JP2000086911A - Sealing resin composition - Google Patents

Sealing resin composition

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JP2000086911A
JP2000086911A JP11122658A JP12265899A JP2000086911A JP 2000086911 A JP2000086911 A JP 2000086911A JP 11122658 A JP11122658 A JP 11122658A JP 12265899 A JP12265899 A JP 12265899A JP 2000086911 A JP2000086911 A JP 2000086911A
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JP
Japan
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resin composition
weight
sealing resin
parts
glass transition
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JP11122658A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuhiro Nakamura
中村  哲浩
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject composition having a precure viscosity at a specific level or lower, postcure glass transition temperature at a specific level or higher, and moisture absorption at a specific level or lower, with good flowability, pot-life and heat resistance and low hygroscopicity, and meeting popcorn tolerance, electrical insulation, etc. SOLUTION: This sealing resin composition is such one as to be used between semiconductor chips in flip chip mounting and wiring boards, being obtained pref. by compounding >=50 wt.% of a filler in a resin composition comprising 100 pts.wt. of a bisphenol F-type epoxy resin as the main agent, 100-110 pts.wt. of methylnadic anhydride as curing agent and 1 pt.wt. of a phenylimidazole compound as curing promoter. This composition has a precure viscosity at <=4,000 mPa.s, postcure glass transition temperature at >=140 deg.C and moisture absorption at <=0.5 wt.%.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に形成し
た突起電極と、基板上に形成した電気配線とを導電接着
剤、またはハンダを用いて接続するフリップチップ実装
において、半導体装置を保護するために用いる封止樹脂
組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for protecting a semiconductor device in flip-chip mounting in which a projecting electrode formed on a semiconductor device and an electric wiring formed on a substrate are connected by using a conductive adhesive or solder. The present invention relates to a sealing resin composition used for the above.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子回路の高機能化にともなっ
て、多数の電極端子を有する半導体装置が開発されてい
る。その代表的なものとして、フリップチップ実装の技
術を用いた表面実装形多端子パッケージであるFCBG
A(Flip Chip Ball Grid Arr
ay)がある。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices having a large number of electrode terminals have been developed as electronic circuits become more sophisticated. A typical example is FCBG, a surface-mount type multi-terminal package using flip-chip mounting technology.
A (Flip Chip Ball Grid Arr
ay).

【0003】図5は従来例のFCBGAを示す断面図で
ある。図5に記載するように、上面側に半導体チップ1
をフリップチップ実装するための接続電極3を備え、下
面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備
え、さらに、接続電極3とパット電極4を接続するため
のスルーホール14と、配線15を保護するためのレジ
スト5とを備える配線基板18と、半導体チップ1上の
回路素子を保護するための樹脂膜12と、半導体チップ
1上に形成した突起電極10と、接続電極3と突起電極
10とを接続するための導電接着剤またはハンダ等の接
続材料13と、半導体チップ1と配線基板18との間に
封止樹脂組成物11とを有し、配線基板18のパット電
極4上にハンダバンプ6を有する構造となっている。
FIG. 5 is a sectional view showing a conventional FCBGA. As shown in FIG. 5, the semiconductor chip 1
Is provided with a connection electrode 3 for flip chip mounting, a pad electrode 4 for providing a solder bump 6 on the lower surface side, and a through hole 14 for connecting the connection electrode 3 and the pad electrode 4 and a wiring 15 are formed. A wiring board 18 provided with a resist 5 for protection; a resin film 12 for protecting circuit elements on the semiconductor chip 1; a protruding electrode 10 formed on the semiconductor chip 1; A connection material 13 such as a conductive adhesive or solder for connecting the semiconductor chip 1 to the wiring board 18, and a solder bump on the pad electrode 4 of the wiring board 18. 6 is provided.

【0004】FCBGAなどの半導体パッケージにおい
て高い信頼性を得るために要求される封止樹脂組成物の
特性としては、
The characteristics of a sealing resin composition required to obtain high reliability in a semiconductor package such as FCBGA are as follows.

【0005】(1)半導体チップと配線基板との隙間に
迅速に流れ込むこと。FCBGAの場合、半導体チップ
と配線基板との隙間は40〜100μmと狭く、粘度が
高いと半導体チップ下全面に流れ込まなかったり、流れ
込んでも非常に時間がかかってしまう。
(1) To quickly flow into a gap between a semiconductor chip and a wiring board. In the case of FCBGA, the gap between the semiconductor chip and the wiring board is as narrow as 40 to 100 μm.

【0006】(2)ポットライフが長く、常温で長時間
粘度の変化が無いこと。常温で長時間封止樹脂組成物を
使用している間に、粘度が変化してしまうと封止樹脂組
成物の塗布量がばらついてしまったり、流れ込み性が低
下してしまう。
(2) The pot life is long and the viscosity does not change for a long time at room temperature. If the viscosity changes while the sealing resin composition is used at room temperature for a long time, the application amount of the sealing resin composition varies, or the flowability decreases.

【0007】(3)絶縁性に優れていること。半導体装
置を保護する封止樹脂組成物において絶縁抵抗が低いと
いうことは、リーク電流の原因となり本来使用する以上
の電力を消費してしまい、半導体チップの持つ本来の性
能を低下させることになる。
(3) It has excellent insulation properties. The low insulation resistance of the sealing resin composition for protecting the semiconductor device causes a leakage current, consumes more power than originally used, and lowers the original performance of the semiconductor chip.

【0008】(4)封止樹脂組成物の吸湿が少ないこ
と。封止樹脂組成物が吸湿した状態で、配線基板をマザ
ーボード基板に実装するために加熱炉で加熱すると、吸
湿した水分が気化膨張し、応力が発生する。この際、F
CBGAでは半導体チップ上の回路素子を保護するため
の樹脂膜および配線基板上の配線を保護するためのレジ
ストと封止樹脂組成物との界面での剥離が発生する。さ
らには膨れが発生し、これは一般に、パッケージのポッ
プコーン現象と呼ばれている。
(4) The sealing resin composition has low moisture absorption. When the wiring substrate is heated in a heating furnace to mount the wiring board on the motherboard substrate in a state in which the sealing resin composition has absorbed moisture, the absorbed moisture evaporates and expands to generate stress. At this time, F
In CBGA, peeling occurs at an interface between a resin film for protecting circuit elements on a semiconductor chip and a resist for protecting wiring on a wiring board and a sealing resin composition. In addition, blistering occurs, which is commonly referred to as the popcorn phenomenon of the package.

【0009】(5)耐熱性が高いこと、半導体チップと
配線基板は熱膨張係数の違う材料であるので、温度の変
化による膨張と収縮を繰り返すうちに、半導体チップと
配線基板を接続している突起電極の根本や接続材料に応
力が加わり断線してしまう。応力を接続部に集中させず
に、半導体チップ下全面へ分散するためには、高い温度
においても封止樹脂組成物の強度が低下しないガラス転
移温度が必要になる。などが挙げられる。
(5) Since the semiconductor chip and the wiring board are made of materials having different thermal expansion coefficients because of high heat resistance, the semiconductor chip and the wiring board are connected while repeating expansion and contraction due to a change in temperature. Stress is applied to the base of the protruding electrode and the connection material, resulting in disconnection. In order to disperse the stress over the entire surface under the semiconductor chip without concentrating the stress on the connection portion, a glass transition temperature is required at which the strength of the sealing resin composition does not decrease even at a high temperature. And the like.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来の封止樹脂組成物
では流動性、ポットライフ、絶縁性、吸湿性、耐熱性な
どのFCBGAでの要求特性を全て満足するものでは無
かったため、FCBGAの各種信頼性試験で十分な性能
を得られないという課題を有していた。
The conventional encapsulating resin compositions do not satisfy all the properties required for FCBGA, such as fluidity, pot life, insulation, hygroscopicity, and heat resistance. There was a problem that sufficient performance could not be obtained in the reliability test.

【0011】本発明の目的は、上記課題を解決して、流
動性、長いポットライフ、耐湿性、耐熱性、絶縁性など
のFCBGAに用いる封止樹脂組成物として、最適な特
性を有する封止樹脂組成物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a sealing resin composition having optimal properties as a sealing resin composition used for FCBGA, such as fluidity, long pot life, moisture resistance, heat resistance, and insulation. It is to provide a resin composition.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の封止樹脂組成物においては、下記記載の構成を
採用する。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the sealing resin composition of the present invention employs the following constitution.

【0013】本発明の半導体チップと配線基板の間に用
いる封止樹脂組成物は粘度が4000mPa・s以下、
硬化物のガラス転移温度が140℃以上、吸湿率が0.
5重量%以下であることを特徴としている。
The sealing resin composition used between the semiconductor chip and the wiring board of the present invention has a viscosity of 4000 mPa · s or less,
The cured product has a glass transition temperature of 140 ° C. or higher and a moisture absorption of 0.1%.
It is not more than 5% by weight.

【0014】本発明のフリップチップ実装で用いる封止
樹脂組成物は主剤としてビスフェノールF型エポキシ樹
脂を100重量部、硬化剤としてメチルナジック酸無水
物を100〜110重量部、硬化促進剤としてフェニル
イミダゾール類を1重量部含有した樹脂組成物に対し、
充填剤を50重量%以上含有することを特徴としてい
る。
The encapsulating resin composition used in the flip-chip mounting of the present invention comprises 100 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin as a main component, 100 to 110 parts by weight of a methylnadic anhydride as a curing agent, and phenylimidazole as a curing accelerator. For the resin composition containing 1 part by weight of
It is characterized by containing 50% by weight or more of a filler.

【0015】本発明の封止樹脂組成物は、前述したビス
フェノールF型エポキシ樹脂の代わりに、主剤としてビ
スフェノールAD型エポキシ樹脂を100重量部用いる
ことを特徴としている。
The sealing resin composition of the present invention is characterized by using 100 parts by weight of a bisphenol AD epoxy resin as a main ingredient instead of the bisphenol F epoxy resin described above.

【0016】本発明の封止樹脂組成物は、硬化促進剤の
粒子径が平均で10μm以下、最大でフリップチップB
GAの半導体チップと配線基板の隙間以下であることを
特徴としている。
In the sealing resin composition of the present invention, the particle size of the curing accelerator is 10 μm or less on average, and at most the flip chip B
It is characterized by being smaller than the gap between the GA semiconductor chip and the wiring board.

【0017】本発明である封止樹脂組成物は、主剤とし
てビスフェノールF型またはビスフェノールAD型エポ
キシ樹脂を100重量部、硬化剤としてメチルナジック
酸無水物を100〜110重量部、硬化促進剤としてフ
ェニルイミダゾール類を1重量部含有したものに対し、
充填剤として球状SiO2 を50重量%以上含有してあ
り、流動性、ポットライフ、耐湿性、絶縁性、耐熱性に
優れ、フリップチップ実装、特にFCBGAに使用する
場合、作業性および信頼性に優れたものとなっている。
The encapsulating resin composition of the present invention comprises 100 parts by weight of a bisphenol F type or bisphenol AD type epoxy resin as a main component, 100 to 110 parts by weight of a methylnadic anhydride as a curing agent, and phenyl as a curing accelerator. For those containing 1 part by weight of imidazoles,
Contains 50% by weight or more of spherical SiO2 as a filler, has excellent fluidity, pot life, moisture resistance, insulation, and heat resistance, and has excellent workability and reliability when used for flip chip mounting, especially for FCBGA. It has become.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明である封止樹脂組成
物について説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The sealing resin composition of the present invention will be described below.

【0019】FCBGA用の封止樹脂組成物に適した主
剤を調べるため、液状エポキシ樹脂であるビスフェノー
ルAD型、ビスフェノールF型、ビスフェノールF型を
50重量%とビスフェノールA型を50重量%の混合
物、ビスフェノールA型、ノボラック型エポキシを用
い、硬化剤として無水メチルナジック酸(以下MNAと
記載)を用い、硬化促進剤として2−フェニル−4−メ
チル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(以下2P4
MHZと記載)を用いて、各成分を混合したものに対
し、SiO2 充填剤を50重量%含有させた封止樹脂組
成物の粘度と流動性と加熱硬化後のガラス転移温度を測
定したところ、表1に示す結果となった。
In order to determine the main agent suitable for the sealing resin composition for FCBGA, a liquid epoxy resin, bisphenol AD type, bisphenol F type, a mixture of 50% by weight of bisphenol F type and 50% by weight of bisphenol A type, Bisphenol A type and novolak type epoxy are used, methylnadic anhydride (hereinafter referred to as MNA) is used as a curing agent, and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (hereinafter 2P4) is used as a curing accelerator.
Using MHZ), the viscosity, fluidity, and glass transition temperature of the encapsulating resin composition containing 50% by weight of an SiO2 filler were measured with respect to the mixture of the components. The results are shown in Table 1.

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】このとき使用したエポキシ樹脂(主剤)の
分子量は、ビスフェノールAD型が325、ビスフェノ
ールF型が312、ビスフェノールA型が338、ノボ
ラック型が481である。
The molecular weight of the epoxy resin (base) used at this time is 325 for bisphenol AD type, 312 for bisphenol F type, 338 for bisphenol A type and 481 for novolak type.

【0022】硬化剤であるMNAの添加量は酸無水物の
分子量/エポキシ当量の値を用いて、ビスフェノールA
D型の場合105重量部、ビスフェノールF型の場合1
05重量部、ビスフェノールF型とビスフェノールA型
の混合物の場合100重量部、ビスフェノールA型の場
合94重量部、ノボラック型の場合102重量部とし
た。硬化促進剤である2P4MHZの添加量は主剤10
0重量部に対し1重量部となるよう配合した。
The amount of MNA as a curing agent is determined by using the value of molecular weight of acid anhydride / epoxy equivalent as bisphenol A
105 parts by weight for D type, 1 for bisphenol F type
05 parts by weight, 100 parts by weight for a mixture of bisphenol F type and bisphenol A type, 94 parts by weight for bisphenol A type, and 102 parts by weight for novolak type. The amount of 2P4MHZ, which is a curing accelerator, is
It was blended so as to be 1 part by weight with respect to 0 parts by weight.

【0023】ガラス転移温度の評価はTMA法とDSC
法により測定した。TMA法の測定条件は硬化した封止
樹脂組成物を窒素雰囲気中、10℃/分の昇温速度で2
5〜300℃まで加熱した時の封止樹脂組成物の膨張、
収縮の変化を読みとり、DSC法では硬化後の封止樹脂
組成物を窒素雰囲気中で10℃/分の昇温速度で25〜
300℃に加熱した時の封止樹脂組成物の発熱、吸熱の
変化を読みとった。粘度はE型粘度計にて25℃の時の
粘度を回転速度10rpmで測定し、流動性の評価は1
cm□の突起電極を形成した半導体チップを配線基板に
フリップチップ実装し、半導体チップと配線基板間の隙
間に封止樹脂組成物を流し込み、半導体チップ下全面に
流れ込む時間を測定した。この時、配線基板を80℃に
加熱し、半導体チップと配線基板の隙間は60μmとし
た。
The glass transition temperature was evaluated by the TMA method and DSC.
It was measured by the method. The measurement conditions of the TMA method are as follows. The cured sealing resin composition is heated at a rate of 10 ° C./min.
Expansion of the sealing resin composition when heated to 5 to 300 ° C.,
The change in shrinkage was read, and the DSC method was used to cure the cured sealing resin composition in a nitrogen atmosphere at a rate of 10 ° C./min.
The change in heat generation and heat absorption of the sealing resin composition when heated to 300 ° C. was read. The viscosity was measured with an E-type viscometer at 25 ° C. at a rotation speed of 10 rpm.
A semiconductor chip on which a bump electrode of cm cm was formed was flip-chip mounted on a wiring board, the sealing resin composition was poured into a gap between the semiconductor chip and the wiring board, and the time required to flow over the entire surface under the semiconductor chip was measured. At this time, the wiring board was heated to 80 ° C., and the gap between the semiconductor chip and the wiring board was set to 60 μm.

【0024】表1に示すように、ノボラック型、ビスフ
ェノールA型、ビスフェノールF型とビスフェノールA
型の混合物はガラス転移温度は良好だが、粘度が高く封
止樹脂組成物としては流動性の面で問題があり、ビスフ
ェノールAD型とビスフェノールF型は流動性およびガ
ラス転移温度の両方共が、良好な特性を示していること
がわかった。この実験でのガラス転移温度はTMA法と
DSC法で測定したが、DSC法はTMA法より10℃
程度ガラス転移温度を高く示すが、それ以外の特徴や傾
向に違いが見られないため、TMA法とDSC法のいず
れか一方の方法でガラス転移温度を求めれば良いことが
わかった。
As shown in Table 1, novolak type, bisphenol A type, bisphenol F type and bisphenol A
The mixture of the molds has a good glass transition temperature, but has a high viscosity and has a problem in fluidity as a sealing resin composition. Bisphenol AD type and bisphenol F type have both good fluidity and good glass transition temperature. It turned out that the characteristic was shown. The glass transition temperature in this experiment was measured by the TMA method and the DSC method.
Although the glass transition temperature is shown to be high, there is no difference in other characteristics and tendencies. Therefore, it was found that the glass transition temperature should be obtained by either the TMA method or the DSC method.

【0025】次にFCBGA用の封止樹脂組成物として
最適な硬化剤を調べるため、主剤としてビスフェノール
F型エポキシを用い、硬化剤としては低粘度化を考えた
場合液状で添加量が多くなるものが望ましく、液状酸無
水物である、無水メチルヘキサヒドロフタル酸(以下M
HHPAと記載)、無水メチルテトラヒドロフタル酸
(以下MTHPAと記載)、MNA、無水テトラプロペ
ニルコハク酸(以下TPSAと記載)を用いた。
Next, in order to find out the most suitable curing agent as a sealing resin composition for FCBGA, a bisphenol F type epoxy was used as a main component, and a curing agent which was liquid and had a large amount added in consideration of lowering the viscosity. Is preferably a liquid acid anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride (hereinafter referred to as M
HHPA), methyl tetrahydrophthalic anhydride (hereinafter referred to as MTHPA), MNA, and tetrapropenyl succinic anhydride (hereinafter referred to as TPSA) were used.

【0026】硬化促進剤として2P4MHZを用いて作
成した接着剤に対して、SiO2 充填剤を50重量%含
有した樹脂組成物のポットライフ、ガラス転移温度、流
動性について測定したところ表2に示す結果となった。
The pot life, glass transition temperature, and fluidity of a resin composition containing 50% by weight of an SiO 2 filler were measured for an adhesive prepared using 2P4MHZ as a curing accelerator. The results are shown in Table 2. It became.

【0027】[0027]

【表2】 [Table 2]

【0028】硬化剤である酸無水物の添加量は酸無水物
の分子量/エポキシ当量の値を用いて、MHHPAの場
合99重量部、MTHPAの場合98重量部、MNAの
場合105重量部、TPSAの場合158重量部とし
た。
The amount of the acid anhydride as a curing agent is determined by using the value of the molecular weight of the acid anhydride / epoxy equivalent as 99 parts by weight for MHHPA, 98 parts by weight for MTHPA, 105 parts by weight for MNA, and TPSA. In this case, it was 158 parts by weight.

【0029】硬化促進剤である2P4MHZの添加量は
主剤100重量部に対し1重量部となるよう配合した。
The addition amount of 2P4MHZ as a curing accelerator was 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the main agent.

【0030】ガラス転移温度、流動性の評価は上記に記
載した方法により測定し、ポットライフの評価は25℃
時の混練後の粘度が2倍になった時の時間をE型粘度計
にて測定した。
The glass transition temperature and fluidity were evaluated by the methods described above, and the pot life was evaluated at 25 ° C.
The time when the viscosity after kneading doubled at that time was measured with an E-type viscometer.

【0031】表2に示すように、MHHPA、MTHP
Aは流動性は良好だが、ガラス転移温度とポットライフ
に問題があり、TPSAは流動性、ポットライフは良好
だが、ガラス転移温度に問題がある。一方、MNAはガ
ラス転移温度、ポットライフ、流動性に良好な特性を示
していることがわかった。
As shown in Table 2, MHHPA, MTHP
A has good fluidity but has problems in glass transition temperature and pot life, and TPSA has good fluidity and pot life but has problems in glass transition temperature. On the other hand, it was found that MNA exhibited good properties in glass transition temperature, pot life, and fluidity.

【0032】MNAの最適添加量を調べるため、各添加
量でのガラス転移温度と吸湿率の関係を測定した結果、
図1に示す結果となった。ガラス転移温度はTMA法で
測定した値を用いた。
In order to examine the optimum amount of MNA to be added, the relationship between the glass transition temperature and the moisture absorption at each added amount was measured.
The result is shown in FIG. As the glass transition temperature, a value measured by the TMA method was used.

【0033】主剤はビスフェノールF型エポキシを用
い、硬化剤としてMNAを主剤100重量部に対して1
0重量部間隔で80〜150重量部含有し、硬化促進剤
として、2P4MHZを主剤100重量部に対して1重
量部含有した接着剤に対し、SiO2 充填剤を50重量
%含有させた樹脂組成物を使用した。
As a main component, bisphenol F type epoxy is used, and MNA is used as a curing agent at a ratio of 1 to 100 parts by weight of the main component.
A resin composition containing 80 to 150 parts by weight at intervals of 0 parts by weight and containing 50 parts by weight of a SiO2 filler to an adhesive containing 1 part by weight of 2P4MHZ as a curing accelerator based on 100 parts by weight of a main component. It was used.

【0034】ガラス転移温度は上記に記載した方法によ
り測定し、吸湿率は上記組成の樹脂組成物を加熱硬化
し、85℃85%雰囲気に168時間投入し、投入前後
の重量変化から算出した。
The glass transition temperature was measured by the method described above, and the moisture absorption was calculated by heating and curing the resin composition having the above composition, placing it in an atmosphere of 85 ° C. and 85% for 168 hours, and calculating the weight change before and after the loading.

【0035】図1に示すように、ガラス転移温度はMN
Aの添加量が増加すると高くなる傾向にあり、吸湿率は
100〜110重量部の間で一番低い値を示した。MN
Aの添加量としては、ガラス転移温度と吸湿率のバラン
スから、主剤100重量部に対して100〜110重量
部添加することが好ましいことがわかった。
As shown in FIG. 1, the glass transition temperature is MN
As the amount of A added increased, it tended to increase, and the moisture absorption showed the lowest value between 100 and 110 parts by weight. MN
From the balance between the glass transition temperature and the moisture absorption, it was found that it is preferable to add 100 to 110 parts by weight of A based on 100 parts by weight of the main agent.

【0036】FCBGA用封止樹脂組成物の硬化剤とし
てMNAを使用した時の硬化促進剤として最適な硬化促
進剤を調べるため、ガラス転移温度に優れたイミダゾー
ル類を用いた時の流動性、ポットライフ、ガラス転移温
度を測定したところ、表3に示す結果となった。表内の
(添加量)は重量部を示す。
In order to find out the most suitable curing accelerator as a curing accelerator when MNA is used as a curing agent for a sealing resin composition for FCBGA, the flowability when using an imidazole having an excellent glass transition temperature and a pot were investigated. When the life and the glass transition temperature were measured, the results shown in Table 3 were obtained. (Addition amount) in the table indicates parts by weight.

【0037】[0037]

【表3】 [Table 3]

【0038】主剤としてビスフェノールF型エポキシを
100重量部、硬化剤としてMNAを100重量部、硬
化促進剤として2−メチルイミダゾール(2MZ)、2
−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ)、1
−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール
(2E4MZ−CN)、1−ベンジル−2−メチルイミ
ダゾール(1B2MZ)、1−シアノエチル−2−エチ
ル−4−メチルイミダゾールのトリメリット酸塩(2E
4MZ−CNS)、2−フェニル−4−メチル−5−ヒ
ドロキシメチルイミダゾール(2P4MHZ)、2−フ
ェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(2
PHZ)、2−フェニルイミダゾール(2PZ)、2−
フェニル−4−メチルイミダゾール(2P4MZ)を流
動性、ポットライフ、ガラス転移温度が一番良好な特性
を示す添加量で含有したものに対し、SiO2 充填剤を
50重量%含有した樹脂組成物を使用した。
100 parts by weight of bisphenol F type epoxy as a main ingredient, 100 parts by weight of MNA as a curing agent, 2-methylimidazole (2MZ) as a curing accelerator,
-Ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ), 1
-Cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ-CN), 1-benzyl-2-methylimidazole (1B2MZ), trimellitic acid salt of 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (2E
4MZ-CNS), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (2P4MHZ), 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (2
PHZ), 2-phenylimidazole (2PZ), 2-
A resin composition containing 50% by weight of an SiO2 filler, based on an addition amount of phenyl-4-methylimidazole (2P4MZ) showing the best properties of fluidity, pot life and glass transition temperature. did.

【0039】ガラス転移温度、ポットライフ、流動性の
評価は上記に記載した方法により測定した。
The glass transition temperature, the pot life, and the evaluation of fluidity were measured by the methods described above.

【0040】表3に示すように、2P4MHZ、2PH
Z、2P4MZ、2PZが、流動性、ポットライフ、ガ
ラス転移温度の全てにおいて良好な特性を示した。この
ことから、MNA酸の硬化促進剤として、2P4MH
Z、2PHZ、2P4MZ、2PZのいずれかを主剤1
00重量部に対して1重量含有すると、流動性、ポット
ライフ、ガラス転移温度において良好な特性が得られる
ことがわかった。
As shown in Table 3, 2P4MHZ, 2PH
Z, 2P4MZ, and 2PZ showed good properties in all of fluidity, pot life, and glass transition temperature. From this, 2P4MH is used as a curing accelerator for MNA acid.
Z, 2PHZ, 2P4MZ or 2PZ as main agent 1
It was found that when the content was 1 part by weight with respect to 00 parts by weight, good properties were obtained in terms of fluidity, pot life, and glass transition temperature.

【0041】上記に示す結果から、FCBGA用封止樹
脂組成物の硬化剤として無水メチルナジック酸を使用す
る場合の硬化促進剤としては、フェニルイミダゾール類
を用いることが適していることがわかったが、固体のた
め粉末にして主剤、硬化剤に混合する必要がある。
From the results shown above, it was found that phenylimidazoles were suitable as a curing accelerator when using methylnadic anhydride as a curing agent for the sealing resin composition for FCBGA. Since it is a solid, it needs to be powdered and mixed with the base material and the curing agent.

【0042】硬化促進剤は少量で反応促進効果がある
が、少量の硬化促進剤を封止樹脂組成物中にできるだけ
均一に分散していないと、硬化反応にムラができてしま
い、架橋反応が十分に行われず、硬化物の物性が変化し
てしまう。
Although a small amount of the curing accelerator has a reaction promoting effect, if the small amount of the curing accelerator is not dispersed as uniformly as possible in the encapsulating resin composition, the curing reaction becomes uneven, and the crosslinking reaction becomes difficult. It is not performed sufficiently, and the physical properties of the cured product change.

【0043】硬化促進剤の粒子径が小さいほど細かい分
散が可能になるため、封止樹脂組成物に用いる硬化促進
剤の粒子径を変えた時、ガラス転移温度の違いを調べた
ところ表4に示す結果となった。
The smaller the particle size of the curing accelerator, the finer the particles can be dispersed. Therefore, when the particle size of the curing accelerator used in the sealing resin composition was changed, the difference in glass transition temperature was examined. The results were as shown.

【0044】[0044]

【表4】 [Table 4]

【0045】このとき使用した封止樹脂組成物は、主剤
としてビスフェノールF型エポキシを100重量部、硬
化剤としてMNAを100重量部、硬化促進剤として2
P4MHZを1重量部含有したものを使用した。
The sealing resin composition used at this time was 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy as a main ingredient, 100 parts by weight of MNA as a curing agent, and 2 parts by weight of a curing accelerator.
One containing 1 part by weight of P4MHZ was used.

【0046】硬化促進剤の粒子径は平均で5、10、1
5、20μmのものを使用し、硬化物のガラス転移温度
を上記に記載した方法により測定した。
The average particle size of the curing accelerator is 5, 10, 1
The glass transition temperature of the cured product was measured by the method described above using a sample having a particle size of 5, 20 μm.

【0047】表4に示すように、硬化促進剤の粒子径の
平均が10μm以上になるにつれ、ガラス転移温度が低
下する傾向にあることがわかる。これは、硬化促進剤の
粒子径が大きくなるにつれ、樹脂組成物中に均一かつ細
かく分散することが難しくなり、架橋反応が十分に行わ
れていないためだと思われる。
As shown in Table 4, the glass transition temperature tends to decrease as the average particle size of the curing accelerator becomes 10 μm or more. This is presumably because as the particle size of the curing accelerator increases, it becomes difficult to uniformly and finely disperse it in the resin composition, and the crosslinking reaction is not sufficiently performed.

【0048】当然、効果促進剤の粒子径は、FCBGA
の半導体チップと配線基板の隙間よりも小さい粒子径が
必要だが、固体の硬化促進剤を少量添加する場合は、粒
子径が10μm以下のものを使用することで、樹脂組成
物中に均一かつ細かく分散でき硬化促進剤の効果を十分
発揮できることがわかる。
Naturally, the particle size of the effect accelerator is FCBGA
Although a particle size smaller than the gap between the semiconductor chip and the wiring board is required, when a small amount of a solid curing accelerator is added, by using a particle having a particle size of 10 μm or less, the particles can be uniformly and finely dispersed in the resin composition. It can be seen that the composition can be dispersed and the effect of the curing accelerator can be sufficiently exhibited.

【0049】以上の結果から、FCBGA用封止樹脂組
成物の接着剤の組成としては、主剤としてビスフェノー
ルF型またはビスフェノールAD型エポキシを100重
量部含有し、硬化剤としてMNAを100〜110重量
含有し、硬化促進剤として2P4MHZ、2PHZ、2
P4MZ、2PZなどのフェニルイミダゾール類を1重
量部含有したものが流動性、ポットライフ、耐熱性、吸
湿性などに良好な特性を示すことがわかった。また、硬
化促進剤の粒子径としては、最大でFCBGAの半導体
チップと配線基板の隙間以下、平均で10μm以下のも
のを用いることが望ましい。
From the above results, the adhesive composition of the sealing resin composition for FCBGA contained 100 parts by weight of bisphenol F type or bisphenol AD type epoxy as the main component and 100 to 110 parts by weight of MNA as a curing agent. And 2P4MHZ, 2PHZ, 2P
It was found that those containing 1 part by weight of phenylimidazoles such as P4MZ and 2PZ exhibited good properties such as fluidity, pot life, heat resistance, and moisture absorption. Further, it is desirable that the particle size of the curing accelerator be at most equal to or less than the gap between the FCBGA semiconductor chip and the wiring board, and at most 10 μm or less.

【0050】FCBGAの信頼性において求められる特
性について調べた。まず、FCBGAを評価する項目と
しては、ポップコーン耐性、絶縁性、温度サイクル耐性
が挙げられるが、ポップコーン耐性についてはJEDE
C規格があり、表5に示す内容となっている。
The characteristics required for the reliability of FCBGA were examined. First, items to evaluate FCBGA include popcorn resistance, insulation property, and temperature cycle resistance.
There is the C standard, which has the contents shown in Table 5.

【0051】[0051]

【表5】 [Table 5]

【0052】JEDEC規格では3段階のレベルがあ
り、レベル3では30℃60%雰囲気に192時間FC
BGAを投入し、その後FCBGAをマザーボードに実
装する温度条件に3回投入した際に、封止樹脂組成物の
剥離や膨れが発生しなければ、FCBGAを30℃60
%雰囲気に1週間放置していても、前乾燥なしにマザー
ボードに実装できるという保証になっている。
In the JEDEC standard, there are three levels. At the level 3, the FCFC is 192 hours at 30 ° C. and 60% atmosphere.
If the sealing resin composition is not peeled or swelled when the BGA is loaded and then the FCBGA is loaded three times under the temperature conditions for mounting on the motherboard, the FCBGA is heated at 30 ° C. 60 ° C.
It is guaranteed that it can be mounted on a motherboard without pre-drying even if it is left in an atmosphere for one week.

【0053】レベル2については85℃60%雰囲気に
168時間FCBGAを投入し、その後FCBGAをマ
ザーボードに実装する温度条件に3回投入した際に、封
止樹脂組成物の剥離や膨れが発生しなければ、FCBG
Aを30℃60%雰囲気に1年間放置していても、前乾
燥なしにマザーボードに実装できるという保証になって
いる。
For level 2, when the FCBGA is charged in an atmosphere of 85 ° C. and 60% for 168 hours, and then the FCBGA is charged three times under the temperature conditions for mounting on the motherboard, peeling and swelling of the sealing resin composition must occur. For example, FCBG
Even if A is left at 30 ° C. and 60% atmosphere for one year, it is guaranteed that it can be mounted on the motherboard without pre-drying.

【0054】レベル1については85℃85%雰囲気に
168時間FCBGAを投入し、その後FCBGAをマ
ザーボードに実装する温度条件に3回投入した際に、封
止樹脂組成物の剥離や膨れが発生しなければ、FCBG
Aを30℃90%雰囲気に無制限に放置していても、前
乾燥なしにマザーボードに実装できるという保証になっ
ている。
As for Level 1, when the FCBGA is charged in an atmosphere of 85 ° C. and 85% for 168 hours, and then the FCBGA is charged three times under the temperature conditions for mounting the motherboard, peeling and swelling of the sealing resin composition must occur. For example, FCBG
Even if A is left unrestricted in an atmosphere of 30 ° C. and 90%, it is guaranteed that it can be mounted on the motherboard without pre-drying.

【0055】各レベルの条件下に封止樹脂を投入し、そ
の重量変化と体積から吸湿率を求めた。そして吸湿率の
異なった封止樹脂組成物を用いて、吸湿率とポップコー
ン耐性の関係を調べた結果、図2に示すような結果とな
った。
The sealing resin was introduced under the conditions of each level, and the moisture absorption was determined from the change in weight and the volume. Then, the relationship between the moisture absorption rate and the popcorn resistance was examined using the sealing resin compositions having different moisture absorption rates, and the result was as shown in FIG.

【0056】この時使用した封止樹脂組成物は主剤とし
てビスフェノールF型エポキシ樹脂100重量部、硬化
剤としてMNA100重量部、硬化促進剤として2P4
MHZを1重量部含有した接着剤に対し、SiO2 充填
剤(フィラー)を10、30、50重量%含有した3種
類を使用した。
The sealing resin composition used at this time was 100 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin as a main component, 100 parts by weight of MNA as a curing agent, and 2P4 as a curing accelerator.
Three kinds of adhesives containing 10, 30 and 50% by weight of an SiO2 filler were used for an adhesive containing 1 part by weight of MHZ.

【0057】図2に示すように、充填剤含有量により封
止樹脂組成物の吸湿率を変えた封止樹脂組成物を用いて
FCBGAを封止した際の、ポップコーン現象の発生の
有無を超音波観察装置にて観察した。JEDEC規格の
各試験に投入した際の吸湿率が0.5重量%以下である
図2中の白抜きの試料ではポップコーン現象の発生は見
られず、JEDEC規格の各試験に投入した際の吸湿率
が、0.5重量%以上である図2中の黒塗りの試料では
ポップコーン現象が見られた。このことから、85℃8
5%雰囲気中に168時間投入した際の封止樹脂組成物
の吸湿率が0.5重量%以下であると、どの試験条件で
もポップコーン現象が発生せず、FCBGA用として適
した封止樹脂組成物であるといえる。
As shown in FIG. 2, when the FCBGA was sealed using a sealing resin composition in which the moisture absorption rate of the sealing resin composition was changed depending on the filler content, the presence or absence of the occurrence of the popcorn phenomenon was exceeded. Observation was performed using a sound wave observation device. The open sample in FIG. 2 having a moisture absorption of 0.5% by weight or less when applied to each test of the JEDEC standard did not show any popcorn phenomenon, and showed moisture absorption when applied to each test of the JEDEC standard. The popcorn phenomenon was observed in the black sample in FIG. 2 in which the ratio was 0.5% by weight or more. From this, 85 ° C 8
If the moisture absorption of the encapsulating resin composition is less than 0.5% by weight when charged in a 5% atmosphere for 168 hours, no popcorn phenomenon occurs under any test conditions, and the encapsulating resin composition suitable for FCBGA is used. It can be said that it is a thing.

【0058】次に、FCBGAの絶縁性において求めら
れる特性について調べた。半導体チップを保護する封止
樹脂組成物において絶縁抵抗が低いということは、リー
ク電流の発生原因となり本来使用する以上の電力を消費
してしまい半導体チップの持つ本来の性能を低下させる
ことになるが、一般的には封止樹脂組成物の絶縁抵抗が
1010Ω以上あれば問題ないとされている。
Next, characteristics required for insulating properties of FCBGA were examined. Low insulation resistance in the sealing resin composition that protects the semiconductor chip causes leakage current, consumes more power than originally used, and lowers the original performance of the semiconductor chip. Generally, there is no problem if the insulation resistance of the sealing resin composition is 10 10 Ω or more.

【0059】絶縁抵抗の評価は封止樹脂組成物の吸湿に
より低下していく傾向にあり、温度121℃、湿度10
0%、2気圧の環境で、168時間投入後の封止樹脂組
成物の絶縁抵抗が1010Ω以上であれば、絶縁性に問題
は無いとされている。
The evaluation of the insulation resistance tends to decrease due to moisture absorption of the sealing resin composition.
It is said that there is no problem in insulation if the insulation resistance of the encapsulating resin composition after being added for 168 hours in an environment of 0% and 2 atm is 10 10 Ω or more.

【0060】吸湿率の異なった封止樹脂組成物を用い
て、吸湿率と絶縁抵抗の関係を調べた結果、図3に示す
ような結果となった。
The relationship between the moisture absorption rate and the insulation resistance was examined using sealing resin compositions having different moisture absorption rates, and the results were as shown in FIG.

【0061】この時使用した封止樹脂組成物は主剤とし
てビスフェノールF型エポキシ樹脂100重量部、硬化
剤としてMNA100重量部、硬化促進剤として2P4
MHZを1重量部含有した接着剤に対し、SiO2 充填
剤(フィラー)を、30、40、50重量%含有した3
種類を使用した。
The sealing resin composition used at this time was 100 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin as a main ingredient, 100 parts by weight of a MNA as a curing agent, and 2P4 as a curing accelerator.
An adhesive containing 1 part by weight of MHZ and a filler containing 30, 40, and 50% by weight of a SiO2 filler were used.
Type used.

【0062】図3に示すように、充填剤含有量ににより
吸湿率を変えた封止樹脂組成物は硬化後の状態では差が
無く、1015Ωと良好な絶縁抵抗を示しているが、吸湿
後では吸湿率が大きいほど絶縁抵抗の低下も激しく、温
度121℃、湿度100%、2気圧、168時間の環境
下で絶縁抵抗を1010Ω以上保つためには、ポップコー
ン耐性がJEDEC規格のレベル1をクリアする吸湿率
でなくてはならないことがわかる。また図2および図3
より、充填剤の量は50重量%とするのが最も効果的で
あることがわかった。
As shown in FIG. 3, the sealing resin composition in which the moisture absorption was changed according to the filler content showed no difference in the cured state and showed a good insulation resistance of 10 15 Ω. After moisture absorption, as the moisture absorption rate increases, the insulation resistance decreases more drastically. In order to maintain the insulation resistance at 10 10 Ω or more in an environment of a temperature of 121 ° C., a humidity of 100%, a pressure of 2 atm, and a duration of 168 hours, the popcorn resistance must conform to the JEDEC standard. It is understood that the moisture absorption rate must clear level 1. 2 and 3
It was found that the most effective amount of the filler was 50% by weight.

【0063】FCBGAの温度サイクル耐性において求
められる特性について調べた。FCBGAなどの半導体
パッケージでは熱膨張係数の違う複数の材料を使用して
おり、温度変化により熱膨張係数差による応力が発生す
る。
The characteristics required for the temperature cycle resistance of FCBGA were examined. In a semiconductor package such as FCBGA, a plurality of materials having different thermal expansion coefficients are used, and a stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient due to a temperature change.

【0064】FCBGAでは特に半導体チップと配線基
板の接続部に応力が集中する傾向にあり、封止樹脂組成
物が接続部周辺に存在することで、接続部の強度を補強
し、熱膨張係数差による応力に耐えることができる。
In the FCBGA, stress tends to concentrate particularly on the connection between the semiconductor chip and the wiring board, and the presence of the sealing resin composition around the connection causes the strength of the connection to be reinforced and the thermal expansion coefficient difference to increase. Can withstand the stress caused by the

【0065】しかし、封止樹脂組成物はガラス転移温度
を越えてしまうとゴム状に軟化してしまうため、接続部
の強度を補強できなくなってしまい、接続部に直接応力
が加わり、接続部が破壊されてしまうため、ガラス転移
温度が高い封止樹脂組成物が必要となる。
However, when the sealing resin composition exceeds the glass transition temperature, the sealing resin composition softens into a rubber-like state, so that it is impossible to reinforce the strength of the connection part, and stress is directly applied to the connection part, and Since it is destroyed, a sealing resin composition having a high glass transition temperature is required.

【0066】ガラス転移温度の違う封止樹脂組成物を用
いて、温度サイクル試験に投入した時の接続部の不良の
発生率を調べた結果を図4に示す。ガラス転移温度はT
MA法で測定した値を用いた。
FIG. 4 shows the results of examining the incidence of defective connections at the time of injection into a temperature cycle test using sealing resin compositions having different glass transition temperatures. The glass transition temperature is T
The value measured by the MA method was used.

【0067】試験条件は−55℃と150℃を各30分
保持した時点で1サイクルとし、1000サイクルまで
継続した時の不良発生率を調べた。
The test conditions were one cycle when the temperature was maintained at -55 ° C. and 150 ° C. for 30 minutes each, and the defect occurrence rate when the cycle was continued up to 1000 cycles was examined.

【0068】この時使用した封止樹脂組成物は、主剤と
してビスフェノールF型エポキシを用い、硬化剤として
MNAを主剤100重量部に対して10重量部間隔で8
0〜130重量部含有し、硬化促進剤として、2P4M
HZを主剤100重量部に対して1重量部含有した接着
剤に対し、SiO2 充填剤を50重量%含有させた樹脂
組成物を使用した。
The encapsulating resin composition used at this time used bisphenol F type epoxy as a main component and MNA as a curing agent at intervals of 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the main component.
0 to 130 parts by weight, as a curing accelerator, 2P4M
A resin composition containing 50% by weight of an SiO2 filler with respect to an adhesive containing 1 part by weight of HZ based on 100 parts by weight of the main component was used.

【0069】図4に示すように、封止樹脂組成物のガラ
ス転移温度が140℃以下のもの程、不良が発生し易く
なる傾向にあり、140℃以上のガラス転移温度を持つ
封止樹脂組成物では不良発生が無く、良好な結果が得ら
れた。
As shown in FIG. 4, when the glass transition temperature of the encapsulating resin composition is 140 ° C. or lower, a defect tends to occur, and the encapsulating resin composition having a glass transition temperature of 140 ° C. or higher. Good results were obtained without any defects in the product.

【0070】以上の結果から、FCBGA用として求め
られる封止樹脂組成物硬化物の特性としては、粘度が4
000mPa・s以下とすることで流動性が向上し、硬
化物のガラス転移温度が140℃以上、温度85℃、湿
度85%の環境に168時間投入した際の吸湿率が0.
5重量%以下であることで、FCBGAのポップコーン
耐性、絶縁性、温度サイクル耐性などの信頼性が向上す
ることがわかった。
From the above results, the properties of the cured sealing resin composition required for FCBGA are as follows.
The flowability is improved by setting the glass transition temperature to not more than 000 mPa · s, and the moisture absorption rate when the glass transition temperature of the cured product is 140 ° C. or higher, the temperature is 85 ° C., and the humidity is 85% is 168 hours.
It was found that when the content was 5% by weight or less, the reliability of FCBGA such as popcorn resistance, insulation properties, and temperature cycle resistance was improved.

【0071】また、上記の評価についてビスフェノール
AD型エポキシを主剤とした場合や、2PHZや2P4
MZや2PZなどのフェニルイミダゾール類を硬化促進
剤として使用した場合で行っても同様の結果が得られ
た。
In the above evaluations, bisphenol AD type epoxy was used as the main agent, or 2PHZ or 2P4
Similar results were obtained when phenylimidazoles such as MZ and 2PZ were used as curing accelerators.

【0072】FCBGA用の封止樹脂組成物に用いる充
填剤の材質は炭酸カルシウムでも同様の効果が得られ、
形状は破砕型、球状、立方体などがあるが、流動性の面
から球状のものを使用するのが好ましいが、その他の形
状でも問題ない。粒子径は最大値が半導体チップと配線
基板との隙間以下であれば作業上問題ない。
The same effect can be obtained by using calcium carbonate as the filler material for the sealing resin composition for FCBGA.
The shape includes a crushed type, a spherical shape, a cubic shape, and the like. It is preferable to use a spherical shape from the viewpoint of fluidity, but other shapes do not pose any problem. If the maximum value of the particle diameter is equal to or smaller than the gap between the semiconductor chip and the wiring board, there is no problem in operation.

【0073】また、充填剤中に含まれる放射性物質から
発生するα線は、半導体チップの記録回路素子の内容を
書き換えてしまう恐れがあるので、充填剤中の放射性物
質含有量は0.1ppb以下であることが好ましい。
Further, since α-rays generated from radioactive substances contained in the filler may rewrite the contents of the recording circuit element of the semiconductor chip, the content of the radioactive substance in the filler is 0.1 ppb or less. It is preferred that

【0074】用途によっては封止樹脂組成物の接着力や
濡れ性を向上させるために、カップリング剤や界面活性
剤などを添加したり、カーボンにより着色してもかまわ
ない。
Depending on the application, a coupling agent, a surfactant or the like may be added or colored with carbon in order to improve the adhesive strength and wettability of the sealing resin composition.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
封止樹脂組成物では、主剤としてビスフェノールF型ま
たはビスフェノールAD型エポキシを100重量部含有
し、硬化剤として無水メチルナジック酸を100〜11
0重量含有し、硬化促進剤として2−フェニル−4−メ
チル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニ
ル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フ
ェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダ
ゾールなどのフェニルイミダゾール類を1重量部含有し
たものに対し、充填剤含有量が50重量%以上含有され
ており、流動性、ポットライフ、耐熱性、吸湿性などに
良好な特性を示し、FCBGAに求められるポップコー
ン耐性、絶縁性、温度サイクル特性などの信頼性を十分
満足できる封止樹脂組成物が得られる。
As is apparent from the above description, the encapsulating resin composition of the present invention contains 100 parts by weight of a bisphenol F type or bisphenol AD type epoxy as a main component and 100 parts by weight of methyl nadic anhydride as a curing agent. ~ 11
0% by weight, and as a curing accelerator, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, etc. The filler content is 50% by weight or more based on 1 part by weight of phenylimidazoles, showing good properties such as fluidity, pot life, heat resistance and moisture absorption, and is required for FCBGA. As a result, a sealing resin composition that sufficiently satisfies reliability such as popcorn resistance, insulation properties, and temperature cycle characteristics is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例における封止樹脂組成物の硬化
剤の添加量とガラス転移温度、吸湿率の関係を示すグラ
フである。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between the amount of a curing agent added to a sealing resin composition, the glass transition temperature, and the moisture absorption rate in Examples of the present invention.

【図2】本発明の実施例における封止樹脂組成物のJE
DEC規格での吸湿率を示すグラフである。
FIG. 2 shows JE of a sealing resin composition in an example of the present invention.
It is a graph which shows the moisture absorption rate in DEC standard.

【図3】本発明の実施例における封止樹脂組成物の吸湿
時間と絶縁抵抗の関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between a moisture absorption time and an insulation resistance of a sealing resin composition in an example of the present invention.

【図4】本発明の実施例における封止樹脂組成物のガラ
ス転移温度と不良発生率の関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the glass transition temperature of a sealing resin composition and the incidence of defects in Examples of the present invention.

【図5】従来例におけるFCBGAの構造を示す断面図
である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional FCBGA.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 2 樹脂基板 3 接続電極 4 パット電極 5 レジスト 6 ハンダバンプ 10 突起電極 11 封止樹脂組成物 12 樹脂膜 13 接続材料 14 スルーホール 15 配線 16 サーマルビアホール 18 配線基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Resin substrate 3 Connection electrode 4 Pad electrode 5 Resist 6 Solder bump 10 Projection electrode 11 Sealing resin composition 12 Resin film 13 Connection material 14 Through hole 15 Wiring 16 Thermal via hole 18 Wiring board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 7/00 C08K 7/00 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08K 7/00 C08K 7/00 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フリップチップ実装における半導体チッ
プと配線基板との間に用いる封止樹脂組成物において、
封止樹脂組成物の硬化前の粘度が4000mPa・s以
下、硬化後のガラス転移温度が140℃以上、かつ吸湿
率が0.5重量%以下であることを特徴とする封止樹脂
組成物。
1. A sealing resin composition used between a semiconductor chip and a wiring board in flip chip mounting,
A sealing resin composition, wherein the viscosity of the sealing resin composition before curing is 4000 mPa · s or less, the glass transition temperature after curing is 140 ° C. or more, and the moisture absorption is 0.5% by weight or less.
【請求項2】 フリップチップ実装における半導体チッ
プと配線基板との間に用いる封止樹脂組成物であって、
主剤としてビスフェノールF型エポキシ樹脂を100重
量部、硬化剤として無水メチルナジック酸を100〜1
10重量部、硬化促進剤としてフェニルイミダゾール類
を1重量部含有した樹脂組成物に対し、充填剤を50重
量%以上含有することを特徴とする封止樹脂組成物。
2. A sealing resin composition used between a semiconductor chip and a wiring board in flip chip mounting,
100 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin as a main agent and 100 to 1 of methylnadic anhydride as a curing agent
A sealing resin composition comprising 50 parts by weight or more of a filler based on 10 parts by weight of a resin composition containing 1 part by weight of a phenylimidazole as a curing accelerator.
【請求項3】 請求項2に記載する封止樹脂組成物にお
いて、主剤としてビスフェノールAD型エポキシ樹脂を
100重量部用いることを特徴とする封止樹脂組成物。
3. The encapsulating resin composition according to claim 2, wherein bisphenol AD epoxy resin is used as a main agent in an amount of 100 parts by weight.
【請求項4】 請求項1から3に記載する封止樹脂組成
物において、硬化促進剤の粒子径が平均で10μm以
下、最大で半導体チップと配線基板との隙間以下である
ことを特徴とする封止樹脂組成物。
4. The encapsulating resin composition according to claim 1, wherein the particle size of the curing accelerator is 10 μm or less on average, and at most a gap between the semiconductor chip and the wiring board. A sealing resin composition.
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