JP2000049153A - 半導体装置基板被覆用組成物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置基板被覆用組成物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法Info
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- JP2000049153A JP2000049153A JP10216615A JP21661598A JP2000049153A JP 2000049153 A JP2000049153 A JP 2000049153A JP 10216615 A JP10216615 A JP 10216615A JP 21661598 A JP21661598 A JP 21661598A JP 2000049153 A JP2000049153 A JP 2000049153A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性を
向上させることができる半導体装置基板被覆用組成
物、、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性の向上
した半導体装置基板を容易に作業性よく製造できる半導
体装置基板の製造法及び基板に対するポリイミド系樹脂
膜の接着性の向上した高信頼性の半導体装置を容易に作
業性よく製造できる半導体装置の製造法を提供する。 【解決手段】 有機ジルコニウム化合物及び溶媒を含む
半導体装置基板被覆用組成物、基板上に有機ジルコニウ
ム化合物及び溶媒を含む組成物を塗布、乾燥することを
特徴とする表面が有機ジルコニウム化合物で被覆された
半導体装置基板の製造法及び表面が有機ジルコニウム化
合物で被覆された半導体装置基板上に、ポリイミド系樹
脂膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。
向上させることができる半導体装置基板被覆用組成
物、、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性の向上
した半導体装置基板を容易に作業性よく製造できる半導
体装置基板の製造法及び基板に対するポリイミド系樹脂
膜の接着性の向上した高信頼性の半導体装置を容易に作
業性よく製造できる半導体装置の製造法を提供する。 【解決手段】 有機ジルコニウム化合物及び溶媒を含む
半導体装置基板被覆用組成物、基板上に有機ジルコニウ
ム化合物及び溶媒を含む組成物を塗布、乾燥することを
特徴とする表面が有機ジルコニウム化合物で被覆された
半導体装置基板の製造法及び表面が有機ジルコニウム化
合物で被覆された半導体装置基板上に、ポリイミド系樹
脂膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】半導体装置基板被覆用組成
物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法に
関する。
物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からポリイミドは良好な耐熱性、電
気的、機械的特性等から集積回路をはじめとした電子部
品に幅広く使用されている。特に半導体装置には封止剤
と半導体チップの間の保護膜（バッファーコート）や層
間絶縁膜として広く用いられている。最近では半導体製
造プロセス短縮のために、ポリイミド樹脂自体に感光性
を付与し、塗布、露光、現像により容易にレリーフパタ
ーンを形成できるようにした、感光性ポリイミドが主流
となりつつある。
気的、機械的特性等から集積回路をはじめとした電子部
品に幅広く使用されている。特に半導体装置には封止剤
と半導体チップの間の保護膜（バッファーコート）や層
間絶縁膜として広く用いられている。最近では半導体製
造プロセス短縮のために、ポリイミド樹脂自体に感光性
を付与し、塗布、露光、現像により容易にレリーフパタ
ーンを形成できるようにした、感光性ポリイミドが主流
となりつつある。
【０００３】半導体製造プロセスでは歩留まり向上およ
び低コスト化のため、８インチウエハの使用に代表され
るように大径化の傾向がある。ウエハの大径化や回路の
微細化に対応してフォトプロセスはｇ〜ｉ線ステッパー
を使用することが主流となっている。また、軽薄短小を
目的としてＬＯＣパッケージが採用されている。ＬＯＣ
パッケージでは、リードフレームにバッファーコート側
から半導体チップを熱圧着するが、このときの応力を緩
和するために、バッファーコートの膜厚を厚くする必要
がある。しかし、バッファーコートの膜厚を厚くした場
合、加熱硬化時の歪みが大きくなるため、下層のパッシ
ベーション層との間で剥離が起こる可能性がある。
び低コスト化のため、８インチウエハの使用に代表され
るように大径化の傾向がある。ウエハの大径化や回路の
微細化に対応してフォトプロセスはｇ〜ｉ線ステッパー
を使用することが主流となっている。また、軽薄短小を
目的としてＬＯＣパッケージが採用されている。ＬＯＣ
パッケージでは、リードフレームにバッファーコート側
から半導体チップを熱圧着するが、このときの応力を緩
和するために、バッファーコートの膜厚を厚くする必要
がある。しかし、バッファーコートの膜厚を厚くした場
合、加熱硬化時の歪みが大きくなるため、下層のパッシ
ベーション層との間で剥離が起こる可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】請求項１記載の発明
は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性を向上さ
せることができる半導体装置基板被覆用組成物を提供す
るものである。請求項２記載の発明は、基板に対するポ
リイミド系樹脂膜の接着性の向上した半導体装置基板を
容易に作業性よく製造できる半導体装置基板の製造法を
提供するものである。請求項３記載の発明は、基板に対
するポリイミド系樹脂膜の接着性の向上した高信頼性の
半導体装置を容易に作業性よく製造できる半導体装置の
製造法を提供するものである。
は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性を向上さ
せることができる半導体装置基板被覆用組成物を提供す
るものである。請求項２記載の発明は、基板に対するポ
リイミド系樹脂膜の接着性の向上した半導体装置基板を
容易に作業性よく製造できる半導体装置基板の製造法を
提供するものである。請求項３記載の発明は、基板に対
するポリイミド系樹脂膜の接着性の向上した高信頼性の
半導体装置を容易に作業性よく製造できる半導体装置の
製造法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機ジルコニ
ウム化合物及び溶媒を含む半導体装置基板被覆用組成物
に関する。また、本発明は、基板上に有機ジルコニウム
化合物及び溶媒を含む組成物を塗布、乾燥することを特
徴とする表面が有機ジルコニウム化合物で被覆された半
導体装置基板の製造法に関する。また、本発明は、表面
が有機ジルコニウム化合物で被覆された半導体装置基板
上に、ポリイミド系樹脂膜を形成することを特徴とする
半導体装置の製造法に関する。
ウム化合物及び溶媒を含む半導体装置基板被覆用組成物
に関する。また、本発明は、基板上に有機ジルコニウム
化合物及び溶媒を含む組成物を塗布、乾燥することを特
徴とする表面が有機ジルコニウム化合物で被覆された半
導体装置基板の製造法に関する。また、本発明は、表面
が有機ジルコニウム化合物で被覆された半導体装置基板
上に、ポリイミド系樹脂膜を形成することを特徴とする
半導体装置の製造法に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明における有機ジルコニウム
化合物は、ジルコニウムに有機基が結合又は配位したも
のであり、例えば、次の一般式（Ｉ）
化合物は、ジルコニウムに有機基が結合又は配位したも
のであり、例えば、次の一般式（Ｉ）
【化１】 （式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は、各々独立に、炭素数
１〜８のアルコキシ基、アセチルアセトネート基、アル
キルアセトアセテート基（ただし、アルキル部分の炭素
数は１〜４）、ラクテート基、アルキルラクトネート基
（ただし、アルキル部分の炭素数は１〜４）又はヒドロ
キシ基を示す）で表される化合物が挙げられる。
１〜８のアルコキシ基、アセチルアセトネート基、アル
キルアセトアセテート基（ただし、アルキル部分の炭素
数は１〜４）、ラクテート基、アルキルラクトネート基
（ただし、アルキル部分の炭素数は１〜４）又はヒドロ
キシ基を示す）で表される化合物が挙げられる。
【０００７】一般式（Ｉ）中のＸ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4と
してのアセチルアセトネート基、アルキルアセトアセテ
ート基、ラクテート基、アルキルラクトネート基は、Ｚ
ｒに配位している。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は、炭素数１
〜８のアルコキシ基、アセチルアセトネート基及びアル
キルラクトネート基であることが、入手容易性、接着性
等の点から好ましい。
してのアセチルアセトネート基、アルキルアセトアセテ
ート基、ラクテート基、アルキルラクトネート基は、Ｚ
ｒに配位している。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は、炭素数１
〜８のアルコキシ基、アセチルアセトネート基及びアル
キルラクトネート基であることが、入手容易性、接着性
等の点から好ましい。
【０００８】具体的な化合物としては、例えば、テトラ
プロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート等の
ジルコニウムエステル、テトラキス（アセチルアセトネ
ート）ジルコニウム、モノブトキシトリス（アセチルア
セトネート）ジルコニウム、ジブトキシビス（アセチル
アセトネート）ジルコニウム、トリブトキシアセチルア
セトネートジルコニウム、テトラ（エチルアセトアセト
ネート）ジルコニウム、ジブトキシビス（エチルアセト
アセトネート）ジルコニウム、トリブトキシエチルアセ
トネートジルコニウム、テトラキス（エチルラクトネー
ト）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトネート）ビス
（エチルアセトアセトネート）ジルコニウム、モノアセ
チルアセトネートトリス（エチルアセトアセトネート）
ジルコニウム、モノブトキシモノアセチルアセトネート
ビス（エチルアセトアセトネート）ジルコニウム等のジ
ルコニウムキレートなどが挙げられる。
プロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート等の
ジルコニウムエステル、テトラキス（アセチルアセトネ
ート）ジルコニウム、モノブトキシトリス（アセチルア
セトネート）ジルコニウム、ジブトキシビス（アセチル
アセトネート）ジルコニウム、トリブトキシアセチルア
セトネートジルコニウム、テトラ（エチルアセトアセト
ネート）ジルコニウム、ジブトキシビス（エチルアセト
アセトネート）ジルコニウム、トリブトキシエチルアセ
トネートジルコニウム、テトラキス（エチルラクトネー
ト）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトネート）ビス
（エチルアセトアセトネート）ジルコニウム、モノアセ
チルアセトネートトリス（エチルアセトアセトネート）
ジルコニウム、モノブトキシモノアセチルアセトネート
ビス（エチルアセトアセトネート）ジルコニウム等のジ
ルコニウムキレートなどが挙げられる。
【０００９】本発明における溶媒としては、例えば、メ
タノール、エタノール、ブタノール等のアルコール化合
物、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ
−ブチルラクトン等のチッ素含有化合物などの有機溶
剤、水などが挙げられる。
タノール、エタノール、ブタノール等のアルコール化合
物、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ
−ブチルラクトン等のチッ素含有化合物などの有機溶
剤、水などが挙げられる。
【００１０】本発明の半導体装置基板被覆用組成物は、
有機ジルコニウム化合物を溶媒に有機ジルコニウム化合
物濃度が０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０
重量％となるような量で溶解して製造でき、この半導体
装置基板被覆用組成物をスピン塗布法、印刷法、浸漬
法、ブレード塗布法、ロール塗布法等により基板上に塗
布し、加熱乾燥して表面が有機ジルコニウム化合物で被
覆された半導体装置基板を得ることができる。加熱乾燥
時の温度は、５０〜４００℃とすることが好ましく、７
０〜３５０℃とすることがより好ましく、１００〜３０
０℃とすることが特に好ましい。この温度が５０℃未満
では、溶媒が残存し接着性向上効果を阻害する傾向があ
り、４００℃を超えると、有機ジルコニウム化合物の分
解が起こり接着性向上効果を阻害する傾向がある。な
お、加熱乾燥時間は１〜３００分間程度である。基板表
面上に形成された有機ジルコニウム化合物の被覆膜の膜
厚は厚すぎるともろくなるため３０００Å以下が好まし
く、５００Å以下がより好ましい。
有機ジルコニウム化合物を溶媒に有機ジルコニウム化合
物濃度が０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０
重量％となるような量で溶解して製造でき、この半導体
装置基板被覆用組成物をスピン塗布法、印刷法、浸漬
法、ブレード塗布法、ロール塗布法等により基板上に塗
布し、加熱乾燥して表面が有機ジルコニウム化合物で被
覆された半導体装置基板を得ることができる。加熱乾燥
時の温度は、５０〜４００℃とすることが好ましく、７
０〜３５０℃とすることがより好ましく、１００〜３０
０℃とすることが特に好ましい。この温度が５０℃未満
では、溶媒が残存し接着性向上効果を阻害する傾向があ
り、４００℃を超えると、有機ジルコニウム化合物の分
解が起こり接着性向上効果を阻害する傾向がある。な
お、加熱乾燥時間は１〜３００分間程度である。基板表
面上に形成された有機ジルコニウム化合物の被覆膜の膜
厚は厚すぎるともろくなるため３０００Å以下が好まし
く、５００Å以下がより好ましい。
【００１１】上記基板としては、シリコンウエハー、ガ
リウム−ヒ素ウエハー、石英ウエハー等が挙げられる。
この基板表面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ア
ルミニウム膜、チタン膜等の素子分離膜（保護膜と呼ぶ
こともある）、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金
属、これら金属の合金等からなる導体層が形成されてい
てもよい。
リウム−ヒ素ウエハー、石英ウエハー等が挙げられる。
この基板表面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ア
ルミニウム膜、チタン膜等の素子分離膜（保護膜と呼ぶ
こともある）、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金
属、これら金属の合金等からなる導体層が形成されてい
てもよい。
【００１２】このようにして得られた表面が有機ジルコ
ニウム化合物で被覆された半導体装置基板上に、ポリイ
ミド系樹脂膜を形成することにより半導体装置を製造で
きる。
ニウム化合物で被覆された半導体装置基板上に、ポリイ
ミド系樹脂膜を形成することにより半導体装置を製造で
きる。
【００１３】上記ポリイミド系樹脂としては、例えば、
ポリイミド樹脂、ポリ（イミド、イソインドロキナゾリ
ンジオンイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリア
ミドイミド樹脂等が挙げられる。
ポリイミド樹脂、ポリ（イミド、イソインドロキナゾリ
ンジオンイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリア
ミドイミド樹脂等が挙げられる。
【００１４】上記ポリイミド樹脂の前駆体溶液は、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、γ−ブチルラクトンジメチルスルホオキシドなどの
極性溶媒中でテトラカルボン酸二無水和物とジアミンの
反応によって得られる。
メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、γ−ブチルラクトンジメチルスルホオキシドなどの
極性溶媒中でテトラカルボン酸二無水和物とジアミンの
反応によって得られる。
【００１５】上記テトラカルボン酸二無水和物の例とし
てはピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，
３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物、ビス（２−メチル−３，４−ジ
カルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，５
−ジメチル−３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル
二無水物、ビス（２，５−ジエチル−３，４−ジカルボ
キシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，５−ジエ
トキシ−３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無
水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン
酸二無水物、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパン、１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−
テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、２，
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、ｐ−ターフェニル−３，４，
４′，３′−テトラカルボン酸二無水物、４，４，−ジ
フタル酸二無水物、（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水和物、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水和物、ジ（ヘプタルフルオロプロピル）ピロ
メリット酸二無水和物、ペンタフルオロエチルピロメリ
ット酸二無水和物、ビス｛３，５−ジ（トリフルオロメ
チル）フェノキシ｝ピロメリット酸二無水和物、２，２
−ビス（４，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水和物、５，５′−ビス（トリフルオロ
メチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフ
ェニル二無水和物、２，２′，５，５′−テトラキス
（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシビフェニル二無水和物、５，５′−ビス（ト
リフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシビフェニルエーテル二無水和物、５，５′−ビス
（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシベンゾフェノン二無水和物、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ベンゼン二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水和
物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメ
チル）ベンゼン二無水和物、ビス（ジカルボキシフェノ
キシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水和
物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリ
フルオロメチル）ベンゼン二無水和物、２，２−ビス
｛（４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン二無水和物、ビス｛（トリフル
オロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ジフェニルエーテル二無水和物、ビス（ジカ
ルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフ
ェニル二無水和物等の公知のテトラカルボン酸二酸無水
物が単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
てはピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，
３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物、ビス（２−メチル−３，４−ジ
カルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，５
−ジメチル−３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル
二無水物、ビス（２，５−ジエチル−３，４−ジカルボ
キシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，５−ジエ
トキシ−３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無
水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン
酸二無水物、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパン、１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−
テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、２，
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン二無水物、ｐ−ターフェニル−３，４，
４′，３′−テトラカルボン酸二無水物、４，４，−ジ
フタル酸二無水物、（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水和物、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水和物、ジ（ヘプタルフルオロプロピル）ピロ
メリット酸二無水和物、ペンタフルオロエチルピロメリ
ット酸二無水和物、ビス｛３，５−ジ（トリフルオロメ
チル）フェノキシ｝ピロメリット酸二無水和物、２，２
−ビス（４，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水和物、５，５′−ビス（トリフルオロ
メチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフ
ェニル二無水和物、２，２′，５，５′−テトラキス
（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシビフェニル二無水和物、５，５′−ビス（ト
リフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシビフェニルエーテル二無水和物、５，５′−ビス
（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシベンゾフェノン二無水和物、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ベンゼン二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水和
物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメ
チル）ベンゼン二無水和物、ビス（ジカルボキシフェノ
キシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水和
物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリ
フルオロメチル）ベンゼン二無水和物、２，２−ビス
｛（４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン二無水和物、ビス｛（トリフル
オロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無
水和物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ジフェニルエーテル二無水和物、ビス（ジカ
ルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフ
ェニル二無水和物等の公知のテトラカルボン酸二酸無水
物が単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
【００１６】上記ジアミンとしては、例えば、４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジ
シン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレン
ジアミン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホ
ン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，
２′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，
２′−ジエチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジエチル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，
２′，３，３′−テトラメチル−４，４′−ジアミノビ
フェニル、２，２′，３，３′−テトラエチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ
−４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジヒドロ
キシ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒ
ドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−
ジ（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェ
ニル、＋＋４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）
−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェ
ノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，
５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミ
ノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３
−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−
パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
（２，５−）ジアミノベンゾトリフルオロライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、２，２′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロペンシジル、４，４′−
ジアミノフェニルエーテル、２，２′−ビス（ｐ−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス
（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス
（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（ア
ニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリ
ノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，５，
５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、
４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、１，４，−ビ
ス（ｐ−アミノフェニルベンゼン、ｐ−ビス（４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビ
ス（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフ
ルオロメチル）ベンゼン、２，２′−ビス｛４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２′−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２′−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２′−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、２，２′−ビス｛４−（４−アミノ
−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキ
サフルオロプロパン、ビス［｛（トリフルオロメチル）
アミノフェノキシ｝フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ｝
ビフェニル、ビス［２−｛（アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン］ベンゼン等の芳香族ジア
ミン化合物等が挙げられる。
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジ
シン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレン
ジアミン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホ
ン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，
２′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，
２′−ジエチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジエチル−４，４′−ジアミノビフェニル、２，
２′，３，３′−テトラメチル−４，４′−ジアミノビ
フェニル、２，２′，３，３′−テトラエチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ
−４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジヒドロ
キシ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒ
ドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−
ジ（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェ
ニル、＋＋４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）
−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェ
ノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，
５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミ
ノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３
−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−
パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
（２，５−）ジアミノベンゾトリフルオロライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、２，２′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロペンシジル、４，４′−
ジアミノフェニルエーテル、２，２′−ビス（ｐ−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス
（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス
（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（ア
ニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリ
ノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，５，
５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、
４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、１，４，−ビ
ス（ｐ−アミノフェニルベンゼン、ｐ−ビス（４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビ
ス（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフ
ルオロメチル）ベンゼン、２，２′−ビス｛４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２′−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２′−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２′−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、２，２′−ビス｛４−（４−アミノ
−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキ
サフルオロプロパン、ビス［｛（トリフルオロメチル）
アミノフェノキシ｝フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ｝
ビフェニル、ビス［２−｛（アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン］ベンゼン等の芳香族ジア
ミン化合物等が挙げられる。
【００１７】表面が有機ジルコニウム化合物で被覆され
た半導体装置基板上へのポリイミド系樹脂膜を形成は、
特に制限なく公知の方法で行え、いわゆる感光性ポリイ
ミドを用いて行うこともできる。
た半導体装置基板上へのポリイミド系樹脂膜を形成は、
特に制限なく公知の方法で行え、いわゆる感光性ポリイ
ミドを用いて行うこともできる。
【００１８】本発明の半導体装置の製造工程の一例を図
を用いて以下に説明する。図１は、多層配線構造の半導
体装置の製造工程図の一例である。図１において、回路
素子を有するＳｉ基板、ガラス板、金属板などの基板１
は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の素
子分離膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体
層３が形成され、さらにその上に有機ジルコニウム被膜
４が形成されている。この半導体装置基板上にポリイミ
ド樹脂の前駆体溶液等がスピナー法等で塗布され、熱処
理（８０〜４００℃で１０〜３００分間程度）により溶
媒の除去、イミド閉環等が行われ、層間絶縁膜５として
のポリイミド系樹脂膜が形成される（工程（ａ））。
を用いて以下に説明する。図１は、多層配線構造の半導
体装置の製造工程図の一例である。図１において、回路
素子を有するＳｉ基板、ガラス板、金属板などの基板１
は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の素
子分離膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体
層３が形成され、さらにその上に有機ジルコニウム被膜
４が形成されている。この半導体装置基板上にポリイミ
ド樹脂の前駆体溶液等がスピナー法等で塗布され、熱処
理（８０〜４００℃で１０〜３００分間程度）により溶
媒の除去、イミド閉環等が行われ、層間絶縁膜５として
のポリイミド系樹脂膜が形成される（工程（ａ））。
【００１９】次に、例えば塩化ゴム系又はフェノールノ
ボラック系の感光性樹脂層６が前記層間絶縁膜５上にス
ピナー法等によって形成され、フォトリソグラフ技術に
よって所定部分の層間絶縁膜５が露出するように窓７Ａ
が設けられる（工程（ｂ））。この窓７Ａの層間絶縁膜
５は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッ
チング手段によって選択的にエッチングされ、窓７Ｂが
あけられる。次いで窓７Ｂから露出した第１導体層３を
腐食することなく感光樹脂層６のみを腐食するようなエ
ッチング溶液、例えば感光性樹脂層６が前記のものの場
合、ｎ−酢酸ブチル等を用いて感光樹脂層６が完全に除
去される（工程（ｃ））。
ボラック系の感光性樹脂層６が前記層間絶縁膜５上にス
ピナー法等によって形成され、フォトリソグラフ技術に
よって所定部分の層間絶縁膜５が露出するように窓７Ａ
が設けられる（工程（ｂ））。この窓７Ａの層間絶縁膜
５は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッ
チング手段によって選択的にエッチングされ、窓７Ｂが
あけられる。次いで窓７Ｂから露出した第１導体層３を
腐食することなく感光樹脂層６のみを腐食するようなエ
ッチング溶液、例えば感光性樹脂層６が前記のものの場
合、ｎ−酢酸ブチル等を用いて感光樹脂層６が完全に除
去される（工程（ｃ））。
【００２０】さらに公知の蒸着、スパッタリング等の金
属膜形成法及びフォトリソグラフ技術を用いて第２導体
層８を形成させ、第１導体層３との電気的接続が行われ
る（工程（ｄ））。
属膜形成法及びフォトリソグラフ技術を用いて第２導体
層８を形成させ、第１導体層３との電気的接続が行われ
る（工程（ｄ））。
【００２１】３層以上の多層配線構造体を形成する場合
は、上記の各工程を繰り返して行い各層を形成する。す
なわち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する
工程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓
を開口して下部に存する導体層を露出させる工程（ｂ）
及び（ｃ）並びに上記被膜上に延在し、下部に存する導
体層の所定部分と接続された上部の導体を形成する工程
（ｄ）を繰り返すことになる。
は、上記の各工程を繰り返して行い各層を形成する。す
なわち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する
工程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓
を開口して下部に存する導体層を露出させる工程（ｂ）
及び（ｃ）並びに上記被膜上に延在し、下部に存する導
体層の所定部分と接続された上部の導体を形成する工程
（ｄ）を繰り返すことになる。
【００２２】次に表面保護膜９が形成される。この表面
保護膜９は、ポリイミド樹脂の前駆体溶液等を多層配線
構造の半導体装置の最上部の導体層上に同様に塗布、加
熱処理し、後に所定部分に窓７Ｃを形成して作製される
（工程（ｅ））。この表面保護膜９によって導体層を外
部からの水分、異物などから保護することができる。
保護膜９は、ポリイミド樹脂の前駆体溶液等を多層配線
構造の半導体装置の最上部の導体層上に同様に塗布、加
熱処理し、後に所定部分に窓７Ｃを形成して作製される
（工程（ｅ））。この表面保護膜９によって導体層を外
部からの水分、異物などから保護することができる。
【００２３】なお、本発明の半導体装置においては、ポ
リイミド系樹脂膜を半導体装置の層間絶縁膜又は表面保
護膜のいずれかのみに用いても、半導体装置の層間絶縁
膜及び表面保護膜の両者に用いてもよい。また、上記ポ
リイミド系樹脂膜は、半導体装置のバッファーコート膜
として使用してもよく、これは例えば、上記表面保護膜
９の上に形成され、表面保護膜９の形成と同様の方法に
より、膜が形成される。
リイミド系樹脂膜を半導体装置の層間絶縁膜又は表面保
護膜のいずれかのみに用いても、半導体装置の層間絶縁
膜及び表面保護膜の両者に用いてもよい。また、上記ポ
リイミド系樹脂膜は、半導体装置のバッファーコート膜
として使用してもよく、これは例えば、上記表面保護膜
９の上に形成され、表面保護膜９の形成と同様の方法に
より、膜が形成される。
【００２４】
【実施例】実施例１ 有機ジルコニウム化合物溶液として、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解し
て、１重量％溶液を調合した。ポリイミド前駆体溶液
は、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０ｇを
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４５０ｇに溶解した後
に、ピロメリット酸二無水物３４ｇを添加し、室温で２
０時間撹拌することにより得た。基板は、表面に２μｍ
のＳｉＯ2膜を形成した６インチのシリコンウエハを使
用した。基板上に上記の有機ジルコニウム化合物溶液を
滴下し、スピン塗布（３０００rpm/３０秒）を行った後
にホットプレート（２００℃／３００秒）で乾燥して有
機ジルコニウム化合物の被膜（膜厚約２００Å）を形成
した。その上に上記ポリイミド前駆体溶液を滴下しスピ
ン塗布（３０００rpm/３０秒）を行ったあとにオーブン
（１００℃／３０分＋２００℃／３０分＋３５０℃／６
０分）で硬化してポリイミド膜を形成した。
チルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解し
て、１重量％溶液を調合した。ポリイミド前駆体溶液
は、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０ｇを
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４５０ｇに溶解した後
に、ピロメリット酸二無水物３４ｇを添加し、室温で２
０時間撹拌することにより得た。基板は、表面に２μｍ
のＳｉＯ2膜を形成した６インチのシリコンウエハを使
用した。基板上に上記の有機ジルコニウム化合物溶液を
滴下し、スピン塗布（３０００rpm/３０秒）を行った後
にホットプレート（２００℃／３００秒）で乾燥して有
機ジルコニウム化合物の被膜（膜厚約２００Å）を形成
した。その上に上記ポリイミド前駆体溶液を滴下しスピ
ン塗布（３０００rpm/３０秒）を行ったあとにオーブン
（１００℃／３０分＋２００℃／３０分＋３５０℃／６
０分）で硬化してポリイミド膜を形成した。
【００２５】接着性の試験をＪＩＳ Ｋ５４００の基盤
目試験に準じて、ポリイミド被膜をカッターナイフによ
り１×１mm正方形１００個に切り、その部分にセロハン
テープを密着させた後に引き剥がし、引き剥がし後の接
着残数により評価した。また、比較の為に有機ジルコニ
ウム化合物の被膜を形成しないで、基板上に直接ポリイ
ミド被膜を同じ条件で形成した試料を被覆し、前記と同
様の接着性試験を行った。その結果、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムで被膜した基板では一枚
も剥がれず、残存マス個数は１００個であった。一方、
被膜処理をしなかった基板では、残存マス個数が０個で
あり、被膜処理したものとしないものであきらかな差が
あることが示された。また、劣化の加速試験として、プ
レッシャークッカー（ＰＣＴ）試験（１２１℃、２気
圧）を行った。被膜処理のされた基板は劣化すること無
く接着性が保たれた。接着性評価結果を図２に示す。実
施例においては比較例に比べ接着性が向上することが示
される。
目試験に準じて、ポリイミド被膜をカッターナイフによ
り１×１mm正方形１００個に切り、その部分にセロハン
テープを密着させた後に引き剥がし、引き剥がし後の接
着残数により評価した。また、比較の為に有機ジルコニ
ウム化合物の被膜を形成しないで、基板上に直接ポリイ
ミド被膜を同じ条件で形成した試料を被覆し、前記と同
様の接着性試験を行った。その結果、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムで被膜した基板では一枚
も剥がれず、残存マス個数は１００個であった。一方、
被膜処理をしなかった基板では、残存マス個数が０個で
あり、被膜処理したものとしないものであきらかな差が
あることが示された。また、劣化の加速試験として、プ
レッシャークッカー（ＰＣＴ）試験（１２１℃、２気
圧）を行った。被膜処理のされた基板は劣化すること無
く接着性が保たれた。接着性評価結果を図２に示す。実
施例においては比較例に比べ接着性が向上することが示
される。
【００２６】実施例２ 有機ジルコニウム化合物溶液として、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解し
て、１重量％溶液を調合したポリイミド前駆体溶液は、
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０ｇをＮ−メ
チル−２−ピロリドン６００ｇに溶解した後に、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物８８．８ｇを添加し、室温で２０時
間撹拌することにより得た。基板は、６インチのシリコ
ンウエハを使用した。基板上に上記の有機ジルコニウム
化合物溶液を滴下し、スピン塗布（３０００rpm/３０
秒）を行った後にホットプレート（２００℃／３００
秒）で乾燥して有機ジルコニウム化合物の被膜（膜厚約
２００Å）を形成した。その上に上記ポリイミド前駆体
溶液を滴下しスピン塗布（３０００rpm/３０秒）を行っ
たあとにオーブン（１００℃／３０分＋２００℃／３０
分＋３５０℃／６０分）で硬化してポリイミド膜を形成
した。
チルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解し
て、１重量％溶液を調合したポリイミド前駆体溶液は、
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル４０ｇをＮ−メ
チル−２−ピロリドン６００ｇに溶解した後に、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物８８．８ｇを添加し、室温で２０時
間撹拌することにより得た。基板は、６インチのシリコ
ンウエハを使用した。基板上に上記の有機ジルコニウム
化合物溶液を滴下し、スピン塗布（３０００rpm/３０
秒）を行った後にホットプレート（２００℃／３００
秒）で乾燥して有機ジルコニウム化合物の被膜（膜厚約
２００Å）を形成した。その上に上記ポリイミド前駆体
溶液を滴下しスピン塗布（３０００rpm/３０秒）を行っ
たあとにオーブン（１００℃／３０分＋２００℃／３０
分＋３５０℃／６０分）で硬化してポリイミド膜を形成
した。
【００２７】接着性の試験をＪＩＳ Ｋ５４００の基盤
目試験に準じて、ポリイミド被膜をカッターナイフによ
り１×１mm正方形１００個に切り、その部分にセロハン
テープを密着させた後に引き剥がし、引き剥がし後の接
着残数により評価した。また、比較の為に有機ジルコニ
ウム化合物の被膜を形成しないで、基板上に直接ポリイ
ミド被膜を同じ条件で形成した試料を被覆し、前記と同
様の接着性試験を行った。その結果、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムで被膜した基板では一枚
も剥がれず、残存マス個数は１００個であった。一方、
被膜処理をしなかった基板では、残存マス個数が０個で
あり、被膜処理したものとしないものであきらかな差が
あることが示された。また、劣化の加速試験として、プ
レッシャークッカー（ＰＣＴ）試験（１２１℃、２気
圧）を行った。被膜処理のされた基板は劣化すること無
く接着性が保たれた。接着性評価結果を図３に示す。実
施例においては比較例に比べ接着性が向上することが示
される。
目試験に準じて、ポリイミド被膜をカッターナイフによ
り１×１mm正方形１００個に切り、その部分にセロハン
テープを密着させた後に引き剥がし、引き剥がし後の接
着残数により評価した。また、比較の為に有機ジルコニ
ウム化合物の被膜を形成しないで、基板上に直接ポリイ
ミド被膜を同じ条件で形成した試料を被覆し、前記と同
様の接着性試験を行った。その結果、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムで被膜した基板では一枚
も剥がれず、残存マス個数は１００個であった。一方、
被膜処理をしなかった基板では、残存マス個数が０個で
あり、被膜処理したものとしないものであきらかな差が
あることが示された。また、劣化の加速試験として、プ
レッシャークッカー（ＰＣＴ）試験（１２１℃、２気
圧）を行った。被膜処理のされた基板は劣化すること無
く接着性が保たれた。接着性評価結果を図３に示す。実
施例においては比較例に比べ接着性が向上することが示
される。
【００２８】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置基板被覆用組
成物は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性を向
上させることができる。請求項２記載の半導体装置基板
の製造法は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性
の向上した半導体装置基板を容易に作業性よく製造でき
る。請求項３記載の半導体装置の製造法は、基板に対す
るポリイミド系樹脂膜の接着性の向上した高信頼性の半
導体装置を容易に作業性よく製造できる。
成物は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性を向
上させることができる。請求項２記載の半導体装置基板
の製造法は、基板に対するポリイミド系樹脂膜の接着性
の向上した半導体装置基板を容易に作業性よく製造でき
る。請求項３記載の半導体装置の製造法は、基板に対す
るポリイミド系樹脂膜の接着性の向上した高信頼性の半
導体装置を容易に作業性よく製造できる。
【図１】多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。
る。
【図２】実施例１の接着性評価結果を示す図である。
【図３】実施例２の接着性評価結果を示す図である。
１ 基板 ２ 素子分離膜 ３ 第１導体層 ４ 有機ジルコニウム被膜 ５ 層間絶縁膜層 ６ 感光樹脂層 ７Ａ、７Ｂ、７Ｃ 窓 ８ 第２導体層 ９ 表面保護膜層
Claims (3)
- 【請求項１】 有機ジルコニウム化合物及び溶媒を含む
半導体装置基板被覆用組成物。 - 【請求項２】 基板上に有機ジルコニウム化合物及び溶
媒を含む組成物を塗布、乾燥することを特徴とする表面
が有機ジルコニウム化合物で被覆された半導体装置基板
の製造法。 - 【請求項３】 表面が有機ジルコニウム化合物で被覆さ
れた半導体装置基板上に、ポリイミド系樹脂膜を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216615A JP2000049153A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置基板被覆用組成物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216615A JP2000049153A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置基板被覆用組成物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049153A true JP2000049153A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16691215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10216615A Pending JP2000049153A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置基板被覆用組成物、半導体装置基板の製造法及び半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011183370A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Ube Industries Ltd | ポリイミドガス分離膜、及びガス分離方法 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10216615A patent/JP2000049153A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011183370A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Ube Industries Ltd | ポリイミドガス分離膜、及びガス分離方法 |
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