JP2000065763A - X線分析装置 - Google Patents
X線分析装置Info
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Abstract
を短時間で時間差の少ない測定を行う。 【解決手段】 一つの分光結晶が持つ複数の結晶面を用
いることによって複数の異なる波長に分光し、また、二
次元検出器を用いることによって分光した複数の異なる
波長のX線を個々に区別して検出する。第1の態様は、
分光器にX線を照射し、分光器で分光される特定波長の
X線によってX線分析を行うX線分析装置において、分
光器は、該分光器が備える分光結晶1の一結晶中に有す
る面間隔及び方位が異なる複数の結晶面を用い、この分
光結晶の複数の結晶面によってX線を同時に複数の異な
る波長に分光する。第2の態様は、一結晶中に面間隔及
び方位が異なる複数の結晶面を有した分光結晶1を備え
た分光器と、X線の強度及び入射位置を検出する二次元
検出器20とを備えた構成とし、複数の結晶面によって
X線を同時に複数の異なる波長に分光し、二次元検出器
20によって複数の分光X線を同時に検出する。
Description
線分析装置に関し、X線スペクトル解析、X線源の制御
や設計等に適用することができる。
計等を行うには、X線分析が必要である。従来知られて
いるX線分析装置として、X線源等から放出されるX線
を分光結晶に照射し、分光結晶によってX線を分光する
装置が知られている。図14は、従来のX線分析装置の
一構成例を説明するための概略構成図である。図14に
おいて、試料100から放出されたX線を分光結晶10
1に照射し、分光結晶101で分光した特定波長のX線
をX線検出器102で検出する。
とX線の結晶面への入射角θと分光結晶の面間隔dとの
間には、λ=2d・sinθの関係がある。従来のX線分
析装置では、分光結晶の一つの結晶面を用い、この結晶
面に対するX線の入射角θを変化させることによって、
異なる波長のX線を検出している。
1b、及びX線検出器102a,102bは、異なる波
長のX線を検出するための移動状態を示している。図1
5は従来のX線分析で得られる波長強度分布の一例を示
し、図中に示す点は分光結晶101及びX線検出器10
2の各波長位置λa,λb(図14において、対応する
位置をa,bの符号で示している)での強度を表してい
る。
は、分光結晶の一つの結晶面を用いてX線の分光を行う
構成であるため、所定の波長範囲を分析するには、分析
結晶を回転させる等の移動操作を行って、分析結晶の結
晶面に対するX線の入射角を変更させなければならず、
全波長範囲を分光するには長時間を要するという問題が
ある。さらに、分光開始時と分光終了時との間に大きな
時間差がある場合には、X線の分析状態が変化し、一定
の測定条件でX線分析を行うことができず、X線スペク
トル変化を検出することができない。
出器はシンチレーションカウンタやガスカウンタを用
い、分光結晶で分光されるX線のみを検出する構成であ
るため、所定の波長範囲を分析するには、分析結晶の回
転に伴って移動を行う必要があり、構成が複雑となると
いう問題がある。
いて、X線の波長強度分布を短時間で時間差の少ない測
定を行うことを目的とする。
晶が持つ複数の結晶面を用いることによって複数の異な
る波長に分光するものであり、また、二次元検出器を用
いることによって分光した複数の異なる波長のX線を個
々に区別して検出するものである。
光器にX線を照射し、該分光器で分光される特定波長の
X線によってX線分析を行うX線分析装置において、分
光器は、該分光器が備える分光結晶の一結晶中に有する
面間隔及び方位が異なる複数の結晶面を用い、この分光
結晶の複数の結晶面によってX線を同時に複数の異なる
波長に分光する。
結晶面を含んでいる。分光するX線の波長λとX線の結
晶面への入射角θと分光結晶の面間隔dとの間には、λ
=2d・sinθで表されるブラッグの法則の関係があ
り、分光結晶に入射したX線は、各結晶面においてブラ
ッグの法則に導かれる波長λのX線のみが反射され分光
が行われる。分光されたX線は結晶面の方位で定められ
た方向に散乱される。
ば、複数の結晶面の異なる面間隔を用いることによって
同時に複数の波長の分光を行い、複数の結晶面の異なる
方位を用いることによって分光した波長を個々に区別し
て検出可能とする。
光器にX線を照射し、該分光器で分光される特定波長の
X線によってX線分析を行うX線分析装置において、一
結晶中に面間隔及び方位が異なる複数の結晶面を有した
分光結晶を備えた分光器と、X線の強度及び入射位置を
検出する二次元検出器とを備えた構成とし、複数の結晶
面によってX線を同時に複数の異なる波長に分光し、二
次元検出器によって複数の分光X線を同時に検出する。
の位置と強度を検出する装置であり、セレンや蛍光体等
のX線を光や電荷に変換するX線感知体とマトリックス
状に配置した検出素子とを備える構成や、入射X線の強
度に応じて感光するシート材を適用することができる。
ば、分光結晶によって、空間的に様々な方向に分光した
波長の異なるX線を二次元検出器で検出する。二次元検
出器において、X線が入射する位置は分光結晶の結晶面
の方位によって異なり、該位置で検出されるX線の波長
は該結晶面の面間隔とX線の結晶面への入射角θにより
定まる。したがって、二次元検出器上では、X線の異な
る波長が異なる位置で、個々に区別して検出することが
できる。二次元検出器上で検出されるX線の位置及び波
長は、分光結晶の結晶面の方位及び面間隔から求めるこ
とができる。
時間差のないX線の波長強度分布を短時間で測定するこ
とができる。
射X線に対する分光結晶の角度を調整する機構を備え、
これによって入射X線に対する結晶面の方位を調整す
る。角度調整機構が行う調整の第1の態様は、二次元検
出器上に入射する分光X線の位置を調整し、分析対象の
波長に適した位置となるように調整することができる。
角度調整機構が行う調整の第2の態様は、第1の調整態
様によって定めた結晶面の方位において、該結晶面に入
射するX線の入射角を調整し、分光される波長を調整す
る。第2の調整態様では、入射角の変更に伴って分光X
線の入射位置は二次元検出器上で移動することになる。
様は、第1の調整態様によって結晶面の方位を定め、該
結晶面の面間隔及び入射X線の入射角によって定まる分
光波長についてX線強度を検出する。
様は、第1の調整態様によって結晶面の方位を定めて二
次元検出器上に入射する分光X線の位置を調整した後、
第2の調整態様によって入射X線の入射角を変更して分
光波長を変更し、所定波長範囲の強度の波長による変化
を検出する。
機構の第1の調整態様によって分光に用いる結晶面を選
択することにより、所定波長範囲の波長強度分布(波長
スペクトル)を時間差なく同時に測定することができ
る。また、角度調整機構の第2の調整態様によって分光
波長を変更することによって、連続的に切れ目が無い波
長スペクトルを測定することができる。この場合、複数
の結晶面からの波長スペクトルをつなぎ合わせることに
より、従来装置のように一つの結晶面を用いて全波長範
囲を測定する場合と比較して短時間で測定を行うことが
できる。
を備える。2軸の回転機構により角度調整することによ
って、第1の調整態様の結晶面の選択を行うことができ
る。また、角度調整機構の回転機構の軸数を増やし3軸
の回転機構を備える構成とすることによって、結晶面の
選択動作に加えて、第2の調整態様の分光波長の変更を
行うことができる。
数は上記軸数に限られるものではなく、2軸あるいは3
軸以上の多数軸により構成することができる。
参照しながら詳細に説明する。図1,2は、本発明のX
線分析装置の一構成を説明するための概略構成図であ
る。図1に示すX線分析装置の構成は、分光X線を検出
する検出器を二次元検出器で構成する例であり、図2に
示すX線分析装置の構成は、複数個の検出器を配置する
構成例である。
及び検出器2を備える。分光結晶1は入射した入射X線
11を分光して分光X線12を空間的に様々な方向に散
乱する。図1に示す検出器2は二次元検出器20であ
り、分光結晶1で分光された分光X線12を二次元的に
検出し、強度を測定する。
調整可能に支持され、該角度調整によって二次元検出器
2上における分光X線12の入射位置を調整することが
できる。角度調整機構は少なくとも2軸の回転機構を備
える。角度調整機構の回転機構により結晶面の方位を定
め、二次元検出器2上に入射するX線の位置を調整し、
分析対象の波長に適した位置となるように調整する。ま
た、3軸の回転機構を備える角度調整機構を用いること
によって、前記2軸の回転機構で結晶面の方位を設定
し、3軸目を用いて結晶面に入射するX線の入射角を調
整し、分光される波長を調整する。なお、角度調整機構
3は2軸あるいは3軸の回転機構に限らず、2軸あるい
は3軸以上の多数軸で構成したり、従来のゴニオメータ
を用いた構成とすることもできる。
X線の位置と強度を検出する装置であり、セレンや蛍光
体等のX線を光や電荷に変換するX線感知体とマトリッ
クス状に配置した検出素子を備える構成や、入射X線の
強度に応じて感光するsotrage phosphors ,storage ph
osphor screens(イメージングプレート等の製品名で知
られている)や写真フィルム等のシート材を適用するこ
とができる。
位に応じて空間的に散乱し、二次元検出器20の面上の
入射する。図1では入射位置をp1,p2,p3で示し
ている。なお、図1では分光X線が入射する状態を3つ
の入射位置で模式的に示しているが、入射する分光X線
の個数や位置は、分光結晶が備える結晶面の面数や方
位、二次元検出器20の面積や位置、及び入射X線11
入射に対する分光結晶1の角度等に応じて定まる。
出器20上の位置及び強度を検出することができ、検出
した位置信号や強度信号は処理装置4で信号処理するこ
とができる。処理装置4は、分光X線の二次元検出器2
0上の位置から波長を求め、該波長と強度から波長強度
分布(波長スペクトル)を求めることができる。
結晶面を定めた後、該結晶面に入射するX線の入射角を
調整することによって、分光される波長を調整すること
ができる。
レーションカウンタやガスカウンタ等のX線検出器を用
いた構成例であり、各波長の分光X線を検出するX線検
出器21,22,23を配置する。X線検出器21,2
2,23の配置位置は、X線分光12の放出方向に対応
する位置p1,p2,p3であり、分光結晶が備える結
晶面の方位、入射X線11に対する分光結晶1の角度等
に応じて定まる。
の測定態様について説明する。第1の測定態様は、結晶
面の面間隔及び入射X線の入射角によって定まる分光波
長について、そのX線強度を検出するものであり、第2
の測定態様は、入射X線の入射角を変更して分光波長を
変更し、所定波長範囲の強度の波長による変化を検出す
るものである。
て説明する。図3は分光結晶が備える結晶面を模式的に
表した図であり、図4は結晶面による反射を模式的に表
した図である。分光結晶は結晶中に複数の結晶面を備
え、各結晶面は図3中でα,β,γで示されるように異
なる方位を備える。分光結晶の表面に対して角度Θで入
射したX線は、図4に示すように、分光結晶の各結晶面
において方位α,β,γで定める方向p,q,rに反射
する。たとえば、図4(a)では、入射X線は結晶面1
3aに対して入射角θaで入射し、方位αで定まる方向
p(∠αOp=90°−θa)に反射される。また、図
4(b),(c)では、同様に、入射X線は結晶面13
b,13cに対して入射角θb,θcで入射し、方位
β,γで定まる方向q,rに反射され分光が行われる。
ブラッグの条件(λ=2d・sinθ)を満たす波長であ
り、結晶面の面間隔dに対応した波長λのX線となる。
なお、θは分光結晶の結晶面に対するX線の入射角であ
る。したがって、分光結晶は反射する結晶面の方位に応
じて異なる方向に異なる波長の分光X線を放出すること
になる。なお、結晶面の方位及び分光結晶(分光結晶の
表面及び結晶面)に対する入射X線の入射角の調整は、
角度調整機構3により行う。
二次元検出器上に入射する位置を模式的に表した図であ
る。分光X線は、分光結晶の結晶面の方位に応じて空間
的に様々な方向に反射し、二次元検出器20上で異なる
位置に入射する。図5中のp,q,rは入射位置例を示
している。なお、図5中のoは二次元検出器20の中心
を示している。p,q,rの位置に入射する分光X線の
波長は、結晶面の面間隔dに対応した波長λp ,λq ,
λr となる。二次元検出器20によって入射位置p,
q,rの強度を検出すると、図6中の点で示される強度
を得ることができる。なお、図6中の強度曲線は、入射
したX線に含まれる波長と強度との関係を示すものであ
り、第1の測定態様によれば、結晶面で定まる波長につ
いてその強度を求めることができる。
定結果例及びシミュレーション値である。図7は二次元
検出器上に入射する分光X線の入射位置を示し、図8は
各入射位置における分光X線の強度を波長を横軸にとっ
て示している。なお、二次元検出器上の入射位置と波長
との関係は、X線の入射角(分光結晶の表面に対する角
Θ及び又は分光結晶の結晶面に対する角θ)と、分光結
晶の結晶面の方位と、結晶面の面間隔dと、分光結晶及
び二次元検出器との位置関係から幾何学的に演算して求
めることができる。
いて説明する。図9は結晶面による反射角の変化を模式
的に表した図である。前記図3,4で示したように、分
光結晶に入射したX線は、図9に示すように、各結晶面
において方位α,β,γで定める方向に反射する。この
とき、入射X線の分光結晶1の表面に対する入射角Θを
変化させると、各結晶面に対する入射角θも変化し、分
光X線の反射方向も変化する。たとえば、図9(a)で
は、結晶面13aに入射したX線は入射角の変化Δθに
伴ってp1からp2に変化し、図9(b),(c)で
は、同様に、q1からq2及びr1からr2に変化して
反射され分光が行われる。
い、分光X線の波長もブラッグの条件により変化する。
なお、結晶面の方位及び分光結晶に対する入射X線に入
射角の調整は、角度調整機構3により行う。
が二次元検出器上で移動する状態を模式的に表した図で
ある。分光X線は、分光結晶の結晶面の方位に応じて空
間的に様々な方向に反射し二次元検出器20上の異なる
位置に入射し、さらにX線の分光結晶に対する入射角
(Θないしθ)の変化に伴って二次元検出器20上を移
動する。図10中のp1,p2,q1,q2,r1,r
2は入射位置の変化例を示している。なお、図10中の
oは二次元検出器20の中心を示している。二次元検出
器20上において、p1,p2,q1,q2,r1,r
2の位置に入射する分光X線の波長は、結晶面の面間隔
d及び結晶面に対する入射角θの変化に対応した波長λ
p1,λp2,λq1,λq2,λr1,λr2となり、分光結晶に
対する入射角θの変化に応じて変化する。
p2,q1〜q2,r1〜r2の間の強度を検出する
と、図11中の点で示される強度変化を得ることができ
る。各結晶面で測定できる波長範囲は、面間隔等によっ
て異なる。この各結晶面の測定波長範囲を調整すること
によって、全測定波長範囲をカバーすることができる。
測定波長範囲の調整は、結晶面の面間隔dや入射角の変
化幅Δθの選択によって行うことができる。図11の例
では、λp2>λq1,λq2>λr1となるように選択するこ
とによって、λp1〜λr2の全波長範囲を切れ目無く測定
することができる。
る測定結果例である。図12は二次元検出器上で移動す
る分光X線の軌跡を示し、図13は各軌跡上における分
光X線の強度を波長を横軸にとって示している。図13
(a)は、図12中のLine2の軌跡で求まる強度変
化であり、図13(b)は、図12中のLine1の軌
跡で求まる強度変化である。図13(a)と(b)を組
み合わせることによって、連続する波長範囲について強
度分布を求めることができる。
分光結晶の形状や結晶構造,また検出器の感度の波長特
性や検出強度等によって各結晶面での反射強度(回折強
度)が異なるため、同一波長の強度に相違が生じてい
る。この強度の相違は、通常のデータ処理による強度ス
ケールの補正によって補正することができる。
示す測定結果を短時間で得ることができ、従来のように
全波長範囲内に生じる時間変化による影響を低減させる
ことができる。なお、図12は、シリコン結晶面の[1
11]面での反射を±5°の範囲で変化させた場合の測
定結果である。
よれば、時間差のない波長強度分布を短時間で得ること
ができ、第2の測定態様によれば、所定波長範囲におい
て強度の波長による変化を、少ない時間差で得ることが
できる。
光源から発せられる波長強度分布の変動を追跡して測定
することができ、X線光源の制御や、X線光源の設計に
適用することができる。
装置によれば、X線の波長強度分布を短時間で時間差の
少ない測定を行うことができる。
の概略構成図である。
めの概略構成図である。
ある。
元検出器上に入射する位置を模式的に表した図である。
明する図である。
る。
値である。
である
次元検出器上で移動する状態を模式的に表した図であ
る。
説明する図である。
る。
る。
めの概略構成図である。
例である。
理装置、11…入射X線 12…分光X線、20…二次元検出器、21〜23…X
線検出器。
Claims (2)
- 【請求項1】 分光器にX線を照射し、該分光器で分光
される特定波長のX線によってX線分析を行うX線分析
装置において、前記分光器は、一結晶中に面間隔及び方
位が異なる複数の結晶面を有した分光結晶を備え、該複
数の結晶面によってX線を同時に複数の異なる波長に分
光する、X線分析装置。 - 【請求項2】 分光器にX線を照射し、該分光器で分光
される特定波長のX線によってX線分析を行うX線分析
装置において、一結晶中に面間隔及び方位が異なる複数
の結晶面を有した分光結晶を備えた分光器と、X線の強
度及び入射位置を検出する二次元検出器とを備え、複数
の結晶面によってX線を同時に複数の異なる波長に分光
し、二次元検出器によって複数の分光X線を同時に検出
する、X線分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23585798A JP3968452B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | X線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23585798A JP3968452B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | X線分析装置 |
Publications (2)
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JP2000065763A true JP2000065763A (ja) | 2000-03-03 |
JP3968452B2 JP3968452B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=16992286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23585798A Expired - Lifetime JP3968452B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | X線分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3968452B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002162499A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Technos Kenkyusho:Kk | X線反射素子およびその製造方法、装置ならびにx線分析装置 |
JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
WO2013061676A1 (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線分光検出装置 |
-
1998
- 1998-08-21 JP JP23585798A patent/JP3968452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002162499A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Technos Kenkyusho:Kk | X線反射素子およびその製造方法、装置ならびにx線分析装置 |
JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
JP4521573B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2010-08-11 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
WO2013061676A1 (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線分光検出装置 |
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JP3968452B2 (ja) | 2007-08-29 |
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