JP2000077188A - Exposure device and image forming device - Google Patents

Exposure device and image forming device

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JP2000077188A
JP2000077188A JP24494898A JP24494898A JP2000077188A JP 2000077188 A JP2000077188 A JP 2000077188A JP 24494898 A JP24494898 A JP 24494898A JP 24494898 A JP24494898 A JP 24494898A JP 2000077188 A JP2000077188 A JP 2000077188A
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microlens
light
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Yukio Nagase
幸雄 永瀬
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized photosensitive material writing device of a reduced cost with can be operated at a high speed with high definition, and simultaneously, can efficiently use light emitted from a light emitting element. SOLUTION: This exposure device comprises, on a substrate 1, the array of light emitting elements, each of which is composed of at least an anode layer 3, a cathode layer 6 and one or a plurality of organic compound layers 8 sandwiched between the layers 3 and 6. The array of the light emitting elements includes micro lenses 2 and translucent reflection layers 7 on the substrate 1. A micro light resonator structure is configured between the translucent reflection layer 7 and the cathode layer 6. The exposure device has a light emitting peak within the half width range of a sensitivity to a wavelength of a photosensitive body which is exposed to light by the exposure device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は複写機、プリンタ等
の電子写真装置に用いる露光装置及び画像形成装置、特
に光プリンタヘッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an image forming apparatus used for an electrophotographic apparatus such as a copying machine and a printer, and more particularly to an optical printer head.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、感光体上に潜像を書き込むた
めの露光方式としてレーザービーム方式、LEDアレイ
方式などが中心となっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a laser beam system, an LED array system, and the like have been mainly used as an exposure system for writing a latent image on a photosensitive member.

【0003】しかしながら、レーザービーム方式の場
合、ポリゴンミラーやレンズ等の光学部品が必要となり
装置の小型化が難しく、また超高速化も難しいという問
題がある。
[0003] However, in the case of the laser beam system, optical components such as a polygon mirror and a lens are required, so that it is difficult to reduce the size of the apparatus, and it is difficult to increase the speed.

【0004】また、LEDアレイ方式の場合は、基板が
高価であり、一枚の基板でアレイをつくれないため、切
り出したチップを並べる必要がある。そのときにチップ
間の段差、間隔が問題となる。
[0004] In the case of the LED array system, since the substrate is expensive and an array cannot be formed with one substrate, it is necessary to arrange the cut chips. At that time, steps and intervals between chips become problems.

【0005】また、感光体上に結像するためにロッドレ
ンズアレイが必要であるが、拡散光をロッドレンズアレ
イで結像しようとした場合、ロッドレンズアレイの光入
射効率が低く、発光素子の発光した光を効率よく利用す
ることができない。従って、感光体上で必要な光量を得
るためには、発光素子を必要以上に発光させなくてはな
らなかった。
Further, a rod lens array is required to form an image on a photoreceptor. However, when an attempt is made to form an image of diffused light by a rod lens array, the light incidence efficiency of the rod lens array is low, and The emitted light cannot be used efficiently. Therefore, in order to obtain a required amount of light on the photoreceptor, the light emitting element must emit more light than necessary.

【0006】更に、通常の有機発光素子の発光波長は半
値幅が100nm程度と広いため、感光体の感度ピーク
と合わない光量成分もあり効率的ではなかった。
Further, since the emission wavelength of a normal organic light emitting device has a wide half-value width of about 100 nm, there is a light amount component which does not match the sensitivity peak of the photoreceptor, which is not efficient.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決し、高速、小型、低コスト、高精細であると
同時に発光素子の発光した光量を効率よく利用可能な露
光装置及び画像形成装置、特に光プリンタヘッドを提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides an exposure apparatus and an image processing apparatus which is high-speed, small-sized, low-cost, and high-definition, and which can efficiently use the amount of light emitted from a light-emitting element. It is an object to provide a forming apparatus, in particular, an optical printer head.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、基
板上に、少なくとも陽極層及び陰極層と、これらの間に
挟持された一層または複数層の有機化合物層より構成さ
れる発光素子アレイを有する露光装置であって、該発光
素子アレイが、基板にマイクロレンズを有しており、更
に半透明反射層を有して該半透明反射層と陰極層間で微
小光共振器構造を形成しており、かつ、該露光装置によ
り露光される感光体の波長に対する感度の半値幅域内に
発光ピークを有することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an exposure apparatus comprising a light emitting element array comprising at least an anode layer and a cathode layer, and one or more organic compound layers sandwiched therebetween. An exposure apparatus comprising: the light-emitting element array has a microlens on a substrate, further has a translucent reflective layer, forming a micro-optical resonator structure between the translucent reflective layer and the cathode layer And a light emission peak within a half width range of sensitivity to the wavelength of the photoreceptor exposed by the exposure apparatus.

【0009】更に、本発明の画像形成装置は、上記露光
装置と、該露光装置により露光される感光体とを少なく
とも有することを特徴とする。
Further, an image forming apparatus according to the present invention is characterized by having at least the above-mentioned exposure device and a photoreceptor exposed by the exposure device.

【0010】このような構成をとることにより、高速、
小型、低コスト、高精細であると同時に発光した光を効
率よく利用できる露光装置、具体的には光プリンタヘッ
ド等を提供することが可能である。
By adopting such a configuration, high speed,
It is possible to provide an exposure apparatus, specifically, an optical printer head, which is small, low-cost, high-definition, and can efficiently use emitted light.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳細
に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の露光装置である発光素子ア
レイの一例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a light emitting element array which is an exposure apparatus of the present invention.

【0013】図1において、1は基板、2はマイクロレ
ンズ、3は透明電極である陽極層、6は陰極層、7は半
透明反射層、8は正孔輸送層4及び電子輸送層5より構
成される有機化合物層であり、陽極層3と陰極層6間に
電圧を印加することにより、陽極層3と陰極層6が交差
している部分(発光部)から発光が得られ、陽極層3又
は陰極層6の電極幅を変更することで、任意の大きさの
発光部を得ることが可能である。
In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is a microlens, 3 is an anode layer as a transparent electrode, 6 is a cathode layer, 7 is a translucent reflection layer, 8 is a hole transport layer 4 and an electron transport layer 5. An organic compound layer that is formed. By applying a voltage between the anode layer 3 and the cathode layer 6, light emission is obtained from a portion (light emitting portion) where the anode layer 3 and the cathode layer 6 intersect. By changing the electrode width of the cathode layer 3 or the cathode layer 6, it is possible to obtain a light emitting portion of an arbitrary size.

【0014】本発明において、基板1はマイクロレンズ
2を有する。図1に示すように、マイクロレンズ2は、
発光部と1対1対応に形成されている。
In the present invention, the substrate 1 has a micro lens 2. As shown in FIG. 1, the microlens 2
It is formed in one-to-one correspondence with the light emitting unit.

【0015】この際、発光した光を効率よく利用するた
めには、マイクロレンズ2の開口部面積が発光部の面積
よりも大きい方が好ましい。また、光量を効率的に得る
ためには、マイクロレンズ2の焦点距離が、発光部とそ
の発光部に対応するマイクロレンズ2間の距離よりも短
い方が好ましい。
At this time, in order to use the emitted light efficiently, it is preferable that the opening area of the microlens 2 is larger than the area of the light emitting section. In order to efficiently obtain the amount of light, it is preferable that the focal length of the microlens 2 be shorter than the distance between the light emitting unit and the microlens 2 corresponding to the light emitting unit.

【0016】マイクロレンズ2は図1に示すものに限定
されるものではなく、発光部からの発光を集光できるも
のであればよい。具体的には、図1においては、マイク
ロレンズ2が、発光部に対して凸レンズ形状を有するマ
イクロレンズであるが、凹レンズ形状を有するマイクロ
レンズとしてもよい。また、図1においては、マイクロ
レンズ2が、基板1の有機化合物層8が形成される側と
同一側の面に形成されているが、マイクロレンズ2を、
基板1の有機化合物層8が形成される側と反対側の面に
形成してもよい。
The microlens 2 is not limited to the one shown in FIG. 1, but may be any as long as it can collect light emitted from the light emitting section. Specifically, in FIG. 1, the microlens 2 is a microlens having a convex lens shape with respect to the light emitting portion, but may be a microlens having a concave lens shape. Further, in FIG. 1, the microlens 2 is formed on the same side of the substrate 1 as the side on which the organic compound layer 8 is formed.
It may be formed on the surface of the substrate 1 opposite to the side on which the organic compound layer 8 is formed.

【0017】また、発光素子アレイは、半透明反射層7
と陰極層6間で微小光共振器構造を形成している。この
ため、光の拡散が抑えられ、露光スポットの広がりを少
なくすることが可能となる。また、発光波長の半値幅を
狭くすると同時にピーク波長の出力を強めることができ
るので、発光光量を効率よく利用することが可能とな
る。
The light emitting element array includes a translucent reflective layer 7.
And the cathode layer 6 to form a minute optical resonator structure. For this reason, the diffusion of light is suppressed, and the spread of the exposure spot can be reduced. Further, since the output at the peak wavelength can be enhanced at the same time as the half width of the emission wavelength is reduced, the amount of emitted light can be used efficiently.

【0018】更に、発光素子アレイは、露光される感光
体の波長に対する感度の半値幅域内に発光ピークを有す
る。このため、良好な画像を得られ、駆動電圧を低くす
ることができ、素子寿命を長くできる。
Further, the light emitting element array has a light emission peak within a half width range of sensitivity to the wavelength of the photosensitive body to be exposed. Therefore, a good image can be obtained, the driving voltage can be reduced, and the life of the element can be prolonged.

【0019】基板1としては、発光素子、マイクロレン
ズを表面に構成できるものであればよく、例えばソーダ
ライムガラス等のガラス、樹脂フィルム等の透明絶縁性
基板を用いるのが好ましい。
As the substrate 1, any material can be used as long as a light emitting element and a microlens can be formed on the surface thereof. For example, it is preferable to use a transparent insulating substrate such as glass such as soda lime glass or a resin film.

【0020】半透明反射層7としては、特定の波長の反
射透過率を高くまたは低くすることができる構成であれ
ば特に限定されず、例えば、材質、厚み等により屈折率
が異なる複数の層を積層したものが好ましい。半透明反
射層7を形成する材料としては、例えば、SiO2、T
iO2等が挙げられる。
The translucent reflection layer 7 is not particularly limited as long as it can increase or decrease the reflection transmittance at a specific wavelength. For example, a plurality of layers having different refractive indices depending on the material, thickness and the like are used. Laminated ones are preferred. As a material for forming the translucent reflection layer 7, for example, SiO 2 , T
iO 2 and the like.

【0021】陽極層3の材料としては仕事関数が大きな
ものが望ましく、例えばITO、酸化錫、金、白金、パ
ラジウム、セレン、イリジウム、ヨウ化銅などを用いる
ことができる。一方、陰極層6の材料としては仕事関数
が小さなものが望ましく、例えばMg/Ag、Mg、A
l、Li、Inあるいはこれらの合金等を用いることが
できる。
As a material of the anode layer 3, a material having a large work function is desirable. For example, ITO, tin oxide, gold, platinum, palladium, selenium, iridium, copper iodide and the like can be used. On the other hand, it is desirable that the material of the cathode layer 6 has a small work function, for example, Mg / Ag, Mg, A
l, Li, In, or an alloy thereof can be used.

【0022】有機化合物層8は、一層構成であっても良
いし、複数層構成であっても良く、例えば図1に示すよ
うに、陽極層3から正孔が注入される正孔輸送層4、及
び陰極層6から電子が注入される電子輸送層5からな
り、正孔輸送層4と電子輸送層5のいずれかが発光層と
なる。また、蛍光材料を含有する発光層を正孔輸送層4
と電子輸送層5との間に設けても良い。また、混合一層
構成で正孔輸送層4,電子輸送層5,発光層を兼ねた構
成も可能である。
The organic compound layer 8 may have a single layer structure or a multilayer structure. For example, as shown in FIG. 1, the hole transport layer 4 into which holes are injected from the anode layer 3. And an electron transporting layer 5 into which electrons are injected from the cathode layer 6, and either the hole transporting layer 4 or the electron transporting layer 5 becomes a light emitting layer. In addition, the light emitting layer containing the fluorescent material is
And the electron transport layer 5. In addition, a configuration in which the hole transport layer 4, the electron transport layer 5, and the light emitting layer also serve as a mixed single layer configuration is possible.

【0023】有機化合物層8の材料は、使用する感光ド
ラム等の感光材料と感度のあったスペクトル発光をする
ものを選択することが望ましい。
The material of the organic compound layer 8 is desirably selected to emit light having a spectrum that is sensitive to the photosensitive material such as the photosensitive drum to be used.

【0024】正孔輸送層4としては、例えば、N,N’
−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル
−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(以
下TPD)を用いることができ、その他にも下記の有機
材料を用いることができる。
As the hole transport layer 4, for example, N, N '
-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (TPD) can be used, and the following organic materials are also used. be able to.

【0025】[0025]

【化1】 Embedded image

【0026】[0026]

【化2】 Embedded image

【0027】[0027]

【化3】 Embedded image

【0028】[0028]

【化4】 Embedded image

【0029】[0029]

【化5】 Embedded image

【0030】また、例えばa−Si、a−SiCなどの
無機材料を用いてもよい。
Further, inorganic materials such as a-Si and a-SiC may be used.

【0031】電子輸送層5としては、例えば、トリス
(8−キノリノール)アルミニウム(以下Alq3)を
用いることができ、その他にも下記の材料を用いること
ができる。
As the electron transporting layer 5, for example, tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter, Alq 3 ) can be used. In addition, the following materials can be used.

【0032】[0032]

【化6】 Embedded image

【0033】[0033]

【化7】 Embedded image

【0034】[0034]

【化8】 Embedded image

【0035】[0035]

【化9】 Embedded image

【0036】また、以下に示されているようなドーパン
ド色素を電子輸送層5、あるいは正孔輸送層4にドーピ
ングすることもできる。
Further, the electron transport layer 5 or the hole transport layer 4 can be doped with a dopant as described below.

【0037】[0037]

【化10】 Embedded image

【0038】各層の膜厚等は、特に限定されないが、感
光体と感度の合ったスペクトルを取り出せるように最適
化することが望ましい。
The thickness of each layer and the like are not particularly limited, but it is desirable to optimize the layer so that a spectrum matching the sensitivity of the photosensitive member can be obtained.

【0039】尚、逆の積層順、即ち基板上に陰極層、有
機化合物層、陽極層、半透明反射層を順次積層し、最後
にマイクロレンズを形成して発光素子アレイを構成して
もよい。
The light-emitting element array may be formed by stacking the cathode layer, the organic compound layer, the anode layer, and the translucent reflective layer on the substrate in the reverse order, and finally forming the microlenses. .

【0040】以下、本発明の発光素子アレイの作製工程
の一例を図2に沿って説明する。
Hereinafter, an example of a manufacturing process of the light emitting element array of the present invention will be described with reference to FIG.

【0041】a)マイクロレンズ2の作製(図2
(a)) マイクロレンズ2は、発光部に対応する部分の基板1を
イオン交換することにより形成することができる。
A) Production of micro lens 2 (FIG. 2)
(A) The microlens 2 can be formed by ion-exchanging the portion of the substrate 1 corresponding to the light emitting section.

【0042】まず、基板1の両面を十分に洗浄する。次
に、基板1全体をTiなどのイオン非透過性の膜によっ
てマスクする。イオン拡散面のTiにフォトリソエッチ
ング法により所望の直径、中心間隔で開口部列を形成す
る。この基板をイオン交換処理を行うため、例えばTl
NO3とKNO3の混合溶融塩、Ag+、Tl+などの硝酸
塩、硫酸塩などの溶融塩に浸し、半球状のマイクロレン
ズ2を形成する。
First, both surfaces of the substrate 1 are sufficiently washed. Next, the entire substrate 1 is masked with an ion-impermeable film such as Ti. A row of openings is formed on Ti on the ion diffusion surface by photolithographic etching at a desired diameter and center interval. In order to perform an ion exchange treatment on this substrate, for example, Tl
A hemispherical microlens 2 is formed by immersing in a mixed molten salt of NO 3 and KNO 3, a molten salt such as nitrate such as Ag + and Tl +, and a sulfate.

【0043】この際、マイクロレンズ2の屈折率分布を
何段階かに分けて形成しても良い。
At this time, the refractive index distribution of the microlens 2 may be formed in several stages.

【0044】また、マイクロレンズ2の形成方法は特に
限定されず、後述する実施例に示すように、フォトレジ
ストを用いる方法、レプリカ法等により形成してもよ
い。
The method of forming the microlenses 2 is not particularly limited, and the microlenses 2 may be formed by a method using a photoresist, a replica method, or the like, as shown in Examples described later.

【0045】b)図2(b)に示すように、マイクロレ
ンズ2の形成された面上にスパッタ法により、複数層よ
りなる半透明反射層7を形成する。
B) As shown in FIG. 2B, a translucent reflective layer 7 composed of a plurality of layers is formed on the surface on which the microlenses 2 are formed by a sputtering method.

【0046】c)図2(b)に示すように、マイクロレ
ンズ2に対応する部分に陽極層3がのるように、ライン
幅、ピッチを調整して金属マスクを被せて、スパッタ法
により所定の厚さに陽極層3を形成する。
C) As shown in FIG. 2B, the line width and pitch are adjusted so that the anode layer 3 is placed on the portion corresponding to the microlens 2, and a metal mask is placed thereon. The anode layer 3 is formed to a thickness of 3 mm.

【0047】d)図2(d)に示すように、正孔輸送層
4、電子輸送層5を順次真空蒸着法により蒸着する。
D) As shown in FIG. 2D, the hole transport layer 4 and the electron transport layer 5 are sequentially deposited by a vacuum deposition method.

【0048】e)図2(e)に示すように、所望のライ
ン幅の金属マスクをマイクロレンズ2の列に重なるよう
にして被せ、陰極層6を形成する。
E) As shown in FIG. 2E, a metal mask having a desired line width is covered so as to overlap the rows of the microlenses 2, and the cathode layer 6 is formed.

【0049】本発明の画像形成装置の一例として、電子
写真方式を用いた画像形成装置の概略構成図を図3に示
す。
FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of an image forming apparatus using an electrophotographic system as an example of the image forming apparatus of the present invention.

【0050】211は像担持体としての回転ドラム型の
電子写真感光体、212は帯電手段、213は現像手
段、214は転写手段、215は定着手段、216はク
リーニング手段である。
Reference numeral 211 denotes a rotating drum type electrophotographic photosensitive member as an image carrier, 212 denotes a charging unit, 213 denotes a developing unit, 214 denotes a transfer unit, 215 denotes a fixing unit, and 216 denotes a cleaning unit.

【0051】露光Lとしては、本発明の露光装置(不図
示)を用いる。露光装置には駆動用ドライバが接続さ
れ、陽極層をプラス、陰極層をマイナスにして直流電圧
を印加すると、発光部から緑色の発光が得られ、感光体
211上に結像させることができ、良好な画像を得るこ
とができる。
As the exposure L, the exposure apparatus (not shown) of the present invention is used. A driving driver is connected to the exposure apparatus, and when a positive voltage is applied to the anode layer and a negative voltage is applied to the cathode layer to apply a DC voltage, green light is emitted from the light emitting unit, and an image can be formed on the photoconductor 211. Good images can be obtained.

【0052】感光体211上を帯電手段212により一
様に帯電する。この感光体211の帯電面に対して出力
される目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に
対応して露光装置による露光Lがなされ、感光体211
の周面に対して目的の画像情報に対応した静電潜像が形
成される。その静電潜像は絶縁トナーを用いた現像手段
213によりトナー像として現像される。一方、給紙部
(不図示)から記録材としての転写材pが供給されて、
感光体211と、これに所定の押圧力で当接させた接触
転写手段との圧接ニップ部(転写部)Tに所定のタイミ
ングにて導入され、所定の転写バイアス電圧を印加して
転写を行う。
The photosensitive member 211 is uniformly charged by the charging means 212. Exposure L is performed by an exposure device in accordance with a time-series electric digital pixel signal of target image information output to the charged surface of the photoconductor 211,
An electrostatic latent image corresponding to the target image information is formed on the peripheral surface of. The electrostatic latent image is developed as a toner image by developing means 213 using insulating toner. On the other hand, a transfer material p as a recording material is supplied from a paper feeding unit (not shown),
The photosensitive member 211 is introduced at a predetermined timing into a press-contact nip (transfer portion) T between the photosensitive transfer member 211 and the contact transfer unit contacted with a predetermined pressing force, and performs transfer by applying a predetermined transfer bias voltage. .

【0053】トナー画像の転写をうけた転写材Pは感光
体211の面から分離されて熱定着方式等の定着手段2
15へ導入されてトナー画像の定着をうけ、画像形成物
(プリント)として装置外へ排出される。また転写材P
に対するトナー画像転写後の感光体面はクリーニング手
段216により残留トナー等の付着汚染物の除去をうけ
て清掃され繰り返して作像に供される。
The transfer material P having received the transfer of the toner image is separated from the surface of the photosensitive member 211 and is fixed by a fixing means 2 such as a heat fixing method.
15, the toner image is fixed, and is discharged out of the apparatus as an image-formed product (print). Transfer material P
After the transfer of the toner image to the photosensitive member surface, the cleaning means 216 removes adhered contaminants such as residual toner and the like, and is cleaned and repeatedly used for image formation.

【0054】本発明の画像形成装置の他の例として、電
子写真方式を用いた多色画像形成装置の概略構成図を図
4に示す。
As another example of the image forming apparatus of the present invention, a schematic configuration diagram of a multicolor image forming apparatus using an electrophotographic system is shown in FIG.

【0055】C1〜C4は帯電手段、D1〜D4は現像
手段、E1〜E4は本発明の露光手段、S1〜S4は現
像スリーブ、T1〜T4は転写ブレード、TR1〜TR
2はローラ、TF1は転写ベルト、Pは転写紙、F1は
定着器、301〜304は回転ドラム型の電子写真感光
体である。
C1 to C4 are charging means, D1 to D4 are developing means, E1 to E4 are exposure means of the present invention, S1 to S4 are developing sleeves, T1 to T4 are transfer blades, TR1 to TR4
2 is a roller, TF1 is a transfer belt, P is transfer paper, F1 is a fixing device, and 301 to 304 are rotary drum type electrophotographic photosensitive members.

【0056】転写紙Pは矢印方向に搬送され、ローラT
R1、TR2に懸架された転写ベルトTF1上に導か
れ、転写ベルトTF1により感光体301と転写ブレー
ドT1に挟持されるように設定されたブラック転写位置
へと移動する。この時、感光体301はドラム周上に配
置された、帯電手段C1、露光手段E1、現像手段D1
の現像スリーブS1により電子写真プロセスにより所望
のブラックのトナー画像を有していて、転写紙Pにブラ
ックトナー画像の転写が行われる。
The transfer paper P is transported in the direction of the arrow,
The transfer belt TF1 is guided over the transfer belt TF1 suspended by R1 and TR2, and moves to a black transfer position set so as to be sandwiched between the photosensitive member 301 and the transfer blade T1 by the transfer belt TF1. At this time, the photosensitive member 301 is arranged around the drum, and includes a charging unit C1, an exposure unit E1, and a developing unit D1.
Has a desired black toner image by the electrophotographic process by the developing sleeve S1, and the black toner image is transferred onto the transfer paper P.

【0057】転写紙Pは転写ベルトTF1により、感光
体302と転写ブレードT2に挟持されるように設定さ
れたシアン転写位置、感光体303と転写ブレードT3
に挟持されるように設定されたマゼンタ転写位置、感光
体304と転写ブレードT4に挟持されるように設定さ
れたイエロー転写位置へと移動し、それそれの転写位置
で、ブラック転写位置と同様の手段により、シアントナ
ー画像、マゼンタトナー画像、イエロートナー画像の転
写が行われる。
The transfer paper P is transferred by the transfer belt TF1 to a cyan transfer position set between the photosensitive member 302 and the transfer blade T2, the photosensitive member 303 and the transfer blade T3.
Move to a magenta transfer position set so as to be sandwiched by the photosensitive member 304 and a yellow transfer position set so as to be sandwiched between the photosensitive member 304 and the transfer blade T4. The transfer of the cyan toner image, the magenta toner image, and the yellow toner image is performed by the means.

【0058】この時、各感光体301〜304が良好な
回転を行っているので、各記録間では、画像のレジスト
レーションが良好に行える。以上のプロセスにより多色
記録を行った転写紙Pは定着器F1に供給され定着を行
い所望の多色画像を得ることができる。
At this time, since each of the photoconductors 301 to 304 is rotating favorably, image registration can be performed well between recordings. The transfer paper P on which the multicolor recording has been performed by the above process is supplied to the fixing device F1 and fixed to obtain a desired multicolor image.

【0059】[0059]

【実施例】(実施例1)図2に示す手順で図1に示す発
光素子アレイを作製した。
EXAMPLES (Example 1) The light emitting element array shown in FIG. 1 was manufactured by the procedure shown in FIG.

【0060】透明絶縁性の基板1は各発光部に対応した
部分にイオン交換法によりマイクロレンズ2が形成され
ており、その上には誘電層7、陽極層3、正孔輸送層
4、発光層を兼ねた電子輸送層5、そして陰極層6が積
層されている。
The transparent insulating substrate 1 has microlenses 2 formed at portions corresponding to respective light emitting portions by an ion exchange method, and a dielectric layer 7, an anode layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting An electron transport layer 5 also serving as a layer and a cathode layer 6 are laminated.

【0061】まず、基板1のマイクロレンズ2の作成方
法について説明する。
First, a method for forming the microlenses 2 on the substrate 1 will be described.

【0062】本実施例では、透明絶縁性の基板1として
ソーダライムガラス基板を用いた。このガラス基板の両
面を十分に洗浄する。
In this embodiment, a soda-lime glass substrate was used as the transparent insulating substrate 1. Both surfaces of the glass substrate are sufficiently washed.

【0063】次に、ガラス基板全体をTi膜によってマ
スクする。イオン拡散面のTiにフォトリソエッチング
法により直径30μmで中心間隔が80μmの開口部列
を形成する。
Next, the entire glass substrate is masked with a Ti film. An opening row having a diameter of 30 μm and a center interval of 80 μm is formed in Ti on the ion diffusion surface by photolithographic etching.

【0064】この基板をイオン交換を行うためTlNO
3とKNO3の混合溶融塩に浸し、直径がほぼ70μmの
半球状の屈折率領域(マイクロレンズ)2を形成する。
This substrate is subjected to TlNO for ion exchange.
3 and KNO 3 to form a hemispherical refractive index region (microlens) 2 having a diameter of about 70 μm.

【0065】次に、発光素子アレイの作成方法について
説明する。
Next, a method for forming a light emitting element array will be described.

【0066】マイクロレンズ2の形成された面上にスパ
ッタ法により、層厚93nmのSiO2層21及び層厚
59nmのTiO2層22を交互に積層し、半透明反射
層2を形成する。
On the surface on which the microlenses 2 are formed, a SiO 2 layer 21 having a thickness of 93 nm and a TiO 2 layer 22 having a thickness of 59 nm are alternately laminated by sputtering to form the translucent reflective layer 2.

【0067】次に陽極層3としてITOを形成する。マ
イクロレンズ2に対応する部分にITOがのるように、
ライン幅50μm、ピッチ80μmの金属マスクを被せ
てITOをスパッタ法により60nm形成する。
Next, ITO is formed as the anode layer 3. As ITO is placed on the part corresponding to the micro lens 2,
ITO is formed to a thickness of 60 nm by a sputtering method while covering a metal mask having a line width of 50 μm and a pitch of 80 μm.

【0068】次に、正孔輸送層4としてTPDを、電子
輸送層5としてAlq3を順次真空蒸着法によりそれぞ
れ40nm、50nm蒸着する。なお、蒸着時の真空度
は2〜3×10-6Torrであり、成膜速度は0.2〜
0.3nm/sとした。
Next, TPD as the hole transport layer 4 and Alq 3 as the electron transport layer 5 are sequentially deposited by vacuum evaporation at 40 nm and 50 nm, respectively. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2-3 × 10 −6 Torr, and the film formation rate was 0.2
0.3 nm / s.

【0069】最後に、ライン幅40μmの金属マスクを
陽極層2と直交し、マイクロレンズ2の列に重なるよう
にして被せ、陰極層6としてMgとAgと10:1の蒸
着速度比で共蒸着し、Mg/Agが10/1の合金を2
00nm形成する。このとき、成膜速度は1nm/sと
した。
Finally, a metal mask having a line width of 40 μm is placed so as to be orthogonal to the anode layer 2 so as to overlap the rows of the microlenses 2, and co-deposited as the cathode layer 6 with Mg and Ag at a deposition rate ratio of 10: 1. And an alloy having a Mg / Ag ratio of 10/1 to 2
It is formed to a thickness of 00 nm. At this time, the deposition rate was 1 nm / s.

【0070】マイクロレンズ2の開口面積は発光部の面
積よりも大きくし、発光した光を効率よく得るようにし
ている。
The opening area of the microlens 2 is made larger than the area of the light emitting portion so that emitted light can be obtained efficiently.

【0071】このようにして得られた発光素子アレイ
に、陽極層であるITO電極をプラス、陰極層であるM
g/Ag電極をマイナスにして直流電圧を印加すると、
ITO電極とMg/Ag電極が交差している部分から緑
色の発光が得られた。
To the light emitting element array obtained in this manner, an ITO electrode serving as an anode layer was added, and an M electrode serving as a cathode layer was added.
When a DC voltage is applied with the g / Ag electrode being negative,
Green light emission was obtained from the intersection of the ITO electrode and the Mg / Ag electrode.

【0072】この発光素子アレイ、及び半透明反射層・
有機化合物層等の厚みをかえた発光素子アレイ(比較
例)に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源とし
て感光体に書込みを行い、実際に画像を出力した。図5
に、感光体の感度特性と発光素子アレイの発光スペクト
ルを示す。
The light emitting element array and the translucent reflection layer
A driving driver was connected to a light emitting element array (comparative example) having a different thickness of an organic compound layer or the like, and writing was performed on a photoconductor as a light source for electrophotography, and an image was actually output. FIG.
2 shows the sensitivity characteristics of the photoconductor and the emission spectrum of the light emitting element array.

【0073】図5に示すように、実施例1の発光素子ア
レイは、感光体の感度の半値幅域内に発光ピーク波長を
有し、良好な画像を得ることができた。一方、比較例の
発光素子アレイは、発光ピークが感光体の感度の半値幅
域内にはないため、感光体の電位を所望の電位まで下げ
ることができず、画像がぼけてしまい良好な画像を得る
ことができなかった。
As shown in FIG. 5, the light emitting element array of Example 1 had a light emission peak wavelength within the half width range of the sensitivity of the photoreceptor, and a good image could be obtained. On the other hand, in the light emitting element array of the comparative example, since the emission peak is not within the half width range of the sensitivity of the photoconductor, the potential of the photoconductor cannot be reduced to a desired potential, and the image is blurred and a good image is obtained. I couldn't get it.

【0074】更に、発光ピーク波長の異なる数種類の発
光素子アレイを作製し、画像出力を行ったところ、良好
な画像を得るためには、少なくとも感光体の感度の半値
幅域内に発光ピーク波長を有することが必要であった。
感光体の感度の半値幅域内に発光ピーク波長を有さなく
ても駆動電圧を高くすることで良好な画像を得られるよ
うになるが、この場合には素子寿命が短くなるという問
題が生じて好ましくない。
Further, several kinds of light emitting element arrays having different light emission peak wavelengths were produced, and an image was output. In order to obtain a good image, the light emission peak wavelength was at least within the half width range of the sensitivity of the photosensitive member. It was necessary.
A good image can be obtained by increasing the drive voltage without having a light emission peak wavelength within the half width range of the sensitivity of the photoreceptor, but in this case, there is a problem that the element life is shortened. Not preferred.

【0075】この様にマイクロレンズ及び光共振器構造
を有する発光素子アレイを用いることで、光の拡散が抑
えられ、露光スポットの広がりを少なくすると同時にマ
イクロレンズにより感光体上に結像することが可能とな
った。また、発光波長の半値幅を狭くすると同時にピー
ク波長の出力を強めることができるので、発光光量を効
率よく利用することが可能となった。
By using the light emitting element array having the microlens and the optical resonator structure as described above, the diffusion of light can be suppressed, the spread of the exposure spot can be reduced, and the microlens can form an image on the photosensitive member. It has become possible. In addition, since the output at the peak wavelength can be enhanced at the same time as the half width of the emission wavelength is reduced, the amount of emitted light can be used efficiently.

【0076】本実施例においては、300dpiの発光
素子アレイを作成したが、電極幅を変更することで、任
意の大きさの発光点を得ることが可能である。
In this embodiment, a light emitting element array of 300 dpi was prepared, but a light emitting point of an arbitrary size can be obtained by changing the electrode width.

【0077】(実施例2)図6は本実施例の発光素子ア
レイの断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 6 is a sectional view of a light emitting element array of this embodiment.

【0078】基板1してのガラス基板には各発光部に対
応した部分に凸レンズ形状を有するマイクロレンズ24
が形成されており、その上には半透明反射層7、陽極層
3、正孔輸送層4、発光層を兼ねた電子輸送層5、そし
て陰極層6が積層されている。
The glass substrate serving as the substrate 1 has a micro lens 24 having a convex lens shape at a portion corresponding to each light emitting portion.
Is formed thereon, and a translucent reflective layer 7, an anode layer 3, a hole transport layer 4, an electron transport layer 5 also serving as a light emitting layer, and a cathode layer 6 are laminated thereon.

【0079】まず、ガラス基板上のマイクロレンズ24
の作成方法について説明する。
First, the micro lens 24 on the glass substrate
A method for creating a file will be described.

【0080】レンズを形成するための材料としては、通
常の紫外、遠紫外用フォトレジストがあり、特にポリメ
チルメタクリレート系、PMIPK系、ポリグリシルメ
チルアクリレート系、フェノールノボラック系等のポジ
型遠紫外用フォトレジストが、比較的低温で軟化して、
集光レンズ形状を形成し易いので望ましい。
As the material for forming the lens, there are ordinary ultraviolet and far ultraviolet photoresists, and particularly, positive type deep ultraviolet such as polymethyl methacrylate, PMIPK, polyglycylmethyl acrylate and phenol novolak. Photoresist softens at a relatively low temperature,
It is desirable because the shape of the condenser lens can be easily formed.

【0081】ガラス基板上に上記したようなフォトレジ
ストを塗布等の方法により積層し、フォトリソ法により
直径70μmで中心間隔が80μmになるように、フォ
トレジスト層をリフトオフ法やドライエッチング法等の
パターン形成法を用いてパターニングする。このパター
ニングされたフォトレジストをアニーリングによって、
軟化、流動化させ、円弧状のマイクロレンズ24を形成
する。
The above-mentioned photoresist is laminated on a glass substrate by a method such as coating or the like, and the photoresist layer is patterned by a lift-off method or a dry etching method by a photolithography method so as to have a diameter of 70 μm and a center interval of 80 μm. Patterning is performed using a forming method. By annealing this patterned photoresist,
By softening and fluidizing, an arc-shaped micro lens 24 is formed.

【0082】次に、実施例1と同様にして半透明反射層
7を形成した後、マイクロレンズ24に対応するよう
に、ライン幅50μm、ピッチ80μmの金属マスクを
被せて陽極層3としてITOをスパッタ法により60n
m形成する。
Next, after forming the translucent reflective layer 7 in the same manner as in the first embodiment, a metal mask having a line width of 50 μm and a pitch of 80 μm is covered so as to correspond to the microlens 24, and ITO is used as the anode layer 3. 60n by sputtering
m.

【0083】次に、実施例1と同様に正孔輸送層4とし
てTPDを、電子輸送層5としてAlq3を順次真空蒸
着法により蒸着する。なお、蒸着時の真空度は2〜3×
10-6であり、成膜速度は0.2〜0.3nm/sとし
た。
Next, in the same manner as in Example 1, TPD is deposited as the hole transport layer 4 and Alq 3 is deposited as the electron transport layer 5 by a vacuum deposition method. In addition, the degree of vacuum at the time of vapor deposition is 2-3 ×
10 −6 , and the film formation rate was 0.2 to 0.3 nm / s.

【0084】最後に、ライン幅40μmの金属マスクを
マイクロレンズ24の列に重なるようにして被せ、陰極
層6としてMgとAgを10:1の蒸着速度比で共蒸着
し、Mg/Agが10/1の合金を200nm形成す
る。このとき、成膜速度は1nm/sとした。
Lastly, a metal mask having a line width of 40 μm is placed so as to overlap the rows of the microlenses 24, and Mg and Ag are co-deposited as the cathode layer 6 at a deposition rate ratio of 10: 1. / 1 alloy is formed to a thickness of 200 nm. At this time, the deposition rate was 1 nm / s.

【0085】このようにして得られた発光素子アレイに
駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用い
た。実施例1と同様にITO電極とMg/Ag電極を交
差している部分から緑色の発光が得られ、半透明反射層
7、マイクロレンズ24を通して感光ドラム面上に結像
させることができ、良好な画像を得ることができた。
A driving driver was connected to the light emitting element array thus obtained, and the light emitting element array was used as a light source for electrophotography. Green light emission is obtained from the intersection of the ITO electrode and the Mg / Ag electrode as in Example 1, and an image can be formed on the surface of the photosensitive drum through the translucent reflective layer 7 and the microlens 24. Images were obtained.

【0086】この様に、発光素子アレイに光共振器構造
を持たせることにより、低電力で高精細な画像が得られ
る光プリンタヘッドの実現が可能となった。
As described above, by providing the light emitting element array with the optical resonator structure, an optical printer head capable of obtaining a high-definition image with low power can be realized.

【0087】(実施例3)図8に示す手順で図7に示す
有機LEDアレイを作製した。
(Example 3) The organic LED array shown in FIG. 7 was manufactured according to the procedure shown in FIG.

【0088】基板1としてのガラス基板上には各発光部
に対応した部分に凸レンズ形状を有するマイクロレンズ
25が形成されており、基板1に対しマイクロレンズ2
5と反対側の面に半透明反射層7、陽極層3、正孔輸送
層4、発光層を兼ねた電子輸送層5、そして陰極層6が
積層されている。
A microlens 25 having a convex lens shape is formed on a glass substrate as a substrate 1 at a portion corresponding to each light emitting portion.
On the surface opposite to 5, a translucent reflective layer 7, an anode layer 3, a hole transport layer 4, an electron transport layer 5 also serving as a light emitting layer, and a cathode layer 6 are laminated.

【0089】まず、ガラス基板上のマイクロレンズ25
の作成方法について説明する。図8(a)に示すよう
に、マイクロレンズ25はレプリカ法により開口部の直
径が75μm、中心間隔が80μmのアレイを形成す
る。そして、実施例1と同様にしてマイクロレンズ25
と反対側の面に半透明反射層7を形成する。
First, the micro lens 25 on the glass substrate
A method for creating a file will be described. As shown in FIG. 8A, the microlenses 25 form an array having openings of 75 μm and center intervals of 80 μm by the replica method. Then, similarly to the first embodiment, the micro lens 25
The semi-transparent reflective layer 7 is formed on the opposite side.

【0090】図8(b)に示す様に、マイクロレンズ2
5を形成した面と反対側の面に、マイクロレンズ25に
対応するように、ライン幅50μm、ピッチ80μmの
金属マスクを被せて陽極層3としてITOをスパッタ法
により60nm形成する。
As shown in FIG. 8B, the micro lens 2
A metal mask having a line width of 50 μm and a pitch of 80 μm is placed on the surface opposite to the surface on which 5 is formed so as to correspond to the microlenses 25, and ITO is formed to 60 nm as the anode layer 3 by sputtering.

【0091】次に、図8(c)に示すように、実施例1
と同様に正孔輸送層4としてTPDを、電子輸送層5と
してAlq3を順次真空蒸着法により蒸着する。
Next, as shown in FIG.
Similarly to the above, TPD is deposited as the hole transport layer 4 and Alq 3 is deposited as the electron transport layer 5 sequentially by a vacuum deposition method.

【0092】最後に、図8(d)に示すように、ライン
幅40μmの金属マスクをマイクロレンズ25の列に重
なるようにして被せ、陰極層6としてMgとAgを1
0:1の蒸着速度比で共蒸着し、Mg/Agが10/1
の合金を200nm形成する。
Finally, as shown in FIG. 8D, a metal mask having a line width of 40 μm is placed so as to overlap the rows of the microlenses 25, and Mg and Ag are used as the cathode layer 6.
Co-deposition at a deposition rate ratio of 0: 1, and Mg / Ag is 10/1
Is formed to a thickness of 200 nm.

【0093】このようにして得られた有機LEDアレイ
に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用
いることで、良好な画像が得ることができた。
By connecting a driving driver to the thus obtained organic LED array and using it as a light source for electrophotography, a good image could be obtained.

【0094】[0094]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高速、小型、低コスト、高精細であると同時に発光素子
の発光した光量を効率よく利用可能な光プリンタヘッド
等の露光装置及び画像形成装置を提供することが可能と
なる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an exposure apparatus and an image forming apparatus, such as an optical printer head, which are high-speed, small-sized, low-cost, high-definition, and can efficiently use the amount of light emitted from the light-emitting element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の発光素子アレイの一例を示す斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a light emitting element array of the present invention.

【図2】本発明の発光素子アレイの作製工程の一例を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a light-emitting element array of the present invention.

【図3】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図
である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an example of an image forming apparatus of the present invention.

【図4】本発明の画像形成装置の他の例を示す概略構成
図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating another example of the image forming apparatus of the present invention.

【図5】実施例1の感光体の分光感度と発光素子アレイ
の発光波長の関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the spectral sensitivity of the photoconductor of Example 1 and the emission wavelength of the light-emitting element array.

【図6】実施例2における発光素子アレイを示す断面図
である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting element array according to a second embodiment.

【図7】実施例3における発光素子アレイを示す断面図
である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting element array according to a third embodiment.

【図8】実施例3における発光素子アレイの作製工程を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of a light-emitting element array in Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2、24,25 マイクロレンズ 3 陽極層 4 正孔輸送層 5 電子輸送層 6 陰極層 7 半透明反射層 8 有機化合物層 71 SiO2層 72 TiO21 substrate 2,24,25 microlens 3 anode layer 4 hole transport layer 5 electron-transporting layer 6 cathode layer 7 semitransparent reflective layer 8 organic compound layer 71 SiO 2 layer 72 TiO 2 layers

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 33/24 (72)発明者 妹尾 章弘 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 橋本 雄一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 永瀬 幸雄 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 幸村 昇 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05B 33/14 33/24 (72) Inventor Akihiro 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Yuichi Hashimoto 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Yukio Nagase 3-30-2, Shimomaruko 3-chome, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Invention Person Noboru Yukimura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層
と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化
合物層より構成される発光素子アレイを有する露光装置
であって、該発光素子アレイが、基板にマイクロレンズ
を有しており、更に半透明反射層を有して該半透明反射
層と陰極層間で微小光共振器構造を形成しており、か
つ、該露光装置により露光される感光体の波長に対する
感度の半値幅域内に発光ピークを有することを特徴とす
る露光装置。
1. An exposure apparatus having a light-emitting element array comprising at least an anode layer and a cathode layer and one or more organic compound layers sandwiched between them on a substrate, wherein the light-emitting element The array has a microlens on the substrate, further has a translucent reflective layer, forms a micro-optical resonator structure between the translucent reflective layer and the cathode layer, and is exposed by the exposure apparatus. An exposure apparatus having an emission peak within a half-value width range of sensitivity to a wavelength of the photosensitive member.
【請求項2】 マイクロレンズが、発光部と1対1対応
であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the micro lens has a one-to-one correspondence with the light emitting unit.
【請求項3】 マイクロレンズの開口部面積が、発光部
の面積より大きいことを特徴とする請求項1または2に
記載の露光装置。
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the opening area of the microlens is larger than the area of the light emitting section.
【請求項4】 マイクロレンズの焦点距離が、発光部と
その発光部に対応するマイクロレンズ間の距離よりも短
いことを特徴とする請求項1〜3に記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a focal length of the micro lens is shorter than a distance between the light emitting unit and the micro lens corresponding to the light emitting unit.
【請求項5】 マイクロレンズが、発光部に対応する部
分の基板をイオン交換することにより形成されることを
特徴とする請求項1〜4に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the microlens is formed by performing ion exchange on a portion of the substrate corresponding to the light emitting section.
【請求項6】 マイクロレンズが、発光部に対して凸レ
ンズ形状を有するマイクロレンズであることを特徴とす
る請求項1〜5に記載の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the microlens is a microlens having a convex lens shape with respect to the light emitting unit.
【請求項7】 マイクロレンズが、基板の有機化合物層
が形成される側と同一側の面に形成されていることを特
徴とする請求項1〜6に記載の露光装置。
7. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the microlenses are formed on the same side of the substrate as the side on which the organic compound layer is formed.
【請求項8】 マイクロレンズが、基板の有機化合物層
が形成される側と反対側の面に形成されていることを特
徴とする請求項1〜7に記載の露光装置。
8. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the microlens is formed on a surface of the substrate opposite to a surface on which the organic compound layer is formed.
【請求項9】 半透明反射層が陽極層と接していること
を特徴とする請求項1〜8に記載の露光装置。
9. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the translucent reflection layer is in contact with the anode layer.
【請求項10】 請求項1〜9に記載の露光装置と、該
露光装置により露光される感光体とを少なくとも有する
ことを特徴とする画像形成装置。
10. An image forming apparatus comprising at least the exposure apparatus according to claim 1 and a photoconductor exposed by the exposure apparatus.
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