JP2000055839A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
- Publication number
- JP2000055839A JP2000055839A JP22146098A JP22146098A JP2000055839A JP 2000055839 A JP2000055839 A JP 2000055839A JP 22146098 A JP22146098 A JP 22146098A JP 22146098 A JP22146098 A JP 22146098A JP 2000055839 A JP2000055839 A JP 2000055839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- fluorescent
- filter
- sample
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エネルギー分散型の検出器を用いた蛍光Ｘ線
分析装置において、大きい強度の蛍光Ｘ線が検出器に入
射することにより他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンド
が増大するのを防止して、分析性能を向上させた蛍光Ｘ
線分析装置を提供する。 【解決手段】 試料１から検出器５までの光路に、試料
１の主成分元素から発生する蛍光Ｘ線を減衰させるフィ
ルター６を備える。
分析装置において、大きい強度の蛍光Ｘ線が検出器に入
射することにより他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンド
が増大するのを防止して、分析性能を向上させた蛍光Ｘ
線分析装置を提供する。 【解決手段】 試料１から検出器５までの光路に、試料
１の主成分元素から発生する蛍光Ｘ線を減衰させるフィ
ルター６を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エネルギー分散型
の検出器を用いた蛍光Ｘ線分析装置において、大きい強
度の蛍光Ｘ線が検出器に入射することにより他の蛍光Ｘ
線全体のバックグラウンドが増大するのを防止して、分
析性能を向上させた蛍光Ｘ線分析装置に関する。
の検出器を用いた蛍光Ｘ線分析装置において、大きい強
度の蛍光Ｘ線が検出器に入射することにより他の蛍光Ｘ
線全体のバックグラウンドが増大するのを防止して、分
析性能を向上させた蛍光Ｘ線分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＳＳＤを検出器として備える全
反射蛍光Ｘ線分析装置を用いて、シリコンウエハを試料
としてその汚染物質を検出しようとするとき、ＳＳＤに
は、シリコンウエハの主成分元素たるけい素からのＳi
−Ｋα線が、汚染物質からの蛍光Ｘ線に比べはるかに大
きい強度で入射する。このような場合、図５の斜線部に
示すように、ＳＳＤの特性から、Ｓi −Ｋα線の近傍の
みならず、広いエネルギー範囲で、他の蛍光Ｘ線全体の
バックグラウンドが増大する。
反射蛍光Ｘ線分析装置を用いて、シリコンウエハを試料
としてその汚染物質を検出しようとするとき、ＳＳＤに
は、シリコンウエハの主成分元素たるけい素からのＳi
−Ｋα線が、汚染物質からの蛍光Ｘ線に比べはるかに大
きい強度で入射する。このような場合、図５の斜線部に
示すように、ＳＳＤの特性から、Ｓi −Ｋα線の近傍の
みならず、広いエネルギー範囲で、他の蛍光Ｘ線全体の
バックグラウンドが増大する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、汚染物質の
うち例えば鉄やニッケルからの蛍光Ｘ線のように、Ｓi
−Ｋα線からエネルギー的に離れたものについてもバッ
クグラウンドが増大し、その結果、汚染物質の検出下限
が高くなって、分析性能が低下する。
うち例えば鉄やニッケルからの蛍光Ｘ線のように、Ｓi
−Ｋα線からエネルギー的に離れたものについてもバッ
クグラウンドが増大し、その結果、汚染物質の検出下限
が高くなって、分析性能が低下する。
【０００４】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、エネルギー分散型の検出器を用いた蛍光Ｘ線分
析装置において、大きい強度の蛍光Ｘ線が検出器に入射
することにより他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンドが
増大するのを防止して、分析性能を向上させた蛍光Ｘ線
分析装置を提供することを目的とする。
もので、エネルギー分散型の検出器を用いた蛍光Ｘ線分
析装置において、大きい強度の蛍光Ｘ線が検出器に入射
することにより他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンドが
増大するのを防止して、分析性能を向上させた蛍光Ｘ線
分析装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１の蛍光Ｘ線分析装置は、試料に１次Ｘ線を
照射するＸ線源と、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出す
るエネルギー分散型の検出器とを備えた蛍光Ｘ線分析装
置において、試料から検出器までの光路に、試料の主成
分元素から発生する蛍光Ｘ線を減衰させるフィルターを
備えたことを特徴とする。
に、請求項１の蛍光Ｘ線分析装置は、試料に１次Ｘ線を
照射するＸ線源と、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出す
るエネルギー分散型の検出器とを備えた蛍光Ｘ線分析装
置において、試料から検出器までの光路に、試料の主成
分元素から発生する蛍光Ｘ線を減衰させるフィルターを
備えたことを特徴とする。
【０００６】請求項１の装置によれば、かかるフィルタ
ーによって、最も強度の大きい試料の主成分元素からの
蛍光Ｘ線を減衰させるので、エネルギー分散型の検出器
において他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンドが増大す
るのが防止され、検出すべき主成分元素以外の元素につ
いて検出下限が低くなって、分析性能が向上する。
ーによって、最も強度の大きい試料の主成分元素からの
蛍光Ｘ線を減衰させるので、エネルギー分散型の検出器
において他の蛍光Ｘ線全体のバックグラウンドが増大す
るのが防止され、検出すべき主成分元素以外の元素につ
いて検出下限が低くなって、分析性能が向上する。
【０００７】請求項２の蛍光Ｘ線分析装置は、請求項１
の装置において、前記フィルターが、高分子フィルムか
らなる。請求項２の装置によれば、フィルターの機械的
強度が大で、また、Ｘ線照射によるフィルターの劣化が
少なく、フィルターが長寿命である。
の装置において、前記フィルターが、高分子フィルムか
らなる。請求項２の装置によれば、フィルターの機械的
強度が大で、また、Ｘ線照射によるフィルターの劣化が
少なく、フィルターが長寿命である。
【０００８】請求項３の蛍光Ｘ線分析装置は、請求項２
の装置において、前記フィルターが、前記試料の主成分
元素よりも軽い元素のみからなる遮光膜を有し、さら
に、前記検出器のＸ線入射窓となっている。請求項３の
装置によれば、フィルターが、機械的強度が大であると
ともに、主成分元素以上に重い元素からの蛍光Ｘ線を透
過させつつ、可視光や紫外線を遮光するので、機械的強
度が大で遮光性を有するベリリウム薄膜等からなる従来
の検出器のＸ線入射窓に代えて用い、装置の構造を簡単
にすることができる。
の装置において、前記フィルターが、前記試料の主成分
元素よりも軽い元素のみからなる遮光膜を有し、さら
に、前記検出器のＸ線入射窓となっている。請求項３の
装置によれば、フィルターが、機械的強度が大であると
ともに、主成分元素以上に重い元素からの蛍光Ｘ線を透
過させつつ、可視光や紫外線を遮光するので、機械的強
度が大で遮光性を有するベリリウム薄膜等からなる従来
の検出器のＸ線入射窓に代えて用い、装置の構造を簡単
にすることができる。
【０００９】請求項４の蛍光Ｘ線分析装置は、請求項１
または２の装置において、前記フィルターを複数個備
え、前記試料から検出器までの光路に、前記フィルター
を選択的に配置させる選択手段を備える。請求項４の装
置によれば、試料の主成分元素や分析対象元素に応じ
て、適切なフィルターを用いることができる。また、主
成分元素よりも軽い元素や重さの近い元素からの蛍光Ｘ
線を検出したい場合等に、それらの強度を低下させうる
フィルターを光路から退避させることもできる。
または２の装置において、前記フィルターを複数個備
え、前記試料から検出器までの光路に、前記フィルター
を選択的に配置させる選択手段を備える。請求項４の装
置によれば、試料の主成分元素や分析対象元素に応じ
て、適切なフィルターを用いることができる。また、主
成分元素よりも軽い元素や重さの近い元素からの蛍光Ｘ
線を検出したい場合等に、それらの強度を低下させうる
フィルターを光路から退避させることもできる。
【００１０】請求項５の蛍光Ｘ線分析装置は、請求項１
ないし４のいずれかの装置において、全反射蛍光Ｘ線分
析装置であって、前記試料の主成分元素が、けい素であ
り、前記検出器が、ＳＳＤ、ＰＩＮフォトダイオードま
たはＳＤＤ（シリコンドリフトチャンバーディテクタ）
である。請求項５の装置においても、請求項１ないし４
の装置と同様の作用効果が得られる。
ないし４のいずれかの装置において、全反射蛍光Ｘ線分
析装置であって、前記試料の主成分元素が、けい素であ
り、前記検出器が、ＳＳＤ、ＰＩＮフォトダイオードま
たはＳＤＤ（シリコンドリフトチャンバーディテクタ）
である。請求項５の装置においても、請求項１ないし４
の装置と同様の作用効果が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態であ
る蛍光Ｘ線分析装置を図面にしたがって説明する。ま
ず、この装置の構成について説明する。図１に示すよう
に、この装置は、いわゆる全反射蛍光Ｘ線分析装置であ
って、試料たるシリコンウエハ１に１次Ｘ線２を照射す
るＸ線源３と、そのシリコンウエハ１から発生する蛍光
Ｘ線４を検出するＳＳＤ５とを備えている。ここで、こ
のＳＳＤ５のＸ線入射窓が、シリコンウエハ１の主成分
元素であるけい素から発生するＳi −Ｋα線を減衰させ
るフィルター６でもあり、具体的には、厚さ３μｍのポ
リイミドフィルム（高分子フィルム）に、けい素よりも
軽い元素のみからなる遮光膜、例えば、厚さ１５０ｎｍ
のアルミニウムの蒸着膜を設けたものである。遮光膜
は、Ｂe ，Ｂ，ＢＮ，Ｃ，Ｂ4 Ｃ等からなるものでもよ
く、積層方法も蒸着に限らない。
る蛍光Ｘ線分析装置を図面にしたがって説明する。ま
ず、この装置の構成について説明する。図１に示すよう
に、この装置は、いわゆる全反射蛍光Ｘ線分析装置であ
って、試料たるシリコンウエハ１に１次Ｘ線２を照射す
るＸ線源３と、そのシリコンウエハ１から発生する蛍光
Ｘ線４を検出するＳＳＤ５とを備えている。ここで、こ
のＳＳＤ５のＸ線入射窓が、シリコンウエハ１の主成分
元素であるけい素から発生するＳi −Ｋα線を減衰させ
るフィルター６でもあり、具体的には、厚さ３μｍのポ
リイミドフィルム（高分子フィルム）に、けい素よりも
軽い元素のみからなる遮光膜、例えば、厚さ１５０ｎｍ
のアルミニウムの蒸着膜を設けたものである。遮光膜
は、Ｂe ，Ｂ，ＢＮ，Ｃ，Ｂ4 Ｃ等からなるものでもよ
く、積層方法も蒸着に限らない。
【００１２】Ｘ線源３は、Ｘ線を発生するＸ線管７と、
その発生したＸ線を単色化するモノクロメータ８と、そ
の単色化されたＸ線を絞って１次Ｘ線２とする絞り９と
からなる。シリコンウエハ１は、試料台１０に固定さ
れ、試料台１０の下方にある、図示しないＸＹステー
ジ、高さ調整器、入射角調整器等により、１次Ｘ線２の
入射位置や入射角が調整される。シリコンウエハ１およ
びＳＳＤの少なくとも先端部は、真空雰囲気に置かれ
る。
その発生したＸ線を単色化するモノクロメータ８と、そ
の単色化されたＸ線を絞って１次Ｘ線２とする絞り９と
からなる。シリコンウエハ１は、試料台１０に固定さ
れ、試料台１０の下方にある、図示しないＸＹステー
ジ、高さ調整器、入射角調整器等により、１次Ｘ線２の
入射位置や入射角が調整される。シリコンウエハ１およ
びＳＳＤの少なくとも先端部は、真空雰囲気に置かれ
る。
【００１３】次に、この装置の作用について説明する。
Ｘ線源３からの１次Ｘ線２を、シリコンウエハ１の表面
に、例えば０．０５度程度の微小な入射角θ（図におい
ては誇張して表す）で入射させ、全反射したＸ線１４は
ＳＳＤ５に入射しないよう右方向へ逃がす。１次Ｘ線２
が照射されてシリコンウエハ１から発生した蛍光Ｘ線４
は、ＳＳＤ５のＸ線入射窓を兼ねたフィルター６を通過
して、ＳＳＤ５で検出される。
Ｘ線源３からの１次Ｘ線２を、シリコンウエハ１の表面
に、例えば０．０５度程度の微小な入射角θ（図におい
ては誇張して表す）で入射させ、全反射したＸ線１４は
ＳＳＤ５に入射しないよう右方向へ逃がす。１次Ｘ線２
が照射されてシリコンウエハ１から発生した蛍光Ｘ線４
は、ＳＳＤ５のＸ線入射窓を兼ねたフィルター６を通過
して、ＳＳＤ５で検出される。
【００１４】ここで、シリコンウエハ１から発生した蛍
光Ｘ線４には、分析対象である鉄、ニッケル等の汚染物
質からの蛍光Ｘ線の他、それらよりもはるかに強度の大
きいウエハの主成分元素たるけい素からのＳi −Ｋα線
が含まれ、前述したように、従来の技術によれば、図５
の斜線部に示したように広いエネルギー範囲で他の蛍光
Ｘ線全体のバックグラウンドを増大させ、汚染物質の検
出下限が高くなる原因となる。これに対し、第１実施形
態の装置では、フィルター６が、分析対象である鉄、ニ
ッケル等の重元素からの蛍光Ｘ線は高効率で透過させつ
つ、Ｓi −Ｋα線は１／１０程度しか透過させないた
め、スペクトル全体において、特に図４の斜線部に示す
ようにバックグラウンドが増大するのを防止する。さ
て、蛍光Ｘ線分析における検出下限ＬＬＤは、次式
（１）で表される。
光Ｘ線４には、分析対象である鉄、ニッケル等の汚染物
質からの蛍光Ｘ線の他、それらよりもはるかに強度の大
きいウエハの主成分元素たるけい素からのＳi −Ｋα線
が含まれ、前述したように、従来の技術によれば、図５
の斜線部に示したように広いエネルギー範囲で他の蛍光
Ｘ線全体のバックグラウンドを増大させ、汚染物質の検
出下限が高くなる原因となる。これに対し、第１実施形
態の装置では、フィルター６が、分析対象である鉄、ニ
ッケル等の重元素からの蛍光Ｘ線は高効率で透過させつ
つ、Ｓi −Ｋα線は１／１０程度しか透過させないた
め、スペクトル全体において、特に図４の斜線部に示す
ようにバックグラウンドが増大するのを防止する。さ
て、蛍光Ｘ線分析における検出下限ＬＬＤは、次式
（１）で表される。
【００１５】ＬＬＤ＝３Ｋ（Ｂ／Ｔ）1/2 …（１）
【００１６】ここで、Ｋは、Ｘ線強度から濃度への換算
係数であり、検量線勾配と呼ばれる。Ｂは、バックグラ
ウンドのＸ線強度、Ｔは測定時間である。一例として、
この（１）式に、Ｎi の分析性能について、従来の装置
および第１実施形態の装置によるＢ，Ｋ，Ｔの各数値を
当てはめると、従来の装置のＬＬＤ＝１．３×１０9ato
ms/cm2 、第１実施形態の装置のＬＬＤ＝９．７×１０
8 atoms/cm2 が得られる。すなわち、第１実施形態の装
置によって、Ｎi の検出下限が１０8 レベルまで低くな
って、分析性能が向上する。
係数であり、検量線勾配と呼ばれる。Ｂは、バックグラ
ウンドのＸ線強度、Ｔは測定時間である。一例として、
この（１）式に、Ｎi の分析性能について、従来の装置
および第１実施形態の装置によるＢ，Ｋ，Ｔの各数値を
当てはめると、従来の装置のＬＬＤ＝１．３×１０9ato
ms/cm2 、第１実施形態の装置のＬＬＤ＝９．７×１０
8 atoms/cm2 が得られる。すなわち、第１実施形態の装
置によって、Ｎi の検出下限が１０8 レベルまで低くな
って、分析性能が向上する。
【００１７】また、第１実施形態の装置によれば、フィ
ルター６が、ポリイミドフィルムにアルミニウムの遮光
膜を設けたものであって、機械的強度が大であるととも
に、重元素からの蛍光Ｘ線を透過させつつ、可視光や紫
外線を遮光するので、ベリリウム薄膜等からなる従来の
検出器のＸ線入射窓に代えて用い、装置の構造を簡単に
することができる。さらに、Ｘ線照射によるフィルター
６の劣化が少なく、長寿命でもある。
ルター６が、ポリイミドフィルムにアルミニウムの遮光
膜を設けたものであって、機械的強度が大であるととも
に、重元素からの蛍光Ｘ線を透過させつつ、可視光や紫
外線を遮光するので、ベリリウム薄膜等からなる従来の
検出器のＸ線入射窓に代えて用い、装置の構造を簡単に
することができる。さらに、Ｘ線照射によるフィルター
６の劣化が少なく、長寿命でもある。
【００１８】次に、本発明の第２実施形態である蛍光Ｘ
線分析装置を図面にしたがって説明する。図２に示すよ
うに、この装置は、ＳＳＤ１５が、ベリリウム薄膜から
なるＸ線入射窓１５ａを有する従来のものであり、フィ
ルター１６は、Ｘ線入射窓１５ａとは別にしかも２つ設
けられており、さらに、シリコンウエハ１から検出器１
５までの光路に、フィルター１６Ａ，１６Ｂを選択的に
配置させる選択手段１３を備えている点で、前記第１実
施形態の装置と異なり、その他の構成については、同様
であるので説明を省略する。
線分析装置を図面にしたがって説明する。図２に示すよ
うに、この装置は、ＳＳＤ１５が、ベリリウム薄膜から
なるＸ線入射窓１５ａを有する従来のものであり、フィ
ルター１６は、Ｘ線入射窓１５ａとは別にしかも２つ設
けられており、さらに、シリコンウエハ１から検出器１
５までの光路に、フィルター１６Ａ，１６Ｂを選択的に
配置させる選択手段１３を備えている点で、前記第１実
施形態の装置と異なり、その他の構成については、同様
であるので説明を省略する。
【００１９】具体的には、選択手段１３は、モータ１１
と支持体１２からなり、図３の平面図に示すように、モ
ータ１１の軸１１ａ（図２）の回転により、その軸に固
定された支持体１２に設けられた２つのフィルター１６
Ａ，１６Ｂのうち一方が、選択的に、図２に示すよう
に、ＳＳＤ１５のＸ線入射窓１５ａの前に配置される。
ここで、２つのフィルター１６Ａ，１６Ｂは、ポリイミ
ドからなるが厚さが異なっており、また、ＳＳＤ１５の
遮光はＸ線入射窓１５ａにより確保されるため、遮光膜
は有していない。
と支持体１２からなり、図３の平面図に示すように、モ
ータ１１の軸１１ａ（図２）の回転により、その軸に固
定された支持体１２に設けられた２つのフィルター１６
Ａ，１６Ｂのうち一方が、選択的に、図２に示すよう
に、ＳＳＤ１５のＸ線入射窓１５ａの前に配置される。
ここで、２つのフィルター１６Ａ，１６Ｂは、ポリイミ
ドからなるが厚さが異なっており、また、ＳＳＤ１５の
遮光はＸ線入射窓１５ａにより確保されるため、遮光膜
は有していない。
【００２０】第２実施形態の装置によれば、分析対象元
素に応じて、その検出下限が低くなるよう適切なフィル
ター１６Ａ，１６Ｂを選んで用いることができる。ま
た、けい素よりも軽い元素や重さの近い元素、例えば、
Ｎa ，Ａl ，Ｐからの蛍光Ｘ線を検出したい場合等に、
それらの強度を低下させうるフィルター１６を光路から
退避させ、直接ＳＳＤ１５に入射させることもできる。
なお、フィルター１６を１つしか備えない場合において
も、選択手段１３により、フィルター１６を光路から退
避させ、蛍光Ｘ線４を直接ＳＳＤ１５に入射させること
はできる。
素に応じて、その検出下限が低くなるよう適切なフィル
ター１６Ａ，１６Ｂを選んで用いることができる。ま
た、けい素よりも軽い元素や重さの近い元素、例えば、
Ｎa ，Ａl ，Ｐからの蛍光Ｘ線を検出したい場合等に、
それらの強度を低下させうるフィルター１６を光路から
退避させ、直接ＳＳＤ１５に入射させることもできる。
なお、フィルター１６を１つしか備えない場合において
も、選択手段１３により、フィルター１６を光路から退
避させ、蛍光Ｘ線４を直接ＳＳＤ１５に入射させること
はできる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の装置によ
れば、フィルターによって、最も強度の大きい試料の主
成分元素からの蛍光Ｘ線を減衰させるので、エネルギー
分散型の検出器において他の蛍光Ｘ線全体のバックグラ
ウンドが増大するのが防止され、検出すべき主成分元素
以外の元素について検出下限が低くなって、分析性能が
向上する。
れば、フィルターによって、最も強度の大きい試料の主
成分元素からの蛍光Ｘ線を減衰させるので、エネルギー
分散型の検出器において他の蛍光Ｘ線全体のバックグラ
ウンドが増大するのが防止され、検出すべき主成分元素
以外の元素について検出下限が低くなって、分析性能が
向上する。
【図１】本発明の第１実施形態である蛍光Ｘ線分析装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２】本発明の第２実施形態である蛍光Ｘ線分析装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図３】同装置の選択手段およびフィルタを示す平面図
である。
である。
【図４】本発明の第１実施形態の装置による測定結果の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図５】従来の技術による測定結果の一例を示す図であ
る。
る。
１…試料（シリコンウエハ）、２…１次Ｘ線、３…Ｘ線
源、４…蛍光Ｘ線、５，１５…エネルギー分散型の検出
器（ＳＳＤ）、６，１６…フィルター、１３…選択手
段。
源、４…蛍光Ｘ線、５，１５…エネルギー分散型の検出
器（ＳＳＤ）、６，１６…フィルター、１３…選択手
段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄司 孝 大阪府高槻市赤大路町14番８号 理学電機 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA04 BA11 DA03 KA01
Claims (5)
- 【請求項１】 試料に１次Ｘ線を照射するＸ線源と、 試料から発生する蛍光Ｘ線を検出するエネルギー分散型
の検出器とを備えた蛍光Ｘ線分析装置において、 試料から検出器までの光路に、試料の主成分元素から発
生する蛍光Ｘ線を減衰させるフィルターを備えたことを
特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記フィルターが、高分子フィルムからなる蛍光Ｘ線分
析装置。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記フィルターが、前記試料の主成分元素よりも軽い元
素のみからなる遮光膜を有し、さらに、前記検出器のＸ
線入射窓となっている蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項４】 請求項１または２において、 前記フィルターを複数個備え、 前記試料から検出器までの光路に、前記フィルターを選
択的に配置させる選択手段を備えた蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、 全反射蛍光Ｘ線分析装置であって、 前記試料の主成分元素が、けい素であり、 前記検出器が、ＳＳＤ、ＰＩＮフォトダイオードまたは
ＳＤＤである蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22146098A JP2000055839A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22146098A JP2000055839A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000055839A true JP2000055839A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16767076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22146098A Withdrawn JP2000055839A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000055839A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049051A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Sii Nanotechnology Inc. | 蛍光x線分析装置 |
| WO2010110172A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線撮像装置 |
| WO2011122142A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 元素マッピング方法、元素マッピング装置、及び鉄鋼製品の製造方法 |
| JP2019128204A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 株式会社日立ビルシステム | 非破壊検査装置及び非破壊検査方法 |
| CN111373287A (zh) * | 2017-12-15 | 2020-07-03 | 株式会社堀场制作所 | 放射线检测器和放射线检测装置 |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP22146098A patent/JP2000055839A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049051A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Sii Nanotechnology Inc. | 蛍光x線分析装置 |
| JPWO2006049051A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2008-05-29 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 蛍光ｘ線分析装置 |
| US7436926B2 (en) | 2004-11-08 | 2008-10-14 | Sii Nano Technology Inc. | Fluorescent X-ray analysis apparatus |
| WO2010110172A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線撮像装置 |
| JP2010223922A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線撮像装置 |
| CN102282480A (zh) * | 2009-03-25 | 2011-12-14 | 浜松光子学株式会社 | X射线摄像装置 |
| US8575559B2 (en) | 2009-03-25 | 2013-11-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray imaging device |
| TWI459931B (zh) * | 2009-03-25 | 2014-11-11 | Hamamatsu Photonics Kk | X-ray imaging device |
| WO2011122142A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 元素マッピング方法、元素マッピング装置、及び鉄鋼製品の製造方法 |
| CN111373287A (zh) * | 2017-12-15 | 2020-07-03 | 株式会社堀场制作所 | 放射线检测器和放射线检测装置 |
| JP2019128204A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 株式会社日立ビルシステム | 非破壊検査装置及び非破壊検査方法 |
| JP7009230B2 (ja) | 2018-01-23 | 2022-01-25 | 株式会社日立ビルシステム | 非破壊検査装置及び非破壊検査方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Warwick et al. | A scanning transmission x-ray microscope for materials science spectromicroscopy at the advanced light source | |
| Gullikson et al. | A soft x-ray/EUV reflectometer based on a laser produced plasma source | |
| US5497008A (en) | Use of a Kumakhov lens in analytic instruments | |
| US5732120A (en) | Fluorescent X-ray analyzing apparatus | |
| CA2893877A1 (en) | A wavelength dispersive crystal spectrometer, a x-ray fluorescence device and method therein | |
| Streli et al. | Total reflection X-ray fluorescence analysis of light elements with synchrotron radiation and special X-ray tubes | |
| GB2538125A (en) | Hard x-ray photoelectron spectroscopy apparatus | |
| Müller et al. | Absolute determination of cross sections for resonant Raman scattering on silicon | |
| Hayakawa et al. | Fluorescence x‐ray absorption fine structure measurements using a synchrotron radiation x‐ray microprobe | |
| KR20230109735A (ko) | 투과 x-선 소스를 이용한 고처리량 3D x-선 이미징 시스템 | |
| Harfouche et al. | Emergence of the first XAFS/XRF beamline in the Middle East: providing studies of elements and their atomic/electronic structure in pluridisciplinary research fields | |
| Tohji et al. | Double‐crystal spectrometer for laboratory EXAFS spectroscopy | |
| JP2000055839A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| US6628748B2 (en) | Device and method for analyzing atomic and/or molecular elements by means of wavelength dispersive X-ray spectrometric devices | |
| JP2000504422A (ja) | ２つのコリメータマスクを有するｘ線分析装置 | |
| Streli et al. | Total reflection X-ray fluorescence analysis of light elements using synchrotron radiation | |
| Pease et al. | Log spiral of revolution highly oriented pyrolytic graphite monochromator for fluorescence x-ray absorption edge fine structure | |
| EP0697109B1 (en) | X-ray spectrometer with a grazing take-off angle | |
| JPH06249804A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP2002243671A (ja) | Ｘ線フィルタ、及び蛍光ｘ線分析装置 | |
| JPH08220027A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP3918104B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析装置および蛍光ｘ線検出器 | |
| US6650728B2 (en) | Apparatus and method for the analysis of atomic and molecular elements by wavelength dispersive X-ray spectrometric devices | |
| Krstajic | Application of total reflection X-ray fluorescence analysis down to carbon | |
| JP2728627B2 (ja) | 波長分散型ｘ線分光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051101 |