JP2000054198A - 薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置と薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置と薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
陰極電極が短絡するまでの時間の延長をすることができ
る薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置を提供する。 【解決手段】 陰極と、前記陰極にめっき電流を供給す
る陰極電極と、前記陰極のめっき膜厚分布を制御する補
助陰極を有する薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置に於い
て、補助陰極と陰極電極の内径は同等で、補助陰極の露
出導電部の内径を陰極電極の内径より大きくする。
Description
あって、電気めっきにより均一な膜厚を得る薄膜磁気ヘ
ッド製造用めっき装置と、それを用いて製造された薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
図1に斜視断面図で示すように、アルミナチタンカーバ
イドなどで作られた非磁性基板11の上に、下部シール
ド13、磁気抵抗効果素子14、上部シールドと下部磁
極を兼ねた磁性膜15、上部磁極16、下部磁極と上部
磁極を巻回しするようにコイル41、42、磁気抵抗効
果素子14、コイル41、42と外部回路とを接続する
ための端子17、端子表面膜18で構成されている。こ
こで各薄膜を絶縁する絶縁膜の記載は省略している。こ
れらの薄膜は磁性膜や導電性膜であり、スパッタや電気
めっきで作製されている。特に下部シールド13、上部
シールドと下部磁極を兼ねた磁性膜15、上部磁極1
6、コイル41、42、端子17、端子表面膜18は数
μm以上の膜厚を持つことや、複雑な形状を作る必要が
あるため電気めっきが主に持ちいられている。
電気めっき装置が用いられる事が多い。めっき装置のめ
っき槽20の底面には、被めっきウェファー(以下陰極
と言う)10にめっき電流を供給する陰極電極21、め
っき膜厚分布を改善する補助陰極22が配置される。陰
極10は陰極電極21に陰極を密着させるためと、陰極
を着脱するためのシリンダー23が設けられる。陰極1
0はシリンダー23に真空吸着されるか、機械的に保
持、固定される。めっき槽20には陰極10と対向する
様に陽極24が配置され、陽極24と陰極電極21、ま
た陽極24と補助陰極22間にはめっき電流を供給、制
御する直流電源25、25’が接続される。めっき槽2
0にはめっき液26をめっき槽に導入する導入口27、
めっき液を排出する排出口28、めっき液の液位を保つ
液位板29、29’より構成される。ここで、めっき液
を撹拌する機構、めっき液の漏洩を防止するパッキン等
の図面記載、説明は省略した。
たシリンダー23に陰極10を載せシリンダー23を上
昇させ陰極電極21に密着させる。めっき液導入口27
よりめっき液をめっき槽20に導入し、液位板29を乗
り越えためっき液は排出口28より回収される。このめ
っき液の導入、回収は陰極にめっきを行っている間続け
られ常にめっき液は循環されるものである。めっき槽に
めっき液が満たされると、直流電源25、25’から陽
極24、陰極電極21を介して陰極10に、また補助電
極22にめっき電流が給電され、陰極および補助陰極に
めっき膜が析出される。所定のめっき膜厚が得られた時
点で直流電源25、25’からの給電が断たれると同じ
くして、めっき液の供給も断たれる。めっき液回収バル
ブ31を開けめっき液を完全にめっき槽20内から排
出、回収する。シリンダー23を下降させ陰極10を取
り外し一連のめっき作業が終了する。
性としては膜厚の均一性が上げられる。膜厚の均一性は
めっき電流密度の均一性と言うこともできる。特に磁性
めっきを行う時めっき電流密度により、めっき膜の組成
が変動し磁気特性が変化すると言う問題がある。つまり
膜厚の均一性を得ることが磁気特性の均一性を得ること
であり、膜厚の均一性を得ることでめっき電流密度の均
一性を得ることになる。
行うと、陰極の外周部のめっき電流密度が上がり膜厚が
厚くなる傾向がある。外周部のめっき電流を補助陰極2
2に流し陰極の膜厚分布を改善する方法は、額縁めっき
法等の名で従来から用いられている。
の膜厚を示し説明する。陰極の径は直径150mmで外
周部5mmは陰極電極21と密着する部分であるので、
めっき膜は析出しないもので径方向の膜厚は5mmから
145mmの範囲で示している。補助陰極の内径は14
0mm、外径は200mmである。 直流電源25’、
陽極24、補助陰極22の経路で流れる電流をi’、直
流電源25、陽極24、陰極10、陰極電極21の経路
で流れる電流をiとして、iを一定電流値に固定して
i’を変化させめっきを行った時の陰極の径方向膜厚で
ある。図中aはi’=0(A)でありb,c,d,eの
順にi’を増加してめっきを行っている。ちなみにiは
0.98(A)でi’はa=0(A)、b=0.828
(A)、c=1.656(A)、d=1.963
(A),e=2.572(A)である。
つまり補助電極22がない状態を表していると言える。
aは陰極外周部の膜厚が中央部に比べ薄く凹形状を示し
ているが、i’が増加するに従い凹形状から陰極中央部
の膜厚が外周部に比べ厚くなる凸形状に変化しているこ
とがわかる。つまり凹から凸に変化する点のi’を補助
電極に流すことにより、陰極の膜厚ばらつきを最少にす
ることができる。説明したように補助陰極は陰極の膜厚
均一化に非常に有効であることがわかる。
に陰極の全域に渡り膜厚が均一ではなく、補助電極に近
い陰極外周部は膜厚が薄くなっている。この膜厚が薄い
部分を陰極中心部と同じ膜厚にするためi’の値を図3
のcの電流値近傍で詳細に検討したが、補助陰極に近い
陰極外周部の膜厚を増加させることは出来なかった。薄
膜磁気ヘッドとして所望のヘッド特性を得るために必要
な膜厚が得られる範囲(以下、有効めっき範囲と言う)
は陰極にめっきされる範囲(陰極電極内径に相当する)
より小さくならざるを得なかった。
0.2μmを薄膜磁気ヘッドに要求される膜厚とする
と、この膜厚が得られる範囲は陰極外端より19mmか
ら131mmの範囲である。つまりφ112mmの領域
となる。陰極にめっきされる範囲は陰極電極の内径の領
域であるのでφ140mmの領域である。めっきされる
領域と要求されるめっき膜厚が得られる領域の比を有効
めっき範囲とすると、図3のcでは80(%)となる。
つまりめっきを行った面積の20(%)は膜厚不良で使
えないことになる。
示す。陰極電極は陰極との密着性を上げるため、0.1
〜0.3mmと薄いチタンまたは銅のリング状の金属板
を使用している。陰極電極21と補助電極22を電気的
に絶縁するために絶縁材33が挿入されている。絶縁体
33は陰極電極と補助電極を電気的に絶縁するだけでな
く弾力性を持たせ陰極と陰極電極の密着性を上げる役目
も合わせ持たせるためめっき液で溶けたり、膨潤しない
シリコンゴムが主に用いられている。絶縁材33の厚み
は0.5mm程度である。
の厚さを大きくすると、補助陰極表面と陰極表面との段
差が大きくなり、めっき槽20の底部に深い窪みができ
るため、めっき液撹拌装置(図示していない)を用いて
も、陰極表面のめっき液の循環が悪くなるためできうる
限り補助陰極22、絶縁材33は薄いことが好ましい。
補助陰極22は陰極の膜厚分布を改善するためだけでな
く、陰極を陰極電極にシリンダーが押しつける力を受け
とめ、陰極と陰極電極の密着性を得て導電およびめっき
液の漏洩防止を図る必要がある。このため補助電極材に
は銅に比べ機械的強度の高いチタン材を用いても2〜3
mm位の厚さにならざるを得ない。
性、めっき液の漏洩を防止するため陰極電極の内径と略
同等の寸法にすることが従来から行われていた。陰極は
所定のめっき膜厚が得られればめっきは終了し、次の陰
極に交換されるが、補助陰極にはめっきが析出するばか
りであるため、補助陰極と陰極電極が析出しためっき膜
で短絡し、めっき電流i,i’が制御できなくなる現象
が起こる。補助電極と陰極電極が短絡しないように定期
的に補助陰極に析出しためっき膜を除去する必要があっ
た。
極の有効めっき範囲の拡大と、補助陰極と陰極電極が短
絡するまでの時間の延長をすることができる薄膜磁気ヘ
ッド製造用めっき装置を提供することを目的とする。
陰極と、前記陰極にめっき電流を供給する陰極電極と、
前記陰極のめっき膜厚分布を制御する補助陰極を有し、
補助陰極と陰極電極の内径は同等で、補助陰極の露出導
電部の内径を陰極電極の内径より大きくすることを特徴
とする。この補助陰極は、陰極電極に陰極を密着させる
際に生じる力に耐えられる機械的強度を有することが好
ましい。露出導電部とは、補助電極の表面において、め
っき液との間で電流を導通させる領域を示す。また、上
記のめっき装置において、補助陰極の内径と陰極電極の
内径は同じで、補助陰極の内径側面と補助陰極内径側上
面に絶縁樹脂を塗布するか、若しくは絶縁リングを付加
することで、補助陰極の露出導電部内径寸法を陰極電極
の内径より大きくすることができる。
陰極は電気絶縁物により露出導電部の内径寸法を大きく
することを特徴とする。この電気絶縁物は、次のような
構成として補助陰極に適用できる。例えば、補助陰極の
一部分を電気絶縁物に置換した構成、物理または化学的
な処理を施して補助陰極の一部分を絶縁物に変換した構
成、または補助陰極の一部分を絶縁物で被覆もしくは被
着させた構成などとすることができる。
なくとも内径側面は電気的絶縁がなされ、補助陰極と陰
極電極の内径差は2〜16mmであることが望ましい。
このように内径差を選択することにより、有効めっき範
囲を95%以上にすることができる。さらに、補助陰極
と陰極電極の内径差を2〜12mmとすることで、有効
めっき範囲内での膜厚分布の広がりを抑制し、均一な膜
厚を得ることができる。
部分に絶縁樹脂を塗布するか、あるいは絶縁リングを付
加することによって、補助陰極の露出導電部内径を大き
くすることができる。ここでいう一部分としては補助陰
極の内径側面が好ましいが、内径側上面あるいは下面を
含んでもよい。
めっき装置でめっきされることにより、膜厚を均一にす
ることができる。従って、これらの薄膜磁気ヘッドを形
成したウェファーについても、ウェファー上の位置によ
ってめっき膜厚の偏りがなく、薄膜磁気ヘッドの歩留ま
りを高めることができる。
実施態様について詳細に説明する。図5は本発明のめっ
き装置の一実施態様の主要部断面図である。図7、図8
は本発明の他の実施態様の主要部断面図である。これら
の図面および従来のめっき装置を示す図2、図4で共通
の部分は同じ参照符号を用いている。図5において陰極
電極21、絶縁体33、補助陰極52の内径は略同一で
あり、図中に機械的内径寸法と記載している。補助陰極
52の内径側の側面と上面の一部に絶縁層53を付加し
絶縁層53で覆われた部分はめっき電流が流れずめっき
がされないものである。この絶縁層を除き補助陰極の露
出導電部内径を電気的内径寸法として図中に記載してい
る。機械的内径寸法と補助陰極露出導電部内径寸法の差
の半値を補助電極に付加された絶縁層幅wと規定してい
る。すなわち、内径差は2wに相当する。ここで補助電
極の内径側側面に付けられた絶縁層の厚みはwの値には
含まれていない。絶縁層は0.1〜0.2mm厚でテフ
ロン樹脂を焼き付け塗装した。
布を示す。実験に用いためっき膜はNiFe合金膜であ
り、めっき液のNiイオンとFeイオンの比はNi/F
e=40で、PHは2.8〜2.9である。陰極に流す
電流i=0.98(A)、補助陰極に流す電流i’=
1.67(A)と一定にして35分間めっきを行い陰極
10の中央部で、3.5μmのめっき膜厚とした。
っき装置、補助電極内径側面のみに絶縁層を付加したも
のと、補助電極内径側面と補助電極上面に絶縁層幅wを
最大15mmまで変化させためっき装置の各々につい
て、有効めっき範囲を示している。有効めっき範囲は陰
極電極内径である140mmの領域を100%とし、め
っき膜厚が3.5±0.2μmの値が得られる範囲を%
で表している。
っき有効範囲は80%であるが、補助電極内径側面のみ
絶縁層を付加することにより95%までめっき有効範囲
は増加する。補助電極内径側面と補助電極上面に絶縁層
を付け絶縁層幅w=1〜8mmの範囲では97%以上の
めっき有効範囲が得られた。更に絶縁層幅wを増やして
いくとめっき有効範囲は減少しw=15mmでは75%
と、従来方法に比べても悪化することがわかった。w=
6mmを越えると陰極中央部の膜厚が薄く外周部が厚く
なり、補助陰極としての効果が薄れてくることがわかっ
た。絶縁層幅wは1〜8mmが良い、好ましくは1〜6
mmの範囲である。補助陰極内径側面に絶縁層を付け
ず、補助陰極上面に絶縁層を設けてもめっき有効範囲は
95%以上は得られなかったことから、補助陰極内径側
面の絶縁層はめっき有効範囲拡大に効果があると言え
る。以上のことから補助陰極内径側面と補助陰極上面の
1〜8mm範囲に絶縁層を設けることはめっき有効範囲
の拡大に有効である。
よって補助陰極の露出導電部内径寸法を大きくし、陰極
のめっき有効範囲を拡大しても、機械的内径寸法は変わ
らないためシリンダー23による陰極の陰極電極への密
着状態は何等変わることなく良好な結果が得られた。
mm範囲に絶縁層を設けたため、陰極電極との間隔が拡
がり補助陰極と陰極電極との短絡の危険性は大幅に減少
した。絶縁層を設けない従来方法では累計めっき膜厚が
300μm位に達すると補助陰極に析出しためっき膜を
除去する必要があった。これは概略NiFeめっきで累
計50時間、Cuめっきで累計10時間で補助陰極に析
出しためっき膜を除去することになる。補助陰極に析出
しためっき膜は補助陰極形状、面積を変えることになる
が陰極のめっき有効範囲に影響しなければ問題ない。補
助陰極に析出しためっき膜除去回数は従来にくらべ1/
3〜1/5に減少した。
っき装置の主要部の断面図である。補助陰極の絶縁層と
して絶縁材を塗布するのではなく、補助陰極71、81
に絶縁リング72、82を取り付けたものである。絶縁
リングの材質はめっき液で溶解、膨潤しないテフロンを
用いたが、セラミックやプラスチックでも良いことは言
うまでもない。
を用いることで陰極の有効めっき範囲を拡大でき、陰極
と称してきたウェファーからの薄膜磁気ヘッドの取れ数
の増加と歩留まりの向上が図れる。また補助陰極導電部
と陰極電極の間隔を大きくすることにより、補助陰極と
陰極電極間の短絡の危険性を減らし、補助陰極に析出し
ためっき膜の除去回数を減らすことができる。
る図。
ド、14 磁気抵抗効果素子、15 磁性膜、16 上
部磁極、17 端子、18 端子表面膜、20めっき
槽、21 陰極電極、22 補助陰極、23 シリンダ
ー、24 陽極、25 25‘ 直流電源、26 めっ
き液、27 導入口、28 排出口、29 29’液位
板、31 めっき液回収バルブ、33 絶縁体、41
42 コイル、52 補助陰極、53 絶縁層、71
81 補助陰極、72 82 絶縁リング 
Claims (6)
- 【請求項1】 陰極と、前記陰極にめっき電流を供給す
る陰極電極と、前記陰極のめっき膜厚分布を制御する補
助陰極を有するめっき装置に於いて、補助陰極と陰極電
極の内径は同等で、補助陰極の露出導電部の内径を陰極
電極の内径より大きくすることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド製造用めっき装置。 - 【請求項2】 前記補助陰極は電気絶縁物により露出導
電部の内径寸法を大きくすることを特徴とする請求項1
記載の薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置。 - 【請求項3】 前記補助陰極の少なくとも内径側面は電
気的絶縁がなされ、補助陰極と陰極電極の内径差は2〜
16mmであることを特徴とする請求項1または2に記
載の薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置。 - 【請求項4】 前記補助陰極の少なくとも内径側面は電
気的絶縁がなされ、補助陰極と陰極電極の内径差は2〜
12mmであることを特徴とする請求項1ないし3のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置。 - 【請求項5】 前記補助陰極に絶縁樹脂を塗布するか、
あるいは絶縁リングを付加することによって、補助陰極
の露出導電部内径を大きくしたことを特徴とする請求項
1ないし4のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド製造用め
っき装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド製造用めっき装置でめっきされたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22327698A JP3619021B2 (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | 薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置と薄膜磁気ヘッド |
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---|---|---|---|
JP22327698A JP3619021B2 (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | 薄膜磁気ヘッド製造用めっき装置と薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
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JP3619021B2 JP3619021B2 (ja) | 2005-02-09 |
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ID=16795599
Family Applications (1)
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006291361A (ja) * | 2001-11-13 | 2006-10-26 | Acm Research Inc | 導電性層を電解研磨するための電解研磨アセンブリ及び電解研磨方法 |
US7540946B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Plating apparatus |
US20120043216A1 (en) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | International Business Machines Corporation | Working electrode design for electrochemical processing of electronic components |
CN106346354A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 基于阴极喷头位置变化进行优化的晶圆旋转卡盘 |
-
1998
- 1998-08-06 JP JP22327698A patent/JP3619021B2/ja not_active Expired - Fee Related
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