JP2000044498A - 炭化水素化合物および有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一対の電極間に、テトラベンゾ[de,h,k
l,rst] ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有する
層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。 【効果】 発光輝度が優れた有機電界発光素子、および
該発光素子に適した炭化水素化合物を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
および該発光素子に好適に使用できる炭化水素化合物に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無機電界発光素子は、例えば、バ
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有
機ＥＬ素子）が開発された〔Appl. Phys. Lett., 51 、
913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物
を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、
該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合
させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、こ
の励起子が失活する際に放出される光を利用して発光す
る素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度
の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機
化合物の種類を選択することにより、種々の色（例え
ば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このよう
な特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、
表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、
一般に、発光輝度が低く、実用上充分ではない。

【０００３】発光輝度を向上させる方法として、発光層
として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミ
ニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体
をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発
光素子が提案されている〔J.Appl. Phys., 65 、3610
(1989) 〕。また、発光層として、例えば、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラ
ート）アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体
（例えば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲ
スト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されて
いる（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、
これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言
い難い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光
素子が望まれている。

【０００４】本発明の有機電界発光素子に係るテトラベ
ンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体としては、例え
ば、テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェンが知られ
ている〔例えば、J. Chem. Soc., 1108 (1954)に記載さ
れている〕ものの、有機電界発光素子に関する報告はな
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発光
効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供
することである。さらには、該発光素子に好適に使用で
きる新規な炭化水素化合物を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機電界
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 一対の電極間に、テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタ
フェン誘導体を少なくとも１種含有する層を、少なくと
も一層挟持してなる有機電界発光素子、 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を含
有する層が、発光層である前記記載の有機電界発光素
子、 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を含
有する層が、さらに、発光性有機金属錯体を含有するこ
とを特徴とする前記または記載の有機電界発光素
子、 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を含
有する層が、さらに、トリアリールアミン誘導体を含有
することを特徴とする前記または記載の有機電界発
光素子、 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体が、
一般式（１）（化３）で表される化合物である前記〜
のいずれかに記載の有機電界発光素子、に関するもの
である。

【０００７】

【化３】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
置換のアリール基を表す。） さらに、本発明は、一般式（１−Ａ）（化４）で表さ
れる化合物、に関するものである。

【０００８】

【化４】 〔式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
置換のアリール基を表す。但し、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈が同時に水
素原子となることはない。〕

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して詳細に説明
する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、
テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を少な
くとも１種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる
ものである。本発明に係るテトラベンゾ[de,h,kl,rst]
ペンタフェン誘導体（以下、本発明に係る化合物Ａと略
記する）とは、一般式（１）（化５）で表される骨格を
有する化合物を表すものである。一般式（１）で表され
る骨格は、種々の置換基で置換されていてもよく、本発
明に係る化合物Ａは、好ましくは、一般式（１−Ａ）
（化５）で表される化合物である。

【００１０】

【化５】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
置換のアリール基を表す）

【００１１】一般式（１−Ａ）で表される化合物におい
て、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐
または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換
のアリール基を表す。尚、本願発明において、アリール
基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環
式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル
基などの複素環式芳香族基を表す。一般式（１−Ａ）で
表される化合物において、より好ましくは、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈
は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分
岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分
岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０
の置換または未置換のアリール基を表す。

【００１２】一般式（１−Ａ）におけるＸ₁ 〜Ｘ₁₈の具
体例としては、例えば、水素原子；例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子；例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、te
rt−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオ
ペンチル基、tert−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−
メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，
３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプ
チル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル
基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、１−メチルヘ
プチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチ
ル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、
２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、
１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル
基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ
−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデ
シル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘ
キシル基、４−tert−ブチルシクロヘキシル基、シクロ
ヘプチル基。シクロオクチル基などの直鎖、分岐または
環状のアルキル基；

【００１３】例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソ
ブトキシ基、sec −ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ
基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２
−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−
デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシ
ルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシ
ルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデ
シルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタ
デシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基；

【００１４】例えば、フェニル基、２−メチルフェニル
基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４
−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４
−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル
基、４−イソブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェ
ニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−tert−ペン
チルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シ
クロヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル
基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェ
ニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシ
ルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−
テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル
基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフ
ェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメ
チルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，
４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テト
ラメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，
４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−
テトラヒドロ−６−ナフチル基、

【００１５】２−メトキシフェニル基、３−メトキシフ
ェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェ
ニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシ
フェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−
ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、４
−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオ
キシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル
基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オク
チルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル
基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデ
シルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニ
ル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、２，３
−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル
基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキ
シフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５
−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフ
ェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−
メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メ
トキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル
基、

【００１６】２−フルオロフェニル基、３−フルオロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニ
ル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、
４−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニ
ル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，４−ジクロ
ロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−
ジクロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル
基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−
４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェ
ニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−
メトキシ−４−クロロフェニル基、３−フルオロ−４−
メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フ
ェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェ
ニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、
１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナ
フチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−ｎ−ブ
チル−２−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル
基、７−エトキシ−２−ナフチル基、２−フリル基、２
−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−
ピリジル基、４−ピリジル基などの置換または未置換の
アリール基を挙げることができる。

【００１７】より好ましくは、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１
０のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１２のアリール
基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基で
ある。

【００１８】本発明の有機電界発光素子においては、テ
トラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を少なく
とも１種使用することが特徴であり、例えば、テトラベ
ンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を発光成分とし
て発光層に用いると、従来にはない、高輝度で耐久性に
優れた赤色に発光する有機電界発光素子を提供すること
が可能となる。また、他の発光成分と組み合わせて発光
層を形成すると、高輝度で耐久性に優れた白色に発光す
る有機電界発光素子も提供することが可能となる。本発
明に係る化合物Ａの具体例としては、例えば、以下の化
合物（化６〜化３３）を挙げることができるが、本発明
はこれらに限定されるものではない。

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】

【化９】

【００２３】

【化１０】

【００２４】

【化１１】

【００２５】

【化１２】

【００２６】

【化１３】

【００２７】

【化１４】

【００２８】

【化１５】

【００２９】

【化１６】

【００３０】

【化１７】

【００３１】

【化１８】

【００３２】

【化１９】

【００３３】

【化２０】

【００３４】

【化２１】

【００３５】

【化２２】

【００３６】

【化２３】

【００３７】

【化２４】

【００３８】

【化２５】

【００３９】

【化２６】

【００４０】

【化２７】

【００４１】

【化２８】

【００４２】

【化２９】

【００４３】

【化３０】

【００４４】

【化３１】

【００４５】

【化３２】

【００４６】

【化３３】

【００４７】本発明に係る化合物Ａ、例えば、一般式
（１−Ａ）で表される化合物は、例えば、J. Chem. So
c., 1108 (1954)に記載の方法に従って製造することが
できる。すなわち、例えば、一般式（２）（化３４）で
表される１，４−ジハロゲノ−９，１０−ジ（１’−ナ
フチル）アントラセン誘導体を、塩基（例えば、水酸化
カリウム）の存在下で脱ハロゲン化水素化し、閉環する
ことにより製造することができる。

【００４８】

【化３４】 〔上式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈は一般式（１−Ａ）の場合と同じ
意味を表し、Ｚ₁ およびＺ₂ はハロゲン原子を表す〕 一般式（２）において、Ｚ₁ およびＺ₂ はハロゲン原子
を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
を表し、より好ましくは、塩素原子、臭素原子を表す。

【００４９】尚、一般式（２）で表される化合物は、例
えば、１，５−ジハロゲノアントラキノン誘導体と、１
−ハロゲノマグネシウムナフタレン誘導体（金属マグネ
シウムと１−ハロゲノナフタレン誘導体より調製するこ
とができる）より製造することができる〔例えば、J. C
hem. Soc., 1108 (1954)に記載されている方法を参考に
することができる〕。尚、テトラベンゾ[de,h,kl,rst]
ペンタフェン誘導体としては、テトラベンゾ[de,h,kl,r
st] ペンタフェン其自体、すなわち、一般式（１−Ａ）
において、Ｘ₁〜Ｘ₁₈が同時に水素原子である化合物
は、既に製造されている〔例えば、J. Chem. Soc., 110
8 (1954)〕が、それ以外の化合物は知られていない。さ
らに、テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体
を、有機電界発光素子に使用することは報告されていな
い。

【００５０】尚、本発明に係る化合物Ａは、場合により
使用した溶媒（例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素
系溶媒）との溶媒和を形成した型で製造されることがあ
るが、本発明においては、化合物Ａはこのような溶媒和
物を包含するものである。勿論、溶媒を含有しない無溶
媒和物をも包含するものである。本発明の有機電界発光
素子には、本発明に係る化合物Ａの無溶媒和物は勿論、
このような溶媒和物をも使用することができる。本発明
に係る化合物Ａを、有機電界発光素子に使用する場合、
再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華精製法な
どの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、純度
を高めた化合物を使用することは好ましいことである。

【００５１】有機電界発光素子は、通常、一対の電極間
に、少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を、少
なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用す
る化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電
子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注
入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および／または電
子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けること
もできる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入
機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子
輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層お
よび／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成と
することができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸
送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素
子（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、
正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞ
れの層は、一層構造であっても多層構造であってもよ
く、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれ
の層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する
層を別々に設けて構成することもできる。

【００５２】本発明の有機電界発光素子において、本発
明に係る化合物Ａは、正孔注入輸送成分、発光成分また
は電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入
輸送成分または発光成分に用いることがより好ましく、
発光成分に用いることが特に好ましい。本発明の有機電
界発光素子においては、本発明に係る化合物Ａは、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００５３】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／
正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子
（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層
／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素
子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）
陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子
注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。
（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子は勿論であるが、さら
には、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光成分およ
び電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔注入輸送
成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光成分およ
び電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極
間に挟持させた型の素子（図８）がある。

【００５４】本発明の有機電界発光素子においては、こ
れらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素
子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの
型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、
正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発
光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸
送成分の混合層を設けることもできる。より好ましい有
機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素
子、（Ｃ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、
（Ｇ）型素子または（Ｈ）型素子であり、さらに好まし
くは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、
（Ｆ）型素子または（Ｈ）型素子である。本発明の有機
電界発光素子としては、例えば、（図１）に示す（Ａ）
陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
型素子について説明する。（図１）において、１は基
板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は
電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。

【００５５】本発明の有機電界発光素子は、基板１に支
持されていることが好ましく、基板としては、特に限定
するものではないが、透明ないし半透明であることが好
ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート
（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスル
フォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、
ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシー
ト、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わ
せた複合シートからなるものを挙げることができる。さ
らに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換
膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロー
ルすることもできる。

【００５６】陽極２としては、比較的仕事関数の大きい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質を
用いて、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法に
より、基板の上に形成することができる。また、陽極は
一層構造であってもよく、あるいは多層構造であっても
よい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／
□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定す
る。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、
１０〜５００ｎｍ程度に設定する。

【００５７】正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホ
ール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または
他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロ
シアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリ
ールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘
導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラ
ン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、
ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール誘導体など）を少なくとも１種用いて形成す
ることができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００５８】本発明において用いる他の正孔注入輸送機
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４''
−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−
（３''−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，
４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１''−ナフチル）ア
ミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−[ Ｎ，Ｎ−ジ
（４''−メチルフェニル）アミノ] フェニル〕シクロヘ
キサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニ
ル）−Ｎ−（４''−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェ
ナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−
Ｎ，Ｎ−ビス〔４''，４''' −ビス[ Ｎ’，Ｎ’−ジ
（４−メチルフェニル）アミノ] ビフェニル−４−イ
ル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミ
ノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジア
ミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミ
ノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジア
ミノベンゼン、５，５''−ビス〔４−（ビス[ ４−メチ
ルフェニル] アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，
２''−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニ
ルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''−トリス（Ｎ−カ
ルバゾイル）トリフェニルアミン、４，４’，４''−ト
リス〔Ｎ−（３''' −メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４''−トリス
〔Ｎ，Ｎ−ビス（４''' −tert−ブチルビフェニル−
４''''−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，
５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノベンゼンなど）、ポリチオフェン
およびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導
体がより好ましい。本発明に係る化合物Ａと他の正孔注
入輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸
送層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好まし
くは、０．１〜４０重量％程度に調製する。

【００５９】発光層４は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の発光
機能を有する化合物（例えば、アクリドン誘導体、キナ
クリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳
香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラ
セン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コ
ロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフ
ェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アント
ラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニ
ル）ベンゼン、４，４’−ビス（９''−エチニルアント
ラセニル）ビフェニル〕、トリアリールアミン誘導体
〔例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述
した化合物を挙げることができる〕、有機金属錯体〔例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビ
ス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム、２
−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾールの
亜鉛塩、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチア
ゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、
３−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラ
ボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミ
ニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１，１，４，
４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−
ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，
４’−ビス[ （１，１，２−トリフェニル）エテニル]
ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、
クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０
６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５
２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１
１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３
８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体
〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体
〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導
体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフ
ェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導
体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレン
およびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよび
その誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を
少なくとも１種用いて形成することができる。本発明の
有機電界発光素子においては、発光層に本発明に係る化
合物Ａを含有していることが好ましい。本発明に係る化
合物Ａと他の発光機能を有する化合物を併用する場合、
発光層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ま
しくは、０．００１〜９９．９９９重量％程度、より好
ましくは、０．０１〜９９．９９重量％程度、さらに好
ましくは、０．１〜９９．９重量％程度に調製する。

【００６０】本発明において用いる他の発光機能を有す
る化合物としては、発光性有機金属錯体がより好まし
い。例えば、J. Appl. Phys., 65、3610 (1989) 、特開
平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホ
スト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成す
ることもできる。本発明に係る化合物Ａを、ホスト化合
物として用いて発光層を形成することができ、さらに
は、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することも
できる。本発明に係る化合物Ａを、ゲスト化合物として
用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、
例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げるこ
とができ、例えば、発光性有機金属錯体またはトリアリ
ールアミン誘導体はより好ましい。この場合、発光性有
機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体に対して、
本発明に係る化合物Ａを、好ましくは、０．００１〜４
０重量％程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％
程度、特に好ましくは、０．１〜２０重量％程度使用す
る。

【００６１】本発明に係る化合物Ａと併用する発光性有
機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発
光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置
換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機アル
ミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属
錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で
表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることがで
きる。 （Ｑ）₃ −Ａｌ （ａ） （式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配
位子を表す） （Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ
−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を
含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す） （Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）₂ （ｃ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す）

【００６２】発光性有機金属錯体の具体例としては、例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ト
リス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミ
ニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラー
ト）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチ
ル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−
メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）ア
ルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラ
ート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニ
ルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジ
メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラー
ト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アル
ミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−
トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチ
ルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフ
ェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラ
ート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニ
ウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）
（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェ
ニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメ
チル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノ
ラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−
キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−
ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オ
キソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−
メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラ
ート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−
４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビ
ス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シア
ノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）
アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−ト
リフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム
などを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００６３】電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の電子注
入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯体〔例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビ
ス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウム、５
−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシ
フラボンのアルミニウム塩〕、オキサジアゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン
誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チ
オピランジオキサイド誘導体など）を少なくとも１種用
いて形成することができる。本発明に係る化合物Ａと他
の電子注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、電
子注入輸送層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合
は、好ましくは、０．１〜４０重量％程度に調製する。
本発明においては、本発明に係る化合物Ａと有機金属錯
体〔例えば、前記一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表され
る化合物〕を併用して、電子注入輸送層を形成すること
は好ましい。

【００６４】陰極６としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙
げることができる。これらの電極物質は、単独で使用し
てもよく、あるいは複数併用してもよい。陰極は、これ
らの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、
イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスター
イオンビーム法等の方法により、電子注入輸送層の上に
形成することができる。また、陰極は一層構造であって
もよく、あるいは多層構造であってもよい。尚、陰極の
シート電気抵抗は、数百Ω／□以下に設定するのが好ま
しい。陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、
１０〜５００ｎｍ程度に設定する。尚、有機電界発光素
子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の
少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であること
が好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上とな
るように陽極の材料、厚みを設定することがより好まし
い。

【００６５】また、本発明の有機電界発光素子において
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャー
を含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させ
てもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光
層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有さ
せてもよい。一重項酸素クエンチャーの含有量として
は、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成す
る全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０
５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％
である。

【００６６】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法など）により薄膜を形成することにより作製する
ことができる。真空蒸着法により、各層を形成する場
合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、
１０^-5Torr程度以下の真空下で、５０〜４００℃程度の
ボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基
板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec 程度の蒸着速度
で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送
層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連
続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電
界発光素子を製造することができる。真空蒸着法によ
り、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層
を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れ
た各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好
ましい。

【００６７】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用し
うるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリ
エステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボ
ネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよび
その誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフ
ェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンお
よびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘
導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００６８】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、
デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メ
チルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエ
タン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶
媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ド等の極性溶媒）および／または水に溶解、または分散
させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成す
ることができる。

【００６９】尚、分散する方法としては、特に限定する
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を
用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度
に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布
法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設
定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程
度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に限定するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％
程度、好ましくは、１０〜９９重量％程度、より好まし
くは、１５〜９０重量％程度に設定する。

【００７０】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止
する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。

【００７１】また、電極に保護膜として、例えば、金属
酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。

【００７２】本発明の有機電界発光素子は、一般に、直
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印加電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。

【００７３】

【実施例】以下、製造例および実施例により本発明をさ
らに詳細に説明するが、勿論、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。 製造例１ 例示化合物番号Ａ−３の化合物の製造 １，４−ジクロロ−９，１０−ジ（４’−メチル−１’
−ナフチル）アントラセン４ｇと水酸化カリウム２０ｇ
をキノリン（２５ｍｌ）中、１時間、加熱、還流した。
冷却後、反応混合物のキノリン層を１規定塩酸溶液（１
５０ｍｌ）に加えた後、析出している結晶を濾過し、１
規定塩酸溶液および水で洗浄した。この結晶をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で処
理した。トルエンを減圧下で留去した後、残渣をトルエ
ンとアセトンの混合溶媒より再結晶し、例示化合物番号
Ａ−３の化合物を緑がかった青色の結晶として２．５ｇ
得た。 融点２５０℃以上 尚、この化合物は、３２０℃、１０^-5torrの条件下で昇
華することができた。 吸収極大（トルエン中）６４５ｎｍ

【００７４】製造例２〜４２ 製造例１において、１，４−ジクロロ−９，１０−ジ
（４’−メチル−１’−ナフチル）アントラセンを使用
する代わりに、種々の１，４−ジハロゲノ−９，１０−
ジ（１’−ナフチル）アントラセン誘導体を使用した以
外は、製造例１に記載した方法に従い、種々のテトラベ
ンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェン誘導体を製造した。第
１表（表１〜表１０）には使用した１，４−ジハロゲノ
−９，１０−ジ（１’−ナフチル）アントラセン誘導
体、および製造したテトラベンゾ[de,h,kl,rst]ペンタ
フェン誘導体を例示化合物番号で示した。また、トルエ
ン中の吸収極大（ｎｍ）も併せて示した。尚、製造され
た化合物は、青色〜緑がかった青色の結晶であり、その
化合物の融点は、２５０℃以上であった。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【表２】

【００７７】

【表３】

【００７８】

【表４】

【００７９】

【表５】

【００８０】

【表６】

【００８１】

【表７】

【００８２】

【表８】

【００８３】

【表９】

【００８４】

【表１０】

【００８５】実施例１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムとテトラベンゾ[de,h,kl,rs
t] ペンタフェン（例示化合物番号Ａ−１の化合物）
を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：０．５）し、発
光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加した
ところ、５５ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２４２０
ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【００８６】実施例２〜３９ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番
号Ａ−３の化合物（実施例２）、例示化合物番号Ａ−４
の化合物（実施例３）、例示化合物番号Ａ−５の化合物
（実施例４）、例示化合物番号Ａ−８の化合物（実施例
５）、例示化合物番号Ａ−１２の化合物（実施例６）、
例示化合物番号Ａ−１７の化合物（実施例７）、例示化
合物番号Ａ−１９の化合物（実施例８）、例示化合物番
号Ａ−２１の化合物（実施例９）、例示化合物番号Ａ−
２５（実施例１０）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物
（実施例１１）、例示化合物番号Ａ−３４の化合物（実
施例１２）、例示化合物番号Ａ−３５の化合物（実施例
１３）、例示化合物番号Ｂ−２の化合物（実施例１
４）、例示化合物番号Ｂ−５の化合物（実施例１５）、
例示化合物番号Ｂ−１２の化合物（実施例１６）、例示
化合物番号Ｃ−２の化合物（実施例１７）、例示化合物
番号Ｃ−３の化合物（実施例１８）、例示化合物番号Ｃ
−７の化合物（実施例１９）、例示化合物番号Ｃ−９の
化合物（実施例２０）、例示化合物番号Ｃ−１１の化合
物（実施例２１）、例示化合物番号Ｃ−１４の化合物
（実施例２２）、例示化合物番号Ｃ−１６の化合物（実
施例２３）、例示化合物番号Ｃ−１９の化合物（実施例
２４）、例示化合物番号Ｄ−２の化合物（実施例２
５）、例示化合物番号Ｄ−４の化合物（実施例２６）、
例示化合物番号Ｄ−５の化合物（実施例２７）、例示化
合物番号Ｄ−６の化合物（実施例２８）、例示化合物番
号Ｄ−９の化合物（実施例２９）、例示化合物番号Ｄ−
１０の化合物（実施例３０）、例示化合物番号Ｄ−１４
の化合物（実施例３１）、例示化合物番号Ｄ−１８の化
合物（実施例３２）、例示化合物番号Ｄ−２０の化合物
（実施例３３）、例示化合物番号Ｄ−２２の化合物（実
施例３４）、例示化合物番号Ｄ−２５の化合物（実施例
３５）、例示化合物番号Ｄ−２８の化合物（実施例３
６）、例示化合物番号Ｄ−２９の化合物（実施例３
７）、例示化合物番号Ｄ−３２の化合物（実施例３
８）、例示化合物番号Ｄ−３５の化合物（実施例３９）
を使用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電
界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気
下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、赤色の発光が
確認された。さらにその特性を調べ、結果を第２表（表
１１〜表１２）に示した。

【００８７】比較例１ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号Ａ−１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）ア
ルミニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発
光層とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電
界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１
２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認さ
れた。さらにその特性を調べ、結果を第２表（表１２）
に示した。

【００８８】比較例２ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号Ａ−１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−
２−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に
記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素
子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を第２表（表１２）に示した。

【００８９】

【表１１】

【００９０】

【表１２】

【００９１】実施例４０ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−３の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
c で２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：１）し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝
度２３８０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【００９２】実施例４１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号Ａ−５の化合物を、異なる
蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とし
た。次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの
厚さに、共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機
電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状
態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、５７ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２３４０ｃｄ
／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【００９３】実施例４２ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−１２の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
c で２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：１）し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、６０ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝
度２２７０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【００９４】実施例４３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ａ−２７の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．
２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０
０：６．０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キ
ノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／
sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量
比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２
Ｖの直流電圧を印加したところ、６０ｍＡ／cm² の電流
が流れた。輝度２２６０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認
された。

【００９５】実施例４４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｄ−２の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノ
ラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ
／sec で２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：
１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、
蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製
した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流
電圧を印加したところ、６０ｍＡ／cm² の電流が流れ
た。輝度２３２０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認され
た。

【００９６】実施例４５ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｄ−４の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎ
ｍ／sec で２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：
１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、
蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製
した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流
電圧を印加したところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れ
た。輝度１９８０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認され
た。

【００９７】実施例４６ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３''−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、例示化
合物番号Ｄ−３２の化合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
c で５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。次いで、
その上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イ
ル〕ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍ
の厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
２００ｎｍの厚さに、共蒸着（重量比１０：１）して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加
したところ、４８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１８
２０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【００９８】実施例４７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物番号Ａ−２７の化
合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５５ｎｍの厚さに
蒸着し、発光層とした。次いで、その上に、１，３−ビ
ス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４
−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速
度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注
入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに、
共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光
素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保っ
たまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰
囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６８ｍＡ
／cm² の電流が流れた。輝度１２８０ｃｄ／ｍ² の赤色
の発光が確認された。

【００９９】実施例４８ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’，４''−トリス〔Ｎ
−（３''' −メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕
トリフェニルアミンを蒸着速度０．１ｎｍ／sec で、５
０ｎｍの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。次
いで、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１''−ナ
フチル）アミノ〕ビフェニルと例示化合物Ａ−１化合物
を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で、
２０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：５）し、第二
正孔注入輸送層を兼ねた発光層とした。次いで、その上
に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、着
速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子
注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに、
共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光
素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保っ
たまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰
囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６８ｍＡ
／cm² の電流が流れた。輝度２７２０ｃｄ／ｍ² の赤色
の発光が確認された。

【０１００】実施例４９〜５６ 実施例４８において、例示化合物番号Ａ−１の化合物を
使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−３の化合物（実
施例４９）、例示化合物番号Ａ−８の化合物（実施例４
０）、例示化合物番号Ａ−１２の化合物（実施例５
１）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実施例５
２）、例示化合物番号Ｃ−２の化合物（実施例５３）、
例示化合物番号Ｄ−２の化合物（実施例５４）、例示化
合物番号Ｄ−１８の化合物（実施例５５）、例示化合物
番号Ｄ−２８の化合物（実施例５６）を使用した以外
は、実施例４８に記載の方法により有機電界発光素子を
作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの
直流電圧を印加したところ、赤色の発光が確認された。
さらにその特性を調べ、結果を第３表（表１３）に示し
た。

【０１０１】

【表１３】

【０１０２】実施例５７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，１，４，４−テトラフェニル−１，
３−ブタジエン（青色の発光成分）、クマリン６〔”３
−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノク
マリン”（緑色の発光成分）〕、および例示化合物番号
Ａ−１０の化合物を、それぞれ重量比１００：５：３：
２の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用い
て、ディップコート法により、４００ｎｍの発光層を形
成した。次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着
装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6
Torrに減圧した。さらに、発光層の上に、３−（４’−
tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−−５−（４''
−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾールを、蒸着速
度０．２ｎｍ／sec で２０ｎｍの厚さに蒸着した後、さ
らにその上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニ
ウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で３０ｎｍの厚さに
蒸着し電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネ
シウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍ
の厚さに、共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有
機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、７４ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１２１０ｃｄ
／ｍ² の白色の発光が確認された。

【０１０３】実施例５８〜６２ 実施例５７において、例示化合物番号Ａ−１０の化合物
を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−１４の化合物
（実施例５８）、例示化合物番号Ｂ−８の化合物（実施
例５９）、例示化合物番号Ｃ−７の化合物（実施例６
０）、例示化合物番号Ｄ−９の化合物（実施例６１）、
例示化合物番号Ｄ−２０の化合物（実施例６２）を使用
した以外は、実施例５７に記載の方法により有機電界発
光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、
１２Ｖの直流電圧を印加したところ、白色の発光が確認
された。さらにその特性を調べ、結果を第４表（表１
４）に示した。

【０１０４】

【表１４】

【０１０５】実施例６３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−
イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号Ａ−８の化合物
を、それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する
３重量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート
法により、３００ｎｍの発光層を形成した。次に、この
発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。さ
らに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比
１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５
Ｖの直流電圧を印加したところ、７６ｍＡ／cm² の電流
が流れた。輝度１３８０ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認
された。

【０１０６】比較例３ 実施例６３において、発光層の形成に際して、例示化合
物番号Ａ−８の化合物の代わりに、１，１，４，４−テ
トラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外は、
実施例６３に記載の方法により有機電界発光素子を作製
した。作製した有機電界素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖ
の直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／cm² の電流が
流れた。輝度７５０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認され
た。

【０１０７】実施例６４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、
４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３''−メチルフ
ェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−
キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよび例
示化合物番号Ｃ−７の化合物を、それぞれ重量比１０
０：４０：６０：１の割合で含有する３重量％ジクロロ
エタン溶液を用いて、ディップコート法により、３００
ｎｍの発光層を形成した。次に、この発光層を有するガ
ラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸
着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。さらに、発光層の上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極
とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界
発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加し
たところ、６６ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度８７０
ｃｄ／ｍ² の赤色の発光が確認された。

【０１０８】

【発明の効果】本発明により、発光輝度が優れた有機電
界発光素子を提供することが可能になった。さらに、該
発光素子に適した炭化水素化合物を提供することが可能
になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図２】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図３】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図４】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図５】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図６】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図７】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図８】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：陽極 ３ ：正孔注入輸送層 ３ａ：正孔注入輸送成分 ４ ：発光層 ４ａ：発光成分 ５ ：電子注入輸送層 ５''：電子注入輸送層 ５ａ：電子注入輸送成分 ６ ：陰極 ７ ：電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の電極間に、テトラベンゾ[de,h,k
   l,rst] ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有する
   層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
2. 【請求項２】 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェ
   ン誘導体を含有する層が、発光層である請求項１記載の
   有機電界発光素子。
3. 【請求項３】 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェ
   ン誘導体を含有する層が、さらに、発光性有機金属錯体
   を含有することを特徴とする請求項１または２記載の有
   機電界発光素子。
4. 【請求項４】 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェ
   ン誘導体を含有する層が、さらに、トリアリールアミン
   誘導体を含有することを特徴とする請求項１または２記
   載の有機電界発光素子。
5. 【請求項５】 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送
   層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
6. 【請求項６】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
   層を有する請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
7. 【請求項７】 テトラベンゾ[de,h,kl,rst] ペンタフェ
   ン誘導体が、一般式（１−Ａ）（化１）で表される化合
   物である請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光
   素子。 【化１】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
   分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
   置換のアリール基を表す。）
8. 【請求項８】 一般式（１−Ａ）（化２）で表される化
   合物。 【化２】 〔式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
   分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
   置換のアリール基を表す。但し、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₈が同時に水
   素原子となることはない。〕