JP2002025773A - 炭化水素化合物および有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一般式（１−Ａ）で表される化合物およ
び該化合物を使用する電界発光素子。 （式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
未置換のアリール基を表す。） 【効果】 発光効率に優れ、高輝度に発光する有機電界
発光素子を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
および該発光素子に好適に使用できる新規な炭化水素化
合物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無機電界発光素子は、例えば、バ
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有
機ＥＬ素子）が開発された[Appl.Phys.Lett.,51,913(19
87)]。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄
膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、該薄膜に
電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させるこ
とにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子
が失活する際に放出される光を利用して発光する素子で
ある。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の
低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機化合物の
種類を選択することにより種々の色（例えば、赤色、青
色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有す
る有機電界発光素子は、種々の発光素子、表示素子等へ
の応用が期待されている。しかしながら、一般に、発光
輝度が低く、実用上十分ではない。

【０００３】発光輝度を向上させる方法として、発光層
として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミ
ニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体
をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発
光素子が提案されている[J.Appl.Phys.,65,3610(198
9)]。また、発光層として、例えば、ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）
アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体（例え
ば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲスト化
合物として用いた有機電界発光素子が提案されている
（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、これ
らの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言い難
い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光素子
が望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発光
効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供
することである。さらには、該発光素子に好適に使用で
きる新規な炭化水素化合物を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機電界
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。すなわち本発明は、 一対の電極間に、ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−
ｓ−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導
体を少なくとも一種含有する層を、少なくとも一層挟持
してなる有機電界発光素子、 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,
2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を含有する層が、
発光層である前記記載の有機電界発光素子、 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,
2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を含有する層が、
さらに、発光性有機金属錯体を含有することを特徴とす
る前記または記載の有機電界発光素子、 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,
2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を含有する層が、
さらに、トリアリールアミン誘導体を含有することを特
徴とする前記または記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,
2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体が、一般式（１−
Ａ）（化３）で表される化合物である前記〜のいず
れかに記載の有機電界発光素子、

【０００６】

【化３】

【０００７】（式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるい
は、置換または未置換のアリール基を表す。） さらに、本発明は、一般式（１−Ａ）（化４）で表さ
れる炭化水素化合物、に関するものである。

【０００８】

【化４】

【０００９】（式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるい
は、置換または未置換のアリール基を表す。）

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して、詳細に説
明する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間
に、ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ
[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を少なくとも
一種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものであ
る。本発明に係るベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ
−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体
（以下、本発明に係る化合物Ａと略記する）とは、一般
式（１）（化５）で表される骨格を有する化合物を表す
ものである。一般式（１）で表される骨格は、種々の置
換基で置換されていてもよく、本発明に係る化合物Ａ
は、好ましくは、一般式（１−Ａ）（化５）で表される
化合物である。

【００１１】

【化５】

【００１２】（式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるい
は、置換または未置換のアリール基を表す。） 一般式（１−Ａ）で表される化合物において、Ｘ₁〜Ｘ
₂₆はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは、置換または未置換のアリール
基を表す。尚、本発明において、アリール基とは、例え
ば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基、
例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの複素
環式芳香族基を表す。一般式（１−Ａ）で表される化合
物において、好ましくは、Ｘ₁〜Ｘ₂₆は水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のア
ルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のア
ルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置
換のアリール基を表す。

【００１３】一般式（１−Ａ）における、Ｘ₁〜Ｘ₂₆の
具体例としては、例えば、水素原子；例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子；例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ter
t−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオ
ペンチル基、tert−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−
メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，
３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプ
チル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル
基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、１−メチルヘ
プチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチ
ル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、
２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、
１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル
基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ
−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデ
シル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘ
キシル基、４−tert−ブチルシクロヘキシル基、シクロ
ヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または
環状のアルキル基；

【００１４】例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソ
ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ
基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２
−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−
デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシ
ルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシ
ルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデ
シルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタ
デシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基；

【００１５】例えば、フェニル基、２−メチルフェニル
基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４
−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４
−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル
基、４−イソブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェ
ニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−tert−ペン
チルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シ
クロヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル
基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェ
ニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシ
ルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−
テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル
基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフ
ェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメ
チルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，
４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テト
ラメチルフェニル基、

【００１６】５−インダニル基、１，２，３，４−テト
ラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒ
ドロ−６−ナフチル基、２−メトキシフェニル基、３−
メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エ
トキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−
プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル
基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフ
ェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ
−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキ
シフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４
−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキ
シフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−
ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオ
キシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル
基、

【００１７】２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−
ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル
基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキ
シフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メ
トキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メ
チルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル
基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル
−５−メトキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、
３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２
−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロ
ロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−トリフルオ
ロメチルフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、
２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニ
ル基、３，５−ジクロロフェニル基、２−メチル−４−
クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル
基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−
４−メトキシフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロ
フェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３
−フルオロ−４−メトキシフェニル基、４−フェニルフ
ェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチ
ルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニ
ル）フェニル基、

【００１８】１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メ
チル−１−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル
基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、６−メトキシ−
２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、

【００１９】２−フリル基、２−チエニル基、３−チエ
ニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジ
ル基などの置換または未置換のアリール基を挙げること
ができる。

【００２０】より好ましくは、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１
０のアルコキシ基、あるいは、炭素数６〜１２のアリー
ル基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜
６のアルコキシ基、あるいは、炭素数６〜１０のアリー
ル基である。

【００２１】本発明の有機電界発光素子においては、ベ
ンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,2,3-
cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を少なくとも一種使用
することが特徴であり、例えば、ベンゾ[5,6]インデノ
[1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジ
ペリレン誘導体を発光成分として発光層に用いると、従
来にはない、高輝度で耐久性に優れた赤色に発光する有
機電界発光素子を提供することが可能となる。また、他
の発光成分と組み合わせて発光層を形成すると、高輝度
で耐久性に優れた白色に発光する有機電界発光素子も提
供することが可能となる。

【００２２】本発明に係る化合物Ａの具体例としては、
例えば、以下の化合物（化６〜化４８）を挙げることが
できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２３】

【化６】

【００２４】

【化７】

【００２５】

【化８】

【００２６】

【化９】

【００２７】

【化１０】

【００２８】

【化１１】

【００２９】

【化１２】

【００３０】

【化１３】

【００３１】

【化１４】

【００３２】

【化１５】

【００３３】

【化１６】

【００３４】

【化１７】

【００３５】

【化１８】

【００３６】

【化１９】

【００３７】

【化２０】

【００３８】

【化２１】

【００３９】

【化２２】

【００４０】

【化２３】

【００４１】

【化２４】

【００４２】

【化２５】

【００４３】

【化２６】

【００４４】

【化２７】

【００４５】

【化２８】

【００４６】

【化２９】

【００４７】

【化３０】

【００４８】

【化３１】

【００４９】

【化３２】

【００５０】

【化３３】

【００５１】

【化３４】

【００５２】

【化３５】

【００５３】

【化３６】

【００５４】

【化３７】

【００５５】

【化３８】

【００５６】

【化３９】

【００５７】

【化４０】

【００５８】

【化４１】

【００５９】

【化４２】

【００６０】

【化４３】

【００６１】

【化４４】

【００６２】

【化４５】

【００６３】

【化４６】

【００６４】

【化４７】

【００６５】

【化４８】

【００６６】本発明に係る化合物Ａ、例えば、一般式
（１−Ａ）で表される化合物は、例えば、以下の方法に
より製造することができる。すなわち、例えば、一般式
（２）（化４９）で表される３−（ベンゾ[k]フルオラ
ンテン−３’−イル）−１１−（１’−ナフチル）アセ
ナフト[1,2-k]フルオランテン誘導体を、酸化剤（例え
ば、塩化アルミニウム／塩化第二銅、塩化アルミニウム
／塩化ナトリウム、三フッ化コバルト、トリフルオロ酢
酸タリウム、四酢酸鉛、または塩化第二鉄）の存在下で
反応させて閉環する〔例えば、J.Amer.Chem.Soc.,102,6
504(1980)、Chem.Rev.,87,357(1987)に記載の方法を参
考にすることができる〕ことにより製造することができ
る。

【００６７】

【化４９】

【００６８】〔上式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆は、一般式（１−
Ａ）の場合と同じ意味を表す〕 尚、一般式（２）で表される化合物は、例えば、一般式
（３）（化５０）で表されるホウ酸化合物を、一般式
（４）（化５０）で表されるハロゲノアセナフト[1,2-
k]フルオランテン誘導体とを、例えば、パラジウム化合
物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）
パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジ
ウムクロライド〕および塩基（例えば、炭酸ナトリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下
で反応させる〔例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)に記
載の方法を参考にすることができる〕ことにより製造す
ることができる。

【００６９】

【化５０】

【００７０】〔上式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆は、一般式（１−
Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ₁はハロゲン原子を表
す〕 一般式（４）において、Ｚ₁はハロゲン原子を表し、好
ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

【００７１】また、一般式（２）で表される化合物は、
例えば、一般式（５）（化５１）で表されるホウ酸化合
物を、一般式（６）（化５１）で表されるハロゲノアセ
ナフト[1,2-k]フルオランテン誘導体とを、例えば、パ
ラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフ
ォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフ
ィン）パラジウムクロライド〕および塩基（例えば、炭
酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミ
ン）の存在下で反応させる〔例えば、Chem.Rev.,95,245
7(1995)に記載の方法を参考にすることができる〕こと
により製造することができる。

【００７２】

【化５１】

【００７３】〔上式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆は、一般式（１−
Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ2はハロゲン原子を表
す〕 一般式（６）において、Ｚ2はハロゲン原子を表し、好
ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

【００７４】尚、一般式（４）で表される化合物は、例
えば、一般式（５）（化５２）で表されるホウ酸化合物
を、一般式（７）（化５２）で表されるジハロゲノアセ
ナフト[1,2-k]フルオランテン誘導体とを、例えば、パ
ラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフ
ォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフ
ィン）パラジウムクロライド〕および塩基（例えば、炭
酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミ
ン）の存在下で反応させる〔例えば、Chem.Rev.,95,245
7(1995)に記載の方法を参考にすることができる〕こと
により製造することができる。

【００７５】また、一般式（６）で表される化合物は、
例えば、一般式（３）（化５２）で表されるホウ酸化合
物を、一般式（７）（化５２）で表されるジハロゲノア
セナフト[1,2-k]フルオランテン誘導体とを、例えば、
パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニル
フォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォス
フィン）パラジウムクロライド〕および塩基（例えば、
炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミ
ン）の存在下で反応させる〔例えば、Chem.Rev.,95,245
7(1995)に記載の方法を参考にすることができる〕こと
により製造することができる。

【００７６】

【化５２】

【００７７】〔上式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆は、一般式（１−
Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ₁およびＺ2はハロゲン
原子を表す〕 一般式（７）において、Ｚ₁およびＺ₂はハロゲン原子を
表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を
表す。

【００７８】尚、一般式（３）および一般式（５）で表
される化合物は、例えば、一般式（８）（化５３）およ
び一般式（９）（化５３）で表される化合物より、例え
ば、ｎ−ブチルリチウム、金属マグネシウムを作用させ
て調製できるリチオ化合物またはグリニヤール試薬と、
例えば、トリメトキシホウ素、トリイソプロポキシホウ
素などにより調製することができる〔例えば、Chem.Re
v.,95,2457(1995)に記載の方法を参考にすることができ
る〕。

【００７９】

【化５３】

【００８０】〔上式中、Ｘ₁〜Ｘ₁₀、Ｘ₁₆〜Ｘ₂₁は、一
般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ3およびＺ4
はハロゲン原子を表す〕 一般式（８）および一般式（９）において、Ｚ3および
Ｚ4はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子を表す。

【００８１】尚、一般式（７）で表される化合物は、例
えば、３−ハロゲノシクロペンタ［ａ］アセナフチレン
−８−オン誘導体と５−ハロゲノアセナフチレン誘導体
を反応させた後、脱水素〔例えば、脱水素剤として、ク
ロラニル、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，
４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）を使用する〕させることに
より製造することができる〔例えば、Angew.Chem.Int.E
d.Engl.,30,172(1991)に記載の方法を参考にすることが
できる〕。

【００８２】尚、一般式（８）で表される化合物は、例
えば、J.Org.Chem.,62,530(1997)に記載の方法に従って
製造することができる。すなわち、例えば、５−ハロゲ
ノアセナフチレン誘導体とイソベンゾフラン誘導体を反
応後、脱水することにより製造することができる。ま
た、一般式（８）で表される化合物は、３−ハロゲノシ
クロペンタ[a]アセナフチレン−８−オン誘導体とベン
ザイン誘導体を反応させることにより製造することがで
きる〔例えば、Ind.J.Chem.Sect.B,15B,32(1977)に記載
の方法を参考にすることができる〕。

【００８３】本発明に係る化合物Ａは、場合により使用
した溶媒（例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶
媒）との溶媒和を形成した形で製造されることがある
が、本発明においては、本発明に係る化合物Ａはこのよ
うな溶媒和物を包含するものである。勿論、溶媒を含有
しない無溶媒和物をも包含するものである。本発明の有
機電界発光素子には、本発明に係る化合物Ａの無溶媒和
物は勿論、このような溶媒和物をも使用することができ
る。尚、本発明に係る化合物Ａを有機電界発光素子に使
用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、
昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併
用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましい
ことである。

【００８４】有機電界発光素子は、通常、一対の電極間
に、少なくとも一種の発光成分を含有する発光層を、少
なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用す
る化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電
子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注
入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および／または電
子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けること
もできる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入
機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子
輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層お
よび／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成と
することができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸
送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素
子（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、
正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞ
れの層は、一層構造であっても、また、多層構造であっ
てもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、そ
れぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を
有する層を別々に設けて構成することもできる。

【００８５】本発明の有機電界発光素子において、本発
明に係る化合物Ａは、正孔注入輸送成分、発光成分また
は電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入
輸送成分または発光成分に用いることがより好ましく、
発光成分に用いることが特に好ましい。本発明の有機電
界発光素子においては、本発明に係る化合物Ａは、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００８６】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／
正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子
（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層
／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素
子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）
陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子
注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。
（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子を包含するものである
が、さらには、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光
成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔
注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光
成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子（図８）がある。

【００８７】本発明の有機電界発光素子においては、こ
れらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素
子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの
型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、
正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発
光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸
送成分の混合層を設けることもできる。より好ましい有
機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素
子、（Ｃ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、
（Ｇ）型素子または（Ｈ）型素子であり、さらに好まし
くは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、
（Ｆ）型素子、または（Ｈ）型素子である。本発明の有
機電界発光素子としては、例えば、（図１）に示す
（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層
／陰極型素子について説明する。（図１）において、１
は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、
５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。

【００８８】本発明の電界発光素子は、基板１に支持さ
れていることが好ましく、基板としては、特に限定する
ものではないが、透明ないし半透明であることが好まし
く、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート（例え
ば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリ
エチレンなどのシート）、半透明プラスチックシート、
石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた
複合シートからなるものを挙げることができる。さら
に、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、
誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールす
ることもできる。

【００８９】陽極２としては、比較的仕事関数の大きい
金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質を
用いて、例えば、蒸着法、スパッタリング法などの方法
により、基板の上に形成することができる。また、陽極
は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であって
もよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω
／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定
する。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、
１０〜５００ｎｍ程度に設定する。

【００９０】正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホ
ール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または
他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロ
シアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリ
ールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘
導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラ
ン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、
ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール誘導体など）を少なくとも一種用いて形成す
ることができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００９１】本発明において用いる他の正孔注入輸送機
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”
−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−
（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，
４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）ア
ミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−［Ｎ，Ｎ−ジ
（４”−メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘ
キサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニ
ル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェ
ナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−
Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４'''−ビス［Ｎ’，Ｎ’−ジ
（４−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル−４−イ
ル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミ
ノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジア
ミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミ
ノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジア
ミノベンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス［４−メチ
ルフェニル］アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，
２”−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニ
ルアミノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カ
ルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−
トリス〔Ｎ−（３'''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ〕トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリ
ス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４'''−tert−ブチルビフェニル−
４""−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５
−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ〕ベンゼンなど）、ポリチオフェン
およびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導
体が好ましい。本発明に係る化合物Ａと他の正孔注入輸
送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層
中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましく
は、０．１〜４０重量％程度に調整する。

【００９２】発光層４は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の発光
機能を有する化合物（例えば、アクリドン誘導体、キナ
クリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳
香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラ
セン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コ
ロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフ
ェニルシクロヘキサジエン、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アント
ラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニ
ル）ベンゼン、４，４’−ビス（９”−エチニルアント
ラセニル）ビフェニル〕、トリアリールアミン誘導体
〔例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述
した化合物を挙げることができる〕、有機金属錯体〔例
えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウム、ビス
（１０−ベンゾ[h]キノリノラート）ベリリウム、２−
（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾールの亜
鉛塩、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾ
ールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３
−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボ
ンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニ
ウム塩〕、スチルベン誘導体｛例えば、１，１，４，４
−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビ
ス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，４’
−ビス〔（１，１，２−トリフェニル）エテニル〕ビフ
ェニル｝、

【００９３】クマリン誘導体〔例えば、クマリン１、ク
マリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０
６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５
２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１
１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３
８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン誘導体
〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘導体
〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導
体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフ
ェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導
体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレン
およびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよび
その誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を
少なくとも一種用いて形成することができる。本発明の
有機電界発光素子においては、発光層に本発明に係る化
合物Ａを含有していることが好ましい。本発明に係る化
合物Ａと他の発光機能を有する化合物を併用する場合、
発光層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ま
しくは、０．００１〜９９．９９９重量％程度、より好
ましくは、０．０１〜９９．９９重量％程度、さらに好
ましくは、０．１〜９９．９重量％程度に調整する。

【００９４】本発明において用いる他の発光機能を有す
る化合物としては、発光性有機金属錯体が好ましい。例
えば、J.Appl.Phys.,65,3610(1989)、特開平５−２１４
３３２号公報に記載のように、発光層をホスト化合物と
ゲスト化合物（ドーパント）とより構成することもでき
る。本発明に係る化合物Ａを、ホスト化合物として用い
て発光層を形成することができ、さらには、ゲスト化合
物として用いて発光層を形成することもできる。本発明
に係る化合物Ａを、ゲスト化合物として用いて発光層を
形成する場合、ホスト化合物としては、例えば、前記の
他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、例え
ば、発光性有機金属錯体または前記のトリアリールアミ
ン誘導体はより好ましい。この場合、発光性有機金属錯
体またはトリアリールアミン誘導体に対して、本発明に
係る化合物Ａを、好ましくは、０．００１〜４０重量％
程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特
に好ましくは、０．１〜２０重量％程度使用する。

【００９５】本発明に係る化合物Ａと併用する発光性有
機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発
光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置
換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機アル
ミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属
錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で
表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることがで
きる。

【００９６】 （Ｑ）3−Ａｌ （ａ） （式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配
位子を表す） （Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ
−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を
含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す） （Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）2 （ｃ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す） 発光性有機金属錯体の具体例としては、例えば、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メ
チル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５
−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス
（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）
アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム、

【００９７】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３
−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフ
ェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，
３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェ
ノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−te
rt−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェ
ノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラー
ト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１
−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウ
ム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）
（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェ
ニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメ
チル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラー
ト）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノ
リノラート）（３，５−ジメチルフェニルフェノラー
ト）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノ
リノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェニルフェ
ノラート）アルミニウム、

【００９８】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル
−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビ
ス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラ
ート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−
４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メト
キシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−
キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５
−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙
げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００９９】電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の電子注
入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯体〔例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビ
ス（１０−ベンゾ[h]キノリノラート）ベリリウム、５
−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシ
フラボンのアルミニウム塩〕、オキサジアゾール誘導体
〔例えば、１，３−ビス［５’−（ｐ−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イ
ル］ベンゼン〕、トリアゾール誘導体〔例えば、３−
（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−
（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール〕、
トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、
キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ
置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導
体など）を少なくとも一種用いて形成することができ
る。本発明に係る化合物Ａと他の電子注入輸送機能を有
する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占める
本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜
４０重量％程度に調整する。本発明において、本発明に
係る化合物Ａと有機金属錯体〔例えば、前記一般式
（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物〕を併用して、
電子注入輸送層を形成することは好ましい。

【０１００】陰極６としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜などを
挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用
してもよく、あるいは、複数併用してもよい。陰極は、
これらの電極物質を用いて、例えば、蒸着法、スパッタ
リング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、
クラスターイオンビーム法などの方法により、電子注入
輸送層の上に形成することができる。また、陰極は一層
構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよ
い。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下に設
定することが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極物
質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、
より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すため
に、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明な
いし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透
過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚みを設定
することがより好ましい。

【０１０１】また、本発明の有機電界発光素子において
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項クエンチャーを含
有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させても
よく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、
発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させて
もよい。一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含
有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体
量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３
０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％であ
る。

【０１０２】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法、インクジェット法など）により薄膜を形成する
ことにより作成することができる。真空蒸着法により、
各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定する
ものではないが、１０^-5Torr程度の真空下で、５０〜６
００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３０
０℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec程
度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層などの各層は、
真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層
優れた有機電界発光素子を製造することができる。真空
蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送
層などの各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、
化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着
することが好ましい。

【０１０３】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正孔
注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しう
るバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエ
ステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびそ
の誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェ
ニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよ
びその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導
体などの高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂
は、単独で使用してもよく、あるいは、複数併用しても
よい。溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を
形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂を、適
当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフ
タレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、
クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン
化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系
溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例
えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１−メ
チル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ドなどの極性溶媒）および／または水に溶解、または分
散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成
することができる。

【０１０４】尚、分散する方法としては、特に限定する
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなど
を用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃
度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗
布法により、所望の厚みを作成するに適した濃度範囲に
設定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程
度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に制限するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％
程度、好ましくは、１０〜９９．９重量％程度、より好
ましくは、１５〜９０重量％程度に設定する。

【０１０５】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分との接触を防止す
る目的で、保護層（封止層）を設けたり、また、素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。

【０１０６】また、電極に保護層として、例えば、金属
酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。

【０１０７】本発明の有機電界発光素子は、一般に、直
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印可電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。

【０１０８】

【実施例】以下、製造例および実施例により、本発明を
更に詳細に説明するが、勿論、本発明はこれらにより限
定されるものではない。

【０１０９】製造例１ 例示化合物Ａ−１の化合物の製
造 ３−（ベンゾ[k]フルオランテン−３’−イル）−１１
−（１’−ナフチル）アセナフト[1,2-k]フルオランテ
ン７．０３ｇと三フッ化コバルト１１．５９ｇをトリフ
ルオロ酢酸１００ｍｌ中、室温にて、５時間撹拌した。
水５００ｍｌを加えた後、析出している結晶を濾取し、
水で洗浄した。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶出液：トルエン）で処理した。トルエンを
減圧下留去した後、残渣をトルエンとアセトンの混合溶
媒より再結晶し、例示化合物Ａ−１の化合物を紫色の結
晶として４．１２ｇ得た。 質量分析：ｍ／ｚ＝６９８ 融点２５０℃以上 尚、この化合物は、５００℃、１０^-5torrの条件下で昇
華した。 吸収極大（トルエン中）６１２ｎｍ

【０１１０】製造例２〜５０ 製造例１において、３−（ベンゾ[k]フルオランテン−
３’−イル）−１１−（１’−ナフチル）アセナフト
[1,2-k]フルオランテンを使用する代わりに、種々の３
−（ベンゾ[k]フルオランテン−３’−イル）−１１−
（１’−ナフチル）アセナフト[1,2-k]フルオランテン
誘導体を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従
い、種々のベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−イン
ダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を製造
した。第１表（表１〜表１２）には使用した３−（ベン
ゾ[k]フルオランテン−３’−イル）−１１−（１’−
ナフチル）アセナフト[1,2-k]フルオランテン誘導体、
および製造したベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−
インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を
例示化合物番号で示した。また、トルエン中の吸収極大
（ｎｍ）も併せて示した。尚、製造された化合物は、紫
色の結晶であり、それらの化合物の融点は、２５０℃以
上であった。

【０１１１】

【表１】

【０１１２】

【表２】

【０１１３】

【表３】

【０１１４】

【表４】

【０１１５】

【表５】

【０１１６】

【表６】

【０１１７】

【表７】

【０１１８】

【表８】

【０１１９】

【表９】

【０１２０】

【表１０】

【０１２１】

【表１１】

【０１２２】

【表１２】

【０１２３】実施例１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムとベンゾ[5,6]インデノ[1,2,
3-lm]インデノ[1',2',3'-l'm']−ｓ−インダセノ[1,2,3
-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン（例示化合物番号Ａ−１の
化合物）を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：０．
５）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラ
ート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５
０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらに
その上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、５５ｍＡ／cm²の電流が流れた。輝
度２４８０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１２４】実施例２〜５０ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ
−８の化合物（実施例２）、例示化合物番号Ａ−１０の
化合物（実施例３）、例示化合物番号Ａ−１２の化合物
（実施例４）、例示化合物番号Ａ−１８の化合物（実施
例５）、例示化合物番号Ａ−１９の化合物（実施例
６）、例示化合物番号Ａ−２５の化合物（実施例７）、
例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実施例８）、例示化
合物番号Ａ−３４の化合物（実施例９）、例示化合物番
号Ｂ−１の化合物（実施例１０）、例示化合物番号Ｂ−
３の化合物（実施例１１）、 例示化合物番号Ｂ−８の
化合物（実施例１２）、例示化合物番号Ｃ−１の化合物
（実施例１３）、例示化合物番号Ｃ−４の化合物（実施
例１４）、例示化合物番号Ｃ−６の化合物（実施例１
５）、例示化合物番号Ｃ−７の化合物（実施例１６）、
例示化合物番号Ｃ−１０の化合物（実施例１７）、例示
化合物番号Ｃ−１２の化合物（実施例１８）、例示化合
物番号Ｃ−１６の化合物（実施例１９）、例示化合物番
号Ｃ−１８の化合物（実施例２０）、例示化合物番号Ｃ
−２４の化合物（実施例２１）、例示化合物番号Ｃ−３
０の化合物（実施例２２）、例示化合物番号Ｃ−３８の
化合物（実施例２３）、例示化合物番号Ｃ−４０の化合
物（実施例２４）、例示化合物番号Ｃ−４２の化合物
（実施例２５）、例示化合物番号Ｃ−４７の化合物（実
施例２６）、例示化合物番号Ｃ−４９の化合物（実施例
２７）、例示化合物番号Ｃ−５０の化合物（実施例２
８）、例示化合物番号Ｃ−５１の化合物（実施例２
９）、例示化合物番号Ｃ−５２の化合物（実施例３
０）、例示化合物番号Ｃ−５８の化合物（実施例３
１）、例示化合物番号Ｃ−６０の化合物（実施例３
２）、例示化合物番号Ｄ−１の化合物（実施例３３）、
例示化合物番号Ｄ−２の化合物（実施例３４）、例示化
合物番号Ｄ−５の化合物（実施例３５）、例示化合物番
号Ｄ−８の化合物（実施例３６）、例示化合物番号Ｄ−
１５の化合物（実施例３７）、例示化合物番号Ｄ−１７
の化合物（実施例３８）、例示化合物番号Ｅ−１の化合
物（実施例３９）、例示化合物番号Ｅ−３の化合物（実
施例４０）、例示化合物番号Ｅ−４の化合物（実施例４
１）、例示化合物番号Ｅ−５の化合物（実施例４２）、
例示化合物番号Ｅ−７の化合物（実施例４３）、例示化
合物番号Ｅ−９の化合物（実施例４４）、例示化合物番
号Ｅ−１０の化合物（実施例４５）、例示化合物番号Ｅ
−１３の化合物（実施例４６）、例示化合物番号Ｅ−１
７の化合物（実施例４７）、例示化合物番号Ｅ−１８の
化合物（実施例４８）、例示化合物番号Ｅ−２３の化合
物（実施例４９）、例示化合物番号Ｅ−２４の化合物
（実施例５０）を使用した以外は、実施例１に記載の方
法により有機電界発光素子を作製した。それぞれの素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、橙赤〜赤色の発光が確認された。さらにその特性を
調べ、結果を第２表（表１３〜表１５）に示した。

【０１２５】比較例１ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号Ａ−１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）ア
ルミニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発
光層とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電
界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１
２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認さ
れた。さらにその特性を調べ、結果を第２表に示した。

【０１２６】比較例２ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号Ａ−１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−
２−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に
記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素
子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を第２表に示した。

【０１２７】

【表１３】

【０１２８】

【表１４】

【０１２９】

【表１５】

【０１３０】実施例５１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−８の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
４４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１３１】実施例５２ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号Ａ−１２の化合物を、異な
る蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とし
た。次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム
を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態
を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、
乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５
４ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２３８０ｃｄ／m²の
赤色の発光が確認された。

【０１３２】実施例５３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−１９の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５５ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
３２０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１３３】実施例５４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ａ−２９の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．
２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０
０：６．０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キ
ノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比
１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２
Ｖの直流電圧を印加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流
が流れた。輝度２２８０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認さ
れた。

【０１３４】実施例５５ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｃ−６の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノ
ラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで
５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ
／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）
して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、５８ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝
度２２６０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１３５】実施例５６ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｃ−１０の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．
２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０
０：１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比
１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２
Ｖの直流電圧を印加したところ、５４ｍＡ／c m²の電流
が流れた。輝度２４４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認さ
れた。

【０１３６】実施例５７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−１２の
化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
３６０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１３７】実施例５８ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号Ｃ−２４の化合物を、異な
る蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とし
た。次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム
を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態
を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、
乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５
６ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２３２０ｃｄ／m²の
赤色の発光が確認された。

【０１３８】実施例５９ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−３０の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５８ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
２２０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１３９】実施例６０ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6に減圧した。まず、
ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−
Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸
着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正
孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス（８−
キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｄ−１
の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：６．
０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラ
ート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５
０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらに
その上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝
度２２６０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４０】実施例６１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｄ−８の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノ
ラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで
５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ
／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）
して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧
を印加したところ、５５ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝
度２３４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４１】実施例６２ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｅ−４の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２
ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：
１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎ
ｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：
１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、
蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製
した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流
電圧を印加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れ
た。輝度２３２０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４２】実施例６３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｅ−７の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５５ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
３４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４３】実施例６４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号Ｅ−１０の化合物を、異な
る蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とし
た。次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム
を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態
を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、
乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５
８ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２３４０ｃｄ／m²の
赤色の発光が確認された。

【０１４４】実施例６５ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｅ−１４の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）
し、発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０
ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して
陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、
蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機
電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印
加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２
３４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４５】実施例６６ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｅ−１８の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．
２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０
０：６．０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キ
ノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／
secで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比
１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２
Ｖの直流電圧を印加したところ、５８ｍＡ／c m²の電流
が流れた。輝度２３８０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認さ
れた。

【０１４６】実施例６７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号
Ｅ−１９の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．
２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０
０：１０）し、発光層とした。次に、トリス（８−キノ
リノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２
ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：
１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、
蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製
した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流
電圧を印加したところ、５６ｍＡ／c m²の電流が流れ
た。輝度２２５０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４７】実施例６８ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を蒸着速度０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、例示化
合物番号Ｄ−１の化合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。次いで、そ
の上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕
ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加した
ところ、４１ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度１８８０
ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１４８】実施例６９ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物番号Ｅ−４の化合
物を蒸着速度０．２ｎｍ／secで５５ｎｍの厚さに蒸着
し、発光層とした。次いで、その上に、１，３−ビス
〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度
０．２ｎｍ／secで７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入
輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、
蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着
（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を
作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま
実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、１４Ｖの直流電圧を印加したところ、６３ｍＡ／c
m²の電流が流れた。輝度１４６０ｃｄ／m²の赤色の発光
が確認された。

【０１４９】実施例７０ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’，４”−トリス〔Ｎ
−（3'''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ト
リフェニルアミンを蒸着速度０．１ｎｍ／secで、５０
ｎｍの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。次い
で、４，４’，−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナ
フチル）アミノ〕ビフェニルと例示化合物番号Ａ−１の
化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／se
cで２０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：５）し、
第二正孔注入輸送層を兼ねた発光層とした。次いで、そ
の上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム
を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで５０ｎｍの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの
厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態
を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、
乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６
４ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度２６４０ｃｄ／m²の
赤色の発光が確認された。

【０１５０】実施例７１〜９２ 実施例７０において、発光層の形成に際して、例示化合
物Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号
Ａ−１０の化合物（実施例７１）、例示化合物番号Ａ−
１８の化合物（実施例７２）、例示化合物番号Ａ−２５
の化合物（実施例７３）、例示化合物番号Ｂ−１８の化
合物（実施例７４）、例示化合物番号Ｂ−８の化合物
（実施例７５）、例示化合物番号Ｃ−１の化合物（実施
例７６）、例示化合物番号Ｃ−４の化合物（実施例７
７）、例示化合物番号Ｃ−１０の化合物（実施例７
８）、例示化合物番号Ｃ−１６の化合物（実施例７
９）、例示化合物番号Ｃ−４７の化合物（実施例８
０）、 例示化合物番号Ｄ−１の化合物（実施例８
１）、例示化合物番号Ｄ−５の化合物（実施例８２）、
例示化合物番号Ｄ−８の化合物（実施例８３）、例示化
合物番号Ｄ−１５の化合物（実施例８４）、例示化合物
番号Ｄ−１７の化合物（実施例８５）、例示化合物番号
Ｅ−１の化合物（実施例８６）、例示化合物番号Ｅ−３
の化合物（実施例８７）、例示化合物番号Ｅ−４の化合
物（実施例８８）、例示化合物番号Ｅ−９の化合物（実
施例８９）、例示化合物番号Ｅ−１０の化合物（実施例
９０）、例示化合物番号Ｅ−１３の化合物（実施例９
１）、例示化合物番号Ｅ−１８の化合物（実施例９２）
を使用した以外は、実施例７０に記載の方法により有機
電界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲
気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、橙赤〜赤色
の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第
３表（表１６）に示した。

【０１５１】

【表１６】

【０１５２】実施例９３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，１，４，４，−テトラフェニル１，
３−ブタジエン（青色の発光成分）、クマリン６〔”３
−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノク
マリン”（緑色の発光成分）〕、および例示化合物番号
Ａ−１８の化合物を、それぞれ重量比１００：５：３：
２の割合で含有する３重量％のジクロロエタン溶液を用
いて、ディップコート法により、４００ｎｍの発光層を
形成した。次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸
着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を３×１０
^-6Torrに減圧した。さらに、発光層の上に、３−（４’
−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４”
−ビフェニル）１，２，４−トリアゾールを蒸着速度
０．２ｎｍ／secで２０ｎｍの厚さに蒸着した後、さら
にその上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウ
ムを、蒸着速度０．２ｎｍ／secで３０ｎｍの厚さに蒸
着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネ
シウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで２００ｎｍ
の厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機
電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、６４ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度１１８０ｃｄ
／m²の白色の発光が確認された。

【０１５３】実施例９４〜１０２ 実施例９３において、例示化合物番号Ａ−１８の化合物
を用いる代わりに、例示化合物番号Ａ−１９の化合物
（実施例９４）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実
施例９５）、例示化合物番号Ｃ−１８の化合物（実施例
９６）、例示化合物番号Ｃ−３０の化合物（実施例９
７）、例示化合物番号Ｃ−４９の化合物（実施例９
８）、例示化合物番号Ｄ−５の化合物（実施例９９）、
例示化合物番号Ｄ−８の化合物（実施例１００）、例示
化合物番号Ｅ−７の化合物（実施例１０１）、例示化合
物番号Ｅ−９の化合物（実施例１０２）を使用した以外
は、実施例９３に記載の方法により有機電界発光素子を
作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの
直流電圧を印加したところ、白色の発光が観察された。
さらにその特性を調べ、結果を第４表（表１７）に示し
た。

【０１５４】

【表１７】

【０１５５】実施例１０３ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−
イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号Ｃ−１２の化合物
を、それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する
３重量％のジクロロエタン溶液を用いて、ディップコー
ト法により、３００ｎｍの発光層を形成した。次に、こ
の発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。
さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度
０．２ｎｍ／secで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比
１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５
Ｖの直流電圧を印加したところ、７０ｍＡ／c m²の電流
が流れた。輝度１４４０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認さ
れた。

【０１５６】比較例３ 実施例１０３において、発光層の形成に際して、例示化
合物番号Ｃ−１２の化合物の代わりに、１，１，４，４
−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外
は、実施例１０３に記載の方法により有機電界発光素子
を作製した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／c
m²の電流が流れた。輝度７６０ｃｄ／m²の青色の発光が
確認された。

【０１５７】実施例１０４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、
４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフ
ェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−
キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよび例
示化合物番号Ｄ−８の化合物を、それぞれ重量比１０
０：４０：６０：１の割合で含有する３重量％のジクロ
ロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、３０
０ｎｍの発光層を形成した。次に、この発光層を有する
ガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、
蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。さらに、発光層の
上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加
したところ、６２ｍＡ／c m²の電流が流れた。輝度９４
０ｃｄ／m²の赤色の発光が確認された。

【０１５８】

【発明の効果】本発明により、発光輝度が優れた有機電
界発光素子を提供することが可能になった。さらに、該
発光素子に適した炭化水素化合物を提供することが可能
になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図２】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図３】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図４】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図５】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図６】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図７】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図８】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：陽極 ３ ：正孔注入輸送層 ３ａ：正孔注入輸送成分 ４ ：発光層 ４ａ：発光成分 ５ ：電子注入輸送層 ５’：電子注入輸送層 ５ａ：電子注入輸送成分 ６ ：陰極 ７ ：電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 4H006 AA01 AA03 AB64 EA37 GP03 GP22

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の電極間に、ベンゾ[5,6]インデノ
   [1,2,3-lm]−ｓ−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジ
   ペリレン誘導体を少なくとも一種含有する層を、少なく
   とも一層挟持してなる有機電界発光素子。
2. 【請求項２】 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−
   インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を
   含有する層が、発光層である請求項１記載の有機電界発
   光素子。
3. 【請求項３】 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−
   インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を
   含有する層が、さらに、発光性有機金属錯体を含有する
   ことを特徴とする請求項１または２記載の有機電界発光
   素子。
4. 【請求項４】 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−
   インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体を
   含有する層が、さらに、トリアリールアミン誘導体を含
   有することを特徴とする請求項１または２記載の有機電
   界発光素子。
5. 【請求項５】 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送
   層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
6. 【請求項６】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
   層を有する請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
7. 【請求項７】 ベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3-lm]−ｓ−
   インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']ジペリレン誘導体
   が、一般式（１−Ａ）（化１）で表される化合物である
   請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。 【化１】 （式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
   分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
   未置換のアリール基を表す。）
8. 【請求項８】 一般式（１−Ａ）（化２）で表される炭
   化水素化合物。 【化２】 （式中、Ｘ₁〜Ｘ₂₆はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
   分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
   未置換のアリール基を表す。）