JP2000051867A - プランクトンを含む液体の浄化方法及びその装置 - Google Patents
プランクトンを含む液体の浄化方法及びその装置Info
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- JP2000051867A JP2000051867A JP10255932A JP25593298A JP2000051867A JP 2000051867 A JP2000051867 A JP 2000051867A JP 10255932 A JP10255932 A JP 10255932A JP 25593298 A JP25593298 A JP 25593298A JP 2000051867 A JP2000051867 A JP 2000051867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水中に存在するプランクトンの種類や特性に
対応した高効率殺藻が可能な方法ならびに装置を提供す
る。 【解決手段】 プランクトンを含む液体を、高電界及び
／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内に一定時間
存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁界暴露処理
を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外に流出させ
て放置することを特徴とするプランクトンを含む液体の
浄化方法であり、また、液体処理槽の対向する側壁部
は、０．５乃至２ｃｍの間隔で対向する電気絶縁材料製
の平板状部材で形成され、該平板状側壁部外部には、夫
々電気又は磁気素子が設けられていることを特徴とする
プランクトンを含む液体の浄化装置である。
対応した高効率殺藻が可能な方法ならびに装置を提供す
る。 【解決手段】 プランクトンを含む液体を、高電界及び
／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内に一定時間
存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁界暴露処理
を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外に流出させ
て放置することを特徴とするプランクトンを含む液体の
浄化方法であり、また、液体処理槽の対向する側壁部
は、０．５乃至２ｃｍの間隔で対向する電気絶縁材料製
の平板状部材で形成され、該平板状側壁部外部には、夫
々電気又は磁気素子が設けられていることを特徴とする
プランクトンを含む液体の浄化装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プランクトンを含む液
体の浄化方法及び装置に関し、特に、水中に生存する有
毒藍藻ミクロキスティス（Ｍｉｃｒｏｃｙｓｔｉｓ）の
プランクトンの増殖を効率よく防止するプランクトン含
有水の浄化方法及びその装置に関する。
体の浄化方法及び装置に関し、特に、水中に生存する有
毒藍藻ミクロキスティス（Ｍｉｃｒｏｃｙｓｔｉｓ）の
プランクトンの増殖を効率よく防止するプランクトン含
有水の浄化方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】藍藻のミクロキスティスやフォルミディ
ウムは、肝臓毒のミクロシスティン、癌のプロモータ物
質及び２−Ｍ１Ｂといった異臭味を生産することが知ら
れているが、現在各地の湖沼や貯水池で異常発生し、ま
た大量に増殖し、これらの浄化のために、水道水浄水場
において塩素消毒処理は避けられず、発癌物質のトリハ
ロメタンの生成にもつながり問題とされている。過鞭毛
藻プランクトンのペリディニウム及びケラチウムは、前
記藍藻プランクトンと同様に異常増殖して、水面を茶褐
色に染め、景観上問題とされている。
ウムは、肝臓毒のミクロシスティン、癌のプロモータ物
質及び２−Ｍ１Ｂといった異臭味を生産することが知ら
れているが、現在各地の湖沼や貯水池で異常発生し、ま
た大量に増殖し、これらの浄化のために、水道水浄水場
において塩素消毒処理は避けられず、発癌物質のトリハ
ロメタンの生成にもつながり問題とされている。過鞭毛
藻プランクトンのペリディニウム及びケラチウムは、前
記藍藻プランクトンと同様に異常増殖して、水面を茶褐
色に染め、景観上問題とされている。
【０００３】従来のプランクトンを含む液体の浄化処
理、例えば、貯水池、湖沼及び河川等の水中に浮遊微生
物、即ちプランクトンを含む水の浄化処理は、水中に紫
外線ランプ（主波長１５４ｎｍ）を設置しランプ近傍に
通水して照射処理する方法、あるいはオゾン等の化学物
質を水中に溶解させ、プランクトンに作用させて化学的
に処理する方法、あるいは加圧した水をノズルから大気
圧下に噴射して急激な圧力変化により物理的に処理する
方法等によりプランクトンを破壊して、プランクトンを
死滅させ、プランクトンの増殖を停止させる方法が取ら
れている。
理、例えば、貯水池、湖沼及び河川等の水中に浮遊微生
物、即ちプランクトンを含む水の浄化処理は、水中に紫
外線ランプ（主波長１５４ｎｍ）を設置しランプ近傍に
通水して照射処理する方法、あるいはオゾン等の化学物
質を水中に溶解させ、プランクトンに作用させて化学的
に処理する方法、あるいは加圧した水をノズルから大気
圧下に噴射して急激な圧力変化により物理的に処理する
方法等によりプランクトンを破壊して、プランクトンを
死滅させ、プランクトンの増殖を停止させる方法が取ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、いずれの方法
もプランクトンの種類や特性によっては、プランクトン
を死滅及び／又は破壊させる効果、即ち殺藻効果又は増
殖防止効果にバラツキが生じる場合があり、必ずしも効
率的な処理とはいえない。例えば、貯水池や湖沼に多く
見られるミクロキスティス（通称アオコ）は、水面近く
に浮上集積しフロックを形成するプランクトンのため、
フロック内部のプランクトンに対する紫外線照射やオゾ
ンの作用が不十分となり、紫外線照射やオゾンによるプ
ランクトンの死滅効率及び破壊効率が低下してしまう。
また、加圧噴射による急激な圧力変化による、プランク
トンの物理的な細胞破壊及び細胞破壊によるプランクト
ンの死滅も、プランクトンの種類によって、大きな差異
が生じるなど、何れも非効率的な殺藻処理方法である。
もプランクトンの種類や特性によっては、プランクトン
を死滅及び／又は破壊させる効果、即ち殺藻効果又は増
殖防止効果にバラツキが生じる場合があり、必ずしも効
率的な処理とはいえない。例えば、貯水池や湖沼に多く
見られるミクロキスティス（通称アオコ）は、水面近く
に浮上集積しフロックを形成するプランクトンのため、
フロック内部のプランクトンに対する紫外線照射やオゾ
ンの作用が不十分となり、紫外線照射やオゾンによるプ
ランクトンの死滅効率及び破壊効率が低下してしまう。
また、加圧噴射による急激な圧力変化による、プランク
トンの物理的な細胞破壊及び細胞破壊によるプランクト
ンの死滅も、プランクトンの種類によって、大きな差異
が生じるなど、何れも非効率的な殺藻処理方法である。
【０００４】このように、従来のプランクトンの死滅処
理技術は、何れも、プランクトンの種類や特性に対応し
た効率的なプランクトンの死滅処理法、即ち殺藻処理法
ではない。特にフロック状に集積したプランクトンの場
合は、紫外線の照射効率やオゾンの作用効率が悪く、噴
水による物理的な破壊効率も十分ではない等、殺藻効率
の低下という点から問題となってくる。本発明は従来の
増殖防止処理における低い増殖防止効率等の問題点を解
決することを目的としている。
理技術は、何れも、プランクトンの種類や特性に対応し
た効率的なプランクトンの死滅処理法、即ち殺藻処理法
ではない。特にフロック状に集積したプランクトンの場
合は、紫外線の照射効率やオゾンの作用効率が悪く、噴
水による物理的な破壊効率も十分ではない等、殺藻効率
の低下という点から問題となってくる。本発明は従来の
増殖防止処理における低い増殖防止効率等の問題点を解
決することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の問題点
を解決するために、より効率的なプランクトンの殺藻処
理又は増殖防止処理方法及びプランクトンの殺藻又は増
殖防止処理装置を開発すべく、種々の研究の結果完成し
たものである。本発明者らは、藍藻プランクトンのミク
ロキスティス及び過鞭毛藻のプランクトンのペリディニ
ウム及びケラチウムを、所定電圧の電界内又は所定磁束
密度を有するに磁界内に、所定時間存在させることによ
り、電界又は磁界暴露したものは、電界又は磁界暴露し
ないものと比較して、暴露後、１５日間以上に亙って、
個数の減少が見られることを発見して、本発明に至っ
た。本発明は、水中に存在するプランクトンの種類や特
性に対応した高効率殺藻が可能な方法ならびに装置を提
供するものである。
を解決するために、より効率的なプランクトンの殺藻処
理又は増殖防止処理方法及びプランクトンの殺藻又は増
殖防止処理装置を開発すべく、種々の研究の結果完成し
たものである。本発明者らは、藍藻プランクトンのミク
ロキスティス及び過鞭毛藻のプランクトンのペリディニ
ウム及びケラチウムを、所定電圧の電界内又は所定磁束
密度を有するに磁界内に、所定時間存在させることによ
り、電界又は磁界暴露したものは、電界又は磁界暴露し
ないものと比較して、暴露後、１５日間以上に亙って、
個数の減少が見られることを発見して、本発明に至っ
た。本発明は、水中に存在するプランクトンの種類や特
性に対応した高効率殺藻が可能な方法ならびに装置を提
供するものである。
【０００６】即ち、本発明は、プランクトンを含む液体
を、高電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁
界内に一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は
高磁界暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁
界外に流出させて放置することを特徴とするプランクト
ンを含む液体の浄化方法にあり、また本発明は、液体処
理槽の対向する側壁部は、０．５乃至２ｃｍの間隔で対
向する電気絶縁材料製の平板状部材で形成され、該平板
状側壁部外部には、夫々電気又は磁気素子が設けられて
いることを特徴とするプランクトンを含む液体の浄化装
置にある。
を、高電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁
界内に一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は
高磁界暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁
界外に流出させて放置することを特徴とするプランクト
ンを含む液体の浄化方法にあり、また本発明は、液体処
理槽の対向する側壁部は、０．５乃至２ｃｍの間隔で対
向する電気絶縁材料製の平板状部材で形成され、該平板
状側壁部外部には、夫々電気又は磁気素子が設けられて
いることを特徴とするプランクトンを含む液体の浄化装
置にある。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明においてプランクトンと
は、渦鞭毛藻プランクトンのペリディニウム及びケラチ
ウム及び藍藻プランクトンのミクロキスティスを意味す
る。本発明において、プランクトンを含む液体は、湖
沼、貯水池又は河川等から連続して送水するポンプによ
り、少なくとも一対の陰極及び陽極間に形成される電界
内或いは少なくとも一対のＮ極及びＳ極間に形成される
磁界内に導入され、該電界又は磁界内で、一定時間、液
体中のプランクトンを電界又は磁界に暴露し内に存在さ
せて、電界又は磁界暴露し、一定時間暴露後放流され
る。
は、渦鞭毛藻プランクトンのペリディニウム及びケラチ
ウム及び藍藻プランクトンのミクロキスティスを意味す
る。本発明において、プランクトンを含む液体は、湖
沼、貯水池又は河川等から連続して送水するポンプによ
り、少なくとも一対の陰極及び陽極間に形成される電界
内或いは少なくとも一対のＮ極及びＳ極間に形成される
磁界内に導入され、該電界又は磁界内で、一定時間、液
体中のプランクトンを電界又は磁界に暴露し内に存在さ
せて、電界又は磁界暴露し、一定時間暴露後放流され
る。
【０００８】本発明において、電界暴露処理されたプラ
ンクトンを含む液体は、放流された後に、電界暴露処理
を行うようにしてもよいが、磁界暴露処理を行ってもよ
い。同様に、磁界暴露処理されたプランクトンを含む液
体は、放流された後に、磁界暴露処理を行うようにして
もよいが、電界暴露処理を行ってもよい。本発明におい
て、電界又は磁界暴露処理装置は、一対の処理電極又は
磁石が互いに対向して設けられ、プランクトンを含む液
が前記一対の電極又は磁石間を通るように備えられてい
るセルにより行われる。
ンクトンを含む液体は、放流された後に、電界暴露処理
を行うようにしてもよいが、磁界暴露処理を行ってもよ
い。同様に、磁界暴露処理されたプランクトンを含む液
体は、放流された後に、磁界暴露処理を行うようにして
もよいが、電界暴露処理を行ってもよい。本発明におい
て、電界又は磁界暴露処理装置は、一対の処理電極又は
磁石が互いに対向して設けられ、プランクトンを含む液
が前記一対の電極又は磁石間を通るように備えられてい
るセルにより行われる。
【０００９】本発明において、このような電極又は磁石
等のプランクトン増殖防止素子は、電気絶縁材料で被覆
され、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔をおいて設けられ、
プランクトンを含む液体は、それらプランクトン増殖防
止素子間を通るように、液体流路が形成される。プラン
クトンを含む液体は、電極又は磁石等のプランクトン増
殖防止素子間に形成される電界又は磁界内で、連続的に
又は間欠的に暴露される。
等のプランクトン増殖防止素子は、電気絶縁材料で被覆
され、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔をおいて設けられ、
プランクトンを含む液体は、それらプランクトン増殖防
止素子間を通るように、液体流路が形成される。プラン
クトンを含む液体は、電極又は磁石等のプランクトン増
殖防止素子間に形成される電界又は磁界内で、連続的に
又は間欠的に暴露される。
【００１０】本発明において、プランクトンに対して電
界暴露処理を行う場合、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔を
設けて配置された電極間に、５００乃至１０００ボルト
の電圧が加えて、電界が形成され、この電界内で、プラ
ンクトンを含む液体を暴露する時間は、５乃至１０分で
ある。
界暴露処理を行う場合、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔を
設けて配置された電極間に、５００乃至１０００ボルト
の電圧が加えて、電界が形成され、この電界内で、プラ
ンクトンを含む液体を暴露する時間は、５乃至１０分で
ある。
【００１１】本発明において、プランクトンに対して磁
界暴露処理を行う場合、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔を
設けて、例えば、フェライト磁石等の磁石が設けられ
て、５００乃至１０００ガウスの磁束密度を有する磁界
が形成され、この磁界内で、プランクトンを含む液体を
暴露する時間は、５乃至１０分である。
界暴露処理を行う場合、０．５ｃｍ乃至２ｃｍの間隔を
設けて、例えば、フェライト磁石等の磁石が設けられ
て、５００乃至１０００ガウスの磁束密度を有する磁界
が形成され、この磁界内で、プランクトンを含む液体を
暴露する時間は、５乃至１０分である。
【００１２】本発明は、プランクトンを含む液体を、高
電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内に
一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁界
暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外に
流出させて放置するので、電界又は磁界内で暴露される
液体に含まれるプランクトンは、暴露されたプランクト
ンは、電界又は磁界の暴露により、プランクトンの細胞
内の生理活性が変化し正常時から狂いを生じて、増殖が
低下し、液体の浄化を図ることができた。
電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内に
一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁界
暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外に
流出させて放置するので、電界又は磁界内で暴露される
液体に含まれるプランクトンは、暴露されたプランクト
ンは、電界又は磁界の暴露により、プランクトンの細胞
内の生理活性が変化し正常時から狂いを生じて、増殖が
低下し、液体の浄化を図ることができた。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を添付図面を参照して具体的に
説明するが、本発明は以下の説明及び例示によって何ら
限定されるものではない。図１は、本発明の液体浄化装
置の一実施例について、電界処理装置の概略の平面図で
ある。図２は、本発明の液体浄化装置の一実施例につい
て、磁界処理装置の概略の平面図である。図１及び図２
において、共通する箇所は同一の符号が付されている。
説明するが、本発明は以下の説明及び例示によって何ら
限定されるものではない。図１は、本発明の液体浄化装
置の一実施例について、電界処理装置の概略の平面図で
ある。図２は、本発明の液体浄化装置の一実施例につい
て、磁界処理装置の概略の平面図である。図１及び図２
において、共通する箇所は同一の符号が付されている。
【００１４】図１に示す実施例において、電界処理装置
１は、石英ガラス製のセル２の対向する側壁部３に電界
形成用電極４が設けられている。電界形成用電極４は導
電線５を介して電源（図示されていない）に接続してお
り、電源に接続して電圧を制御することにより、５００
ボルト乃至１０００ボルトの電圧の電界をセル２内に形
成することができる。
１は、石英ガラス製のセル２の対向する側壁部３に電界
形成用電極４が設けられている。電界形成用電極４は導
電線５を介して電源（図示されていない）に接続してお
り、電源に接続して電圧を制御することにより、５００
ボルト乃至１０００ボルトの電圧の電界をセル２内に形
成することができる。
【００１５】図２に示す実施例において、磁界処理装置
６は、石英ガラス製のセル２の対向する側壁部３にフェ
ライト磁石７が設けられている。磁界形成用磁石７は磁
石間の距離を調整することにより、磁束密度を制御し
て、セル２内に５００ボルト乃至１０００ボルトの電圧
の磁界を形成することができる。
６は、石英ガラス製のセル２の対向する側壁部３にフェ
ライト磁石７が設けられている。磁界形成用磁石７は磁
石間の距離を調整することにより、磁束密度を制御し
て、セル２内に５００ボルト乃至１０００ボルトの電圧
の磁界を形成することができる。
【００１６】図１に示す装置を使用して、アオコ、ケラ
チウム及びペリディニウムを含む水に対する電界暴露を
行った。１０００ボルトの電界内で、１０分暴露を間欠
的に行った結果、アオコ、ケラチウム及びペリディニウ
ムそれらの藻類について、光合成活性が低下し、死亡す
る固体の増加がみられた。図２に示す装置においても同
様な結果が得られた。
チウム及びペリディニウムを含む水に対する電界暴露を
行った。１０００ボルトの電界内で、１０分暴露を間欠
的に行った結果、アオコ、ケラチウム及びペリディニウ
ムそれらの藻類について、光合成活性が低下し、死亡す
る固体の増加がみられた。図２に示す装置においても同
様な結果が得られた。
【発明の効果】本発明は、プランクトンを含む液体を、
高電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内
に一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁
界暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外
に流出させて放置するので、電界又は磁界内で暴露させ
るという小型且つ簡単な装置で、液体に含まれるプラン
クトンを電界及び／又は磁界で暴露されたプランクトン
は、光合成活性の低下がみられ、増殖が低下でき、従来
の装置に比して、安価であり、しかも高い増殖防止が達
成されることになって、経済的に優れる。
高電界及び／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内
に一定時間存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁
界暴露処理を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外
に流出させて放置するので、電界又は磁界内で暴露させ
るという小型且つ簡単な装置で、液体に含まれるプラン
クトンを電界及び／又は磁界で暴露されたプランクトン
は、光合成活性の低下がみられ、増殖が低下でき、従来
の装置に比して、安価であり、しかも高い増殖防止が達
成されることになって、経済的に優れる。
【図１】本発明の液体浄化装置の一実施例について、電
界暴露処理装置の概略の平面図である。
界暴露処理装置の概略の平面図である。
【図２】本発明の液体浄化装置の一実施例について、磁
界暴露処理装置の概略の平面図である。
界暴露処理装置の概略の平面図である。
１ 電界暴露処理装置１ ２ 石英ガラス製のセル ３ 石英ガラス製のセル２の側壁部 ４ 電界形成用電極４ ５ 導電線 ６ 導入管 ７ 流出管 ８ 磁界暴露処理装置 ９ 磁界形成用磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 保夫 福岡県福岡市中央区渡辺通１丁目１番１号 西日本技術開発株式会社内 Ｆターム(参考） 4C058 AA20 AA30 BB02 BB09 CC02 DD03 4D061 AA02 AB02 AB03 BA13 BA18 BB01 BB02 BB04 BC05
Claims (5)
- 【請求項１】 プランクトンを含む液体を、高電界及び
／又は高磁界内に導入し、該電界又は磁界内に一定時間
存在させて、高電界暴露処理及び／又は高磁界暴露処理
を行い、暴露後、前記電界及び／又は磁界外に流出させ
て放置することを特徴とするプランクトンを含む液体の
浄化方法。 - 【請求項２】 高電界処理の高電界の電圧が５００乃至
１０００ボルトであり、高電圧処理時間が５乃至１０分
であることを特徴とする請求項１に記載のプランクトン
を含む液体の浄化方法。 - 【請求項３】 高磁界処理の高磁界の磁束密度が５００
乃至１０００ガウスであり、高磁界処理時間が５乃至１
０分であることを特徴とする請求項１に記載のプランク
トンを含む液体の浄化方法。 - 【請求項４】 プランクトンを含む液体が、水又は河川
の水であることを特徴とする請求項１に記載のプランク
トンを含む液体の浄化方法。 - 【請求項５】 液体処理槽の対向する側壁部は、０．５
乃至２ｃｍの間隔で対向する電気絶縁材料製の平板状部
材で形成され、該平板状側壁部外部には、夫々電気又は
磁気素子が設けられていることを特徴とするプランクト
ンを含む液体の浄化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10255932A JP2000051867A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | プランクトンを含む液体の浄化方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10255932A JP2000051867A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | プランクトンを含む液体の浄化方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000051867A true JP2000051867A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=17285582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10255932A Pending JP2000051867A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | プランクトンを含む液体の浄化方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000051867A (ja) |
-
1998
- 1998-08-06 JP JP10255932A patent/JP2000051867A/ja active Pending
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