【発明の名称】加熱処理装置および加熱処理方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、基板の中央部に対応する位置に配置され、前記加熱プレートによる加熱時に、前記基板の中央部に配置され、前記加熱プレートからの熱の一部を蓄熱する蓄熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】前記蓄熱部材は、基板加熱時に基板の中央部に密着されることを特徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項３】前記基板と前記蓄熱部材とが、同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】搬入された基板を昇降して前記加熱プレートに載置するための複数のリフトピンをさらに具備し、前記蓄熱部材は、これらリフトピンのうち基板中央部に対応するものの先端部に配置され、前記蓄熱部材および基板が、互いに密着した状態でリフトピンによって降下されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の加熱処理装置。
【請求項５】前記蓄熱部材は、前記加熱プレートの加熱面に埋設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】基板を加熱するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する部分に予め加熱されて配置され、前記加熱プレートによる加熱前に、基板の周縁部を予備加熱するための予備加熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項７】前記予備加熱部材は、基板加熱時に基板の周縁部に密着されることを特徴とする請求項６に記載の加熱処理装置。
【請求項８】前記基板と、前記予備加熱部材とは、同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の加熱処理装置。
【請求項９】搬入された基板を昇降して前記加熱プレートに載置するための複数のリフトピンをさらに具備し、前記予備加熱部材は、前記加熱プレートにより予め加熱されて、これらリフトピンにより上昇された後、これらリフトピンに載置された基板と共に降下されながら、基板の周縁部を予備加熱することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の加熱処理装置。
【請求項１０】基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置して加熱プレートからの熱の一部を蓄熱させることを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１１】基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置することを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１２】前記加熱処理は、基板を加熱プレートに接触させずに行われることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の加熱処理方法。
【請求項１３】基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、前記基板の中央部に対応する位置に配置され、前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくするための蓄熱部材と、
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１４】前記蓄熱部材は前記加熱プレートによって処理される基板と同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の加熱処理装置。
【請求項１５】基板を加熱プレートにより加熱処理するための加熱処理方法であって、
所定の蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくして、前記基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ前記基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１６】前記基板および前記蓄熱部材は前記加熱プレートから離間した状態で加熱処理されることを特徴とする請求項１５に記載の加熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ＬＣＤ基板等の基板のフォトリソグラフィー工程において基板をプリベークまたはポストベーク処理する加熱処理装置および加熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成されている。
【０００３】
このフォトリソグラフィー工程においては、矩形のＬＣＤ基板（以下、基板という）に対して、まず、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理が施され、次いでレジスト塗布処理が施される。レジスト塗布処理は、基板を回転させながらその表面中心部にレジスト液が供給され、遠心力によってレジスト液が拡散されることによって基板の表面全体にレジスト膜を塗布する。このレジスト液が塗布された基板は、基板の周縁の余分なレジストが除去されて、プリベーク処理される。
【０００４】
次いで、基板は、冷却された後、所定の回路パターンが露光され、必要に応じてポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理が施された後、現像処理されて、所定の回路パターンが形成される。その後、ポストベーク処理が施され、冷却されて一連の工程が終了する。
【０００５】
このような塗布・現像工程において、プリベーク処理およびポストベーク処理等の加熱処理は、図９に示すように、加熱処理ユニットにおいて、加熱プレート６２に設けられた複数のリフトピン６４に基板Ｇを載置した後、これらリフトピン６４を降下させ、基板Ｇが加熱プレート６２によって加熱されることにより行われる。近年は、基板へのパーティクル等の悪影響を排除するために、加熱プレート６２と基板Ｇとの直接の接触を避け、加熱プレート６２からの輻射熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティ方式が多用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９に示すように、加熱プレート６２により基板Ｇがベーク処理される際、ガラス製のＬＣＤ基板Ｇには、その中央部のほうが周縁部よりも温度が高くなり、その結果、基板Ｇの周縁部に反りが発生する場合がある。この反りは特に上記プロキシミティ方式の場合に著しい。このような反りは、近時の基板の大型化に対応して益々大きくなる傾向にあり、このような反りが現像処理後に、回路パターンの線幅の変動につながるおそれがある。
【０００７】
このような反りを防止するため、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、リフトピン６４により基板Ｇを載置して降下する際、基板Ｇを段階的に降下して、基板Ｇを段階的に加熱プレート６２に近づけるようにしている。つまり、基板Ｇを徐々に加熱して、基板Ｇの面内温度が均一になるようにすることにより、基板Ｇの急激な温度変化を避け、反りの発生を極力抑制しようとしている。
【０００８】
しかしながら、加熱処理ユニットにおけるベーク処理の処理時間には制約があるため、基板Ｇを段階的に降下する時間も制限され、その結果、上記のような基板Ｇの反りを十分に防止することができない。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板の加熱処理時、基板の反りを効果的に防止することができる加熱処理装置および加熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、基板の中央部に対応する位置に配置され、前記加熱プレートによる加熱時に、前記基板の中央部に密着して、前記加熱プレートからの熱の一部を蓄熱する蓄熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１１】
本発明の第２の観点によれば、基板を加熱するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する部分に予め加熱されて配置され、前記加熱プレートによる加熱前に、基板の周縁部を予備加熱するための予備加熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１２】
本発明の第３の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置して加熱プレートからの熱の一部を蓄熱させることを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱するにあたり、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置することを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１４】
本発明の第５の観点によれば、基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、前記基板の中央部に対応する位置に配置され、前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくするための蓄熱部材と、
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１５】
本発明の第６の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱処理するための加熱処理方法であって、
所定の蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくして、前記基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ前記基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１６】
上記第１および第３の観点によれば、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置し、この蓄熱部材に加熱プレートからの熱を蓄熱させるため、基板の中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、中央部の温度上昇が抑制されて基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００１７】
この場合に、蓄熱部材が、基板加熱時に基板の中央部に密着されることにより、蓄熱部材による熱容量増大効果が大きくなり、温度上昇を一層効果的に抑制することができる。
【００１８】
また、基板と蓄熱部材とが同じ材質で形成されていることにより、これらが密着したとしても、剥離帯電しにくくすることができ、静電気の影響を小さくすることができる。
【００１９】
この場合に、搬入された基板を昇降して加熱プレートに載置するための複数のリフトピンのうち基板中央部に対応するものの先端部に前記蓄熱部材を配置し、前記蓄熱部材および基板が、互いに密着した状態でリフトピンによって降下するように構成することにより、基板中央部の温度上昇を有効に抑制することができる。
【００２０】
さらに、蓄熱部材を加熱プレートの加熱面に埋設させることにより、基板の昇降の度に、蓄熱部材を昇降する必要がなく、基板を蓄熱部材上に載せるだけで基板中央部の温度上昇を有効に抑制することができる。
【００２１】
さらにまた、加熱処理は、基板を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましい。これにより、加熱プレートからの基板の汚染を防止することができる。
【００２２】
本発明の第２および第４の観点によれば、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置するので、相対的に中央部よりも加熱され難い基板の周縁部を有効に加熱することができ、基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００２３】
この場合に、予備加熱部材が、基板加熱時に基板の周縁部に密着されることにより基板周縁部を有効に予備加熱することができる。
【００２４】
また、基板と予備加熱部材とが同じ材質で形成されていることにより、これらが密着したとしも、剥離帯電しにくくすることができ、静電気の影響を小さくすることができる。
【００２５】
さらに、搬入された基板を昇降して加熱プレートに載置するための複数のリフトピンにより基板が上昇された後、これらリフトピンに載置された基板と共に予備加熱部材が降下されながら、基板の周縁部を予備加熱することにより、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００２６】
さらにまた、この場合にも、加熱処理は基板を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましい。これにより、加熱プレートからの基板の汚染を防止することができる。
【００２７】
上記第５および第６の観点によれば、蓄熱部材を中央部に密着させることによって、実質的に基板の略中央部における熱容量を大きくすることができるために、基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ、基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることができる。つまり、基板の面内温度の均一化を図ることができ、これによって基板の反りを防止することができる。
【００２８】
この場合において、基板と蓄熱部材とが同じ材質で形成されていると、剥離帯電しにく くなる。また加熱処理は、基板および蓄熱部材を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましく、これにより蓄熱部材の加熱プレートからの直接加熱による温度上昇を抑制することができ、しかも加熱プレートからの基板の汚染も防止される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００３０】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェース部３が配置されている。
【００３１】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送部１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送機構１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３２】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００３３】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５、それぞれ上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。
【００３４】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２８、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）２９、およびアドヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）３０が配置されている。
【００３５】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３２、３３が配置されている。
【００３６】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００３７】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペース３５が設けられている。
【００３８】
上記主搬送装置１７は、搬送部１０の搬送機構１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェース部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。
【００３９】
インターフェース部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファーステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００４０】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００４１】
このように構成される塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５で表面改質・洗浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、加熱処理ユニット（ＨＰ）２６の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）２７の一つで冷却される。
【００４２】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、エッジリムーバー（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００４３】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェース部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェース部３を介して搬入され、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１１によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４４】
次に、図２を参照して、加熱処理ユニット（ＨＰ）について説明する。図２は、加熱処理ユニット（ＨＰ）の概略断面図である。
プレイベーク処理またはポストベーク処理を行うための加熱処理ユニット（ＨＰ）は、図２に示すように、昇降自在のカバー４１を有し、このカバー４１の下側には、基板Ｇを加熱するための加熱プレート４２がその加熱面を水平にして配置されている。この加熱プレート４２には、ヒーター（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能となっている。
【００４５】
加熱プレート４２には複数の孔が形成されており、これらの孔を通挿して、複数のリフトピン４４ａおよび４４ｂが昇降自在に設けられている。これらリフトピン４４ａおよび４４ｂの下部は、支持部材４５により、水平方向移動自在に支持されており、この支持部材４５は、昇降機構４６により昇降されるように構成されている。
【００４６】
リフトピン４４ａはプレート４２の外側部分に配置されており、リフトピン４４ｂはプレート４２の内側部分に配置されている。そして、リフトピン４４ａは基板Ｇを直接支持し、リフトピン４４ｂは後述する蓄熱部材５１を介して基板Ｇを支持するようになっている。
【００４７】
加熱処理は、好ましくは図２に示すように、リフトピン４４ａ，４４ｂ上に基板Ｇおよび蓄熱部材５１が載置され、加熱プレート４２から基板Ｇおよび蓄熱部材５１が離間した状態で行われる。このように、加熱プレート４２と基板Ｇとの直接の接触を避けるいわゆるプロキシミティ方式を採用することにより、加熱プレート４２からの輻射熱によって、基板Ｇが加熱処理され、加熱プレート４２からの基板Ｇの汚染が防止される。
【００４８】
次に、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）および図４を参照して、加熱処理ユニット（ＨＰ）における加熱処理工程を説明する。図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図であり、図４は、その断面図である。
【００４９】
本実施の形態では、加熱処理ユニット（ＨＰ）により基板Ｇがプリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理される際には、基板Ｇの中央部の下側に、ガラス製の蓄熱部材５１が設けられ、この蓄熱部材５１により、加熱プレート４２からの熱が蓄熱される。
【００５０】
すなわち、図３（ａ）に示すように、リフトピン４４ａ，４４ｂを突出させ、中央部側のリフトピン４４ｂの先端に予め蓄熱部材５１を載置しておき、基板Ｇが主搬送装置により加熱処理ユニット（ＨＰ）に搬入された際に蓄熱部材５１がこの基板Ｇの中央部の下側に配置されるようにする。
【００５１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、リフトピン４４ａ上に基板Ｇを載置し、その際に基板Ｇと蓄熱部材５１とが密着された状態となるようにする。なお、この場合には、図示しない位置合わせ機構により、予めリフトピン４４ａおよび４４ｂの高さ調整をしておく。
【００５２】
次いで、図３（ｃ）に示すように、蓄熱部材５１が密着された状態の基板Ｇが加熱プレート４２近傍の加熱処理位置に配置され、加熱処理が行われる。この加熱処理に際しては、蓄熱部材５１が基板Ｇの中央部と加熱プレート４２との間に配置されることとなる。
【００５３】
この場合に、図３（ｃ）および図４に示す加熱プレート４２による基板Ｇの加熱時には、加熱プレート４２からの熱が蓄熱部材５１に蓄熱されるから、基板Ｇの略中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、結果として基板Ｇの中央部の温度上昇が抑制され、基板Ｇの中央部と周縁部とが均等な温度に加熱される。したがって、基板Ｇの面内温度の均一化を図ることができ、基板Ｇの反りを有効に防止することができる。
【００５４】
また、基板Ｇおよび蓄熱部材５１はいずれもガラス製であり、同じ材質であるから、図４に示すように、蓄熱部材５１を基板Ｇの中央部の下側に密着させた後、これらを分離する際の剥離帯電を効果的に防止することができる。
【００５５】
さらに、図５または図６に示すように、プロキシミティ方式において、ガラス製の蓄熱部材５１が加熱プレート４２の加熱面に載置または埋設されていてもよい。この場合には、基板Ｇの昇降の度に、蓄熱部材５１を昇降する必要がない。また、加熱プレート４２にプロキシミティ用の固定ピンを配置し、その上に基板Ｇを載置して加熱処理を行ってもよい。
【００５６】
なお、上述したように基板Ｇの汚染防止の観点からプロキシミティ方式を採用することが好ましいが、必ずしもプロキシミティ方式を採用しなくてもよい。この場合には、基板Ｇがプレート４２に載置されることとなるが、その際に、図６に示すように、ガラス製の蓄熱部材５１が加熱プレート４２の加熱面に埋設されていてもよい。この場合にも、基板Ｇの昇降の度に、蓄熱部材５１を昇降する必要がない。
【００５７】
次に、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）および図８を参照して、他の実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を説明する。図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、他の実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理を順次示す斜視図であり、図８はその断面図である。
【００５８】
本実施の形態では、ガラス製の予備加熱板５２が、基板Ｇの周縁部の下側に予め加熱されて配置され、加熱プレート４２による加熱前に、基板Ｇの周縁部を予備加熱するようになっている。
【００５９】
すなわち、予備加熱板５２は、基板Ｇの搬入前に、図７（ａ）に示すように、リフトピン４４ａにより支持されて加熱プレート４２の上方に配置され、予め加熱されており、その状態で基板Ｇが搬入される。図７（ｂ）に示すように、基板Ｇはリフトピン４４ｂ上に載置される。この場合に、基板Ｇが予備加熱板５２に密着するようにリフトピン４４ａおよび４４ｂの位置関係を調整しておく。このとき、基板Ｇの周縁部は予備加熱板５２により予備的に加熱されることとなる。
【００６０】
このように基板Ｇが予備加熱されている状態でリフトピン４４ａおよび４４ｂを降下させることにより、図７（ｃ）および図８に示すように、基板Ｇおよび予備加熱板５２が加熱プレート４２に近接した位置に配置され、基板Ｇの加熱処理が実施される。
【００６１】
このように、基板Ｇの加熱前に、基板Ｇの周縁部が予備加熱部材５２によって予備加熱されるため、従来加熱され難い基板Ｇの周縁部の加熱を促進することができ、基板Ｇの中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板Ｇの面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００６２】
また、この場合にも、基板Ｇおよび予備加熱板５２はいずれもガラス製であり、同じ材質であるから、図８に示すように、予備加熱板５２を基板Ｇの周縁部の下側に密着させた後、これを分離する際の剥離帯電を効果的に防止できる。
【００６３】
さらに、この実施形態の場合にも、加熱プレート４２にプロキシミティ用の固定ピンを配置し、その上に基板Ｇを載置して加熱処理を行ってもよい。また、基板Ｇの汚染防止の観点からプロキシミティ方式を採用することが好ましいが、必ずしもプロキシミティ方式を採用しなくてもよい。
【００６４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。上記実施の形態では、蓄熱部材および予備加熱部材を基板に密着させたが、必ずしも密着させる必要はなく、近接した位置に配置することにより一定の効果を得ることができる。また、蓄熱部材および予備加熱板は、基板と同じ材質である必要はなく、蓄熱部材および予備加熱部材として機能すれば材質は問わない。さらに、上記実施の形態ではＬＣＤ基板用の塗布・現像処理システムについて説明したが、ＬＣＤ基板用の以外の他の被処理基板、例えば半導体ウエハ用の塗布・現像処理システムにも本発明を適用できるし、塗布・現像処理システム以外の加熱処理にも適用することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置し、この蓄熱部材に加熱プレートからの熱を蓄熱させるため、基板の中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、中央部の温度上昇が抑制されて基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００６６】
また、本発明によれば、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置するので、相対的に中央部よりも加熱され難い基板の周縁部を有効に加熱することができ、基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】加熱処理ユニット（ＨＰ）の概略断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【図４】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を示す断面図。
【図５】図４に示す加熱処理工程の変形例を示す断面図。
【図６】図４に示す加熱処理工程の他の変形例を示す断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【図８】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を示す断面図。
【図９】従来の加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【符号の説明】
ＨＰ；加熱処理ユニット
４２；加熱プレート
４４ａ，４４ｂ；リフトピン
５１；蓄熱部材
５２；予備加熱板
Ｇ；ＬＣＤ基板Patent application title: HEAT PROCESSING APPARATUS AND HEAT PROCESSING METHOD
[Claim of claim]
1. A heat treatment apparatus for heating a substrate, comprising:
A heating plate for heating the substrate;
It is disposed between the heating plate and the substrate at a position corresponding to the central portion of the substrate, and when heated by the heating plate, is disposed at the central portion of the substrate and stores part of the heat from the heating plate Heat storage member and
A heat treatment apparatus comprising:
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat storage member is in close contact with the central portion of the substrate when the substrate is heated.
3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the substrate and the heat storage member are formed of the same material.
4. A plurality of lift pins for raising and lowering the carried-in substrate and placing the substrate on the heating plate, the heat storage member being disposed at the tip of the lift pins corresponding to the central portion of the substrate. The heat treatment apparatus according to claim 2 or 3, wherein the heat storage member and the substrate are lowered by the lift pin in close contact with each other.
5. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat storage member is embedded in a heating surface of the heating plate.
6. A heat treatment apparatus for heating a substrate, comprising:
A heating plate for heating the substrate;
A preheating member disposed in advance in a portion corresponding to the substrate peripheral portion between the heating plate and the substrate, for preheating the peripheral portion of the substrate before heating by the heating plate;
A heat treatment apparatus comprising:
7. The heat processing apparatus according to claim 6, wherein the preheating member is in close contact with the peripheral portion of the substrate when the substrate is heated.
8. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein the substrate and the preheating member are formed of the same material.
9. A plurality of lift pins for raising and lowering the carried-in substrate and placing the substrate on the heating plate, wherein the preheating member is preheated by the heating plate and lifted by the lift pins. 9. The heat processing apparatus according to claim 7, wherein the peripheral portion of the substrate is preheated while being lowered together with the substrate placed on the lift pins.
10. A heating process characterized in that when the substrate is heated by a heating plate, a heat storage member is disposed at the center of the surface of the substrate on the heating plate side to store part of the heat from the heating plate. Method.
11. When heating the substrate with a heating plate, prior to heating the substrate, pre-positioning a preheated member at a position corresponding to the substrate peripheral portion between the heating plate and the substrate is recommended. The heat treatment method to be characterized.
12. The heat treatment method according to claim 10, wherein the heat treatment is performed without bringing the substrate into contact with the heating plate.
[13]A heat treatment apparatus for heat treatment of a substrate, wherein
A heating plate for heating the substrate;
A heat storage member disposed between the heating plate and the substrate at a position corresponding to the central portion of the substrate and closely contacting the substrate to increase the heat capacity at the substantially central portion of the substrate;
A heat treatment apparatus comprising:
14.The heat treatment apparatus according to claim 13, wherein the heat storage member is formed of the same material as a substrate to be processed by the heating plate.
[15]A heat treatment method for heat treating a substrate with a heating plate, comprising:
By bringing a heat storage member into close contact with the substrate at the center of the surface on the heating plate side of the substrate, the heat capacity at the approximate center of the substrate can be increased to suppress the temperature rise at the center of the substrate A heat treatment method characterized in that the temperatures of the central portion and the peripheral portion of the heat treatment are equalized.
[16]The heat treatment method according to claim 15, wherein the substrate and the heat storage member are heat-treated in a state of being separated from the heating plate.
Detailed Description of the Invention
[0001]
Field of the Invention
The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for prebaking or postbaking a substrate, for example, in a photolithography process of a substrate such as an LCD substrate.
[0002]
[Prior Art]
For example, in the manufacture of a liquid crystal display (LCD), a photoresist solution is applied to a rectangular LCD substrate made of glass to form a resist film, and the resist film is exposed corresponding to the circuit pattern and developed. The circuit pattern is formed by so-called photolithography technology.
[0003]
In the photolithography process, an adhesion process is first performed on a rectangular LCD substrate (hereinafter referred to as a substrate) in order to improve the fixability of the resist, and then a resist coating process is performed. In the resist coating process, a resist solution is supplied to the central portion of the surface of the substrate while rotating the substrate, and the resist solution is diffused by centrifugal force to apply a resist film on the entire surface of the substrate. The substrate coated with the resist solution is prebaked by removing excess resist on the periphery of the substrate.
[0004]
Next, the substrate is cooled, a predetermined circuit pattern is exposed, and if necessary, post exposure baking and cooling are performed, and then development processing is performed to form a predetermined circuit pattern. Thereafter, a post-baking process is performed and the process is cooled to complete a series of processes.
[0005]
In such a coating / developing process, as shown in FIG. 9, in the heat treatment unit, the substrate G is placed on the plurality of lift pins 64 provided on the heating plate 62, as shown in FIG. Then, the lift pins 64 are lowered and the substrate G is heated by the heating plate 62. In recent years, in order to eliminate the adverse effect of particles and the like on the substrate, a so-called proximity method in which direct heating between the heating plate 62 and the substrate G is avoided and heating by radiant heat from the heating plate 62 is widely used.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, as shown in FIG. 9, when the substrate G is baked by the heating plate 62, the glass LCD substrate G has its central portion.ofThe temperature is higher than the peripheral portion, and as a result, the peripheral portion of the substrate G may be warped. This warpage is particularly significant in the case of the above-mentioned proximity method. Such warpage tends to increase as the size of the substrate increases recently, and such warpage may lead to fluctuation of the line width of the circuit pattern after development processing.
[0007]
In order to prevent such warpage, as shown in FIGS. 9A, 9B and 9C, when the substrate G is placed and lowered by the lift pins 64, the substrate G is lowered stepwise, G is made to approach the heating plate 62 stepwise. That is, the substrate G is gradually heated to make the in-plane temperature of the substrate G uniform, thereby avoiding a rapid temperature change of the substrate G and suppressing occurrence of warpage as much as possible.
[0008]
However, since the processing time of the baking process in the heat processing unit is limited, the time for stepwise lowering the substrate G is also limited, and as a result, the warpage of the substrate G as described above can not be sufficiently prevented. .
[0009]
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method capable of effectively preventing the warping of the substrate during the heat treatment of the substrate.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for heat treatment of a substrate, in order to solve the above-mentioned problems, comprising:
A heating plate for heating the substrate;
The heating plate is disposed at a position corresponding to the central portion of the substrate between the heating plate and the substrate, and is in close contact with the central portion of the substrate when heated by the heating plate to store part of the heat from the heating plate Heat storage member and
A heat treatment apparatus is provided, characterized by comprising:
[0011]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for heating a substrate, the heat treatment apparatus comprising:
A heating plate for heating the substrate;
A preheating member disposed in advance in a portion corresponding to the substrate peripheral portion between the heating plate and the substrate, for preheating the peripheral portion of the substrate before heating by the heating plate;
A heat treatment apparatus is provided, characterized by comprising:
[0012]
According to the third aspect of the present invention, when the substrate is heated by the heating plate, the heat storage member is disposed at the center of the surface of the substrate on the heating plate side to store part of the heat from the heating plate A heat treatment method is provided, characterized in that
[0013]
According to the fourth aspect of the present invention, in heating the substrate by the heating plate, the preheated preheated member is positioned at a position corresponding to the substrate peripheral portion between the heating plate and the substrate before heating the substrate. A heat treatment method is provided, characterized in that it is arranged in advance.
[0014]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for heat treatment of a substrate, the heat treatment apparatus comprising:
A heating plate for heating the substrate;
A heat storage member disposed between the heating plate and the substrate at a position corresponding to the central portion of the substrate and closely contacting the substrate to increase the heat capacity at the substantially central portion of the substrate;
A heat treatment apparatus is provided, characterized by comprising:
[0015]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment method for heat treating a substrate with a heating plate,
By bringing a heat storage member into close contact with the substrate at the center of the surface on the heating plate side of the substrate, the heat capacity at the approximate center of the substrate can be increased to suppress the temperature rise at the center of the substrate A heat treatment method is provided, characterized in that the temperatures of the central portion and the peripheral portion of the
[0016]
According to the first and third aspects, the heat storage member is disposed at the central portion of the surface of the substrate on the heating plate side, and the heat storage member has the heat capacity at the central portion of the substrate to store heat from the heating plate. The same effect as the increase can be obtained, and the temperature rise at the central portion can be suppressed to heat the central portion and the peripheral portion of the substrate to a uniform temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, and warpage of the substrate can be prevented.
[0017]
In this case, when the heat storage member is in close contact with the central portion of the substrate when the substrate is heated, the heat capacity increasing effect of the heat storage member is increased, and the temperature rise can be suppressed more effectively.
[0018]
In addition, when the substrate and the heat storage member are formed of the same material, it is assumed that they are in close contact with each other.TheAlso, it is possible to make it difficult to peel off and to reduce the influence of static electricity.
[0019]
In this case, the heat storage member is disposed at the tip of the lift pins corresponding to the center of the substrate among a plurality of lift pins for raising and lowering the loaded substrate and placing the substrate on the heating plate, and the heat storage member and the substrate By lowering the lift pin in a close contact state, the temperature rise at the central portion of the substrate can be effectively suppressed.
[0020]
Furthermore, by burying the heat storage member on the heating surface of the heating plate, it is not necessary to move the heat storage member up and down every time the substrate is moved up and down. It can be suppressed.
[0021]
Furthermore, the heat treatment is preferably performed without the substrate being in direct contact with the heating plate. This can prevent contamination of the substrate from the heating plate.
[0022]
According to the second and fourth aspects of the present invention, the preheating member preheated is pre-disposed at a position corresponding to the substrate peripheral portion between the heating plate and the substrate before heating the substrate, so that relative Thus, the peripheral portion of the substrate which is more difficult to be heated than the central portion can be effectively heated, and the central portion and the peripheral portion of the substrate can be heated to an even temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, and warpage of the substrate can be prevented.
[0023]
In this case, the preheating member is in close contact with the peripheral portion of the substrate when the substrate is heated, so that the peripheral portion of the substrate can be effectively preheated.
[0024]
In addition, since the substrate and the preheating member are formed of the same material, even if they are in close contact with each other, peeling and charging can be difficult, and the influence of static electricity can be reduced.
[0025]
Furthermore, after the substrates are raised by a plurality of lift pins for raising and lowering the loaded substrate and placing them on the heating plate, the peripheral portions of the substrates are lowered while the preheating members are lowered together with the substrates placed on these lift pins. By preheating the substrate, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, and the substrate can be prevented from warping.
[0026]
Furthermore, also in this case, the heat treatment is preferably performed without the substrate being in direct contact with the heating plate. This can prevent contamination of the substrate from the heating plate.
[0027]
According to the fifth and sixth aspects, by bringing the heat storage member into close contact with the central portion, the heat capacity at substantially the central portion of the substrate can be substantially increased. While suppressing the temperature, the temperatures of the central portion and the peripheral portion of the substrate can be made uniform. That is, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, which can prevent the substrate from warping.
[0028]
In this case, if the substrate and the heat storage member are formed of the same material, it is difficult to peel off and charge. It becomes. The heat treatment is preferably performed without the substrate and the heat storage member being in direct contact with the heating plate, whereby the temperature rise due to the direct heating from the heating plate of the heat storage member can be suppressed. Contamination is also prevented.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a coating and developing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
[0030]
The coating / developing processing system comprises: a cassette station 1 on which a cassette C containing a plurality of substrates G is placed; and a plurality of processing units for performing a series of processing including resist coating and development on the substrates G And an interface unit 3 for transferring the substrate G between the exposure apparatus (not shown), and the cassette station 1 and the interface at both ends of the processing unit 2 respectively.DepartmentThree are arranged.
[0031]
The cassette station 1 includes a transport mechanism 10 for transporting the LCD substrate between the cassette C and the processing unit 2. Then, the cassette C is carried in and out at the cassette station 1. Further, the transport unit 10 includes a transport mechanism 11 capable of moving on the transport path 10 a provided along the arrangement direction of the cassettes, and transport of the substrate G between the cassette C and the processing unit 2 by the transport arm 11 is performed. To be done.
[0032]
The processing unit 2 is divided into a front stage 2a, a middle stage 2b, and a rear stage 2c, and each has conveyance paths 12, 13 and 14 at the center, and processing units are disposed on both sides of these conveyance paths. There is. And the relay parts 15 and 16 are provided between these.
[0033]
The front stage portion 2a includes a main transport unit 17 movable along the transport path 12. Two cleaning units (SCRs) 21a and 21b are disposed on one side of the transport path 12, and the transport path An ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 25 and a heating processing unit (HP) 26 and a cooling unit (COL) 27 which are respectively stacked in upper and lower two stages are disposed on the other side of 12.
[0034]
The middle portion 2b is provided with a main transfer unit 18 movable along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, the resist coating unit (CT) 22 and the resist of the peripheral portion of the substrate G are provided. An edge remover (ER) 23 is integrally provided on the other side of the transport path 13. A heat processing unit (HP) 28 formed by stacking in two stages, a heat processing unit and a cooling processing unit are vertically arranged. A heat treatment / cooling unit (HP / COL) 29 stacked on top of one another and an adhesion processing / cooling unit (AD / COL) 30 in which the adhesion processing unit and the cooling unit are stacked one on top of the other are arranged.
[0035]
Furthermore, the rear part 2c is provided with a main conveyance device 19 movable along the conveyance path 14, and on one side of the conveyance path 14, three development processing units 24a, 24b and 24c are disposed, The other side of the transport path 14 is a heating processing unit 31 stacked in two upper and lower stages, and two heating processing / cooling units (HP / COL) 32 in which a heating processing unit and a cooling processing unit are stacked vertically 33 are arranged.
[0036]
The processing unit 2 arranges only spinner units such as the cleaning processing unit 21a, the resist processing unit 22, and the development processing unit 24a on one side across the transport path, and the heat processing unit on the other side. Only a thermal processing unit such as a cooling processing unit is disposed.
[0037]
In addition, a chemical solution supply unit 34 is disposed in a portion on the spinner system unit disposition side of the relay units 15 and 16, and a space 35 in which the main transfer device can be taken in and out is provided.
[0038]
The main transfer device 17 delivers and receives the substrate G to and from the transfer mechanism 11 of the transfer unit 10, and carries the substrate G into and out of each processing unit of the front stage 2a and further to the transfer unit 15. It has a function of transferring the substrate G. In addition, the main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the relay unit 15, transfers the substrate G to and from each processing unit in the middle portion 2b, and transfers the substrate G to and from the relay unit 16. Have the ability to Furthermore, the main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 16, transfers the substrate G to and from each processing unit of the rear unit 2c, and transfers the substrate G to and from the interface unit 3. Have the ability to The relays 15 and 16 also function as cooling plates.
[0039]
The interface unit 3 includes an extension 36 for temporarily holding a substrate when transferring a substrate to and from the processing unit 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for arranging buffer cassettes. And a transfer mechanism 38 for carrying in and out the substrate G between the exposure apparatus (not shown) and the exposure apparatus (not shown). The transport mechanism 38 includes a transport arm 39 movable on the transport path 38a provided along the arrangement direction of the extensions 36 and the buffer stage 37. The transport arm 39 moves the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Transport is performed.
[0040]
By integrating and integrating the processing units in this manner, space saving and processing efficiency can be achieved.
[0041]
In the coating / development processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, and in the processing unit 2, first, the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) of the front stage 2 a After surface modification / cleaning treatment and subsequent cooling at 25, scrubber cleaning is performed at the cleaning units (SCR) 21a and 21b, and after being heat-dried at one of the heat processing units (HP) 26, the cooling unit (COL) It is cooled by one of 27.
[0042]
Thereafter, the substrate G is transported to the middle step 2b, subjected to hydrophobization treatment (HMDS treatment) in the adhesion processing unit (AD) on the upper side of the unit 30 to improve the fixability of the resist, and cooled in the cooling unit (COL) Thereafter, a resist is applied by a resist application unit (CT) 22 and an edge remover (ER) 23 removes excess resist on the periphery of the substrate G. Thereafter, the substrate G is prebaked in one of the heat treatment units (HP) in the middle portion 2b and cooled in the lower cooling unit (COL) of the unit 29 or 30.
[0043]
Thereafter, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus through the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. Then, the substrate G is again carried in via the interface unit 3 and developed by any of the development processing units (DEV) 24a, 24b, 24c to form a predetermined circuit pattern. The substrate G subjected to the development processing is subjected to post-baking processing in one of the heat processing units (HP) in the rear stage 2c, and then cooled in the cooling unit (COL). And, it is accommodated in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the transport mechanism 11.
[0044]
Next, the heat treatment unit (HP) will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the heat treatment unit (HP).
As shown in FIG. 2, the heat treatment unit (HP) for performing the pre-baking process or post-baking process has a liftable cover 41, and under the cover 41, the substrate G is heated. The heating plate 42 is disposed with its heating surface horizontal. A heater (not shown) is attached to the heating plate 42 and can be set to a desired temperature.
[0045]
A plurality of holes are formed in the heating plate 42, and a plurality of lift pins 44a and 44b are vertically movably provided by inserting the holes. Lower portions of the lift pins 44 a and 44 b are horizontally movably supported by a support member 45, and the support member 45 is configured to be moved up and down by an elevating mechanism 46.
[0046]
The lift pins 44 a are disposed on the outer portion of the plate 42, and the lift pins 44 b are disposed on the inner portion of the plate 42. The lift pins 44a directly support the substrate G, and the lift pins 44b support the substrate G via a heat storage member 51 described later.
[0047]
The heat treatment is preferably performed in a state where the substrate G and the heat storage member 51 are placed on the lift pins 44a and 44b and the substrate G and the heat storage member 51 are separated from the heating plate 42, as shown in FIG. Thus, the substrate G is heated by radiation heat from the heating plate 42 by adopting a so-called proximity method to avoid direct contact between the heating plate 42 and the substrate G, and the substrate G from the heating plate 42 is Contamination is prevented.
[0048]
Next, the heat treatment process in the heat treatment unit (HP) will be described with reference to FIGS. 3 (a), (b), (c) and FIG. 3 (a), (b) and (c) are perspective views sequentially showing the heat treatment process by the heat treatment unit according to the present embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view thereof.
[0049]
In the present embodiment, when the substrate G is subjected to heat treatment such as pre-baking treatment or post-baking treatment by the heat treatment unit (HP), a heat storage member 51 made of glass is provided below the central portion of the substrate G. The heat from the heating plate 42 is stored by the heat storage member 51.
[0050]
That is, as shown in FIG. 3A, the lift pins 44a and 44b are protruded, and the heat storage member 51 is placed in advance on the tip of the lift pin 44b on the central portion side, and the substrate G is heated by the main transfer device. The heat storage member 51 is disposed below the central portion of the substrate G when it is carried to (HP).
[0051]
Next, as shown in FIG. 3B, the substrate G is placed on the lift pins 44a, and at this time, the substrate G and the heat storage member 51 are brought into close contact with each other. In this case, the heights of the lift pins 44a and 44b are adjusted in advance by an alignment mechanism (not shown).
[0052]
Next, as shown in FIG. 3C, the substrate G in a state in which the heat storage member 51 is in close contact is disposed at the heat treatment position near the heating plate 42, and the heat treatment is performed. During the heat treatment, the heat storage member 51 is disposed between the central portion of the substrate G and the heating plate 42.
[0053]
In this case, when the substrate G is heated by the heating plate 42 shown in FIG. 3C and FIG. 4, the heat from the heating plate 42 is stored in the heat storage member 51, so the heat capacity at the approximate center of the substrate G is large. The same effect can be obtained, and as a result, the temperature rise at the central portion of the substrate G is suppressed, and the central portion and the peripheral portion of the substrate G are heated to an even temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate G can be made uniform, and warpage of the substrate G can be effectively prevented.
[0054]
Further, since the substrate G and the heat storage member 51 are both made of glass and made of the same material, they are separated after the heat storage member 51 is brought into close contact with the lower side of the central portion of the substrate G as shown in FIG. It is possible to effectively prevent peeling charge during the process.
[0055]
Furthermore, FIG.Or Figure 6As shown in the drawing, in the proximity system, the heat storage member 51 made of glass may be placed or embedded in the heating surface of the heating plate 42. In this case, it is not necessary to raise and lower the heat storage member 51 every time the substrate G is raised and lowered. Alternatively, a fixing pin for proximity may be disposed on the heating plate 42, and the substrate G may be placed thereon to perform the heating process.
[0056]
Although it is preferable to adopt the proximity method from the viewpoint of preventing the contamination of the substrate G as described above, the proximity method may not necessarily be adopted. In this case, the substrate G is placed on the plate 42. At this time, as shown in FIG. 6, even if the heat storage member 51 made of glass is embedded in the heating surface of the heating plate 42. Good. Also in this case, it is not necessary to raise and lower the heat storage member 51 every time the substrate G is raised and lowered.
[0057]
Next, with reference to FIGS. 7 (a), (b), (c) and FIG. 8, the heat treatment process by the heat treatment unit according to the other embodiment will be described. 7 (a), (b) and (c) are perspective views sequentially showing the heat treatment by the heat treatment unit according to another embodiment, and FIG. 8 is a cross-sectional view thereof.
[0058]
In the present embodiment, a glass preheating plate 52 is preheated and disposed below the periphery of the substrate G so that the periphery of the substrate G is preheated before heating by the heating plate 42. It has become.
[0059]
That is, as shown in FIG. 7A, the preliminary heating plate 52 is supported by the lift pins 44a and disposed above the heating plate 42 and previously heated, as shown in FIG. 7A, before the substrate G is loaded. G is carried in. As shown in FIG. 7B, the substrate G is placed on the lift pins 44b. In this case, the positional relationship between the lift pins 44 a and 44 b is adjusted so that the substrate G is in close contact with the preheating plate 52. At this time, the peripheral portion of the substrate G is preliminarily heated by the preheating plate 52.
[0060]
By lowering the lift pins 44a and 44b while the substrate G is thus preheated, the substrate G and the preheating plate 52 are brought close to the heating plate 42 as shown in FIGS. 7 (c) and 8. The heat treatment of the substrate G is performed at the position.
[0061]
As described above, since the peripheral portion of the substrate G is preheated by the preheating member 52 before the substrate G is heated, heating of the peripheral portion of the substrate G, which is conventionally difficult to be heated, can be promoted. The part and the peripheral part can be heated to an even temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate G can be made uniform, and warping of the substrate can be prevented.
[0062]
Also in this case, since the substrate G and the preliminary heating plate 52 are both made of glass and made of the same material, the preliminary heating plate 52 is in close contact with the lower side of the peripheral portion of the substrate G as shown in FIG. It is possible to effectively prevent the peeling charge at the time of separation after separation.
[0063]
Furthermore, also in the case of this embodiment, a fixing pin for proximity may be disposed on the heating plate 42, and the substrate G may be placed thereon to carry out heat treatment. Further, it is preferable to adopt the proximity method from the viewpoint of preventing the contamination of the substrate G, but the proximity method may not necessarily be adopted.
[0064]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. In the above embodiment, the heat storage member and the preheating member are in close contact with the substrate. However, the heat storage member and the preheating member do not necessarily have to be in close contact, and a certain effect can be obtained by arranging them close to each other. Further, the heat storage member and the preheating plate do not have to be the same material as the substrate, and any material can be used as long as they function as the heat storage member and the preheating member. Furthermore, although the coating / developing processing system for LCD substrates has been described in the above embodiment, the present invention can be applied to coating / developing processing systems for other substrates other than for LCD substrates, such as semiconductor wafers. It can also be applied to heat treatment other than coating and development processing systems.
[0065]
【Effect of the invention】
As described above, according to the present invention, the heat storage member is disposed at the central portion of the surface on the heating plate side of the substrate, and the heat storage member stores heat from the heating plate. The same effect as the increase can be obtained, and the temperature rise at the central portion can be suppressed to heat the central portion and the peripheral portion of the substrate to a uniform temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, and warpage of the substrate can be prevented.
[0066]
Further, according to the present invention, since the preheated preheating member is disposed at a position corresponding to the peripheral portion of the substrate between the heating plate and the substrate before heating the substrate, it is possible to relatively increase relative to the central portion. The peripheral portion of the substrate which is difficult to be heated can be effectively heated, and the central portion and the peripheral portion of the substrate can be heated to a uniform temperature. Therefore, the in-plane temperature of the substrate can be made uniform, and warpage of the substrate can be prevented.
Brief Description of the Drawings
FIG. 1 is a plan view showing a coating and developing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP).
FIG. 3 is a perspective view sequentially showing a heat treatment process by the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a heat treatment process by the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a modification of the heat treatment process shown in FIG. 4;
6 is a cross-sectional view showing another modification of the heat treatment process shown in FIG. 4;
FIG. 7 is a perspective view sequentially showing a heat treatment process by a heat treatment unit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a heat treatment process by a heat treatment unit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view sequentially showing a heat treatment process by a conventional heat treatment unit.
[Description of the code]
HP; heat treatment unit
42; heating plate
44a, 44b; lift pins
51; heat storage member
52; Preheating plate
G; LCD substrate
