JP2000077302A

JP2000077302A - 位置ずれ検査方法

Info

Publication number: JP2000077302A
Application number: JP10245237A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Miura; 恭裕三浦
Original assignee: NEC Kyushu Ltd
Current assignee: NEC Kyushu Ltd
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1998-08-31
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程における位置ずれを
正確に検査するための位置ずれ検査パターンを提供す
る。【解決手段】位置ずれパターンは、ウエハーの露光領
域の端部に配置されており、下地に形成される主尺パタ
ーン１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、被加工膜３２の上部に
形成されるレジストパターンから成る副尺パターン１０
ａ、１０ｂ、１０ｃとによって構成される。主尺パター
ン１０及び副尺パターン２０は、何れも、等幅で等間隔
に配置される３本以上の細線で構成される。主尺パター
ン１０と副尺パターン２０の間の距離ｄ１、ｄ２の計測
には、対物レンズの収差の影響が最も低い、良好な形状
の中央の細線１０ｂ、２０ｂが利用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位置ずれ検査パタ
ーン及び検査装置に関し、更に詳しくは、ＩＣや液晶の
製造中に、フォトリソグラフィ工程におけるレジストパ
ターンと下地パターンとの重ね合わせ精度を測定するた
めの位置ずれ検査パターン及びこれを用いる検査方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造の際に行われるフォトリソグ
ラフィ工程では、加工されるパターンとその下地パター
ンとの位置合わせ精度を確認するために、位置ずれ検査
パターンが利用される。位置ずれ検査パターンは、一般
に露光の１ショット毎に、数μｍ程度のサイズを有す
る、光学的に孤立のパターンとして、露光領域の端部位
置に設けられる。図８に従来の位置ずれ検査パターンの
平面図を示す。検査パターンは、主尺パターン３０及び
副尺パターン４０の１組として構成され、主尺パターン
３０は下地のパターンとして、副尺パターン４０はその
上に形成された被加工膜をパターニングするためのレジ
ストパターンとして形成される。同図の例では、副尺パ
ターン４０は、長方形状に形成され、主尺パターン３０
は、副尺パターン４０を囲む枠状に形成される。

【０００３】図９は、図８の位置ずれ検査パターンのＢ
−Ｂ断面を示す。主尺パターン３０は、半導体基板３１
上に、例えばポリシリコンの下地パターンとして形成さ
れ、副尺パターン４０は、この下地パターン３０を覆う
層間絶縁膜を成す被加工膜３２上に、レジストパターン
として形成される。検査装置は、主尺パターン３０の一
方のラインの内側縁部３０ａと副尺パターン４０の対向
する縁部４０ａとの間の距離と、主尺パターン３０の他
方のラインの内側縁部３０ｂと副尺パターン４０の対向
する縁部３０ｂとの間の距離を比較し、その距離の差を
位置ずれ量として認識する。

【０００４】双方の距離の間に所定以上の差が検出され
ると、検査パターン３０、４０と夫々同層に形成された
半導体チップ内の下地パターンとレジストパターンとの
間に位置ずれが生じたものと判定される。この場合、そ
のレジストパターンは除去され、新たなレジストパター
ンが再び塗布及び露光によって被加工膜の上に形成され
る。逆に、双方の距離の間に所定以上の差がなく、良好
なレジストパターンと判定されると、被加工膜３２はそ
のレジストパターンによって加工される。上記位置ずれ
検査パターンは、例えば、特開平７−１４２５４３号公
報に記載されている。

【０００５】特開平７−１４２５４３号公報には、更に
主尺パターン及び副尺パターンが交互に形成された位置
ずれ検査パターンを提案している。提案された位置ずれ
検査パターンは、図１０に示すように、副尺１３ａ、１
３ｃ、１３ｅ及び主尺１１ｂ、１１ｄ、１１ｆが夫々複
数のパターンとして形成され、これらが検査パターンの
内側から交互に凹部及び凸部として配列されている。こ
の位置ずれ検査パターンでは、位置ずれ検査パターン構
造の段差を小さくし、測定誤差を抑制している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の位置ずれ検
査パターンでは、露光装置の対物レンズの光学収差の影
響によって、図９に示すような非対称な形状のレジスト
パターン４０が発生する場合がある。かかる非対称のレ
ジストパターンは、位置ずれ検査パターンの計測におい
て誤差を生じ、検査の信頼性を損なうという問題があ
る。

【０００７】本発明は、上記に鑑み、検査結果がレンズ
の光学収差等によって影響を受け難い位置ずれ検査パタ
ーンを提供し、もって、ＩＣや液晶の製造工程中におけ
る、フォトリソグラフィー工程の位置ずれ検査におい
て、検査の信頼性を高めることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の位置ずれ検査パターンは、フォトリソグラ
フィ工程に際して下地パターンとレジストパターンとの
位置ずれの有無を検査するための位置ずれ検査パターン
において、下地パターンを構成する主尺パターン及び該
主尺パターンの上層に形成される副尺パターンの少なく
とも一方を、所定の間隔を隔てて順次に配置される３又
はそれ以上のラインパターンによって構成したことを特
徴とする。

【０００９】また、本発明の位置ずれ検査方法は、上記
本発明の位置ずれ検査パターンに基づいて検査を行う位
置ずれ検査方法であって、前記ラインパターンの両側の
ラインパターンを除く１のラインパターンの位置に基づ
いて位置ずれの有無を検査することを特徴とする。

【００１０】本発明の位置ずれ検査パターン及び検査方
法によれば、順次に配設された３又はそれ以上のライン
パターンの内で両側のラインパターンを除いた中央部の
ラインパターンは、露光及び現像の際に良好な形状を有
して形成されるので、この中央部のラインパターンを用
いて寸法測定を行うことによって、精度の高い位置ずれ
検査が可能となり、位置ずれ検査の信頼性が向上する。

【００１１】３又はそれ以上のラインパターンは、主尺
及び副尺の何れか一方又は双方に設けることが出来る。
主尺及び副尺の配置の如何を問わない。例えば、副尺が
主尺を囲む形状でも良く、或いは、双方が離れて配置さ
れても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施形態
例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１は、本
発明の一実施形態例の位置ずれ検査パターンの平面図で
ある。本実施形態例の検査パターンは、３本の細線（ラ
インパターン）１０ａ、１０ｂ、１０ｃが所定の間隔を
隔てて配置された枠状の主尺パターン１０と、この主尺
パターン１０の内側に配置され、同様に３本の細線２０
ａ、２０ｂ、２０ｃが所定の間隔を隔てて配置された枠
状の副尺パターン２０とによって構成される。主尺パタ
ーン１０と副尺パターン２０との間の距離は、何れの位
置においても一定である。

【００１３】図２は、上記実施形態例の位置ずれ検査パ
ターンのＡ−Ａ断面を示す。主尺パターン１０は、半導
体基板３１上に形成されたポリシリコンパターンとして
形成され、そのポリシリコンパターン１０上には被加工
膜を成す層間絶縁膜３２が形成されている。被加工膜３
２上にはレジストパターンを成す副尺パターン２０が形
成されている。主尺パターン１０及び副尺パターン２０
は、何れも各細線が、露光及び現像後に０．１〜３．０
μｍ程度の幅及びスペースを有するように、各露光マス
クが設計されている。

【００１４】主尺パターン１０の、図面上で左側の３本
の細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃの内の中央の細線１０ｂ
と、副尺パターン２０の、図面上で３本の細線２０ａ、
２０ｂ、２０ｃの内の中央の細線２０ｂとの間の距離ｄ
１が測定され、また、主尺パターン１０の右側の３本の
細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃの内の中央の細線１０ｂ
と、副尺パターン２０の右側の３本の細線２０ａ、２０
ｂ、２０ｃの内の中央の細線２０ｂとの間の距離ｄ２が
測定される。この距離ｄ１、ｄ２の差が、レジストパタ
ーンの位置ずれ量として測定され、所定以上のずれ量が
存在すると位置ずれが有ったものと判定される。ここ
で、中央の細線１０ｂ、２０ｂのみを利用して位置ずれ
計測を行うのは、狭い間隔で配列された各３本の細線で
は、露光の際に中央の細線が最も光学的な歪みを受け難
いからである。以下、副尺パターン２０を例にとって更
に詳細に説明する。

【００１５】図３は、図２の副尺パターンの一方の枠部
分を示す詳細断面図である。同図に示すように、露光及
び現像によって加工した後のレジストパターンの形状
は、露光装置の対物レンズの収差の影響を受け、３本の
細線２０ａ、２０ｂ、２０ｃの内で中央の細線２０ｂの
みが良好な形状を有し、左右の細線２０ａ、２０ｃは、
中央の細線２０ｂに比して夫々に細りが発生し、中央細
線２０ｂに関して非対称に形成され（Ｌ１≠Ｌ２）、上
端が細い台形状を成している。ここで、左右の細線２０
ａ、２０ｃの各上端では、正規のパターン形状の両縁部
から内側に夫々えぐれが生じており、例えば、細線の正
規の幅（Ｌ）及びスペース（Ｓ）が０．５０(ｍ程度の
場合には、そのえぐれ（ａ）及び（ｂ）は夫々、０．０
１〜０．１０(ｍ程度である（ａ≠ｂ）。しかし、前記
の通り、中央の細線２０ｂは、ほぼマスク通りの正規形
状を実現している。

【００１６】主尺パターン１０及び副尺パターン２０の
双方の中央の細線間１０ｂ、２０ｂの距離ｄ１、ｄ２を
測定するには、例えば、図４に示す重ね合わせ精度測定
装置を用いる。該装置では、照明光源１から射出した光
はフィルター群２、照明絞り３、ハーフミラー４、及
び、対物レンズ５を通して被測定基板６を照射する。基
板６で反射した光は、対物レンズ５、ハーフミラー４、
結像系絞り７、ハーフミラー４を経由して、Ｘ方向ＣＣ
Ｄカメラ８及びＹ方向ＣＣＤカメラ９に取り込まれ、画
像処理によって検査パターンのエッジの検出が行われ
る。

【００１７】図２の位置ずれ検査パターンでは、重ね合
わせ精度測定装置によって、まず、主尺パターン１０及
び副尺パターン２０の夫々の中央細線１０ｂ、２０ｂが
検出され、図面上で左側の細線１０ｂと細線２０ｂの中
心間の間隔ｄ１、図面上で右側の細線１０ｂと細線２０
ｂの中心間の間隔ｄ２が、夫々、主尺パターン１０と副
尺パターン２０の間の距離として計測される。双方の距
離ｄ１、ｄ２の長さの差を算出して位置ずれ量とする。
つまり、本実施形態例の場合には、位置ずれ検査パター
ンの内で、左右及び上下の枠部分の非対称な形状を有す
る両端のラインを除外した中央のラインパターンのみ
で、Ｘ方向及びＹ方向の距離を測定することによって正
確な位置ずれ量を計測する。

【００１８】一般に、上記非対称なパターンは以下のよ
うにして生ずる。露光装置の投影レンズ（対物レンズ）
には、パターンの種類、サイズ及び配置に依存して発生
する光学収差として、コマ収差及び球面収差が知られて
いる。これらの収差は、原理的に、細線（Ｌ）／スペー
ス（Ｓ）の繰返しラインパターンに対して、両側（両
端）の細線に寸法差を発生させること、及び、中央細線
に比して両側細線（孤立細線）を細らせることが知られ
ている。

【００１９】まず、コマ収差は露光軸に垂直な方向に焦
点ボケの方向性を有するもので、図５に例示するよう
に、レジストの上部が片減りすると共に、光軸に対して
コマ収差が生じた方向に存在する細線２１ｃが他方の細
線２１ａに比して細ることで、中央の細線２０ｃに関し
て非対称な細線２０ａ、２０ｃを生じる。また、光学像
の空間周波数を考えると、コマ収差の影響は、空間周波
数の高周波成分（高ＮＡ成分）により強く働く。この場
合、図６に示すように、繰返し性の強い中央細線２０ｂ
は位置ずれ（像流れ）を起こそうとするが、細線／スペ
ース全体としては位置ずれを起こしにくいため、コマ収
差発生方向の細線２１ｃが細り、反対側の細線２１ａは
逆に太る。更に、球面収差は、高周波成分（高ＮＡ成
分）と低周波成分（低ＮＡ成分）の結像点が異なるもの
で、図７に示すように、中央細線２０ｂに比べて両側の
細線２０ａ、２０ｃが焦点ボケの影響で細るものであ
る。

【００２０】上記レンズの収差による影響は、細線／ス
ペースが３本以上配列された場合に、両端の細線２０
ａ、２０ｃでより多く顕在化し、中央部の細線２０ｂに
は現れないため、本実施形態例のように、３又はそれ以
上の細線／スペースの群として検査パターンを設けるこ
とにより、主尺及び副尺の各中央細線は、良好な対称形
状を保持できる。

【００２１】なお、細線は３本以上、任意の本数を並べ
ることが出来る。細線の数が多いほど各検査パターンは
平坦化され、その上に形成されるパターンも平坦化され
るという利点がある。

【００２２】なお、前記特開平７−１４２５４３号公報
では、主尺パターンと副尺パターンとを交互に複数なら
べているが、このような構成では、本発明のような対称
な位置ずれ検査パターンは得られない。つまり、本発明
に従って、光学的な繰返し性を有するパターン群であっ
て、３本以上の細線を有するパターン構造を形成し、そ
の両端の細線を除外した１の細線に基づいて検査パター
ンの距離を計測することによって、良好な位置ずれ検査
が実現する。

【００２３】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明は上記実施形態例の構成にの
み限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から
種々の修正及び変更を施したものも本発明の範囲に含ま
れる。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置ずれ
検査パターンによれば、３又はそれ以上の細線を所定の
間隔で配設し、その両側の細線を除く１の中央部の細線
によって位置ずれ検査パターンの位置ずれ量を計測する
ことにより、正確な位置ずれ量の検出が可能となり、半
導体装置のフォトリソグラフィ工程において信頼性が高
い位置ずれ検査が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態例の位置ずれ検査パターン
の平面図。

【図２】図１の位置ずれ検査パターンのＡ−Ａ断面図。

【図３】図２のレジストパターンの詳細断面図。

【図４】本発明の位置ずれ検査方法を実施する検査装置
の一例を示す模式的断面図。

【図５】コマ収差による非対称性の発生を説明するため
の模式図。

【図６】コマ収差による影響の大小を説明する模式図。

【図７】球面収差による非対称性の発生を説明するため
の模式図。

【図８】従来の位置ずれ検査パターンの平面図。

【図９】図８の位置ずれ検査パターンのＢ−Ｂ断面図。

【図１０】提案された位置ずれパターンの平面図。

【符号の説明】

１０主尺パターン、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ主尺細線２０副尺パターン、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ副尺細線ｄ１、ｄ２主尺と副尺の間の距離３１半導体基板３２被加工膜１照明光源２フィルタ群３照明系絞り４ハーフミラー５対物レンズ６半導体ウエハー７結像系絞り８Ｘ方向ＣＣＤカメラ９Ｙ方向ＣＣＤカメラ

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年８月３１日（１９９９．８．３
１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】位置ずれ検査方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位置ずれ検査方法
に関し、更に詳しくは、ＩＣや液晶の製造中に、フォト
リソグラフィ工程におけるレジストパターンと下地パタ
ーンとの重ね合わせ精度を測定するための位置ずれ検査
方法に関する。

【０００２】

【０００６】

【０００７】本発明は、上記に鑑み、検査結果がレンズ
の光学収差等によって影響を受け難い位置ずれ検査方法
を提供し、もって、ＩＣや液晶の製造工程中における、
フォトリソグラフィー工程の位置ずれ検査において、検
査の信頼性を高めることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の位置ずれ検査パターンは、フォトリソグラ
フィ工程に際して下地パターンとレジストパターンとの
位置ずれの有無を検査するための位置ずれ検査方法にお
いて、下地パターンを構成する主尺パターン及び該主尺
パターンの上層に形成される副尺パターンの少なくとも
一方を、所定の間隔を隔てて順次に配置される３又はそ
れ以上のラインパターンによって構成し、前記ラインパ
ターンの両側のラインパターンを除く一つのラインパタ
ーンの位置に基づいて位置ずれの有無を検査することを
特徴とする。

【０００９】本発明の位置ずれ検査パターン及び検査方
法によれば、順次に配設された３又はそれ以上のライン
パターンの内で両側のラインパターンを除いた中央部の
ラインパターンは、露光及び現像の際に良好な形状を有
して形成されるので、この中央部のラインパターンを用
いて寸法測定を行うことによって、精度の高い位置ずれ
検査が可能となり、位置ずれ検査の信頼性が向上する。

【００１０】３又はそれ以上のラインパターンは、主尺
及び副尺の何れか一方又は双方に設けることが出来る。
主尺及び副尺の配置の如何を問わない。例えば、副尺が
主尺を囲む形状でも良く、或いは、双方が離れて配置さ
れても良い。

【００１１】

【００１２】図２は、上記実施形態例の位置ずれ検査パ
ターンのＡ−Ａ断面を示す。主尺パターン１０は、半導
体基板３１上に形成されたポリシリコンパターンとして
形成され、そのポリシリコンパターン１０上には被加工
膜を成す層間絶縁膜３２が形成されている。被加工膜３
２上にはレジストパターンを成す副尺パターン２０が形
成されている。主尺パターン１０及び副尺パターン２０
は、何れも各細線が、露光及び現像後に０．１〜３．０
μｍ程度の幅及びスペースを有するように、各露光マス
クが設計されている。

【００１３】主尺パターン１０の、図面上で左側の３本
の細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃの内の中央の細線１０ｂ
と、副尺パターン２０の、図面上で３本の細線２０ａ、
２０ｂ、２０ｃの内の中央の細線２０ｂとの間の距離ｄ
１が測定され、また、主尺パターン１０の右側の３本の
細線１０ａ、１０ｂ、１０ｃの内の中央の細線１０ｂ
と、副尺パターン２０の右側の３本の細線２０ａ、２０
ｂ、２０ｃの内の中央の細線２０ｂとの間の距離ｄ２が
測定される。この距離ｄ１、ｄ２の差が、レジストパタ
ーンの位置ずれ量として測定され、所定以上のずれ量が
存在すると位置ずれが有ったものと判定される。ここ
で、中央の細線１０ｂ、２０ｂのみを利用して位置ずれ
計測を行うのは、狭い間隔で配列された各３本の細線で
は、露光の際に中央の細線が最も光学的な歪みを受け難
いからである。以下、副尺パターン２０を例にとって更
に詳細に説明する。

【００１４】図３は、図２の副尺パターンの一方の枠部
分を示す詳細断面図である。同図に示すように、露光及
び現像によって加工した後のレジストパターンの形状
は、露光装置の対物レンズの収差の影響を受け、３本の
細線２０ａ、２０ｂ、２０ｃの内で中央の細線２０ｂの
みが良好な形状を有し、左右の細線２０ａ、２０ｃは、
中央の細線２０ｂに比して夫々に細りが発生し、中央細
線２０ｂに関して非対称に形成され（Ｌ１≠Ｌ２）、上
端が細い台形状を成している。ここで、左右の細線２０
ａ、２０ｃの各上端では、正規のパターン形状の両縁部
から内側に夫々えぐれが生じており、例えば、細線の正
規の幅（Ｌ）及びスペース（Ｓ）が０．５０μｍ程度の
場合には、そのえぐれ（ａ）及び（ｂ）は夫々、０．０
１〜０．１０μｍ程度である（ａ≠ｂ）。しかし、前記
の通り、中央の細線２０ｂは、ほぼマスク通りの正規形
状を実現している。

【００１５】主尺パターン１０及び副尺パターン２０の
双方の中央の細線間１０ｂ、２０ｂの距離ｄ１、ｄ２を
測定するには、例えば、図４に示す重ね合わせ精度測定
装置を用いる。該装置では、照明光源１から射出した光
はフィルター群２、照明絞り３、ハーフミラー４、及
び、対物レンズ５を通して被測定基板６を照射する。基
板６で反射した光は、対物レンズ５、ハーフミラー４、
結像系絞り７、ハーフミラー４を経由して、Ｘ方向ＣＣ
Ｄカメラ８及びＹ方向ＣＣＤカメラ９に取り込まれ、画
像処理によって検査パターンのエッジの検出が行われ
る。

【００１６】図２の位置ずれ検査パターンでは、重ね合
わせ精度測定装置によって、まず、主尺パターン１０及
び副尺パターン２０の夫々の中央細線１０ｂ、２０ｂが
検出され、図面上で左側の細線１０ｂと細線２０ｂの中
心間の間隔ｄ１、図面上で右側の細線１０ｂと細線２０
ｂの中心間の間隔ｄ２が、夫々、主尺パターン１０と副
尺パターン２０の間の距離として計測される。双方の距
離ｄ１、ｄ２の長さの差を算出して位置ずれ量とする。
つまり、本実施形態例の場合には、位置ずれ検査パター
ンの内で、左右及び上下の枠部分の非対称な形状を有す
る両端のラインを除外した中央のラインパターンのみ
で、Ｘ方向及びＹ方向の距離を測定することによって正
確な位置ずれ量を計測する。

【００１７】一般に、上記非対称なパターンは以下のよ
うにして生ずる。露光装置の投影レンズ（対物レンズ）
には、パターンの種類、サイズ及び配置に依存して発生
する光学収差として、コマ収差及び球面収差がが知られ
ている。これらの収差は、原理的に、細線（Ｌ）／スペ
ース（Ｓ）の繰返しラインパターンに対して、両側（両
端）の細線に寸法差を発生させること、及び、中央細線
に比して両側細線（孤立細線）を細らせることが知られ
ている。

【００１８】まず、コマ収差は露光軸に垂直な方向に焦
点ボケの方向性を有するもので、図５に例示するよう
に、レジストの上部が片減りすると共に、光軸に対して
コマ収差が生じた方向に存在する細線２１ｃが他方の細
線２１ａに比して細ることで、中央の細線２０ｃに関し
て非対称な細線２０ａ、２０ｃを生じる。また、光学像
の空間周波数を考えると、コマ収差の影響は、空間周波
数の高周波成分（高ＮＡ成分）により強く働く。この場
合、図６に示すように、繰返し性の強い中央細線２０ｂ
は位置ずれ（像流れ）を起こそうとするが、細線／スペ
ース全体としては位置ずれを起こしにくいため、コマ収
差発生方向の細線２１ｃが細り、反対側の細線２１ａは
逆に太る。更に、球面収差は、高周波成分（高ＮＡ成
分）と低周波成分（低ＮＡ成分）の結像点が異なるもの
で、図７に示すように、中央細線２０ｂに比べて両側の
細線２０ａ、２０ｃが焦点ボケの影響で細るものであ
る。

【００１９】上記レンズの収差による影響は、細線／ス
ペースが３本以上配列された場合に、両端の細線２０
ａ、２０ｃでより多く顕在化し、中央部の細線２０ｂに
は現れないため、本実施形態例のように、３又はそれ以
上の細線／スペースの群として検査パターンを設けるこ
とにより、主尺及び副尺の各中央細線は、良好な対称形
状を保持できる。

【００２０】なお、細線は３本以上、任意の本数を並べ
ることが出来る。細線の数が多いほど各検査パターンは
平坦化され、その上に形成されるパターンも平坦化され
るという利点がある。

【００２１】なお、前記特開平７−１４２５４３号公報
では、主尺パターンと副尺パターンとを交互に複数なら
べているが、このような構成では、本発明のような対称
な位置ずれ検査パターンは得られない。つまり、本発明
に従って、光学的な繰返し性を有するパターン群であっ
て、３本以上の細線を有するパターン構造を形成し、そ
の両端の細線を除外した１の細線に基づいて検査パター
ンの距離を計測することによって、良好な位置ずれ検査
が実現する。

【００２２】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明は上記実施形態例の構成にの
み限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から
種々の修正及び変更を施したものも本発明の範囲に含ま
れる。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置ずれ
検査方法によれば、３又はそれ以上の細線を所定の間隔
で配設し、その両側の細線を除く１の中央部の細線によ
って位置ずれ検査パターンの位置ずれ量を計測すること
により、正確な位置ずれ量の検出が可能となり、半導体
装置のフォトリソグラフィ工程において信頼性が高い位
置ずれ検査が可能となる。