JP2000099993A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JP2000099993A JP2000099993A JP10266251A JP26625198A JP2000099993A JP 2000099993 A JP2000099993 A JP 2000099993A JP 10266251 A JP10266251 A JP 10266251A JP 26625198 A JP26625198 A JP 26625198A JP 2000099993 A JP2000099993 A JP 2000099993A
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- film
- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さが薄くかつ電気抵抗および摩擦係数が小
さい保護膜を有する光ディスクを提供することである。 【解決手段】 光ディスク２２は、ポリカーボネートか
らなるディスク基板１０上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る厚さ１００ｎｍの誘電体膜１２、ＧｅＳｂＴｅからな
る厚さ２０ｎｍの信号記録膜１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
らなる厚さ２０ｎｍの誘電体膜１４およびカーボンから
なる厚さ２０ｎｍの保護膜１６を順に形成してなる。Ｓ
ＩＬ３の出射面から信号記録膜１３までの距離Ｄ2 は１
００ｎｍ以下である。
さい保護膜を有する光ディスクを提供することである。 【解決手段】 光ディスク２２は、ポリカーボネートか
らなるディスク基板１０上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る厚さ１００ｎｍの誘電体膜１２、ＧｅＳｂＴｅからな
る厚さ２０ｎｍの信号記録膜１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
らなる厚さ２０ｎｍの誘電体膜１４およびカーボンから
なる厚さ２０ｎｍの保護膜１６を順に形成してなる。Ｓ
ＩＬ３の出射面から信号記録膜１３までの距離Ｄ2 は１
００ｎｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録および
再生を行うための光記録媒体である光ディスクに関す
る。
再生を行うための光記録媒体である光ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】面記録密度が１０Ｇビット／（インチ）
2 を超える光ディスクの開発技術の１つとしてニアフィ
ールド（近接場）記録再生方式が提案されている。この
ニアフィールド記録再生方式は、通常の対物レンズの回
折限界を超えてビームスポット径を小さくする技術であ
る。ビームスポット径を小さくすることにより、光ディ
スクにおける面記録密度をより大きくすることが可能と
なる。
2 を超える光ディスクの開発技術の１つとしてニアフィ
ールド（近接場）記録再生方式が提案されている。この
ニアフィールド記録再生方式は、通常の対物レンズの回
折限界を超えてビームスポット径を小さくする技術であ
る。ビームスポット径を小さくすることにより、光ディ
スクにおける面記録密度をより大きくすることが可能と
なる。
【０００３】ニアフィールド記録再生方式では、ＳＩＬ
(Solid Immersion Lens;ソリッドイマージョンレンズ)
と呼ばれる半球状のレンズが用いられる。
(Solid Immersion Lens;ソリッドイマージョンレンズ)
と呼ばれる半球状のレンズが用いられる。
【０００４】図２は、ＳＩＬを備えた光ディスク装置の
光学系の概略構成を示す模式図である。
光学系の概略構成を示す模式図である。
【０００５】光ディスク装置１００は、光ディスク２０
を回転駆動するスピンドルモータ３０を備える。浮上型
ヘッド１は、光ディスク２０の静止時に光ディスク２０
と接する。光ディスク２０が、スピンドルモータ３０に
より所定の回転数で回転すると、光ディスク２０と浮上
型ヘッド１との間に空気流が生じ、浮上型ヘッド１が浮
上する。
を回転駆動するスピンドルモータ３０を備える。浮上型
ヘッド１は、光ディスク２０の静止時に光ディスク２０
と接する。光ディスク２０が、スピンドルモータ３０に
より所定の回転数で回転すると、光ディスク２０と浮上
型ヘッド１との間に空気流が生じ、浮上型ヘッド１が浮
上する。
【０００６】上記のように光ディスク２０が回転して浮
上型ヘッド１が浮上した状態において、半導体レーザ素
子４から出射されたレーザ光がコリメータレンズ５、ハ
ーフミラー６および浮上型ヘッド１を通過し、光ディス
ク２０の信号記録面２１に集光される。一方、光ディス
ク２０からの帰還光（反射光）は、浮上型ヘッド１を通
過した後、ハーフミラー６により反射され、集光レンズ
７を経て光検出器８内に入射する。
上型ヘッド１が浮上した状態において、半導体レーザ素
子４から出射されたレーザ光がコリメータレンズ５、ハ
ーフミラー６および浮上型ヘッド１を通過し、光ディス
ク２０の信号記録面２１に集光される。一方、光ディス
ク２０からの帰還光（反射光）は、浮上型ヘッド１を通
過した後、ハーフミラー６により反射され、集光レンズ
７を経て光検出器８内に入射する。
【０００７】浮上型ヘッド１は、ＳＩＬ３と対物レンズ
２とを備える。ＳＩＬ３は、ガラス等の屈折率の大きな
透明物質からなる球の一部を平らに削り取り、研磨した
ものである。ＳＩＬ３内に入射したレーザ光の焦点は研
磨面と一致しており、研磨面がレーザ光の出射面に相当
する。
２とを備える。ＳＩＬ３は、ガラス等の屈折率の大きな
透明物質からなる球の一部を平らに削り取り、研磨した
ものである。ＳＩＬ３内に入射したレーザ光の焦点は研
磨面と一致しており、研磨面がレーザ光の出射面に相当
する。
【０００８】半導体レーザ素子４から出射したレーザ光
は、浮上型ヘッド１において対物レンズ２で絞りこまれ
た後、ＳＩＬ３内に入射する。ＳＩＬ３の屈折率をｎと
し、空気中でのレーザ光の波長をλとすると、ＳＩＬ３
内ではレーザ光の波長はλ／ｎとなる。このため、ＳＩ
Ｌ３の出射面におけるレーザ光のスポット径は、対物レ
ンズ２により集光されたスポット径の１／ｎとなる。
は、浮上型ヘッド１において対物レンズ２で絞りこまれ
た後、ＳＩＬ３内に入射する。ＳＩＬ３の屈折率をｎと
し、空気中でのレーザ光の波長をλとすると、ＳＩＬ３
内ではレーザ光の波長はλ／ｎとなる。このため、ＳＩ
Ｌ３の出射面におけるレーザ光のスポット径は、対物レ
ンズ２により集光されたスポット径の１／ｎとなる。
【０００９】ＳＩＬ３を出射したレーザ光は、空気中に
出ると再び元のスポット径に戻る。しかしながら、ＳＩ
Ｌ３の出射面からの距離がレーザ光の波長の１／４まで
（約１００ｎｍ以下）の範囲、すなわちニアフィールド
と呼ばれる範囲においては、レーザ光がＳＩＬ３内と同
じ性質で浸み出す。このように浸み出した光はエバネッ
セント光と呼ばれる。エバネッセント光のスポット径
は、対物レンズ２により集光されたスポット径の１／ｎ
と小さい。このようなエバネッセント光を利用すれば、
光ディスク２０の面記録密度をより大きくすることが可
能となる。
出ると再び元のスポット径に戻る。しかしながら、ＳＩ
Ｌ３の出射面からの距離がレーザ光の波長の１／４まで
（約１００ｎｍ以下）の範囲、すなわちニアフィールド
と呼ばれる範囲においては、レーザ光がＳＩＬ３内と同
じ性質で浸み出す。このように浸み出した光はエバネッ
セント光と呼ばれる。エバネッセント光のスポット径
は、対物レンズ２により集光されたスポット径の１／ｎ
と小さい。このようなエバネッセント光を利用すれば、
光ディスク２０の面記録密度をより大きくすることが可
能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図３は、従来の光ディ
スク２０および浮上した状態のＳＩＬ３を示す模式図で
ある。
スク２０および浮上した状態のＳＩＬ３を示す模式図で
ある。
【００１１】光ディスク２０は、ディスク基板１０上
に、アルミニウム合金からなる金属反射膜１１、誘電体
膜１２、信号記録膜１３、誘電体膜１４および紫外線硬
化樹脂からなる保護膜１５を順に積層してなる。保護膜
１５は厚さにむらがあり、最小でも１０μｍ程度の厚さ
を有する。このため、ＳＩＬ３の出射面と信号記録膜１
３との距離Ｄ1 は１０μｍ以上となる。
に、アルミニウム合金からなる金属反射膜１１、誘電体
膜１２、信号記録膜１３、誘電体膜１４および紫外線硬
化樹脂からなる保護膜１５を順に積層してなる。保護膜
１５は厚さにむらがあり、最小でも１０μｍ程度の厚さ
を有する。このため、ＳＩＬ３の出射面と信号記録膜１
３との距離Ｄ1 は１０μｍ以上となる。
【００１２】上述のように、スポット径Ｗ1 のエバネッ
セント光はＳＩＬ３の出射面近傍にしか到達せず、ＳＩ
Ｌ３の出射面から離れた信号記録膜１３に到達するのは
スポット径Ｗ2 のレーザ光である。レーザ光のスポット
径Ｗ2 は空気中で広がっている。このため、エバネッセ
ント光を利用した場合よりも光ディスク２０の面記録密
度が小さくなる。
セント光はＳＩＬ３の出射面近傍にしか到達せず、ＳＩ
Ｌ３の出射面から離れた信号記録膜１３に到達するのは
スポット径Ｗ2 のレーザ光である。レーザ光のスポット
径Ｗ2 は空気中で広がっている。このため、エバネッセ
ント光を利用した場合よりも光ディスク２０の面記録密
度が小さくなる。
【００１３】また、紫外線硬化樹脂からなる保護膜１５
は、電気比抵抗が１０13Ωｃｍと大きいため静電気が生
じやすく、埃等が付着しやすい。レーザ光は、保護膜１
５を通過して信号記録膜１３に到達することから、保護
膜１５の表面に付着した埃は、レーザ光に影響を及ぼ
す。
は、電気比抵抗が１０13Ωｃｍと大きいため静電気が生
じやすく、埃等が付着しやすい。レーザ光は、保護膜１
５を通過して信号記録膜１３に到達することから、保護
膜１５の表面に付着した埃は、レーザ光に影響を及ぼ
す。
【００１４】さらに、紫外線硬化樹脂からなる保護膜１
５は摩擦係数が０．３以上と大きいため、浮上型ヘッド
１が光ディスク２０に接触しているときに潤滑性が悪
く、光ディスク２０が摩耗する。
５は摩擦係数が０．３以上と大きいため、浮上型ヘッド
１が光ディスク２０に接触しているときに潤滑性が悪
く、光ディスク２０が摩耗する。
【００１５】本発明の目的は、厚さが薄くかつ電気抵抗
および摩擦係数が小さい保護膜を有する光ディスクを提
供することである。
および摩擦係数が小さい保護膜を有する光ディスクを提
供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る光ディスクは、基板上に相変化材料からなる
信号記録膜およびカーボンからなる保護膜が順に形成さ
れたものである。
発明に係る光ディスクは、基板上に相変化材料からなる
信号記録膜およびカーボンからなる保護膜が順に形成さ
れたものである。
【００１７】本発明に係る光ディスクにおいて、カーボ
ンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオーダで制御
することが可能であるため、保護膜の厚さを数十ｎｍと
薄くすることができる。それにより、浮上した状態のＳ
ＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎｍ以下と
することが可能となるため、ニアフィールド記録再生方
式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記録密度が
向上する。
ンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオーダで制御
することが可能であるため、保護膜の厚さを数十ｎｍと
薄くすることができる。それにより、浮上した状態のＳ
ＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎｍ以下と
することが可能となるため、ニアフィールド記録再生方
式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記録密度が
向上する。
【００１８】また、カーボンからなる保護膜は電気抵抗
が小さいため、静電気による埃等の光ディスク表面への
付着を防ぐことができる。
が小さいため、静電気による埃等の光ディスク表面への
付着を防ぐことができる。
【００１９】さらに、カーボンからなる保護膜は摩擦係
数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時における潤
滑性に優れる。それにより、光ディスクにおいて耐摩耗
性の向上が図られる。
数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時における潤
滑性に優れる。それにより、光ディスクにおいて耐摩耗
性の向上が図られる。
【００２０】第２の発明に係る光ディスクは、基板上に
相変化材料からなる信号記録膜および二硫化タングステ
ンからなる保護膜が順に形成されたものである。
相変化材料からなる信号記録膜および二硫化タングステ
ンからなる保護膜が順に形成されたものである。
【００２１】本発明に係る光ディスクにおいて、二硫化
タングステンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオ
ーダで制御することが可能であるため、保護膜の厚さを
数十ｎｍと薄くすることができる。それにより、浮上し
た状態のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００
ｎｍ以下とすることが可能となるため、ニアフィールド
記録再生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面
記録密度が向上する。
タングステンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオ
ーダで制御することが可能であるため、保護膜の厚さを
数十ｎｍと薄くすることができる。それにより、浮上し
た状態のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００
ｎｍ以下とすることが可能となるため、ニアフィールド
記録再生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面
記録密度が向上する。
【００２２】また、二硫化タングステンからなる保護膜
は電気抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディス
ク表面への付着を防ぐことができる。
は電気抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディス
ク表面への付着を防ぐことができる。
【００２３】さらに、二硫化タングステンからなる保護
膜は摩擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時
における潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにお
いて耐摩耗性の向上が図られる。
膜は摩擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時
における潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにお
いて耐摩耗性の向上が図られる。
【００２４】第３の発明に係る光ディスクは、基板上に
相変化材料からなる信号記録膜および二硫化モリブデン
からなる保護膜が順に形成されたものである。
相変化材料からなる信号記録膜および二硫化モリブデン
からなる保護膜が順に形成されたものである。
【００２５】本発明に係る光ディスクにおいて、二硫化
モリブデンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオー
ダで制御することが可能であるため、保護膜の厚さを数
十ｎｍと薄くすることができる。それにより、浮上した
状態のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎ
ｍ以下とすることが可能となるため、ニアフィールド記
録再生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記
録密度が向上する。
モリブデンからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオー
ダで制御することが可能であるため、保護膜の厚さを数
十ｎｍと薄くすることができる。それにより、浮上した
状態のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎ
ｍ以下とすることが可能となるため、ニアフィールド記
録再生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記
録密度が向上する。
【００２６】また、二硫化モリブデンからなる保護膜は
電気抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディスク
表面への付着を防ぐことができる。
電気抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディスク
表面への付着を防ぐことができる。
【００２７】さらに、二硫化モリブデンからなる保護膜
は摩擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時に
おける潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにおい
て耐摩耗性の向上が図られる。
は摩擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時に
おける潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにおい
て耐摩耗性の向上が図られる。
【００２８】第４の発明に係る光ディスクは、基板上に
相変化材料からなる信号記録膜およびダイヤモンドから
なる保護膜が順に形成されたものである。
相変化材料からなる信号記録膜およびダイヤモンドから
なる保護膜が順に形成されたものである。
【００２９】本発明に係る光ディスクにおいて、ダイヤ
モンドからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオーダで
制御することが可能であるため、保護膜の厚さを数十ｎ
ｍと薄くすることができる。それにより、浮上した状態
のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎｍ以
下とすることが可能となるため、ニアフィールド記録再
生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記録密
度が向上する。
モンドからなる保護膜は、成膜時に膜厚をｎｍオーダで
制御することが可能であるため、保護膜の厚さを数十ｎ
ｍと薄くすることができる。それにより、浮上した状態
のＳＩＬの出射面と信号記録膜との距離を１００ｎｍ以
下とすることが可能となるため、ニアフィールド記録再
生方式を有効に適用可能となり、光ディスクの面記録密
度が向上する。
【００３０】また、ダイヤモンドからなる保護膜は電気
抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディスク表面
への付着を防ぐことができる。
抵抗が小さいため、静電気による埃等の光ディスク表面
への付着を防ぐことができる。
【００３１】さらに、ダイヤモンドからなる保護膜は摩
擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時におけ
る潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにおいて耐
摩耗性の向上が図られる。
擦係数が小さいため、ＳＩＬの出射面との接触時におけ
る潤滑性に優れる。それにより、光ディスクにおいて耐
摩耗性の向上が図られる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
光ディスクの模式的断面図である。なお、図１におい
て、ＳＩＬ３が浮上した状態を示している。
光ディスクの模式的断面図である。なお、図１におい
て、ＳＩＬ３が浮上した状態を示している。
【００３３】光ディスク２２は、ディスク基板１０上
に、誘電体膜１２、信号記録膜１３、誘電体膜１４およ
び保護膜１６を積層してなる。
に、誘電体膜１２、信号記録膜１３、誘電体膜１４およ
び保護膜１６を積層してなる。
【００３４】ディスク基板１０の材料としては、ポリカ
ーボネート、ガラス、アルミニウム、ステンレスまたは
エンジニアリングプラスッチックが用いられる。誘電体
膜１２，１４は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる。信号記録
膜１３は、相変化材料であるＧｅＳｂＴｅ（ゲルマニウ
ム・アンチモン・テルル）からなる。
ーボネート、ガラス、アルミニウム、ステンレスまたは
エンジニアリングプラスッチックが用いられる。誘電体
膜１２，１４は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる。信号記録
膜１３は、相変化材料であるＧｅＳｂＴｅ（ゲルマニウ
ム・アンチモン・テルル）からなる。
【００３５】結晶状態のＧｅＳｂＴｅの所定領域に高出
力のレーザ光を照射すると、この領域は非晶質状態に変
化する。一方、非晶質状態の所定領域にレーザ光を照射
し、この領域をガラス転移温度以上の温度で所定時間保
持すると、この領域は結晶状態に戻る。ＧｅＳｂＴｅに
おいて、結晶状態と非晶質状態とでは反射率が異なるた
め、このような相変化を利用して、信号の記録および再
生を行う。
力のレーザ光を照射すると、この領域は非晶質状態に変
化する。一方、非晶質状態の所定領域にレーザ光を照射
し、この領域をガラス転移温度以上の温度で所定時間保
持すると、この領域は結晶状態に戻る。ＧｅＳｂＴｅに
おいて、結晶状態と非晶質状態とでは反射率が異なるた
め、このような相変化を利用して、信号の記録および再
生を行う。
【００３６】保護膜１６は、カーボン、ＷＳ2 （二硫化
タングステン）、ＭｏＳ2 （二硫化モリブデン）または
ダイヤモンドからなる。カーボン、ＷＳ2 またはＭｏＳ
2 を材料として用いる場合、スパッタリング法により保
護膜１６を形成する。一方、ダイヤモンドを材料として
用いる場合、ＣＶＤ法（化学気相成長法）により保護膜
１６を形成する。なお、ダイヤモンドからなる保護膜１
６を形成する際、ディスク基板１０の材料は金属とす
る。
タングステン）、ＭｏＳ2 （二硫化モリブデン）または
ダイヤモンドからなる。カーボン、ＷＳ2 またはＭｏＳ
2 を材料として用いる場合、スパッタリング法により保
護膜１６を形成する。一方、ダイヤモンドを材料として
用いる場合、ＣＶＤ法（化学気相成長法）により保護膜
１６を形成する。なお、ダイヤモンドからなる保護膜１
６を形成する際、ディスク基板１０の材料は金属とす
る。
【００３７】スパッタリング法およびＣＶＤ法において
は、ｎｍオーダで膜厚を制御することが可能である。し
たがって、スパッタリング法またはＣＶＤ法により薄膜
を形成し、これを層状に積層することにより、数十ｎｍ
程度の薄い保護膜１６を形成することが可能となる。
は、ｎｍオーダで膜厚を制御することが可能である。し
たがって、スパッタリング法またはＣＶＤ法により薄膜
を形成し、これを層状に積層することにより、数十ｎｍ
程度の薄い保護膜１６を形成することが可能となる。
【００３８】保護膜１６の膜厚を薄くすることにより、
浮上した状態のＳＩＬ３の出射面と信号記録膜１３との
距離Ｄ2 が１００ｎｍ以下、すなわちニアフィールド記
録再生が適用可能な距離となり、スポット径Ｗ1 のエバ
ネッセント光が信号記録膜１３に到達する。
浮上した状態のＳＩＬ３の出射面と信号記録膜１３との
距離Ｄ2 が１００ｎｍ以下、すなわちニアフィールド記
録再生が適用可能な距離となり、スポット径Ｗ1 のエバ
ネッセント光が信号記録膜１３に到達する。
【００３９】カーボン、ＷＳ2 、ＭｏＳ2 またはダイヤ
モンドからなる保護膜１６の電気比抵抗は数Ωｃｍ〜１
０4 Ωｃｍ程度であり、図３に示した紫外線硬化樹脂か
らなる保護膜１５の電気比抵抗１０13Ωｃｍよりも小さ
いため、静電気による埃等の付着を防ぐことができる。
モンドからなる保護膜１６の電気比抵抗は数Ωｃｍ〜１
０4 Ωｃｍ程度であり、図３に示した紫外線硬化樹脂か
らなる保護膜１５の電気比抵抗１０13Ωｃｍよりも小さ
いため、静電気による埃等の付着を防ぐことができる。
【００４０】さらに、カーボン、ＷＳ2 、ＭｏＳ2 また
はダイヤモンドからなる保護膜１６は、紫外線硬化樹脂
からなる保護膜１５よりも摩擦係数が０．１程度と小さ
いため、ＳＩＬ３の出射面との接触時における潤滑性に
優れる。
はダイヤモンドからなる保護膜１６は、紫外線硬化樹脂
からなる保護膜１５よりも摩擦係数が０．１程度と小さ
いため、ＳＩＬ３の出射面との接触時における潤滑性に
優れる。
【００４１】以上のように、本実施例の光ディスク２２
によれば、ニアフィールド記録再生により、面記録密度
の向上が図られる。また、表面が電気抵抗および摩擦係
数の小さい材料からなる保護膜１６により被覆されてい
るため、埃等によるレーザ光への影響を防ぐことが可能
になるとともに、光ディスク２２の耐摩耗性の向上が図
られる。
によれば、ニアフィールド記録再生により、面記録密度
の向上が図られる。また、表面が電気抵抗および摩擦係
数の小さい材料からなる保護膜１６により被覆されてい
るため、埃等によるレーザ光への影響を防ぐことが可能
になるとともに、光ディスク２２の耐摩耗性の向上が図
られる。
【００４２】次に、図１に示す光ディスク２２の作製方
法を説明する。 （実施例１）実施例１における光ディスク２２の表面
は、カーボンからなる保護膜１６により被覆する。
法を説明する。 （実施例１）実施例１における光ディスク２２の表面
は、カーボンからなる保護膜１６により被覆する。
【００４３】ポリカーボネートからなるディスク基板１
０上に、Ａｒガスを用いたＲＦ（高周波）スパッタリン
グ法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる厚さ１００ｎｍ
の誘電体膜１２を形成する。ＲＦスパッタリング法の条
件は表１に示すとおりである。
０上に、Ａｒガスを用いたＲＦ（高周波）スパッタリン
グ法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる厚さ１００ｎｍ
の誘電体膜１２を形成する。ＲＦスパッタリング法の条
件は表１に示すとおりである。
【００４４】
【表１】
【００４５】次に、誘電体膜１２上に、Ａｒガスを用い
たＤＣ（直流）スパッタリング法により、ＧｅＳｂＴｅ
からなる厚さ２０ｎｍの信号記録膜１３を形成する。Ｄ
Ｃスパッタリング法の条件は表２に示すとおりである。
たＤＣ（直流）スパッタリング法により、ＧｅＳｂＴｅ
からなる厚さ２０ｎｍの信号記録膜１３を形成する。Ｄ
Ｃスパッタリング法の条件は表２に示すとおりである。
【００４６】
【表２】
【００４７】続いて、信号記録膜１３上に、再びＡｒガ
スを用いたＲＦスパッタリング法により、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる厚さ２０ｎｍの誘電体膜１４を形成する。
なお、ＲＦスパッタリング法の条件は前述の表１に示す
とおりである。
スを用いたＲＦスパッタリング法により、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる厚さ２０ｎｍの誘電体膜１４を形成する。
なお、ＲＦスパッタリング法の条件は前述の表１に示す
とおりである。
【００４８】最後に、誘電体膜１４上に、Ａｒガスを用
いたＤＣスパッタリング法により、カーボンからなる厚
さ２０ｎｍの保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリン
グ法の条件は表３に示すとおりである。
いたＤＣスパッタリング法により、カーボンからなる厚
さ２０ｎｍの保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリン
グ法の条件は表３に示すとおりである。
【００４９】
【表３】
【００５０】以上のようにして作製した光ディスク２２
におけるカーボンからなる保護膜１６の電気比抵抗は数
Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
におけるカーボンからなる保護膜１６の電気比抵抗は数
Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
【００５１】（実施例２）実施例２における光ディスク
２２の作製方法は、カーボンの代わりにＷＳ2 からなる
保護膜１６を形成する点を除いて実施例１に示す光ディ
スク２２の作製方法と同様である。
２２の作製方法は、カーボンの代わりにＷＳ2 からなる
保護膜１６を形成する点を除いて実施例１に示す光ディ
スク２２の作製方法と同様である。
【００５２】Ａｒガスを用いたＤＣスパッタリング法に
より、誘電体膜１４上にＷＳ2 からなる厚さ２０ｎｍの
保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリング法の条件は
表４に示すとおりである。
より、誘電体膜１４上にＷＳ2 からなる厚さ２０ｎｍの
保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリング法の条件は
表４に示すとおりである。
【００５３】
【表４】
【００５４】以上のようにして作製した光ディスクにお
けるＷＳ2 からなる保護膜１６の電気比抵抗は１０4 Ω
ｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
けるＷＳ2 からなる保護膜１６の電気比抵抗は１０4 Ω
ｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
【００５５】（実施例３）実施例３における光ディスク
２２の作製方法は、カーボンの代わりにＭｏＳ2からな
る保護膜１６を形成する点を除いて実施例１に示す光デ
ィスク２２の作製方法と同様である。
２２の作製方法は、カーボンの代わりにＭｏＳ2からな
る保護膜１６を形成する点を除いて実施例１に示す光デ
ィスク２２の作製方法と同様である。
【００５６】Ａｒガスを用いたＤＣスパッタリング法に
より、誘電体膜１４上にＭｏＳ2 からなる厚さ２０ｎｍ
の保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリング法の条件
は表５に示すとおりである。
より、誘電体膜１４上にＭｏＳ2 からなる厚さ２０ｎｍ
の保護膜１６を形成する。ＤＣスパッタリング法の条件
は表５に示すとおりである。
【００５７】
【表５】
【００５８】以上のようにして作製した光ディスクにお
けるＭｏＳ2 からなる保護膜１６の電気比抵抗は１０4
Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
けるＭｏＳ2 からなる保護膜１６の電気比抵抗は１０4
Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
【００５９】（実施例４）実施例４における光ディスク
の作製方法は、アルミニウムからなるディスク基板１１
を用い、ダイヤモンドからなる保護膜１６をＣＨ4 およ
びＨ2 の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成
する点を除いて、実施例１に示す光ディスク２２の作製
方法と同様である。プラズマＣＶＤ法の条件は表６に示
すとおりである。
の作製方法は、アルミニウムからなるディスク基板１１
を用い、ダイヤモンドからなる保護膜１６をＣＨ4 およ
びＨ2 の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成
する点を除いて、実施例１に示す光ディスク２２の作製
方法と同様である。プラズマＣＶＤ法の条件は表６に示
すとおりである。
【００６０】
【表６】
【００６１】以上のようにして作製した光ディスクにお
けるダイヤモンドからなる保護膜１６の電気比抵抗は１
０4 Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
けるダイヤモンドからなる保護膜１６の電気比抵抗は１
０4 Ωｃｍであり、摩擦係数は０．１程度である。
【図１】本発明の実施例における光ディスクの模式的断
面図である。
面図である。
【図２】ＳＩＬを備えた光ディスク装置の光学系の概略
構成を示す模式図である。
構成を示す模式図である。
【図３】従来の光ディスクの模式的断面図である。
【符号の説明】 １ 浮上型ヘッド ２ 対物レンズ ３ ＳＩＬ １０ ディスク基板 １２，１４ 誘電体膜 １３ 信号記録膜 １５，１６ 保護膜 ２０，２２ 光ディスク ２１ 信号記録面 １００ 光ディスク装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梶山 清治 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 LA12 LA15
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に相変化材料からなる信号記録膜
およびカーボンからなる保護膜が順に形成されたことを
特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 基板上に相変化材料からなる信号記録膜
および二硫化タングステンからなる保護膜が順に形成さ
れたことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項３】 基板上に相変化材料からなる信号記録膜
および二硫化モリブデンからなる保護膜が順に形成され
たことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項４】 基板上に相変化材料からなる信号記録膜
およびダイヤモンドからなる保護膜が順に形成されたこ
とを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266251A JP2000099993A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266251A JP2000099993A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000099993A true JP2000099993A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17428387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10266251A Pending JP2000099993A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000099993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438574B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장 광기록재생장치 |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP10266251A patent/JP2000099993A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438574B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장 광기록재생장치 |
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