 패턴전사 정밀도가 저하하는 일이 없고, 마스크(la)상에 형성된 패턴전체의 전사 정밀도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.(3) Because a phase difference is generated inside one light transmission region B. FIG. Even if the pattern on the mask la is complicated, the arrangement of the transparent film 4a is not restricted. Moreover, even if the pattern width of the light shielding area A is narrow, arrangement | positioning of the transparent film 4a does not become difficult. As a result, even if the pattern formed on the mask la is as complex and fine as an integrated circuit pattern, the pattern transfer accuracy does not deteriorate partially, and the transfer accuracy of the entire pattern formed on the mask la is reduced. It is possible to greatly improve.

(4) 투명막(4a)의 패턴데이터를 광차폐영역(A) 또는 광투과영역(B)의 패턴데이터에 의거하여 자동적으로 작성하므로써, 투명막(4a)의 패턴데이터를 단시간에서, 또한 용이하게 작성할 수 있기 때문에, 위상 시프트 마스크의 제조시간을 대폭으로 단축시키는 것이 가능해진다.(4) By automatically creating the pattern data of the transparent film 4a based on the pattern data of the light shielding area A or the light transmitting area B, the pattern data of the transparent film 4a can be produced in a short time and easily. In this case, the manufacturing time of the phase shift mask can be significantly shortened.

[실시예 2]Example 2

제4도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도, 제5도(a)는 제4도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제5도(b)-(d)는 제4도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.4 is a cross-sectional view showing main parts of a mask according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 (a) is a cross-sectional view showing an exposure state of the mask shown in FIG. 4, and FIGS. 5 (b)-(d) are shown in FIG. It is explanatory drawing which shows the amplitude and intensity of the light which permeate | transmitted the light transmission area | region of a mask.

제4도에는 본 실시예 2의 마스크(lb)의 회로패턴이 광차폐영역(A)고- 광투과영역(B)으로 대별되어 나타내져 있을 뿐만 아니라, 제1광차폐영역(Al), 제2광차폐영역(A2), 제 1의 1 광투과영역(B'1), 제1의 2 광투과영역(B'2), 제2의 1 광투과영역(B" 1), 제2의 2 광투과영역(B" 2), 제2의 3 광투과영역(B" 3)으로 세분되어 나타내져 있다. 이하에서는 그 세영역에 의한 작용은 동일하므로 광차폐영역(A), 제1광투과영역(B'), 제2광투과영역(B" )과 같이 첨자에 의한 구분없이 설명한다. 제4도에 나타낸 본 실시예 2의 마스크(lb)에서는 투명막(4b)이 제1광투과영역(B')인 광투과영역(B)의 중앙부근에 배치되어 있다.In FIG. 4, the circuit pattern of the mask lb of the second embodiment is roughly shown as the light shielding area A and the high light transmitting area B, as well as the first light shielding area Al and the first light shielding area Al. 2nd light shielding area A2, 1st light transmission area | region B'1, 1st 2nd light transmission area | region B'2, 2nd 1st light transmission area | region B "1, 2nd It is shown in subdivided into 2 light transmission areas B "2 and 2nd light transmission area B" 3. Hereinafter, since the action | action by these three areas is the same, the light shielding area A and the 1st light are shown. Like the transmissive area B 'and the second light transmissive area B ", the description will be made without subscripts. In the mask lb of the second embodiment shown in FIG. 4, the transparent film 4b is disposed near the center of the light transmission region B, which is the first light transmission region B '.

이 경우에 있어서도, 투명막(4b)을, 그 두께 X1가 X1=λ/[2(n1-1) 의 관계를 만족할 수 있도록, 기판(2) 위에 형성하므로써, 제5도(a)-(d)로 나타낸 것처럼, 마스크(lb)으 각각의 광투과영역(B,B)에 있어서, 제1광투과영역(B')의 투명막(4b)을 투과한 광과, 제2광투과영역(B'' )인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 l80도의 위상차가 생기고(제5도(b),(c)), 이들의 광이 광투과영역(B)과 그것에 인접하는 광차폐영역(A,A)과의 경계부분에서 약해져 합쳐짐으로써, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐을 저감하는 것이 가능해진다. 이 결과, 투영상의 콘트라스트를 대폭으로 개선칼 수가 있으며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다(제5도(d)).Also in this case, the transparent film 4b is formed on the substrate 2 so that the thickness X 1 can satisfy the relationship of X 1 = λ / [2 (n 1 -1). As shown by)-(d), the light transmitted through the transparent film 4b of the first light transmission region B 'in the light transmission regions B and B of the mask lb, and the second A phase difference of l80 degrees occurs between the light passing through the normal light transmission area B, which is the light transmission area B '' (FIG. 5 (b) and (c)), and the light is transmitted to the light transmission area. By weakening and merging at the boundary portion between (B) and the light shielding areas A and A adjacent thereto, it becomes possible to reduce the blurring of the contour portion of the image projected on the wafer. As a result, the contrast of the projected image can be greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved (FIG. 5 (d)).

또, 이런 경우, 투명막(4b)의 패턴데이터는, 예컨대 집적회로패턴의 도지티브 패턴데이터를 네가티브데이터로 반전시켜 얻어진 광투과영역(B)의 패턴을 소정치수 폭만큼 좁게 하므로써 자동적으로 작성할 수 있다.In this case, the pattern data of the transparent film 4b can be automatically generated, for example, by narrowing the pattern of the light transmission region B obtained by inverting the positive pattern data of the integrated circuit pattern into negative data by a predetermined width. have.

따라서, 본 실시예 2에 의하면, 전기한 실시예 1과 마찬가지의 효과를 얻는 것이 가능해진다.Therefore, according to the second embodiment, it is possible to obtain the same effect as in the above-described first embodiment.

[실시예 3]Example 3

제6도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도, 제7도는 제6도에 나타낸 마스크의 요부 평면도, 제8도는 이 마스크의 제조에 사용되는 집속이온비임장치의 구성도, 시9도(a), (b)는 이 마스크의 제조공정을 나타낸 마스크의 요부 단면도, 제10도는 위상 시프트 오목(凹)부의 패턴데이터의 작성순서를 나타낸흐름도, 제11도(a)는 제6도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제1l도(b)-(d)는 제6도에 나타낸 마스크의 투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.FIG. 6 is a sectional view of principal parts of a mask which is another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a plan view of main parts of the mask shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a block diagram of a focused ion beam apparatus used for manufacturing the mask, and FIG. and (b) are sectional views of the principal parts of the mask showing the manufacturing process of this mask, FIG. 10 is a flow chart showing the procedure for creating the pattern data of the phase shift recessed portion, and FIG. 11 (a) is a mask shown in FIG. 11 (b)-(d) are explanatory views showing the amplitude and intensity of light transmitted through the transmission region of the mask shown in FIG.

이하, 본 실시예 3의 마스크를 제6도 및 제7도에 의해 설명한다. 그리고, 제7도의 사선은 광차폐영역(A)을 나타내고 있다.Hereinafter, the mask of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. Incidentally, the oblique line in FIG. 7 represents the light shielding area A. FIG.

제6도에는 본 실시예 3의 마스크(1c)의 회로패턴이 광차폐영역(A)과 광투과영역(B)으로 대별되어 나타내져 있을 뿐만 아니라, 제1광차폐영역(Al), 제2광차폐영역(A2), 제1의 1 광투과영역(B'1), 제1의 2 광투과영역(Bγ2), 제2의 1 광투과영역(B"1), 제2의 2 광투과영역(B" 2). 제2의 3 광투과영역(B" 3)으로 세분되어 나타내져 있다. 이하에서는 그 세영역에 의한 작용은 동일하므로 광차폐영역(A), 제1광투과영역(B'), 제2광투과영역(B" )과 같이 첨자에 의한 구분없이 설명한다.In FIG. 6, the circuit pattern of the mask 1c of the third embodiment is shown roughly divided into the light shielding area A and the light transmitting area B, as well as the first light shielding area Al and the second. Light shielding area A2, first light transmission area B'1, second light transmission area Bγ2, second light transmission area B "1, second light transmission area Area B ″ 2. It is shown in subdivided into the second three light transmission areas B "3. In the following, since the action by the three areas is the same, the light shielding area A, the first light transmission area B ', and the second light are shown. Like the transmission area B ", it demonstrates without division by a subscript.

본 실시예 3의 마스크(1c)에 있어서는, 노광할때에 광투과영역(B)의 제1광투과영역(B')과 제2광투과영역(B" )을 투과한 광사이에 위상차를 생기게 하는 수단으로서, 전기한 실시예 1의 투명막(4a) 대신 위상시프트 오목(凹)부(7a)가 기판(2)의 제1주면에 형성되어 있다.In the mask 1c of the third embodiment, a phase difference is generated between light transmitted through the first light transmission region B 'and the second light transmission region B "of the light transmission region B during exposure. As a means for producing, the phase shift concave portion 7a is formed on the first main surface of the substrate 2 instead of the transparent film 4a of the first embodiment described above.

위상 시프트 오목(凹)부(7a)는 광투과영역(B)의 제2광투과영역(B'' )인 주변에 배치되어 있다. 즉, 위상시프트 오목(凹)부(7a)는, 금속층(3)의 윤곽부에 따라서 배치되어 있다. 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 폭은, 예컨대 광투과영역(B)의 패턴폭을 2.0μm 비율로 하면, 0.5μm 정도이다. 그리고, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)는, 그 깊이를 d, 기판(2)의 굴절율을 n2, 노광시 조사되는 광의 파장을 ,{로 하면, d=λ/[2(n2-1)]의 관계를 만족하도록 형성되어 있다. 이는 노광할때, 각각의 광투과영역(B)을 광투과한 광중, 제2광투과영역(B")의 위상 시프트 오목(凹)부(7a)를 투과한 광의 위상과, 제1광투과영역(B')인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광의 위상과의 사이에 180도의 위상차를 생기게 하기 위함이다. 예컨대 노광시 조사되는 광의 파장 λ를0.365μm으로 한 경우에는, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 깊이(d)는 0.39μm 정도로 하면 좋다. 그리고, 도시하지는 않았으나 마스크(1c)에는, 예컨대 위상 시프트 오목(凹)부17a)를 형성할때에 금속층(3)과의 위치맞춤하기 위한 위치맞춤 마아크가 형성되어 있다.The phase shift recessed part 7a is arrange | positioned in the periphery which is the 2nd light transmission area B "of the light transmission area B. As shown in FIG. That is, the phase shift recessed part 7a is arrange | positioned according to the outline part of the metal layer 3. The width of the phase shift concave portion 7a is about 0.5 µm, for example, when the pattern width of the light transmission region B is 2.0 µm. The phase shift concave portion 7a is d = λ / [2 (n 2 when the depth is d, the refractive index of the substrate 2 is n 2 , and the wavelength of light irradiated during exposure is { -1)]. This is because, during exposure, the phase of the light transmitted through the phase shift concave portion 7a of the second light transmission region B ″ and the first light transmission of the light transmitted through each light transmission region B. FIG. This is to cause a phase difference of 180 degrees between the phase of the light transmitted through the normal light transmission region B, which is the region B ', for example, when the wavelength? Of the light irradiated at the time of exposure is set to 0.365 µm. The depth d of the concave portion 7a may be about 0.39 μm, and although not illustrated, the metal layer 3 is formed in the mask 1c when the phase shift concave portion 17a is formed, for example. An alignment mark is formed to align with the.

다음에, 이 마스크(lc)의 제조에 사용되는 집속이온비임장치(8)를 제8도 에 의해 설명한다.Next, the focusing ion beam apparatus 8 used for manufacturing this mask lc is demonstrated by FIG.

장치본체의 상부에 설치된 이온원(9)의 내부에는, 도시하지 않았으나, 예컨대 갈륨(Ga) 등의 용융액체 금속 등이 수용되고 있다. 이온원(9)의 아래쪽에는, 인출전극(10)이 설치되어 있으며, 그 아래쪽에는 정전렌즈에 의해 구성된 제1렌즈전극(1la) 및 제1개구(aperLure)전극(12a)이 설이되어 있다. 개구전극(12a)의 아래쪽에는, 제 2 렌즈전극(1lb), 저12 개구전극(12b), 비임조사의 ON,OFF를 제어하는 블랭킹(blanking)전극(13), 또한 제3개구전극(12c) 및 편향전극(14)이 설치되어 있다.Although not shown, a molten liquid metal such as gallium (Ga) or the like is housed inside the ion source 9 provided on the upper part of the apparatus body. An extraction electrode 10 is provided below the ion source 9, and below it, a first lens electrode 1la and a first aperture electrode 12a constituted by an electrostatic lens are provided. Below the opening electrode 12a, a second lens electrode 1lb, a low 12 opening electrode 12b, a blanking electrode 13 for controlling ON / OFF of the beam irradiation, and a third opening electrode 12c ) And a deflection electrode 14 are provided.

이와 같은 각 전극의 구성에 의해서, 이온원(9)에서 방출된 이온비임은, 상기한 블랭킹전극(13) 및 편향전극(14)에 의해서 제어되며, 유지기(15)에 유지되는 패턴형성전의 마스크(1I、)에 조사되도록 되어 있다. 그리고, 이온비임은, 그 주사할때에, 예컨대 0.02×0.02μm의 픽셀단위마다에, 비임조사기간 및 주사회수를 미리설정하므로써, 금속층(3) 또는 기판(2)을 에칭 가공할 수 있다.By the configuration of each electrode as described above, the ion beam emitted from the ion source 9 is controlled by the blanking electrode 13 and the deflection electrode 14 described above, before the pattern formation held by the retainer 15. The mask 1I is irradiated. In the scanning of the ion beam, the metal layer 3 or the substrate 2 can be etched by presetting the beam irradiation period and the number of main spins at pixel units of, for example, 0.02 × 0.02 μm.

유지기(Holder)(15)는, X, Y 방향으로 이동가능한 시료대(16) 위에 설치되어 있으며, 시료대(16)는, 옆부분에 설치된 레이저 거울(17)을 통하여 레이저 간섭계(18)에 의해 그 위치 인식이 행하여지며, 시료대 구동모우터(19)에 의해서 그 위치맞춤이 행하여지도록 되어 있다. 그리고, 유지기(15)의 위쪽에는, 2차 이온ㆍ2차 전자검출기(20)가 설치되어 있으며, 피가공물로부터의 2차 이온 및 2차 전자의 발생을 검출할 수 있도록되어 있다. 또, 상기한 2차 이온ㆍ2차 전자검출기(20)의 위쪽에는, 전자 샤우어 방사부(21)가 설치되어 있으며, 피가공물의 대전을 방지할 수 있도록 되어 있다.The holder 15 is provided on the sample stand 16 which is movable in the X and Y directions, and the sample stand 16 is a laser interferometer 18 through a laser mirror 17 provided at the side. The position recognition is carried out by means of the position, and the position alignment is performed by the sample stage drive motor 19. The secondary ion / secondary electron detector 20 is provided above the holder 15 so as to detect the generation of secondary ions and secondary electrons from the workpiece. In addition, an electron shower radiator 21 is provided above the secondary ion secondary detector 20 so as to prevent charging of the workpiece.

이상과 같이 설명한 처리계 내부는, 도면중, 상기한 시료대(16)의 아래쪽에 나타낸 진공펌프(22)에 의해서 진공상태가 유지되는 구소로 되어 있다. 또, 상기한 각 처리계는, 장치본체의 외부에 설치된 각 제어부(23)-(27)에 의해서 그 작동이 제어되고 있으며, 각 제어부(23)-(27)는, 다시 각 인터페이스부(28)-(32)를 거쳐서 제어컴퓨터(33)에 의해서 제어되는 구조로 되어 있다. 제어컴퓨터(33)는, 터미널(34), 데이터를기록하는 자기디스크장치(35) 및 MT 데크(deck)(36)를 구비하고 있다.The inside of the processing system described above is a structure in which the vacuum state is maintained by the vacuum pump 22 shown below the sample stage 16 in the drawing. In addition, the operation of each of the processing systems described above is controlled by the control units 23-27 provided outside the apparatus main body, and the control units 23-27 are each interface unit 28. It is structured to be controlled by the control computer 33 via) -32. The control computer 33 includes a terminal 34, a magnetic disk device 35 for recording data, and an MT deck 36.

다음에, 본 실시예 3의 마스크(1c)의 제조방법을 제8도, 제9도(a),(l)) 및 제10도에 의해 설명한다.Next, the manufacturing method of the mask 1c of Example 3 is demonstrated by FIG. 8, FIG. 9 (a), (l)), and FIG.

먼저, 제9도(a)에 나타낸 것처럼, 연마, 세정한 기판(2)의 제1주면에, 예컨대l 500-3000A의 금속층(3)을 스퍼터링법 등에 의해 형성한 후, 마스크(1c)를 집속이온비임장치(8)의 유지기(15)에 유지한다.First, as shown in Fig. 9 (a), the metal layer 3 of l 500-3000A is formed on the first main surface of the polished and cleaned substrate 2, for example, by sputtering or the like, and then the mask 1c is formed. The holder 15 of the focusing ion beam device 8 is held.

이어서, 이온원(9)에서 이온비임을 방출하고, 이 이온비임을 상기 각 전극에 의해, 예컨대 0.5μm의 비임지름에 집적한다. 이때,1 5μA 정도의 이온비임 전류가 얻어진다. 그리고, 이 집적한 이온비임을 미리 MT데크(36)의 자기데이프에 기록된 집적회로패턴의 패턴데이터에 의거하여 금속층(3)의 소정부분에 조사하고, 금속층(3)을 에칭한다. 이때, 픽셸당의 조사시간은, 예컨대 3×10-6초, 비임의 주사회수는, 30회 정도이다. 이와 같이 하여, 제9도(b)에 나타낸 것처럼, 금속층(3)을 패턴형성한다. 그리고, 금속층(3)의 패턴형성은, 전기한 실시예 1과 같이 전자선 노광법 등에 의해서 행해질 수 있다.Subsequently, an ion beam is released from the ion source 9, and the ion beam is integrated into the beam diameter of, for example, 0.5 mu m by the above electrodes. At this time, an ion beam current of about 15 µA is obtained. Then, the integrated ion beam is irradiated to a predetermined portion of the metal layer 3 on the basis of the pattern data of the integrated circuit pattern recorded in the magnetic tape of the MT deck 36 in advance, and the metal layer 3 is etched. At this time, the irradiation time per pixel is, for example, 3 × 10 −6 seconds and the number of heads of the beam is about 30 times. In this manner, as shown in FIG. 9B, the metal layer 3 is patterned. And the pattern formation of the metal layer 3 can be performed by the electron beam exposure method etc. like Example 1 mentioned above.

그후, 마스크(1c)에 형성된 도시하지 않은 위치맞춤 마아크에 소정량의 이온비임을 조사하고, 발생한 2차전자를 2차 이온ㆍ2차 전자검출기(20)에 의해 검출하여, 그 검출데이터에 의해 위치맞춤 마아크의 위치과표를 산출한다.Subsequently, a predetermined amount of ion beam is irradiated to the alignment mark (not shown) formed on the mask 1c, and the generated secondary electrons are detected by the secondary ion / secondary electron detector 20, and the detected data Calculate the position and table of the alignment mark.

그리고, 산출된 위치맞춤 마아크의 위치과표를 기본으로, 이온비임이 익상 시프트 오목(凹)부(7a)를 형성하는 위치에 조사되도륵, 시료대(16)를 이동한다.And based on the calculated position and table of the alignment mark, even if an ion beam is irradiated to the position which forms the blade shift recessed part 7a, the sample stage 16 is moved.

이어서, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 패턴데이터에 의거하여, 금속층(3)의 윤곽부에 따라서, 금속층(3)의 패턴형성에 의해 노출한 기판(2)의 제1주면에 이온비임을 조사하고, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)(제6도)를 형성한다. 이때, 집속이온비임에 의하면, 위상 시프트 오목(凹)부t7a)의 깊이, 폭등을 용이하게, 또한 정밀도를 가지고 설정할 수 있다.Subsequently, based on the pattern data of the phase shift concave portion 7a, ions are applied to the first main surface of the substrate 2 exposed by the pattern formation of the metal layer 3 along the contour portion of the metal layer 3. A beam is irradiated and the phase shift recessed part 7a (FIG. 6) is formed. At this time, according to the focused ion ratio, the depth, the width | variety, etc. of phase shift recessed part t7a can be set easily and with precision.

위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 패턴데이터는, 광차폐영역(A)(또는 굉투과영역(B)의 패턴데이더와, 광차폐영역(A)(또는 광투과영역(B))의 패턴을 확대 또는 축소하여 얻어진 패턴데이터를 논리연산하므로써 작성한다.The pattern data of the phase shift concave portion 7a includes the light shielding area A (or the pattern data of the very transparent area B and the light shielding area A) (or the light transmitting area B). The pattern data obtained by enlarging or reducing the pattern of "

예컨대 제10도에 나타낸 것처럼, 먼저, LSI 회로 설계공정(스텝 101a), CAD 디자인 네이터공정(10lb), 논리합공정(101c)에 의해서 집척회로 패턴데이터를 작성한 후, 사이징공정(102)에서, 광차폐영역(A)의 패턴폭을 소정치수만큼 굵게 한 패턴의 데이터를 작성한다. 동시에, 리버스톤(reverse tone)공정(103)에서, 집적회로패턴의 패턴데이터를 포지티브데이터를 네거티브로 반전하여 광투과영역(B)의 패턴의 데이터를 작성한다. 그리고, 이들의 패턴데이터의 논리곱(AND)을 취함(104)으로써 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 패턴데이터를 자동적으로 작성한다(105).For example, as shown in FIG. 10, first, the collecting circuit pattern data is generated by the LSI circuit design process (step 101a), the CAD design neator process (10lb), and the logical sum process 101c, and then, in the sizing process 102, Data of a pattern in which the pattern width of the shielding area A is made thick by a predetermined dimension is created. At the same time, in the reverse tone step 103, the pattern data of the integrated circuit pattern is inverted from the positive data to negative to create data of the pattern of the light transmission region B. FIG. Then, by taking the AND of these pattern data (104), the pattern data of the phase shift concave portion 7a is automatically generated (105).

다음에, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)를 형성한 후, 마스크(lc)에 형시된 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 저면을, 예컨대 프레온(CF4)계의 가스 플라즈마에 의해, 드라이에칭하여 평탄화한다. 이와 같이 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 저면을 평탄화하므로써, 이 오목(凹)부를 투과하는 광의 위상의 조작성을 향상시키는것이 가능해진다. 그리고, 도라이에칭 처리할때에는, 프레온계의 가스를, 예컨대 0.lTorr로 강압된 플라즈마 드라이에칭 처리실내에 20scc/min 공급한다.Next, after the phase shift concave portion 7a is formed, the bottom surface of the phase shift concave portion 7a formed in the mask lc is, for example, a gas plasma of a Freon CF 4 system. By dry etching. By flattening the bottom face of the phase shift concave portion 7a in this manner, it becomes possible to improve the operability of the phase of the light passing through the concave portion. At the time of the Torai etching process, 20 scc / min is supplied to the plasma dry etching process chamber pressurized to 0.1 Torr, for example, a freon gas.

이와 같이 해서 제6도 및 제7도에 나타낸 마스크(1c)가 제조된다.In this way, the mask 1c shown in FIG. 6 and FIG. 7 is manufactured.

다음에, 본 실시예 3의 마스크(1c)의 작용을 제11도(a)-(d)에 의해 설명한다.Next, the operation of the mask 1c of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 11A to 11D.

제11도(a)에 나타낸 마스크(1c)상의 소정의 집적회로패턴의 원화를 축소투영노광법 등에 의해 전사할때, 마스크(1c)의 각각의 광투과영역(B)에 있어서, 제2광투과영역(B" )의 위상 시프트 오목(凹)부(7a)를 투과한 광과, 제1광투과영역(Br)인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에는 180도의 위상차가 생긴다(제11도(b),(c)).When transferring the original image of the predetermined integrated circuit pattern on the mask 1c shown in FIG. 11 (a) by the reduction projection exposure method or the like, in each light transmission area B of the mask 1c, the second light 180 degrees between the light transmitted through the phase shift concave portion 7a of the transmission region B ″ and the light transmitted through the normal light transmission region B which is the first light transmission region Br. The phase difference occurs (Figs. 11 (b) and (c)).

여기서, 동일한 광투과영역(B)을 투과한 서로가 반대위상인 제1광투과영역(B)과 제2광투과영역(B" )의 투과광은, 제2광투과영역(B" )의 위상 시프트 오목(凹)부(7a)가 마스크(1c)상의 광투과영역(B)의 주변에 배치되어 있기 때문에, 광투과영역(B)과 광차폐영역(A)과의 경계부에서 약해져 합친다. 따라서, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도가 대폭으로 향상한다(제11도(d)). 그리고, 광강도는 광의 진폭의 제곱으로 되기 패문에, 웨이퍼상에있어서의 광진폭의 부측의 파형은, 제11도(d)에 나타낸 것처럼 정측으로 반전된다.Here, the transmitted light of the first light transmission region B and the second light transmission region B ″ having opposite phases having passed through the same light transmission region B has a phase of the second light transmission region B ″. Since the shift concave portion 7a is disposed around the light transmission region B on the mask 1c, the shift concave portion 7a is weakened at the boundary between the light transmission region B and the light shielding region A and merges. Therefore, the blur of the contour portion of the image projected on the wafer is reduced, the contrast of the projected image is greatly improved, and the resolution and the depth of focus are greatly improved (Fig. 11 (d)). Since the light intensity is equal to the square of the amplitude of the light, the waveform on the negative side of the optical amplitude on the wafer is reversed to the positive side as shown in Fig. 11 (d).

이와 같이 본 실시예 3에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the third embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 노광할때, 각각의 광투과영역(B)을 투과한 광중, 제2광투과영역{B" )의 위상 시프트 오목(凹)부(7a)를 투과한 광과, 제1광투과영역(B')인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차가 생기고, 이들 광이 광차폐영역(A)과 광투과영역(B)과의 경계부분에서 약해져서 합치도록 하므로써, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐을 저감시키는 것이 가능해진다. 이 결과, 투영상의 콘트라스트를 대폭으로 개선할 수가 있으며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.(1) During exposure, light transmitted through the phase shift concave portion 7a of the second light transmission region B ″ of light transmitted through each light transmission region B, and first light transmission. A phase difference of 180 degrees occurs between the light passing through the normal light transmissive region B, which is the region B ', and these lights are weakened at the boundary between the light shielding region A and the light transmissive region B. By combining, it becomes possible to reduce the blurring of the contour portion of the image projected on the wafer, and as a result, the contrast of the projected image can be greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved.

(2) 상기 (1)에 의해, 노광여유를 넓게 하는 것이 가능해진다.(2) By said (1), it becomes possible to widen exposure margin.

(3) 하나의 광투과영역(B)의 내부에서 위상차를 생기도록 하기 때문에, 마스크(1C)상의 패턴이 복잡하더라도, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 배치에 제약은 생기지 않는다. 또, 광차폐영역(A)의 패턴폭이 좁더라도 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 배치가 곤란해지는 일도 없다. 이 결과, 마스크(1c)상에 형성된 패턴이,집적회로패턴과 같이, 복잡하며, 또한 미세하더라도, 부분적으로 패턴전사 정밀도가 저하하는 일이 없고, 마스크(1c)상에 형성된 패턴전체의 전사 정밀도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.(3) Since the phase difference is generated inside one light transmission region B, even if the pattern on the mask 1C is complicated, no restriction is placed on the arrangement of the phase shift concave portion 7a. Moreover, even if the pattern width of the light shielding area A is narrow, arrangement | positioning of the phase shift recessed part 7a does not become difficult. As a result, even if the pattern formed on the mask 1c is complex and fine, like the integrated circuit pattern, the pattern transfer accuracy of the entire pattern formed on the mask 1c is not deteriorated. Can be greatly improved.

(4) 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 패턴대이터를 광차폐영역(A) 묘.는 광투과영역(B)의 패턴데이터에의거하여 자동적으로 작성하므로써, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 패터데이터를 용이하게 작성할 수가 있으며, 또한 그 작성시간을 대폭으로 단축하는 것이 가능해진다.(4) The phase shift recess is formed by automatically creating the pattern data of the phase shift recess 7a based on the pattern data of the light transmission region B. The pattern data of the section 7a can be easily created, and the creation time can be greatly shortened.

(5) 광의 위상 시프트수단을 전기한 실시예 1,2의 투명막 대신에 위상 시프트 오목(凹)부(7a)로 하므로써, 마스크(1c)의 제조시 투명막의 형성공정을 필요로 하지 않는다.(5) By setting the phase shift concave portion 7a in place of the transparent films of Examples 1 and 2 in which the phase shifting means of light are described above, the step of forming the transparent film during the manufacture of the mask 1c is not required.

(6) 상기한 (4) 및 (5)에 덧붙여서, 금속층(3)을 집속이온비임에 의래서 패턴닝할때, 위상 시프트 오목(凹)부(7a)가 함께 형성될 수 있으므로, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다도 마스크의 제조과정을 용이하게 할 수가 있으며, 또한 그 제조시간을 대폭으로 단축시키는 것이 가능해진다.(6) In addition to the above (4) and (5), when the metal layer 3 is patterned by the focusing ion beam, the phase shift concave portion 7a may be formed together, so that the phase of light The manufacturing process of the mask can be made easier than the mask using the transparent film as the shifting means, and the manufacturing time can be significantly shortened.

(7) 위상 시프트 마스크의 제조과정을 용이하게 하는 것이 가능해지기 때문에, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다는 외관결함이나 이물질의 부착 혹은 손인(causeofdanmge) 등을 대폭으로 저감하는 것이 가능해진다.(7) Since the manufacturing process of the phase shift mask can be facilitated, it is possible to significantly reduce the appearance defects, the adhesion of foreign matters or the cause of defects rather than the mask using the transparent film as the phase shift means of light.

(8) 위상 시프트 오목(凹)부(7a)의 경우, 위상 시프트용의 투명막처럼 마스크 제조후의 조사광이나 노광광에 의해, 예컨대 막질이 열화하거나, 투과율이 열화하거나, 혹은 기판(2)과의 접착성이 열화하거나 하는일은 없다.(8) In the case of the phase shift concave portion 7a, the film quality deteriorates, the transmittance deteriorates, or the substrate 2, for example, by irradiation light or exposure light after mask manufacture, like the transparent film for phase shift. There is no deterioration in adhesiveness with the resin.

(9) 상기 (8)에 의해, 광의 위상 시므트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다도 마스크 수명을 향상시키는 것이 가능해진다.(9) By (8), it becomes possible to improve a mask life rather than the mask which used the transparent film as a phase shift means of light.

(10) 상기한 (8)에 의해, 광의 위상 시므트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다도 광의 위상 조작 정밀도를 장기에 걸쳐서 유지하는 것이 가능해진다.(10) According to the above (8), it is possible to maintain the phase manipulation accuracy of the light for a longer period than the mask using the transparent film as the phase simulating means of the light.

(11) 위상 시므트 오목(凹)부(7a)의 경우, 광의 위상 시므트수단으로서 투명막을 사용한 경우와 같은 막질이나 투과율 혹은 접착성의 열화, 및 막의 박리등을 고려할 필요가 없기 때문에, 마스크(1c)에 대해서 고온증에 있어서의 오존 황산세정이나 고압수 스크라블(scrabble)세정 등의 처리를 시행하는 것이 가능해진다.(11) In the case of the phase shim concave portion 7a, since it is not necessary to consider the film quality, transmittance or deterioration of adhesiveness, and peeling of the film as in the case of using a transparent film as the phase shim means of light, the mask ( For 1c), it is possible to perform treatments such as washing with ozone sulfuric acid and washing with high-pressure water scrubble at high temperature.

(12) 상기한 (11)에 의해, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용안 마스크 보다도 이물(異物)의 제거처리를 양호하게 행하는 것이 가능해진다.(12) According to the above (11), it is possible to perform the removal processing of foreign matters more favorably than the mask using no transparent film as the phase shift means of light.

[실시예 4]Example 4

제12도는 본 발명의 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도, 제l3도(a)는 제12도에 나타낸 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제13도(b)-(d)는 제12도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.FIG. 12 is a sectional view of principal parts of another embodiment of the present invention, FIG. 13A is a sectional view showing the exposure state of the mask shown in FIG. 12, and FIGS. 13B-D are shown in FIG. It is explanatory drawing which shows the amplitude and intensity of the light which permeate | transmitted the light transmission area | region of a mask.

제12도에는 실시예 4의 마스크(ld)의 회로패턴이 광차폐영역(A)과 광-투과영역(B)으로 대별되어 나타내져 있을 뿐만 아니라, 제1광차폐영역(Al), 제2광차폐영역(A2), 제1의 1 광투과영역(B'1), 제1의 2 광투과영역(B'2), 제2의 1 광투과영역(B" 1), 제2의 2 광투과영역(B" 2), 제2의 3 광투과영역(B" 3)으로 세분되어 나타내져 있다. 이하에서는 그 세영역에 의한 작용은 동일하므로 광차폐영역(A), 제1광투과영역(B'), 제2광투과영역(B" )와 같이 첨자에 의한 구분없이 설명한다. 제12도에 나타낸 본 실시예 4의 마스크(ld)에서는 위상 시프트 오목(凹)부(市)가 제1광투과영역(B')인 광투과영역(B)의 중앙부근에 배치되고 있다.In FIG. 12, not only the circuit pattern of the mask ld of Example 4 is divided into the light shielding area A and the light-transmitting area B but also the first light shielding area Al and the second. Light shielding area A2, first light transmission area B'1, second light transmission area B'2, second light transmission area B '1, second 2 The light transmitting area B ″ 2 and the second three light transmitting areas B ″ 3 are shown in detail. Hereinafter, since the operation of the three areas is the same, the light shielding area A and the first light transmitting area are shown. Like the area B 'and the second light transmissive area B ", the description will be made without subtraction. In the mask ld of the fourth embodiment shown in FIG. 12, the phase shift concave portion is disposed near the center of the light transmission region B which is the first light transmission region B '.

이 경우에 있어서도, 위상 시므트 오목(凹)부(市)를, 그 깊이 d가, d=[2(n2-1)]의 관계를 만족하도록 기판(2)에 형성하므로써, 제13도(a)-(d)에서 나타낸 것처럼, 마스크(ld) 각각의 광투과영역(B,B)에 있어서, 제1광투과영역(B')의 위상 시프트 오목(凹)부(孔)를 투과한 광과 제2광투과영역(B" )인 통상의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차가 생기고(제13도(b),[c)), 이들의 광이 광투과영역(B)와 그것에 인접한 광차폐영역(A,A)과의 경계부분에 있어서 약해져 합치함으로써, 웨이퍼상에 투영되는 상의윤곽부의 흐려짐을 저감하는 것이 가능해진다. 이 결과, 투명상의 콘트라스트를 대폭으로 개선할 수가 있으며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다(제13도(d)).Also in this case, the depth of the phase shim concave portion is d = By forming in the substrate 2 so as to satisfy the relation of [2 (n 2 -1)], as shown in FIGS. 13A to 13D, the light transmission regions B and B of each mask ld are shown. WHEREIN: The light which permeate | transmitted the phase shift recessed part of the 1st light transmission area | region B ', and the light which permeate | transmitted the normal light transmission area | region B which is 2nd light transmission area | region B "are transmitted. A phase difference of 180 degrees occurs between the light beams (Figs. 13 (b) and (c)), and their light is weakened at the boundary between the light transmitting area B and the light shielding areas A and A adjacent thereto. By matching, it becomes possible to reduce the blur of the outline of the image projected on the wafer, and as a result, the contrast of the transparent image can be greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved (FIG. 13 ( d)).

또, 이 경우, 위상 시프트 오목(凹)부(市)의 패턴데이터는, 예컨대 집적회로패턴의 패턴데이터를 포지티브에서 네가티브로 반전시켜서 얻어진 광투과영역(B)의 패턴을 소정치수 폭만콤 좁히므로써 자동적으로 작성할 수 있다.In this case, the pattern data of the phase shift concave portion narrows the pattern of the light transmission area B obtained by inverting the pattern data of the integrated circuit pattern from positive to negative, for example, by narrowing the width by a predetermined dimension only. You can write it automatically.

따라서, 본 실시예 4에 의하면, 전기한 실시예 3과 마찬가지의 효과를 얻는 것이 가능해진다.Therefore, according to the fourth embodiment, the same effect as in the above-described third embodiment can be obtained.

[실시예 5]Example 5

제14도는 본 발명의 또 다른 실시예인 마스크의 요부 단면도, 제15도는 제14도에 나타낸 마스크의 요부 평면도, 제16도는 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴데이터 작성예를 설명하기 위한 마스크의 요부평면도, 제17도는 제16도에 나타낸 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴데이터의 작성순서를 나타낸 흐름도, 제18도(a)-(i)는 제16도에 나타낸 오목(凹)부 및 동위상 보조투과영역의 패턴의 작성공정에 있어서의 패턴형상을 나타낸 설명도, 제19도(a)는 제14도 및 제15도의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제19도(b)-(d)는 제14도 및 제15도에 나타낸 마스크의 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.FIG. 14 is a sectional view showing the main parts of the mask, which is another embodiment of the present invention, FIG. 15 is a plan view of the main parts of the mask shown in FIG. 14, and FIG. 16 is a view for explaining an example of pattern data creation of the concave portion and the in-phase auxiliary transmission area. The principal plane view of the mask, FIG. 17 is a flowchart showing the procedure for creating the pattern data of the concave portion and in-phase auxiliary transmission region shown in FIG. 16, and FIGS. 18 (a)-(i) are shown in FIG. Explanatory drawing which shows the pattern shape in the process of creating the pattern of a recessed part and an in-phase auxiliary permeation | transmission area | region, FIG. 19 (a) is sectional drawing which shows the exposure state of the mask of FIG. 14 and FIG. 15, FIG. (B)-(d) are explanatory drawing which showed the amplitude and intensity of the light which permeate | transmitted the light transmission area | region of the mask shown to FIG. 14 and FIG.

이하, 본 실시예 5의 마스크(le)를 제14도 및 제15도에 의해 설명한다.Hereinafter, the mask le of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 14 and 15.

본 실시예 5의 마스크(le)에 있어서는, 광차폐영역(A)을 구성하는 금속층(3)에, 그 상면에서 기판(2)의 제1주면에 도달하는 오목(凹)부(37)가 복수군데 형성되어 있다(이 오목(凹)부(37)가 형성된 영역이 본 실시예 5와 실시예 6에서 제2광투과영역이다).In the mask le of the fifth embodiment, the concave portion 37 reaching the first main surface of the substrate 2 from the upper surface of the metal layer 3 constituting the light shielding area A is provided. It is formed in multiple places (the area | region in which this recessed part 37 was formed is a 2nd light transmission area | region in this Example 5 and Example 6).

오목(凹)부(37)는, 제15도에 나타낸 것처럼, 사각형의 광투과영역(B,B)(온 실시예 5와 실시예 6에서 하나의 광투과영역(B) 전체가 제1광투과영역이다)을 둘러싸는 것처럼, 광투과영역(B)의 각 변에 따라서 평행으로 배치되어 있다. 오목(凹)부(37)의 폭은, 예컨대 0.5μm 정도이다.As shown in Fig. 15, the concave portion 37 has the rectangular light transmission areas B and B (the entire light transmission area B is the first light in the fifth embodiment and the sixth embodiment). It is arrange | positioned in parallel along each edge | side of the light transmission area | region B, so that it may surround. The width | variety of the recessed part 37 is about 0.5 micrometer, for example.

오목(凹)부(37)의 상부에는, 예컨대 굴절율이 1.5의 산화인듐(InOx) 등으로 된 투명막(4c)이 설치되어 있다.In the upper portion of the concave portion 37, a transparent film 4c made of, for example, indium oxide (InOx) having a refractive index of 1.5 or the like is provided.

마스크(le)는, 투명막(4c)에 의해서, 노광시에 제2광투과영역의 투명막(4c) 및 오목(凹)부(37)를 투과한광과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 위상차가 생기는 구조로 되어 있다.The mask le transmits the light transmitted through the transparent film 4c and the concave portion 37 of the second light transmission region at the time of exposure by the transparent film 4c, and the light transmission as the first light transmission region. The phase difference is generated between the light transmitted through the region B.

투명막(4c)은, 투명막(4c)의 기판(2)의 제1주면으로부터의 두께를 X2로 하면, 전기한 실시예 1과 마찬가지로, X2=λ/[2(nl-1)]의 관계를 만족하도록 형성되어 있다. 이것은, 노광할때, 마스크(le)에 조사된 광중, 제2광투과영역의 투명막(4c) 및 오목(凹)부(37)를 투과한 광의 위상과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광의 위상과의 사이에 180도의 위상차를 생기게 하기 위한 것이다. 예컨대 노광시에 조사되는 광의 파장 λ를 0.365μm(i선)로 한 켱우에는, 투명막(4c)의 기판(2)의 제1주면으로부더의 두께 X2는,0.37μm 정도로 하면 좋다.A transparent film (4c) is, when the thickness from the first major surface of the substrate 2 in the transparent film (4c) to X 2, similarly to the embodiment 1, electric, X 2 = λ / [2 (nl-1) ] Is formed to satisfy the relationship. This is because, during exposure, the phase of the light transmitted through the transparent film 4c and the concave portion 37 of the second light transmission region and the light transmission as the first light transmission region among the light irradiated to the mask le. This is for producing a phase difference of 180 degrees between the phase of the light transmitted through the region B. FIG. For example, when the wavelength λ of the light irradiated at the time of exposure is 0.365 μm (i line), the thickness X 2 of the substrate to the first main surface of the substrate 2 of the transparent film 4c may be about 0.37 μm.

다시금, 본 실시예 5에 있어서는, 제15도에 나타낸 것처럼 사각형의 광투과영역(B)의 네코오너에 예컨대0.5×0.5μm의 치수를 갗는 사각형의 동위상 보조투과영역(C)이 설치되어 있다. 이것은, 마스크(le)상에 직각으로 형성된 집적회로패턴의 네코오너가, 집적회로패턴의 미세화에 따라, 현상후에 웨이퍼상에 둥근 상태로 되는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 집적회로패턴에 있어서, 광강도가 제일 저하하기 쉽고, 비뜰어짐이크게 되어버리는 네코오너에, 동위상 보조투과영역(C)을 설치하므로써, 네코오너부근의 광강도를 증가시켜서 투영상을 보정하고 있다. 그리고, 도시하지 않았으나, 마스크(le)에는, 예컨대 오목(凹)부(37)나 투명막(4c)를 형성할때, 그들과 금속층(3)과의 위치맞춤을 하기 위한 위치맞춤 마크가 형성되어 있다.Again, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 15, a rectangular in-phase auxiliary transmission region C having a size of 0.5 x 0.5 탆, for example, is provided in the neko owner of the rectangular light transmission region B. FIG. . This is to prevent the neco owner of the integrated circuit pattern formed at right angles on the mask le from becoming round on the wafer after development as the integrated circuit pattern becomes finer. That is, in the integrated circuit pattern, the projected image is increased by increasing the light intensity near the neko owner by providing the in-phase auxiliary transmissive region C in the neko owner where the light intensity tends to be the lowest and the blurring becomes large. Correcting. Although not shown, in the mask le, for example, when forming the concave portion 37 or the transparent film 4c, alignment marks for aligning them with the metal layer 3 are formed. It is.

이와 같은 마스크(le)를 제조하자면, 예컨대 다음과 같이 한다.To manufacture such a mask le, for example, as follows.

즉, 먼저, 연마, 세정한 기판(2)의 제1주면에, 예컨대 500-3000Å 정도의 금속층(3)을 스퍼터링법 등에의해 형성한 후, 이것을 전기한 실시예 3에서 설명한 집속이온비임장치(8)의 유지기(15)에 유지한다.That is, first, a metal ion layer 3 of about 500-3000 kPa is formed on the first main surface of the polished and cleaned substrate 2 by sputtering or the like. It holds in the holder 15 of 8).

이어서, 미리 데크(36)의 자기데이프에 기록되어 있는 집적회로패턴에 으거하여, 기판(2)의 제1주면상의 금속층(3)을 집속이온비임에 의해 패턴형성한다.Subsequently, the metal layer 3 on the first main surface of the substrate 2 is patterned by the focusing ion beam, based on the integrated circuit pattern previously recorded on the magnetic tape of the deck 36.

그후, 마찬가지로 MT 데크(36)의 자기데이프에 미리 기록되어 있는 오목(凹)부(37) 및 동위상 보조투과영역(C)의 패턴데이터에 의거하여, 기판(2)의 제1주면상의 금속층(3)에 집속이온비임을 조사하고, 금속층(3)에 오목(凹)부(37)를 형성한다.Thereafter, the metal layer on the first main surface of the substrate 2 is similarly based on the concave portion 37 and the pattern data of the in-phase auxiliary transmission region C previously recorded on the magnetic tape of the MT deck 36. The converging ion beam is irradiated to (3), and the concave portion 37 is formed in the metal layer 3.

오목(凹)부(37) 및 동위상 보조투과영역(C)의 패턴데이터는, 후술하는 바와 같이, 사각형의 광투과영역(B)에 대한 배치규칙을 설경해두는 것에 의해서, 자동적으로 작성되도록 되어 있다.The pattern data of the concave portion 37 and the in-phase auxiliary transmission region C is automatically created by setting the arrangement rules for the rectangular light transmission region B as described later. It is.

그리고, 집적회로패턴의 패턴데이터와 오목(凹)부(37) 및 동위상 보조투과영역(C)의 패턴데이터에 의거하여 투명막(4c)의 패턴데이터를 작성하고, 이것에 의거하여 투명막(4c) 릴 마스크(1e) 위에 전기한 실시예 1과 마찬가지로 하여 형성한다.And based on the pattern data of the integrated circuit pattern, the pattern data of the recessed part 37, and the in-phase auxiliary permeation | transmission area | region C, the pattern data of the transparent film 4c is created, and based on this, the transparent film (4c) It is formed in the same manner as in Example 1 described above on the reel mask 1e.

여기서, 제16도에 나타낸 것처럼 집적회로패턴을 예로 하여, 그것에 형성된 오목(凹)부(37) 및 동위상 보조투과영역(C)의 패턴데이터의 작성방법을 제17도의 흐름도에 따라서, 제18도(a)-(i)를 사용하여 설명한다. 그리고, 제16도에는, 도면을 보기 쉽도록 하기 위해, 투명막(4c)은 도시하지 않는다. 또, 제18도(a)-(i)의 사선은 각 공정에서 작성된 패턴을 나타내고 있다.Here, as shown in FIG. 16, a method of creating the pattern data of the concave portion 37 and the in-phase auxiliary transmission region C formed therein, taking the integrated circuit pattern as an example, according to the flowchart of FIG. It demonstrates using FIG. (A)-(i). In addition, in FIG. 16, the transparent film 4c is not shown in order to make drawing easy to see. Incidentally, the oblique lines in FIGS. 18A to 18I show the patterns created in the respective steps.

먼저, LSI 회로설계공정, CAD 디자인 데이터공정, 논리합공정에 의해서, 제18도(a)에 나타낸 것처럼 광투과영역(B)의 패턴(38)의 데이더를 작성한다(스텝 10la-101c).First, the data of the pattern 38 of the light transmission region B is created by the LSI circuit design process, the CAD design data process, and the logical sum process (steps 10la-101c).

계속해서, 사이징 1의 공정에 의해, 제18도(b)에 나타낸 것처럼, 광투과영역(B)의 패턴폭을, 예컨대 2.0μm 정도 굵게한 패턴(39)을 작성한다(102a).Subsequently, as shown in Fig. 18B, a pattern 39 in which the pattern width of the light transmissive region B is thickened, for example, about 2.0 μm is created by the step of sizing 1 (102a).

동시에, 사이징 2의 공정에 의해, 제18도(c)에 나타낸 것처럼, 광투과영역(B)의 패턴폭을, 예컨대 1.0μm굵게한 패턴(40)을 작성한다(102b).At the same time, by the process of sizing 2, as shown in FIG. 18C, the pattern 40 in which the pattern width of the light transmission region B is 1.0 μm thick, for example, is created (102b).

이어서, 코오너 클리핑(comer clipping)공정에 의해, 제18도(d)에 나타낸 것처럼, 패턴(39)의 코오너부분만을 추출한 패턴(41)의 데이터를 작성한 후(103a), 작성된 패턴(41)의 데이터를 리버스튼공정에 의해 포지티보로부터 네가티브로 반전시켜서, 제18도(e)에 나타낸, 패턴(42)의 데이터를 작성한다(104a).Subsequently, as shown in FIG. 18 (d), data of the pattern 41 obtained by extracting only the coowner portion of the pattern 39 is created by a coer clipping process (103a), and then the created pattern 41 ) Data is negatively inverted from the positive beam by the reverse process, and the data of the pattern 42 shown in Fig. 18E is created (104a).

또, 한편에서는, 상기 사이징 2의 공정에서 작성된 패턴(40)을 리버스튼공정에 의해 포지티브에서 네가티브로 반전시켜서, 제18도(f)에 나타낸 패턴(43)의 데이터를 작성한다(113b).On the other hand, the pattern 40 created in the step Sizing 2 is inverted from the positive to the negative by the reverse process, thereby creating data of the pattern 43 shown in Fig. 18F (113b).

그리고, 제18도(b),(e),(f)에 나타낸 패턴(39),(42),(43)의 데이터의 논리곱을 취하므로써, 제18도(g)에 나타낸 것처럼 오목(凹)부(37)의 패턴(44)의 데이터를 작성한다(105a,106.a).Then, by taking the logical product of the data of the patterns 39, 42, and 43 shown in Figs. 18 (b), (e), and (f), concave as shown in Fig. 18 (g). The data of the pattern 44 of the part 37 is created (105a, 106.a).

한편, 제18도(c)에서 나타낸 패턴(40)의 데이터와 제18도(d)에서 나다낸 패턴(41)의 데이터와의 논리곱을 취하므로써, 제18도(h)에 나타낸 패턴(45)의 데이터를 작성한다(104b).On the other hand, by taking the logical product of the data of the pattern 40 shown in FIG. 18 (c) and the data of the pattern 41 exited in FIG. 18 (d), the pattern 45 shown in FIG. ) Is created (104b).

계속해서, 작성된 패턴(45)의 면적 b가, 패턴(41)의 면적 a의 1/2 보다도 작은지 아닌지를 판정한다(105b). 이 결과, 면적 b가 면적 a의 1/2 보다 작은 패턴만을 선택하고, 시18도(i)에 나타낸 동위상 보조투과영역(C)의 패턴(46)의 데이터를 작성한다(106b). 패턴(45)의 면적을 소정치와 비교한 이유는, 광투과영역(B)의 패턴(38)의 볼록상의 코오너부만에 동위상 보조투과영역(C)을 부가하기 위함이다.Subsequently, it is determined whether the area b of the created pattern 45 is smaller than 1/2 of the area a of the pattern 41 (105b). As a result, only the pattern whose area b is smaller than 1/2 of the area a is selected, and data of the pattern 46 of the in-phase auxiliary transmission region C shown in the time 18 degree (i) is produced (106b). The reason why the area of the pattern 45 is compared with a predetermined value is to add the in-phase auxiliary transmission region C to only the convex nose holder portion of the pattern 38 of the light transmission region B. FIG.

다음에, 본 실시예 5의 작용을 제19도(a)∼(d)에 의해 설명하겠다.Next, the operation of the fifth embodiment will be explained with reference to Figs. 19A to 19D.

제19도(a)에 나타낸 마스크(le)상의 소정의 집적회로패턴의 원화를 축소노광법 등에 의해 웨이퍼상에 전사할 때, 마스크(le) 광차폐영역(A)에 있어서의 제2광투과영역의 투명막(4c) 및 오목(凹)부(37)를 투과한 광과의 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에는, 180도의 위상차가 생긴다(제19도(b),(c) )Second light transmission in the mask (le) light shielding area (A) when the original image of the predetermined integrated circuit pattern on the mask (le) shown in Fig. 19A is transferred onto the wafer by the reduction exposure method or the like. The phase difference of 180 degree arises between the transparent film 4c of the area | region, and the light which permeate | transmitted the light transmission area | region B as a 1st light transmission area | region with the light which permeate | transmitted 37 19 degrees (b), (c))

여기서, 제2광투과영역의 투명막(4c) 및 오목(凹)부(37)를 투과한 광과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광이, 광투과영역(B)에 인접하는 광차폐영역(A,A)의 단부에서 약해져서 합친다. 따라서,웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도가 대폭으로 향상한다. 그리고, 광강도는, 광의 진폭의 제곱으로 되기 때문에, 웨이퍼상에 있어서의 광진폭의 부측의 파형은, 제19도(d)에 나타낸 것처럼, 정측으로 반전된다.Here, the light transmitted through the transparent film 4c and the concave portion 37 of the second light transmissive region and the light transmitted through the light transmissive region B as the first light transmissive region are the light transmissive regions ( They weaken at the ends of the light shielding areas A and A adjacent to B) and merge. Therefore, the blur of the contour portion of the image projected on the wafer is reduced, the contrast of the projected image is greatly improved, and the resolution and the depth of focus are greatly improved. Since the light intensity is equal to the square of the amplitude of the light, the waveform on the negative side of the optical amplitude on the wafer is reversed to the positive side as shown in FIG. 19 (d).

이와 같이 본 실시예 5에 의하면, 이하의 효과를 얻는 것이 가능해진다.Thus, according to the fifth embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 노광할때에, 마스크(le)에 조사된 광중, 제2광투과영역의 투명막(4c) 및 오목(凹)부(37)를 투과한 광과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 180도의 위상차가 생기고, 이를 광이광차폐영역(A)의 단부에 있어서 약해져 합치도록 하므로써, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤팍부의 흐려짐을 저감시키는 것이 가능해진다. 그 결과 투영상의 콘트라스트를 대폭으로 개선할 수가 있으며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시키는 것이 가능해진다.(1) During exposure, the light transmitted through the transparent film 4c and the concave portion 37 of the second light transmission region among the light irradiated to the mask le and the light as the first light transmission region. A phase difference of 180 degrees is generated between the light passing through the transmission region B, and the light is weakened and combined at the end of the light shielding region A, so that the blurring of the rim of the image projected on the wafer can be reduced. Become. As a result, the contrast of the projected image can be greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved.

(2) 상기 (1)에 의해, 노광 여유를 넓게하는 것이 가능해진다.(2) By said (1), it becomes possible to widen exposure margin.

(3) 상기 (1)에 의해, 패턴전사 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.(3) The above (1) makes it possible to improve the pattern transfer accuracy.

(4) 광투과영역(B)의 네코오너에 동위상 보조투과영역(C)을 설치하므로씨, 투영상의 네코오너의 광강도가 증가하기 때문에, 그 해상도를 향상시키는 것이 가능해지며, 패턴전사 정밀도를 더 향상시키는 것이 가능해진다.(4) Since the in-phase auxiliary transmission area C is provided in the neko-owner of the light transmission area B, the light intensity of the neko-owner on the projection increases, so that the resolution can be improved and the pattern transfer can be performed. It is possible to further improve the precision.

(5) 오목(凹)부(37) 및 투명막(4c)의 패턴을 자동적으로 작성하므로써, 위당 시프트 마스크의 제조시간을 종래보다도 대폭으로 단축시키는 것이 가능해진다.(5) By automatically creating the patterns of the concave portion 37 and the transparent film 4c, it is possible to significantly shorten the manufacturing time of the perforated shift mask than before.

[실시예 6]Example 6

제20도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 마스크의 요부 단면도, 제2]도는 이 마스크의 요부 평면도,제22도(a)는 제20도 및 제21도의 마스크의 노광상태를 나타낸 단면도, 제22上(b)∼(d)는 광투과영역을 투과한 광의 진폭 및 강도를 나타낸 설명도이다.FIG. 20 is a sectional view of principal parts of a mask according to still another embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of main parts of the mask, and FIG. 22 (a) is a sectional view showing an exposure state of the masks of FIGS. 22 (b) to (d) are explanatory diagrams showing the amplitude and intensity of light transmitted through the light transmission region.

이하, 본 실시예 6의 마스크(lf)를 제20도 및 제21도에 의해 설명한다.Hereinafter, the mask lf of the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 20 and 21.

본 실시예 6의 마스크(lf)에 있어서는, 노광할때에 제2광투과영역의 오목I凹)부(37)를 투과한 광과 제1광투과영억으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에 위상차를 생기게 할 수단으로서, 전기한 실시예5의 투명막(4c) 대신에 위상 시프트 오목(凹)부(7c)가 오목(凹)부(37)의 하부의 기판(2)에 형성되어 있다.In the mask lf of the sixth embodiment, the light transmitted through the concave portion I37 of the second light transmission region 37 and the light transmission region B serving as the first light transmission region during the exposure are transmitted. As a means for causing a phase difference between light, the phase shift concave portion 7c replaces the substrate 2 in the lower portion of the concave portion 37 instead of the transparent film 4c of the fifth embodiment. ) Is formed.

위상 시프트 오목(凹)부(7c)는, 그 깊이를 d, 기판(2)의 굴절율을 n2, 노광광의 파장을 λ로 하면, 전기한 실시예(3)과 마찬가지로, d=λ/[2(n2-1)]의 관계를 만족하도록 형성되어 있다.When the phase shift concave portion 7c has the depth d, the refractive index of the substrate 2 is n 2 , and the wavelength of the exposure light is λ, d = λ / [ 2 (n 2 -1)].

예컨대, 광의 파장 λ를 0.365μm (i선)으로 한 경우, 위상 시프트 오목(凹)부(7c)의 깊이 d는 0.39μm 경도로 하면 좋다.For example, when the wavelength? Of light is 0.365 μm (i-line), the depth d of the phase shift concave portion 7c may be 0.39 μm hardness.

위상 시프트 오목(凹)부(7c)의 저면은, 그곳을 투과하는 광의 조작성을 향상시키기 위하여, 전기한 실시예3과 마찬가지로 플라즈마 도라이에칭 처리를 하여 거의 평탄화한다. 위상 시프트 오목(凹)부(7c)는, 예컨대 오목(凹)부(37)를 형성할 때, 집속이온비임의 주사회수를 늘려서 기판(2)을 깊이 d만큼 에칭하므로써 형성한다.In order to improve the operability of the light passing therethrough, the bottom face of the phase shift concave portion 7c is substantially flattened by a plasma doray etching process as in the above-described third embodiment. The phase shift concave portion 7c is formed by, for example, forming the concave portion 37 by etching the substrate 2 by the depth d by increasing the number of principal spins of the focused ion beam.

또, 본 실시예 6에 있어서도 전기한 실시예 5와 마찬가지로, 제21도에 나타낸 것처럼, 사각형의 광투과영역(B)의 네코오너에, 예컨대 0.5×0.5μm 정도의 사각형의 동위상 보조투과영역(C)이 설치되어 있다. 그리고, 도시하지는 않겠으나, 마스크(lf)에는, 예컨대 오목(凹)부(37)나 동위상 보조투과영역(C)을 형성할때, 그들과 금속층(3)과의 위치맞춤하기 의한 위치맞춤 마아크가 형성되어 있다.Also in the sixth embodiment, similarly to the fifth embodiment described above, as shown in FIG. 21, the neco-owner of the rectangular light transmissive area B is, for example, a rectangular in-phase auxiliary transmissive area of about 0.5 x 0.5 탆. (C) is installed. Although not shown, in the mask lf, for example, when forming the concave portion 37 or the in-phase auxiliary transmissive region C, the alignment is performed by aligning them with the metal layer 3. Mark is formed.

오목(凹)부(37) 및 동위상 보조투과영역(C)의 패턴데이터는, 예컨대 전기한 실시예 5와 마찬가지로 하여 작성한다. 또, 이런 경우, 위상 시프트 오목(凹)부(7c)의 패턴데이터는, 오목(凹)부(37)의 패턴데이터와 동일하다.The pattern data of the concave portion 37 and the in-phase auxiliary transmissive region C is created in the same manner as in Example 5 described above. In this case, the pattern data of the phase shift concave portion 7c is the same as the pattern data of the concave portion 37.

다음에, 본 실시예 6의 작용을 제22도(a)∼(d)에 의해 설명한다.Next, the operation of the sixth embodiment will be described with reference to Figs. 22 (a) to (d).

제22도(a)에 나타낸 마스크(lf)상의 소정의 집적회로패턴의 원화를 축소노광법 등에 의해 웨이퍼상에 전사할때, 제2광투과영역의 오목(凹)부(37) 및 위상 시프트 오목(凹)부{7c)를 투과한 광과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광과의 사이에는 180도의 위상차가 생긴다(제22도(b),(c)).When the original image of the predetermined integrated circuit pattern on the mask lf shown in Fig. 22A is transferred onto the wafer by the reduction exposure method or the like, the concave portion 37 and the phase shift of the second light transmission region are transferred. A phase difference of 180 degrees occurs between light transmitted through the recessed portion 7c and light transmitted through the light transmission region B as the first light transmission region (Figs. 22 (b) and (c)). ).

여기서, 마스크(lf)에 조사된 광중, 제2광투과영역의 오목(凹)부(37) 및 위상 시프트 오목(凹)부(7c)를 투과한 광과, 제1광투과영역으로서의 광투과영역(B)을 투과한 광이, 광투과영역(B)에 인접한 광차폐영역(A,A)의 단부에 있어서 약해져 합친다. 따라서, 웨이퍼상에 투영되는 상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도가 대폭으로 향상한다(제22도(d)). 그리고, 광강도는, 광의 진폭의 제곱으로 되기 때문에, 웨이퍼상에 있어서의 광진폭의 부측의 파형은, 제22도(d)에 나타낸 것처럼 정측으로 반전한다.Here, the light transmitted through the concave portion 37 and the phase shift concave portion 7c of the second light transmission region among the light irradiated to the mask lf and the light transmission as the first light transmission region Light transmitted through the region B is weakened at the ends of the light shielding regions A and A adjacent to the light transmitting region B, and merges. Therefore, the blur of the contour portion of the image projected on the wafer is reduced, the contrast of the projected image is greatly improved, and the resolution and the depth of focus are greatly improved (Fig. 22 (d)). Since the light intensity is equal to the square of the amplitude of the light, the waveform on the negative side of the optical amplitude on the wafer is reversed to the positive side as shown in Fig. 22 (d).

이상, 본 실시예 6에 있어서는, 전기한 실시예 5의 (1)∼(5)의 효과 이외에, 이하의 효과를 얻는 것이 가능해진다.As described above, in the sixth embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of (1) to (5) in the fifth embodiment.

(1) 광의 위상 시프트수단을 투명막(4c) 대신에 위상 시프트 오목(凹)부(7c)로 하므로써, 마스크(lf)의 제조시 위상 시프트용의 투명막의 형성공정을 필요로 하지 않는다.(1) By making the phase shift means of the light into the phase shift concave portion 7c instead of the transparent film 4c, the step of forming the transparent film for phase shift during the manufacture of the mask lf is not required.

(2) 상기 (1)에 덧붙여서, 집속이온비임에 의해서 금속층(3)에 오목(凹)부(37)를 형성할때, 위상 시프트오목(凹)부(7c)를 함께 형성하므로써, 전기한 실시예 5의 마스크(le) 보다도 위상 시프트 마스크의 제조과정을 용이하게 할 수가 있으며, 또한 그 제조시간을 대폭으로 단축시키는 것이 가능해진다.(2) In addition to the above (1), when the concave portion 37 is formed in the metal layer 3 by the focusing ion beam, the phase shift concave portion 7c is formed together, so that The manufacturing process of the phase shift mask can be made easier than the mask le of the fifth embodiment, and the manufacturing time can be significantly shortened.

(3) 위상 시프트 마스크의 제조과정을 용이하게 하는 것이 가능해지기 때문에, 전기한 실시예 5의 마스크(le) 보다도 외관의 결함이나 이물의 부착, 손인 등을 대폭으로 저감하는 것이 가능해진다.(3) Since the manufacturing process of the phase shift mask can be facilitated, it is possible to significantly reduce the appearance defects, foreign matter adhesion, and handover than the mask le of the fifth embodiment described above.

(4) 위상 시프트 오목(凹)부(7c)의 경우, 위상 시프트용의 투명막과 같이 마스크 제조후의 조사광이나 노광광에 의해, 예컨대 막질이 열화하거나, 투과율이 열화하거나, 혹은 기판(2)과의 접착성이 열화하거나 하는일이 없다.(4) In the case of the phase shift concave portion 7c, for example, the film quality deteriorates, the transmittance deteriorates, or the substrate 2 due to the irradiation light or the exposure light after the manufacture of the mask, like the transparent film for phase shift. Adhesion with) does not deteriorate.

(5) 상기 (4)에 의해, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다는 수명을 향상시키는 것이 가능해진다.(5) By (4), it becomes possible to improve the lifetime rather than the mask which used the transparent film as a phase shift means of light.

(6) 상기한 (4)에 의해, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다도 광의 위상 조작 정밀도를 장기간에 걸쳐서 유지하는 것이 가능해진다.(6) The above (4) makes it possible to maintain the phase manipulation accuracy of the light for a longer time than the mask using the transparent film as the phase shifting means of the light.

(7) 위상 시프트 오목(凹)부(7c)의 경우, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 경우와 같은 막질이나 투과율 혹은 접착성의 열화, 및 막의 박리등을 고려할 필요가 없.기 때문에, 마스크(lf)에 대해서 고온에서의 오존 황산세정이나 고압수 스크라블세정등의 처리를 행하는 것이 가능해진다.(7) In the case of the phase shift concave portion 7c, it is not necessary to consider the film quality, the transmittance or the deterioration of adhesiveness, and the peeling of the film as in the case of using a transparent film as the phase shift means of light. lf) can be treated with ozone sulfate cleaning at high temperature, scrubbed high pressure water, or the like.

(8) 상기 (7)에 의해, 광의 위상 시프트수단으로서 투명막을 사용한 마스크 보다도 이물의 제거처리를 양호하게 행하는 것이 가능해진다.(8) Said (7) makes it possible to perform the foreign material removal process more favorably than the mask which used the transparent film as a phase shift means of light.

[실시예 7]Example 7

제23도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 마스크의 요부 단면도이다23 is a sectional view of principal parts of a mask showing still another embodiment of the present invention.

제23도에 나타낸 본 실시예 7의 마스크(lg)에 있어서는, 광차폐영역(A)을 끼는 한쌍의 광투과영역(한쌍중 한쪽이 제1광투과영역, 다른쪽이 제2광투과영역)(B,B)의 적에도 한쪽에 위상 시프트 오목(凹)부(7d)가 형성되어 있다.In the mask lg of the seventh embodiment shown in FIG. 23, a pair of light transmission areas for sandwiching the light shielding area A (one of the pair is the first light transmission area and the other is the second light transmission area) ( 7 d of phase shift recessed parts are formed in the enemy of B and B, either.

위상 시프트 오목(凹)부(7d)의 저면은, 그곳을 투과하는 광의 위상익 조작성을 향상시키기 위하여, 전기한 실시예 3과 마찬가지로 플라즈마 도라이에칭 처리가 행해져 거의 평탄화되어 있다.The bottom face of the phase shift concave portion 7d is substantially flattened by performing a plasma doray etching process similarly to the above-described third embodiment in order to improve the phase wing operability of the light passing therethrough.

본 실시예 7은, 예컨대 메모리셀과 같이 집적회로패턴이 단순히 배치되는 부분에 있어서 적용하는 것이 가능하다.The seventh embodiment can be applied to a portion where an integrated circuit pattern is simply arranged, such as a memory cell.

위상 시프트 오목(凹)부(7d)는, 예컨대 전기한 실시예 6과 마찬가지로, 금속층(3)을 집속이온비임에 의해 에칭하여 광투과영역(B)을 형성할때, 비임의 주사회수를 늘려서 기판(2)를 깊이 d만큼 에칭하여 형성한다.The phase shift concave portion 7d is, for example, in the same manner as in Example 6 described above, when the metal layer 3 is etched by the focused ion beam to form the light transmitting region B, the number of circumferential turns of the beam is increased. The substrate 2 is formed by etching a depth d.

이상, 본 실시예 7에 의하면, 이하의 효과를 얻는 것이 가능해진다.As described above, according to the seventh embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 노광할때, 광차폐영역(A)을 끼는 한쌍의 광투과영역(B,B)의 각각의 광투과영역(B)을 투과한 광사이에 180도의 위상차를 생기게 하므로써, 광차폐영역(A)을 끼는 각각의 광투과영역(B)을 투과한 광이, 광차폐영역(A)에서 약해져 합치기 때문에, 한쌍의 광투과영역(B)에 끼어진 광차폐영역(A)의 해상도가 향상하고, 패턴전사 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.(1) When exposing, the light shielding area is created by causing a phase difference of 180 degrees between the light transmitted through each light transmitting area B of the pair of light transmitting areas B and B sandwiching the light shielding area A. FIG. Since the light transmitted through each light transmission region B sandwiching (A) weakens and merges in the light shielding region A, the resolution of the light shielding region A sandwiched between the pair of light transmission regions B is reduced. It is possible to improve the pattern transfer accuracy.

(2) 광의 위상 시프트수만을 종래의 투명막에 대신에 위상 시프트 오목(凹)부(7d)로 하므로써, 마스크(lg)의 제조시 투명막의 형성공정을 필요로 하지 않는다.(2) Since only the phase shift number of light is used as the phase shift concave portion 7d instead of the conventional transparent film, the step of forming the transparent film during the manufacture of the mask lg is not required.

(3) 상기한 (2)에 덧붙여서, 금속층(3)을 집속이온비임에 의해서 패터닝할때, 위상 시프트 오목(凹)부(7d)를 함께 형성하므로써, 종래 보다도 위상 시프트 마스크의 제조과정을 용이하게 할 수가 있으며, 또한 그제조시간을 대폭으로 단축시키는 것이 가능해진다.(3) In addition to the above (2), when the metal layer 3 is patterned by the focusing ion beam, the phase shift concave portion 7d is formed together to make the manufacturing process of the phase shift mask easier than before. In addition, it is possible to significantly shorten the manufacturing time.

(4) 위상 시므트 마스크의 제조과정을 용이하게 하는 것이 가능해지기 따문에, 종래 보다도 외관결함이나 이물의 부착, 손인 등을 대폭으로 저감하는 것이 가능해진다.(4) Since it becomes possible to facilitate the manufacturing process of the phase-semite mask, it becomes possible to significantly reduce appearance defects, foreign matter adhesion, and handover than before.

(5) 위상 시프트 오목(凹)부(7d)의 경우, 종래의 위상 시프트용의 투명막처럼 마스크 제조후의 조사광이나 노광광에 의해, 예컨대 막질이나 투과율 혹은 접착성이 열화하는 일은 없다.(5) In the case of the phase shift concave portion 7d, the film quality, transmittance or adhesiveness does not deteriorate, for example, by the irradiation light or the exposure light after the mask production, as in the conventional transparent film for phase shift.

(6) 상기 (5)에 의해, 광의 위상 시프트수단을 구비한 마스크의 수명을 종래 보다도 향상시키는 것이 가능해진다.(6) By (5), it is possible to improve the life of the mask provided with the phase shift means of light compared with the past.

(7) 상기 (5)에 의해 광의 위상조작 정밀도를 종래보다도 장기간에 걸쳐서 유지할 수 있다.(7) According to the above (5), the phase operation accuracy of light can be maintained for a longer period than before.

(8) 위상 시프트 오목(凹)부(7d)는, 위상 시프트용의 투명막과 같은 막질이나 투과율 흑은 접착성의 열화, 및 막의 박리 등을 고려할 필요가 없기 때문에, 마스크(lg)에 대해서 고온에서의 오존 황산세정이나 고압수 스크라블세정 등의 처리를 행하는 것이 가능해진다.(8) Since the phase shift concave portion 7d does not need to consider the film quality, the transmittance black or the adhesive deterioration, and the peeling of the film, such as the transparent film for phase shift, high temperature with respect to the mask lg. It is possible to carry out treatments such as ozone sulfate cleaning and high pressure water scribble cleaning.

(9) 상기 (8)에 의해, 투명막을 사용한 마스크 보다도 이물의 제거처리를 양호하게 행하는 것이 가능해진다.(9) By (8), it becomes possible to perform the foreign material removal process more favorably than the mask using a transparent film.

이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시예에 의거하여 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 전기한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.As mentioned above, although the invention made by this inventor was demonstrated concretely based on the Example, this invention is not limited to the above-mentioned Example, Needless to say that various changes are possible in the range which does not deviate from the summary. .

예컨대 전기한 실시예 3에 있어서는, 위상 시프트 오목(凹)부의 패턴데이터를 광차폐영역의 패턴을 확대하여 작성된 패턴데이터와 광투과영역의 패턴데이터와의 논리곱을 취하므르써 작성한 경우에 대해서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 여러가지로 변경이 가능하며, 예컨대 광차폐영역의 패턴을 확대하여 작성된 패턴에서 원래의 광차폐영역의 패턴의 차를 취하여 작성하여도 좋다.For example, in Example 3 described above, the case where the pattern data of the phase shift concave portion was created by taking the logical product of the pattern data created by enlarging the pattern of the light shielding region and the pattern data of the light transmissive region was described. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made. For example, the difference between the original light shielding region and the pattern of the light shielding region may be obtained.

또, 전기한 실시예 1,2,5에 있어서, 투명막을 산화인듐으로 한 경우에 대해서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 이산화실리콘, 질화실리큰, 불화마그네슘 혹은 폴리에틸메타크릴레이트 등이라도 좋다.In addition, although the case where the transparent film was made into indium oxide was demonstrated in Example 1, 2, 5 mentioned above, it is not limited to this, For example, even if it is a silicon dioxide, a silicon nitride, magnesium fluoride, a polyethyl methacrylate, etc. good.

이상과 같은 설명에서는 주로 본 발명자에 의해서 이루어진 발명이 그 배경으로 된 이용분야인 반도체 집적회로장치의 제조공정에 사용되는 마스크에 적용한 경우에 대해서 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 여러가지로 적용가능하며, 포토리소그래피에 의해, 소정의 기판위에 소정패턴을 전사하는 것을 필요로 하는 기술분야에 적용가능하다.In the above description, the invention made mainly by the present inventors has been described in the case where the invention is applied to the mask used in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device, which is the background of the application, but is not limited thereto. The present invention can be applied to a technical field that requires transferring a predetermined pattern onto a predetermined substrate.

본 출원에 있어서, 개시되는 발명중, 대표적인 것에 의해서 얻어지는 효과를 간단하게 설명하면, 다음과같다.In this application, when the effect obtained by the typical thing is demonstrated briefly among the invention disclosed, it is as follows.

상기한 제1의 발명에 의하면, 노광시, 각각 제1광투과영역과 이것에 경계를 접하는 제2광투과영역으로 이루어지는 광투과영역에 있어서, 제1광투과영역과 제2광투과영역 이느 한쪽에 구비된 위상 시프트수단을 투과한 광과, 이것이 형성되어 있지 않은 영역을 투과한 광이, 상기 제1광투과영역의 상기 제2광투과영역측에 있어서 약해져 합치도록 상호 간섭하므로써, 웨이퍼상의 포토레지스트막에 투영된 마스크 회로패턴의 실상의 윤곽부의 흐려짐이 저감하고, 투영상의 콘트라스트가 대폭으로 개선되며, 해상도 및 초점심도를 대폭으로 향상시킬 수 있다.According to the first invention described above, in the light transmission area including the first light transmission area and the second light transmission area that are in contact with the boundary at the time of exposure, either the first light transmission area or the second light transmission area. The photo on the wafer by interfering with each other so that the light transmitted through the phase shifting means and the light transmitted through the region where it is not formed weaken and merge on the side of the second light transmission region of the first light transmission region. The blur of the contour portion of the actual image of the mask circuit pattern projected on the resist film is reduced, the contrast of the projected image is greatly improved, and the resolution and the depth of focus can be greatly improved.

특히, 본 발명의 경우, 하나의 광투과영역내의 서로 경계를 접하는 제1광투과영역과 제2광투과영역에서 위상차를 생기게 하기 때문에, 마스크상의 패턴이 복잡하더라도, 제26도에 나타낸 바와같은 경우에도 위상 시프트수단의 배치에 제약이 생기지 않도록 할 수도 있다. 또, 광차폐영역의 패턴폭이 좁아져 제15도 또는 제21도에 도시하는 보조개구가 배치될 수 없는 경우에도, 위상 시프트수단의 배치가 곤란해지는 일은 없다.In particular, in the case of the present invention, since the phase difference occurs between the first light transmission region and the second light transmission region in contact with each other in one light transmission region, even if the pattern on the mask is complicated, as shown in FIG. In addition, it is also possible to prevent restrictions on the arrangement of the phase shift means. Further, even when the pattern width of the light shielding region is narrowed and the auxiliary opening shown in FIG. 15 or 21 cannot be arranged, the arrangement of the phase shifting means does not become difficult.

상기한 제2의 발명에 의하면, 설계데이터와의 대응관계가 명확한 실(實:위상 인자를 포함하지 않는다는뜻) 패턴데이터를 설계데이터로부터 작성한 다음, 얻어진 실패턴 데이터에서 시프트막 패턴데이터를 자동작성하는 것이 가능하므로 광의 위상 시프트수단을 갖는 마스크의 제조시간을 대폭적으로 단축시킬 수 있다.According to the second invention described above, real pattern data having a clear correspondence with design data is created from the design data, and then shift film pattern data is automatically generated from the failed turn data obtained. Since it is possible to do this, the manufacturing time of the mask which has a phase shift means of light can be shortened significantly.

제 3 발명에 의하면, 마스크의 투명기판의 표면부분을 집속이온비임(Focused Ion Beam)에 의하여 절삭하므로써 수직인 측벽을 가지며, 평탄한 저면을 갖는 위상 시프트 오목(凹)부를 형성시킬 수 있으므로 위상시프트의 효과를 최대로 이끌어 낼 수 있다. 또한, 부가적인 포토레지스트공정을 사용하지 않고 위상 시프트오목(凹)부를 집속이온비임에 의해 마스크의 패턴데이터를 이용하여 직접 주사하므로써 패턴닝할 수도 있으므로 위상 시므트 마스크의 제조과정을 용이하게 할 수도 있다.According to the third aspect of the present invention, since the surface portion of the transparent substrate of the mask is cut by a focused ion beam, a phase shift concave portion having a vertical sidewall and having a flat bottom surface can be formed. The effect can be maximized. In addition, since the phase shift concave portion can be patterned directly by using the pattern data of the mask by the focused ion beam without using an additional photoresist process, the manufacturing process of the phase sim mask can be facilitated. have.

상기한 제4의 발명에 의하면, 위상 시프트 노광에 있어서, 예컨대 광투과영역의 코오너부분과 같이 광의간섭에 의하여 광량이 부족한 부분의 근방에 동위상 보조투과영역을 설치하므로써, 상기 광투과영역의 코오너부분의 광강도가 증가하기 때문에, 각 변의 해상도 뿐만 아니라, 코오너부분과 같이 광량이 부족한 부분의 해상도도 향상되어 위상 시프트 효과를 저해하지 않고 광투과영역의 노광시의 변형을 최소한도로 저감하는것이 가능해진다.According to the fourth invention described above, in the phase shift exposure, an in-phase auxiliary transmission region is provided in the vicinity of a portion where the amount of light is insufficient due to light interference, such as a co-owner portion of the light transmission region. Since the light intensity of the coowner portion is increased, not only the resolution of each side but also the resolution of the light-deficient portion like the coowner portion is improved, so that deformation during exposure of the light transmissive region is minimized without impairing the phase shift effect. It becomes possible.

Claims (4)

제1주면을 갖는 투명 마스크기판과, 상기 마스크기판의 상기 제1주면상에 설치된 금속층으로 이루어지는광차폐영역, 제1광투과영역 및 상기 제1광투과영역에 접하거나근접하여 설치된, 그투과광의 위상이상기 제1광투과영역을 투과한 투과광의 위상과 비교하여 반전하도록 한 제2광투과영역을 포함하는 회로패턴을 갖는 광학 마스크의 상기 회로패턴을 광학 투영노광장치에 의해 소정의 파장을 갖는 노광광으로 노광하여 집적회로를 형성할 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 상기 제1 및 제2광투과영역을 투과한 각각의 투과광 사이의 상호간섭에 의하여 상기 회로패턴의 선명한 실상을 결상하는 것에 의하여 상기 집적회로웨이퍼상에 상기 마스크기판상의 회로패턴을 전사하는 집적회로장치의 제조방법으로서, 상기 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 결상되는 상기 제1광투과영역에 대응하는 실상중, 광의 간섭에 의하여 광량이 부족할 부분에 대응하는 마스크상의 상기 제1광투과영역의 대응하는 부분의 근방에 그 자체의 독립된 패턴을 전사하지 않을 정도로 작은 치수를 가지며, 그 투과광의 위상이 상기 제1광투과영역을 투과한 투과광과 동일하도록 한 동위상 보조투과영역을 설치하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 웨이퍼상에 마스크기판상의회로패턴을 전사하는 집적회로장치의 제조방법.A transparent mask substrate having a first main surface, and a light shielding region, a first light transmitting region, and a first light transmitting region, the light shielding region comprising a metal layer provided on the first main surface of the mask substrate; A phase having a predetermined wavelength by an optical projection exposure apparatus by converting the circuit pattern of an optical mask having a circuit pattern including a second light transmission region to be inverted in comparison with a phase of transmitted light transmitted through the first light transmission region. Forming a clear image of the circuit pattern by mutual interference between each transmitted light passing through the first and second light transmitting regions on a photoresist film on an integrated circuit wafer to be exposed to light to form an integrated circuit. A method of manufacturing an integrated circuit device for transferring a circuit pattern on the mask substrate onto an integrated circuit wafer, comprising: a photo on the integrated circuit wafer Transfers its own independent pattern to the vicinity of the corresponding portion of the first light transmission region on the mask corresponding to the portion where the amount of light is insufficient due to the interference of light in the image corresponding to the first light transmission region formed on the gist film. A circuit pattern on a mask substrate on a wafer of an integrated circuit, having a dimension so small as not to be provided, that an in-phase auxiliary transmission region is provided so that the phase of the transmitted light is the same as the transmitted light transmitted through the first light transmission region. A method of manufacturing an integrated circuit device for transferring a film. 제1주면을 갖는 투명 마스크기판과, 상기 마스크기판의 상기 제1주면상에 설치된 금속층으로 이루어지는 광차폐영역, 제1광투과영역 및 상기 제1광투과영역에 접하거나 근접하여 설치된, 그 투과광의 위상이상기 제1광투과영역을 투과한 투과광의 위상과 비교하여 반전하도록 한 제 2 광투과영역을 포함하는 회로패턴을 가지며, 상기 회로패턴을 광학 투영노광장치에 의해 소정의 파장을 갖는 노광광으로 노광하여 집적회로를 형성할 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 상기 제1 및 제2광투과영역을 투과한 각각의 투과광사이의 상호 간섭에 의하여 상기 회로패턴의 선명한 실상을 결상하는 것에 의하여 상기 집적회로 웨이퍼상에 상기 마스크기판상의 회로패턴을 전사하기 위한 광학 마스크로서, 상기 집적회로 웨이퍼상의 포토레지스트막에 결상되는 상기 제1광투과영역에 대응하는 실상중, 광의 간섭에 의하여 광량이 부족할 부분에 대응하는 마스크상의 상기 제1광투과영역의 대응하는 부분의 근방에 그 자체의 독럽된 패턴을 전사하지 않을정도로 작은 치수를 가지며, 그 투과광의 위상이 상기 제1광투과영역을 투과한 투과광과 동일하도록 한 동위상 보조투과영역이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 집적회로 웨이퍼상에 마스크기판상의 회로패턴을 전사하기 위한 광학 마스크.A transparent mask substrate having a first main surface, and a light shielding region, a first light transmitting region, and a first light transmitting region, the light shielding region comprising a metal layer provided on the first main surface of the mask substrate; A phase pattern having a second light transmission region inverted in comparison with a phase of the transmitted light transmitted through the first light transmission region, and converting the circuit pattern into exposure light having a predetermined wavelength by an optical projection exposure apparatus. The integrated circuit is formed by forming a clear image of the circuit pattern by mutual interference between respective transmitted light passing through the first and second light transmissive regions on a photoresist film on an integrated circuit wafer to be exposed to form an integrated circuit. An optical mask for transferring a circuit pattern on the mask substrate onto a wafer, which is formed on a photoresist film on the integrated circuit wafer. In the actual image corresponding to the first light transmission region, the self-developed pattern is not transferred near the corresponding portion of the first light transmission region on the mask corresponding to the portion where the amount of light is insufficient due to the interference of light. Transferring a circuit pattern on a mask substrate on an integrated circuit wafer having a small dimension and having an in-phase auxiliary transmission region provided such that the phase of the transmitted light is the same as the transmitted light transmitted through the first light transmission region. For optical mask. 제1항에 있어서, 상기 제2광투과영역은 그 자체의 독립한 패턴을 전사하지 않을 정도로 작은 치수를 갖는 집적회로장치의 제조방법.The method of manufacturing an integrated circuit device according to claim 1, wherein the second light transmission region has a size small enough not to transfer its own independent pattern. 제2항에 있어서, 상기 제2광투과영역은 그 자체의 독립한 패턴을 잣사하지 않을 정도로 작은 치수를 갖는 광학 마스크.3. The optical mask of claim 2, wherein the second light transmissive region has dimensions small enough to not obviate its own independent pattern.
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