JP2000043418A - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
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- JP2000043418A JP2000043418A JP10217881A JP21788198A JP2000043418A JP 2000043418 A JP2000043418 A JP 2000043418A JP 10217881 A JP10217881 A JP 10217881A JP 21788198 A JP21788198 A JP 21788198A JP 2000043418 A JP2000043418 A JP 2000043418A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録密度、繰り返し記録特性にすぐれた相変
化光記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録材料
を記録層とする光記録媒体において、該記録層が少なく
とも１つの準安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相を
有する結晶化状態とアモルファス相からなるアモルファ
ス状態との間の相転移における光学的性質の変化を利用
し、しかも該記録層の原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳ
ｂxＴｅ(l-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｓｂの組成を
表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該結晶相が空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶
相であることを特徴とする。
化光記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録材料
を記録層とする光記録媒体において、該記録層が少なく
とも１つの準安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相を
有する結晶化状態とアモルファス相からなるアモルファ
ス状態との間の相転移における光学的性質の変化を利用
し、しかも該記録層の原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳ
ｂxＴｅ(l-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｓｂの組成を
表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該結晶相が空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶
相であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型記録ディ
スクなど、光ビームを照射することにより記録層材料に
光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、か
つ書換えが可能な相変化光記録媒体に関するものであ
る。
スクなど、光ビームを照射することにより記録層材料に
光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、か
つ書換えが可能な相変化光記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化光記録媒体がよく知られている。
これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、
ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、
コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応
用されている。
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化光記録媒体がよく知られている。
これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、
ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、
コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応
用されている。
【０００３】その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴ
ｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅ
Ｓｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス部分の輪
郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層と
して開発されている（特開平４−１９１０８９号公報、
特開平４−２３２７７９公報、特開平４−２６７１９２
公報、特開平５−３４５４７８公報、特開平６−１６６
２６８公報）。
ｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅ
Ｓｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス部分の輪
郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層と
して開発されている（特開平４−１９１０８９号公報、
特開平４−２３２７７９公報、特開平４−２６７１９２
公報、特開平５−３４５４７８公報、特開平６−１６６
２６８公報）。
【０００４】ところが、特開平４−１９１０８９号公報
に開示される情報記録媒体に使用される記録層では、消
去比の向上と高速記録は実現されるが、繰り返し記録特
性に問題が残されている。また、特開平４−２３２７７
９公報に開示される情報記録媒体に使用される記録層の
未記録部分（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂ
Ｔｅ2）とこの安定相の周囲に存在するアモルファス相
とが混在したものである。このため繰り返し記録特性は
向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在する
ことになり、ノイズ発生の原因となる。これは記録再生
波長が７８０ｎｍ程度のＬＤビームを使用するＣＤ−Ｒ
Ｗ等、比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特
性には重大な悪影響は与えないが、波長６８０ｎｍ以下
のＬＤビームを使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの４倍以
上であるＤＶＤ−ＲＡＭやさらに高密度のＤＶＤ−ＲＷ
等の高記録密度を実現する上では障害となる。
に開示される情報記録媒体に使用される記録層では、消
去比の向上と高速記録は実現されるが、繰り返し記録特
性に問題が残されている。また、特開平４−２３２７７
９公報に開示される情報記録媒体に使用される記録層の
未記録部分（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂ
Ｔｅ2）とこの安定相の周囲に存在するアモルファス相
とが混在したものである。このため繰り返し記録特性は
向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在する
ことになり、ノイズ発生の原因となる。これは記録再生
波長が７８０ｎｍ程度のＬＤビームを使用するＣＤ−Ｒ
Ｗ等、比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特
性には重大な悪影響は与えないが、波長６８０ｎｍ以下
のＬＤビームを使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの４倍以
上であるＤＶＤ−ＲＡＭやさらに高密度のＤＶＤ−ＲＷ
等の高記録密度を実現する上では障害となる。
【０００５】また、特開平４−２６７１９２公報に開示
される記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ2とその他の相（安定
相またはアモルファス相）との混相状態である。その他
の相がアモルファス相である場合には、特開平４−２３
２７７９公報に開示される情報記録媒体と同様の問題点
があり、その他の安定結晶相である場合には、良好な記
録特性が得られない。特開平５−３４５４７８公報、特
開平６−１６６２６８公報に開示される記録層も上記と
同様である。
される記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ2とその他の相（安定
相またはアモルファス相）との混相状態である。その他
の相がアモルファス相である場合には、特開平４−２３
２７７９公報に開示される情報記録媒体と同様の問題点
があり、その他の安定結晶相である場合には、良好な記
録特性が得られない。特開平５−３４５４７８公報、特
開平６−１６６２６８公報に開示される記録層も上記と
同様である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の相
変化光記録媒体は、高記録密度での繰り返し記録回数が
不十分であるという欠点がある。本発明の目的は、高密
度記録が行なえ、繰り返し記録特性に優れた相変化光記
録媒体を提供することにある。本発明の他の目的は、所
定の記録線速、特にＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭ、ある
いはＤＶＤ−ＲＯＭと互換性のある書き換え型相変化光
記録媒体を提供することにある。
変化光記録媒体は、高記録密度での繰り返し記録回数が
不十分であるという欠点がある。本発明の目的は、高密
度記録が行なえ、繰り返し記録特性に優れた相変化光記
録媒体を提供することにある。本発明の他の目的は、所
定の記録線速、特にＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭ、ある
いはＤＶＤ−ＲＯＭと互換性のある書き換え型相変化光
記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、相変化型
記録材料についていろいろな角度から検討を行なってき
た結果、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系で空間群Ｆｍ３ｍに
属する単数又は複数の準安定結晶相を記録層が、繰り返
し記録時の熱衝撃に強く、良好な組成領域を形成するこ
とを見出した。本発明はこれに基づいてなされたもので
ある。
記録材料についていろいろな角度から検討を行なってき
た結果、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系で空間群Ｆｍ３ｍに
属する単数又は複数の準安定結晶相を記録層が、繰り返
し記録時の熱衝撃に強く、良好な組成領域を形成するこ
とを見出した。本発明はこれに基づいてなされたもので
ある。
【０００８】本発明によれば、第一に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系の相変化記録材料を記録層とする光記録媒体
において、該記録層が少なくとも１つの準安定結晶相を
含む単数又は複数の結晶相と準安定アモルファス相との
間の相転移における光学的性質の変化を利用し、しかも
該記録層の原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(
1-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｓｂの組成を表すｘ
が、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体が提供される。
ｂ−Ｔｅ系の相変化記録材料を記録層とする光記録媒体
において、該記録層が少なくとも１つの準安定結晶相を
含む単数又は複数の結晶相と準安定アモルファス相との
間の相転移における光学的性質の変化を利用し、しかも
該記録層の原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(
1-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｓｂの組成を表すｘ
が、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体が提供される。
【０００９】この準安定結晶相はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ固溶体、Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
固溶体、Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ｓｂ3Ｔｅの中の少なくと
も１つである。これらの準安定結晶相は、空間群Ｆｍ３
ｍに属し、格子定数が０．６０８ｎｍ近傍の結晶相、あ
るいは、このＦｍ３ｍの結晶中の元素が規則化した長周
期の結晶相のいずれかである。これらの準安定相が存在
する領域は、上記組成式で ４ａ＋２ｂ＜１ ａ＞０ かつ、ｂ＞０ の条件が成立する領域である。
ｅ固溶体、Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
固溶体、Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ｓｂ3Ｔｅの中の少なくと
も１つである。これらの準安定結晶相は、空間群Ｆｍ３
ｍに属し、格子定数が０．６０８ｎｍ近傍の結晶相、あ
るいは、このＦｍ３ｍの結晶中の元素が規則化した長周
期の結晶相のいずれかである。これらの準安定相が存在
する領域は、上記組成式で ４ａ＋２ｂ＜１ ａ＞０ かつ、ｂ＞０ の条件が成立する領域である。
【００１０】本発明によれば、第二に、特に、記録層の
結晶化部が単相の準安定結晶相で構成されるＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体であることを特徴とする上記第一の
相変化光記録媒体が提供される。
結晶化部が単相の準安定結晶相で構成されるＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体であることを特徴とする上記第一の
相変化光記録媒体が提供される。
【００１１】これ以外に上記準安定結晶相の任意の組み
合わせで、準安定相のみからなる複数の結晶相からなる
混相状態でも良い。また、これらの準安定相と格子整合
関係にあるその他の安定結晶相、例えば、Ｉｎ3ＳｂＴ
ｅ2、ＩｎＴｅ、Ｉｎ4Ｓｂ1.2Ｔｅ2.8等の結晶相を有し
ていても良い。例えば、 Ｓｂ3Ｔｅ＋ＡｇＳｂＴｅ2＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2固溶体 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＩｎＴｅ Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2 Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2＋Ｓｂ3Ｔｅ 等である。
合わせで、準安定相のみからなる複数の結晶相からなる
混相状態でも良い。また、これらの準安定相と格子整合
関係にあるその他の安定結晶相、例えば、Ｉｎ3ＳｂＴ
ｅ2、ＩｎＴｅ、Ｉｎ4Ｓｂ1.2Ｔｅ2.8等の結晶相を有し
ていても良い。例えば、 Ｓｂ3Ｔｅ＋ＡｇＳｂＴｅ2＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体 Ｓｂ3Ｔｅ＋Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2固溶体 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体 Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＩｎＴｅ Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2 Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体＋ＡｇＳｂＴｅ2＋Ｓｂ3Ｔｅ 等である。
【００１２】いずれの場合にも格子定数０．６０８ｎｍ
近傍の面心立方格子を基本とする結晶構造である。良好
なマーク形状を得る上では、記録層の結晶化部が、単相
のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ準安定相のみからなることが
好ましい。初期結晶化時の過大な熱衝撃がさけられず、
やむを得ず分相の結晶相が生成する場合でも、上述した
互いに格子整合関係にある空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶
相が主として生成し、ＡｇＳｂＴｅ2と格子整合関係に
無いその他の析出物、例えば、Ｓｂ、Ｓｂ2Ｔｅ 3，Ｉｎ
Ｓｂ、あるいは結晶化部内のアモルファス相等は可能な
限り出現せず、準安定相を含む空間群Ｆｍ３ｍに属する
結晶相生成に適した初期結晶化過程が採用される。な
お、本発明には、膜厚方向や面内方向に組成の勾配があ
っても良く、上記の相の積層膜も含まれる。
近傍の面心立方格子を基本とする結晶構造である。良好
なマーク形状を得る上では、記録層の結晶化部が、単相
のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ準安定相のみからなることが
好ましい。初期結晶化時の過大な熱衝撃がさけられず、
やむを得ず分相の結晶相が生成する場合でも、上述した
互いに格子整合関係にある空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶
相が主として生成し、ＡｇＳｂＴｅ2と格子整合関係に
無いその他の析出物、例えば、Ｓｂ、Ｓｂ2Ｔｅ 3，Ｉｎ
Ｓｂ、あるいは結晶化部内のアモルファス相等は可能な
限り出現せず、準安定相を含む空間群Ｆｍ３ｍに属する
結晶相生成に適した初期結晶化過程が採用される。な
お、本発明には、膜厚方向や面内方向に組成の勾配があ
っても良く、上記の相の積層膜も含まれる。
【００１３】本発明による光記録媒体の結晶化速度には
組成依存症がある。このため、個々の記録線速に対応し
最適な組成の調整が重要となる。
組成依存症がある。このため、個々の記録線速に対応し
最適な組成の調整が重要となる。
【００１４】従って、本発明によれば、第三に、光記録
媒体が記録線速１．２ｍ／ｓへの対応を目的としてお
り、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０５≦ａ≦０．０９ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
媒体が記録線速１．２ｍ／ｓへの対応を目的としてお
り、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０５≦ａ≦０．０９ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
【００１５】第四に、光記録媒体が記録線速２．４ｍ／
ｓへの対応を目的としており、Ａｇ aＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０３≦ａ≦０．０７ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
ｓへの対応を目的としており、Ａｇ aＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０３≦ａ≦０．０７ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
【００１６】第五に、光記録媒体が記録線速３．５ｍ／
ｓへの対応を目的としており、Ａｇ aＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０２≦ａ≦０．０６ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
ｓへの対応を目的としており、Ａｇ aＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０２≦ａ≦０．０６ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
【００１７】第六に、光記録媒体が記録線速６ｍ／ｓへ
の対応を目的としており、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１５≦ａ≦０．０５ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
の対応を目的としており、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１５≦ａ≦０．０５ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
【００１８】第七に、光記録媒体が記録線速７ｍ／ｓへ
の対応を目的としており、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１≦ａ≦０．０４ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
の対応を目的としており、ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ
(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１≦ａ≦０．０４ の範囲にあることを特徴とする上記第一又は第二の相変
化光記録媒体が提供される。
【００１９】第八に、初期結晶化後の記録層の結晶化部
が、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ結晶相か
らなることを特徴とする上記第一〜七のいずれかに記載
の相変化光記録媒体が提供される。
が、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ結晶相か
らなることを特徴とする上記第一〜七のいずれかに記載
の相変化光記録媒体が提供される。
【００２０】また、本発明によれば第九に、Ｓｂ，Ｔｅ
を必須元素として、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素、Ｖｂ族
元素、及びVIｂ族元素を有する相変化記録材料を記録層
とする光記録媒体において、該記録層が少なくとも１つ
の準安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相を有する結
晶化状態とアモルファス相を有するアモルファス状態と
の間の相転移における光学的性質の変化を利用し、しか
も該記録層の原子比率での組成を（Ｉｂ)a(IIIｂ)b(Ｖ
ｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｖｂ元素
の組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体が提供される。
を必須元素として、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素、Ｖｂ族
元素、及びVIｂ族元素を有する相変化記録材料を記録層
とする光記録媒体において、該記録層が少なくとも１つ
の準安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相を有する結
晶化状態とアモルファス相を有するアモルファス状態と
の間の相転移における光学的性質の変化を利用し、しか
も該記録層の原子比率での組成を（Ｉｂ)a(IIIｂ)b(Ｖ
ｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｖｂ元素
の組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体が提供される。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下発明をさらに詳細に説明す
る。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ４元系の記録材料の結晶相
に出現可能な相としては、単体や２元、３元系の化合物
や合金相・固溶体、あるいは４元系の固溶体があるが、
中でも、ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ
1.2Ｔｅ2.8、ＩｎＴｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ固溶体、Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、
Ｓｂ2Ｔｅ3、ＩｎＳｂ、Ｓｂが出現しやすい。この中
で、ＡｇＳｂＴｅ 2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ1.2Ｔ
ｅ2.8、ＩｎＴｅ、Ｓｂ3Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ固溶
体、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
固溶体の結晶構造は空間群Ｆｍ３ｍに属し、格子定数も
６．０８ｎｍの近傍にあるため、これらの結晶相は互い
に格子整合関係にある。
る。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ４元系の記録材料の結晶相
に出現可能な相としては、単体や２元、３元系の化合物
や合金相・固溶体、あるいは４元系の固溶体があるが、
中でも、ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ
1.2Ｔｅ2.8、ＩｎＴｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ固溶体、Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、
Ｓｂ2Ｔｅ3、ＩｎＳｂ、Ｓｂが出現しやすい。この中
で、ＡｇＳｂＴｅ 2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、Ｉｎ4Ｓｂ1.2Ｔ
ｅ2.8、ＩｎＴｅ、Ｓｂ3Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ固溶
体、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
固溶体の結晶構造は空間群Ｆｍ３ｍに属し、格子定数も
６．０８ｎｍの近傍にあるため、これらの結晶相は互い
に格子整合関係にある。
【００２２】まず、記録層の結晶化部が単相のＡｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層のみからなる場合、粒界が存在し
ないか、仮に結晶粒界が存在したとしても、この結晶粒
界は比較的良好な格子接合となっており、結晶粒界に大
きな空隙は存在せず、熱伝導率にムラも生じ難い。この
場合には光ビームの強度分布と時間的プロファイルを忠
実に反映した滑らかなアモルファス化部−結晶化部の境
界が得られ、高密度記録領域で良好なジッタ値が得られ
る。
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層のみからなる場合、粒界が存在し
ないか、仮に結晶粒界が存在したとしても、この結晶粒
界は比較的良好な格子接合となっており、結晶粒界に大
きな空隙は存在せず、熱伝導率にムラも生じ難い。この
場合には光ビームの強度分布と時間的プロファイルを忠
実に反映した滑らかなアモルファス化部−結晶化部の境
界が得られ、高密度記録領域で良好なジッタ値が得られ
る。
【００２３】この準安定相の記録時の熱衝撃に対する安
定性が高い組成領域はＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記
録層の組成が０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８
２、かつ、４ａ＋２ｂ＜１を満たす場合であって、これ
は、上記準安定Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体が仮に第
１の相転移を起こした場合でも、上述した互いに格子整
合関係にある準安定相を含む複数の結晶相となるため、
なお良好な記録特性を維持する組成領域でもある。
定性が高い組成領域はＡｇaＩｎbＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記
録層の組成が０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８
２、かつ、４ａ＋２ｂ＜１を満たす場合であって、これ
は、上記準安定Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体が仮に第
１の相転移を起こした場合でも、上述した互いに格子整
合関係にある準安定相を含む複数の結晶相となるため、
なお良好な記録特性を維持する組成領域でもある。
【００２４】一方、従来技術におけるように、記録層の
結晶化部が格子整合関係にない複数の結晶相からなる場
合、結晶粒界での面の整合性が良くない場合には、粒界
に空孔や偏析が生じ、この粒界部分で熱伝導率にムラが
生じる。さらに結晶−アモルファス部分の境界もこの結
晶粒界を反映したものとなりやすく、アモルファス化部
−結晶化部の境界に乱れが生じ、高記録密度領域では良
好な特性が得られない。また、結晶粒径を数ｎｍのオー
ダーの微結晶にした場合には結晶粒界の滑らかさは得ら
れるが、互いに格子整合関係に無い粒界面では、界面部
分の歪みや界面エネルギーが増加し、結晶化速度の低下
や粒界からの腐食など好ましくない効果も生じ、結晶粒
の微細化では必ずしも高線速での高記録密度には適さな
い。これに対して、本発明においては、記録層の結晶化
部が複数の結晶相からなる場合であっても、生成する結
晶相は同一の空間群に属し、格子定数も近接するため、
粒界は単相の場合と同様な良好な接合となっている。こ
のため単相の場合に準じた記録特性を有している。
結晶化部が格子整合関係にない複数の結晶相からなる場
合、結晶粒界での面の整合性が良くない場合には、粒界
に空孔や偏析が生じ、この粒界部分で熱伝導率にムラが
生じる。さらに結晶−アモルファス部分の境界もこの結
晶粒界を反映したものとなりやすく、アモルファス化部
−結晶化部の境界に乱れが生じ、高記録密度領域では良
好な特性が得られない。また、結晶粒径を数ｎｍのオー
ダーの微結晶にした場合には結晶粒界の滑らかさは得ら
れるが、互いに格子整合関係に無い粒界面では、界面部
分の歪みや界面エネルギーが増加し、結晶化速度の低下
や粒界からの腐食など好ましくない効果も生じ、結晶粒
の微細化では必ずしも高線速での高記録密度には適さな
い。これに対して、本発明においては、記録層の結晶化
部が複数の結晶相からなる場合であっても、生成する結
晶相は同一の空間群に属し、格子定数も近接するため、
粒界は単相の場合と同様な良好な接合となっている。こ
のため単相の場合に準じた記録特性を有している。
【００２５】本発明の第一では、上記のように記録層の
原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳｂ xＴｅ(1-a-b-x)と表
す組成式において、Ｓｂの組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲とした。この組成範囲で、上述した空間群Ｆｍ３
ｍに属するｆｃｃ構造が出現し、ｆｃｃ相以外の結晶相
の出現が抑制される。この結晶相は少なくとも準安定相
を有し、この析出に適した初期結晶化方法、例えば、レ
ーザービームによる溶融初期化方法などが採用される。
この面心立方結晶相は上記組成範囲で、記録−消去の繰
り返し記録に伴う熱衝撃での安定性がある。これらの結
晶相はアモルファス状態となった固相から、原子移動を
ほとんど伴わずに結晶化することができ、高速での消去
特性にも優れている。
原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳｂ xＴｅ(1-a-b-x)と表
す組成式において、Ｓｂの組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲とした。この組成範囲で、上述した空間群Ｆｍ３
ｍに属するｆｃｃ構造が出現し、ｆｃｃ相以外の結晶相
の出現が抑制される。この結晶相は少なくとも準安定相
を有し、この析出に適した初期結晶化方法、例えば、レ
ーザービームによる溶融初期化方法などが採用される。
この面心立方結晶相は上記組成範囲で、記録−消去の繰
り返し記録に伴う熱衝撃での安定性がある。これらの結
晶相はアモルファス状態となった固相から、原子移動を
ほとんど伴わずに結晶化することができ、高速での消去
特性にも優れている。
【００２６】特に好ましい構造は、上記第二のＡｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ準安定固溶体単相であるが、これ以外の
場合でも上記のように良好な記録特性が維持される。例
えば、記録層が空間群Ｆｍ３ｍ、格子定数０．６０８±
０．０２ｎｍの面心立方構造の準安定Ｓｂ3Ｔｅを有す
る場合、この準安定Ｓｂ3Ｔｅと格子整合関係にある結
晶相、例えば、ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、ある
いはその他の準安定相等が存在すれば、この準安定Ｓｂ
3ＴｅのＳｂとＳｂ2Ｔｅ3への相分離を抑制することが
できる。
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ準安定固溶体単相であるが、これ以外の
場合でも上記のように良好な記録特性が維持される。例
えば、記録層が空間群Ｆｍ３ｍ、格子定数０．６０８±
０．０２ｎｍの面心立方構造の準安定Ｓｂ3Ｔｅを有す
る場合、この準安定Ｓｂ3Ｔｅと格子整合関係にある結
晶相、例えば、ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、ある
いはその他の準安定相等が存在すれば、この準安定Ｓｂ
3ＴｅのＳｂとＳｂ2Ｔｅ3への相分離を抑制することが
できる。
【００２７】同様に、記録層が空間群Ｆｍ３ｍ、格子定
数０．６０８±０．０２ｎｍの面心立方構造の準安定Ａ
ｇ−Ｓｂ−Ｔｅを有する場合、この準安定Ａｇ−Ｓｂ−
Ｔｅと格子整合関係にある結晶相、例えば、Ｉｎ3Ｓｂ
Ｔｅ2、Ｉｎ−Ｔｅあるいはその他の準安定相等が存在
すれば、この準安定Ａｇ−Ｓｂ−ＴｅのＡｇＳｂＴｅ2
＋Ｓｂ2Ｔｅ3またはＡｇＳｂＴｅ2＋Ｓｂへの相分離を
抑制することができる。また、記録層が空間群Ｆｍ３
ｍ、格子定数０．６０８±０．０２ｎｍの面心立方構造
の準安定Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを有する場合、この準安定Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅと格子整合関係にある結晶相、例えば、
ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ−Ｔｅあるいはその他の準安定相
等が存在すれば、この準安定Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅのＩｎ3
ＳｂＴｅ2＋Ｓｂ2Ｔｅ3またはＩｎ3ＳｂＴｅ2＋Ｓｂ、
あるいはＩｎ3ＳｂＴｅ2＋ＩｎＳｂへの相分離を抑制す
ることができる。
数０．６０８±０．０２ｎｍの面心立方構造の準安定Ａ
ｇ−Ｓｂ−Ｔｅを有する場合、この準安定Ａｇ−Ｓｂ−
Ｔｅと格子整合関係にある結晶相、例えば、Ｉｎ3Ｓｂ
Ｔｅ2、Ｉｎ−Ｔｅあるいはその他の準安定相等が存在
すれば、この準安定Ａｇ−Ｓｂ−ＴｅのＡｇＳｂＴｅ2
＋Ｓｂ2Ｔｅ3またはＡｇＳｂＴｅ2＋Ｓｂへの相分離を
抑制することができる。また、記録層が空間群Ｆｍ３
ｍ、格子定数０．６０８±０．０２ｎｍの面心立方構造
の準安定Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを有する場合、この準安定Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅと格子整合関係にある結晶相、例えば、
ＡｇＳｂＴｅ2、Ｉｎ−Ｔｅあるいはその他の準安定相
等が存在すれば、この準安定Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅのＩｎ3
ＳｂＴｅ2＋Ｓｂ2Ｔｅ3またはＩｎ3ＳｂＴｅ2＋Ｓｂ、
あるいはＩｎ3ＳｂＴｅ2＋ＩｎＳｂへの相分離を抑制す
ることができる。
【００２８】ここで、上記準安定Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅが繰り返し記録に伴い、相分離をして、ＡｇＳｂＴｅ
2＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2＋ＩｎＴｅ＋Ｓｂ3Ｔｅ等々の中の少
なくとも２相以上なったとしても、これらは互いに格子
整合関係にあり、結晶粒界での格子接合は比較的良好
で、上述した粒界による悪影響は緩和されたものとな
る。このため良好な繰り返し記録特性を有している。
ｅが繰り返し記録に伴い、相分離をして、ＡｇＳｂＴｅ
2＋Ｉｎ3ＳｂＴｅ2＋ＩｎＴｅ＋Ｓｂ3Ｔｅ等々の中の少
なくとも２相以上なったとしても、これらは互いに格子
整合関係にあり、結晶粒界での格子接合は比較的良好
で、上述した粒界による悪影響は緩和されたものとな
る。このため良好な繰り返し記録特性を有している。
【００２９】不純物の影響がない場合、上述した組成の
表示において、ｘ＋２ａ＋７ｂ／６の値が０．７２〜
０．８２の範囲に有れば、このＳｂ2Ｔｅ3やＳｂの析出
は抑制され、良好なオーバーライト特性が実現される。
表示において、ｘ＋２ａ＋７ｂ／６の値が０．７２〜
０．８２の範囲に有れば、このＳｂ2Ｔｅ3やＳｂの析出
は抑制され、良好なオーバーライト特性が実現される。
【００３０】なお、準安定相の安定性に乏しい条件（４
ａ＋２ａ＝１）が成立する場合、記録層は初期化やオー
バーライトによりＡｇＳｂＴｅ2とＩｎ3ＳｂＴｅ3の分
相となり易く、この２相は結晶化速度に差異が有りすぎ
る（ＡｇＳｂＴｅ2は結晶化速度がＩｎ3ＳｂＴｅ2と比
較して大幅に遅いため、アモルファス部分の境界が粒界
の影響を受け、スムースで良好なアモルファス−結晶境
界は得られない）。このため、準安定相が主要部分を占
めることが必要で、上記組成式では４ａ＋２ｂ＜０．５
が成立することが好ましい。
ａ＋２ａ＝１）が成立する場合、記録層は初期化やオー
バーライトによりＡｇＳｂＴｅ2とＩｎ3ＳｂＴｅ3の分
相となり易く、この２相は結晶化速度に差異が有りすぎ
る（ＡｇＳｂＴｅ2は結晶化速度がＩｎ3ＳｂＴｅ2と比
較して大幅に遅いため、アモルファス部分の境界が粒界
の影響を受け、スムースで良好なアモルファス−結晶境
界は得られない）。このため、準安定相が主要部分を占
めることが必要で、上記組成式では４ａ＋２ｂ＜０．５
が成立することが好ましい。
【００３１】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層の結晶化
速度には組成依存性がある。記録層中のＡｇやＴｅ濃度
が増えるほど低記録線速側に好適な記録層となり、Ｉｎ
やＳｂ濃度が増えるほど、高記録線速に好適な記録層組
成となる。この結晶化速度と組成との間には一定の対応
関係がある。
速度には組成依存性がある。記録層中のＡｇやＴｅ濃度
が増えるほど低記録線速側に好適な記録層となり、Ｉｎ
やＳｂ濃度が増えるほど、高記録線速に好適な記録層組
成となる。この結晶化速度と組成との間には一定の対応
関係がある。
【００３２】特にＡｇの濃度は結晶化速度に大きな影響
を与える。即ち、Ａｇ濃度が増えるほど、結晶化速度が
遅くなる。ＣＤ−ＲＷで採用されている記録ストラテジ
（記録時のＬＤの発光パターン）の場合、記録線速１．
２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、３．５ｍ／ｓ、６ｍ／ｓ、７
ｍ／ｓに対応するＡｇ濃度は、それぞれ、０．０５≦ａ
≦０．１０、０．０３≦ａ≦０．０７、０．０２≦ａ≦
０．０６、０．０１５≦ａ≦０．０５、０．０１≦ａ≦
０．０４、の範囲である。
を与える。即ち、Ａｇ濃度が増えるほど、結晶化速度が
遅くなる。ＣＤ−ＲＷで採用されている記録ストラテジ
（記録時のＬＤの発光パターン）の場合、記録線速１．
２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、３．５ｍ／ｓ、６ｍ／ｓ、７
ｍ／ｓに対応するＡｇ濃度は、それぞれ、０．０５≦ａ
≦０．１０、０．０３≦ａ≦０．０７、０．０２≦ａ≦
０．０６、０．０１５≦ａ≦０．０５、０．０１≦ａ≦
０．０４、の範囲である。
【００３３】また、Ａｇ及びＩｎの濃度を０にした場合
で、初期結晶化後の記録層が準安定Ｓｂ3Ｔｅとなる場
合にも、記録が可能である。但しこの場合には、繰り返
し記録特性の最適化と結晶化速度の調整が両立しにく
く、また、Ａｇ、Ｉｎを含む場合と比較して準安定相が
不安定であり、かつ、高速での初期結晶化が比較的困難
となるが、同一組成のＳｂ＋Ｓｂ2Ｔｅ3の構造を有する
記録層より良好な記録特性が得られ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系に準じた記録特性が得られる。
で、初期結晶化後の記録層が準安定Ｓｂ3Ｔｅとなる場
合にも、記録が可能である。但しこの場合には、繰り返
し記録特性の最適化と結晶化速度の調整が両立しにく
く、また、Ａｇ、Ｉｎを含む場合と比較して準安定相が
不安定であり、かつ、高速での初期結晶化が比較的困難
となるが、同一組成のＳｂ＋Ｓｂ2Ｔｅ3の構造を有する
記録層より良好な記録特性が得られ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系に準じた記録特性が得られる。
【００３４】さらに上記Ａｇ、Ｉｎのいずれかの元素の
全部又は一部、及び、Ｓｂ，Ｔｅの一部を同族元素で原
子半径が類似する元素で置換する場合にも記録が可能で
ある。この場合、上記と同様に、組成を（Ｉｂ)a(III
ｂ)b(Ｖｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)と表す組成式において、Ｖ
ｂ元素の組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にある場合に、空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相が
出現し、繰り返し記録に対して安定な特性を示す。
全部又は一部、及び、Ｓｂ，Ｔｅの一部を同族元素で原
子半径が類似する元素で置換する場合にも記録が可能で
ある。この場合、上記と同様に、組成を（Ｉｂ)a(III
ｂ)b(Ｖｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)と表す組成式において、Ｖ
ｂ元素の組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にある場合に、空間群Ｆｍ３ｍに属する結晶相が
出現し、繰り返し記録に対して安定な特性を示す。
【００３５】図１は、本発明の一実施例の光記録媒体の
層構成の概念図であって、その基本的な構成は、案内溝
を有する基体１上に第一保護層２に、記録層３、第二保
護層４、反射放熱層５、環境保護層６が設けられてい
る。好ましくは、反射放熱層５と可逆表示記録層７の間
に中間層、および基体１の裏面にハードコート層が設け
られる。第一保護層２、第二保護層４は必ずしも記録層
３の両側に設けられる必要はないが、基体１がポリカー
ボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には第１
保護層を設けることが望ましい。
層構成の概念図であって、その基本的な構成は、案内溝
を有する基体１上に第一保護層２に、記録層３、第二保
護層４、反射放熱層５、環境保護層６が設けられてい
る。好ましくは、反射放熱層５と可逆表示記録層７の間
に中間層、および基体１の裏面にハードコート層が設け
られる。第一保護層２、第二保護層４は必ずしも記録層
３の両側に設けられる必要はないが、基体１がポリカー
ボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には第１
保護層を設けることが望ましい。
【００３６】記録層３の膜厚は、５〜１００ｎｍが好ま
しく、さらに好ましくは１０〜５０ｎｍ、特に好ましく
は１５〜２５ｎｍである。この記録層は、スパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ
法等によって作製できる。
しく、さらに好ましくは１０〜５０ｎｍ、特に好ましく
は１５〜２５ｎｍである。この記録層は、スパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ
法等によって作製できる。
【００３７】基体１の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クス、あるいは樹脂であり、なかでも樹脂基体が成形
性、コスト、軽量といった点で好適である。樹脂の代表
例として、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂などがあげられるが、加工性、光学特性、耐熱特
性等から、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好
ましい。基体の形状は、通常ディスク状であるが、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。基体の厚さは
１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等の任意のものが
使用できるが、製膜上の困難や歩留り等を考慮すると
１．２ｍｍ、０．６ｍｍくらいが好ましい。樹脂基体の
場合、該樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、１００℃以上が
好ましく、１２０℃以上が更に好ましく、２００℃以下
が好ましく、１８０℃以下が更に好ましい。基体の樹脂
のガラス転移温度Ｔｇが、この温度より低くなると基体
が変形しやすくなるという不具合があり、この温度より
高くなると成型しにくくなるという不具合がある。
クス、あるいは樹脂であり、なかでも樹脂基体が成形
性、コスト、軽量といった点で好適である。樹脂の代表
例として、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂などがあげられるが、加工性、光学特性、耐熱特
性等から、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好
ましい。基体の形状は、通常ディスク状であるが、カー
ド状あるいはシート状であってもよい。基体の厚さは
１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等の任意のものが
使用できるが、製膜上の困難や歩留り等を考慮すると
１．２ｍｍ、０．６ｍｍくらいが好ましい。樹脂基体の
場合、該樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、１００℃以上が
好ましく、１２０℃以上が更に好ましく、２００℃以下
が好ましく、１８０℃以下が更に好ましい。基体の樹脂
のガラス転移温度Ｔｇが、この温度より低くなると基体
が変形しやすくなるという不具合があり、この温度より
高くなると成型しにくくなるという不具合がある。
【００３８】第一保護層２および第二保護層４は、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、
ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、
Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ
4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモン
ド状炭素、あるいは、それらの混合物が好ましい。これ
ら第一保護層および第二保護層の膜厚は、スパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空状着、プラズマＣＶＤ
等によって作製できる。第一保護層の膜厚は、５０〜５
００ｎｍ、好ましくは１００〜３００ｎｍ、更に好まし
くは１５０〜２５０ｎｍである。第二保護層の膜厚は、
５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍである。
Ｏ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、
ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、
Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ
4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモン
ド状炭素、あるいは、それらの混合物が好ましい。これ
ら第一保護層および第二保護層の膜厚は、スパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空状着、プラズマＣＶＤ
等によって作製できる。第一保護層の膜厚は、５０〜５
００ｎｍ、好ましくは１００〜３００ｎｍ、更に好まし
くは１５０〜２５０ｎｍである。第二保護層の膜厚は、
５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍである。
【００３９】反射放熱層５は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの
金属材料、およびそれらにＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａなど
を添加したものが使用できる。反射放熱層は、スパッタ
リング、イオンプレーティング、真空状着、プラズマＣ
ＶＤ等によって作製できる。その膜厚は、好ましくは３
０〜３００ｎｍ、更に好ましくは５０〜２５０ｎｍ、特
に好ましくは７０〜２００ｎｍである。
金属材料、およびそれらにＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａなど
を添加したものが使用できる。反射放熱層は、スパッタ
リング、イオンプレーティング、真空状着、プラズマＣ
ＶＤ等によって作製できる。その膜厚は、好ましくは３
０〜３００ｎｍ、更に好ましくは５０〜２５０ｎｍ、特
に好ましくは７０〜２００ｎｍである。
【００４０】環境保護層は紫外線硬化樹脂で形成される
のがよく、その厚さは２〜１５μｍくらいが適当であ
る。
のがよく、その厚さは２〜１５μｍくらいが適当であ
る。
【００４１】
【実施例】次に実施例をあげて、本発明を具体的に説明
する。まず、図１において図示されない案内溝を有する
ポリカーボネイト基板１上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
第一保護層２、この第一保護層上のＡｇＩｎＳｂＴｅ記
録層３、この記録層上のＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第二
保護層４、この第二保護層上のＡｌ−Ｔｉ反射放熱層
５、この反射放熱層上のＵＶ硬化樹脂からなる環境保護
層６が積層されている光記録媒体を作成する。
する。まず、図１において図示されない案内溝を有する
ポリカーボネイト基板１上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
第一保護層２、この第一保護層上のＡｇＩｎＳｂＴｅ記
録層３、この記録層上のＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第二
保護層４、この第二保護層上のＡｌ−Ｔｉ反射放熱層
５、この反射放熱層上のＵＶ硬化樹脂からなる環境保護
層６が積層されている光記録媒体を作成する。
【００４２】実施例１〜２８及び比較例１〜９ 表１および表２は、図１の構造を有する光記録媒体の繰
り返し記録回数と記録層の組成・初期化後の結晶構造と
の関係を比較例とともに調べたものである。繰り返し記
録回数は、ジッタ値が規格値を満足する最大回数で判定
したものである。また、比較例９を除くすべての光記録
媒体の初期結晶化は大口径ＬＤビーム照射により行っ
た。比較例９の初期結晶化は、ランプアニールにより行
った。記録線速はｍ／ｓである（以下同じ）。
り返し記録回数と記録層の組成・初期化後の結晶構造と
の関係を比較例とともに調べたものである。繰り返し記
録回数は、ジッタ値が規格値を満足する最大回数で判定
したものである。また、比較例９を除くすべての光記録
媒体の初期結晶化は大口径ＬＤビーム照射により行っ
た。比較例９の初期結晶化は、ランプアニールにより行
った。記録線速はｍ／ｓである（以下同じ）。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】表１および表２の実施例１〜２２に示され
るように、０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の
条件が満たされる場合には、ＬＤビーム照射による高速
初期化など適切な初期化方法により、初期結晶化の結晶
構造がｆｃｃとなり、繰り返し記録回数は１０００回を
上回るものとなる。この組成範囲以外では、格子定数
６．０８ｎｍ以外のｆｃｃ以外の構造やｆｃｃ以外の格
子の出現が認められる。例えば比較例１及び３では、ｈ
ｃｐＩｎＳｂの析出や三方晶Ｓｂ2Ｔｅ3の析出が認めら
れ、オーバーライト回数は１０００回以下となる。ま
た、比較例４、５、９ではＳｂ2Ｔｅ3の析出により繰り
返し記録回数は低下する。同様にＳｂの析出した比較例
６の繰り返し記録回数は低い。
るように、０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の
条件が満たされる場合には、ＬＤビーム照射による高速
初期化など適切な初期化方法により、初期結晶化の結晶
構造がｆｃｃとなり、繰り返し記録回数は１０００回を
上回るものとなる。この組成範囲以外では、格子定数
６．０８ｎｍ以外のｆｃｃ以外の構造やｆｃｃ以外の格
子の出現が認められる。例えば比較例１及び３では、ｈ
ｃｐＩｎＳｂの析出や三方晶Ｓｂ2Ｔｅ3の析出が認めら
れ、オーバーライト回数は１０００回以下となる。ま
た、比較例４、５、９ではＳｂ2Ｔｅ3の析出により繰り
返し記録回数は低下する。同様にＳｂの析出した比較例
６の繰り返し記録回数は低い。
【００４６】記録線速については、特に、Ａｇ濃度との
関係がある。ＣＤ−ＲＷに応用されているストラテジ
（記録時のＬＤのマルチパルス発光パターン）を使用し
た場合、１．２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、３．５ｍ／ｓ、
６ｍ／ｓ、７ｍ／ｓに対応するパラメータＡｇ濃度の領
域はそれぞれ、５〜９ａｔ．％（実施例２〜６）、３〜
７ａｔ．％（実施例７〜９）、２〜６ａｔ．％（実施例
１及び１０〜１５）、１．５〜５ａｔ．％（実施例１６
〜１９）、１〜４ａｔ．％（実施例２０〜２２）とな
る。パラメータ（ｘ＋２ａ＋７ｂ／６）の値が０．７２
未満の比較例２、４、５ではオーバーライトに伴う熱衝
撃により繰り返し記録特性は悪化する。また、パラメー
タ（ｘ＋２ａ＋７ｂ／６）の値が０．８２を上回る比較
例１、３、６ではオーバーライトに伴う熱衝撃により繰
り返し記録特性はやはり悪化する。
関係がある。ＣＤ−ＲＷに応用されているストラテジ
（記録時のＬＤのマルチパルス発光パターン）を使用し
た場合、１．２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、３．５ｍ／ｓ、
６ｍ／ｓ、７ｍ／ｓに対応するパラメータＡｇ濃度の領
域はそれぞれ、５〜９ａｔ．％（実施例２〜６）、３〜
７ａｔ．％（実施例７〜９）、２〜６ａｔ．％（実施例
１及び１０〜１５）、１．５〜５ａｔ．％（実施例１６
〜１９）、１〜４ａｔ．％（実施例２０〜２２）とな
る。パラメータ（ｘ＋２ａ＋７ｂ／６）の値が０．７２
未満の比較例２、４、５ではオーバーライトに伴う熱衝
撃により繰り返し記録特性は悪化する。また、パラメー
タ（ｘ＋２ａ＋７ｂ／６）の値が０．８２を上回る比較
例１、３、６ではオーバーライトに伴う熱衝撃により繰
り返し記録特性はやはり悪化する。
【００４７】また、比較例８に示すように、０．７２≦
ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の条件が満たされる場合
であっても、準安定相が存在しない組成領域では、繰り
返し記録特性が悪い。さらに、比較例９が示すように、
０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の条件が満た
され、準安定相が存在可能な領域であっても、ランプア
ニールによる初期化など、準安定相が析出せずに安定相
であるＳｂ2Ｔｅ3やＳｂが析出した場合には良好な高密
度記録は実現されない。準安定相は長時間の高温アニー
ルにより安定相へ相分離するため、初期化は短時間の間
の加熱とする。
ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の条件が満たされる場合
であっても、準安定相が存在しない組成領域では、繰り
返し記録特性が悪い。さらに、比較例９が示すように、
０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２の条件が満た
され、準安定相が存在可能な領域であっても、ランプア
ニールによる初期化など、準安定相が析出せずに安定相
であるＳｂ2Ｔｅ3やＳｂが析出した場合には良好な高密
度記録は実現されない。準安定相は長時間の高温アニー
ルにより安定相へ相分離するため、初期化は短時間の間
の加熱とする。
【００４８】さらに、本発明のＡｇ，Ｉｎを０に外挿し
たＳｂ−Ｔｅ系の相変化光記録材料において、表３およ
び表４の実施例２３に示すように、本発明に開示される
Ｓｂ 3Ｔｅ準安定結晶相を析出させた場合には良好な記
録特性が得られる。
たＳｂ−Ｔｅ系の相変化光記録材料において、表３およ
び表４の実施例２３に示すように、本発明に開示される
Ｓｂ 3Ｔｅ準安定結晶相を析出させた場合には良好な記
録特性が得られる。
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】更にまた、本発明において、記録層に任意
の添加元素を添加することも可能である。特に、Ａｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅのいずれかの元素と化学的結合状態に
ある元素を添加した場合は、その元素と結合する比率を
除いたＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの組成式が本発明に該当
する。また、結晶内の特定の元素を置換する置換型添加
元素を添加した場合には、これを考慮に入れて本発明の
組成式は変更される。例えば、実施例２４に示すように
Ｉｎと置換するＡｌを添加元素とする場合には、上記組
成式は、Ａｇa(Ｉｎ，Ａｌ)bＳｂｘＴｅ(1-a-b-x)とな
る。実施例２５〜８に示すように、Ｓｂに対してはＢ
ｉ、Ｔｅに対してはＳｅ、Ａｇに対してはＡｕ等があ
り、この場合の一般的な組成式はＳｂ，Ｔｅを必須元素
として（Ｉｂ)a(IIIｂ)b(Ｖｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)とな
る。いずれの場合にも上記組成式の範囲で準安定結晶相
が存在し、繰り返し記録特性は良好なものとなる。
の添加元素を添加することも可能である。特に、Ａｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅのいずれかの元素と化学的結合状態に
ある元素を添加した場合は、その元素と結合する比率を
除いたＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの組成式が本発明に該当
する。また、結晶内の特定の元素を置換する置換型添加
元素を添加した場合には、これを考慮に入れて本発明の
組成式は変更される。例えば、実施例２４に示すように
Ｉｎと置換するＡｌを添加元素とする場合には、上記組
成式は、Ａｇa(Ｉｎ，Ａｌ)bＳｂｘＴｅ(1-a-b-x)とな
る。実施例２５〜８に示すように、Ｓｂに対してはＢ
ｉ、Ｔｅに対してはＳｅ、Ａｇに対してはＡｕ等があ
り、この場合の一般的な組成式はＳｂ，Ｔｅを必須元素
として（Ｉｂ)a(IIIｂ)b(Ｖｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)とな
る。いずれの場合にも上記組成式の範囲で準安定結晶相
が存在し、繰り返し記録特性は良好なものとなる。
【００５２】なお、本発明に使用される光記録媒体の層
構成は上記に限定されず、公知の光記録媒体の任意の構
造が可能である。
構成は上記に限定されず、公知の光記録媒体の任意の構
造が可能である。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、高記録密度での繰り返
し記録回数が向上し、１．２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、
３．５ｍ／ｓ、６ｍ／ｓ、７ｍ／ｓに対応する光記録媒
体が得られる。
し記録回数が向上し、１．２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、
３．５ｍ／ｓ、６ｍ／ｓ、７ｍ／ｓに対応する光記録媒
体が得られる。
【図１】本発明の相変化光記録媒体の一例の断面図。
１ 基板 ２ 第一保護層 ３ 記録層 ４ 第二保護層 ５ 反射放熱層 ６ 環境保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA32 EA33 EA41 FB09 FB12 FB16 FB17 FB20 FB21 5D029 JA01 JB35 JC18
Claims (9)
- 【請求項１】 Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録材料
を記録層とする光記録媒体において、該記録層が少なく
とも１つの準安定結晶相を含む単数又は複数の結晶相を
有する結晶化状態とアモルファス相からなるアモルファ
ス状態との間の相転移における光学的性質の変化を利用
し、しかも該記録層の原子比率での組成をＡｇaＩｎbＳ
ｂxＴｅ(l-a-b-x)と表す組成式にあって、Ｓｂの組成を
表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、結晶化状態の記録層
中の結晶相が準安定Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ固溶体単相
であることを特徴とする相変化光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２において、ＡｇaＩｎb
ＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０５≦ａ≦０．０９ の範囲にあり、また、記録線速領域が少なくとも１．２
ｍ／ｓを含むものであることを特徴とする相変化光記録
媒体。 - 【請求項４】請求項１または２において、ＡｇaＩｎbＳ
ｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０３≦ａ≦０．０７ の範囲にあり、また、記録線速領域が少なくとも２．４
ｍ／ｓを含むものであることを特徴とする相変化光記録
媒体。 - 【請求項５】 請求項１または２において、ＡｇaＩｎb
ＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０２≦ａ≦０．０６ の範囲にあり、また、記録線速領域が少なくとも３．５
ｍ／ｓを含むものであることを特徴とする相変化光記録
媒体。 - 【請求項６】 請求項１または２において、ＡｇaＩｎb
ＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１５≦ａ≦０．０５ の範囲にあり、また、記録線速領域が少なくとも６ｍ／
ｓを含むものであることを特徴とする相変化光記録媒
体。 - 【請求項７】 請求項１または２において、ＡｇaＩｎb
ＳｂxＴｅ(1-a-b-x)記録層の組成が ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ かつ ０．０１≦ａ≦０．０４ の範囲にあり、また、記録線速領域が少なくとも７ｍ／
ｓを含むものであることを特徴とする相変化光記録媒
体。 - 【請求項８】 初期結晶化後の記録層の結晶化部が、空
間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ結晶相からなる
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の相変
化光記録媒体。 - 【請求項９】 Ｓｂ，Ｔｅを必須元素として、Ｉｂ族元
素、IIIｂ族元素、Ｖｂ族元素、及びVIｂ族元素を有す
る相変化記録材料を記録層とする光記録媒体において、
該記録層が少なくとも１つの準安定結晶相を含む単数又
は複数の結晶相を有する結晶化状態とアモルファス相を
有するアモルファス状態との間の相転移における光学的
性質の変化を利用し、しかも該記録層の原子比率での組
成を（Ｉｂ)a(IIIｂ)b(Ｖｂ)x(VIｂ)(1-a-b-x)と表す組
成式にあって、Ｖｂ元素の組成を表すｘが、 ０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２ の範囲にあり、該単数又は複数の結晶相が空間群Ｆｍ３
ｍに属する結晶相であることを特徴とする相変化光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217881A JP2000043418A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217881A JP2000043418A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 相変化光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000043418A true JP2000043418A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16711243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10217881A Pending JP2000043418A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000043418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7539098B2 (en) | 2000-03-03 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10217881A patent/JP2000043418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7539098B2 (en) | 2000-03-03 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium and recording apparatus |
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