JP2000077262A

JP2000077262A - 薄膜部品および薄膜コンデンサ

Info

Publication number: JP2000077262A
Application number: JP10245366A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nishikawa; 洋行西川
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1998-08-31
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】より簡単な構造のハンダからなる端子を有する
薄膜部品および薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】表面に電極層１を有する薄膜部品であっ
て、電極層１の表面に、ハンダ濡れ性の低い第１金属層
２を形成するとともに、該第１金属層２の中央部に、第
１金属層２よりもハンダ濡れ性が良好な第２金属層３を
形成し、該第２金属層３にハンダからなる端子４を形成
してなるもので、第１金属層２がＴｉからなり、第２金
属層３がＡｕからなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハンダからなる端
子を有する薄膜部品および薄膜コンデンサに関するもの
である。

【０００２】

【従来技術】従来、薄膜部品の上面に電極端子としてハ
ンダ端子を形成する方法には、従来より、Controlled C
ollapse Chip Connection （いわゆるＣ４）と呼ばれる
技術が知られている。この方法は、素子の保護膜をハン
ダ端子形成部以外にあらかじめ形成した後、Ball Limit
ing Metallurgy (いわゆるＢＬＭ）と呼ばれる構造をハ
ンダ端子形成部位に作製した後にハンダを載せ、ハンダ
の自己凝集を利用してハンダ端子を形成する方法であ
る。このＣ４技術は、素子の実装技術として広く用いら
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃ４技
術のＢＬＭ構造は、通常Ｃｒ層、Ｃｕ層、Ａｕ層の３層
構造を採るため、用いる材料の種類が増え、しかも、保
護膜を形成する必要があるため、工程が複雑となるとい
う問題があった。

【０００４】一方、Ｃ４技術のＢＬＭ構造を用いてハン
ダからなる端子を形成した薄膜コンデンサとして、ＵＳ
Ｐ４，４３９，８１３号が知られている。このＵＳＰ
４，４３９，８１３号には、コンデンサを形成する電極
層の材料がＴｉ／Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌからなり、この
電極層表面にＣ４技術のＢＬＭ構造を用いてハンダから
なる端子が形成されているが、上記したように用いる材
料が多く、また保護膜を形成する必要があり、工程が複
雑であった。

【０００５】また、薄膜コンデンサ等の薄膜部品におい
ては、非常に厚みの薄い部分にハンダからなる端子を形
成する必要があるため、強度等の点から従来のＣ４技術
のＢＬＭ構造を採用する必要はなく、より簡易な構造の
ハンダからなる端子が要求されていた。

【０００６】本発明は、容易に作製でき、しかもより簡
単な構造の外部電極端子を有する薄膜部品および薄膜コ
ンデンサを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜部品は、表
面に電極層を有する薄膜部品であって、前記電極層の表
面に、ハンダ濡れ性の低い第１金属層を形成するととも
に、該第１金属層の中央部に、前記第１金属層よりもハ
ンダ濡れ性が良好な第２金属層を形成し、該第２金属層
にハンダからなる端子を形成してなるものである。ここ
で、第１金属層がＴｉからなり、第２金属層がＡｕから
なることが望ましい。

【０００８】また、本発明の薄膜コンデンサは、誘電体
層の上面に上側電極層を、下面に下側電極層を有する薄
膜コンデンサであって、前記上側電極層がＡｕまたはＣ
ｕからなるとともに、前記上側電極層の上面にハンダ濡
れ性の低い第１金属層を形成し、該第１金属層の中央部
に、前記第１金属層よりもハンダ濡れ性が良好な第２金
属層を形成し、該第２金属層にハンダからなる端子を形
成してなるものである。ここで、第１金属層がＴｉから
なり、第２金属層がＡｕからなることが望ましい。

【０００９】

【作用】本発明の薄膜部品では、電極層の表面に、ハン
ダ濡れ性の低い第１金属層を形成し、該第１金属層の中
央部に、第１金属層よりもハンダ濡れ性が良好な第２金
属層を形成し、該第２金属層にハンダを載せてリフロー
すると、ハンダが溶融して第２金属層に固着するととも
に、第２金属層の周囲に露出した第１金属層の部分によ
りハンダの第２金属層からの流出、拡散を防止でき、ハ
ンダからなる端子（以下ハンダ端子という）の形成位置
が変動することがなく、また形状の崩れのないハンダ端
子を形成することができ、従来のＢＬＭ構造と比較し
て、ほぼ半分の種類の材料で、より簡単な構造、工程に
よって、従来のＢＬＭ構造と同様の効果を得ることがで
きる。

【００１０】また、第１金属層を、密着性が良好でハン
ダ濡れ性の低いＴｉで形成し、第２金属層をハンダ濡れ
性の良好なＡｕで構成することにより、第１金属層を電
極層表面に強固に密着できるとともに、第２金属層から
のハンダの流出や拡散を確実に防止でき、さらに第２金
属層とハンダとの固着強度をさらに向上できる。

【００１１】即ち、薄膜部品の上部に露出した電極層と
ハンダの間に、２層の金属層を挿入することで、ハンダ
端子の位置の変動やハンダ端子形状の崩れを防ぐ作用を
持たせている。この２層の金属層はそれぞれ異なった機
能、サイズを持ち、両層が積層する構造を採っている。

【００１２】薄膜部品の電極層上に形成される第１金属
層を、ハンダとの濡れ性が悪い材料を用い、第１金属層
の上に形成される第２金属層を、逆にハンダとの濡れ性
の良い材料で構成される。この第２金属層は、第１金属
層の外周部のみを残して、第１金属層の中央部を被覆す
る。つまり、第２金属層の周囲には、第２金属層を取り
囲むように第１金属層の外周部が露出している。そし
て、第２金属層上にハンダを載せたのち、ハンダリフロ
ーを行い、ハンダ端子が形成される。ハンダを載せる方
法は特に指定はなく、ハンダボール、ペーストの印刷等
の方法が用いられる。

【００１３】ハンダリフローの過程ではハンダが溶融
し、ハンダの流動性が増す。Ａｕはハンダとの濡れ性が
良いため、下層として第１金属層がなければ、この溶融
ハンダが薄膜部品の電極層上に流出、拡散する。本発明
では、ハンダ濡れ性の悪い第１金属層の外周部が、ハン
ダが載っている第２金属層を囲むように存在しているた
め、この第１金属層によって溶融ハンダの拡散が止めら
れ、ハンダが第１金属層を越えて流出、拡散することが
なくなる。

【００１４】さらに、第２金属層の表面積を制御するこ
とで、ハンダ端子の形状、高さを制御できる。例えば、
第２金属層を円形とし、その直径を上に載せるハンダボ
ールと同じにすると、ハンダ端子の形状はほぼ半球状に
近い形となり、高さは直径の３／４程度のものが得られ
る。

【００１５】第１、第２金属層は、電気的に見た場合、
ともに薄膜部品の電極層とハンダ端子の間に直列に挿入
されるため、電気抵抗は小さい方が望ましい。

【００１６】さらに、第１金属層の材料にはハンダ濡れ
性が悪いものが用いられているが、溶融ハンダの流出を
止める作用を果たすことを考慮すると、濡れ性の悪さは
大きい方が良い。できれば、ハンダとの接合が不可能な
材料がさらに望ましい。この条件に該当する金属材料と
してＴｉがある。

【００１７】第２金属層は、逆にハンダ濡れ性の良い材
料が用いられているが、この場合はハンダとの合金の形
成が起こるため、濡れ性の程度は問題となる。ハンダの
第２金属層への密着強度を考えると濡れ性が大きく合金
を作りやすい材料が望ましいが、第２金属層すべてが合
金化してハンダ端子に吸収されてしまうと、ハンダ濡れ
性の悪い第１金属層がハンダ端子に接触することにな
り、ハンダ端子が剥離し易くなり、本発明による効果が
失われてしまう。従って、第１金属層のハンダの濡れ
性、即ち合金化のし易さを抑えるか、第２金属層の厚み
を増して、ハンダ端子に吸収されない部分を作るか、の
方法が考えられる。

【００１８】しかしながら、ハンダ濡れ性を抑えること
は密着強度を低下させることにつながり、デバイスの強
度上望ましくない。この場合には、第２金属層の厚みを
増加させる方法が望ましい。第２金属層に用いるハンダ
濡れ性の良い材料としては、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｄ、
Ｐｄがあり、電気伝導度と耐酸化性等を考慮するとＡｕ
が望ましい。また、薄膜部品の電極層をＡｕとすると、
第２金属層と同一材料となることから、材料の種類が少
なくてすみ、工程上のメリットも大きい。

【００１９】また、この第１、第２金属層は、薄膜部品
の電極層とハンダ端子の間に直列に挿入されるため、構
造的にはハンダ端子と薄膜部品の間のバッファーの機能
を果たすことになり、ハンダの熱収縮によって薄膜部品
の誘電体層や電極層が破壊されるという問題にも有効で
ある。ハンダと薄膜部品、薄膜部品の電極層の熱膨張率
の違いにより発生する応力は、この第１、第２金属層が
バッファーとなって緩和され、誘電体層や電極層の破壊
を防ぐことができる。また、電極層の材料がハンダによ
って吸収されて電極層に穴が開くような問題も、第１、
第２金属層がハンダ端子と電極層を隔離することで防止
できる。

【００２０】従来、Ｃ４技術のＢＬＭ構造は、異なる３
種類の金属材料を用いており、電極層材料を含めると４
種類の材料が必要となり、工程が複雑であった。本発明
による第１金属層の上面に第２金属層を積層した２層積
層構造（以下、２層積層構造という）を用いれば、材料
は電極層を含めても２種類または３種類でよく、用いる
材料の面から工程を簡略化することが可能である。

【００２１】また、この第１、第２金属層の２層積層構
造のみで、ハンダの流れ出し、拡散を防いでいるため、
ハンダ端子の形成に必ずしも従来のような保護膜を必要
としない。したがって、本発明によって、例えば、ハン
ダとの濡れ性が良いような材料でも保護膜として用いる
ことが可能となり、保護膜材料の選択肢を増やすことが
できる。さらに、熱収縮に伴う応力緩和効果もこの単純
な２層積層構造で実現しており、ＢＬＭ構造に比べて、
費用対効果の点で優れているといえる。

【００２２】次に、本発明の薄膜コンデンサについて説
明する。本発明の薄膜コンデンサは、誘電体層の上面に
上側電極層を、下面に下側電極層を有している。つま
り、上側電極層および下側電極層により誘電体層が挟持
されている。誘電体層が一層の単板型、あるいは誘電体
層が複数、即ち、誘電体層と電極層とが交互に積層され
た積層型の薄膜コンデンサであっても良いことは勿論で
ある。

【００２３】そして、誘電体層を挟持する上側電極層、
積層型にあっては、最上層の上側電極層は、Ａｕおよび
／またはＣｕから形成されている。電極層の材料とし
て、ＡｕやＣｕを用いることで、電極層の電気抵抗を低
下させている。Ａｕの抵抗率は２．３６×１０^-6Ωｃｍ
で、Ｃｕの抵抗率は１．６７×１０^-6Ωｃｍである。ま
た、Ａｕは酸化に強く、また融点は１０６４℃であるこ
とから、電極層として最も望ましい。

【００２４】この電極層の上面には、上記の薄膜部品と
同様、第１金属層が形成され、この第１金属層の中央部
には第２金属層が形成され、第２金属層にはハンダ端子
が形成されているのである。

【００２５】このような薄膜コンデンサでは、上側電極
層の材料にＡｕおよび／またはＣｕを用いることで上側
電極層自体の電気抵抗を下げ、電極層上に、第１金属
層、第２金属層を介してハンダ端子を形成することによ
り薄膜コンデンサのインピーダンスを低減させることが
可能となる。これは、薄膜コンデンサの高速動作に対し
て重要である。さらに、従来のＢＬＭ構造よりも簡単な
２層積層構造を用いてハンダ端子を形成することによ
り、簡便な方法でＢＬＭ構造と同様な効果を得ることが
できる。

【００２６】また、保護膜がなくとも２層積層構造のみ
でハンダの流れ出しを抑制できるため、保護膜なしの場
合や、保護膜とハンダを接触させない構造を作製するこ
とが可能であり、使用できる保護膜材料が増えるととも
に、保護膜とハンダとの接触による不具合を回避でき
る。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜部品は、図１に示す
ように、薄膜部品の外面に露出した電極層１の表面に、
ハンダ濡れ性の低い第１金属層２が形成され、該第１金
属層２の中央部に、第１金属層２よりもハンダ濡れ性が
良好な第２金属層３が形成され、この第２金属層３の上
面にハンダ端子４を形成して構成されている。

【００２８】電極層１は電気抵抗が小さく、耐酸化性、
耐熱性に優れた材料で構成されるものであり、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｃｕ等があり、電気抵抗が小さいという点か
らＡｕまたはＣｕが望ましい。

【００２９】また、ハンダ濡れ性の低い第１金属層２と
しては、Ａｌ、Ｔｉおよびこれらの合金があり、そのう
ちでもハンダ濡れ性が特に低いという点からＴｉが望ま
しい。

【００３０】第２金属層３としてはＡｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、
Ａｇ、Ｃｄ等があるが、そのうちハンダ濡れ性が良好
で、耐酸化性に優れるという点からＡｕが望ましい。

【００３１】第１金属層２および第２金属層３は円板状
に形成されており、第２金属層３の直径は第１金属層２
の直径よりも小さく形成され、第１金属層２の上面中央
部に第２金属層３を積層した場合には、第２金属層３の
周囲には、第１金属層２の上面が環状に露出した環状露
出部５が形成されることになる。また、第１金属層２の
厚みは、ハンダの流出を抑えられる範囲内で薄くするこ
とが可能である。一方、第２金属層３の厚みは、ハンダ
との合金化を防止するため、第１金属層２よりも厚く形
成することが望ましいが、特に、３００ｎｍ以上の厚み
とすることが望ましい。第１金属層２と第２金属層３の
ハンダ濡れ性は、その差が大きい程効果が大きい。

【００３２】尚、図１では第１金属層２および第２金属
層３を円板状に形成したが、用途によって任意形状に形
成することが可能である。

【００３３】本発明の薄膜部品では、電極層１の表面に
第１金属層２が形成され、該第１金属層２の中央部に、
第１金属層２よりもハンダ濡れ性が良好な第２金属層３
が形成され、この第２金属層３の上面にハンダが載せら
れ、この状態で、加熱されると、第２金属層３上に載せ
られたハンダは溶解し、第１金属層２の環状露出部５に
よって第２金属層３上に閉じ込められ、形状の崩れのな
いハンダ端子４を容易に形成することができる。

【００３４】本発明の薄膜コンデンサについて説明す
る。本発明の薄膜コンデンサは、図２乃至図４に示すよ
うに、誘電体層１１の上下面にＡｕおよび／またはＣｕ
からなる正電極層１２、およびＡｕおよび／またはＣｕ
からなる負電極層１３を形成してなる一対の容量素子
Ａ、Ｂが対向して並置されている。一対の容量素子Ａ、
Ｂの対向する位置に形成された電極層１２、１３は異な
る極性の電極層１３、１２とされている。容量素子Ａ、
Ｂは基板１４の上面に形成されている。

【００３５】即ち、容量素子Ａは、誘電体層１１の下面
に正電極層１２が、上面に負電極層１３が形成されてお
り、容量素子Ｂは、誘電体層１１の下面に負電極層１３
が、上面に正電極層１２が形成されている。そして、容
量素子Ａ、Ｂが所定間隔を置いて並置されており、容量
素子Ａの正電極層１２と同一平面には容量素子Ｂの負電
極層１３が、容量素子Ａの負電極層１３と同一平面には
容量素子Ｂの正電極層１２が形成されることになる。

【００３６】正電極層１２および負電極層１３は、図５
に示すように、長方形状とされ、誘電体層１１は、この
誘電体層１１の下面に形成された正電極層１２または負
電極層１３を被覆するような大きさの長方形状とされて
いる。誘電体層１１同士は、所定間隔を置いて離間され
ている。誘電体層１１の上面に形成された正電極層１２
または負電極層１３は、誘電体層１１の下面に形成され
た正電極層１２または負電極層１３と同一形状、同一寸
法とされている。

【００３７】誘電体層１１は、例えば、厚みが０．１〜
１μｍ、大きさが縦１．２ｍｍ、横１．２ｍｍの大きさ
とされ、電極層１２、１３は、例えば、厚みが０．１〜
１μｍ、大きさが縦１．０ｍｍ、横０．３ｍｍの大きさ
とされている。

【００３８】そして、一対の容量素子Ａ、Ｂの正電極層
１２および負電極層１３には、それぞれ対向する容量素
子Ａ、Ｂに向けて突出する接続端子電極１５が形成さ
れ、極性が同じ電極層１２、１３の接続端子電極１５同
士が接続されている。

【００３９】正電極層１２同士が接続された正電極接続
部１７と、負電極層１３同士が接続された負電極接続部
１８とは所定間隔を置いて離間され、これにより絶縁さ
れている。この正電極接続部１７と負電極接続部１８と
の間に、誘電体層１１と同一材料を充填しても良い。こ
の場合には、一対の容量素子Ａ、Ｂの誘電体層１１が連
結され、平面的に見るとＨ形状とされる。正電極層１２
および負電極層１３の間であって、正電極接続部１７と
負電極接続部１８との間に該当する部分にも、誘電体層
１１と同一材料を充填しても良い。

【００４０】そして、本発明の薄膜コンデンサは、外部
電極端子２１、２２が、容量素子Ａ、Ｂに最外表面に形
成された正電極層１２および負電極層１３に形成され、
これにより容量が取り出される。

【００４１】外部電極端子２１、２２は、上記図１にも
示したように、正電極層１２および負電極層１３上に、
ハンダ濡れ性の低い第１金属層２を形成し、該第１金属
層２の中央部に、第１金属層２よりもハンダ濡れ性が良
好な第２金属層３を形成し、この第２金属層３の上面に
ハンダ端子４を形成して構成されている。

【００４２】以上のように構成された薄膜コンデンサで
は、一対の容量素子Ａ、Ｂが対向して形成されているた
め、一対の容量素子Ａ、Ｂには、同一平面内には正電極
層１２および負電極層１３が所定間隔を置いて形成され
ることになり、これらの正電極層１２および負電極層１
３の間隔を接近させて形成することができるので、電流
経路が短くなり、インダクタンスを小さくすることがで
きる。

【００４３】また、個々の容量素子における正電極層１
２および負電極層１３を流れる電流の方向が逆方向とな
るため、各正電極層１２および負電極層１３でインダク
タンスが打ち消しあい、発生するインダクタンスを小さ
くすることができる。

【００４４】さらに、基板上に設けられた電極に、上記
薄膜コンデンサのハンダ端子４を当接してリフローハン
ダ付けすることにより、基板に薄膜コンデンサを搭載す
ることができ、実装が容易となる。

【００４５】そして、本発明の薄膜コンデンサでは、上
述したように、露出した正電極層１２および負電極層１
３の表面に第１金属層２が形成され、該第１金属層２の
中央部に、第１金属層２よりもハンダ濡れ性が良好な第
２金属層３が形成され、この第２金属層３の上面にハン
ダが載せられ、この状態で、加熱されると、第２金属層
３上に載せられたハンダは溶解し、第１金属層２の環状
露出部５によって第２金属層３上に閉じ込められ、形状
の崩れのないハンダ端子４を容易に形成することがで
き、より簡単な構造の外部電極端子２１、２２を容易に
作製できる。

【００４６】また、正電極層１２および負電極層１３を
ＡｕまたはＣｕより形成し、第１金属層２をＴｉより形
成し、第２金属層３をＡｕより形成することができ、外
部電極端子２１、２２を、電極層１２、１３の材料まで
含めて２種または３種で形成でき、使用する材料を従来
よりも大幅に少なくできるとともに、外部電極端子２
１、２２を容量素子Ａ、Ｂの上面に形成したので電流経
路を短くでき、しかも正電極層１２および負電極層１３
を形成するＡｕまたはＣｕは抵抗が小さいため、インピ
ーダンスを大幅に低減できる。

【００４７】

【実施例】Ｐｂ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃を主成分とす
る磁器上に、膜厚３５０ｎｍのＡｕからなる電極層１を
スパッタ法によって作製した。この電極層１上に、膜厚
２００ｎｍ、直径２５０μｍの円形のＴｉよりなる第１
金属層２をスパッタ法により形成した。この第１金属層
２の上に、膜厚３５０ｎｍ、直径１５０ｎｍの円形のＡ
ｕよりなる第２金属層３をスパッタ法を用いて形成し
た。

【００４８】第２金属層３の作製の際、第１金属層２と
第２金属層３の中心を一致させることにより、図１
（ｂ）に示したように、第１金属層２の外周部の幅５０
ｎｍの領域を、第２金属層３を被覆せずに表面に露出さ
せた。つまり、環状露出部５の幅を５０ｎｍとした。ハ
ンダは直径０．２ｍｍのハンダボールを用い、これを第
２金属層３にあたる内側の円内に載せ、２２０℃でハン
ダリフローを行い、ハンダ端子４を形成し、図１に示し
たような本発明の薄膜部品を２５個作製した。

【００４９】一方、比較例として、第１、第２金属層を
形成せずに、電極層１の上面に直接直径０．２ｍｍのハ
ンダボールを載せ、同じ条件でリフローを行ない、２５
個の薄膜部品を作製した。

【００５０】本発明の薄膜部品および比較例の薄膜部品
について、ハンダ端子４の形状、ハンダ端子４の中心位
置の移動の程度、ハンダ端子４の密着強度の３項目で行
った。

【００５１】ハンダ端子４の形状については、底面の直
径とハンダの高さの比率で評価し、少なくとも底面直径
の半分、比率にして０．５以上の結果について良好な結
果と判断した。また、ハンダ端子４の位置の移動につい
ては、少なくともハンダ端子４の中心が第２金属層３の
上面にあるかどうかで判断した。したがって、移動距離
が０．１ｍｍ以下を良好な結果と判断した。密着性につ
いては、ハンダ端子４が１個当り３０ｇｆの荷重に耐え
られる場合に良好と判断した。

【００５２】その結果、本発明の薄膜部品では、ハンダ
端子４の形状については２５個中２４個が良好であり、
ハンダ端子４の中心位置の移動の程度については２３個
が良好であり、ハンダ端子４の密着強度については２４
個が良好であった。つまり、本発明の薄膜部品では、リ
フローにより溶融したハンダは、第１金属層２の環状露
出部５に阻まれて、電極層１上に流れ出すこともなく、
第２金属層３上に残っており、しかも、リフロー後、ハ
ンダはほぼ半球形状のハンダ端子４を形成していた。

【００５３】一方、比較例の薄膜部品では、ハンダ端子
４の密着強度については２５個中１１個が良好であった
ものの、ハンダ端子４の形状、およびハンダ端子４の中
心位置の移動の程度については良好なものがなかった。
つまり、溶融ハンダが電極層１上に流れ出し、ハンダ端
子は形成されず、しかもハンダの位置も移動し、特定の
位置にハンダ端子を形成することはできなかった。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
電極層の表面に、ハンダ濡れ性の低い第１金属層を形成
し、該第１金属層の中央部に、第１金属層よりもハンダ
濡れ性が良好な第２金属層を形成し、該第２金属層にハ
ンダを載せてリフローすると、ハンダが溶融して第２金
属層に固着するとともに、第１金属層の露出した外周部
によりハンダの第２金属層からの流出、拡散を防止で
き、ハンダ端子の形成位置が変動することがなく、また
形状の崩れのないハンダ端子を形成することができ、従
来のＢＬＭ構造と比較して、ほぼ半分の種類の材料で、
より簡単な構造、工程によって、従来のＢＬＭ構造と同
様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜部品を示すもので、（ａ）は外観
斜視図、（ｂ）は平面図である。

【図２】本発明の薄膜コンデンサを示す分解斜視図であ
る。

【図３】本発明の薄膜コンデンサの平面図である。

【図４】図３の正電極接続部近傍の側面図である。

【図５】電極層と誘電体層を示す平面図である。

【符号の説明】

１・・・電極層２・・・第１金属層３・・・第２金属層４・・・ハンダ端子５・・・環状露出部１１・・・誘電体層１２・・・正電極層１３・・・負電極層２１、２２・・・外部電極端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に電極層を有する薄膜部品であって、
前記電極層の表面に、ハンダ濡れ性の低い第１金属層を
形成するとともに、該第１金属層の中央部に、前記第１
金属層よりもハンダ濡れ性が良好な第２金属層を形成
し、該第２金属層にハンダからなる端子を形成してなる
ことを特徴とする薄膜部品。
【請求項２】第１金属層がＴｉからなり、第２金属層が
Ａｕからなることを特徴とする請求項１記載の薄膜部
品。
【請求項３】誘電体層の上面に上側電極層を、下面に下
側電極層を有する薄膜コンデンサであって、前記上側電
極層がＡｕまたはＣｕからなるとともに、前記上側電極
層の上面にハンダ濡れ性の低い第１金属層を形成し、該
第１金属層の中央部に、前記第１金属層よりもハンダ濡
れ性が良好な第２金属層を形成し、該第２金属層にハン
ダからなる端子を形成してなることを特徴とする薄膜コ
ンデンサ。
【請求項４】第１金属層がＴｉからなり、第２金属層が
Ａｕからなることを特徴とする請求項３記載の薄膜コン
デンサ。