JP2000039599A - Method and device for inspecting liquid crystal display substrate and liquid crystal display substrate - Google Patents

Method and device for inspecting liquid crystal display substrate and liquid crystal display substrate

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JP2000039599A
JP2000039599A JP10208284A JP20828498A JP2000039599A JP 2000039599 A JP2000039599 A JP 2000039599A JP 10208284 A JP10208284 A JP 10208284A JP 20828498 A JP20828498 A JP 20828498A JP 2000039599 A JP2000039599 A JP 2000039599A
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liquid crystal
substrate
crystal display
display substrate
inspection
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Shigenobu Maruyama
重信 丸山
Yoshitada Oshida
良忠 押田
Eiji Sasaki
英司 佐々木
Susumu Niwa
進 丹羽
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To display visually a size measurement result of an inspection objective pattern in a liquid crystal display substrate such as a TFT(thin film transistor) substrate and a CF(color filter) substrate. SOLUTION: This device is provided with a vertical illumination optical system consisting of a vertical illumination mirror barrel 1 illuminating a liquid crystal display substrate 18 loaded on an XY stage 17 from just above to obtain an optical image on the liquid crystal display substrate 18 and a CCD camera 2 and an optical cut-out optical system consisting of slit projection optical X, Y mirror barrels 3, 4 tilted at 45 deg. on the liquid crystal substrate 18 to illuminat and obtain the optical image on the liquid crystal display substrate 18, observation optical system X, Y mirror barrels 9, 10 and CCD cameras 11, 12 to obtain the optical images of the cut-off part of the liquid crystal display substrate 18 and an oriented film, a seal agent and a conductive pattern for every inspection coordinates on the liquid crystal display substrate 18 by these CCD cameras 2, 11, 12. They are recognized as images by a personal computer 14 to obtain the sizes of these widths and heights, etc., and to make difference values between the obtained sizes and the reference sizes display on a summing up monitor 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示基板の製
造プロセスの監視技術に係り、特に、LCD(Liquid
Crystal Display:液晶表示装置)で液晶表示基板と
して主に用いらるTFT(Thin Film Transister)基
板やSTN(Super Twisted Nematic)基板,及びそれ
らと組み合わせたCF(Color Filter)基板の組立工程
において、これらの液晶表示基板上に形成された各種パ
ターンの寸法の検査方法及び装置、並びに計測の対象と
なるかかる液晶表示基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for monitoring a manufacturing process of a liquid crystal display substrate, and more particularly to an LCD (Liquid Crystal Display).
In the process of assembling a TFT (Thin Film Transistor) substrate, an STN (Super Twisted Nematic) substrate, and a CF (Color Filter) substrate combined therewith, which are mainly used as a liquid crystal display substrate in a crystal display (liquid crystal display device). The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting dimensions of various patterns formed on a liquid crystal display substrate, and to such a liquid crystal display substrate to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】TFT−LCDで代表される液晶表示装
置は、パーソナルコンピュータなどの表示画面として従
来のCRT(Cathode Ray Tube)と同等の表示品質が得
られる一方、機器の省スペース化に大きく寄与すること
から、その需要が急速に拡大している。また、現在、そ
の適用範囲拡大によって大画面化・高精細化・低消費電
力化といった機器の高性能化が要求されており、製造メ
ーカでは、各社独自方式の製品を開発し、他社製品との
差別化を図っている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device represented by a TFT-LCD provides display quality equivalent to that of a conventional CRT (Cathode Ray Tube) as a display screen of a personal computer or the like, while greatly contributing to space saving of equipment. Therefore, the demand is expanding rapidly. At the same time, with the expansion of its application range, higher performance of devices such as larger screen, higher definition, and lower power consumption is required.Manufacturers have developed products unique to each company, and We are trying to differentiate.

【0003】図14は液晶表示装置の製造工程の概略を
示した説明図である。液晶表示装置の製造工程は、一般
に、アレイ工程(通称、前工程)とLCD工程(通称、後
工程)とに区別され、図14は、特に、このLCD工程
を詳細に示したものである。
FIG. 14 is an explanatory view schematically showing a manufacturing process of a liquid crystal display device. The manufacturing process of the liquid crystal display device is generally divided into an array process (commonly called a pre-process) and an LCD process (commonly called a post-process), and FIG. 14 particularly shows the LCD process in detail.

【0004】アレイ工程では、ガラス基板上にTFT素
子をマトリクス状に形成したTFT基板と、ガラス基板
上にR(赤),G(緑),B(青)の色フィルタをマト
リクス状に形成したCF基板とを夫々別々の製造工程で
製造する。そして、LCD工程において、これらTFT
基板とCF基板とを対向させて、これら間のギャップを
数μm程度に制御し、精密に位置決めした上で貼り合わ
せて、これら基板間に液晶を封入・封止する。以上の工
程で液晶表示パネルとしての製造が終了し、その後の組
立工程において、液晶表示パネルに駆動用ICを実装
し、パーソナルコンピュータなどの機器に接続・実装す
る。
In the array process, a TFT substrate in which TFT elements are formed in a matrix on a glass substrate, and R (red), G (green), and B (blue) color filters are formed in a matrix on the glass substrate. The CF substrate and the CF substrate are manufactured in separate manufacturing steps. Then, in the LCD process, these TFTs
The substrate and the CF substrate are opposed to each other, the gap between them is controlled to about several μm, and they are precisely positioned and bonded to each other, and the liquid crystal is sealed and sealed between these substrates. Manufacturing of the liquid crystal display panel is completed in the above steps, and in a subsequent assembling step, a driving IC is mounted on the liquid crystal display panel and connected to and mounted on a device such as a personal computer.

【0005】以上の一連の製造工程中、特に、アレイ工
程では、フォト・リソグラフ(製膜・レジスト塗布・露
光・現像・エッチング・レジスト剥離の一連の工程)で
製作された薄膜パターンの外観検査や断線検査、あるい
はTFT素子などの特性検査が各製造プロセス単位で全
数行なわれており、検査終了後に不良品と判定されたも
のを製造工程から排除する(修正可能なものは、欠陥を
修正して製造工程に戻す)ことにより、不良品がその後
の製造工程に流れ込まないようにするとともに、検査結
果を製造装置にフィードバックすることにより、プロセ
ス条件の調節や装置の点検を促すように作用させ、安定
した製造歩留まりを確保している。
[0005] In the above series of manufacturing steps, particularly in the array step, appearance inspection of thin film patterns manufactured by photolithography (a series of steps of film formation, resist coating, exposure, development, etching, and resist stripping) is performed. A disconnection inspection or a characteristic inspection of TFT elements and the like are all performed for each manufacturing process, and after the inspection is completed, those which are determined to be defective are excluded from the manufacturing process. (Return to the manufacturing process) to prevent defective products from flowing into the subsequent manufacturing process, and to feed back the inspection results to the manufacturing equipment to act to encourage adjustment of process conditions and inspection of the equipment, resulting in stable operation. Production yields.

【0006】一方、LCD工程についても、アレイ工程
と同様に、図14に示す手順で各製造プロセスの状態の
監視を行なっている。
On the other hand, in the LCD process, the state of each manufacturing process is monitored according to the procedure shown in FIG. 14 similarly to the array process.

【0007】即ち、初めに、アレイ工程で用いられてい
る大形ガラス基板(一般に、360mm×460mmな
ど)に2面取りあるいは4面取りでパターニングされた
TFT基板やCF基板を単位大きさに割断後(ステップ
100)、それらの割断後の寸法と割断部の欠けやクラ
ックの有無を検査する(ステップ101)。
That is, first, a TFT substrate or a CF substrate, which is patterned on a large glass substrate (generally, 360 mm × 460 mm or the like) used in the array process by two or four chamfers, is cut into unit sizes. In step 100), the dimensions after the cutting and the presence or absence of cracks or cracks in the cut portions are inspected (step 101).

【0008】次に、TFT基板やCF基板上に液晶配向
用として機能させるための高分子膜(以下、単に配向膜
という)を転写・焼成し(ステップ102)、ラビングロ
ーラを高速に回転させながら押し付けて配向膜をラビン
グする(ステップ104)。配向膜としては、ポリイミド
系の高分子材料をNMP(N−メチル−ピロリドン)など
の溶剤に溶解させてワニス状とした材料が一般に多く用
いられており、これをローラで基板上に転写した後、ホ
ットプレートやベーク炉で最大摂氏200度程度まで加
熱・焼成する工程を経て、基板上に高分子薄膜を形成す
るものである。焼成後の配向膜の膜厚は、約0.1μm
以下である。ここでは、配向膜の転写・焼成後、ガラス
基板上における配向膜の印刷寸法やピンホールの有無
と、ラビング後の配向膜に生じた傷やむらなどが検査対
象となる(ステップ103,105)。
Next, a polymer film (hereinafter simply referred to as an alignment film) for functioning as a liquid crystal alignment is transferred and baked on a TFT substrate or a CF substrate (Step 102), and the rubbing roller is rotated at a high speed. The alignment film is rubbed by pressing (step 104). As the alignment film, a varnish-like material obtained by dissolving a polyimide-based polymer material in a solvent such as NMP (N-methyl-pyrrolidone) is generally used in many cases. A polymer thin film is formed on a substrate through a process of heating and baking up to about 200 degrees Celsius in a hot plate or a baking furnace. The thickness of the alignment film after firing is about 0.1 μm
It is as follows. Here, after the transfer and firing of the alignment film, the inspection target is the printed dimension of the alignment film on the glass substrate, the presence or absence of pinholes, and the scratches and unevenness of the alignment film after rubbing (steps 103 and 105). .

【0009】次に、TFT基板上やCF基板上に、液晶
封止用のシール剤(エポキシ系接着剤)と、TFT基板
とCF基板を貼り合わせた際にこれら基板間の導通を確
保するための導電ペーストとを塗布する(ステップ10
6,108)。導電ペーストとしては、直径数μmのプ
ラスチック製の球体にNi,Auなどの金属膜をメッキ
した導電性ビーズをシール剤と同様のエポキシ系接着剤
に分散させた溶液として用いられる。シール剤及び導電
ペーストは、マイクロディスペンサによって基板上に塗
布される。ここでは、シール剤や導電ペーストの塗布位
置や幅(塗布径)を検査し、さらに、シール剤について
は、途切れの有無なども加えて検査する(ステップ10
7,109)。
Next, on the TFT substrate or the CF substrate, a sealing agent (epoxy-based adhesive) for sealing the liquid crystal, and when the TFT substrate and the CF substrate are bonded, conduction between these substrates is ensured. (Step 10)
6, 108). As the conductive paste, a solution is used in which conductive beads obtained by plating a metal sphere such as Ni or Au on a plastic sphere having a diameter of several μm are dispersed in an epoxy adhesive similar to a sealant. The sealant and the conductive paste are applied on a substrate by a microdispenser. Here, the application position and width (application diameter) of the sealant or the conductive paste are inspected, and the sealant is inspected in addition to the presence or absence of interruption (step 10).
7, 109).

【0010】次に、TFT基板やCF基板上に、これら
基板を貼り合わせた際にこれら基板間のギャップを一定
に保つためのスペーサを分散させる(ステップ11
0)。このスペーサとしては、直径数μmのプラスチッ
ク製の球体を蒸留水を主成分とする溶媒に分散させ、霧
状に吹き付けることによって基板上に均一に分散させる
方式が主として採用されている。ここでは、基板上の単
位面積当たりに分散したスペーサの数と、スペーサの密
集の有無などを検査する(ステップ111)。
Next, spacers are dispersed on a TFT substrate or a CF substrate to keep the gap between the substrates constant when these substrates are bonded (step 11).
0). As the spacer, a method is mainly employed in which a plastic sphere having a diameter of several μm is dispersed in a solvent containing distilled water as a main component, and the dispersion is uniformly dispersed on a substrate by spraying the sphere. Here, the number of spacers dispersed per unit area on the substrate and the presence / absence of the denseness of the spacers are inspected (step 111).

【0011】最後に、TFT基板とCF基板とを対向さ
せて貼り合わせ(ステップ112)、これら基板間のギ
ャップが均一か否かを検査した後(ステップ113)、
これら基板間に液晶を注入・封止することによって液晶
表示パネルとし(ステップ114)、点灯検査後(ステ
ップ115)、次の組立工程で機器との接続が行なわれ
る。
Finally, the TFT substrate and the CF substrate are bonded to face each other (step 112), and it is checked whether the gap between these substrates is uniform (step 113).
A liquid crystal display panel is formed by injecting and sealing liquid crystal between these substrates (step 114), and after lighting inspection (step 115), connection with the device is performed in the next assembly process.

【0012】しかしながら、以上のLCD工程では、ア
レイ工程と比較して、ガラス基板の切断寸法などの寸法
誤差がある程度までなら許容される検査対象物が多いた
めに、ギャップ検査や点灯検査(ステップ113,11
5)以外の検査が全て抜き取り検査となっているのが現
状である。さらに、LCD工程の検査は大部分が作業者
による手作業で行なわれているため、検査に時間を要す
るし、見落としが生じたりして、作業者によっては計測
結果が異なるといった問題が生じている。また、LCD
工程では、検査結果が可視化されにくいために、検査結
果をタイムリに製造装置にフィードバックすることがで
きないといった問題もあり、その結果として、LCD工
程の製造歩留まりは、アレイ工程の製造歩留まりに比較
して、常に低く推移している。従って、LCD工程の検
査を自動化することにより、LCD工程の製造歩留まり
を大きく向上させる効果が期待される。
However, in the above LCD process, as compared with the array process, a large number of inspection objects are allowed if a dimensional error such as a cut size of the glass substrate is to a certain extent. , 11
At present, all inspections other than 5) are sampling inspections. Furthermore, since most of the inspection in the LCD process is performed manually by an operator, the inspection requires time, oversight occurs, and there is a problem that the measurement result differs depending on the operator. . In addition, LCD
In the process, there is a problem that the inspection result cannot be fed back to the manufacturing apparatus in a timely manner because the inspection result is difficult to visualize. As a result, the manufacturing yield of the LCD process is lower than that of the array process. , Has always been low. Therefore, by automating the inspection of the LCD process, an effect of greatly improving the production yield of the LCD process is expected.

【0013】このような状況下において、特開平9−9
0384号公報に記載のように、TFT基板上やCF基
板上に形成された液晶封止用シール剤の途切れを自動検
査し、シール剤の途切れを検出した場合には、その基板
を製造工程から抜き取るようにしてLCD工程の生産効
率を高める手法が提案されている。
Under these circumstances, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-9 / 1990
As described in Japanese Patent No. 0384, the liquid crystal sealing sealant formed on the TFT substrate or the CF substrate is automatically inspected for breakage, and when the breakage of the sealant is detected, the substrate is removed from the manufacturing process. A method has been proposed in which the production efficiency of the LCD process is increased by extracting.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記で
提案されている従来技術では、基板上に形成したシール
剤の途切れの有無のみを検査対象としているだけであっ
て、その効果がLCD工程全体の製造歩留まりの向上に
まで波及するとしても、その効果は著しく小さいものと
予想される。LCD工程全体の製造歩留まりを向上させ
るためには、LCD工程における検査作業を可能な限り
自動化し、その検査結果を可視化するとともに、タイム
リに製造装置にフィードバックするシステムの開発が必
須課題である。そのためには、TFT基板やCF基板上
に形成された各種パターンを必要充分な寸法精度で確実
に検出するための手段を開発する必要がある。
However, in the prior art proposed above, only the presence / absence of breakage of the sealant formed on the substrate is to be inspected, and the effect is not large in the entire LCD process. The effect is expected to be remarkably small, even if the effect extends to the improvement of the manufacturing yield. In order to improve the manufacturing yield of the entire LCD process, it is essential to develop a system that automates the inspection work in the LCD process as much as possible, visualizes the inspection result, and feeds it back to the manufacturing apparatus in a timely manner. For that purpose, it is necessary to develop a means for reliably detecting various patterns formed on the TFT substrate or the CF substrate with necessary and sufficient dimensional accuracy.

【0015】本発明の第1の目的は、液晶表示基板のL
CD工程において、該液晶表示基板でのガラス基板の切
断寸法,配向膜の印刷寸法,シール剤の塗布状態及び導
電ペーストの塗布状態を自動計測し、その計測結果を可
視化するとともに、製造装置に即座にフィードバックす
ることができるようにした液晶表示基板の検査方法を提
供することにある。
A first object of the present invention is to provide a liquid crystal display substrate having an L
In the CD process, the cutting dimensions of the glass substrate on the liquid crystal display substrate, the printing dimensions of the alignment film, the applied state of the sealant and the applied state of the conductive paste are automatically measured, and the measurement results are visualized and immediately sent to the manufacturing apparatus. It is an object of the present invention to provide a method for inspecting a liquid crystal display substrate, which is capable of feeding back to a user.

【0016】本発明の第2の目的は、液晶表示基板のL
CD工程において、該液晶表示基板でのガラス基板の切
断寸法,配向膜の印刷寸法,シール剤の塗布状態及び導
電ペーストの塗布状態を自動計測し、その計測結果を可
視化するとともに、製造装置に即座にフィードバックす
ることができるようにした液晶表示基板の検査装置を提
供することにある。
A second object of the present invention is to provide a liquid crystal display substrate having an L
In the CD process, the cutting dimensions of the glass substrate on the liquid crystal display substrate, the printing dimensions of the alignment film, the applied state of the sealant and the applied state of the conductive paste are automatically measured, and the measurement results are visualized and immediately sent to the manufacturing apparatus. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display substrate inspection apparatus capable of providing feedback to a liquid crystal display substrate.

【0017】本発明の第3の目的は、液晶表示基板のL
CD工程において、配向膜の印刷寸法を自動計測するに
好適な液晶表示基板を提供することにある。
A third object of the present invention is to provide a liquid crystal display substrate having an L
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display substrate suitable for automatically measuring a print dimension of an alignment film in a CD process.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、LCD工程の
検査対象項目のうち、その種類が共通である(即ち、基
板上におけるパターンの位置と形状の計測を対象とす
る)ガラス基板の切断寸法や配向膜の印刷寸法,シール
剤の塗布状態,導電ペーストの塗布状態の検査を対象と
する。配向膜のラビング状態検査とギャップ検査,点灯
検査については、検査対象がラビングむらや表示むらで
あり、また、スペーサ分散状態の検査では、検査対象と
なるスペーサの寸法が数μmと小さく、他の検査対象物
と比較して極めて微小であることから、本発明の検査対
象から除外する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for cutting a glass substrate having a common type (namely, for measuring the position and shape of a pattern on a substrate) among inspection items in an LCD process. It is intended for inspection of dimensions, printing dimensions of alignment film, application state of sealant, and application state of conductive paste. In the rubbing state inspection, gap inspection, and lighting inspection of the alignment film, the inspection target is rubbing unevenness and display unevenness. In the inspection of the spacer dispersion state, the size of the spacer to be inspected is as small as several μm. Since it is extremely small compared to the inspection object, it is excluded from the inspection object of the present invention.

【0019】上記第1の目的を達成するために、本発明
による検査方法は、検査対象パターンの寸法の自動計測
結果を該検査対象パターンの基準寸法との差分値に換算
し、該検査対象パターン毎に順次該差分値を経時的に表
示するようにする。
In order to achieve the first object, an inspection method according to the present invention converts an automatic measurement result of a dimension of a pattern to be inspected into a difference value from a reference dimension of the pattern to be inspected, and The difference value is sequentially displayed every time.

【0020】上記第2の目的を達成するために、本発明
による検査装置は、検査対象パターンの光学像を採取す
るための光学系と、該光学系で得られた光学像を画像認
識する手段と、該検査対象パターンの寸法の自動計測結
果を該検査対象パターンの基準寸法との差分値に換算し
て該検査対象パターン毎に順次該差分値を経時的に表示
する手段と、該計測結果を上位情報系に出力する手段と
を備える構成とする。
To achieve the second object, an inspection apparatus according to the present invention comprises an optical system for collecting an optical image of a pattern to be inspected, and means for recognizing the optical image obtained by the optical system. Means for converting an automatic measurement result of the dimension of the pattern to be inspected into a difference value from a reference dimension of the pattern to be inspected, and sequentially displaying the difference value with time for each of the pattern to be inspected; And a means for outputting to the upper information system.

【0021】上記第3の目的を達成するために、本発明
の液晶表示基板は、配向膜の印刷寸法計測用のパッドを
ガラス基板上に予め形成した構成とする。
In order to achieve the third object, the liquid crystal display substrate of the present invention has a structure in which a pad for measuring the print dimension of an alignment film is formed on a glass substrate in advance.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図1は本発明による液晶表示基板の検査
方法及び装置の一実施形態を示す図であって、同図
(a)は全体構成図であり、1は落射照明鏡筒、2は2
/3インチ白黒CCDカメラ、3はスリット投影光学系
X鏡筒、4はスリット投影光学系Y鏡筒、5,6は照明
光源としてのハロゲンランプ、7は光ファイバ、8は光
学系ベース、9は観察光学系X鏡筒、10は観察光学系
Y鏡筒、11は2/3インチ白黒CCDカメラ、12は
光切断鏡筒YのCCDカメラ、13は画像入力/処理ボ
ード、14はパソコン、15は画像観察用モニタ、16
は検査結果の集計用モニタである。また、図1(b)は
図1(a)における観察光学系の構造及び検査対象であ
るTFT基板に対する配置関係を示す図であって、1は
落射照明鏡筒、1aは2倍対物レンズ、1bはハーフミ
ラー、3aはコリメートレンズ、3bはスリット、3c
は3倍対物レンズ、9aはリレーレンズ、9bは10倍
対物レンズ、17はXYステージ、17aは反射体、1
8は液晶表示基板、Pは光照射中心点であって、図1
(a)に対応する部分には同一符号をつけている。さら
に、図1(c)は図1(b)におけるXYステージ17
上での液晶表示基板18の搭載状態を示す図であって、
図1(b)に対応する部分には同一符号をつけている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing one embodiment of a method and an apparatus for inspecting a liquid crystal display substrate according to the present invention, wherein FIG.
/ 3 inch monochrome CCD camera, 3 is a slit projection optical system X lens barrel, 4 is a slit projection optical system Y lens barrel, 5 and 6 are halogen lamps as an illumination light source, 7 is an optical fiber, 8 is an optical system base, 9 Is an observation optical system X lens barrel, 10 is an observation optical system Y lens barrel, 11 is a 2/3 inch monochrome CCD camera, 12 is a light cutting lens barrel Y CCD camera, 13 is an image input / processing board, 14 is a personal computer, 15 is an image observation monitor, 16
Is a monitor for counting inspection results. FIG. 1B is a diagram showing the structure of the observation optical system in FIG. 1A and the positional relationship with respect to a TFT substrate to be inspected, wherein 1 is an epi-illumination lens barrel, 1a is a 2 × objective lens, 1b is a half mirror, 3a is a collimating lens, 3b is a slit, 3c
Is a 3 × objective lens, 9a is a relay lens, 9b is a 10 × objective lens, 17 is an XY stage, 17a is a reflector, 1
8 is a liquid crystal display substrate, P is a light irradiation center point, and FIG.
Parts corresponding to (a) are given the same reference numerals. Further, FIG. 1C shows the XY stage 17 in FIG.
FIG. 9 is a diagram showing a mounting state of the liquid crystal display substrate 18 above,
Parts corresponding to those in FIG. 1B are denoted by the same reference numerals.

【0023】この実施形態は、液晶表示基板としてTF
T基板を用いるTFT−LCDの製造工程を例とするも
のであり(従って、以下では、液晶表示基板18をTF
T基板18とする)、観察光学系によって検査対象とな
るTFT基板やSTN基板,CF基板でのガラス基板の
切断部,ガラス基板上での液晶の配向膜の印刷端部,シ
ール剤及び導電ペーストの光学像を採取し、画像処理に
よってかかる検査対象物の寸法を計測するものとしてい
る。
This embodiment uses a TF as a liquid crystal display substrate.
An example is a manufacturing process of a TFT-LCD using a T substrate.
(T substrate 18), TFT substrate or STN substrate to be inspected by the observation optical system, cut part of glass substrate on CF substrate, printed end of liquid crystal alignment film on glass substrate, sealant and conductive paste Are taken, and the dimensions of the inspection object are measured by image processing.

【0024】図1(a),(b)において、TFT基板
18がXYステージ17上に搭載されており、観察光学
系は、このTFT基板18に真上から光を照射し、その
光学像を検出する1個の落射照明光学系と、このTFT
基板18に斜めから光を照射し、その光学像を検出する
2対の光切断光学系とが組み合わされて構成される。
1 (a) and 1 (b), a TFT substrate 18 is mounted on an XY stage 17, and an observation optical system irradiates the TFT substrate 18 with light from directly above, and converts the optical image thereof. One epi-illumination optical system to detect and this TFT
It is configured by combining two pairs of light cutting optical systems that irradiate the substrate 18 with light obliquely and detect the optical image.

【0025】落射照明光学系は、2倍対物レンズ1aと
ハーフミラー1bとを収納した落射照明鏡筒1に2/3
インチ白黒CCDカメラ(以下、CCDカメラという)
2が取り付けられた構成をなしている。そして、図1
(b)に示すように、ハロゲンランプ5から光ファイバ
7を介して入射される光がハーフミラー1bで真下の方
向(矢印Z方向)に反射され、2倍対物レンズ1aによ
ってXYステージ17に載置されたTFT基板18上に
集光照射される。この照射範囲の中心点を光照射中心点
Pという。このTFT基板18の光照射範囲からの反射
光は2倍対物レンズ1a,ハーフミラー1bを介してC
CDカメラ2で受光される。これにより、TFT基板1
8の光照射範囲内の光像が CCDカメラ2によって検
出され、画像信号として画像入力/処理ボード13に供
給される。
The epi-illumination optical system is two-thirds of the epi-illumination lens barrel 1 containing the double objective lens 1a and the half mirror 1b.
Inch monochrome CCD camera (hereinafter referred to as CCD camera)
2 is attached. And FIG.
As shown in (b), the light incident from the halogen lamp 5 via the optical fiber 7 is reflected by the half mirror 1b in a direction directly below (in the direction of arrow Z), and is mounted on the XY stage 17 by the double objective lens 1a. The light is condensed and irradiated on the TFT substrate 18 placed. The center point of this irradiation range is called a light irradiation center point P. The reflected light from the light irradiation area of the TFT substrate 18 is transmitted through the double objective lens 1a and the half mirror 1b to the C light source.
The light is received by the CD camera 2. Thereby, the TFT substrate 1
The light image within the light irradiation area 8 is detected by the CCD camera 2 and supplied to the image input / processing board 13 as an image signal.

【0026】ここで、対物レンズ1aの開口率は0.0
6、作動距離は92mmであり、これにより、TFT基
板18上の3mm角の領域をCCDカメラ2で観察する
ことができる。また、CCDカメラ2上での画素寸法は
7μmである。
Here, the aperture ratio of the objective lens 1a is 0.0
6. The working distance is 92 mm, so that a 3 mm square area on the TFT substrate 18 can be observed by the CCD camera 2. The pixel size on the CCD camera 2 is 7 μm.

【0027】一方、光切断光学系は、光照射手段と受光
手段とがX方向に配列されてなるX光切断光学系と、同
じく光照射手段と受光手段とがY方向に配列されてなる
Y光切断光学系とで構成されており、これらX,Y光切
断光学系は同じ構成をなしている。図1(b)では、そ
の一方であるX光切断光学系が示されており、これによ
って光切断光学系について説明する。
On the other hand, the light cutting optical system includes an X light cutting optical system in which light irradiating means and light receiving means are arranged in the X direction, and a Y light in which light irradiating means and light receiving means are similarly arranged in the Y direction. The X and Y light cutting optical systems have the same structure. FIG. 1B shows an X-light cutting optical system, which is one of them, and the light-cutting optical system will be described with reference to FIG.

【0028】X光切断光学系は、コリメートレンズ3a
とスリット3bと3倍対物レンズ3cとを収納したスリ
ット投影光学系X鏡筒3と、10倍対物レンズ9bとリ
レーレンズ9aとを収納して2/3インチ白黒CCDカ
メラ11(以下、CCDカメラという)が取り付けられ
た観察光学系X鏡筒9とから構成されており、これらス
リット投影光学系X鏡筒3と観察光学系X鏡筒9とは、
TFT基板18上の上記光軸中心点Pを挾んで、X方向
互いに反対側に配置されている。また、スリット投影光
学系X鏡筒3は、そこに収納されているコリメートレン
ズ3aと幅が25μm,長さが5mmのスリット3bと
3倍対物レンズ3cとの光軸が光軸中心点Pを通り、か
つTFT基板18の表面に対して45度の角度となるよ
うに、傾けられており、同様にして、観察光学系X鏡筒
9も、そこに収納されている10倍対物レンズ9bとリ
レーレンズ9aとの光軸が光軸中心点Pを通り、かつT
FT基板18の表面に対して45度の角度となるよう
に、傾けられている。そして、落射照明光学系の落射照
明鏡筒1との間でこのような配置関係が固定されるよう
に、これらスリット投影光学系X鏡筒3,観察光学系X
鏡筒9が、落射照明鏡筒1とともに、光学系ベース8に
取り付けられている。
The X-light cutting optical system includes a collimator lens 3a.
A 2 / 3-inch monochrome CCD camera 11 (hereinafter, referred to as a CCD camera) containing a slit projection optical system X lens barrel 3 containing a 3x objective lens 3c and a slit 3b, and a 10x objective lens 9b and a relay lens 9a. ) Is attached to the observation optical system X lens barrel 9. The slit projection optical system X lens barrel 3 and the observation optical system X lens barrel 9 are
They are arranged on the opposite sides of the optical axis center point P on the TFT substrate 18 in the X direction. The optical axis of the collimating lens 3a housed therein, the slit 3b having a width of 25 μm and the length of 5 mm, and the 3 × objective lens 3c are positioned at the optical axis center point P. And is tilted so as to be at an angle of 45 degrees with respect to the surface of the TFT substrate 18. Similarly, the observation optical system X lens barrel 9 is connected to the 10 × objective lens 9 b housed therein. The optical axis with the relay lens 9a passes through the optical axis center point P, and T
The FT substrate 18 is inclined at an angle of 45 degrees with respect to the surface of the FT substrate 18. The slit projection optical system X lens barrel 3 and the observation optical system X are fixed so that such an arrangement relation is fixed between the epi-illumination optical system and the epi-illumination lens barrel 1.
A lens barrel 9 is attached to the optical system base 8 together with the epi-illumination lens barrel 1.

【0029】かかる構成において、スリット投影光学系
X鏡筒3では、ハロゲンランプ6から光ファイバ7を介
して入射される光がコリメートレンズ3aで平行光とさ
れ、スリット3bでその一部が抽出されて3倍対物レン
ズ3cを介し、TFT基板18上の光軸中心点Pを中心
とするスリット3bで決まる範囲に照射される。この範
囲からの反射光(以下、スリット光という)は観察光学系
X鏡筒9に入射され、10倍対物レンズ9bとリレーレ
ンズ9aを介してCCDカメラ11で受光される。これ
により、TFT基板18で反射されるスリット光の光像
がCCDカメラ11で検出され、画像信号として画像入
力/処理ボード13に供給される。
In such a configuration, in the slit projection optical system X lens barrel 3, light incident from the halogen lamp 6 via the optical fiber 7 is collimated by the collimating lens 3a, and a part thereof is extracted by the slit 3b. Through the 3 × objective lens 3c, the light is irradiated to a range determined by the slit 3b centered on the optical axis center point P on the TFT substrate 18. Light reflected from this range (hereinafter referred to as slit light) enters the observation optical system X lens barrel 9 and is received by the CCD camera 11 via the 10 × objective lens 9b and the relay lens 9a. As a result, a light image of the slit light reflected by the TFT substrate 18 is detected by the CCD camera 11 and supplied to the image input / processing board 13 as an image signal.

【0030】ここで、3倍対物レンズ3cの開口率は
0.07、作動距離は72.5mmであって、TFT基板
18上でのスリット3bの投影を幅12μm,長さ1.
7mmの寸法に縮小する。観察光学系X鏡筒9は、TF
T基板18上に縮小投影されたスリット3bの投影領域
からの全反射光をCCDカメラ11で観察する。CCD
カメラ11では、TFT基板18上でのスリット3bの
縮小投影領域の長さ1.7mmのうち、長さ1.5mmの
範囲を観察することができる。対物レンズ9bの開口率
は0.28、作動距離は33.5mmであって、CCDカ
メラ11上での画素寸法は2.5μmである。
Here, the aperture ratio of the 3 × objective lens 3c is 0.07, the working distance is 72.5 mm, and the projection of the slit 3b on the TFT substrate 18 is 12 μm wide and 1.times. Long.
Reduce to 7 mm dimensions. The observation optical system X lens barrel 9 is TF
The total reflection light from the projection area of the slit 3b reduced and projected on the T substrate 18 is observed by the CCD camera 11. CCD
The camera 11 can observe a range of 1.5 mm in the length of 1.7 mm of the reduced projection area of the slit 3 b on the TFT substrate 18. The aperture ratio of the objective lens 9b is 0.28, the working distance is 33.5 mm, and the pixel size on the CCD camera 11 is 2.5 μm.

【0031】Y光切断光学系についても、これらを構成
するスリット投影光学系Y鏡筒4と観察光学系Y鏡筒1
0とが、光軸中心点Pを挾んでX方向に直交するY方向
互いに反対側に配置されていること以外、X光切断光学
系と同様であり、光学系ベース216で固定されてい
る。1対で光切断光学系を形成している。
As for the Y light cutting optical systems, the slit projection optical system Y lens barrel 4 and the observation optical system Y lens barrel 1
0 is the same as the X light cutting optical system except that it is disposed on the opposite side in the Y direction orthogonal to the X direction across the optical axis center point P, and is fixed by the optical system base 216. One pair forms a light cutting optical system.

【0032】ここで、以下の説明を簡明にするために、
スリット投影光学系X鏡筒3と観察光学系X鏡筒9とを
単に光切断鏡筒Xといい、スリット投影光学系Y鏡筒4
と観察光学系Y鏡筒10とを単に光切断鏡筒Yというこ
とにする。
Here, in order to simplify the following description,
The slit projection optical system X lens barrel 3 and the observation optical system X lens barrel 9 are simply called a light cutting lens barrel X, and the slit projection optical system Y lens barrel 4
And the observation optical system Y lens barrel 10 are simply referred to as a light cutting lens barrel Y.

【0033】TFT基板18はXYステージ17に搭
載,固定されており、このXYステージ17がXY方向
に移動することにより、TFT基板18の位置決めが行
なわれる。このXYステージ17には、搭載されたTF
T基板よりも外周の全周にわたって落射照明鏡筒1から
の照明光を反射するための反射体17aが設けられてい
る。この反射体17aは、アルミニウムやステンレスな
どの金属の表面をバフ研磨して鏡面とされた正反射体、
あるいはかかる金属に表面処理(例えば、白色アルマイ
ト処理など)を施して散乱反射体とした短冊形状の反射
体であり、TFT基板18の搭載面から10mm〜15
mm凹んだ全周領域に配置される。このように構成する
と、TFT基板18の切断部の画像認識に好適な光学像
を得ることができる。
The TFT substrate 18 is mounted and fixed on an XY stage 17, and the XY stage 17 moves in the XY directions, thereby positioning the TFT substrate 18. The XY stage 17 has a mounted TF
A reflector 17a for reflecting illumination light from the epi-illumination lens barrel 1 over the entire outer periphery of the T substrate is provided. This reflector 17a is a specular reflector made by buffing the surface of a metal such as aluminum or stainless steel to a mirror surface,
Alternatively, it is a strip-shaped reflector which has been subjected to a surface treatment (for example, white alumite treatment) on the metal to be a scattering reflector, and is 10 mm to 15 mm from the mounting surface of the TFT substrate 18.
mm. With this configuration, an optical image suitable for image recognition of a cut portion of the TFT substrate 18 can be obtained.

【0034】なお、以上の構成の観察光学系は図示しな
いZステージに固定されており、このZステージが上下
動することにより、観察光学系の焦点合わせを行なうこ
とができるように構成されている。この焦点合わせに
は、光切断鏡筒XのCCDカメラ11あるいは光切断鏡
筒YのCCDカメラ12で得られる光学像を用いる。
The observation optical system having the above configuration is fixed to a Z stage (not shown), and the Z stage moves up and down so that the observation optical system can be focused. . For this focusing, an optical image obtained by the CCD camera 11 of the light-cutting barrel X or the CCD camera 12 of the light-cutting barrel Y is used.

【0035】即ち、落射照明鏡筒1の焦点を合わせた位
置での光切断鏡筒のCCDカメラ11あるいは12の結
像面におけるスリット光の結像位置PxあるいはPy
(CCDカメラ12に対するもの)をパソコン14のメ
モリに予め記憶しておき、TFT基板18の表面の高さ
の変動によって変化するスリット光の結像位置Pxある
いはPyと記憶した結像位置PxあるいはPyとの差を
CCDカメラの結像面における画素数で求め、この結像
位置の差(画素数)×画素寸法÷√2により、TFT基
板18の表面の高さの変動量を算出できる。パソコン1
4では、TFT基板18上の観察位置が変わる度にかか
る変動量を算出することにより、Zステージの最適な高
さを決定する。
That is, the image forming position Px or Py of the slit light on the image forming plane of the CCD camera 11 or 12 of the light cutting lens barrel at the position where the incident illumination lens barrel 1 is focused.
(For the CCD camera 12) is stored in the memory of the personal computer 14 in advance, and the image forming position Px or Py stored with the image forming position Px or Py of the slit light that changes due to the variation in the height of the surface of the TFT substrate 18 is stored. Is obtained from the number of pixels on the image plane of the CCD camera, and the amount of change in the height of the surface of the TFT substrate 18 can be calculated from the difference (number of pixels) × pixel size ÷ √2. PC 1
In step 4, the optimum height of the Z stage is determined by calculating the amount of change each time the observation position on the TFT substrate 18 changes.

【0036】なお、XYステージ17と図示しないZス
テージは、図示しないコントローラを介して、パソコン
14からその動作が制御される。また、ハロゲンランプ
5,6は、パソコン14内のD/Aボードを介して電圧
を設定することにより、その光量制御が行なわれる。さ
らに、パソコン14は、製造現場内の情報ネットワーク
に接続されており、検査結果を上位情報系に出力するこ
とが可能である。
The operations of the XY stage 17 and the Z stage (not shown) are controlled by the personal computer 14 via a controller (not shown). The light quantity of the halogen lamps 5 and 6 is controlled by setting a voltage via a D / A board in the personal computer 14. Further, the personal computer 14 is connected to an information network in the manufacturing site, and can output inspection results to a higher-level information system.

【0037】次に、TFT基板を例として、液晶表示基
板の検査手順を説明する。始めに、作業者は、TFT基
板の夫々の品種毎に、液晶表示基板上における検査座標
(画像を採取する座標)と、検査座標に対応した基準寸
法(設計値)とを図示しない入力手段から入力し、パソ
コン14に登録する。
Next, a procedure for inspecting a liquid crystal display substrate will be described using a TFT substrate as an example. First, an operator inputs inspection coordinates (coordinates for taking an image) on the liquid crystal display substrate and reference dimensions (design values) corresponding to the inspection coordinates from input means (not shown) for each type of TFT substrate. Input and register in personal computer 14.

【0038】図2はTFT基板18の基板切断寸法を計
測する際の入力情報を示す図であり、ここでは、アレイ
工程で使用されている360mm×460mm×0.7
mm厚の大形ガラス基板を割断し、230mm×460
mmの大きさに分割した後のガラス基板の寸法を検査す
るものとする。
FIG. 2 is a diagram showing input information when measuring the substrate cutting dimension of the TFT substrate 18. Here, 360 mm × 460 mm × 0.7 used in the array process is shown.
230 mm × 460 mm
The size of the glass substrate after the division into the size of mm is inspected.

【0039】TFT基板18上には、アレイ工程でアラ
イメントマークM1,M2が形成されており、TFT基
板18での有効表示領域18a(例えば、12.1イン
チサイズの表示画面)をはじめ、LCD工程で形成され
る各種パターンは全てアライメントマークM1を基準位
置として表現する。作業者は、検査座標として8点の座
標C1〜C8と、これら検査座標C1〜C8に対応した
基準寸法(切断寸法)とをパソコン14に入力/登録す
る。例えば、検査座標C1,C2における基準寸法は−
X1、検査座標C3,C4における基準寸法はY2、検
査座標C5,C6における基準寸法はX2、検査座標C
7,C8における基準寸法は−Y1である。
On the TFT substrate 18, alignment marks M 1 and M 2 are formed in an array process, including an effective display area 18 a (for example, a display screen of 12.1 inch size) on the TFT substrate 18 and an LCD process. All of the patterns formed by are expressed using the alignment mark M1 as a reference position. The operator inputs / registers eight coordinates C1 to C8 as inspection coordinates and reference dimensions (cutting dimensions) corresponding to the inspection coordinates C1 to C8 in the personal computer 14. For example, the reference dimension at the inspection coordinates C1 and C2 is-
X1, the reference dimension at inspection coordinates C3, C4 is Y2, the reference dimension at inspection coordinates C5, C6 is X2, inspection coordinate C
The reference dimension at 7, C8 is -Y1.

【0040】図3はTFT基板18での液晶の配向膜1
9の印刷寸法を計測する際の入力情報を示す図である。
ここでは、TFT基板18上の有効表示領域18aに配
向膜19が形成された状態を示している。
FIG. 3 shows a liquid crystal alignment film 1 on the TFT substrate 18.
9 is a diagram illustrating input information when measuring a print dimension of No. 9; FIG.
Here, a state in which the alignment film 19 is formed in the effective display area 18a on the TFT substrate 18 is shown.

【0041】この配向膜19は、ポリイミドなどの有機
高分子材料を、例えば、NMP(N−メチル−ピロリド
ン)などの溶剤に溶解させてワニス状とした材料を、印
刷ローラでTFT基板18上の有効表示領域18aに転
写した後、ホットプレートやベーク炉で最大摂氏200
度程度まで加熱・焼成する工程を経て形成した高分子薄
膜であって、焼成後の膜厚は約0.1μmとなってお
り、有効表示領域18aを覆う形で形成される。
The alignment film 19 is formed by dissolving an organic polymer material such as polyimide in a solvent such as NMP (N-methyl-pyrrolidone) to form a varnish. After being transferred to the effective display area 18a, a maximum of 200 degrees Celsius is
This is a polymer thin film formed through a process of heating and firing to a degree of about 0.1 μm, and has a thickness of about 0.1 μm after firing, and is formed so as to cover the effective display area 18a.

【0042】作業者は、検査座標として8点の座標C9
〜C16と各検査座標C9〜C16に対応した基準寸法
(配向膜印刷寸法)とをパソコン14に入力して登録す
る。ここでは、例えば、検査座標C9,C10における
基準寸法はX3、検査座標C11,C12における基準
寸法はY4、検査座標C13,C14における基準寸法
はX4、検査座標C15,C16における基準寸法はY
3である。
The operator uses eight coordinates C9 as inspection coordinates.
To C16 and reference dimensions (alignment film print dimensions) corresponding to the inspection coordinates C9 to C16 are input to the personal computer 14 and registered. Here, for example, the reference dimension at inspection coordinates C9 and C10 is X3, the reference dimension at inspection coordinates C11 and C12 is Y4, the reference dimension at inspection coordinates C13 and C14 is X4, and the reference dimension at inspection coordinates C15 and C16 is Y.
3.

【0043】図4はTFT基板18上でのシール剤20
の塗布状態を計測する際の入力情報を示す図である。こ
こでは、TFT基板18上に配向膜19とシール剤20
が形成された状態を示している。
FIG. 4 shows a sealant 20 on the TFT substrate 18.
FIG. 8 is a diagram showing input information when measuring the application state of the application. Here, the alignment film 19 and the sealant 20 are formed on the TFT substrate 18.
Shows a state in which is formed.

【0044】シール剤20は、粘度10Pa・s前後の
エポキシ系接着剤がマイクロディスペンサを用いてTF
T基板18上に始点SPから終点EPまで一筆書きで塗
布され、これら始点SP,終点EP間を液晶注入用の開
口とした形状となっている。このシール剤20について
は、その塗布位置,塗布幅及び塗布高さを計測する。
An epoxy-based adhesive having a viscosity of about 10 Pa · s is made of TF using a micro-dispenser.
It is applied on the T-substrate 18 with a single stroke from the start point SP to the end point EP, and has a shape between the start point SP and the end point EP as an opening for liquid crystal injection. The application position, application width and application height of the sealant 20 are measured.

【0045】このため、作業者は、検査座標として8点
の座標C17〜C24とこれら検査座標C17〜C24
に対応した基準寸法(塗布位置,塗布幅,塗布高さ)を
パソコン14に入力して登録する。例えば、検査座標C
17,C18における塗布位置は−X5、検査座標C1
9,C20における塗布位置はY6、検査座標C21,
C22における塗布位置はX6、検査座標C23,C2
4における塗布位置は−Y5である。さらに、検査座標
C17〜C24での塗布幅を、例えば、300μm、塗
布高さを、例えば、10μmと設定する。
For this reason, the operator determines eight coordinates C17 to C24 as inspection coordinates and these inspection coordinates C17 to C24.
The reference dimensions (application position, application width, application height) corresponding to are input to the personal computer 14 and registered. For example, inspection coordinates C
The application position at 17, C18 is -X5, inspection coordinates C1
9 and C20, the application position is Y6, the inspection coordinates C21,
The application position in C22 is X6, the inspection coordinates C23, C2
The application position in No. 4 is -Y5. Further, the application width at the inspection coordinates C17 to C24 is set to, for example, 300 μm, and the application height is set to, for example, 10 μm.

【0046】図5はTFT基板18上での導電ペースト
の塗布状態を計測する際の入力情報を示す図である。こ
こでは、TFT基板18上に配向膜19とシール剤20
と導電ペースト21a〜21cが形成された状態を示し
ている。
FIG. 5 is a diagram showing input information when measuring the application state of the conductive paste on the TFT substrate 18. Here, the alignment film 19 and the sealant 20 are formed on the TFT substrate 18.
And a state in which conductive pastes 21a to 21c are formed.

【0047】これら導電ペースト21a〜21cは、T
FT基板18とCF基板とを貼り合わせる際に、これら
基板間の導通を確保する目的で用いられており、直径数
μmのプラスチック製の球体にNi,Auなどの金属膜
をメッキした導電性ビーズをシール剤20と同様のエポ
キシ系接着剤に分散させた溶液とし、これをマイクロデ
ィスペンサを用いて塗布したものである。
These conductive pastes 21a to 21c are made of T
When bonding the FT substrate 18 and the CF substrate, the conductive beads are used to secure conduction between the substrates, and are formed by plating a metal sphere such as Ni or Au on a plastic sphere having a diameter of several μm. Is dispersed in an epoxy adhesive similar to the sealant 20, and this is applied using a microdispenser.

【0048】シール剤20については、その塗布位置と
塗布径とを計測する。導電ペースト21a〜21cの計
測の場合には、その塗布位置の基準寸法(座標)が検査
座標と一致する。このため、作業者は、検査座標とし
て、3点の導電ペースト21a〜21cの塗布位置の座
標(以下、座標21a,21b,21cという)の基準
寸法(塗布位置,塗布径)をパソコン14に入力して登
録する。例えば、検査座標21aにおける塗布位置は
(X7,Y7)、検査座標21bにおける塗布位置は(X
7,Y8)、検査座標21cにおける塗布位置は(X8,
Y7)である。さらに、検査座標21a〜21cでの塗
布径を、例えば、300μmに設定する。
For the sealant 20, the application position and the application diameter are measured. In the case of measuring the conductive pastes 21a to 21c, the reference dimensions (coordinates) of the application position match the inspection coordinates. For this reason, the operator inputs the reference dimensions (application position, application diameter) of the coordinates (hereinafter referred to as coordinates 21a, 21b, 21c) of the application positions of the three conductive pastes 21a to 21c as inspection coordinates to the personal computer 14. And register. For example, the application position at the inspection coordinates 21a is
(X7, Y7), the application position at the inspection coordinates 21b is (X7, Y7).
7, Y8), the application position at the inspection coordinates 21c is (X8,
Y7). Further, the application diameter at the inspection coordinates 21a to 21c is set to, for example, 300 μm.

【0049】なお、上記では、TFT基板18を対象と
して説明したが、CF基板の場合でも、同様の手順で設
定を行なう。
Although the above description has been made with reference to the TFT substrate 18, the setting is performed in the same procedure for a CF substrate.

【0050】以上説明した手順により、作業者は、検査
対象のTFT基板とCF基板との品種毎に、検査座標と
検査座標に対応した基準寸法を設定する。なお、検査座
標については、各計測対象物について、最大100点ま
で設定することが可能であって、作業者の判断によって
適宜増減させることができる。
According to the procedure described above, the operator sets the inspection coordinates and the reference dimensions corresponding to the inspection coordinates for each type of the TFT substrate and the CF substrate to be inspected. In addition, the inspection coordinates can be set up to a maximum of 100 points for each measurement object, and can be appropriately increased or decreased according to the judgment of the operator.

【0051】作業者は、製造工程中から、例えば、1時
間に1回の頻度でTFT基板とCF基板とを1枚ずつ抜
き取って、図1において、XYステージ17上に搭載す
る。そして、かかる基板上から読み取った製造番号と検
査対象項目(ガラス基板の切断寸法,ガラス基板上での
配向膜の印刷寸法,ガラス基板上でのシール剤の塗布状
態,ガラス基板上での導電ペーストの塗布状態のうちの
1つ、あるいは複数個選択することが可能)をパソコン
14に入力し、しかる後、検査の開始を指示する。基板
の製造番号は、その基板の固有値として定義されてい
る。
The operator extracts the TFT substrate and the CF substrate one by one from the manufacturing process, for example, once an hour, and mounts them on the XY stage 17 in FIG. Then, the serial number read from the substrate and the item to be inspected (cutting dimensions of the glass substrate, printing dimensions of the alignment film on the glass substrate, application state of the sealant on the glass substrate, conductive paste on the glass substrate) Of the application state can be selected or a plurality of application states can be selected) to the personal computer 14, and thereafter, the start of the inspection is instructed. The serial number of a board is defined as a unique value of the board.

【0052】次いで、パソコン14内でTFT基板とC
F基板との区別及び品種の判断を行ない、TFT基板あ
るいはCF基板のアライメント動作後、品種別に予め登
録されている検査座標が観察光学系の光照射中心点Pと
一致するように、XYステージ17を順次移動させる
(例えば、基板切断寸法の計測であれば、図2におい
て、検査座標C1→C2→……→C8の順とする)。
Next, the TFT substrate and the C
The XY stage 17 is distinguished from the F substrate and the type is determined. After the TFT substrate or the CF substrate is aligned, the inspection coordinates registered in advance for each type coincide with the light irradiation center point P of the observation optical system. Are sequentially moved (for example, in the case of measurement of the substrate cutting dimension, in FIG. 2, the inspection coordinates are in the order of C1 → C2 →... → C8).

【0053】そして、各検査座標で検査対象物の光学像
を採取し、画像認識によりその寸法を順次計測する。具
体的には、採取画像上での各計測対象物の画像認識座標
とXYステージ17に内蔵されたリニアスケールの座標
とから、TFT基板18上での計測対象物の座標(アラ
イメントマークM1からの距離)を算出する。なお、画
像を採取する際のハロゲンランプ5,6の光量は、各計
測対象物毎に予め最適化されているものとし、各計測対
象物毎にパソコン14からその光量を制御する。検査終
了後のTFT基板及びCF基板は、作業者によって再度
製造工程に戻される。
Then, an optical image of the inspection object is collected at each inspection coordinate, and its dimensions are sequentially measured by image recognition. Specifically, based on the image recognition coordinates of each measurement target on the sampled image and the coordinates of the linear scale built in the XY stage 17, the coordinates of the measurement target on the TFT substrate 18 (from the alignment mark M1). Distance). It is assumed that the light amount of the halogen lamps 5 and 6 at the time of capturing an image is optimized in advance for each measurement object, and the light amount is controlled from the personal computer 14 for each measurement object. After the inspection, the TFT substrate and the CF substrate are returned to the manufacturing process again by the operator.

【0054】あるいは、例えば、TFT基板やSTN基
板,CF基板といった液晶表示基板のガラス基板の切断
工程を終了した段階で、このガラス基板を搬送装置で自
動で抜き取り、そのガラス基板を図示しない移載装置で
XYステージ17上に搭載し、図示しない製造番号読取
部でこのガラス板上の製造番号を読み取った後、ガラス
基板の切断寸法の計測を開始する。検査終了後のガラス
基板は、図示しない移載装置と搬送装置とにより、次の
製造工程(配向膜印刷・焼成工程)に再投入される。
Alternatively, for example, at the stage where the cutting process of a glass substrate of a liquid crystal display substrate such as a TFT substrate, an STN substrate, or a CF substrate is completed, the glass substrate is automatically extracted by a transfer device, and the glass substrate is transferred (not shown). The apparatus is mounted on the XY stage 17 and the manufacturing number reading unit (not shown) reads the manufacturing number on the glass plate, and then starts measuring the cut dimensions of the glass substrate. The glass substrate after the inspection is returned to the next manufacturing process (alignment film printing / firing process) by a transfer device and a transport device (not shown).

【0055】このように、1つの製造工程が終了する毎
に、作業者を介すことなく、全自動で検査を行なうこと
も可能である。
As described above, every time one manufacturing process is completed, the inspection can be performed fully automatically without the intervention of an operator.

【0056】次に、各寸法計測対象物の画像認識方法に
ついて説明する。
Next, a method of recognizing an image of each dimension measuring object will be described.

【0057】図6(a)は図2で示したTFT基板18
の検査座標C1を視野中心とした範囲でのCCDカメラ
2による採取像(以下、これを落射照明観察像という)
を示す図である。ここでは、256階調表現とする。こ
のTFT基板18のガラス基板の切断工程では、ガラス
割断後にエッジ部に面取りが施され、図6(a)でハッ
チングして示すように、この面取り部は輝度が低い状態
で観察される。
FIG. 6A shows the TFT substrate 18 shown in FIG.
Image taken by the CCD camera 2 in a range centered on the inspection coordinate C1 of the above (hereinafter, referred to as an epi-illumination observation image)
FIG. Here, the expression is 256 gradations. In the step of cutting the glass substrate of the TFT substrate 18, the edge portion is chamfered after the glass is cut, and as shown by hatching in FIG. 6A, the chamfered portion is observed with a low luminance.

【0058】図6(b)は図6(a)の切断部と直交す
る分断線A−A’に沿う輝度を示す図である。
FIG. 6B is a diagram showing the luminance along a dividing line AA 'orthogonal to the cut portion in FIG. 6A.

【0059】同図(b)において、この分断線A−A’
と予め設定された閾値LS1との交点は(ア),
(ア)’の2ヶ所あるが、そのうちのTFT基板18の
外側の交点(ア)の座標を求め、それを検査座標C1に
おけるガラス基板の切断位置とすることができる。そし
て、この座標(ア)をTFT基板18上のアライメント
マークM1を基準にした座標に換算し、パソコン14の
メモリに記憶する。
In FIG. 6B, this dividing line AA '
Is the intersection of (a) with the preset threshold LS1.
(A) ′. Of these, the coordinates of the intersection (A) outside the TFT substrate 18 can be determined and used as the cutting position of the glass substrate at the inspection coordinates C1. Then, the coordinates (A) are converted into coordinates based on the alignment mark M1 on the TFT substrate 18 and stored in the memory of the personal computer 14.

【0060】なお、ガラス基板の切断位置の画像認識
時、XYステージ17上に反射体17aが配置されてい
ると、図6(a),(b)に示すように、面取り部の輝
度が低い画像認識に好適な画像を得ることができる。こ
れは、落射照明鏡筒1(図1)の照明光が反射体17a
で反射し、その反射光が2倍対物レンズ1aに取り込ま
れるために、図6(a)において、TFT基板18が存
在しない領域の輝度を高くすることができるからであ
る。XYステージ17上に反射体17aを設けない場合
には、図6(a)の分断線A−A’に沿う輝度は、図6
(c)に示すように、TFT基板18の外側が低反射率
のものとなり、図6(b)で示したようなガラス基板の
切断位置の認識が不可能となる。
When the reflector 17a is disposed on the XY stage 17 when recognizing the image of the cutting position of the glass substrate, the brightness of the chamfered portion is low as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b). An image suitable for image recognition can be obtained. This is because the illumination light of the epi-illumination column 1 (FIG. 1) is reflected by the reflector 17a.
6A, and the reflected light is taken into the 2 × objective lens 1a, so that in FIG. 6A, the brightness in the region where the TFT substrate 18 does not exist can be increased. When the reflector 17a is not provided on the XY stage 17, the luminance along the dividing line AA 'in FIG.
As shown in FIG. 6C, the outside of the TFT substrate 18 has a low reflectance, and it is impossible to recognize the cutting position of the glass substrate as shown in FIG.

【0061】図7(a)は図3で示したTFT基板18
上に配向膜19の印刷位置認識用のパッド22a〜22
hを配置した様子を示す図である。
FIG. 7A shows the TFT substrate 18 shown in FIG.
Pads 22a to 22 for recognizing the print position of the alignment film 19 are formed thereon.
It is a figure showing signs that h was arranged.

【0062】配向膜19は、厚さ0.1μmと非常に薄
い透明体膜(ポリイミド薄膜)であるため、TFT基板
18上の配線パターンが存在する部分では、その印刷端
部の認識が極めて困難となる。そこで、図7(a)に示
すように、TFT基板18のアレイ工程で(少なくと
も、配向膜19を印刷する前に)、TFT基板18上の
配線パターンと干渉しない位置に、例えば、この配線パ
ターンと同層に、予め検査用パッド22a〜22hを形
成しておき、LCD工程での配向膜19の印刷・焼成後
の寸法計測を検査用パッド上で行なう方式を採用してい
る。
Since the alignment film 19 is a very thin transparent film (polyimide thin film) having a thickness of 0.1 μm, it is extremely difficult to recognize the printed end portion of the TFT substrate 18 where the wiring pattern exists. Becomes Therefore, as shown in FIG. 7A, in the arraying process of the TFT substrate 18 (at least before printing the alignment film 19), for example, the wiring pattern on the TFT substrate 18 is not interfered with the wiring pattern. The inspection pads 22a to 22h are formed in advance in the same layer as above, and the dimension measurement after printing and firing of the alignment film 19 in the LCD process is performed on the inspection pads.

【0063】これら検査用パッド22a〜22hは、図
7(b)に示すように、例えば、一辺が9mmの正三角
形状をなしており、落射照明鏡筒1のCCDカメラ2
(図1)の観察領域IA(ここでは、3mm平方とす
る)を包み、かつ配向膜19の印刷位置精度を考慮した
領域に配置される。従って、配向膜19の印刷位置の検
査の前に予め作業者がパソコン14に入力するパラメー
タ(基板18上での検査座標C9〜C16)について
は、検査用パッド22a〜22hの位置を考慮して指定
する必要がある。
As shown in FIG. 7B, the inspection pads 22a to 22h are in the form of, for example, an equilateral triangle having a side of 9 mm.
It is arranged in an area surrounding the observation area IA (here, 3 mm square) of FIG. 1 and taking into consideration the printing position accuracy of the alignment film 19. Therefore, parameters (inspection coordinates C9 to C16 on the substrate 18) input by the operator to the personal computer 14 in advance before the inspection of the printing position of the alignment film 19 are considered in consideration of the positions of the inspection pads 22a to 22h. Must be specified.

【0064】また、検査用パッド22a〜22hには、
CrやAl,Ni,Mo,Wなどの金属材料、あるいは
遮光性有機材料を用いることができる。なお、検査用パ
ッド22a〜22hは、TFT基板18上の配線パター
ン上に層間絶縁膜を介して配置することもでき、これに
より、検査用パッドの数(計測点数)を増加することも
可能である。
The inspection pads 22a to 22h include:
A metal material such as Cr, Al, Ni, Mo, W, or a light-shielding organic material can be used. Note that the inspection pads 22a to 22h can be arranged on the wiring pattern on the TFT substrate 18 with an interlayer insulating film interposed therebetween, whereby the number of inspection pads (the number of measurement points) can be increased. is there.

【0065】図8(a)は図3に示したTFT基板18
上の検査座標C9でのCCDカメラ2による落射照明観
察像を示す図である。ここでは、256階調表現とす
る。
FIG. 8A shows the TFT substrate 18 shown in FIG.
It is a figure which shows the epi-illumination observation image by the CCD camera 2 in the upper inspection coordinate C9. Here, the expression is 256 gradations.

【0066】配向膜19の印刷には、特殊なローラが用
いられているために、TFT基板18上に転写された配
向膜19の辺19aは直線パターンとはならず、特徴的
なパターン(うねり)が生じる。図8(a)に示す落射照
明観察像について、配向膜19の印刷辺部19aと平行
方向な3つの分断線B−B’,C−C’,D−D’での
輝度を観察したところ、夫々図8(b),(c),
(d)で示す結果が得られた。
Since a special roller is used for printing the alignment film 19, the side 19a of the alignment film 19 transferred onto the TFT substrate 18 does not have a linear pattern, but has a characteristic pattern (undulation). ) Occurs. With respect to the epi-illumination observation image shown in FIG. 8A, the luminance was observed at three dividing lines BB ′, CC ′, and DD ′ parallel to the printing side portion 19a of the alignment film 19. 8 (b), (c), respectively.
The result shown in (d) was obtained.

【0067】これにより、配向膜19の印刷端部19a
のうねりパターンの近傍の分断線C−C’に沿う輝度の
みに、配向膜19の辺19aのうねりパターンの特徴が
反映されることを確認した。即ち、落射照明観察像にお
ける配向膜19の印刷辺部19aと平行な方向に沿う輝
度変化の振幅に着目し、この輝度振幅が最大となる分断
線(図8(a)では、分断線C−C’)を検査座標C9
における配向膜19の印刷位置とすることができる。そ
して、落射照明観察像上の分断線C−C’の位置をTF
T基板18上のアライメントマークM1(図3)を基準
にした座標に換算し、パソコン14のメモリに記憶す
る。
As a result, the printed end portion 19a of the alignment film 19 is formed.
It was confirmed that the characteristic of the undulation pattern on the side 19a of the alignment film 19 was reflected only on the luminance along the dividing line CC ′ near the undulation pattern. That is, paying attention to the amplitude of the luminance change along the direction parallel to the printing side portion 19a of the alignment film 19 in the incident illumination observation image, the dividing line at which the luminance amplitude becomes the maximum (in FIG. 8A, the dividing line C- C ′) to the inspection coordinates C9
At the printing position of the alignment film 19. Then, the position of the dividing line CC ′ on the epi-illumination observation image is referred to as TF
The coordinates are converted into coordinates based on the alignment mark M1 (FIG. 3) on the T substrate 18 and stored in the memory of the personal computer 14.

【0068】図9(a)は図4に示したTFT基板18
上の検査座標C17でのCCDカメラ2(図1)による
基準座標C17を視野中心とする落射照明観察像を示す
図であって、ここでも、256階調表現とする。かかる
落射照明観察像では、TFT基板18上に形成されたシ
ール剤20は、図9(a)に示すように、背景に対して
暗く観察される。
FIG. 9A shows the TFT substrate 18 shown in FIG.
It is a figure which shows the epi-illumination observation image which has the reference | standard coordinate C17 by the CCD camera 2 (FIG. 1) in the upper inspection coordinate C17, and also represents 256 gradations here. In such an epi-illumination observation image, the sealant 20 formed on the TFT substrate 18 is observed darker than the background, as shown in FIG.

【0069】図9(b)は図9(a)での視野中心を通
る分断線E−E’(シール剤20の塗布方向と直交する
方向)に沿う輝度レベルを示す図である。
FIG. 9B is a diagram showing a luminance level along a dividing line EE ′ (a direction orthogonal to the application direction of the sealant 20) passing through the center of the visual field in FIG. 9A.

【0070】同図(b)において、この分断線E−E’
での輝度レベルと予め設定された閾値LS2との交点は
(イ),(ウ)と2ヶ所あり、これら間の距離(=画素
数×画素寸法)を検査座標C17におけるシール剤19
の塗布幅とすることができる。また、これら交点
(イ),(ウ)間の中点(エ)をシール剤19の塗布位
置とする。そして、これらをパソコン14のメモリに記
憶する。また、中点(エ)をTFT基板18上のアライ
メントマークM1を基準にした座標に換算し、パソコン
14のメモリに記憶する。
In FIG. 9B, this dividing line EE '
There are two intersections between the luminance level at (a) and the preset threshold value LS2 at (a) and (c), and the distance between them (= pixel number × pixel size) is determined by the sealant 19 at the inspection coordinates C17.
Of the coating width. The middle point (d) between these intersections (a) and (c) is defined as the application position of the sealant 19. These are stored in the memory of the personal computer 14. The midpoint (d) is converted into coordinates based on the alignment mark M1 on the TFT substrate 18 and stored in the memory of the personal computer 14.

【0071】シール剤20の検査については、その塗布
幅と塗布位置の他に、その塗布高さも対象とする。これ
はシール剤20が過剰に塗布された場合、TFT基板と
CF基板の貼り合わせ時にこれらガラス基板にクラック
が生じ、製品の信頼性を低下させる可能性があるからで
ある。
The inspection of the sealant 20 covers not only the application width and application position but also the application height. This is because, when the sealant 20 is excessively applied, cracks may occur in the glass substrates when the TFT substrate and the CF substrate are bonded to each other, which may reduce the reliability of products.

【0072】図10(a)は図4に示したTFT基板1
8上の検査座標C17を視野中心とする光切断鏡筒Yの
CCDカメラ12(図1)による採取像(以下、光切断
像という)を示す図であり、これも256階調表現とす
る。
FIG. 10A shows the TFT substrate 1 shown in FIG.
8 is a diagram showing an image (hereinafter, referred to as a light-section image) of the light-section lens barrel Y taken by the CCD camera 12 (FIG. 1) with the inspection coordinate C17 on the center of view as the center of the visual field.

【0073】なお、ここでは、TFT基板18に印刷さ
れたシール剤20のY軸方向に伸延する部分の塗布高さ
を検査するものとして説明する。この場合には、Y光切
断光学系、即ち、スリット投影光学系Y鏡筒4と観測光
学系Y鏡筒10とCCDカメラ12とからなる光切断光
学系を用いる。
Here, the description will be made assuming that the application height of the portion of the sealant 20 printed on the TFT substrate 18 extending in the Y-axis direction is inspected. In this case, a Y light cutting optical system, that is, a light cutting optical system including a slit projection optical system Y lens barrel 4, an observation optical system Y lens barrel 10, and a CCD camera 12 is used.

【0074】図10(a)において、CCDカメラ12
の視野内では、それをX軸方向に横切ってスリット投影
光学系Y鏡筒4(図1)からの線状のスリット光SLが
投影される。また、このスリット光SLは、TFT基板
18の表面に対して45゜の傾斜角で照射され、45゜
の傾斜角でCCDカメラ12に入射されるから、シール
剤20の断面形状に応じて曲線状をなしている。そし
て、この曲線状の部分の頂部が塗布されたシール剤の頂
部を表わし、また、直線の部分がTFT基板18の表面
を表わしている。従って、スリット光SLの直線状の部
分と曲線状の部分の頂部とのY軸方向の距離が、このシ
ール剤20の塗布高さの√2倍ということになる。
In FIG. 10A, the CCD camera 12
, A linear slit light SL from the slit projection optical system Y-barrel 4 (FIG. 1) is projected across the X-axis direction. The slit light SL is applied to the surface of the TFT substrate 18 at an inclination angle of 45 ° and is incident on the CCD camera 12 at an inclination angle of 45 °. It is in a state. The top of the curved portion represents the top of the applied sealant, and the straight portion represents the surface of the TFT substrate 18. Therefore, the distance in the Y-axis direction between the linear portion of the slit light SL and the top of the curved portion is √2 times the application height of the sealant 20.

【0075】ここで、TFT基板18の表面とシール剤
20の頂部とは、Y軸の画素単位の座標毎のスリット光
SLが照射されている画素数(頻度)で判定する。い
ま、CCDカメラ12の視野23内において、Y軸の座
標毎に頻度を求めると、図10(b)に示すように、ス
リット光SLの直線状の部分が通る座標で最も損度が高
く、この座標を(オ)とする。また、この視野23の中
心(検査座標C17)はほぼシール剤20の塗布幅の中
心に設定されており、この視野中心を中心にシール剤2
0の塗布幅に略等しい幅の最大高さ検出範囲(この範囲
の値は予めパラメータとして設定されている)内で、同
様にして、Y軸の座標毎に頻度を求める。この場合、塗
布されたシール剤20の頂部付近は略平面となってお
り、このために、スリット光SLの照射部分でのこの頂
部に相当する部分で頻度が最大となる。図10(b)で
は、このときの座標を(カ)として示している。
Here, the surface of the TFT substrate 18 and the top of the sealant 20 are determined based on the number (frequency) of the pixels irradiated with the slit light SL for each coordinate of the Y-axis pixel unit. Now, in the field of view 23 of the CCD camera 12, when the frequency is obtained for each coordinate of the Y axis, as shown in FIG. 10B, the loss is the highest in the coordinates where the linear portion of the slit light SL passes, This coordinate is (e). The center of the visual field 23 (inspection coordinates C17) is set substantially at the center of the application width of the sealant 20.
In the maximum height detection range having a width substantially equal to the application width of 0 (the value of this range is set in advance as a parameter), the frequency is similarly obtained for each coordinate of the Y axis. In this case, the vicinity of the top of the applied sealant 20 is substantially flat, and therefore, the frequency becomes maximum in a portion corresponding to the top in the irradiated portion of the slit light SL. FIG. 10B shows the coordinates at this time as (f).

【0076】そこで、パソコン14(図1)は、このよ
うに座標(オ),(カ)を求めてこれら座標間の距離
(=画素数×画素寸法)を算出し、これをシール剤20
の塗布高さとしてメモリに記憶する。
Then, the personal computer 14 (FIG. 1) calculates the distances (= number of pixels × pixel size) between the coordinates (E) and (F) as described above,
Is stored in the memory as the application height.

【0077】以上は液晶表示基板18に塗布されたシー
ル剤20のY軸方向に伸延した部分についての塗布高さ
の検査であったが、X軸方向に伸延した部分では、他方
の光切断光学系、即ち、スリット投影光学系X鏡筒3と
観測光学系X鏡筒9とCCDカメラ11とからなるX光
切断光学系を用いて同様の検査処理を行なえばよい。
The above is the inspection of the coating height of the portion of the sealant 20 applied to the liquid crystal display substrate 18 extending in the Y-axis direction. The same inspection processing may be performed using a system, that is, an X-light cutting optical system including the slit projection optical system X lens barrel 3, the observation optical system X lens barrel 9, and the CCD camera 11.

【0078】なお、シール剤20の途切れの有無につい
ては、マイクロディスペンサによる塗布プロセスの特性
を考慮し、検査座標を適宜増加することで検査が可能で
ある。ここで、光切断鏡筒の視野内にシール剤が存在す
る場合の観察光学系の焦点合わせの際には、図10
(b)において、座標(オ)をCCDカメラ12の結像
面でのスリット光SLの結像位置と判断することによ
り、TFT基板18表面の変位が把握可能であることは
自明である。
It should be noted that the presence or absence of breakage of the sealant 20 can be inspected by appropriately increasing the inspection coordinates in consideration of the characteristics of the application process using the microdispenser. Here, at the time of focusing of the observation optical system when the sealant is present in the field of view of the light-cutting lens barrel, FIG.
In (b), it is obvious that the displacement of the surface of the TFT substrate 18 can be grasped by judging the coordinate (e) as the image forming position of the slit light SL on the image forming plane of the CCD camera 12.

【0079】図11(a)は図5に示したTFT基板1
8上の導電ペースト21aが塗布された検査座標C25
でのCCDカメラ2(図1)による落射照明観察像を示
す図であり、ここでも、256階調表現している。
FIG. 11A shows the TFT substrate 1 shown in FIG.
Inspection coordinates C25 on which conductive paste 21a on 8 is applied
FIG. 3 is a diagram showing an incident illumination observation image by the CCD camera 2 (FIG. 1) in FIG.

【0080】TFT基板18上に形成された導電ペース
ト21aは、背景に対して暗く観察される。図11
(a)に示すように得られた落射照明観察像を予め設定
された2値化閾値で2値化し、反転像としてラベリング
する。さらに、各ラベリング領域の面積を求め、特定の
面積値の範囲(設計情報から決定される)のラベリング
領域のみに着目する。
The conductive paste 21a formed on the TFT substrate 18 is observed dark against the background. FIG.
The epi-illumination observation image obtained as shown in (a) is binarized by a preset binarization threshold, and is labeled as an inverted image. Further, the area of each labeling region is obtained, and attention is paid only to the labeling regions in a specific area value range (determined from design information).

【0081】即ち、図11(b)に示すように、導電ペ
ースト21aの着目したラベリング領域24の重心座標
Qを算出し、この重心座標Qを検査座標C25における
導電ペースト21aの塗布位置とすることができる。ま
た、着目したラベリング領域24の外接円25の直径を
導電ペースト21aの塗布径とする。
That is, as shown in FIG. 11B, the barycentric coordinate Q of the labeling area 24 of the conductive paste 21a of interest is calculated, and this barycentric coordinate Q is used as the coating position of the conductive paste 21a at the inspection coordinates C25. Can be. The diameter of the circumscribed circle 25 of the labeling region 24 of interest is defined as the diameter of the conductive paste 21a.

【0082】そして、落射照明観察像上における重心座
標QをTFT基板18上のアライメントマークM1(図
5)を基準にした座標に換算し、導電ペースト21aの
塗布位置としてパソコン14のメモリに記憶する。ま
た、外接円25の直径を導電ペースト21aの塗布径と
してパソコン14のメモリに記憶する。
Then, the barycentric coordinates Q on the epi-illumination observation image are converted into coordinates based on the alignment mark M1 (FIG. 5) on the TFT substrate 18 and stored in the memory of the personal computer 14 as the application position of the conductive paste 21a. . The diameter of the circumscribed circle 25 is stored in the memory of the personal computer 14 as the diameter of the conductive paste 21a.

【0083】以上説明した方法により、TFT基板18
の基板切断寸法やTFT基板18上に形成された配向膜
19の印刷寸法,シール剤20の塗布状態,導電ペース
ト21の塗布状態の検査を行なうことができる。
According to the method described above, the TFT substrate 18
Inspection of the substrate cutting dimension, the printing dimension of the alignment film 19 formed on the TFT substrate 18, the applied state of the sealant 20, and the applied state of the conductive paste 21 can be performed.

【0084】なお、以上では、検査対象の基板として、
TFT基板を例に説明したが、TFT−LCD用のCF
基板や、STN−LCD用のSTN基板及びCF基板に
ついても、同様の手法で各種パターンの寸法計測が可能
である。
In the above description, the substrate to be inspected is
The TFT substrate has been described as an example.
For a substrate, STN substrate for STN-LCD, and CF substrate, the dimensions of various patterns can be measured in the same manner.

【0085】以上の全ての計測結果は、例えば、図12
に示すような一覧表として、また、図13に示すような
グラフ図として夫々集計用モニタ16(図1(a))上
に表示する。
All the above measurement results are shown in FIG.
13 and a graph as shown in FIG. 13 on the tallying monitor 16 (FIG. 1 (a)).

【0086】図12に示す一覧表では、TFT基板18
の品種別のシートに、その製造番号単位で計測結果をア
ライメントマークM1基準の座標値として格納してい
る。ガラス基板切断工程終了後のTFT基板について、
基板切断寸法の計測を行なった場合には、(キ)で示す
欄のみに計測結果を表示し、TFT基板を次の製造工程
(配向膜印刷・焼成工程)に再度投入する。そして、同
一基板の配向膜印刷・焼成工程終了後に上記のように配
向膜19の印刷寸法を計測し、その結果を(ク)で示す
欄に表示する。以下、各製造工程毎に同様の方法で寸法
計測を繰り返すようにする。
In the list shown in FIG. 12, the TFT substrate 18
The measurement result is stored as a coordinate value based on the alignment mark M1 in the sheet for each product type in the serial number unit. About the TFT substrate after the glass substrate cutting process,
When the measurement of the substrate cutting dimension is performed, the measurement result is displayed only in the column indicated by (g), and the TFT substrate is again supplied to the next manufacturing process (alignment film printing / firing process). Then, after the completion of the alignment film printing / firing step on the same substrate, the printing dimension of the alignment film 19 is measured as described above, and the result is displayed in a column indicated by (h). Hereinafter, the dimension measurement is repeated by the same method for each manufacturing process.

【0087】あるいは、導電ペースト塗布工程、または
スペーサ分散工程まで終了したTFT基板に対して、全
ての計測対象を一度に纏めて計測することも可能であ
る。
Alternatively, it is also possible to collectively measure all the objects to be measured at once on the TFT substrate that has been completed up to the conductive paste application step or the spacer dispersion step.

【0088】また、図12に示す一覧表に格納された計
測データは、その基準寸法(規格値)と比較され、計測
データが万一規格値の範囲外となった場合には、格納さ
れた計測データを赤色表示する。さらに、計測結果が規
格値の範囲外となった場合や何らかの理由で計測が不可
能となった場合には、作業者の判断で図示しない入力手
段からパソコン14に指示を行ない、その部分のみの寸
法計測動作を再度実行させるとができる。
The measurement data stored in the list shown in FIG. 12 is compared with its reference dimension (standard value). If the measured data is out of the range of the standard value, it is stored. Display measurement data in red. Further, when the measurement result is out of the range of the standard value or when the measurement becomes impossible for some reason, the operator instructs the personal computer 14 from input means (not shown) at the discretion of the operator, and only the portion of The dimension measurement operation can be performed again.

【0089】図13は図12に示した一覧表をグラフ表
示した結果を示す図である。同図では、計測結果から基
準寸法を差し引いた数値をプロットしており、計測結果
を検査対象項目別に分類することにより、夫々の計測結
果の経時変化を監視することができる。そして、これに
より、各製造工程プロセス毎に生じた変動やその周期な
どを可視化することができ、製造プロセスの異常を早期
に予測することができる。また、製造装置のメンテナン
ス周期の最適化を図ることも可能となる。
FIG. 13 is a diagram showing a result of displaying the list shown in FIG. 12 in a graph. In the figure, a numerical value obtained by subtracting a reference dimension from a measurement result is plotted, and a change with time of each measurement result can be monitored by classifying the measurement results by inspection target items. In this way, it is possible to visualize the fluctuation and the cycle thereof generated in each manufacturing process, and to predict abnormalities in the manufacturing process at an early stage. It is also possible to optimize the maintenance cycle of the manufacturing apparatus.

【0090】なお、最終的な計測結果が規格値の範囲外
となった場合には、パソコン14から上位情報系に警報
を出力して該当する製造装置の運転を中断し、製造装置
の調整やメンテナンスを行なう。
When the final measurement result is out of the range of the standard value, a warning is output from the personal computer 14 to the upper information system to suspend the operation of the corresponding manufacturing apparatus, and to adjust the manufacturing apparatus. Perform maintenance.

【0091】以上説明した手法でTFT基板やCF基板
の寸法計測を行なったところ、夫々5分間で全ての計測
が終了することが明らかになった。但し、検査座標(計
測点数)は、基板切断寸法で6点、配向膜19の印刷寸
法で8点、シール剤20の塗布位置,塗布幅及び塗布高
さで8点、導電ペースト20の塗布位置及び塗布径で1
2点である。本発明の適用により、作業者の手作業によ
る計測と比較して、検査時間を大幅に短縮することがで
き、検査頻度と検査の信頼性が向上した。
When the dimensions of the TFT substrate and the CF substrate were measured by the method described above, it was found that all the measurements were completed in 5 minutes. However, the inspection coordinates (the number of measurement points) are 6 points for the substrate cutting dimension, 8 points for the printing dimension of the alignment film 19, 8 points for the application position, application width and application height of the sealant 20, and the application position for the conductive paste 20. And the application diameter is 1
Two points. By applying the present invention, the inspection time can be significantly reduced as compared with the manual measurement by the operator, and the inspection frequency and the reliability of the inspection have been improved.

【0092】[0092]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
TFT基板やCF基板,STN基板などの液晶表示基板
のLCD工程におけるパターンの寸法検査では、作業者
による計測結果のばらつきや見落としを防ぐことがで
き、検査精度と信頼性とが大幅に向上する。
As described above, according to the present invention,
In the dimension inspection of a pattern in an LCD process of a liquid crystal display substrate such as a TFT substrate, a CF substrate, and an STN substrate, variation and oversight of measurement results by an operator can be prevented, and inspection accuracy and reliability are greatly improved.

【0093】また、本発明によれば、液晶表示基板のL
CD工程におけるパターンの寸法検査に要する時間を大
幅に短縮でき、検査頻度が大幅に向上する。
According to the present invention, the L of the liquid crystal display substrate
The time required for pattern dimension inspection in the CD process can be greatly reduced, and the inspection frequency is greatly improved.

【0094】さらに、本発明によれば、液晶表示基板の
LCD工程におけるパターンの寸法検査の結果を可視化
でき、製造プロセスの異常を早期に予測するとともに、
製造プロセスに検査結果を即座にフィードバックするこ
とが可能となる。
Further, according to the present invention, it is possible to visualize the result of the pattern dimension inspection in the LCD step of the liquid crystal display substrate, to predict the abnormality of the manufacturing process at an early stage,
Inspection results can be immediately fed back to the manufacturing process.

【0095】さらにまた、本発明によれば、液晶表示基
板上に配向膜の印刷位置の認識用パッドを設けることに
より、該液晶表示基板上における配向膜の印刷位置を確
実に検査することが可能となる。
Furthermore, according to the present invention, by providing a pad for recognizing the printing position of the alignment film on the liquid crystal display substrate, it is possible to reliably inspect the printing position of the alignment film on the liquid crystal display substrate. Becomes

【0096】そして、以上のことから、液晶表示基板の
製造歩留まりが向上して、液晶表示基板の製造原価を低
減し、さらに、産業廃棄物を低減させる効果も奏するも
のである。
As described above, the production yield of the liquid crystal display substrate is improved, the production cost of the liquid crystal display substrate is reduced, and further, the effect of reducing industrial waste is exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示基板の検査方法及び装置
の一実施形態を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a method and an apparatus for inspecting a liquid crystal display substrate according to the present invention.

【図2】図1に示す実施形態での液晶表示基板のガラス
基板の切断寸法を計測する際の入力情報を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing input information when measuring a cutting dimension of a glass substrate of the liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示す実施形態での液晶表示基板上の配向
膜の印刷寸法を計測する際の入力情報を示す図である。
FIG. 3 is a view showing input information when measuring a print dimension of an alignment film on a liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1;

【図4】図1に示す実施形態での液晶表示基板上のシー
ル剤の塗布状態を計測する際の入力情報を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing input information when measuring the application state of a sealant on a liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1;

【図5】図1に示す実施形態での液晶表示基板上の導電
ペーストの塗布状態を計測する際の入力情報を示す図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing input information when measuring the application state of the conductive paste on the liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1;

【図6】図1に示す実施形態での液晶表示基板のガラス
基板の切断位置の画像認識方法を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an image recognition method of a cutting position of a glass substrate of the liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG.

【図7】図1に示す実施形態での液晶表示基板上の配向
膜の印刷位置認識用のパッドを配置した液晶表示基板を
示す図である。
FIG. 7 is a view showing a liquid crystal display substrate on which pads for recognizing a print position of an alignment film on the liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1 are arranged.

【図8】図1に示す実施形態での液晶表示基板上の配向
膜の印刷位置の画像認識方法を示す図である。
8 is a diagram illustrating a method for recognizing an image of a printing position of an alignment film on a liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG.

【図9】図1に示す実施形態での液晶表示基板上のシー
ル剤塗布状態の画像認識方法を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an image recognition method in a state where a sealant is applied on a liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1;

【図10】図1に示す実施形態での液晶表示基板上のシ
ール剤の塗布高さの画像認識方法を示す図である。
10 is a diagram illustrating a method of recognizing the application height of the sealant on the liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG.

【図11】図1に示す実施形態での液晶表示基板上の導
電ペーストの塗布状態の画像認識方法を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an image recognition method of a conductive paste applied state on a liquid crystal display substrate in the embodiment shown in FIG. 1;

【図12】図1における計測結果表示用モニタで表示さ
れる寸法計測結果の一覧表を示す図である。
12 is a diagram showing a list of dimension measurement results displayed on the measurement result display monitor in FIG. 1;

【図13】図1における計測結果表示用モニタで表示さ
れる寸法計測結果のグラフを示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a graph of a dimension measurement result displayed on the measurement result display monitor in FIG. 1;

【図14】液晶表示装置の製造工程の概略を示した説明
図である。
FIG. 14 is an explanatory view schematically showing a manufacturing process of the liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 落射照明鏡筒 1a 2倍対物レンズ 1b ハーフミラー 2 CCDカメラ 3 スリット投影光学系X鏡筒 3a コリメートレンズ 3b スリット 3c 3倍対物レンズ 4 スリット投影光学系Y鏡筒 5,6 照明光源 7 光ファイバ 9 観察光学系X鏡筒 9a リレーレンズ 9b 10倍対物レンズ 10 観察光学系Y鏡筒 11,12 CCDカメラ 13 画像入力/処理ボード 14 パソコン 15 画像観察用モニタ 16 検査結果の集計用モニタ 17 XYステージ 17a 反射体 18 液晶表示基板 18a 有効表示領域 19 配向膜 20 シール剤 21a〜21c 導電ペースト 22a〜22h 配向膜の印刷位置認識用パッド C1〜C25 検査座標 M1,M2 アラインメントマーク REFERENCE SIGNS LIST 1 Epi-illumination lens barrel 1a 2x objective lens 1b Half mirror 2 CCD camera 3 Slit projection optical system X lens barrel 3a Collimating lens 3b Slit 3c 3x objective lens 4 Slit projection optical system Y lens barrel 5, 6 Illumination light source 7 Optical fiber Reference Signs List 9 Observation optical system X lens barrel 9a Relay lens 9b 10 × objective lens 10 Observation optical system Y lens barrel 11, 12 CCD camera 13 Image input / processing board 14 Personal computer 15 Image observation monitor 16 Inspection result aggregation monitor 17 XY stage 17a Reflector 18 Liquid crystal display substrate 18a Effective display area 19 Alignment film 20 Sealant 21a-21c Conductive paste 22a-22h Pad for recognizing printing position of alignment film C1-C25 Inspection coordinates M1, M2 Alignment mark

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 英司 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 丹羽 進 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Fターム(参考) 2F065 AA03 AA21 AA24 AA61 BB02 CC00 CC21 FF01 FF04 GG02 HH04 HH05 JJ03 JJ05 JJ08 JJ26 LL03 LL04 LL28 MM03 PP12 QQ13 QQ31 RR08 2G086 EE10 2H088 FA02 FA03 FA06 FA11 FA25 FA26 HA01 HA03 MA16 5G435 AA00 AA17 BB12 KK00 KK10 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Eiji Sasaki 3300 Hayano Mobara City, Chiba Prefecture Inside Hitachi, Ltd.Electronic Device Division (72) Inventor Susumu Niwa 3300 Hayano Mobara City, Chiba Prefecture Hitachi, Ltd.Electronic Device Business Internal F-term (Reference) 2F065 AA03 AA21 AA24 AA61 BB02 CC00 CC21 FF01 FF04 GG02 HH04 HH05 JJ03 JJ05 JJ08 JJ26 LL03 LL04 LL28 MM03 PP12 QQ13 QQ31 RR08 2G086 EE10 2H0FA01 A03 FA03 FA03FA03 FA03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 TFT基板やCF基板,STN基板など
の液晶表示基板の製造工程において、 該液晶表示基板での検査対象パターンの寸法計測結果を
該検査対象パターンの基準寸法との差分値に換算し、該
検査対象パターン毎に順次該差分値を経時的に表示する
ことを特徴とする液晶表示基板の検査方法。
In a manufacturing process of a liquid crystal display substrate such as a TFT substrate, a CF substrate, and an STN substrate, a dimension measurement result of an inspection target pattern on the liquid crystal display substrate is converted into a difference value from a reference dimension of the inspection target pattern. A method for inspecting a liquid crystal display substrate, wherein the difference value is sequentially displayed with time for each of the inspection target patterns.
【請求項2】 請求項1に記載の液晶表示基板の検査方
法において、 前記検査対象パターンの計測する寸法としては、前記液
晶表示基板でのガラス基板の切断寸法,該ガラス基板上
での配向膜の印刷寸法,該ガラス基板上でのシール剤の
塗布位置・塗布幅・塗布高さ,該ガラス基板上での導電
ペースト塗布位置・塗布径のうちの少なくとも1つであ
って、前記検査対象パターンの光学像を画像認識して計
測することを特徴とする液晶表示基板の検査方法。
2. The method for inspecting a liquid crystal display substrate according to claim 1, wherein the dimensions to be measured of the pattern to be inspected are a cutting dimension of a glass substrate in the liquid crystal display substrate, and an alignment film on the glass substrate. At least one of a printing size of a sealant, a coating position, a coating width, and a coating height of a sealant on the glass substrate, and a conductive paste coating position and a coating diameter on the glass substrate. A method for inspecting a liquid crystal display substrate, wherein the optical image is measured by image recognition.
【請求項3】 TFT基板やCF基板,STN基板など
の液晶表示基板の製造工程において、 該液晶表示基板上に形成された検査対象パターンの光学
像を採取するための光学系と、 該光学系で採取した光学像を画像認識する手段と、 光学像から画像認識した該検査対象パターンの寸法を計
測し、その計測結果を該検査対象パターンの基準寸法と
の差分値に換算して、該検査対象パターン毎に順次該差
分値を経時的に表示する手段とを備えたことを特徴とす
る液晶表示基板の検査装置。
3. An optical system for collecting an optical image of a pattern to be inspected formed on the liquid crystal display substrate in a manufacturing process of a liquid crystal display substrate such as a TFT substrate, a CF substrate, and an STN substrate; Means for recognizing the optical image collected in step (a), and measuring the dimension of the pattern to be inspected, which is image-recognized from the optical image, converting the measurement result into a difference value from the reference dimension of the pattern to be inspected, Means for sequentially displaying the difference value over time for each target pattern.
【請求項4】 TFT基板やCF基板,STN基板など
の液晶表示基板の製造工程において、 該液晶表示基板上に形成された検査対象パターンの光学
像を採取するための光学系と、 該光学系で採取した光学像を画像認識する手段と、 該光学像から画像認識した該検査対象パターンの寸法を
計測し、その計測結果を該検査対象パターンの基準寸法
との差分値に換算し、該検査対象パターン毎に順次該差
分値を経時的に表示する手段と、 該計測結果を上位情報系に出力する手段とを備えたこと
を特徴とする液晶表示基板の検査装置。
4. An optical system for collecting an optical image of a pattern to be inspected formed on a liquid crystal display substrate in a manufacturing process of a liquid crystal display substrate such as a TFT substrate, a CF substrate, and an STN substrate; Means for image-recognizing the optical image collected in step (a), and measuring the dimension of the inspection target pattern image-recognized from the optical image, converting the measurement result into a difference value from the reference dimension of the inspection target pattern, An inspection apparatus for a liquid crystal display substrate, comprising: means for sequentially displaying the difference value over time for each target pattern; and means for outputting the measurement result to a higher-level information system.
【請求項5】 請求項3または4記載の液晶表示基板の
検査装置において、 前記検査対象パターンの計測する寸法としては、該液晶
表示基板のガラス基板の切断寸法,該ガラス基板上での
配向膜の印刷寸法,該ガラス基板上でのシール剤の塗布
位置・塗布幅・塗布高さ,該ガラス基板上での導電ペー
ストの塗布位置・塗布径のうちの少なくとも1つである
ことを特徴とする液晶表示基板の検査装置。
5. The inspection apparatus for a liquid crystal display substrate according to claim 3, wherein the dimensions to be measured of the pattern to be inspected are a cutting dimension of a glass substrate of the liquid crystal display substrate, and an alignment film on the glass substrate. At least one of a printing size, a coating position, a coating width, and a coating height of the sealant on the glass substrate, and a coating position and a coating diameter of the conductive paste on the glass substrate. Inspection equipment for liquid crystal display substrates.
【請求項6】 ガラス基板上に液晶の配向膜としての有
機高分子薄膜が印刷されてなる液晶表示基板において、 少なくとも該有機高分子薄膜の印刷端部の一部分に、該
印刷端部の位置計測のための金属材料もしくは有機材料
からなる不透明膜を設けたことを特徴とする液晶表示基
板。
6. A liquid crystal display substrate comprising a glass substrate on which an organic polymer thin film as a liquid crystal alignment film is printed, wherein at least a part of a printed end of the organic polymer thin film is measured for a position of the printed end. A liquid crystal display substrate provided with an opaque film made of a metal material or an organic material for the purpose.
【請求項7】 請求項6記載の液晶表示基板において、 前記不透明膜は、前記有機高分子薄膜の印刷前に予め前
記ガラス基板上に配置されていることを特徴とする液晶
表示基板。
7. The liquid crystal display substrate according to claim 6, wherein the opaque film is disposed on the glass substrate before printing the organic polymer thin film.
【請求項8】 請求項6または7記載の液晶表示基板に
おいて、 前記不透明膜は、配線パターンと同層に設けられている
ことを特徴とする液晶表示基板。
8. The liquid crystal display substrate according to claim 6, wherein the opaque film is provided in the same layer as a wiring pattern.
【請求項9】 請求項6または7記載の液晶表示基板に
おいて、 前記不透明膜は、配線パターン上の絶縁膜上に設けられ
ていることを特徴とする液晶表示基板。
9. The liquid crystal display substrate according to claim 6, wherein the opaque film is provided on an insulating film on a wiring pattern.
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