JP2000057633A - 光記録媒体およびその製造用原盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大きなプリフォーマット信号を有し、かつそ
の信号の変動の少ないプリフォーマットを有する光記録
媒体を提供する。 【解決手段】 光散乱性の粗面状のプリフォーマット２
を有する光記録媒体１において、該粗面の平均面粗さＲ
ａが０．０２μｍ以上０．５μｍ以下であり、かつ最大
面粗さＲｚが平均面粗さＲａの５倍以下である光記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録再生を行う光記録媒体とその製造用原盤に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、社会の情報化が進み、多種多様の
情報を効率よく扱う手段として、光ディスク、光カー
ド、光テープ等の光学的に情報の記録または再生を行う
情報記録媒体及び情報記録再生装置が多く提案されてい
る。光記録媒体の特徴としては、記録密度が高く、且つ
非接触で記録再生が可能なために、寿命が長い等の優れ
た点がある。

【０００３】光記録媒体の記録方法には、結晶−非結晶
の相変化に伴う反射率の変化、ピット（穴）の有無の様
な表面形状の変化に伴う反射光強度の変化、磁気光学効
果による偏光面の変化を反射光強度変化を変換して検出
する方法が知られている。

【０００４】光記録媒体の記録面には、予めオートトラ
ッキングを行うためのトラッキングトラック（以下、グ
ルーブと称す）、及びセクタ又はトラック番号等のプリ
フォーマット情報のピット列（以下、プリピットと称
す）からなるプリフォーマットが形成されている。

【０００５】光記録媒体のグルーブから得られるトラッ
ク横断信号及びプリピットから得られるプリピット信号
（以下、両者をまとめてプリフォーマット信号と称す）
の大きさは、外乱（例えば振動、媒体表面のほこり、ゴ
ミ、傷）に対する抗力に比例するため、信号量が大きく
なるようにプリフォーマットの形状が工夫されている。

【０００６】プリフォーマットの形状としては、例えば
特公平０７−６４１４１号公報、特公平３−５９４９３
号公報及び特許第２５０８７８８号に開示されている様
に、プリフォーマットが平均面組さ０．０５μｍ〜ｌμ
ｍである光散乱性の粗面形状からなるものが知られてい
る。

【０００７】光散乱性の粗面形状からなるプリフォーマ
ットの場合、グルーブ及びプリピットの内部全面が光散
乱性を示すため、大きなプリフォーマット信号が得られ
る利点がある。

【０００８】上記粗面状プリフォーマットを有する光記
録媒体を製造するための原盤の作製方法は、半導体製造
用のフォトリソグラフィー技術（以下、フォトリソ）を
用いて、ガラス基板上のフォトレジストに所定のパター
ニングを行って作製する方法が公知であり、具体的に
は、 平滑なガラス基板上にフォトレジストを所定の厚み
に形成する工程、フォトレジストを研磨等で粗面化され
たガラスで露光し表面全体が粗面なフォトレジストの潜
像を得る工程、通常のパターニング露光を行いガラス基
板上にプリフォーマットの潜像を形成する工程、形成さ
れた潜像を現像する工程、から作製する方法、 予め研磨等で粗面化されたガラス基板にフォトレジ
ストを成膜する工程、パターニング露光を行う工程、潜
像を現像する工程、から作製する方法、 ドライエッチング耐性の低い材料を使用しフォトリ
ソ工程でプリフォーマットを形成した後、ドライエッチ
ングでプリフォーマットを粗面化する方法、等が知られ
ている。

【０００９】上記粗面状のプリフォーマットを備えた原
盤は、通常のフォトリソ工程に粗面化ガラス製作工程、
粗面化露光工程、またはドライエッチング工程のどれか
一つ又は二つの工程を加えることで作製できるため安価
に製造することができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の粗面化されたプ
リフォーマット原盤は安価に作製でき、その原盤から作
製される光記録媒体は大きなトラック横断信号及びプリ
ピット信号が得られる反面、それらの信号の変動が大き
いという問題があった。

【００１１】上記原因を鋭意検討した結果、以下のこと
がわかった。粗面プリフォーマットを形成するために必
要な粗面化されたガラスを作製する方法によれば、粗面
化ガラスは＃４０００程度の研磨剤により研磨またはサ
ンドブラストで加工することにより得られるが、研磨剤
の粒度分布が大きく、さらに機械加工で行うため加工精
度が悪いという原因でこれらの方法で作製された粗面の
平均面粗さＲａに対する最大面粗さＲｚの大きさが非常
に大きくなること、またドライエッチングによる方法に
よれば、ドライエッチングの際のエッチングガスの局在
的な濃度変動および高周波電力密度の局在的な密度変動
によりエッチングされた粗面の平均面粗さに対する最大
面粗さの大きさが非常に大きくなることが判明した。

【００１２】その結果、粗面の平均面粗さに対する最大
面粗さの大きさが大きいために最終的に得られる光記録
媒体のプリフォーマット信号の変動が大きくなるという
ことがわかった。

【００１３】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、大きなプリフォーマッ
ト信号を有し、かつその信号の変動の少ないプリフォー
マットを有する光記録媒体及びその光記録媒体の製造用
の原盤を安価に提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる第１の発
明は、光散乱性の粗面状のプリフォーマットを有する光
記録媒体において、該粗面の平均面粗さＲａが０．０２
以上０．５μｍ以下であり、かつ最大面粗さＲｚが、平
均面粗さＲａの５倍以下の光記録媒体である。

【００１５】光散乱性の粗面状のプリフォーマットの最
大面粗さＲｚが、平均面組さＲａの４倍以下にすること
によってプリフォーマット信号の変動を小さく抑えるこ
とができる。

【００１６】また、本発明に係わる第２の発明は、光散
乱性の粗面状のプリフォーマットを有する光記録媒体製
造用原盤において、粗面状のプリフォーマットがフォト
レジストと０．００８μｍ以上０．２μｍ以下の平均粒
径で最大粒径が０．５μｍ以下である粒子との混合物で
形成されている第１の発明の光記録媒体の製造用原盤で
ある。

【００１７】上記材料からなる原盤において、粗面の形
成が微細な粒子を用いてプリフォーマットパターンを形
成することができるため、粒子の粒度分布を制御するこ
とで極めて容易に粗面の面粗さの平均値と最大値との差
を抑えることができ、変動の少ないプリフォーマット信
号が得られる。また本原盤は、通常のフォトリソ工程に
特殊な工程を付加することなく、フォトレジストに上記
粒子を添加することで作製できるため非常に安価にまた
容易に製造することができる。

【００１８】本発明においては、第２の発明のプリフォ
ーマットのフォトレジストが化学増幅型のフォトレジス
トで形成された光記録媒体の製造用原盤が好ましい。

【００１９】通常のフォトレジストの場合には、光誘起
反応が逐次的に起こり量子効率は１以下であるためフォ
トレジストに上記粒子を混合することにより、レジスト
膜の透過率が小さくなり、膜の下部の感光剤が感光しず
らくなる。しかし、化学増幅型フォトレジストの場合に
は連鎖反応もしくは触媒反応が起こり、量子効率は１以
上を得られるためにフォトレジストに粒子を入れて透過
率が小さくなっても自己増殖的に感光が起こり解像度の
良いパターニングが可能となるという利点がある。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の光記録媒体用原
盤について図面を参照して説明する。図１は本発明の光
記録媒体の一実施形態である光カードを示す概略図であ
り、図１（ａ）は平面概略図、図１（ｂ）は図１（ａ）
のプリフォーマットの部分拡大図である。

【００２１】同図において、粗面状のプリフォーマット
２は、粗面の平均面粗さＲａが０．０２μｍ以上０．５
μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．３μｍ以下
であり、かつ最大面粗さＲｚが、平均面粗さＲａの５倍
以下、好ましくは３倍以下で形成されたプリフォーマッ
トからなる。

【００２２】この光記録媒体のプリフォーマットの粗面
形成は、光媒体製造用原盤のプリフォーマットを粗面化
ガラスを用いて作製し、その原盤から光記録媒体を製造
する従来技術で示した公知の方法で製造できるが、製造
工程条件を極端に精度よく制御することが必要となる。

【００２３】そのため、本発明の光記録媒体を作製する
ために、図２に示す本発明の原盤を使用し光記録媒体を
製造することにより安価にかつ容易に光記録媒体の製造
ができる。

【００２４】図２は本発明の光記録媒体製造用原盤の一
実施形態である光カード製造用原盤を示す概略図であ
り、図２（ａ）は平面概略図、図２（ｂ）は図２（ａ）
のＡＡ線断面のプリフォーマットの部分拡大図である。

【００２５】図２（ｂ）に示す様に、本発明の光記録媒
体製造用原盤（以下、原盤と記す）３は、原盤用基板５
と、その上にフォトレジストと０．００８μｍ以上０．
２μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．１μｍ以
下の平均粒径であり、かつ最大粒径が０．５μｍ以下、
好ましくは０．３μｍ以下である粒子とが混合された材
料からなる粗面状プリフォーマット６から構成されてい
る。

【００２６】上記材料からなる原盤の粗面状プリフォー
マットの平均面粗さＲａは、材料（分散媒；本発明では
フォトレジスト）に含まれる粒子が単分散している場合
は、粒子の半径に等しくなること。しかし、実際の単分
散中の粒子は、十分に分散させても、１〜１０個程度の
粒子が凝集した形で存在するため、Ｒａは凝集粒子の平
均粒径、すなわち粒子５個分の平均粒径の１／２とな
る。そのため、Ｒａが０．０２μｍ以上０．５μｍ以下
とするには、単一粒子の平均粒径（直径）は０．０８μ
ｍ以上０．２μｍ以下であることが必要である。また、
原盤の平均面粗さＲａに対する最大面粗さＲｚは、凝集
粒子の最大凝集粒子数１０に単一粒径を乗じた大きさの
半分になることから、粗面状プリフォーマットのＲｚが
Ｒａの５倍以下とするには、凝集粒子のＲｚは、２．５
μｍ以下であることから、単一粒子の最大粒径は０．５
μｍ以下であることが必要である。

【００２７】上記粗面の面粗さＲａ、Ｒｚの測定は、ナ
ノメータ三次元測定機（オリンパス株式会社製）で行
い、粒子の粒径は、サブミクロン粒子アナライザーＣＯ
ＵＬＴＥＲ Ｎ４ ＰＬＵＳ（コールター株式会社）に
よって測定した。

【００２８】本発明の原盤を作製する方法を以下に述べ
る。まず、原盤用基板３の材料は、通常使用される原盤
用基板材料が使用でき、寸法精度及び機械的強度が優れ
ている材料が使用でき、例えば、ガラス及び金属等が使
用できる。

【００２９】ガラスとしては、ソーダガラス、ホウ珪酸
ガラスまたは石英ガラス等が使用でき、金属としては、
ステンレス鋼、超鋼合金及びニッケルクロム鋼等が使用
できる。

【００３０】上記原盤用基板の上にフォトレジストと
０．００８μｍ以上０．２μｍ以下の平均粒径で最大粒
径が０．５μｍ以下である粒子との混合物を均一な膜に
形成する。膜の厚みは公知の原盤のプリフォーマットパ
ターンの厚みと同じで０．０１μｍ〜５μｍ、好ましく
は０．０５μｍ〜２μｍ程度が好ましい。

【００３１】使用できるフォトレジストとしては、汎用
のポジ型フォトレジスト及びネガ型フォトレジストが使
用できる。ポジ型フォトレジストの場合、例えば、ノボ
ラック系フェノール樹脂と感光剤としてナフトキノンジ
アジドが一般的であり、市販のフォトレジストとして、
ヘキスト社のＡＺシリーズ、シプレイ社のＳＰＲシリー
ズ及び東京応化工業社のＯＦＰＲシリーズ等がある。ま
たネガ型フォトレジストの場合は、環化したシス−１，
４−ポリイソプレンと感光剤としてビスアジドが一般的
であり、市販のフォトレジストとして、コダック社のＫ
ＴＦＲシリーズ及び東京応化工業社のＯＭＲシリーズ等
がある。

【００３２】また、化学増幅型レジストを用いれば、上
述した理由によって解像度の良いパターンが得られる。
市販の化学増幅型フォトレジストとして、シプレイ社の
ＵＶシリーズ及び東京応化工業社のＴＤＵＲシリーズ等
がある。上記フォトレジストに平均粒径０．００８〜
０．２μｍで最大粒径が０．５μｍ以下である粒子を混
合させる。

【００３３】このようにして作製された原盤は、粗面プ
リフォーマットの平均面粗さＲａに対し最大面組さＲｚ
が、Ｒａの５倍以下で得られ、最終的に製造される光記
録媒体のプリフォーマット信号の変動を小さくすること
ができる。

【００３４】上記微粒子を作製する方法としては、ＣＶ
Ｄによる気相反応で作製する方法、熱プラズマにより作
製する方法、及び金属アルコキシドを加水分解して作製
する方法（一般に、ゾルゲル法と呼ばれている）等が知
られている。

【００３５】本発明で使用できる微粒子としては、レジ
ストと化学反応せず、機械的強度の大きい材料が好まし
く、例えば酸化チタン、窒化チタン、酸化珪素及び窒化
珪素等のセラミックス及びニッケル、コバルト及び鉄等
の金属が挙げられる。

【００３６】通常これらの粒子は、粒子単体でフォトレ
ジストに混合させると著しい凝集が起こり混合できない
ため、予め溶媒に分散させた粒子をフォトレジストに混
合させることによって良好な分散状態が得られる。その
ためゾルゲル法で作製されたセラミック微粒子が、製造
工程上容易に溶媒に分散させることができ適している。

【００３７】フォトレジストの樹脂成分に対する微粒子
の割合は、１〜８０重量％の範囲、好ましくは３〜４０
重量％の範囲であれば、膜強度が得られかつプリフォー
マット信号が十分得られる粗面を形成するため好まし
い。

【００３８】微粒子を含有するフォトレジストを原盤用
基板上に成膜する方法は、公知の塗布方法、例えば、ス
ピンナー法、ロールコート法及びスプレー法で形成でき
る。上記微粒子含有フォトレジストにプリフォーマット
パターンを露光し、現像することでパターニングされた
原盤が得られる。

【００３９】露光及び現像は公知の方法、例えば露光
は、コンタクト露光方法、ステッパーによる方法及びレ
ーザーカッティングマシンによる方法、現像は、ディッ
ピングによる方法、及びスピン現像による方法等が使用
できる。また必要によりプリベーク工程、ＰＥＢ工程、
ポストベーク工程を付加することもできる。

【００４０】このようにして得られた原盤から、公知な
方法、すなわち導電化膜形成工程、電鋳膜形成工程、電
鋳膜剥離工程を経てスタンパーを得ることができる。こ
のスタンパーのパターンをインジェクション成形、２Ｐ
成形、注型成形、押し出し成形等の樹脂成形で光記録媒
体のレーザ光照射側の透明基板に転写することでグルー
ブが形成された光記録媒体用透明基板が得られる。

【００４１】その上に記録層を成膜し接着剤を介して保
護基板を接着し、本発明の光記録媒体を得ることができ
る。この方法は、例えば、オプトロニクス社刊“続・わ
かりやすい光ディスク”に示されている。

【００４２】

【実施例】以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。

【００４３】実施例１ 以下のようにして、図２に示す光カード用原盤を作製し
た。まず、５インチ角の平均粗さＲａが１００Å以下
（０．０１μｍ以下）の石英ガラス基板に上にｇ線用ポ
ジ型フォトレジストＴＨＭＲ−ｉＰ３１００（東京応化
工業株式会社製；ノポラック樹脂４０％とメチル−３−
メトキシプロピオネート７０％の混合物）とシリカゾル
（日産化学株式会社製；イソプロピルアルコール７０％
と平均粒径０．１μｍで最大粒径０．２μｍの酸化珪素
３０％の混合物）を５対１の割合で混合し撹拌した溶液
をスピンコーティングで厚さ０．４μｍに成膜した。

【００４４】次に、ホットプレート上で９０℃、９０秒
のプリベークを行った後、所定のパターニングがなされ
ているフォトマスク（ＨＯＹＡ株式会社製）を使用し、
露光装置（ＰＬＡ−５００Ｆ、キヤノン株式会社製）、
光源（水銀キセノンショートアークランプＡＨＸＤ、
（株）オーク製作所製）を用いて、コンタクト露光方式
によるパターニングを行った。

【００４５】露光量は、ｉ線（３６５ｎｍ）で３０ｍＪ
／ｃｍ² で行い、マスクパターン寸法は、グルーブ幅
２．３μｍ、記録トラック幅９．７μｍ、ピッチ１２μ
ｍとした。次に、現像液ＮＭＤ−３（東京応化工業株式
会社製）で現像した。現像条件は、２３℃、６０秒、デ
ィッピング方式で行った。次に、クリーンオーブンにて
１３０℃、２０分のポストベークを行い、原盤とした。

【００４６】実施例２ 上記実施例１において、フォトレジストに混合する微粒
子の平均粒径を０．０１μｍ、最大粒径０．０５μｍと
した以外は実施例１と同じ方法で原盤を作製した。

【００４７】実施例３ 上記実施例１において、フォトレジストに混合する微粒
子の平均粒径を０．１８μｍ、最大粒径０．３μｍと
し、スピンコートでの膜厚をｌμｍとした以外は実施例
１と同じ方法で原盤を作製した。

【００４８】実施例４ 上記実施例１において、フォトレジストとして化学増幅
型のフォトレジストＵＶ２ＨＳ（シプレー社製）を使用
した以外は実施例１と同じ方法で原盤を作製した。

【００４９】比較例１ 上記実施例１において、フォトレジストに混合する微粒
子の平均粒径を０．００６μｍ、最大粒径０．０２μｍ
とした以外は実施例１と同じ方法で原盤を作製した。

【００５０】比較例２ 上記実施例１において、フォトレジストに混合する微粒
子の平均粒径を０．２５μｍ、最大粒径０．６０μｍと
し、スピンコートでの膜厚を２．０μｍとした以外は実
施例１と同じ方法で原盤を作製した。

【００５１】比較例３ まず、５インチ角の青板ガラス基板を、＃４０００の研
磨剤を用いてガラス研磨装置で研磨を行い粗面化ガラス
を作製した。その上にｇ線用ポジ型フォトレジストＴＨ
ＭＲ−ｉＰ３１００（東京応化工業株式会社製）をスピ
ンコーティングで厚さ０．４μｍに成膜した。以下、実
施例１と同じ工程を経て原盤を作製した。

【００５２】上記実施例１〜４、比較例１〜３の７種類
の原盤に対応して以下のようにそれぞれ７種類ずつのス
タンパーと光カードを作製した。まず、原盤に、スパッ
ター装置により、ニッケル薄膜を２０００Åの厚みで形
成した。次に、スパッターによるニッケル薄膜を電極と
して、電鋳装置により、ニッケルの電鋳膜を３００μｍ
の厚みに形成した。その後、電鋳膜を原盤から剥離して
スタンパーとした。

【００５３】次に、厚さ０．４ｍｍ、縦５４ｍｍ、横８
５ｍｍのポリカーボネート基板（パンライト；帝人化成
株式会社）の上にフォトポリマー樹脂を介してスタンパ
ーを重ね合わせてＵＶ光を照射し、透明基板にスタンパ
ーのパターンを転写した。

【００５４】次に、このプリフォーマットパターン上
に、ポリメチン系色素（ＩＲ−８２０：７５ｗｔ％とＩ
ＲＧ−０１１（下記に構造式を示す）：２５ｗｔ％の混
合体；日本化薬株式会社製）の濃度３．０ｗｔ％のジア
セトンアルコール溶液をグラビアコートし、乾燥した
後、厚さ９００Åの記録層を形成した。

【００５５】次に、厚さ０．３ｍｍ、縦５４ｍｍ、横８
５ｍｍのポリカーボネート製の基板（パンライト；帝人
化成株式会社製）に可視情報を印刷した保護基板を用意
した。次に、厚さ５０μｍのホットメルトタイプのドラ
イフィルムの接着剤（商品名：Ｏ−４１２１；クラボー
社製）を介して、光記録層の形成された透明基板と保護
基板を１２０℃でホットプレスして貼り合わせた。

【００５６】最後に透明基板の記録層と逆の面にハード
コート剤（商品名：ユニディック１７−８２４−９；大
日本インキ化学工業株式会社製）をスピンコートし、Ｕ
Ｖ光で硬化させ、厚さ１０μｍのハードコート層を形成
し、光カードを製造した。

【００５７】

【化１】

【００５８】上述のように作製された７種類の光カード
のプリフォーマットパターンのグルーブ線幅を原子間力
顕微鏡（東陽テクニカ株式会社製）で測定した。測定点
は、パターンの４角と中央の５点である。グルーブ線幅
の平均値と最大最小の測定結果を表１に示す。

【００５９】また、上記光カードについてそれぞれグル
ーブを記録再生用のレーザービーム（ビーム径２．５μ
ｍ）が横断した時の信号のコントラスト（トラック横断
信号のコントラスト）を測定した。コントラストの平均
値と最大最小の幅を表１に示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】（注）ｉ線はｉ線レジスト、化学増幅は化
学増幅型のレジストを示す。

【００６２】また、上記プリフォーマットの粗面の平均
面粗さＲａ、最大面粗さＲｚの測定を、ナノメータ三次
元測定機（オリンパス株式会社製）で行った。その結果
を表２に示す。

【００６３】

【表２】

【００６４】ＩＳＯ／１ＥＣｌｌ６９４によれば、グル
ーブ線幅の規格は、２．３±０．３μｍ、トラック横断
コントラストの規格は、０．３以上と定められている。
上記表からわかるように、微粒子の粒径が０．００６μ
ｍ以下のサンプル（比較例１）では、グルーブの線幅の
最大最小の幅は規格を満足するが、トラック横断信号コ
ントラストが小さくなり規格を満足できない。また、微
粒子の粒径が０．２５μｍサンプル（比較例２）では、
トラック横断信号コントラストは規格を満足するがグル
ーブの線幅の最大最小の幅は規格を満足できないことが
わかり、微粒子の粒径は、０．００８〜０．２μｍの範
囲であることが必要であることがわかった。

【００６５】また、実施例１と実施例４とを比較する
と、化学増幅型のフォトレジストを使用した実施例４
は、線幅の寸法精度が向上し、トラック横断コントラス
トの最大最小幅も減少し安定したプリフォーマット信号
が得られた。

【００６６】また、実施例３と公知の粗面のプリフォー
マット原盤である比較例３を比較すると、線幅精度は同
じであるが、本発明の原盤から作製された光カードのト
ラック横断信号コントラストは、平均値が大きく変動が
大きいことがわかる。この理由は、比較例３の光カード
のプリフォーマットの粗面を測定したところ、平均面粗
さＲａ＝０．２μｍ、最大面粗さＲｚ＝１．８μｍであ
り、平均面粗さに対し最大面粗さは９倍であることがわ
かり、そのため比較例３の光カードのトラック横断信号
コントラストが平均的に小さく、かつ変動が大きくなっ
たものと思われる。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の原盤を用
いた本発明の光記録媒体は、大きなプリフォーマット信
号を有し、かつプリフォーマット信号の変動が小さいと
いう効果が得られた。

【００６８】さらに、本発明の原盤は、公知の粗面化プ
リフォーマットを有する原盤を製造する方法に比べ特別
な工程を付加することなく製造することができるため、
安価にかつ容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一実施形態である光カー
ドを示す概略図である。

【図２】本発明の光記録媒体製造用原盤の一実施形態で
ある光カード製造用原盤を示す概略図である。

【符号の説明】 １ 光記録媒体 ２ 粗面状プリフォーマット ３ 原盤 ４，６ 原盤の粗面状プリフォーマット ５ 原盤用基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光散乱性の粗面状のプリフォーマットを
   有する光記録媒体において、該粗面の平均面粗さＲａが
   ０．０２μｍ以上０．５μｍ以下であり、かつ最大面粗
   さＲｚが平均面粗さＲａの５倍以下であることを特徴と
   する光記録媒体。
2. 【請求項２】 光散乱性の粗面状のプリフォーマットを
   有する光記録媒体製造用原盤において、粗面状のプリフ
   ォーマットがフォトレジストと０．００８μｍ以上０．
   ２μｍ以下の平均粒径であり、かつ最大粒径が０．５μ
   ｍ以下である粒子との混合物で形成されていることを特
   徴とする光記録媒体製造用原盤。
3. 【請求項３】 前記フォトレジストが化学増幅型のフォ
   トレジストである請求項２記載の光記録媒体製造用原
   盤。