JP2000100890A - 基板減圧処理装置および基板処理装置 - Google Patents

基板減圧処理装置および基板処理装置

Info

Publication number
JP2000100890A
JP2000100890A JP26361598A JP26361598A JP2000100890A JP 2000100890 A JP2000100890 A JP 2000100890A JP 26361598 A JP26361598 A JP 26361598A JP 26361598 A JP26361598 A JP 26361598A JP 2000100890 A JP2000100890 A JP 2000100890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
drying
decompression
substrate
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26361598A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP26361598A priority Critical patent/JP2000100890A/ja
Publication of JP2000100890A publication Critical patent/JP2000100890A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポンプ駆動による振動や騒音を抑制すると共
に、より素早く基板減圧処理を行う安価で省設置スペー
スの減圧処理装置を提供する。 【解決手段】 処理室21内に複数のウエハ2を収容
し、減圧乾燥時に、その前後工程と並行して減圧ポンプ
29で予め減圧処理しておいた減圧用容器23内をバル
ブ部材25を介して処理室21内に連通させ、処理室2
1内の気圧を急激に低下させ、その低下させた処理室2
1内の気圧から減圧乾燥に必要な気圧まで減圧ポンプ2
9でさらに下げるようにする。このため、従来では、大
きな乾燥処理室21を用いた場合には処理タクトを長く
しないために2台の高減圧能力の減圧ポンプ29を用い
たが、この減圧ポンプ29は少なくとも1台あればよく
安価で、かつ、それによる振動や騒音を抑制できると共
に、省設置スペースでより素早く減圧乾燥を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示パネル用ガラス基板などの薄板状の被処理基板
(以下単に基板という)を所定の容器内に収容して減圧
処理を行う基板減圧処理装置および、これを含む一連の
各種基板処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置や液晶表示装置を
製造するための装置の一つとして、半導体ウエハや液晶
表示装置用ガラス基板などの基板上に薄膜を形成した
り、基板を洗浄する基板処理装置が提供されている。こ
の基板処理装置では、薄膜を形成する処理部や基板洗浄
を行う処理部と、これらの各種処理が為された基板を所
定の容器内に収容して減圧乾燥を行う処理部などが設け
られており、基板搬送装置によって基板をこれらの各処
理部の間で搬送しながら、各処理部で基板に処理液を供
給して基板の表面処理を行い、さらに、その基板の減圧
乾燥処理を行ったりして一連の基板処理が為されてい
る。
【0003】図6は、従来の基板乾燥装置の概略構成を
示す模式図である。図6において、この種の基板乾燥装
置51は、内部が開放または密閉自在な所定容器である
乾燥処理室52と、前工程で水分や薬液などが付着した
複数の基板53を保持した状態で乾燥処理室52の内外
を上下移動自在なリフタ装置54と、このリフタ装置5
4の処理室52内の乾燥用定位置の下方側に配設され基
板53から落ちる水分などを受ける滴回収容器55と、
乾燥処理室52の側壁に連結され、その内部と連通した
配管途中に配設された流量調整用のバルブ部材56およ
び減圧ポンプ57とを有している。
【0004】この構成によって、複数の基板53を保持
したリフタ装置54が乾燥処理室52内に下降すること
で、基板53が乾燥処理室52内に収容される。その
後、乾燥処理室52内は密閉状態とされ、さらに、図7
(a)に示すようにバルブ部材56がオフ(OFF)か
らオン(ON)となって開口されると共に、図7(b)
に示すように減圧ポンプ57がオフ(OFF)からオン
(ON)となって駆動状態となることで、図7(c)に
示すように乾燥処理室52内が気圧が徐々に減圧状態と
なって基板53が乾燥されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の基板乾燥装
置では、乾燥処理室52内の減圧乾燥に必要な減圧到達
時間は、減圧ポンプ57の減圧能力によって決まってお
り、基板サイズの大型化に伴って乾燥処理室52の容積
が大きくなっても、その減圧到達時間を大幅に遅くしな
いために、更なる高減圧能力の減圧ポンプを用いるか、
通常の高減圧能力の減圧ポンプ57を例えば2台用いる
といった対策を取っていた。
【0006】ところが、減圧乾燥に必要な到達圧力に素
早く到達させるための減圧ポンプ57は大型の高減圧能
力であって高価で比較的大きな設置スペースが必要であ
り、上記のように、更なる高減圧能力の減圧ポンプを設
けたり、高減圧能力の減圧ポンプ57を2台設けたりす
ると、ポンプ駆動による振動や騒音が大きくなるといっ
た問題を有していた。
【0007】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、乾燥処理槽の容積が大きくなったとしても、ポンプ
駆動による振動や騒音を抑制すると共に、省設置スペー
スでしかもより素早く減圧処理を行うことができる安価
な基板減圧処理装置および、それを含む基板処理装置を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の基板減圧処理装
置は、基板を処理室内に収容して減圧処理を行う基板減
圧処理装置において、内部を減圧自在な減圧用容器と、
この減圧用容器内と処理室内を連通自在な連通部材と、
減圧用容器内を減圧する減圧手段と、処理室内の減圧時
または減圧前に、予め減圧処理した減圧用容器内を処理
室内に連通させるように前記連通部材を制御する制御部
材とを有することを特徴とするものである。
【0009】この構成により、基板サイズなどが大きく
なったりして、より大きな減圧処理室を用いる必要が生
じた場合、従来は減圧手段を増設したが、基板減圧処理
時に、予め減圧処理しておいた別の減圧用容器内を処理
室内に連通部材を介して連通させて処理室内の気圧を急
激に低下させると共に、1台の減圧手段で処理室内の気
圧を、その低下させた気圧から基板減圧処理に必要な気
圧までさらに低下させるようにしたので、その駆動によ
る振動や騒音は従来に比べて抑制されると共に、安価で
省設置スペースでしかもより素早く基板減圧処理を行う
ことが可能となる。
【0010】また、処理室内減圧専用の減圧手段と、減
圧用容器内減圧用の減圧手段との2台の減圧手段を設け
る場合においては、処理室内減圧専用の減圧手段は、基
板減圧処理に必要な到達圧力に素早く到達させることが
可能な高減圧能力で高価な例えば減圧ポンプなどの減圧
手段を必要とするが、減圧用容器内減圧専用の減圧手段
は、減圧用容器内を減圧するのは減圧用容器と減圧処理
室とを連通させていない時間を活用できると共に、基板
減圧処理時に必要な真空度ほどは必要ではないので、比
較的減圧能力が低く、小型で安価な例えば減圧ポンプな
どの減圧手段であってもよく、その駆動による振動や騒
音は、従来の高減圧能力の減圧手段を2台同時に用いた
場合に比べて大幅に抑制されると共に、省設置スペース
となる。
【0011】また、本発明の基板処置装置は、1または
複数の基板の表面処理が為される少なくとも一つの基板
処理部と、この基板処理部で処理された1または複数の
基板を減圧乾燥する請求項1に記載の基板減圧処理装置
と、これらの基板処理部および基板減圧処理装置に対し
て1または複数の基板を搬送する搬送手段とを有したこ
とを特徴とするものである。
【0012】この構成により、より早い基板乾燥処理が
可能な本発明の基板減圧処理装置が容易に基板処理装置
に適応可能であり、基板サイズなどが大きくなったりし
て、より大きな減圧乾燥のための処理室を用いる必要が
生じた場合にも、従来のように処理室を減圧するための
時間が長くなるようなことはない。さらに、幾度も基板
減圧処理する場合に、一度減圧を解除した後、次に基板
減圧処理を開始するまでの間隔を短時間にできるので、
スループットを向上させることも可能で、かつ、安価で
小型化可能であり、振動や騒音のより抑制された高性能
の装置となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明するが、本発明は以下に示す実施形
態に限定されるものではない。
【0014】(実施形態1)図1は本発明の実施形態1
における基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、
矢印Fで示される面が装置の正面である。
【0015】図1において、基板処理装置1は、複数の
ウエハ2を収容した搬送用のキャリア3から処理部用の
キャリア4に複数のウエハ2を一括して移載する搬入側
のウエハ移替部5と、これとは逆に、処理部用のキャリ
ア4から搬送用のキャリア3に複数のウエハ2を一括し
て移載する搬出側のウエハ移替部6と、このウエハ移替
部5に隣接し、複数のウエハ2の表面処理が為される処
理ユニット7と、本発明の基板乾燥装置であって、この
処理ユニット7と搬出側のウエハ移替部6との間に配設
され、処理ユニット7で処理後のウエハ2を減圧乾燥さ
せる乾燥部8とを有していると共に、これらの処理ユニ
ット7の各処理槽、乾燥部8およびウエハ移替部5,6
の処理部用のキャリア4に対して複数のウエハ2を一括
して順次搬送し受渡しするための搬送用ロボット(図示
せず)を有している。
【0016】この処理ユニット7は、この搬送用ロボッ
ト(図示せず)のハンド部分を洗浄するハンド洗浄部9
と、このハンド洗浄部9側に隣接し、例えば窒化膜除去
用の薬液として燐酸溶液などを貯留した薬液槽を有し、
この薬液槽にウエハ2を浸漬することで薬液処理する第
1の燐酸処理部10と、この燐酸処理部10側に隣接
し、これと同様の窒化膜除去用の薬液として燐酸溶液を
貯留した薬液槽を有し、この薬液槽にウエハ2を浸漬す
ることで薬液処理する第2の燐酸処理部11と、この燐
酸処理部11側に隣接し、ウエハ2に付いた燐酸を素早
く水洗する機能水洗処理部12と、この機能水洗処理部
12側に隣接し、ウエハ2を最終的に水洗する最終水洗
処理部13とを処理工程順に有しており、薬液または純
水である各種処理液をそれぞれ貯留した複数の処理槽に
わたってウエハ2を順次浸漬させることによりウエハ2
に薬液処理や水洗処理などの一連の各種処理が施される
ようになっている。
【0017】ここで、第1および第2の燐酸処理部1
0,11を設けたのは、これらの燐酸処理部10,11
による薬液処理としての窒化膜除去処理が他の処理部に
よる処理に比べて時間がかかるため、処理タクトを短縮
するべく並行して窒化膜除去処理を行うためである。ま
た、機能水洗処理部12を設けたのは、ウエハ2に付い
ていた燐酸が槽内に残っていると窒化膜除去機能が進行
するので、純水中に燐酸溶液の付いたウエハ2を浸漬さ
せた直後に一気に急速排液しつつ、新たなる純水と置換
することで、ウエハ2から離脱した燐酸溶液の純水に対
する濃度を素早くかつ急激に低下させて窒化膜除去機能
の進行を停止させるためである。
【0018】図2は図1の乾燥部8の概略構成を示す模
式図である。図2において、この乾燥部8は、内部が開
放または密閉自在で複数のウエハ2を一括して収容自在
な乾燥処理室21と、前工程で水分や有機溶剤などが付
着した複数のウエハ2を保持した状態で乾燥処理室21
の内外を上下移動自在なリフタ装置22と、内部を減圧
自在な外郭部材としての減圧補助用容器23と、この減
圧補助用容器23内と乾燥処理室21内を連通自在な連
通部材としての配管24および流量調整用のバルブ部材
25と、乾燥処理室21および減圧補助用容器23の各
側壁にそれぞれ連結され、それらの内部にそれぞれ開口
した配管26,27の合流配管28の途中に配設され、
これらの乾燥処理室21および減圧補助用容器23内を
減圧する減圧手段としての減圧ポンプ29および、配管
26,27にそれぞれ配設された流量調整用のバルブ部
材30,31と、この乾燥処理室21内の減圧時(また
は減圧前)に、減圧乾燥工程の前工程および/または後
工程で予め減圧処理した減圧補助用容器23内を乾燥処
理室21内に連通させるように連通部材のバルブ部材2
5を開口制御すると共に、乾燥処理室21内を減圧する
ように減圧手段の減圧ポンプ29およびバルブ部材3
0,31を制御する制御部32とを有している。
【0019】この制御部32はシーケンサやマイクロコ
ンピュータなどで構成されており、シーケンサやマイク
ロコンピュータからの制御信号でバルブ部材25,3
0,31および減圧ポンプ29をそれぞれオンオフ制御
するようになっている。
【0020】この減圧ポンプ29による乾燥処理室21
内の減圧時(または減圧前)には、バルブ部材25を開
口制御(ON)すると共に、バルブ部材30を開口制御
(ON)して減圧ポンプ29を駆動制御(ON)させる
か、または、バルブ部材25を開口制御した後に閉止制
御して、バルブ部材30を開口制御すると共に減圧ポン
プ29を駆動制御するようにしてもよいが、本実施形態
1では、図3(a)〜図3(c)に示すように、バルブ
部材25,30を共に開口(オン)制御すると共に減圧
ポンプ29を駆動制御(ON)し、かつ、減圧ポンプ2
9の排気能力を最大限に発揮させるためにバルブ部材3
0の開口制御(ON)時にはバルブ部材31を閉止制御
(OFF)するように構成している。
【0021】また、乾燥処理室21の側壁には乾燥処理
室21内の気圧を測定する圧力計33が配設されてい
る。また、減圧補助用容器23の側壁には減圧補助用容
器23内の気圧を測定する圧力計34が配設されてい
る。これらの圧力計33,34の出力端子が制御部32
に接続されており、制御部32は、圧力計33,34を
それぞれ介して乾燥処理室21および減圧補助用容器2
3内の各気圧を監視しており、乾燥処理室21および減
圧補助用容器23内の各気圧差がなくなった時点で、バ
ルブ部材25を閉止制御(OFF)し、また、乾燥処理
室21および減圧補助用容器23内の各気圧が、減圧乾
燥に必要な所定の気圧になった時点でバルブ部材30ま
たはバルブ部材31を閉止制御(OFF)すると共に減
圧ポンプ29の駆動を停止制御(OFF)するようにし
ている。
【0022】このように、乾燥処理室21の内圧を減圧
乾燥に必要な到達圧力に素早くするために、ウエハ2が
収容されない単なる減圧ボックスである減圧補助用容器
23を付設し、例えばウエハ2の大口径化などに伴って
乾燥処理室21の容積を大きくする必要が生じたとして
も、この減圧補助用容器23の減圧を、ウエハ2の乾燥
工程以外の前の各基板処理工程と平行して時間をずらし
て予め行うように減圧制御が為され、乾燥処理室21に
よる減圧乾燥時に、その予め減圧された減圧補助用容器
23内と乾燥処理室21内とを連通させて乾燥処理室2
1内の圧力を急激に低下させ、従来のように2台の減圧
ポンプ29を同時に駆動させて振動および騒音を伴いつ
つ減圧するようなことはなく、1台の減圧ポンプ29
で、その急激に低下させた気圧から減圧乾燥に必要な到
達圧力にするようになっている。
【0023】つまり、この場合、例えば減圧補助用容器
23の容積と乾燥処理室21の容積とが同じときに、互
いに連通させるとそれらの圧力差の半分の圧力まで乾燥
処理室21内の圧力が急激に下がるようになる。減圧補
助用容器23の容積が大きくなるほど乾燥処理室21の
圧力を急激により低下させることができて、その減圧乾
燥に必要な到達圧力まで、より素早く到達させることが
できるようになる。ところが、減圧補助用容器23の容
積が大きくなるほど減圧ポンプ29の稼動率が高くなっ
てくるので、減圧ポンプ29の駆動による振動および騒
音や空スペースとの関係によっって減圧補助用容器23
の容積を決定する必要がある。また、減圧補助用容器2
3と乾燥処理室21とを互いに連通させたときに、如何
に素早く乾燥処理室21内の圧力を低下させるかについ
ては、減圧補助用容器23と乾燥処理室21とを連結し
ている配管24をより太く短くする必要があるが、これ
らは空スペースと乾燥処理室21との位置関係で、互い
に離れている場合にはより太くする必要があるし、互い
に接近している場合には比較的細くてもよいことにな
る。
【0024】なお、リフタ装置22の乾燥処理室21内
の乾燥用定位置の下方に配設されている滴回収容器35
は、複数のウエハ2から落ちる水分や有機溶剤などを受
けるためのものである。
【0025】上記構成により、以下、その動作を説明す
る。まず、クリーンルーム内に基板処理装置1が設置さ
れており、オペレータは、正面方向からこのウエハ搬入
側のウエハ移載部5における第1のテーブル上に搬送用
の各キャリア3をそれぞれ載置する。その後、オペレー
タによるスイッチ操作で駆動を開始して、複数のウエハ
2を収容した搬送用のキャリア3から処理部用のキャリ
ア4に複数のウエハ2を一括して移載する。
【0026】さらに、処理部用のキャリア4に一括して
移載された複数のウエハ2を、搬送用のロボットハンド
(図示せず)によって各処理部毎のリフタ装置(図示せ
ず)に順次受け渡され、そのリフタ装置にて複数のウエ
ハ2は一括して処理ユニット7の各処理槽内の処理液に
浸漬されて各種処理がそれぞれ施される。
【0027】次に、処理ユニット7の最終水洗処理部1
3で処理した複数のウエハ2を乾燥部8で減圧乾燥す
る。
【0028】つまり、まず、最終水洗処理部13で処理
した複数のウエハ2は、搬送用のロボットハンド(図示
せず)によって乾燥部8のリフタ装置22に受け渡さ
れ、リフタ装置22は複数のウエハ2を保持した状態で
乾燥処理室21内の所定の乾燥位置まで下降すること
で、複数のウエハ2が乾燥処理室21内に収容される。
その後、乾燥処理室21内は密閉状態とされ、さらに、
制御部32は、図3(a)に示すようにバルブ部材25
をオフ(OFF)からオン(ON)に開口制御すると共
に、図3(b)に示すようにバルブ部材30をオフ(O
FF)からオン(ON)に開口制御し、かつ減圧ポンプ
29を駆動制御することで、図3(d)の気圧曲線Aに
示すように乾燥処理室21内の気圧が急激に減圧状態に
なると共に、図3(d)の気圧曲線Bに示すように減圧
補助用容器23内の気圧が急激に増圧状態になって、時
間T2で乾燥処理室21内と減圧補助用容器23内との
気圧が略同一の気圧になる。このとき、制御部32は、
圧力計33,34をそれぞれ介して乾燥処理室21およ
び減圧補助用容器23内の各気圧を監視しており、乾燥
処理室21内と減圧補助用容器23内との気圧差がなく
なった時点T2に、バルブ部材25を閉止制御して乾燥
処理室21内と減圧補助用容器23内とを切り離すと共
に、図3(b)のバルブ部材30の開口制御時には、図
3(c)に示すように制御部32はバルブ部材31に対
しては閉止制御しており、その時点T2からは、減圧ポ
ンプ29は、乾燥処理室21内だけを効率よく減圧す
る。
【0029】さらに、乾燥処理室21内の気圧が、図3
(d)の気圧曲線Aに示すように減圧乾燥に必要な所定
の気圧になった時点T3でバルブ部材30を閉止制御す
ると共にバルブ部材31を開口制御して減圧補助用容器
23内だけを減圧ポンプ29によって予め減圧処理す
る。
【0030】さらに、減圧乾燥に必要な所定の時間T4
が経過した後に、図示していないが、気体供給手段によ
って乾燥処理室21内の気圧を外部の気圧と同気圧にし
て、乾燥処理室21内を開放し、乾燥処理された複数の
ウエハ2を載置した状態でリフタ装置22を乾燥処理室
21外の所定の上位置まで上昇させ、搬送用のロボット
ハンド(図示せず)にリフタ装置22からその複数のウ
エハ2を受け渡す。
【0031】このようにして、処理ユニット7で所定の
表面処理が為され、乾燥部8で減圧乾燥された複数のウ
エハ2は搬出側のウエハ移替部6のキャリア4内に搬送
用ロボット(図示せず)で搬送されて回収され、搬出側
のウエハ移替部6において、上記ウエハ移替部5の場合
とは逆に、1個の処理部用のキャリア4から2個の搬送
用のキャリア3に2つのウエハ群に分けられて前後のキ
ャリア3内にそれぞれ移し替えられる。オペレータは、
処理済みの複数のウエハ2が収容された2つのキャリア
3を搬出すればよい。
【0032】以上により、乾燥処理室21内の減圧乾燥
時に、前後工程で予め減圧処理した減圧補助用容器23
内を乾燥処理室21内に連通させて乾燥処理室21内の
気圧を急激に低下させた後に引き続いて乾燥処理室21
内を減圧処理するため、乾燥処理室21内の減圧到達時
間が大幅に短縮化され、より素早く減圧乾燥を行うこと
ができる。
【0033】また、減圧補助用容器23はどんな形状で
あっても何処に設置されてもよく、空きスペースを利用
できるため、省設置スペース化を図ることができる。ま
た、乾燥処理槽の容積が大きくなったとしても、従来の
ように新たに減圧ポンプ29を増設する必要がなく減圧
ポンプ29が1台で済むことから、省設置スペース化を
図ることができる。
【0034】さらに、減圧補助用容器23内を予め減圧
処理するための減圧ポンプ29の稼動は、乾燥処理室2
1内の減圧時以外の前後工程の十分な時間を用いること
が可能となると共に、減圧時以外の前後工程と並行させ
ることが可能となって減圧補助用容器23に対する減圧
駆動時間を有効利用することができる。また、乾燥処理
室21の容積が大きくなったとしても、従来のように減
圧能力の更に高い減圧ポンプや複数台の減圧ポンプとす
る必要がなくなって、従来の1台の減圧ポンプのままで
安価に減圧能力を高めることができて、従来のように減
圧能力を高めたことに起因したポンプ駆動による振動や
騒音も抑制するとことができる。
【0035】(実施形態2)上記実施形態1では、1台
の減圧ポンプ29で、減圧補助用容器23の減圧をウエ
ハ2の乾燥工程以外の前の各基板処理工程と並行させて
時間をずらして予め行い、減圧乾燥時に、その予め減圧
した減圧補助用容器23内と乾燥処理室21内とを連通
させて乾燥処理室21内の圧力を急激に低下させ、その
1台の減圧ポンプ29で、減圧乾燥に必要な到達圧力に
乾燥処理室21内をさらに減圧するように構成したが、
本実施形態2では、乾燥処理室21内を減圧する専用の
減圧ポンプ29と、減圧補助用容器23内を予め減圧す
る図4の専用の減圧ポンプ42との2台を有する場合で
ある。この場合、減圧ポンプが2台であることから、従
来、ポンプ駆動による振動や騒音、高価で比較的大きな
設置スペースが必要であるなどの問題を解消するため、
高価ではあっても従来と同様に、一方の減圧ポンプ29
は減圧乾燥に必要な到達圧力に素早く到達させることが
可能な高減圧能力の減圧ポンプとし、他方の減圧補助用
容器23専用の減圧ポンプは、減圧補助用容器23内を
減圧するのにその前後工程の時間が十分にあると共に、
減圧乾燥時ほどの真空度が必要ではないので、比較的減
圧能力が低くくてもよく、この場合、ポンプ駆動による
振動や騒音がほとんどなく、小型であって安価で比較的
設置スペースも小さい減圧ポンプを選択する必要があ
る。
【0036】図4は本発明の実施形態2における基板処
理装置の乾燥部の概略構成を示す模式図であり、図2の
各部材と同様の作用効果を奏する部材には同一の符号を
付けてその説明を省略する。
【0037】図4において、図2で配管26と減圧補助
用容器23との間に介装された配管27およびバブル部
材31の代りに、減圧補助用容器23の側壁に開口した
配管41の経路の途中にバブル部材31および、小型で
低減圧能力の減圧ポンプ42が配設されており、これら
のバブル部材31および減圧ポンプ42の制御端子に電
気的に接続されている制御部43は、図5(a)および
図5(b)に示すバブル部材25,30の開口制御(O
N)時以外のときに、図5(c)に示すようにバブル部
材31を開口制御(ON)すると共に、図5(e)に示
すように減圧ポンプ42を駆動制御(ON)するように
なっている。
【0038】このように、本実施形態2では、減圧ポン
プ29,42を同時に駆動させるのを避けることで、ポ
ンプ駆動による振動や騒音をできるだけ軽減するように
しているが、小型で低減圧能力の減圧ポンプ42と大型
で通常の高減圧能力の減圧ポンプ29を駆動させても、
それらによる振動や騒音が問題とならない場合には、図
5(c)および図5(e)に示す破線C,Eに示すよう
に時間T2〜T3の期間にも、バブル部材31を開口制
御(ON)すると共に減圧ポンプ42を駆動制御(O
N)するように構成して減圧補助用容器23内をできる
だけ減圧するようにしてもよく、ポンプの設置スペース
に制限がなければ、その駆動時間を増加させた分だけ減
圧補助用容器23の容積を大きくすることができるし、
減圧補助用容器23内の圧力をさらに低下させることも
できる。また、その小型の減圧ポンプ42による減圧
は、制御部43が、圧力計34を介して減圧補助用容器
23内の気圧を監視しており、減圧補助用容器23内が
減圧ポンプ42による減圧能力の真空度に達すると、バ
ブル部材31を閉止制御(OFF)すると共に減圧ポン
プ42を駆動停止制御(OFF)するようになってい
る。
【0039】上記構成により、複数のウエハ2の減圧乾
燥は、まず、制御部43が、図5(a)に示すように時
間T1でバルブ部材25をオフ(OFF)からオン(O
N)に開口制御すると共に、図5(c)および図5
(e)に示すようにバルブ部材31および減圧ポンプ4
2をオン(ON)からオフ(OFF)に閉止制御するこ
とで、図3(d)の気圧曲線Aと同様に、乾燥処理室2
1内の気圧が急激に減圧状態になると共に、図3(d)
の気圧曲線Bと同様に、減圧補助用容器23内の気圧が
急激に増圧状態になって、時間T2で乾燥処理室21内
と減圧補助用容器23内との気圧が略同一の気圧にな
る。このとき、制御部43は、圧力計33,34をそれ
ぞれ介して乾燥処理室21および減圧補助用容器23内
の各気圧を監視しており、乾燥処理室21内と減圧補助
用容器23内との気圧差がなくなった時点T2に、バル
ブ部材25を閉止制御して乾燥処理室21内と減圧補助
用容器23内とを切り離すと共に、バルブ部材30を開
口制御(ON)すると共に減圧ポンプ29を駆動制御
(ON)して、時点T2から、減圧ポンプ29は、乾燥
処理室21内だけを効率よく高減圧能力で減圧乾燥に必
要な所定の気圧まで減圧する。
【0040】さらに、乾燥処理室21内の気圧が、図3
(d)の気圧曲線Aと同様に減圧乾燥に必要な所定の気
圧になった時点T3で、図5(b)および図5(d)に
示すようにバルブ部材30を閉止制御(OFF)すると
共に減圧ポンプ29を駆動停止制御(OFF)し、か
つ、図5(c)および図5(e)に示すようにバルブ部
材31を開口制御(ON)すると共に減圧ポンプ42を
駆動制御(ON)して、減圧補助用容器23内だけを予
め減圧処理する。
【0041】さらに、上記実施形態1と同様に、減圧乾
燥に必要な所定の時間T4が経過した後に、図示してい
ない気体供給手段によって乾燥処理室21内の気圧を外
部の気圧と同気圧にして乾燥処理室21内を開放し、乾
燥処理された複数のウエハ2を載置した状態で各リフタ
装置22を乾燥処理室21外の所定位置まで上昇させ、
搬送用のロボットハンド(図示せず)にリフタ装置22
からその複数のウエハ2を受け渡すことになる。
【0042】以上のように、従来は、乾燥処理室21の
容積が大きくなった場合には減圧時間が長くなるが、装
置の他の処理タクト以内に収めるために減圧乾燥に必要
な到達圧力に素早く到達させることが可能な高減圧能力
であって大型の減圧ポンプ29を2台同時に用いる。こ
のため、従来は、ポンプ駆動による振動や騒音が増加し
たが、本実施形態2では、そのうちの一方を、減圧補助
用容器23内を減圧するのに、減圧乾燥工程の前後の工
程と並行した十分な時間を用いることができると共に減
圧乾燥時ほどの真空度が必要ではない(減圧補助用容器
23内の容積を大きくすれば乾燥処理室21内の圧力を
より急激に下げることができる)ので、比較的減圧能力
が低く小型の減圧ポンプを用いると共に、その小型の減
圧ポンプの駆動タイミングが大型の減圧ポンプ29の駆
動タイミングと時間的にずれており、従来のように大型
の減圧ポンプ29を2台同時に用いないため、ポンプ駆
動による振動や騒音は抑制され、より安価で比較的設置
スペースも小さくなる。
【0043】したがって、以上の実施形態1,2によれ
ば、処理室21内に複数のウエハ2を収容し、減圧乾燥
時に、前後工程の基板処理や搬送処理などの各種処理と
並行させて減圧ポンプ29で予め減圧処理しておいた別
の減圧用容器23内をバルブ部材25を介して処理室2
1内に連通させ、処理室21内の気圧を減圧用容器23
内の気圧と同等になるように急激に低下させ、その低下
させた処理室21内の気圧から減圧乾燥に必要な気圧ま
で減圧ポンプ29で下げるようにするため、従来では、
大きな乾燥処理室21を用いた場合には2台の高減圧能
力の減圧ポンプ29を用いる必要があったが、高減圧能
力の減圧ポンプ29は少なくとも1台あればよく安価で
あって、かつ、その振動や騒音を抑制することができる
と共に、省設置スペースでしかもより素早く減圧乾燥を
行うことができる。
【0044】また、基板処理装置全体としても、より素
早い基板乾燥処理で処理タクトを伸ばすことなくスルー
プットを向上させることができると共に、より安価で小
型化できて、振動や騒音のより抑制された高性能の装置
とすることができる。
【0045】なお、上記実施形態1,2の基板処理装置
は、本発明に係る基板乾燥部8が適用される多槽式基板
処理装置の一例であって、その具体的な構成は、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例え
ば、多槽式の基板処理装置1だけではなく、単槽式の基
板処理装置、例えば、所謂ワンバス式の基板処理装置に
対しても、本発明に係る基板乾燥部を容易に適用可能な
ことはいうまでもないことである。
【0046】また、前記実施形態1,2の基板処理装置
は、基板を乾燥する処理だけの専用機であるが、基板を
洗浄する処理も行う兼用機でもよい。例えば、前記乾燥
処理室21内の前記滴回収容器55を除去し、前記乾燥
処理室21内における乾燥用定位置の下方の位置に、純
水単独ないし、純水にオゾンや界面活性剤等の成分を含
ませた洗浄液を貯溜する洗浄槽を付設して、洗浄と乾燥
を連続して行う兼用装置としてもよい。このようにした
場合、乾燥処理室21内へウエハ2を収容する際、ウエ
ハ2を保持したリフタ装置22は、乾燥用定位置よりも
降下し、ウエハ2を洗浄槽の洗浄液に浸漬して洗浄処理
を行い、十分に洗浄できたら、ウエハ2を乾燥用定位置
まで上昇させるとともに、洗浄槽に貯溜されている洗浄
液を、洗浄槽および乾燥処理室21の外へ排出し、その
後は、前述したように、乾燥処理室21の減圧を開始し
て、減圧乾燥処理を行う。
【0047】さらに、本発明に係る基板乾燥部は、上記
のようなバッチ式の基板処理装置だけではなく、枚様式
の基板処理装置にも容易に適応可能であり、要は、基板
を所定の容器内に収容して減圧乾燥を行うような装置全
般に対して適応可能である。
【0048】また、上記実施形態1,2の処理ユニット
7では、一連の各種薬液処理の一例として、窒化膜除去
処理の槽構成について説明したが、この窒化膜除去処理
の他に、レジスト剥離処理、酸化膜エッチング処理、ラ
イトエッチング処理および拡散前洗浄処理などの各種薬
液処理であってもよいし、この処理ユニット7の代り
に、基板上に薄膜を形成する処理ユニットであってもよ
い。
【0049】また、本発明の基板減圧処理装置は、減圧
することにより基板を乾燥する装置に限定されるもので
はなく、例えば成膜処理や酸化処理等のように、減圧雰
囲気下で行う各種処理装置にも適用可能であり、要は、
本発明の基板乾燥装置が基板を所定の容器内に収容して
減圧処理を行うものであればよい。
【0050】
【発明の効果】以上のように本発明の請求項1によれ
ば、処理室内の減圧時または減圧前に、基板処理と並行
して予め減圧処理しておいた処理室とは別の減圧用容器
内を処理室内に連通させることで、処理室内の気圧を急
激に低下させ、その低下した処理室内の気圧から基板減
圧処理に必要な気圧まで減圧手段でさらに下げるように
するため、従来では、大きな処理室を用いた場合には処
理タクトを長くしないために例えば2台の高減圧能力の
減圧手段を用いる等して増強する必要があったが、高減
圧能力の減圧手段は少なくとも1台あればよく安価であ
って、かつ、その振動や騒音を抑制することができると
共に、省設置スペースでしかもより素早く基板減圧処理
を行うことができる。
【0051】また、本発明の請求項2によれば、本発明
の基板減圧処理装置を容易に基板処理装置に適応させる
ことができて、基板処理装置全体としても、より素早く
基板乾燥処理を開始することができ、スループットを向
上させることができると共に、安価で小型化できて、振
動や騒音のより抑制された高性能の装置とすることがで
きる。
【0052】ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1における基板処理装置の概
略構成を示す平面図である。
【図2】図1の乾燥部の概略要部構成を示す模式図であ
る。
【図3】(a)は図2のバルブ部材25の制御タイミン
グ図、(b)は図2のバルブ部材30の制御タイミング
図、(c)は図2のバルブ部材31の制御タイミング
図、(d)は図2の基板処理室21内および減圧補助用
容器23内の気圧変化をそれぞれ示す図である。
【図4】本発明の実施形態2における基板処理装置の乾
燥部の概略要部構成を示す模式図である。
【図5】(a)は図4のバルブ部材25の制御タイミン
グ図、(b)は図4のバルブ部材30の制御タイミング
図、(c)は図4のバルブ部材31の制御タイミング
図、(d)は図4の減圧ポンプ29の制御タイミング
図、(e)は図4の減圧ポンプ42の制御タイミング図
である。
【図6】従来の基板処理装置の乾燥部の概略要部構成を
示す模式図である。
【図7】(a)は図6のバルブ部材56の制御タイミン
グ図、(b)は図6の減圧ポンプ57の制御タイミング
図、(c)は図6の基板処理室52内の気圧変化を示す
図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置 2 半導体ウエハ 7 処理ユニット 8 乾燥部 21 乾燥処理室 22 リフタ装置 23 減圧補助用容器 25,30,31 バルブ部材 29,42 減圧ポンプ 32,43 制御部 33,34 圧力計

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理室内に収容して減圧処理を行
    う基板減圧処理装置において、 内部を減圧自在な減圧用容器と、この減圧用容器内と前
    記処理室内を連通自在な連通部材と、減圧用容器内を減
    圧する減圧手段と、前記処理室内の減圧時または減圧前
    に、予め減圧処理した減圧用容器内を前記処理室内に連
    通させるように前記連通部材を制御する制御部材とを有
    することを特徴とする基板減圧処理装置。
  2. 【請求項2】 1または複数の基板の表面処理が為され
    る少なくとも一つの基板処理部と、この基板処理部で処
    理された1または複数の基板を減圧乾燥する請求項1に
    記載の基板減圧処理装置と、これらの基板処理部および
    基板減圧処理装置に対して1または複数の基板を搬送す
    る搬送手段とを有したことを特徴とする基板処理装置。
JP26361598A 1998-09-17 1998-09-17 基板減圧処理装置および基板処理装置 Pending JP2000100890A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26361598A JP2000100890A (ja) 1998-09-17 1998-09-17 基板減圧処理装置および基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26361598A JP2000100890A (ja) 1998-09-17 1998-09-17 基板減圧処理装置および基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000100890A true JP2000100890A (ja) 2000-04-07

Family

ID=17392006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26361598A Pending JP2000100890A (ja) 1998-09-17 1998-09-17 基板減圧処理装置および基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000100890A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7493705B2 (en) 2005-08-01 2009-02-24 Seiko Epson Corporation Reduced-pressure drying apparatus
US8203689B2 (en) 2005-08-01 2012-06-19 Seiko Epson Corporation Reduced-pressure drying method, method of manufacturing functional film, method of manufacturing electro-optic device, electro-optic device, liquid crystal display device, organic el display device, and electronic apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7493705B2 (en) 2005-08-01 2009-02-24 Seiko Epson Corporation Reduced-pressure drying apparatus
US8203689B2 (en) 2005-08-01 2012-06-19 Seiko Epson Corporation Reduced-pressure drying method, method of manufacturing functional film, method of manufacturing electro-optic device, electro-optic device, liquid crystal display device, organic el display device, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5474853B2 (ja) 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP4397646B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2006137330A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001176833A (ja) 基板処理装置
US7506457B2 (en) Substrate treating apparatus
US20090084405A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2011222595A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20210064061A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2006179757A (ja) 基板処理装置
JP2006278955A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2019054124A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法
JP4451076B2 (ja) 真空処理装置
JP2002050600A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2000100890A (ja) 基板減圧処理装置および基板処理装置
JP2003115519A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ
JP3102826B2 (ja) 基板処理装置
JP3892102B2 (ja) 基板処理方法及び同装置
JP2000012505A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP4891730B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラム
KR102178870B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
CN209804605U (zh) 液体处理装置
JPH08203858A (ja) 基板処理装置
JP4455291B2 (ja) 処理システム
JP2000308859A (ja) 処理装置及び処理方法
JP3720612B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060516

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060623

A02 Decision of refusal

Effective date: 20060808

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02