KR100937867B1 - Organic light emitting display apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 취출율이 향상되고 효율이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 상면이 볼록한 요철 패턴으로 형성된 제1전극층; 상기 제1전극층 상에 형성되고 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 형성된 제2전극층;을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention relates to an organic light emitting display device having improved light extraction rate and improved efficiency, comprising: a substrate; A first electrode layer formed on the substrate in a convex-concave pattern having an upper surface; An intermediate layer formed on the first electrode layer and including an organic emission layer; And a second electrode layer formed on the intermediate layer.

Description

유기 발광 디스플레이 장치{Organic light emitting display apparatus}Organic light emitting display apparatus

본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 유기 발광층 하부에 요철 패턴의 전극을 형성함으로써 광 취출율이 향상되고 수명이 연장된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having an improved light extraction rate and an extended lifetime by forming an electrode having an uneven pattern under the organic light emitting layer.

유기 발광 디스플레이 장치는 화소 전극과 대향 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 갖는 디스플레이 장치이다. 유기 발광 디스플레이 장치는 이들 전극에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라, 화소 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 대향 전극으로부터 전자 주입층으로 주입되어 발광층으로 이동된다. 전자와 정공이 발광층에서 서로 결합하여 소멸하면서 여기자(exciton)을 형성하고, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 천이하면서 발광층의 형광성 분자에 에너지를 전달하고, 이것이 발광함으로써 화상이 형성된다. An organic light emitting display device is a display device having a light emitting layer made of an organic material between a pixel electrode and a counter electrode. In the organic light emitting diode display, as the anode and cathode voltages are respectively applied to these electrodes, holes injected from the pixel electrode are moved to the light emitting layer via the hole transport layer, and electrons are injected from the opposite electrode to the electron injection layer to emit the light emitting layer. Is moved to. Electrons and holes combine and disappear from each other in the light emitting layer to form excitons, which transfer energy from the excited state to the ground state and transfer energy to the fluorescent molecules of the light emitting layer, which emit light to form an image.

종래의 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 화소 전극을 이루는 ITO(Indium-Tin-Oxide)는 기판 상부에 편평하게 증착되고, 그 위에 형성되는 유기 발광층도 편평하게 형성됨으로써, 발광층에서의 광 취출율이 낮아 소자 효율 향상 에 기여하지 못하는 문제가 있었다. In the conventional organic light emitting display device, ITO (Indium-Tin-Oxide) forming a pixel electrode is deposited flat on the substrate, and the organic light emitting layer formed thereon is also flat, so that the light extraction rate in the light emitting layer is low. There was a problem that could not contribute to the improvement of efficiency.

본 발명은 상기와 같은 문제 및 그 밖의 문제를 해결하기 위하여, 광 취출율이 향상되고 효율이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device with improved light extraction rate and improved efficiency in order to solve the above problems and other problems.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 상면이 볼록한 요철 패턴으로 형성된 제1전극층; 상기 제1전극층 상에 형성되고 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 형성된 제2전극층;을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, the substrate; A first electrode layer formed on the substrate in a convex-concave pattern having an upper surface; An intermediate layer formed on the first electrode layer and including an organic emission layer; And a second electrode layer formed on the intermediate layer.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 직사각형의 격벽 형상으로 이루어질 수 있다.According to another feature of the invention, the convex portion of the uneven pattern of the first electrode layer may be formed in a rectangular partition wall shape.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 마이크로 렌즈 형상으로 이루어질 수 있다.According to another feature of the invention, the convex portion of the concave-convex pattern of the first electrode layer may be formed in a micro lens shape.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 오목부를 충진하도록 형성될 수 있다.According to another feature of the invention, the intermediate layer may be formed to fill the recessed portion of the uneven pattern of the first electrode layer.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층의 저면은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 형상을 따라 형성되고, 상기 중간층의 상면은 상기 요철 패턴의 오목부 및 볼록부 상에 편평하게 형성될 수 있다. According to another feature of the invention, the bottom surface of the intermediate layer may be formed along the shape of the uneven pattern of the first electrode layer, the upper surface of the intermediate layer may be formed flat on the concave and convex portions of the uneven pattern. .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층은 정공 주입층, 정공 수송 층, 전자 주입층, 또는 전자 수송층을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the intermediate layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or an electron transport layer.

또한, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상면이 볼록한 요철 패턴으로 형성된 제1전극층; 상기 제1전극층이 노출되도록 상기 제1전극층의 가장자리에 형성된 화소 정의막; 상기 제1전극층 상에 형성되고 적어도 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 형성된 제2전극층;을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다. In addition, the present invention is a substrate; A thin film transistor formed on the substrate; A first electrode layer connected to the thin film transistor and formed in a convex-concave pattern having an upper surface convex; A pixel defining layer formed on an edge of the first electrode layer to expose the first electrode layer; An intermediate layer formed on the first electrode layer and including at least an organic light emitting layer; And a second electrode layer formed on the intermediate layer.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 직사각형의 격벽 형상으로 이루어질 수 있다.According to another feature of the invention, the convex portion of the uneven pattern of the first electrode layer may be formed in a rectangular partition wall shape.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 마이크로 렌즈 형상으로 이루어질 수 있다.According to another feature of the invention, the convex portion of the concave-convex pattern of the first electrode layer may be formed in a micro lens shape.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 오목부를 충진하도록 형성될 수 있다.According to another feature of the invention, the intermediate layer may be formed to fill the recessed portion of the uneven pattern of the first electrode layer.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층의 저면은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 형상을 따라 형성되고, 상기 중간층의 상면은 상기 요철 패턴의 오목부 및 볼록부 상에 편평하게 형성될 수 있다.According to another feature of the invention, the bottom surface of the intermediate layer may be formed along the shape of the uneven pattern of the first electrode layer, the upper surface of the intermediate layer may be formed flat on the concave and convex portions of the uneven pattern. .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 중간층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the intermediate layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer or an electron transport layer.

이상과 같은 본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 제1전극층의 요철 패턴 상에 형성되는 유기 발광층의 발광 영역이 오버랩되고 발광 영역이 증가 하기 때문에, 발광층의 광 취출율이 향상되고 이로 인한 소자 효율이 향상된다.According to the organic light emitting display device of the present invention as described above, since the light emitting area of the organic light emitting layer formed on the uneven pattern of the first electrode layer overlaps and the light emitting area is increased, the light extraction rate of the light emitting layer is improved, resulting in device efficiency. This is improved.

또한, 발광층이 요철 패턴의 오목부를 메우도록 충분한 두께로 형성되기 때문에, 중간층 및 제2전극층의 스텝 커버리지가 향상되어 제1전극층과 제2전극층의 단락이 방지된다.In addition, since the light emitting layer is formed to a sufficient thickness to fill the concave portion of the uneven pattern, the step coverage of the intermediate layer and the second electrode layer is improved to prevent the short circuit between the first electrode layer and the second electrode layer.

이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 바람직한 실시 예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the preferred embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 제1전극층을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1의 제1전극층에 대한 변형예를 개략적으로 도시한 사시도이다. First, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view schematically showing a first electrode layer of FIG. 1, and FIG. 3 is a first electrode layer of FIG. 1. It is a perspective view schematically showing the modified example.

상기 도면들을 참조하면, 본 실시 예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극층(130), 중간층(150) 및 제2전극층(170)을 포함한다. Referring to the drawings, the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment includes a substrate 110, a first electrode layer 130, an intermediate layer 150, and a second electrode layer 170.

기판(110)은 SiO2를 주성분으로 하는 글라스재 기판일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재 기판 등 다양한 재질로 이루어질 수 있다. The substrate 110 may be a glass substrate having SiO 2 as a main component. However, the present invention is not limited thereto and may be made of various materials such as a plastic substrate.

기판(110)의 상면에는 기판(110)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 SiO2 및/또는 SiNx 등을 포함하는 버퍼층(미도시)이 구비될 수 있다. The upper surface of the substrate 110 to block the smoothness of the substrate 110 and the penetration of impurities element A buffer layer (not shown) containing SiO 2 and / or SiN x, etc. It may be provided.

버퍼층(미도시) 상부에는 요철 패턴을 구비한 제1전극층(130)이 구비된다.A first electrode layer 130 having an uneven pattern is provided on the buffer layer (not shown).

기판(110)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 제1전극층(130)은 투명 전극이 되고, 제2전극층(170)은 반사 전극이 될 수 있다. 반대로 기판(110)의 반대 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형(top emission type)일 경우, 제1전극층(130)은 반사 전극이 되고 제2전극층(170)은 투명 전극이 될 수 있다. 본 실시 예에서는 후자를 일 예로서 설명할 것이나 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다. In the case of a bottom emission type in which an image is implemented in the direction of the substrate 110, the first electrode layer 130 may be a transparent electrode, and the second electrode layer 170 may be a reflective electrode. On the contrary, in the case of a top emission type in which an image is implemented in the opposite direction of the substrate 110, the first electrode layer 130 may be a reflective electrode and the second electrode layer 170 may be a transparent electrode. In the present embodiment, the latter will be described as an example, but the present invention is not limited thereto.

제1전극층(130)은 ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등을 포함하는 투명 소재의 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 도면에 자세히 도시되지는 않았지만, 상기 투명 전도성 물질의 하부에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 또는 이들의 화합물로 등을 포함하는 반사막(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 도면에 도시되지 않은 전극 단자에 연결되어 애노드(anode) 전극으로서 작용 될 수 있다.The first electrode layer 130 may be formed of a conductive material made of a transparent material including ITO, IZO, In2O3, ZnO, and the like. In addition, although not shown in detail in the drawing, a reflective film including Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof at the bottom of the transparent conductive material (not shown) May be further formed, and may be connected to an electrode terminal (not shown) to serve as an anode electrode.

본 발명에 따른 제1전극층(130)은 종래의 유기 발광 소자의 화소 전극이 편평하게 형성되는 것과는 달리, 요철 패턴(A)을 구비한다. 본 실시 예에서 제1전극층(130)의 저면(131)은 기판(110) 및/또는 버퍼층(미도시) 상부에 이들의 표면 형상을 따라 편평하게 형성되고, 제1전극층(130)의 상면(133)은 요철 패턴(A)을 형성한다. The first electrode layer 130 according to the present invention has a concave-convex pattern A, unlike the pixel electrode of the conventional organic light emitting device is formed flat. In the present exemplary embodiment, the bottom surface 131 of the first electrode layer 130 is formed flat on the substrate 110 and / or the buffer layer (not shown) along the surface shape thereof, and the top surface of the first electrode layer 130 ( 133 forms the uneven pattern A. FIG.

요철 패턴(A)은 볼록부(A1)와 오목부(A2)를 구비하는데, 본 실시 예에서 요철 패턴의 볼록부(A1)는 단면이 직사각형의 격벽 형상으로 패터닝되어 있다. 이와 같이 요철 패턴의 단부가 격벽 형상을 이루는 예시로서, 도 2에 도시된 것과 같이 제1전극층의 볼록부(A1)은 매트릭스 형상, 또는 도 3에 도시된 것과 같이 스트라이 프 형상(A1') 등으로 형성될 수 있다. 물론 이외에도 다양한 변형이 가능함은 물론이다. The uneven pattern A includes a convex portion A1 and a concave portion A2. In the present embodiment, the convex portion A1 of the uneven pattern is patterned in a rectangular partition shape with a cross section. As shown in FIG. 2, the convex portion A1 of the first electrode layer has a matrix shape, or a stripe shape A1 ′ as shown in FIG. 3. It can be formed as. Of course, various modifications are possible besides.

한편, 제1전극층(130)의 저면(131, 131')은 본 실시예와 같이 수동 구동형(Passive Matrix type: PM)의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있다. 또한, 능동 구동형(Active Matrix type: AM)의 경우에는 화소에 대응되는 형태로 형성될 수 있는데, 이때 제1전극층(130)은 기판(110)에 포함된 적어도 하나의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)에 전기적으로 연결되며, 이에 대하여는 후술한다.Meanwhile, in the case of the passive matrix type PM, the bottom surfaces 131 and 131 ′ of the first electrode layer 130 may be formed as lines on stripes separated from each other by a predetermined distance. In addition, the active matrix type (AM) may be formed in a form corresponding to the pixel, wherein the first electrode layer 130 is at least one thin film transistor included in the substrate 110. : Electrically connected to the TFT), which will be described later.

전술한 요철 패턴(A, A')이 구비된 제1전극층(130) 상에 유기 발광층(미도시)을 포함하는 중간층(150)이 구비된다. An intermediate layer 150 including an organic emission layer (not shown) is provided on the first electrode layer 130 provided with the above-mentioned uneven patterns A and A '.

유기 발광층(미도시)은 저분자 또는 고분자 유기물이 사용될 수 있다. 유기 발광층이 저분자 유기물로 형성되는 경우, 유기 발광층을 중심으로 제1전극층(130)의 방향으로 홀 수송층(Hole Transport Layer: HTL) 및 홀 주입층(Hole Injection Layer: HIL) 등이 적층되고, 제2전극층(170) 방향으로 전자 수송층(Electron Transprt Layer: ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer: EIL) 등이 적층된다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다. The organic light emitting layer (not shown) may be a low molecular or high molecular organic material. When the organic light emitting layer is formed of a low molecular weight organic material, a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HIL), and the like are stacked in the direction of the first electrode layer 130 around the organic light emitting layer. An electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like are stacked in the direction of the second electrode layer 170. In addition, various layers may be stacked as needed. Organic materials that can be used are copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (triq-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3) and the like can be variously applied.

한편, 고분자 유기물로 형성된 고분자 유기층의 경우에는 유기 발광층을 중심으로 제1전극층(130)의 방향으로 홀 수송층(HTL)만이 포함될 수 있다. 상기 고분자 홀 수송층(HTL)은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1전극층(130) 상부에 형성되며, 고분자 유기 발광층은 PPV, 시아노 PPV(Cyano-PPV), 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등을 사용할 수 있다. Meanwhile, in the case of the polymer organic layer formed of the polymer organic material, only the hole transport layer HTL may be included in the direction of the first electrode layer 130 around the organic light emitting layer. The polymer hole transport layer (HTL) is polyethylene dihydroxythiophene (PEDOT: poly- (2,4) -ethylene-dihydroxy thiophene), polyaniline (PANI: polyaniline), etc. using inkjet printing or spin coating method It is formed on the first electrode layer 130, the polymer organic light emitting layer may be used PPV, cyano PPV (Cyano-PPV), polyfluorene (Polyfluorene).

본 실시 예에서 유기 발광층(미도시)을 포함한 중간층(150)은 제1전극층(130)의 요철 패턴(A, A')의 오목부(A2, A2')를 충진하도록 충분한 두께로 형성된다. 따라서 본 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 중간층(150)은 제1전극층(130)의 표면 구조를 따르지 않는다. 즉, 중간층의 저면(151)은 제1전극층(130)의 상면(133, 133')의 요철 패턴(A, A')의 표면 형태에 대응되도록 형성되지만, 중간층(150)이 충분한 두께로 요철 패턴(A, A')의 오목부(A2, A2')에 충진되기 때문에, 중간층(150)의 상면(153)은 요철 패턴(A, A')에 대응되지 않고 편평하게 형성된다.In the present exemplary embodiment, the intermediate layer 150 including the organic emission layer (not shown) is formed to have a sufficient thickness to fill the recesses A2 and A2 'of the uneven patterns A and A' of the first electrode layer 130. Therefore, the intermediate layer 150 of the organic light emitting diode according to the present exemplary embodiment does not follow the surface structure of the first electrode layer 130. That is, although the bottom surface 151 of the intermediate layer is formed to correspond to the surface shape of the uneven patterns A and A 'of the top surfaces 133 and 133' of the first electrode layer 130, the intermediate layer 150 is uneven to a sufficient thickness. Since the concave portions A2 and A2 'of the patterns A and A' are filled, the upper surface 153 of the intermediate layer 150 is formed flat without corresponding to the uneven patterns A and A '.

만약 중간층이 제1전극층(130)의 표면 형상을 따라 형성된다면, 본 실시 예와 같이 제1전극층(130)의 상면(133)의 단면이 직사각형 격벽 형상의 요철 패턴(A, A')을 가질 경우, 요철 패턴(A, A')의 경계부, 즉 볼록부(A1, A1')와 오목부(A2, A2')의 경계부에 형성되는 중간층의 스텝 커버리지(step coverage)가 좋지 않기 때문에, 상기 경계부에 충분한 두께의 중간층이 형성되지 않는다. 이러한 중간층 상부에 형성되는 제2전극층의 스텝 커버리지도 좋지 않기 때문에 제1전극층과 제2전 극층 사이에 단락(short)이 발생할 수 있다. If the intermediate layer is formed along the surface shape of the first electrode layer 130, the cross-section of the upper surface 133 of the first electrode layer 130 may have rectangular concave-convex patterns A and A ′ as in the present embodiment. In this case, since the step coverage of the intermediate layer formed on the boundary of the uneven patterns A and A ', that is, the boundary between the convex portions A1 and A1' and the recesses A2 and A2 'is not good, No intermediate layer of sufficient thickness is formed at the boundary. Since the step coverage of the second electrode layer formed on the intermediate layer is not good, a short may occur between the first electrode layer and the second electrode layer.

그러나 본 발명의 경우에는 중간층(150)을 충분한 두께로 형성하여 제1전극층(130)의 요철 패턴(A, A')의 오목부(A2, A2')가 메워지도록 충진하기 때문에, 요철 패턴(A, A')의 경계부에서 중간층(150)의 스텝 커버리지를 양호하게 할 수 있다. 또한 중간층(150) 상에 형성되는 제2전극층(170)의 스텝 커버리지도 양호하기 때문에, 제1전극층(130)과 제2전극층(170) 사이의 단락을 방지할 수 있다. However, in the present invention, since the intermediate layer 150 is formed to a sufficient thickness to fill the recesses A2 and A2 'of the uneven patterns A and A' of the first electrode layer 130, the uneven patterns ( The step coverage of the intermediate layer 150 can be made good at the boundary of A, A '). In addition, since the step coverage of the second electrode layer 170 formed on the intermediate layer 150 is also good, a short circuit between the first electrode layer 130 and the second electrode layer 170 can be prevented.

한편, 본 실시 예와 같이 중간층(150)의 상면(153)은 도면에 도시된 것과 같이 편평하게 형성되는 것이 바람직하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 중간층이 요철 패턴의 오목부를 충진하는 것이라면 반드시 편평하게 형성되지 않는 것이어도 무방하다. On the other hand, as shown in the present embodiment, the upper surface 153 of the intermediate layer 150 is preferably formed as flat as shown in the drawings, but the present invention is not limited to this, and if the intermediate layer fills the concave portion of the uneven pattern, it is necessarily flat. It may be not formed.

이와 같은 중간층은 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방식을 포함한 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 특히 유기 발광층은 잉크젯 프린팅으로 형성하고, 나머지 중간층의 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 스핀 코팅, 또는 증착의 방식으로 형성할 수도 있다. Such an intermediate layer may be formed by various methods including inkjet printing or spin coating. In particular, the organic light emitting layer may be formed by inkjet printing, and the hole transport layer, the hole injection layer, the electron transport layer, and the electron injection layer of the remaining intermediate layers may be formed. It may be formed by spin coating or vapor deposition.

상기 중간층(130) 상에는 제2전극층(170)이 구비된다. 전면 발광형의 경우, 제2전극층(170)은 투명 전극이 되는데, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 또는 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있으며, 도면에 도시되지 않은 전극 단자에 연결되어 캐소오드(cathode) 전극으로서 작용 될 수 있다. The second electrode layer 170 is provided on the intermediate layer 130. In the case of the top emission type, the second electrode layer 170 becomes a transparent electrode, and after depositing Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca or a compound thereof, An auxiliary electrode layer or a bus electrode line may be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 thereon, and may be connected to an electrode terminal not shown in the drawing to serve as a cathode electrode.

상술한 바와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에 의하면, 제1전극층의 요철 패턴 상에 형성되는 유기 발광층의 발광 영역이 오버랩되고 발광 영역이 증가하기 때문, 발광층의 광 취출율이 향상되고 이로 인한 소자 효율이 향상된다. 또한, 발광층이 요철 패턴의 오목부를 메우도록 충분한 두께로 형성되기 때문에, 중간층 및 제2전극층의 스텝 커버리지가 향상되어 제1전극층과 제2전극층의 단락이 방지된다.According to the organic light emitting display device as described above, since the light emitting area of the organic light emitting layer formed on the uneven pattern of the first electrode layer overlaps and the light emitting area is increased, the light extraction rate of the light emitting layer is improved, thereby improving device efficiency. do. In addition, since the light emitting layer is formed to a sufficient thickness to fill the concave portion of the uneven pattern, the step coverage of the intermediate layer and the second electrode layer is improved to prevent the short circuit between the first electrode layer and the second electrode layer.

이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 설명한다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. Hereinafter, an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

상기 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(200)는기판(210), 제1전극층(230), 중간층(250) 및 제2전극층(270)을 포함한다. 이하, 전술한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. Referring to the drawings, the organic light emitting diode display 200 according to the present exemplary embodiment includes a substrate 210, a first electrode layer 230, an intermediate layer 250, and a second electrode layer 270. Hereinafter, the difference from the above-described embodiment will be described.

기판(210)의 상면에 제1전극층(230)이 구비된다. 본 실시예의 제1전극층(230)은 요철 패턴(B)을 제외하고는 전술한 실시 예의 제1전극층(130)과 기능 및 작용이 동일하다. The first electrode layer 230 is provided on the upper surface of the substrate 210. The first electrode layer 230 of the present embodiment has the same function and function as the first electrode layer 130 of the above-described embodiment except for the uneven pattern B. FIG.

제1전극층(230)은 종래의 유기 발광 소자의 화소 전극이 편평하게 형성되는 것과는 달리, 요철 패턴(B)을 구비한다. 본 실시 예에서 제1전극층(230)의 저면(231)은 기판(210) 및/또는 버퍼층(미도시) 상부에 이들의 표면 형상을 따라 편평하게 형성되고, 제1전극층(230)의 상면(233)은 요철 패턴(B)을 형성한다. The first electrode layer 230 has a concave-convex pattern B, unlike a pixel electrode of a conventional organic light emitting element is formed flat. In the present exemplary embodiment, the bottom surface 231 of the first electrode layer 230 is formed flat on the substrate 210 and / or the buffer layer (not shown) along the surface shape thereof, and the top surface of the first electrode layer 230 ( 233 forms the uneven pattern B. As shown in FIG.

요철 패턴(B)은 볼록부(B1)와 오목부(B2)를 구비하는데, 본 실시 예에서 요 철 패턴(B)의 볼록부(B1)는 단면이 마이크로 렌즈의 형상으로 패터닝되어 있다. 도면에 도시되어 있지는 않지만, 볼록부(B1)의 단면을 마이크로 렌즈 형상으로 만들기 위하여 전술한 실시 예와 소개된 것과 같이, 요철 패턴을 매트릭스 형상 또는 스트라이프 형상 등으로도 형성할 수 있다. The concave-convex pattern B includes a convex portion B1 and a concave portion B2. In the present embodiment, the convex portion B1 of the concave-convex pattern B is patterned in the shape of a micro lens. Although not shown in the drawings, the concave-convex pattern may also be formed in a matrix shape or a stripe shape as described above with the above-described embodiment in order to make the cross section of the convex portion B1 into a micro lens shape.

요철 패턴(B)이 구비된 제1전극층(230) 상에, 상기 제1전극층(230)의 요철 패턴(B)의 오목부(B2)를 충진하도록 충분한 두께의 유기 발광층(미도시)을 포함하는 중간층(250)이 구비된다. On the first electrode layer 230 having the uneven pattern B, an organic light emitting layer (not shown) having a sufficient thickness to fill the recess B2 of the uneven pattern B of the first electrode layer 230 is included. An intermediate layer 250 is provided.

본 실시 예의 요철 패턴(B)은 상면이 마이크로 렌즈 형상과 같은 구면을 형성하기 때문에, 전술한 실시 예의 격벽 형상의 요철 패턴(A, A')보다, 본 실시 예의 요철 패턴(B)의 경계부, 즉 볼록부(B1)와 오목부(B2)의 경계부에 형성되는 증간층(250)의 스텝 커버리기가 더욱 개선된다. 따라서, 제1전극층(230)과 제2전극층(270) 사이의 단락을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. Since the concave-convex pattern B of this embodiment forms a spherical surface having a microlens shape, the boundary portion of the concave-convex pattern B of the present embodiment, rather than the partition-shaped concave-convex patterns A and A ′ of the embodiment described above, That is, the step coverage of the intermediate layer 250 formed at the boundary between the convex portion B1 and the concave portion B2 is further improved. Therefore, a short circuit between the first electrode layer 230 and the second electrode layer 270 can be prevented more effectively.

한편, 본 실시 예와 같이 중간층(250)의 상면(253)은 도면에 도시된 것과 같이 편평하게 형성되는 것이 바람직하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 중간층이 요철 패턴(B)의 오목부(B2)를 충진하는 것이라면 반드시 편평하게 형성되지 않는 것이어도 무방하다. On the other hand, as shown in the present embodiment, the upper surface 253 of the intermediate layer 250 is preferably formed flat as shown in the drawings, the present invention is not limited to this, the intermediate layer is a recess B2 of the uneven pattern (B) ), It may not necessarily be flat.

상기 중간층(250) 상에는 제2전극층(270)이 구비되며, 이는 캐소오드(cathode) 전극으로서 작용 될 수 있다. The second electrode layer 270 is provided on the intermediate layer 250, which may serve as a cathode electrode.

상술한 바와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에 의하면, 제1전극층의 요철 패턴 상에 형성되는 유기 발광층의 발광 영역이 오버랩되고 발광 영역이 증가하기 때문, 발광층의 광 취출율이 향상되고 이로 인한 소자 효율이 향상된다. 또한, 발광층이 요철 패턴의 오목부를 메우도록 충분한 두께로 형성되고, 상면이 곡면의 마이크로 렌즈 형상을 이루기 때문에, 중간층 및 제2전극층의 스텝 커버리지가 더욱 향상되어 제1전극층과 제2전극층의 단락을 효과적으로 방지할 수 있다.According to the organic light emitting display device as described above, since the light emitting area of the organic light emitting layer formed on the uneven pattern of the first electrode layer overlaps and the light emitting area is increased, the light extraction rate of the light emitting layer is improved, thereby improving device efficiency. do. In addition, since the light emitting layer is formed to a sufficient thickness to fill the concave portion of the uneven pattern, and the upper surface forms a curved microlens shape, the step coverage of the intermediate layer and the second electrode layer is further improved to short-circuit the first electrode layer and the second electrode layer. Can be effectively prevented.

이하, 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 다른 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1전극층을 포함한 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5. 5 is a schematic cross-sectional view of an active driving type organic light emitting display device including a first electrode layer according to an exemplary embodiment.

상기 도면을 참조하면, 본 실시 예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(300)는 기판(310), 박막 트랜지스터(320), 제1전극층(330), 중간층(350) 및 제2전극층(370)을 포함한다. 이하, 전술한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. Referring to the drawings, the organic light emitting diode display 300 according to the present exemplary embodiment includes a substrate 310, a thin film transistor 320, a first electrode layer 330, an intermediate layer 350, and a second electrode layer 370. do. Hereinafter, the difference from the above-described embodiment will be described.

전술한 실시예가 수동 구동형의 유기 발광 디스플레이 장치에 대한 것이라면, 본 실시예는 능동 구동형의 유기 발광 디스플레이 장치에 대한 예시를 나타낸다. If the above-described embodiment is for a passive driving type organic light emitting display device, the present embodiment shows an example for an active driving type organic light emitting display device.

기판(310) 상에는, 기판(310)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 SiO2 및/또는 SiNx 등을 포함하는 버퍼층(311)이 구비된다. On the substrate 310, in order to block the smoothness of the substrate 310 and the penetration of impurities element A buffer layer 311 including SiO 2 and / or SiNx is provided.

버퍼층(311) 상에는 채널 영역 및 소스/드레인 영역을 구비한 반도체층(321)이 구비되어 있다. 반도체층(321)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 결정화한 다결정 실리콘(poly silicon) 일수도 있고, 유기물로 형성될 수도 있는 등 다양한 방식 및 물질로 구비될 수 있다. The semiconductor layer 321 having a channel region and a source / drain region is provided on the buffer layer 311. The semiconductor layer 321 may be polysilicon obtained by crystallizing amorphous silicon, or may be formed of an organic material, and may be provided in various ways and materials.

반도체층(321) 상에는 SiNx 또는 SiOx 등과 같은 무기 절연막으로 게이트 절연막(312)이 형성된다. The gate insulating film 312 is formed of an inorganic insulating film such as SiNx or SiOx on the semiconductor layer 321.

게이트 절연막(312) 상에는, 반도체층(321)의 채널 영역(미도시)에 대응하는 위치에 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, MoW, Al/Cu 가운데 선택된 하나 이상의 도전성 물질을 포함하는 게이트 전극(322)이 형성된다. On the gate insulating film 312, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, at a position corresponding to the channel region (not shown) of the semiconductor layer 321 A gate electrode 322 is formed that includes at least one conductive material selected from Ti, W, MoW, and Al / Cu.

게이트 전극(322) 상에는 SiNx 또는 SiOx 등과 같은 무기 절연막을 포함하는 층간 절연막(313)이 구비된다.The interlayer insulating film 313 including an inorganic insulating film such as SiNx or SiOx is provided on the gate electrode 322.

층간 절연막(313) 상에는, 층간 절연막(313)을 관통하는 콘택홀을 통하여 반도체층(321)의 소스/드레인 영역(미도시)과 접속하는 소스/드레인 전극(323. 324)이 구비된다. On the interlayer insulating film 313, source / drain electrodes 323 and 324 are connected to a source / drain region (not shown) of the semiconductor layer 321 through a contact hole penetrating through the interlayer insulating film 313.

이와 같은 박막 트랜지스터(320) 상에 페놀계 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자 등과 같은 유기 절연막으로 형성된 평탄화막(314)이 구비되어 있다. The planarization film 314 formed of an organic insulating film such as a phenolic polymer derivative, an acrylic polymer, an imide polymer, or the like is provided on the thin film transistor 320.

평탄화막 상에 소스 또는 드레인 전극과 접속하는 제1전극층(330)이 구비된다. 본 실시예에서는 전술한 제1 실시예와 같은 요철 패턴의 단면이 직사각형의 격벽으로 형성된 제1전극층이 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 마이크로 렌즈 형상의 제1전극층이 구비될 수 있음은 물론이다. The first electrode layer 330 is provided on the planarization layer to be connected to the source or drain electrode. In the present embodiment, although the first electrode layer in which the cross-section of the same uneven pattern as the first embodiment is formed as a rectangular partition is illustrated, the present invention is not limited thereto, and the first electrode layer having a microlens shape may be provided.

이때, 제1전극층(330)은 ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등을 포함하는 투명 소재의 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 도면에 자세히 도시되지는 않았지 만, 상기 투명 전도성 물질의 하부에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 또는 이들의 화합물로 등을 포함하는 반사막(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 도면에 도시되지 않은 전극단자에 연결되어 애노드(anode) 전극으로서 작용 될 수 있다.In this case, the first electrode layer 330 may be formed of a conductive material made of a transparent material including ITO, IZO, In2O3, ZnO, or the like. In addition, although not shown in detail in the drawing, a reflective film including Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof under the transparent conductive material ( Not shown) may be further formed, and may be connected to an electrode terminal not shown in the drawing to serve as an anode electrode.

본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(300)는 능동 구동형으로 구성되기 때문에, 제1전극층(330)은 각 화소마다 비어홀(315)을 통하여 박막 트랜지스터(320)에 접속된다. 도면에는 탑 게이트(top gate) 타입의 박막 트랜지스터가 도시되어 있지만, 이는 예시일뿐 다양한 타입의 박막 트랜지스터가 적용 가능함은 물론이다. Since the organic light emitting diode display 300 according to the present exemplary embodiment has an active driving type, the first electrode layer 330 is connected to the thin film transistor 320 through a via hole 315 for each pixel. Although the top gate type thin film transistor is illustrated in the drawings, this is only an example, and various types of thin film transistors are applicable.

제1전극층(330)의 외곽에는 제1전극층(330)이 노출되도록 개구를 형성함으로써 화소를 정의하는 화소 정의막(340)이 형성된다. 이러한 화소 정의막(340)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. A pixel defining layer 340 defining a pixel is formed at an outer side of the first electrode layer 330 by forming an opening to expose the first electrode layer 330. The pixel defining layer 340 may be formed by spin coating or the like with one or more organic insulating materials selected from the group consisting of polyimide, polyamide, acrylic resin, benzocyclobutene and phenol resin.

요철 패턴(C)을 구비한 제1전극층(330) 상에는 적어도 유기 발광층(미도시)을 포함하는 중간층(350)이 형성된다. 상기 도면에는 중간층(350)이 제1전극층(330)의 개구 상단에만 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 일 예시일뿐이며, 중간층(350)은 제1전극층(330)과 화소 정의막(340) 전면에 형성될 수도 있다.An intermediate layer 350 including at least an organic emission layer (not shown) is formed on the first electrode layer 330 having the uneven pattern C. Although the intermediate layer 350 is illustrated as being formed only at the upper end of the opening of the first electrode layer 330 in the drawing, this is only an example, and the intermediate layer 350 is formed on the entire surface of the first electrode layer 330 and the pixel defining layer 340. It may be formed in.

다만, 이때에도 적어도 제1전극층(330) 상에 형성되는 중간층(350)은, 요철 패턴(C)의 오목부(C2)를 충진할 수 있을 정도의 충분한 두께로 형성된다. 예컨대, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 주입층(EIL), 또는 전자 수송층(ETL) 등은 제1전극층(330) 및 화소 정의막(340)의 전면에 얇게 증착되고, 유기 발광층(EL)은 제1전극층(330) 상부에 증착 또는 잉크젯 프린팅 등의 방법으로 두텁게 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층을 화소 별로 다양한 칼라를 형성하는 물질로 구성함으로써, 디스플레이 장치로 사용할 수 있다. However, at this time, the intermediate layer 350 formed on at least the first electrode layer 330 is formed to have a sufficient thickness to fill the recess C2 of the uneven pattern C. For example, the hole injection layer HIL, the hole transport layer HTL, the electron injection layer EIL, or the electron transport layer ETL may be thinly deposited on the entire surface of the first electrode layer 330 and the pixel defining layer 340. The organic emission layer EL may be thickly formed on the first electrode layer 330 by a method such as deposition or inkjet printing. In this case, the organic light emitting layer may be formed of a material that forms various colors for each pixel, and thus may be used as a display device.

중간층(350) 상에는 제2전극층(370)이 공통 전극으로 형성된다. 또한 상기 도면에는 도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 도시된 구조물 이외에도 봉지 구조 등을 포함한 다양한 구조물이 더 포함될 수 있음은 물론이다.The second electrode layer 370 is formed as a common electrode on the intermediate layer 350. Although not shown in the drawings, the organic light emitting display device according to the present invention may further include various structures including an encapsulation structure in addition to the illustrated structure.

상술한 바와 같은 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에 의하면, 제1전극층의 요철 패턴 상에 형성되는 유기 발광층의 발광 영역이 오버랩되고 발광 영역이 증가하기 때문, 발광층의 광 취출율이 향상되고 이로 인한 소자 효율이 향상된다. 또한, 발광층이 요철 패턴의 오목부를 메우도록 충분한 두께로 형성되기 때문에, 중간층 및 제2전극층의 스텝 커버리지가 향상되어 제1전극층과 제2전극층의 단락이 방지할 수 있다. According to the organic light emitting display device according to the present embodiment as described above, since the light emitting area of the organic light emitting layer formed on the uneven pattern of the first electrode layer overlaps and the light emitting area is increased, the light extraction rate of the light emitting layer is improved and thus The device efficiency is improved. In addition, since the light emitting layer is formed to a sufficient thickness to fill the concave portion of the uneven pattern, the step coverage of the intermediate layer and the second electrode layer is improved to prevent the short circuit between the first electrode layer and the second electrode layer.

상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이 다. Since components shown in the drawings may be enlarged or reduced for convenience of description, the present invention is not limited to the size or shape of the components shown in the drawings, and those skilled in the art. It will be appreciated that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.

도 2는 도 1의 제1전극층을 개략적으로 도시한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating the first electrode layer of FIG. 1.

도 3은 도 1의 제1전극층에 대한 변형예를 개략적으로 도시한 사시도이다. 3 is a perspective view schematically illustrating a modification of the first electrode layer of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1전극층을 포함한 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of an active driving type organic light emitting display device including a first electrode layer according to an exemplary embodiment.

< 도면의 주요부분에 대한 간략한 설명 ><Brief Description of Major Parts of Drawings>

110: 기판 130: 제1전극층110: substrate 130: first electrode layer

131: 제1전극층의 저면 133: 제1전극층의 상면131: bottom surface of the first electrode layer 133: top surface of the first electrode layer

150: 중간층 151: 중간층의 저면150: intermediate layer 151: bottom of the intermediate layer

153: 중간층의 상면 170: 제2전극층153: top surface of intermediate layer 170: second electrode layer

A: 요철 패턴 A1: 요철 패턴의 볼록부A: Uneven pattern A1: Convex portion of uneven pattern

A2: 요철 패턴의 오목부 A2: recess of the uneven pattern

Claims (12)

기판;Board; 상기 기판 상에 상면이 볼록한 요철 패턴으로 형성된 제1전극층;A first electrode layer formed on the substrate in a convex-concave pattern having an upper surface; 상기 제1전극층 상에 형성되고 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 An intermediate layer formed on the first electrode layer and including an organic emission layer; And 상기 중간층 상에 형성된 제2전극층;을 포함하고,A second electrode layer formed on the intermediate layer; 상기 중간층의 저면은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 형상을 따라 형성되고, 상기 중간층의 상면은 상기 요철 패턴의 오목부 및 볼록부 상에 편평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The bottom surface of the intermediate layer is formed along the shape of the uneven pattern of the first electrode layer, the upper surface of the intermediate layer is formed on the concave and convex portions of the uneven pattern is an organic light emitting display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 직사각형의 격벽 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The convex portion of the uneven pattern of the first electrode layer is an organic light emitting display device, characterized in that the rectangular partition wall shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 마이크로 렌즈 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a convex portion of the concave-convex pattern of the first electrode layer is formed in a micro lens shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간층은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 오목부를 충진하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the intermediate layer is formed to fill the concave portion of the uneven pattern of the first electrode layer. 삭제delete 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 중간층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 또는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The intermediate layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or an electron transport layer. 기판;Board; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; A thin film transistor formed on the substrate; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상면이 볼록한 요철 패턴으로 형성된 제1전극층;A first electrode layer connected to the thin film transistor and formed in a convex-concave pattern having an upper surface convex; 상기 제1전극층이 노출되도록 상기 제1전극층의 가장자리에 형성된 화소 정의막;A pixel defining layer formed on an edge of the first electrode layer to expose the first electrode layer; 상기 제1전극층 상에 형성되고 적어도 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 An intermediate layer formed on the first electrode layer and including at least an organic light emitting layer; And 상기 중간층 상에 형성된 제2전극층;을 포함하고,A second electrode layer formed on the intermediate layer; 상기 중간층의 저면은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 형상을 따라 형성되고, 상기 중간층의 상면은 상기 요철 패턴의 오목부 및 볼록부 상에 편평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The bottom surface of the intermediate layer is formed along the shape of the uneven pattern of the first electrode layer, the upper surface of the intermediate layer is formed on the concave and convex portions of the uneven pattern is an organic light emitting display device. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 직사각형의 격벽 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The convex portion of the uneven pattern of the first electrode layer is an organic light emitting display device, characterized in that the rectangular partition wall shape. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1전극층의 요철 패턴의 볼록부는 마이크로 렌즈 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a convex portion of the concave-convex pattern of the first electrode layer is formed in a micro lens shape. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 중간층은 상기 제1전극층의 요철 패턴의 오목부를 충진하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the intermediate layer is formed to fill the concave portion of the uneven pattern of the first electrode layer. 삭제delete 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 중간층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The intermediate layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer or an electron transport layer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013169047A1 (en) * 2012-05-09 2013-11-14 주식회사 엘지화학 Organic electrochemical device, and method for manufacturing same
JP7102131B2 (en) * 2017-12-01 2022-07-19 キヤノン株式会社 Top emission type organic EL element and its manufacturing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077188A (en) 1998-08-31 2000-03-14 Canon Inc Exposure device and image forming device
JP2002184567A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Canon Inc Organic luminescent element and manufacturing method
JP2005353500A (en) 2004-06-11 2005-12-22 Dainippon Printing Co Ltd Gas barrier film for electronic display medium
KR20070009742A (en) * 2004-05-17 2007-01-18 니폰 제온 가부시키가이샤 Electroluminescence element, lighting equipment, and display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077188A (en) 1998-08-31 2000-03-14 Canon Inc Exposure device and image forming device
JP2002184567A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Canon Inc Organic luminescent element and manufacturing method
KR20070009742A (en) * 2004-05-17 2007-01-18 니폰 제온 가부시키가이샤 Electroluminescence element, lighting equipment, and display device
JP2005353500A (en) 2004-06-11 2005-12-22 Dainippon Printing Co Ltd Gas barrier film for electronic display medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11063244B2 (en) 2017-11-30 2021-07-13 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device

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