JP2000036391A - Organic electroluminescent element and manufacture thereof - Google Patents

Organic electroluminescent element and manufacture thereof

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JP2000036391A
JP2000036391A JP10201659A JP20165998A JP2000036391A JP 2000036391 A JP2000036391 A JP 2000036391A JP 10201659 A JP10201659 A JP 10201659A JP 20165998 A JP20165998 A JP 20165998A JP 2000036391 A JP2000036391 A JP 2000036391A
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JP
Japan
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electrode
substrate
organic electroluminescent
light emitting
electroluminescent device
Prior art date
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Pending
Application number
JP10201659A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Toru Kohama
亨 小濱
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve characteristics and durability while lowering the resistance in a second electrode so as to reduce unevenness of luminance, heating, power consumption and a load to a drive circuit by electrically connecting a guide electrode to the second electrode in a predetermined form. SOLUTION: A first electrode 2 made of excellent conductive transparent material such as tin oxide is formed on a substrate 1a, and plural insulating projections 3 having a desirable shape formed with a conductive part on the surface thereof are provided by patterning on the substrate 1a except for the part provided with the first electrode 2, and thereafter, a thin film layer 10 including a light emitting layer is formed. The projections 3 are formed higher than the thickness of the thin film layer 10. A second electrode 8 made of platinum and aluminum is formed into a stripe by make deposition method so as to cover the surface of the projections 3, and the second electrode 8 is electrically connected to a guide electrode 4 formed in a substrate 1b so as to follow the shape of the light emitting element and having 2 KΩ/m or less of resistance value through the projections 3. The substrates 1a, 1b are adhered to each other so as to seal the light emitting element, and deterioration of the light emitting characteristic due to the moisture and oxygen is thereby prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な有機電界発光素子およびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device that can be used in fields such as display devices, flat panel displays, backlights, and interiors, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、新しい発光素子として有機電界発
光素子が注目されている。本素子は陽極から注入された
正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有機
発光層内で再結合することにより発光するものであり、
低電圧で高輝度に発光することがコダック社のC.W.
Tangらによって初めて示された(Appl.Phy
s.Lett.51(12)21,p.913,198
7)。
2. Description of the Related Art In recent years, an organic electroluminescent device has attracted attention as a new light emitting device. This element emits light by the recombination of the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode in the organic light emitting layer sandwiched between both electrodes,
It is possible to emit light with high luminance at a low voltage by C.D. W.
Tang et al. (Appl. Phy.
s. Lett. 51 (12) 21, p. 913,198
7).

【0003】図20は有機電界発光素子の代表的な構造
を示す断面図である。ガラス基板1に形成された透明な
第一電極(陽極)2上に正孔輸送層5、有機発光層6、
第二電極(陰極)8が積層され、駆動源9による駆動で
生じた発光は第一電極およびガラス基板を通じて外部に
取り出される。このような有機電界発光素子では薄型、
低電圧駆動下での高輝度発光や有機発光材料を選択する
ことによる多色発光が可能であり、表示素子やディスプ
レイなどの発光装置に応用する検討も盛んである。
FIG. 20 is a sectional view showing a typical structure of an organic electroluminescent device. On a transparent first electrode (anode) 2 formed on a glass substrate 1, a hole transport layer 5, an organic light emitting layer 6,
The second electrode (cathode) 8 is stacked, and light emitted by driving by the driving source 9 is extracted to the outside through the first electrode and the glass substrate. Such an organic electroluminescent device is thin,
High luminance light emission under low voltage driving and multi-color light emission by selecting an organic light emitting material are possible, and application to a light emitting device such as a display element or a display is actively studied.

【0004】図21〜図23に有機電界発光素子を用い
た単純マトリクス型カラーディスプレイの構造を示す。
互いに直交するストライプ状の第一電極2と第二電極8
との交点に有機電界発光素子による画素が形成されてい
る。所望の画素に電圧を印加して発光させることでパタ
ーンや画像の表示を行うことができるのだが、発光に必
要な電流はそれぞれの電極を通じて各画素に供給される
ため、各電極には電圧降下が生じる。特に単純マトリク
ス型ディスプレイでは、サイズが大きくなるほど電極が
長くなるので、また、デューティー比が小さくなるほど
瞬間的に流れる電流が増加するので、電圧降下が大きく
なる。このことはより多くの電流が集中する走査ライン
において特に顕著である。
FIGS. 21 to 23 show the structure of a simple matrix type color display using an organic electroluminescent device.
A first electrode 2 and a second electrode 8 in the form of stripes orthogonal to each other
A pixel is formed by an organic electroluminescent element at the intersection with. A pattern or image can be displayed by applying a voltage to a desired pixel to emit light.However, a current required for light emission is supplied to each pixel through each electrode. Occurs. In particular, in a simple matrix type display, as the size increases, the electrodes become longer, and as the duty ratio decreases, the current flowing instantaneously increases, so that the voltage drop increases. This is particularly noticeable in scan lines where more current is concentrated.

【0005】単純マトリクス型に限らず、有機電界発光
素子を用いる発光装置では、上記の電圧降下が余計な消
費電力や駆動回路の負担を増加させ、発熱による耐久性
の悪化を招くことにもなる。したがって、各電極の電気
抵抗値は小さいことが好ましい。
In a light emitting device using an organic electroluminescent element as well as a simple matrix type, the above-described voltage drop increases unnecessary power consumption and a load on a driving circuit, and also causes deterioration of durability due to heat generation. . Therefore, the electric resistance of each electrode is preferably small.

【0006】第二電極の低抵抗化としては、例えば特開
平4−6795号公報の技術が開示されており、第二電
極上に導電性薄膜を積層してガイド電極として機能させ
ることで低抵抗化を図っている。また、特開平5−25
1186号公報の技術は導電性微粒子を含有する高分子
溶液を塗布することで電極を形成するものであり、電極
の厚膜化が比較的容易である。
As a technique for lowering the resistance of the second electrode, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-6795 is disclosed. A conductive thin film is laminated on the second electrode and functions as a guide electrode to reduce the resistance. It is trying to make it. Also, Japanese Patent Application Laid-Open No.
In the technique disclosed in Japanese Patent No. 1186, an electrode is formed by applying a polymer solution containing conductive fine particles, and it is relatively easy to increase the thickness of the electrode.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層構造の電極では低抵抗化が十分できなかった。ドラ
イプロセスによるパターニングを実施するために、第二
電極は真空蒸着法により形成されることが多いが、これ
では電極を厚く形成するのに長い時間を要する。プロセ
ス時間が増加し、プロセス中に熱的な影響も受けやすい
という問題があり、実質的に電極の低抵抗化が難しかっ
た。
However, a conventional electrode having a laminated structure cannot sufficiently reduce the resistance. In order to perform patterning by a dry process, the second electrode is often formed by a vacuum deposition method. However, in this case, it takes a long time to form a thick electrode. There is a problem that the process time increases and the process is susceptible to thermal effects during the process, and it has been substantially difficult to lower the resistance of the electrode.

【0008】一方、塗布法によって第二電極を形成すれ
ば電極の厚膜化は容易であるが、ウェットプロセスを用
いるために、水分や有機溶媒、薬液に対する耐久性に乏
しい有機薄膜層にダメージを与え、有機電界発光素子の
性能を著しく低下させる。したがって、有機電界発光素
子に用いる材料が限定されるという問題があった。
On the other hand, if the second electrode is formed by a coating method, it is easy to increase the thickness of the electrode. However, since the wet process is used, the organic thin film layer having poor durability against moisture, organic solvents, and chemicals is damaged. And significantly reduces the performance of the organic electroluminescent device. Therefore, there is a problem that the material used for the organic electroluminescent element is limited.

【0009】本発明はかかる問題を解決し、第二電極を
低抵抗化することによって、輝度むらや発熱量、消費電
力、駆動回路への負担が少ない有機電界発光素子および
その製造方法を提供することが目的である。
The present invention solves such a problem and provides an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which reduce the resistance of the second electrode to reduce uneven brightness, calorific value, power consumption, and load on a driving circuit. That is the purpose.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、基板上に形成された第一電極と、少なくとも有機
化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形成され
た薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極とが存
在し、前記基板上に複数の発光領域を有する有機電界発
光素子であって、少なくとも一部分が前記薄膜層の厚さ
を上回る高さをもつ突起が前記基板上に形成され、前記
突起を介して前記第二電極がその外側に存在するガイド
電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising: a first electrode formed on a substrate; and a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound and formed on the first electrode. An organic electroluminescent device having a second electrode formed on the thin film layer and having a plurality of light emitting regions on the substrate, wherein at least a portion has a height exceeding the thickness of the thin film layer A protrusion is formed on the substrate, and the second electrode is electrically connected to a guide electrode existing outside the second electrode via the protrusion.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下では本発明の有機電界発光素
子およびその製造方法を説明するが、本発明は例示した
形式や構造をもつ有機電界発光素子およびその製造方法
に限定されるわけではない。したがって、単一発光素
子、セグメント型、単純マトリクス型、アクティブマト
リクス型などの発光装置の形式や、カラー、モノクロな
どの発光色数を問わず任意の構造の有機電界発光素子に
適用することが可能である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an organic electroluminescent device of the present invention and a method of manufacturing the same will be described. However, the present invention is not limited to the organic electroluminescent device having the exemplified form and structure and a method of manufacturing the same. . Therefore, the present invention can be applied to any type of light emitting device such as a single light emitting element, a segment type, a simple matrix type, and an active matrix type, and an organic electroluminescent element of any structure regardless of the number of emission colors such as color and monochrome. It is.

【0012】本発明の有機電界発光素子の一例を図1〜
図3に示す。基板1a上に形成されたストライプ状の第
一電極2と、各第一電極上にパターニングされた有機化
合物からなる発光層6を含む薄膜層10と、第一電極に
対して直交するストライプ状の第二電極8とが積層され
ており、両電極の交点に有機電界発光素子構造をもつ複
数の発光領域が形成されている。各発光領域は発光層に
異なる材料を用いることで赤(R)、緑(G)、青
(B)に発光するので、この単純マトリクス型発光素子
を線順次駆動することにより画像などをカラー表示する
ことが可能である。
An example of the organic electroluminescent device of the present invention is shown in FIGS.
As shown in FIG. A striped first electrode 2 formed on a substrate 1a, a thin film layer 10 including a light emitting layer 6 made of an organic compound patterned on each first electrode, and a striped stripe orthogonal to the first electrode; The second electrode 8 is stacked, and a plurality of light emitting regions having an organic electroluminescent element structure are formed at intersections of the two electrodes. Each light-emitting region emits red (R), green (G), and blue (B) light by using different materials for the light-emitting layer. Therefore, by driving these simple matrix light-emitting elements line-sequentially, an image or the like is displayed in color. It is possible to

【0013】この発光素子では薄膜層10の厚さを上回
る高さをもつ突起3が基板1a上に形成されている。一
方、別の基板1b上にはあらかじめガイド電極4がパタ
ーニングされている。突起3を介して第二電極8はガイ
ド電極4と電気的に接続されるため、ガイド電極が発光
領域に直接接触するなどして素子部分に損傷を与えるこ
となく、比較的容易に第二電極を低抵抗化することが可
能である。以下では、この構造を例にして本発明の有機
電界発光素子およびその製造方法を詳しく説明する。
In this light emitting device, a projection 3 having a height exceeding the thickness of the thin film layer 10 is formed on the substrate 1a. On the other hand, a guide electrode 4 is patterned on another substrate 1b in advance. Since the second electrode 8 is electrically connected to the guide electrode 4 via the protrusion 3, the second electrode 8 can be relatively easily formed without damaging the element portion due to the guide electrode directly contacting the light emitting region. Can be reduced. Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention and a method for manufacturing the same will be described in detail by taking this structure as an example.

【0014】第一電極と第二電極は素子の発光のために
十分な電流を供給するための役割を有するものであり、
光を取り出すために少なくとも一方は透明であることが
好ましい。通常、基板上に形成される第一電極を透明電
極とし、これを陽極とする。
The first electrode and the second electrode serve to supply a sufficient current for light emission of the device.
Preferably, at least one of them is transparent to extract light. Usually, the first electrode formed on the substrate is a transparent electrode, and this is an anode.

【0015】透明電極材料としては、インジウム、錫、
金、銀、亜鉛、アルミニウム、クロム、ニッケル、バナ
ジウム、モリブデン、ルビジウムから選ばれる少なくと
も一種類の元素もしくはその酸化物からなることが多い
が、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオ
フェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリ
マーを用いることも可能である。好ましい透明電極材料
としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫
インジウム(以下ITO)などを挙げることができる。
パターニングを施す目的からは、加工性に優れたITO
を透明電極に用いることが好ましい。
As the transparent electrode material, indium, tin,
It is often made of at least one element selected from gold, silver, zinc, aluminum, chromium, nickel, vanadium, molybdenum, and rubidium or an oxide thereof, but inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, and polythiophene It is also possible to use conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. Preferred transparent electrode materials include tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (hereinafter ITO), and the like.
For the purpose of patterning, ITO with excellent workability
Is preferably used for the transparent electrode.

【0016】第一電極をパターニングする工程には、エ
ッチングを伴うフォトリソグラフィ法を用いることがで
きる。第一電極のパターン形状は特に限定されず、用途
によって最適パターンを選択すればよい。本発明では所
定の間隔をあけて配置された複数のストライプ状電極に
パターニングすることが好ましい。
In the step of patterning the first electrode, a photolithography method involving etching can be used. The pattern shape of the first electrode is not particularly limited, and an optimum pattern may be selected depending on the application. In the present invention, it is preferable to perform patterning on a plurality of stripe-shaped electrodes arranged at predetermined intervals.

【0017】導電性向上のためにITOには少量の銀や
金などの金属が含まれていてもよく、また、錫、金、
銀、亜鉛、インジウム、アルミニウム、クロム、チタ
ン、ニッケルをITOのガイド電極として使用すること
も可能である。特に、クロムはブラックマトリックスと
ガイド電極との両方の機能を持たせることができること
から好適な金属である。素子の消費電力の観点からは、
ITOは低抵抗であることが好ましい。例えば、300
Ω/□以下のITO基板(ITO薄膜を形成した透明基
板)であれば素子電極として機能するが、現在では10
Ω/□以下のITO基板の供給も可能になっていること
から、低抵抗品を使用することが特に好ましい。ITO
の厚みは抵抗値に合わせて選択することができるが、通
常は100〜300nmである。ITOの膜形成方法
は、電子ビーム法、スパッタリング法、化学反応法など
特に制限を受けるものではない。
In order to improve conductivity, ITO may contain a small amount of metal such as silver or gold.
Silver, zinc, indium, aluminum, chromium, titanium, and nickel can also be used as ITO guide electrodes. In particular, chromium is a suitable metal because it can have both functions of a black matrix and a guide electrode. From the viewpoint of element power consumption,
ITO preferably has a low resistance. For example, 300
An ITO substrate of Ω / □ or less (a transparent substrate on which an ITO thin film is formed) functions as a device electrode.
It is particularly preferable to use a low-resistance product because an ITO substrate of Ω / □ or less can be supplied. ITO
Can be selected according to the resistance value, but is usually 100 to 300 nm. The method of forming the ITO film is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

【0018】上記透明電極は可視光線透過率が30%以
上あれば使用に大きな障害はないが、理想的には100
%に近い方が好ましい。基本的には可視光全域において
同程度の透過率を持つことが好ましいが、発光色を変化
させたい場合には積極的に光吸収性を付与させることも
可能である。このような場合にはカラーフィルターや干
渉フィルターを用いて変色させる方法が技術的には容易
である。
The transparent electrode has no major obstacle to its use if the visible light transmittance is 30% or more, but ideally 100%.
% Is preferred. Basically, it is preferable to have the same transmittance in the entire visible light range. However, when it is desired to change the emission color, it is possible to positively impart light absorbency. In such a case, it is technically easy to change the color using a color filter or an interference filter.

【0019】透明基板の材質は特に限定されず、ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、アラミドからなるプラス
チック板やフィルムを用いることもできるが、ガラス板
を用いるのが最も好ましい。ガラスの材質については無
アルカリガラスや酸化ケイ素膜などのバリアコートを施
したソーダライムガラスなどが使用できる。厚みは機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。
The material of the transparent substrate is not particularly limited, and a plastic plate or film made of polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyimide, or aramid can be used, but a glass plate is most preferable. As for the material of the glass, non-alkali glass, soda lime glass coated with a barrier coat such as a silicon oxide film, or the like can be used. Since the thickness only needs to be sufficient to maintain mechanical strength, 0.5
mm or more is sufficient.

【0020】本発明の特徴の1つは第一電極がパターニ
ングされた基板上に少なくとも一部分が薄膜層の厚さを
上回る高さをもつ突起を設けることにある。突起の平面
形状は多角形、円形など任意の形とすることができる。
したがって、図1〜図3に示すように第一電極2の間に
ストライプ状の突起3が形成されてもよいし、図4に示
すように第一電極2を格子状に露出させるようにしてマ
トリクス状の突起3が形成されてもよい。また、図5に
示すようにドット状の突起を複数配列させることもでき
る。断面形状についても特に限定はされないが、ガイド
電極との電気的な接続を容易にするためにはテーパー形
状であることが好ましい。突起の高さは同様の理由によ
り高い方が好ましいが、突起を安定して形成するために
通常は1〜100μmの範囲に選ばれる。
One of the features of the present invention is to provide a projection having a height at least partially exceeding the thickness of the thin film layer on the substrate on which the first electrode is patterned. The planar shape of the projection can be any shape such as a polygon or a circle.
Therefore, the stripe-shaped projections 3 may be formed between the first electrodes 2 as shown in FIGS. 1 to 3, or the first electrodes 2 may be exposed in a lattice shape as shown in FIG. Matrix-shaped projections 3 may be formed. Further, as shown in FIG. 5, a plurality of dot-shaped projections can be arranged. The cross-sectional shape is also not particularly limited, but is preferably tapered to facilitate electrical connection with the guide electrode. The height of the projection is preferably higher for the same reason, but is usually selected in the range of 1 to 100 μm in order to form the projection stably.

【0021】突起が形成される基板上の位置は図6およ
び図7に示すように第一電極2の存在する部分であって
もよい。ただし、第一電極上に突起が形成されるとその
部分は有機電界発光素子として機能しないため、結果と
して発光領域の面積が小さくなる。したがって、突起3
を第一電極2の存在しない領域を中心に位置させること
が好ましい。また、図1〜図4に示すように突起3を第
一電極2のエッジ部分を覆うように位置させれば、第一
電極2と第二電極8との短絡を防止して有機電界発光素
子の特性を安定化させることも可能である。
The position on the substrate where the projection is formed may be a portion where the first electrode 2 exists, as shown in FIGS. However, when the projection is formed on the first electrode, the portion does not function as the organic electroluminescent element, and as a result, the area of the light emitting region is reduced. Therefore, protrusion 3
Is preferably located in a region where the first electrode 2 does not exist. Also, as shown in FIGS. 1 to 4, if the protrusion 3 is positioned so as to cover the edge of the first electrode 2, a short circuit between the first electrode 2 and the second electrode 8 can be prevented and the organic electroluminescent element can be formed. Can be stabilized.

【0022】突起のサイズや数や配列については特に限
定されず、発光領域や第二電極、ガイド電極などの形状
に合わせて最適なものを選べばよい。また、突起は1層
によって形成されることが好ましいが、場合によっては
複数の層からなる積層構造であってもよい。例えば、ま
ずストライプ状第一電極を格子状に露出させるような形
状にエッジ保護層あるいはブラックマトリクスとして機
能する1層目を形成し、その上に突起を形成することも
可能である。この場合には突起は2層以上の積層構造と
なる。
The size, number, and arrangement of the projections are not particularly limited, and an optimum one may be selected according to the shape of the light emitting region, the second electrode, the guide electrode, and the like. Further, the projection is preferably formed by one layer, but may have a laminated structure composed of a plurality of layers in some cases. For example, it is also possible to first form a first layer functioning as an edge protective layer or a black matrix in a shape that exposes the stripe-shaped first electrode in a lattice shape, and then form a projection thereon. In this case, the protrusion has a laminated structure of two or more layers.

【0023】前述のとおり突起を第一電極の存在しない
領域を中心に位置させる、すなわち電気的に独立した第
一電極間をまたぐように位置させるので、突起は絶縁性
材料からなることが好ましい。このような材料として
は、無機材料では酸化物系、ガラス系、セラミックス系
などの公知材料を、有機材料ではポリビニル系、ポリイ
ミド系、ポリスチレン系、アクリル系、ノボラック系、
シリコン系などの公知のポリマー樹脂材料を挙げること
ができる。
As described above, the protrusion is preferably made of an insulating material because the protrusion is located at the center of the region where the first electrode does not exist, that is, so as to straddle between the electrically independent first electrodes. As such materials, known materials such as oxides, glasses, and ceramics are used for inorganic materials, and polyvinyls, polyimides, polystyrenes, acrylics, and novolaks are used for organic materials.
Known polymer resin materials such as silicon-based materials can be used.

【0024】さらに、突起の少なくとも一部分が黒色で
あることが好ましい。これにより非発光領域に光吸収性
が発現するため、外光反射率が低減してコントラスト向
上などの効果が得られる。好ましい黒色の突起材料とし
ては、無機物ではケイ素、砒化ガリウム、二酸化マンガ
ン、酸化チタンなどや酸化クロムと金属クロムの積層膜
などを、有機材料ではカーボンブラック系、フタロシア
ニン系、アントラキノン系、モノアゾ系、金属錯体型モ
ノアゾ系、ジスアゾ系、トリアリルメタン系、アニリン
系などの公知の顔料や染料あるいは前記黒色無機材料粉
末などを前記ポリマー樹脂材料に混合したものを挙げる
ことができる。
Furthermore, it is preferable that at least a part of the projection is black. As a result, light absorptivity is exhibited in the non-light emitting region, so that the external light reflectance is reduced, and an effect such as improvement in contrast is obtained. Preferred black projection materials include inorganic materials such as silicon, gallium arsenide, manganese dioxide, titanium oxide, and a laminated film of chromium oxide and metal chromium. Organic materials include carbon black, phthalocyanine, anthraquinone, monoazo, and metal. Known pigments and dyes, such as complex-type monoazo, disazo, triallylmethane, and aniline-based pigments, or the above-mentioned black inorganic material powder mixed with the polymer resin material can be used.

【0025】突起をパターニングする工程には、フォト
リソグラフィ法、ドライエッチング法、マスク蒸着法、
スクリーン印刷法、サンドブラスト法、ノズル塗布法な
ど公知技術を用いることができる。特に、フォトレジス
トや保護膜形成などの用途で使用されている公知の感光
性樹脂材料を利用して突起を形成することが好ましい。
In the step of patterning the protrusions, a photolithography method, a dry etching method, a mask evaporation method,
Known techniques such as a screen printing method, a sand blast method, and a nozzle coating method can be used. In particular, it is preferable to form the projections using a known photosensitive resin material used for applications such as formation of a photoresist or a protective film.

【0026】本発明では、突起が形成された後に、少な
くとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層が第一電
極上に形成される。有機電界発光素子に含まれる薄膜層
としては、1)正孔輸送層/発光層、2)正孔輸送層/
発光層/電子輸送層、3)発光層/電子輸送層、そし
て、4)以上の層構成物質を一層に混合した形態の発光
層、のいずれであってもよい。すなわち、素子構成とし
て有機化合物からなる発光層が存在していれば、上記
1)〜3)の多層積層構造の他に4)のように発光材料
単独または発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含
む発光層を一層設けるだけでもよい。
In the present invention, after the projections are formed, a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound is formed on the first electrode. The thin film layers included in the organic electroluminescent device include 1) a hole transport layer / a light emitting layer, and 2) a hole transport layer /
The light-emitting layer / electron transport layer, 3) the light-emitting layer / electron transport layer, and 4) a light-emitting layer in which at least one of the layer constituent materials is mixed may be used. That is, if a light-emitting layer made of an organic compound is present as an element configuration, a light-emitting material alone or a light-emitting material and a hole-transport material or an electron-transport, as described in 4), in addition to the multi-layer structure of 1) to 3) above. Only one light-emitting layer containing a material may be provided.

【0027】正孔輸送層は正孔輸送材料単独で、あるい
は正孔輸送材料と高分子結着剤により形成される。正孔
輸送材料としては、低分子化合物ではN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’
−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)やN,
N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−
ジフェニル−4,4’−ジアミン(NPD)などに代表
されるトリフェニルアミン類、N−イソプロピルカルバ
ゾール、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒド
ラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシア
ニン誘導体に代表される複素環化合物などを、また、ポ
リマー系では前記低分子化合物を側鎖に有するポリカー
ボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、
ポリシランなどを好ましい例として挙げることができ
る。
The hole transporting layer is formed of a hole transporting material alone or a hole transporting material and a polymer binder. As a hole transport material, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -1,1 ′ is used for a low molecular weight compound.
-Diphenyl-4,4'-diamine (TPD), N,
N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl-1,1'-
Heterocycles represented by triphenylamines represented by diphenyl-4,4'-diamine (NPD), N-isopropylcarbazole, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadiazole derivatives and phthalocyanine derivatives Compounds and the like, and, in a polymer system, a polycarbonate or a styrene derivative having the low-molecular compound in a side chain, polyvinyl carbazole,
Preferred examples include polysilane.

【0028】単純マトリクス型発光装置の用途では各有
機電界発光素子の発光時間は短く、パルス電流を流すこ
とで瞬間的に高輝度に発光させることが必要になる。こ
のような場合に正孔輸送材料には優れた正孔輸送特性と
安定した薄膜形成能だけでなく、正孔輸送層中の電子の
漏れによる発光効率低下を防ぐための良好な電子ブロッ
キング特性が要求される。上記特性をバランスよく満足
させるために、本発明においては下記に示すビスカルバ
ゾリル骨格を含む有機化合物からなる正孔輸送層を形成
することが特に好ましい。
In the application of the simple matrix type light emitting device, the light emitting time of each organic electroluminescent element is short, and it is necessary to instantaneously emit light with high luminance by passing a pulse current. In such a case, the hole transporting material has not only excellent hole transporting properties and stable thin film forming ability, but also good electron blocking properties to prevent a decrease in luminous efficiency due to leakage of electrons in the hole transporting layer. Required. In order to satisfy the above characteristics in a well-balanced manner, in the present invention, it is particularly preferable to form a hole transport layer made of an organic compound having a biscarbazolyl skeleton shown below.

【0029】[0029]

【化1】 ここで、R1、R2は、水素、アルキル、ハロゲン、ア
リール、アラルキルおよびシクロアルキルの中から選ば
れる。また、カルバゾリル骨格にはアルキル、アリー
ル、アラルキル、カルバゾリル、置換カルバゾリル、ハ
ロゲン、アルコキシ、ジアルキルアミノおよびトリアル
キルシリル基から選ばれる置換基が1つ以上連結されて
いてもよい。
Embedded image Here, R1 and R2 are selected from hydrogen, alkyl, halogen, aryl, aralkyl and cycloalkyl. The carbazolyl skeleton may have one or more substituents selected from alkyl, aryl, aralkyl, carbazolyl, substituted carbazolyl, halogen, alkoxy, dialkylamino, and trialkylsilyl groups.

【0030】発光材料としては、低分子化合物では以前
から発光体として知られていたアントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導
体、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール
誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体な
どを、ポリマー系ではポリフェニレンビニレン誘導体、
ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体など
を好ましい例として挙げることができる。また、発光層
にドーピングするドーパントとしては、ルブレン、キナ
クリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、ペリ
ノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザ
インダセン誘導体などを好ましい例として挙げることが
できる。
Examples of the light emitting material include anthracene derivatives, pyrene derivatives, 8-hydroxyquinoline aluminum derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, coumarin derivatives, and oxadiazole, which have been known as light emitters in the case of low molecular weight compounds. Derivatives, distyrylbenzene derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, etc., in the case of polymer systems, polyphenylenevinylene derivatives,
Preferred examples include polyparaphenylene derivatives and polythiophene derivatives. Preferred examples of the dopant for doping the light-emitting layer include rubrene, quinacridone derivatives, phenoxazone derivatives, DCM, perinone derivatives, perylene derivatives, coumarin derivatives, and diazaindacene derivatives.

【0031】電子輸送材料には陰極から注入された電子
を効率良く輸送することが要求されるので、大きな電子
親和力、大きな電子移動度、安定した薄膜形成能を有す
ることが好ましい。このような特性を満足させる材料と
して、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導体、ヒ
ドロキシベンゾキノリンベリリウム誘導体、2−(4−
ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール(t−BuPBD)や1,3
−ビス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサ
ジゾリル)ビフェニレン(OXD−1)、1,3−ビス
(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジゾリ
ル)フェニレン(OXD−7)などのオキサジアゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体
などを好ましい例として挙げることができる。
Since the electron transporting material is required to efficiently transport the electrons injected from the cathode, it is preferable that the electron transporting material has a large electron affinity, a large electron mobility, and a stable thin film forming ability. As materials satisfying such characteristics, 8-hydroxyquinoline aluminum derivatives, hydroxybenzoquinoline beryllium derivatives, 2- (4-
Biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,
3,4-oxadiazole (t-BuPBD), 1,3
-Bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) biphenylene (OXD-1), 1,3-bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) phenylene (OXD- Oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives and the like such as 7) can be mentioned as preferred examples.

【0032】上記の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂に分散させて用いるこ
ともできる。
The materials used for the above-described hole transporting layer, light emitting layer and electron transporting layer can be used alone to form each layer. As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N- Vinyl carbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide,
Solvent-soluble resins such as ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, phenolic resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin,
It can be used by being dispersed in a curable resin such as a silicone resin.

【0033】既に例示した単純マトリクス型カラー発光
素子においては、発光層はパターニングされるが上記正
孔輸送層や電子輸送層は必ずしもパターニングされる必
要はない。すなわち、第一電極および突起が形成された
基板全面にそれらを形成してもよい。さらに、モノクロ
発光素子では発光層も基板全面に形成することも可能で
ある。上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層の形成方法
は、抵抗加熱方式や電子ビーム方式の蒸着法、スパッタ
リング法など特に限定されないが、通常は前者の方法が
特性面で好ましい。有機層の厚みはその抵抗値にも関係
するので限定できないが、10〜1000nmの間から
選ばれる。
In the simple matrix type color light emitting device described above, the light emitting layer is patterned, but the hole transport layer and the electron transport layer are not necessarily patterned. That is, they may be formed on the entire surface of the substrate on which the first electrodes and the projections are formed. Further, in the case of a monochrome light emitting element, the light emitting layer can be formed over the entire surface of the substrate. The method of forming the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer is not particularly limited, such as a resistance heating method, an electron beam method, and a sputtering method, but the former method is usually preferable in terms of characteristics. The thickness of the organic layer cannot be limited because it is related to its resistance value, but is selected from the range of 10 to 1000 nm.

【0034】また、正孔輸送層や電子輸送層の全体、も
しくは一部分に無機材料を用いることも可能である。好
ましい材料としては炭化ケイ素系、窒化ガリウム系、セ
レン化亜鉛系、硫化亜鉛系の無機半導体材料を挙げるこ
とができる。
It is also possible to use an inorganic material for the whole or a part of the hole transport layer or the electron transport layer. Preferred materials include silicon carbide-based, gallium nitride-based, zinc selenide-based, and zinc sulfide-based inorganic semiconductor materials.

【0035】本発明では、薄膜層が形成された後に第二
電極が形成される。第一電極としてITOを使用する場
合には第二電極は陰極として機能する。第二電極材料は
電子を有機電界発光素子に効率よく注入できる物質であ
れば特に限定されない。したがって、アルカリ金属など
の低仕事関数金属の使用も可能であるが、電極の安定性
を考えると、白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウ
ム、マグネシウム、インジウム、チタン、ニッケルなど
の金属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合金な
どが好ましい例として挙げられる。また、コントラスト
向上などの観点からは、第二電極の少なくとも薄膜層と
接する部分が黒色であることが好ましい。黒色材料とし
ては、クロム、カーボン、不純物ドーピングによる高キ
ャリア密度無機半導体材料などが好ましい例として挙げ
られる。
In the present invention, the second electrode is formed after the formation of the thin film layer. When ITO is used as the first electrode, the second electrode functions as a cathode. The second electrode material is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic electroluminescent device. Therefore, it is possible to use a low work function metal such as an alkali metal, but considering the stability of the electrode, a metal such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, magnesium, indium, titanium, nickel, etc. Or an alloy of these metals with a low work function metal is a preferred example. Further, from the viewpoint of improving the contrast and the like, it is preferable that at least a portion of the second electrode that is in contact with the thin film layer is black. Preferable examples of the black material include chromium, carbon, and high carrier density inorganic semiconductor materials obtained by impurity doping.

【0036】上記第二電極については、あらかじめ薄膜
層に低仕事関数金属を微量にドーピングしたり、薄膜層
上にフッ化リチウムなどの金属塩の層を薄く形成してお
き、その後に比較的安定な金属を第二電極として形成す
ることで、電子注入効率を高く保ちながら安定な電極を
得ることもできる。また、これらの電極の形成方法は抵
抗加熱方式や電子ビーム方式などの蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法などのドライプロセス
であることが好ましい。
For the second electrode, a thin film layer is doped with a small amount of a low work function metal in advance, or a thin layer of a metal salt such as lithium fluoride is formed on the thin film layer in advance, and then a relatively stable layer is formed. By forming a suitable metal as the second electrode, a stable electrode can be obtained while keeping the electron injection efficiency high. The method for forming these electrodes is preferably a vapor deposition method such as a resistance heating method or an electron beam method, or a dry process such as a sputtering method or an ion plating method.

【0037】第二電極のパターニング方法は限定される
ものではなく、特開平5−275172号公報や特開平
8−315981号公報で開示された隔壁法をはじめと
し、マスク蒸着法やレーザーアブレーション法などの公
知技術を利用できるが、なかでも広い電極形成条件に対
応できるマスク蒸着法が好ましい。
The method of patterning the second electrode is not limited, and includes a partitioning method disclosed in JP-A-5-275172 and JP-A-8-315981, a mask evaporation method, a laser ablation method, and the like. However, a mask vapor deposition method that can cope with a wide range of electrode forming conditions is preferable.

【0038】第一電極が所定の間隔をあけて配置された
複数のストライプ状電極にパターニングされる場合に
は、第二電極もそれらに対して交差する(多くの場合に
直交する)複数のストライプ状電極にパターニングされ
ることで発光領域のマトリクスが形成される。しかしな
がらこのような第二電極パターンに対応するシャドーマ
スクにおいてはマスク部分が糸のように細くなり、たわ
みなどによって開口部形状が変形するという問題があ
る。
When the first electrode is patterned into a plurality of stripe-shaped electrodes arranged at a predetermined interval, the second electrode also has a plurality of intersecting (often orthogonal) stripes. The matrix of the light emitting region is formed by patterning the electrode. However, in the shadow mask corresponding to such a second electrode pattern, there is a problem that the mask portion becomes thin like a thread and the shape of the opening is deformed due to bending or the like.

【0039】この問題を解決する本発明の有機電界発光
素子の好ましい構造を図8および図9に示す。複数の第
二電極8がガイド電極4と接続されることで電気的に1
つのストライプ状電極として機能している。これらの第
二電極をパターニングするためのシャドーマスクは図1
0に示す構造となる。ストライプ状開口部32の変形を
防止するために開口部を横切るようにして補強線33を
導入できるために、シャドーマスクの強度が飛躍的に改
善され、微細なパターニングを達成する上での効果は明
らかである。
FIGS. 8 and 9 show a preferred structure of the organic electroluminescent device of the present invention which solves this problem. The plurality of second electrodes 8 are electrically connected to the guide electrodes 4 to electrically
Function as two striped electrodes. The shadow mask for patterning these second electrodes is shown in FIG.
0. Since the reinforcing line 33 can be introduced across the opening to prevent the deformation of the stripe-shaped opening 32, the strength of the shadow mask is dramatically improved, and the effect of achieving fine patterning is as follows. it is obvious.

【0040】本発明で好ましく用いられるシャドーマス
クの別の例を図11および図12に示す。このシャドー
マスクには第二電極パターンに対応した形状の開口部3
2が設けられており、開口部の変形を防止するために開
口部を横切るようにして形成された補強線33が存在す
る。さらに、このシャドーマスクは取り扱いを容易にす
るためにフレーム34に固定されている。シャドーマス
クの補強線の存在しない方の面35を基板に密着させた
状態で蒸着することにより、補強線33側から飛来して
きた第二電極材料は隙間36が存在するために補強線3
3の影となる部分にも回り込んで蒸着され、補強線によ
って分断されることなく開口部32の形状に第二電極が
パターニングされる。
Another example of a shadow mask preferably used in the present invention is shown in FIGS. This shadow mask has an opening 3 having a shape corresponding to the second electrode pattern.
2 are provided, and there is a reinforcing line 33 formed across the opening to prevent deformation of the opening. Further, the shadow mask is fixed to a frame 34 for easy handling. By vapor deposition with the surface 35 of the shadow mask on which the reinforcing line does not exist in close contact with the substrate, the second electrode material that has flown from the reinforcing line 33 side has the gap
The second electrode is patterned into the shape of the opening 32 without being separated by the reinforcing line.

【0041】上記2つの例は1回の蒸着工程でパターニ
ングを実施するものであるが、複数のシャドーマスクを
用いたり、1枚のシャドーマスクと基板との位置を相対
的にずらすなどして、複数の蒸着工程に分けることもで
きる。また、シャドーマスクを磁性材料で形成してお
き、基板裏側に磁石を配置することで、両者の密着性を
向上させてもよい。
In the above two examples, patterning is performed in one deposition step. However, by using a plurality of shadow masks, or by relatively shifting the position of one shadow mask and the substrate, It can be divided into a plurality of vapor deposition steps. Alternatively, the shadow mask may be formed of a magnetic material, and a magnet may be disposed on the back side of the substrate to improve the adhesion between the two.

【0042】上記のようなマスク蒸着法によるパターニ
ング工程において、シャドーマスクが基板上に形成され
た突起と接触するので、先に発光領域に形成された有機
層などを傷つけることがない。すなわち、本発明におけ
る突起の存在がマスク傷防止の効果も有することにな
る。
In the patterning step by the mask vapor deposition method as described above, the shadow mask comes into contact with the projections formed on the substrate, so that the organic layer or the like previously formed in the light emitting region is not damaged. That is, the presence of the protrusion in the present invention also has the effect of preventing mask flaws.

【0043】本発明の特徴の1つは突起を介して第二電
極がその外側に存在するガイド電極と電気的に接続され
ることにある。本発明では、図13に示すように絶縁性
の突起3の表面に導電性部分11を形成しておき、これ
を介して両者を電気的に接続することが好ましい。この
導電性部分の形成方法としては、第二電極を形成する工
程において同時にこの導電性部分を形成する、つまり既
に図2もしくは図9などで例示したように第二電極がこ
の導電性部分を兼用することが好ましい。このようにす
ることで、第二電極の形成より前の工程において突起の
表面に付着する正孔輸送層などの有機材料薄膜(図面上
ではこれらの存在を省略した)の影響を受けることなく
両者を接続することができる。
One of the features of the present invention resides in that the second electrode is electrically connected to a guide electrode existing outside the second electrode via the protrusion. In the present invention, as shown in FIG. 13, it is preferable to form a conductive portion 11 on the surface of the insulating protrusion 3 and electrically connect the two via this. As a method for forming the conductive portion, the conductive portion is formed simultaneously in the step of forming the second electrode, that is, the second electrode also serves as the conductive portion as already exemplified in FIG. 2 or FIG. Is preferred. By doing so, both the layers are not affected by an organic material thin film such as a hole transport layer that adheres to the surface of the projection in the step before the formation of the second electrode (they are omitted in the drawing). Can be connected.

【0044】突起を介して両者を電気的に接続する方法
は特に限定されないが、導電性部分とガイド電極とを密
着させる方法が好ましい。突起は少なくともその一部分
が薄膜層の厚さを上回るように形成されるので、このま
までも図13に示すように両者を容易に密着させること
ができるが、例えば図14に示すようにガイド電極に凹
部を設けておき、突起をこの部分に挿入することで両者
の密着性をより向上させることも可能である。また、接
続部分の補強あるいは両者の密着性向上を目的として図
15に示すように導電性部分11上に補強手段12を形
成してもよい。この補強手段は導電性物質であれば特に
限定されないが、密着性向上のためには硬度が比較的低
い材料を用いて形成することが好ましい。
The method of electrically connecting the two via the projection is not particularly limited, but a method of bringing the conductive portion into close contact with the guide electrode is preferable. Since at least a part of the projection is formed so as to exceed the thickness of the thin film layer, the two can be easily brought into close contact with each other as shown in FIG. 13, but, for example, as shown in FIG. It is also possible to further improve the adhesion between the two by inserting a projection into this portion. Further, a reinforcing means 12 may be formed on the conductive portion 11 as shown in FIG. 15 for the purpose of reinforcing the connection portion or improving the adhesion between them. The reinforcing means is not particularly limited as long as it is a conductive substance, but is preferably formed using a material having a relatively low hardness in order to improve adhesion.

【0045】さらに、図16に示すように導電性部分1
1とガイド電極4とを固定手段13により接着すること
もできる。固定方法の例としては、インジウムや錫など
の低融点金属合金を用いたいわゆる半田付け法、金、
銀、銅、ニッケル、カーボン、グラファイトなどの粉末
を含む導電性コーティング剤や導電性接着剤を用いた接
着法、導電性微粒子をバインダー中に分散させるなどし
て形成した異方導電性膜を用いた圧着法などが挙げられ
る。
Further, as shown in FIG.
1 and the guide electrode 4 can also be bonded by the fixing means 13. Examples of the fixing method include a so-called soldering method using a low melting point metal alloy such as indium or tin, gold,
Uses an anisotropic conductive film formed by dispersing conductive fine particles in a binder, using a conductive coating agent containing a powder of silver, copper, nickel, carbon, graphite, etc., or a conductive adhesive. And the like.

【0046】ガイド電極の構造は特に限定されない。リ
ード線のような導電性ワイヤーやアルミホイルのような
導電性シートをそのまま用いることもできるが、本発明
では有機電界発光素子が形成された基板とは別の基板上
にガイド電極が形成されていることが好ましい。このよ
うにすることで、ガイド電極の取り扱いばかりでなく、
ガイド電極をあらかじめ所望の形状にパターニングする
ことも容易になる。
The structure of the guide electrode is not particularly limited. A conductive wire such as a lead wire or a conductive sheet such as aluminum foil can be used as it is, but in the present invention, a guide electrode is formed on a substrate different from the substrate on which the organic electroluminescent element is formed. Is preferred. By doing so, not only the handling of the guide electrode,
It becomes easy to pattern the guide electrode into a desired shape in advance.

【0047】本発明における好適な例として示した単純
マトリクス型発光素子では、図1に示すように第二電極
8が所定の間隔をあけて配置された複数のストライプ状
電極にパターニングされる場合や、図8に示すように第
二電極8が複数の独立した電極にパターニングされてい
る場合にかかわらず、ガイド電極は所定の間隔をあけて
配置された複数のストライプ状電極であることが好まし
い。このようにすることで、各発光領域は十分に低抵抗
化されたガイド電極を通じて駆動源と電気的に接続され
ることになり、本発明の効果が明らかになる。このガイ
ド電極の抵抗は目安として2kΩ/m以下であることが
好ましく、500Ω/m以下であればより好ましい。基
本的に抵抗は低いほどよいが、発光素子の構造やサイ
ズ、デューティー比、発光効率、ガイド電極の形成条件
などに応じて最適な値を選べばよい。
In the simple matrix type light emitting device shown as a preferred example in the present invention, as shown in FIG. 1, the second electrode 8 may be patterned into a plurality of stripe-shaped electrodes arranged at predetermined intervals. Regardless of whether the second electrode 8 is patterned into a plurality of independent electrodes as shown in FIG. 8, the guide electrodes are preferably a plurality of stripe-shaped electrodes arranged at a predetermined interval. By doing so, each light emitting region is electrically connected to the driving source through the guide electrode whose resistance is sufficiently reduced, and the effect of the present invention becomes clear. The guide electrode preferably has a resistance of 2 kΩ / m or less as a guide, more preferably 500 Ω / m or less. Basically, the lower the resistance, the better. However, an optimum value may be selected according to the structure and size of the light emitting element, the duty ratio, the luminous efficiency, the conditions for forming the guide electrode, and the like.

【0048】ガイド電極の形状やサイズは必要に応じて
最適化すればよい。第二電極との接続を容易にするため
にガイド電極上に導電性の突起を設けたり、電極表面に
凹凸を形成してもよい。ガイド電極を厚く形成すること
は抵抗値の観点から有利であるが形成が困難となるた
め、1μ〜1mmの範囲で選べばよい。ガイド電極のパ
ターニング方法は特に限定されない。エッチングあるい
はリフトオフによる通常のフォトリソグラフィ法の他
に、感光性導電性ペーストを直接露光・現像してから焼
成する感光性ペースト法、スクリーン印刷法、サンドブ
ラスト法、金型法、機械的研磨もしくは掘削法、レーザ
ー加工法、電鋳法、導電性超微粒子を基板上に直接描画
して凝集させる微粒子凝集法などを用いることができ
る。
The shape and size of the guide electrode may be optimized as needed. In order to facilitate connection with the second electrode, conductive projections may be provided on the guide electrode, or irregularities may be formed on the electrode surface. It is advantageous from the viewpoint of resistance value to form the guide electrode thick, but it is difficult to form the guide electrode. The method for patterning the guide electrode is not particularly limited. In addition to the usual photolithography method using etching or lift-off, a photosensitive paste method in which a photosensitive conductive paste is directly exposed and developed and then fired, a screen printing method, a sand blast method, a mold method, a mechanical polishing or excavation method , A laser processing method, an electroforming method, a fine particle aggregation method of directly drawing and aggregating conductive ultrafine particles on a substrate, or the like can be used.

【0049】基板としては既に例示した透明基板材料だ
けでなく公知のあらゆる材料が使用できるが、その上に
ガイド電極をパターニングすることから絶縁性材料であ
ることが好ましい。基板の透明性はさほど重要ではな
く、むしろ表示コントラスト向上の観点からは光吸収性
をもつことが好ましい。その形態は板状やフィルム状に
限定されない。また、基板上にガイド電極を一時的に形
成しておき、突起を介して第二電極と電気的に接続させ
た後に基板を除去することでガイド電極を転写すること
もできる。このような場合にはフィルム状の基板を用い
るのが好ましい。
As the substrate, not only the above-exemplified transparent substrate material but also any known material can be used. However, an insulating material is preferable because a guide electrode is patterned thereon. The transparency of the substrate is not so important, but rather, it is preferable that the substrate has a light absorbing property from the viewpoint of improving the display contrast. The form is not limited to a plate shape or a film shape. Alternatively, the guide electrode can be transferred by temporarily forming a guide electrode on the substrate, electrically connecting the guide electrode to the second electrode via the protrusion, and then removing the substrate. In such a case, it is preferable to use a film-like substrate.

【0050】本発明においては、水分や酸素による発光
特性の劣化を防ぐために有機電界発光素子が形成された
基板とガイド電極が形成された基板とを張り合わせるこ
とで封止を行うことが好ましい。その好適な構造を図1
7に示す。2つの基板1aおよび1bと封止手段14と
で発光領域が封止されるものであり、ガイド電極が形成
された基板1bが封止板としての機能を兼用することに
なる。多くの場合この内部は水分が十分に除去された不
活性液体あるいは不活性ガスで満たされる。内部圧力を
大気圧に比べて低くすることで、両基板の間に吸引力を
働かせて第二電極とガイド電極との密着性を向上させる
ことも可能である。
In the present invention, in order to prevent deterioration of the light emitting characteristics due to moisture or oxygen, it is preferable to perform sealing by bonding a substrate on which an organic electroluminescent element is formed and a substrate on which a guide electrode is formed. Figure 1 shows the preferred structure.
It is shown in FIG. The light emitting region is sealed by the two substrates 1a and 1b and the sealing means 14, and the substrate 1b on which the guide electrode is formed also functions as a sealing plate. In many cases, the interior is filled with an inert liquid or an inert gas from which water has been sufficiently removed. By making the internal pressure lower than the atmospheric pressure, it is possible to improve the adhesion between the second electrode and the guide electrode by applying a suction force between the two substrates.

【0051】不活性液体の例としてはシリコーン系オイ
ルやグリース、フッ化炭素系オイルなどが挙げられる。
不活性ガスの例としてはヘリウム、アルゴンなどの希ガ
ス類、窒素、二酸化炭素などが挙げられる。これらのガ
ス中には酸素など比較的活性な気体が若干量含まれてい
てもよい。封止の効果を十分に得るためにはガスの露点
が−60℃以下であることが好ましく、−100℃以下
であればさらに好ましい。
Examples of the inert liquid include silicone oil, grease, and fluorocarbon oil.
Examples of the inert gas include rare gases such as helium and argon, nitrogen, and carbon dioxide. These gases may contain a relatively small amount of relatively active gas such as oxygen. In order to obtain a sufficient sealing effect, the dew point of the gas is preferably −60 ° C. or lower, more preferably −100 ° C. or lower.

【0052】また、封止領域内部にシリカゲル、ゼオラ
イト、活性炭、酸化カルシウム、酸化ゲルマニウム、酸
化バリウム、酸化マグネシウム、五酸化リン、塩化カル
シウムなどの吸湿剤を設置することや、アルミニウム、
マグネシウム、バリウム、チタンなどのゲッター膜を形
成することもできる。
In addition, a moisture absorbent such as silica gel, zeolite, activated carbon, calcium oxide, germanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, phosphorus pentoxide, calcium chloride, or the like can be provided inside the sealing region,
A getter film of magnesium, barium, titanium, or the like can also be formed.

【0053】封止手段としては硬化型樹脂を用いること
が好ましい。樹脂材料の例としてはエポキシ系、シリコ
ーン系、アクリル系、ウレタン系などの公知材料を、硬
化方法の例としては紫外線照射法、熱硬化法、硬化剤混
合法などが挙げられる。例示した図17の構造では第二
電極8の引き出し電極としてガイド電極4をそのまま用
いているが、有機電界発光素子が形成される基板上に引
き出し電極を形成したり、スルーホールを設けて基板裏
側から電極を引き出すこともできる。
It is preferable to use a curable resin as the sealing means. Examples of the resin material include known materials such as an epoxy-based, silicone-based, acrylic-based, and urethane-based material, and examples of the curing method include an ultraviolet irradiation method, a thermosetting method, and a curing agent mixing method. In the illustrated structure of FIG. 17, the guide electrode 4 is used as a lead electrode of the second electrode 8 as it is, but a lead electrode is formed on a substrate on which an organic electroluminescent element is formed, or a through hole is provided to provide a back side of the substrate. The electrode can be pulled out from.

【0054】上記のような封止の有無にかかわらず第二
電極上に保護層が形成されてもよい。保護層としては既
に例示した第一電極および第二電極材料の他に、酸化ケ
イ素、酸化ガリウム、酸化チタン、窒化ケイ素などの無
機材料、各種高分子材料、有機電界発光素子を構成する
有機材料を用いることができる。なかでも窒化ケイ素は
水分に対するバリア性に優れた好適な保護層材料であ
る。これら保護膜は蒸着法、スパッタリング法、CVD
法などによって形成されるが、導電性材料の場合には第
二電極同士の望ましくない短絡を防ぐために、絶縁性材
料の場合には突起の表面に形成された導電性部分を完全
に覆わないためにに、マスク蒸着法など既に例示した方
法によって保護層をパターニングすることが好ましい。
A protective layer may be formed on the second electrode irrespective of the presence or absence of the above sealing. As the protective layer, in addition to the first electrode and second electrode materials already exemplified, inorganic materials such as silicon oxide, gallium oxide, titanium oxide, and silicon nitride, various polymer materials, and organic materials constituting an organic electroluminescent element are used. Can be used. Among them, silicon nitride is a suitable protective layer material having excellent moisture barrier properties. These protective films are formed by vapor deposition, sputtering, CVD
Although it is formed by a method, in the case of a conductive material, in order to prevent an undesired short circuit between the second electrodes, in the case of an insulating material, the conductive portion formed on the surface of the protrusion is not completely covered. In addition, it is preferable to pattern the protective layer by a method already exemplified, such as a mask evaporation method.

【0055】[0055]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0056】実施例1 発光層パターニング用として、図18に示すようなスト
ライプ状開口部を有し、それを横切るように形成された
補強線が存在し、マスク部分と補強線が同一平面内に形
成された構造のシャドーマスクを作成した。このシャド
ーマスクの外形は120×84mm、マスク部分の厚さ
は25μmである。長さ64mm、幅100μmのスト
ライプ状開口部32がピッチ300μmで272本配置
されている。各ストライプ状開口部には、開口部を横切
り直交する幅20μmの補強線33がピッチ1.8mm
で形成されている。さらに、シャドーマスクは外形が等
しい、幅4mmのステンレス鋼製フレーム34に固定さ
れている。
Example 1 For patterning a light emitting layer, a stripe-shaped opening as shown in FIG. 18 was provided, and a reinforcing line was formed so as to cross the opening. The mask portion and the reinforcing line were in the same plane. A shadow mask having the formed structure was prepared. The external shape of this shadow mask is 120 × 84 mm, and the thickness of the mask portion is 25 μm. 272 stripe-shaped openings 32 having a length of 64 mm and a width of 100 μm are arranged at a pitch of 300 μm. In each of the stripe-shaped openings, a reinforcing wire 33 having a width of 20 μm and crossing the openings at right angles is 1.8 mm in pitch.
It is formed with. Further, the shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0057】第二電極パターニング用として、図11お
よび図12に示すようなマスク部分31の一方の面35
と補強線33との間に隙間36が存在する構造のシャド
ーマスクを用意した。シャドーマスクの外形は120×
84mmでマスク部分の厚さは100μmであり、長さ
100mm、幅250μmのストライプ状開口部32が
ピッチ300μmで200本配置されている。マスク部
分の上には、幅40μm、厚さ35μm、対向する二辺
の間隔が200μmの正六角形構造からなるメッシュ状
の補強線が形成されている。隙間36の高さはマスク部
分の厚みと等しく100μmである。また、シャドーマ
スクは外形が等しい、幅4mmのステンレス鋼製フレー
ム34に固定されている。
For patterning the second electrode, one surface 35 of the mask portion 31 as shown in FIGS.
A shadow mask having a structure in which a gap 36 is present between the shadow mask and the reinforcing wire 33 was prepared. The outline of the shadow mask is 120 ×
84 mm, the thickness of the mask portion is 100 μm, and 200 stripe-shaped openings 32 having a length of 100 mm and a width of 250 μm are arranged at a pitch of 300 μm. On the mask portion, a mesh-like reinforcing line having a regular hexagonal structure having a width of 40 μm, a thickness of 35 μm, and a distance between two opposing sides of 200 μm is formed. The height of the gap 36 is equal to the thickness of the mask portion and is 100 μm. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0058】第一電極のパターニングは次のように行っ
た。厚さ1.1mmの無アルカリガラス基板表面にスパ
ッタリング蒸着法によって厚さ150nmのITO透明
電極が形成されたITO基板(ジオマテック社製)を1
20×100mmの大きさに切断した。このITO基板
上にフォトレジストを塗布して、通常のフォトリソグラ
フィ法によりフォトマスク露光・現像によってフォトレ
ジストをパターニングした。ITOの不要部分をエッチ
ングして取り除いた後、フォトレジストを溶解除去し
て、ITOを長さ90mm、幅80μmのストライプ状
にパターニングした。このストライプ状にパターニング
された第一電極は100μmピッチで816本配置され
ている。
The patterning of the first electrode was performed as follows. An ITO substrate (manufactured by Geomatic) having a 150 nm-thick ITO transparent electrode formed on a 1.1 mm-thick non-alkali glass substrate surface by sputtering deposition
It was cut into a size of 20 × 100 mm. A photoresist was applied on the ITO substrate, and the photoresist was patterned by exposure and development with a photomask by a normal photolithography method. After removing unnecessary portions of the ITO by etching, the photoresist was dissolved and removed, and the ITO was patterned into a stripe shape having a length of 90 mm and a width of 80 μm. The 816 first electrodes patterned in a stripe pattern are arranged at a pitch of 100 μm.

【0059】パターニングされた第一電極を形成したI
TO基板上に、次のようにして突起を形成した。ポリイ
ミド系の感光性コーティング剤(東レ社製、UR−31
00)をスピンコート法により上記ITO基板上に塗布
して、クリーンオーブン中、窒素雰囲気下で80℃、1
時間プリベーキングした。次に、この塗布膜にフォトマ
スクを介してパターン露光して所望部分を光硬化させ、
現像液(東レ社製、DV−505)を用いて現像した。
その後、クリーンオーブン中で180℃、30分間、さ
らに、250℃、30分間のベーキングを行って、図4
に示すように、第一電極2の間にストライプ状の突起3
を形成した。この突起は、長さ80mm、幅30μm、
高さ約5μmであり、100μmピッチで第一電極のエ
ッジ部分を覆うように配置されている。なお、突起は良
好な電気絶縁性を有していた。
The first electrode having the patterned first electrode formed thereon
Projections were formed on the TO substrate as follows. Polyimide photosensitive coating agent (UR-31, manufactured by Toray Industries, Inc.)
00) on the ITO substrate by a spin coating method, and then at 80 ° C. in a clean oven under a nitrogen atmosphere.
Prebaked for hours. Next, a desired portion is light-cured by pattern exposure of the coating film through a photomask,
It developed using the developing solution (Toray Co., DV-505).
Thereafter, baking was performed in a clean oven at 180 ° C. for 30 minutes, and further at 250 ° C. for 30 minutes, and FIG.
As shown in FIG.
Was formed. This projection has a length of 80 mm, a width of 30 μm,
It has a height of about 5 μm and is arranged so as to cover the edge of the first electrode at a pitch of 100 μm. Note that the projections had good electrical insulation.

【0060】上記の突起を形成したITO基板を洗浄
し、UV−オゾン処理を施した後で真空蒸着機内にセッ
トした。また、上記発光層用シャドーマスクと第二電極
用シャドマスクとを真空蒸着機内にセットした。本真空
蒸着機では、真空中において、それぞれ10μm程度の
精度で基板とシャドーマスクの位置合わせが可能であ
る。
The ITO substrate on which the projections were formed was washed, subjected to UV-ozone treatment, and then set in a vacuum evaporation machine. Further, the shadow mask for the light emitting layer and the shadow mask for the second electrode were set in a vacuum evaporation machine. In this vacuum vapor deposition machine, it is possible to position the substrate and the shadow mask in a vacuum with an accuracy of about 10 μm each.

【0061】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空度
は、2×10-4Pa以下であり、蒸着中は蒸着源に対し
て基板を回転させた。
The thin film layer was formed as follows by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to the vapor deposition source during vapor deposition.

【0062】まず、銅フタロシアニンを20nm、ビス
(N−エチルカルバゾール)を120nm基板全面に蒸
着して正孔輸送層を形成した。
First, copper phthalocyanine was added to 20 nm
(N-ethylcarbazole) was deposited on the entire surface of the substrate to a thickness of 120 nm to form a hole transport layer.

【0063】次に、図19に示すように発光層用シャド
ーマスクを基板前方に配置して両者を密着させ、基板後
方にはフェライト系板磁石37(日立金属社製、YBM
−1B)を配置した。この際、ストライプ状第一電極2
がシャドーマスクのストライプ状開口部32の中心に位
置するように、両者は位置合わせされている。また、マ
スク部分31は突起3と接触するので先に形成した正孔
輸送層5を傷つけることはない。この状態で4,4’−
ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DP
VBi)を30nm蒸着し、B発光層6をパターニング
した。同様にして8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体(Alq3)を30nm蒸着してG発光層を、1wt
%の4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p
−ジメチルアミノスチリル)−4−ピラン(DCM)を
ドーピングしたAlq3を30nm蒸着してR発光層を
それぞれパターニングした。
Next, as shown in FIG. 19, a shadow mask for a light emitting layer is disposed in front of the substrate so that both are brought into close contact with each other, and a ferrite plate magnet 37 (YBM, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) is provided behind the substrate.
-1B). At this time, the striped first electrode 2
Are positioned at the center of the stripe-shaped opening 32 of the shadow mask. Further, since the mask portion 31 comes into contact with the projection 3, the hole transport layer 5 formed earlier is not damaged. In this state, 4,4'-
Bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DP
VBi) was deposited to a thickness of 30 nm, and the B light emitting layer 6 was patterned. Similarly, an 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ) was deposited to a thickness of 30 nm to form a G light emitting layer of 1 wt.
% Of 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p
- dimethylamino styryl) -4-pyran (Alq 3 doped with DCM) to 30nm deposited and patterned R emission layer, respectively.

【0064】さらに、DPVBiを70nm、Alq3
を30nm基板全面に蒸着して電子輸送層を形成した。
この後、薄膜層をリチウム蒸気にさらしてドーピング
(膜厚換算量0.5nm)した。
Further, DPVBi was set to 70 nm, Alq 3
Was deposited on the entire surface of a 30 nm substrate to form an electron transport layer.
Thereafter, the thin film layer was exposed to lithium vapor for doping (0.5 nm in terms of film thickness).

【0065】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着
法によって以下のようにして形成した。なお、蒸着時の
真空度は、2×10-4Pa以下であり、蒸着中は2つの
蒸着源に対して基板を回転させた。上記の発光層のパタ
ーニングと同様に第二電極用シャドーマスクを基板前方
に配置して両者を密着させ、基板後方には板磁石を配置
した。この状態でアルミニウムを200nmの厚さに蒸
着して第二電極をパターニングした。第二電極はシャド
ーマスクの補強線によって分断されることなく、突起の
表面を覆うようにストライプ状に形成された。
The second electrode was formed as follows by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to two vapor deposition sources during vapor deposition. In the same manner as in the patterning of the light emitting layer, a shadow mask for the second electrode was arranged in front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a plate magnet was arranged behind the substrate. In this state, aluminum was evaporated to a thickness of 200 nm to pattern the second electrode. The second electrode was formed in a stripe shape so as to cover the surface of the protrusion without being separated by the reinforcing line of the shadow mask.

【0066】ガイド電極は以下のとおり形成した。厚さ
1.1mmのソーダライムガラス基板を130×90m
mの大きさに切断した。次に、銀粉末を主成分とした感
光性導電性ペーストを基板全面に塗布し、フォトマスク
を介して露光・現像してから焼成することにより、厚さ
約10μmのストライプ状銀電極をパターニングした。
この電極は、長さ120mm、幅200μmであり、3
00μmピッチで200本配置されている。長手方向の
電気抵抗は約15Ω/mであった。
The guide electrode was formed as follows. 130 × 90m soda lime glass substrate with 1.1mm thickness
m. Next, a photosensitive silver paste containing silver powder as a main component was applied to the entire surface of the substrate, exposed and developed through a photomask, and then baked to pattern a striped silver electrode having a thickness of about 10 μm. .
This electrode has a length of 120 mm, a width of 200 μm, and 3
200 pieces are arranged at a pitch of 00 μm. The electrical resistance in the longitudinal direction was about 15Ω / m.

【0067】次に、有機電界発光素子を形成した基板と
ガイド電極を形成した基板とを対向させて、第二電極と
ガイド電極とが重なり合うように位置あわせをしたあ
と、両基板を密着させた状態で固定した。
Next, the substrate on which the organic electroluminescent element was formed and the substrate on which the guide electrode was formed were opposed to each other, and the second electrode and the guide electrode were positioned so as to overlap with each other. Fixed in state.

【0068】上記のようにして、図1〜3に模式的に示
すように、ストライプ状第一電極2上にパターニングさ
れたRGB発光層6を含む薄膜層10が形成され、前記
第一電極と直交するように幅250μm、ピッチ300
μmのストライプ状第二電極8が形成され、前記第二電
極が突起3を介してガイド電極4と電気的に接続された
単純マトリクス型カラー発光素子を作製した。RGBか
らなる3つの発光領域が1画素を形成するので、本発光
素子は300μmピッチで272×200画素を有す
る。
As described above, as schematically shown in FIGS. 1 to 3, the thin film layer 10 including the patterned RGB light emitting layer 6 is formed on the striped first electrode 2, and the first electrode 250μm width, 300 pitch so as to be orthogonal
A simple matrix type color light emitting device in which a second electrode 8 having a stripe shape of μm was formed and the second electrode was electrically connected to the guide electrode 4 via the protrusion 3 was produced. Since the three light emitting regions of RGB form one pixel, the present light emitting element has 272 × 200 pixels at a pitch of 300 μm.

【0069】発光領域は70×250μmの大きさでR
GBそれぞれ独立の色で均一に発光した。第一電極をデ
ータライン、第二電極を走査ラインとして本発光素子を
線順次駆動したところ、明瞭なパターン表示とそのマル
チカラー化が可能であった。特に電流の集中する第二電
極(走査ライン)がガイド電極の付加により十分に低抵
抗化されたために、全画素を発光させた場合でも面内の
輝度むらが20%以下に抑制された。
The light emitting area has a size of 70 × 250 μm and R
Light was emitted uniformly in independent colors of GB. When the present light emitting element was driven line-sequentially with the first electrode as a data line and the second electrode as a scanning line, clear pattern display and multi-color display were possible. In particular, since the resistance of the second electrode (scanning line) where the current is concentrated was sufficiently reduced by the addition of the guide electrode, the in-plane luminance unevenness was suppressed to 20% or less even when all the pixels emitted light.

【0070】比較例1 ガイド電極を付加しなかったこと以外は実施例1と同様
にして単純マトリクス型カラー発光素子を作製した。発
光領域は70×250μmの大きさでRGBそれぞれ独
立の色で均一に発光したが、第二電極(走査ライン)が
低抵抗化されなかったために、全画素を発光させた場合
の面内の輝度むらが100%以上に増大した。
Comparative Example 1 A simple matrix type color light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that no guide electrode was added. The light emitting area was 70 × 250 μm in size, and emitted light uniformly in RGB independent colors. However, since the resistance of the second electrode (scanning line) was not reduced, the in-plane luminance when all pixels emitted light. The unevenness increased to 100% or more.

【0071】比較例2 突起を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして
単純マトリクス型カラー発光素子を作製した。しかしな
がら、マスク傷やガイド電極の接触傷の影響により、第
一電極と第二電極とが短絡して数多くの画素が非発光化
した。
Comparative Example 2 A simple matrix type color light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that no projection was formed. However, the first electrode and the second electrode were short-circuited due to the influence of the mask flaw and the contact flaw of the guide electrode, so that many pixels did not emit light.

【0072】実施例2 第二電極パターニング用として、図10に示すようなス
トライプ状開口部を有し、それを横切るように形成され
た補強線が存在し、マスク部分と補強線が同一平面内に
形成された構造のシャドーマスクを作成した。このシャ
ドーマスクの外形は120×84mm、マスク部分の厚
さは25μmである。長さ100mm、幅250μmの
ストライプ状開口部32がピッチ300μmで200本
配置されている。各ストライプ状開口部には、開口部を
横切り直交する幅20μmの補強線33がピッチ1.8
mmで形成されている。さらに、シャドーマスクは外形
が等しい、幅4mmのステンレス鋼製フレーム34に固
定されている。
Example 2 For patterning the second electrode, there is a stripe-shaped opening as shown in FIG. 10 and there is a reinforcing line formed so as to cross it, and the mask portion and the reinforcing line are in the same plane. A shadow mask having the structure formed in was formed. The external shape of this shadow mask is 120 × 84 mm, and the thickness of the mask portion is 25 μm. 200 stripe-shaped openings 32 having a length of 100 mm and a width of 250 μm are arranged at a pitch of 300 μm. In each of the stripe-shaped openings, a reinforcing wire 33 having a width of 20 μm and crossing the openings at right angles is provided at a pitch of 1.8.
mm. Further, the shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0073】このシャドーマスクを用いて実施例1に準
じて第二電極をパターニングしたこと以外は実施例1と
同様にして単純マトリクス型カラー発光素子を作製し
た。本発光素子は図8および9に模式的に示すように、
ストライプ状第一電極2上にパターニングされたRGB
発光層6を含む薄膜層10が形成され、前記薄膜層上に
長さ1.8mm、幅250μmの第二電極8が格子状に
配置され、前記第二電極が突起3を介してガイド電極4
と電気的に接続されたものである。したがって、複数の
第二電極が電気的に1つのストライプ状電極として機能
している。
A simple matrix type color light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the second electrode was patterned according to Example 1 using this shadow mask. This light emitting device is schematically shown in FIGS.
RGB patterned on the striped first electrode 2
A thin film layer 10 including a light emitting layer 6 is formed, and a second electrode 8 having a length of 1.8 mm and a width of 250 μm is arranged on the thin film layer in a grid pattern.
It is electrically connected to. Therefore, the plurality of second electrodes electrically function as one striped electrode.

【0074】本発光素子は、実施例1で得られたものと
同様に明瞭なパターン表示を示し、面内の輝度むらも抑
制された。すなわち、格子状にパターニングされた第二
電極が、ガイド電極の付加によってストライプ状電極と
して機能することが確かめられた。
This light-emitting element showed a clear pattern display similarly to that obtained in Example 1, and the in-plane luminance unevenness was suppressed. That is, it was confirmed that the second electrode patterned in a lattice shape functions as a stripe-shaped electrode by adding a guide electrode.

【0075】実施例3 実施例1と同様にして有機電界発光素子とガイド電極を
それぞれ形成した後、露点温度−100℃以下のアルゴ
ン雰囲気下において市販の二液系エポキシ樹脂接着剤
(チバガイギー社製、アラルダイト)を用いて両基板を
封止した。
Example 3 After forming an organic electroluminescent device and a guide electrode respectively in the same manner as in Example 1, a commercially available two-part epoxy resin adhesive (manufactured by Ciba Geigy) under an argon atmosphere having a dew point of -100 ° C. or less. , Araldite).

【0076】上記のようにして、実施例1に準じた構造
の単純マトリクス型カラー発光素子を作製した。さら
に、本発光素子は図17に示すように封止手段(エポキ
シ樹脂)14によって密閉されており、内部は水分のほ
とんど存在しないアルゴンガスで満たされている。
As described above, a simple matrix type color light emitting device having a structure similar to that of Example 1 was manufactured. Further, as shown in FIG. 17, the present light emitting element is sealed by a sealing means (epoxy resin) 14, and the inside is filled with an argon gas containing almost no moisture.

【0077】本発光素子は、実施例1で得られたものと
同様に明瞭なパターン表示を示した。さらに、本発光素
子を大気中に1ヶ月間放置してもダークスポット(D
S)と呼ばれる非発光領域の存在を肉眼で確認すること
はできなかった。封止をしない場合には1日放置するだ
けでDSが認められるようになるので、ガイド電極が形
成された基板を封止板として利用することで本発光素子
の保存安定性が大きく改善された。
This light emitting device showed a clear pattern display similar to that obtained in Example 1. Furthermore, even if the present light emitting device is left in the air for one month, a dark spot (D
The presence of a non-light emitting region called S) could not be confirmed with the naked eye. In the case where sealing is not performed, DS can be recognized only by leaving for one day, and thus the storage stability of the present light emitting device is greatly improved by using the substrate on which the guide electrode is formed as a sealing plate. .

【0078】実施例4 突起を以下のように形成する以外は実施例1と同様に単
純マトリクス型カラー発光素子を作製した。
Example 4 A simple matrix type color light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the projections were formed as follows.

【0079】40%メタクリル酸、30%メチルメタク
リレートおよび30%スチレンを共重合し、その共重合
体の有する側鎖カルボキシル基に対して0.4当量のグ
リシジルメタクリレートを付加反応させ、側鎖にカルボ
キシル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重
合体を得た。このアクリル系共重合体50重量部、光反
応性化合物として2官能ウレタンアクリレート系オリゴ
マー(日本化薬社製、UX−4101)20重量部およ
びヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコー
ルジアクリレート(日本化薬社製、HX−220)20
重量部にシクロヘキサン200重量部を加え、1時間常
温で撹拌して樹脂成分溶液を得た。この樹脂成分溶液
に、光重合開始剤としてジエチルチオキサントン(日本
化薬社製、DETX−S)8重量部、増感剤としてp−
ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル(日本化薬社
製、EPA)3重量部を加え、さらに着色剤として、ア
ゾ系クロム錯塩の油溶性染料メチルエチルケトン/メチ
ルイソブチルケトン30重量%溶液(オリエント化学社
製、3804T)とフタロシアニン系黒色顔料とを添加
して、20分間常温で撹拌して感光性黒色ペーストを得
た。
40% methacrylic acid, 30% methyl methacrylate, and 30% styrene are copolymerized, and 0.4 equivalent of glycidyl methacrylate is added to the side chain carboxyl group of the copolymer to cause an addition reaction. Acrylic copolymer having a group and an ethylenically unsaturated group was obtained. 50 parts by weight of this acrylic copolymer, 20 parts by weight of a bifunctional urethane acrylate oligomer (UX-4101, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a photoreactive compound, and hydroxypivalate ester neopentyl glycol diacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd.) HX-220) 20
200 parts by weight of cyclohexane was added to parts by weight, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour to obtain a resin component solution. To this resin component solution, 8 parts by weight of diethylthioxanthone (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a photopolymerization initiator and p-
3 parts by weight of dimethylaminobenzoic acid ethyl ester (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EPA) were added, and as a coloring agent, a 30% by weight solution of an azo chromium complex salt oil-soluble dye methyl ethyl ketone / methyl isobutyl ketone (3804T manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) ) And a phthalocyanine-based black pigment were added and stirred at room temperature for 20 minutes to obtain a photosensitive black paste.

【0080】この感光性黒色ペーストの濃度を調節して
からスピンコート法によりパターニングされたITO基
板上に塗布して、クリーンオーブン中、窒素雰囲気下で
80℃、5分間プリベーキングした。この塗布膜にフォ
トマスクを介して紫外線を照射して光硬化させ、0.4
%の2−アミノエタノール水溶液で現像した。その後、
クリーンオーブン中で120℃、30分間ベーキングし
て黒色の突起を形成した。この黒色の突起は図4に示す
ように第一電極2を格子状に露出させるようにしてマト
リクス状に形成されており、幅30μm、高さ約5μm
である。
After adjusting the concentration of the photosensitive black paste, the photosensitive black paste was applied on a patterned ITO substrate by spin coating, and prebaked in a clean oven at 80 ° C. for 5 minutes in a nitrogen atmosphere. The coating film is irradiated with ultraviolet light through a photomask to be light-cured,
% 2-aminoethanol aqueous solution. afterwards,
Baking was performed at 120 ° C. for 30 minutes in a clean oven to form black protrusions. As shown in FIG. 4, the black projections are formed in a matrix so as to expose the first electrodes 2 in a grid pattern, and have a width of 30 μm and a height of about 5 μm.
It is.

【0081】本発光素子は、実施例1で得られたものと
同様に明瞭なパターン表示を示した。さらに、発光領域
の周囲に黒色の突起が形成されており、ブラックマトリ
クスとして機能することから、実施例1に比べて表示コ
ントラストが向上した。
This light emitting device showed a clear pattern display similar to that obtained in Example 1. Further, since a black protrusion is formed around the light emitting region and functions as a black matrix, the display contrast is improved as compared with the first embodiment.

【0082】[0082]

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子およびその製
造方法には以下の効果がある。
The organic electroluminescent device of the present invention and the method of manufacturing the same have the following effects.

【0083】(1)ガイド電極の付加により第二電極が
低抵抗化され、発光素子の消費電力や駆動回路の負担が
低減する。単純マトリクス型ディスプレイのように面内
に複数の画素が存在する発光素子では輝度むらを大きく
低減でき、また、発熱量の低減や放熱効率の増大による
耐久性の向上も期待できる。ディスプレイのサイズが大
きくなるほどこの効果は大きい。
(1) The resistance of the second electrode is reduced by the addition of the guide electrode, so that the power consumption of the light emitting element and the load on the drive circuit are reduced. In a light-emitting element in which a plurality of pixels exist in a plane as in a simple matrix type display, luminance unevenness can be greatly reduced, and a reduction in heat generation and an improvement in durability due to an increase in heat radiation efficiency can be expected. This effect increases as the size of the display increases.

【0084】(2)薄膜層よりも高く形成された突起を
介して第二電極とガイド電極とが接続されるので、両者
の接触不良が起こりにくく、また、ガイド電極が発光領
域を傷つけることも防止される。さらに、マスク蒸着法
によってパターニングを実施する場合にはマスク傷の導
入も防止される。したがって、発光素子の生産効率が向
上される。
(2) Since the second electrode and the guide electrode are connected via the projection formed higher than the thin film layer, poor contact between them is less likely to occur, and the guide electrode may damage the light emitting region. Is prevented. Further, when patterning is performed by the mask evaporation method, introduction of a mask flaw is also prevented. Therefore, the production efficiency of the light emitting device is improved.

【0085】(3)ガイド電極を付加することで複数の
第二電極を電気的に1つの電極として機能させることが
できるので、強度の大きいシャドーマスクを用いて第二
電極をパターニングできる。したがって、シャドーマス
クの平面性、ハンドリング性、密着性が向上するため、
シャドーマスクの耐久性が改善され、また、発光素子の
生産効率が向上される。
(3) Since a plurality of second electrodes can be made to function electrically as one electrode by adding a guide electrode, the second electrodes can be patterned using a shadow mask having high strength. Therefore, the flatness, handling, and adhesion of the shadow mask are improved,
The durability of the shadow mask is improved, and the production efficiency of the light emitting device is improved.

【0086】(4)ガイド電極が形成される基板を利用
して比較的簡単な工程によって封止を実施することがで
きるので、発光素子の保存安定性・耐久性が向上され
る。
(4) Since the sealing can be performed by a relatively simple process using the substrate on which the guide electrode is formed, the storage stability and durability of the light emitting element are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の一例を示す平面図
(発光素子側のみを記載)。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention (only the light emitting device side is shown).

【図2】図1のXX′断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 1;

【図3】図1のYY′断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 1;

【図4】突起の一例を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing an example of a projection.

【図5】突起の一例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing an example of a projection.

【図6】突起の一例を示すXX′断面図。FIG. 6 is an XX ′ cross-sectional view showing an example of a projection.

【図7】突起の一例を示すXX′断面図。FIG. 7 is an XX ′ cross-sectional view showing an example of a projection.

【図8】本発明の有機電界発光素子の一例を示す平面図
(発光素子側のみを記載)。
FIG. 8 is a plan view showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention (only the light emitting device side is shown).

【図9】図8のXX′断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 8;

【図10】第二電極パターニング用シャドーマスクの一
例を示す平面図。
FIG. 10 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a second electrode.

【図11】第二電極パターニング用シャドーマスクの一
例を示す平面図。
FIG. 11 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a second electrode.

【図12】図11のXX′断面図。FIG. 12 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 11;

【図13】第二電極がガイド電極と電気的に接続される
方法の一例を示すXX′断面拡大図。
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view along XX 'showing an example of a method of electrically connecting a second electrode to a guide electrode.

【図14】第二電極がガイド電極と電気的に接続される
方法の一例を示すXX′断面拡大図。
FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view along XX ′ showing an example of a method of electrically connecting a second electrode to a guide electrode.

【図15】第二電極がガイド電極と電気的に接続される
方法の一例を示すXX′断面拡大図。
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view along XX ′ showing an example of a method of electrically connecting a second electrode to a guide electrode.

【図16】第二電極がガイド電極と電気的に接続される
方法の一例を示すXX′断面拡大図。
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view along XX ′ showing an example of a method of electrically connecting a second electrode to a guide electrode.

【図17】封止方法の一例を示すXX′断面図。FIG. 17 is a sectional view taken along line XX ′ showing an example of a sealing method.

【図18】発光層パターニング用シャドーマスクの一例
を示す平面図。
FIG. 18 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a light emitting layer.

【図19】発光層パターニング方法の一例を説明するX
X′断面図。
FIG. 19 illustrates an example of a light emitting layer patterning method.
X 'sectional view.

【図20】従来の有機電界発光素子の一例を示す断面
図。
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional organic electroluminescent element.

【図21】従来の有機電界発光素子の一例を示す平面
図。
FIG. 21 is a plan view showing an example of a conventional organic electroluminescent element.

【図22】図21のXX′断面図。FIG. 22 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 21;

【図23】図21のYY′断面図。FIG. 23 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 21;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 1a 有機電界発光素子が形成される基板 1b ガイド電極が形成される基板 2 第一電極 3 突起 4 ガイド電極 5 正孔輸送層 6 発光層 7 電子輸送層 8 第二電極 9 駆動源 10 薄膜層 11 導電性部分 12 補強手段 13 接着手段 14 封止手段 31 マスク部分 32 開口部 33 補強線 34 フレーム 35 マスク部分の一方の面 36 隙間 37 磁石 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 1a Substrate on which organic electroluminescent element is formed 1b Substrate on which guide electrode is formed 2 First electrode 3 Projection 4 Guide electrode 5 Hole transport layer 6 Light emitting layer 7 Electron transport layer 8 Second electrode 9 Drive source 10 Thin film Layer 11 Conductive part 12 Reinforcement means 13 Adhesion means 14 Sealing means 31 Mask part 32 Opening 33 Reinforcement line 34 Frame 35 One surface of mask part 36 Gap 37 Magnet

フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB11 AB15 AB18 BA06 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA03 AA22 AA25 BA12 BA29 CA19 CA24 DA13 EA05 FA02 FA04 FB12 5C096 AA05 BA04 BC20 CA03 CC07 CC23 Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB11 AB15 AB18 BA06 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA03 AA22 AA25 BA12 BA29 CA19 CA24 DA13 EA05 FA02 FA04 FB12 5C096 AA05 BA04 BC20 CA03 CC07 CC23

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と、少なくと
も有機化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形
成された薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極
とが存在し、前記基板上に複数の発光領域を有する有機
電界発光素子であって、少なくとも一部分が前記薄膜層
の厚さを上回る高さをもつ突起が前記基板上に形成さ
れ、前記突起を介して前記第二電極がその外側に存在す
るガイド電極と電気的に接続されていることを特徴とす
る有機電界発光素子。
A first electrode formed on a substrate, a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound, formed on the first electrode, and a second electrode formed on the thin film layer. Is present, an organic electroluminescent device having a plurality of light emitting regions on the substrate, wherein at least a portion having a height greater than the thickness of the thin film layer is formed on the substrate, via the protrusion Wherein the second electrode is electrically connected to a guide electrode existing outside the second electrode.
【請求項2】第一電極は間隔をあけて基板上に配置され
た複数のストライプ状電極であり、第二電極もしくはガ
イド電極の少なくとも一方は前記第一電極に対して交差
する複数のストライプ状電極であることを特徴とする請
求項1記載の有機電界発光素子。
2. The method according to claim 1, wherein the first electrode is a plurality of striped electrodes arranged on the substrate at intervals, and at least one of the second electrode and the guide electrode is a plurality of striped electrodes intersecting the first electrode. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the device is an electrode.
【請求項3】複数の第二電極がガイド電極と接続される
ことで電気的に1つの第二電極として機能することを特
徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a plurality of second electrodes are electrically connected to the guide electrode to function as one second electrode.
【請求項4】絶縁性の突起の表面に形成された導電性部
分を介して第二電極がガイド電極と電気的に接続されて
いることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素
子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the second electrode is electrically connected to the guide electrode via a conductive portion formed on the surface of the insulating projection.
【請求項5】突起の少なくとも一部分が黒色であること
を特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein at least a part of the projection is black.
【請求項6】突起が第一電極を格子状に露出させるよう
にマトリクス状に形成されてことを特徴とする請求項2
記載の有機電界発光素子。
6. The projection according to claim 2, wherein the projections are formed in a matrix so as to expose the first electrodes in a grid.
The organic electroluminescent device according to claim 1.
【請求項7】有機電界発光素子が形成された基板とは別
の基板上にガイド電極が形成されていることを特徴とす
る請求項1記載の有機電界発光素子。
7. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a guide electrode is formed on a substrate different from the substrate on which the organic electroluminescent device is formed.
【請求項8】有機電界発光素子が形成された基板とガイ
ド電極が形成された基板とを張り合わせることで前記有
機電界発光素子が封止されていることを特徴とする請求
項7記載の有機電界発光素子。
8. The organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the substrate on which the organic electroluminescent device is formed and the substrate on which the guide electrode is formed are laminated to seal the organic electroluminescent device. Electroluminescent device.
【請求項9】ガイド電極の長手方向の電気抵抗が2kΩ
/m以下であることを特徴とする請求項2記載の有機電
界発光素子。
9. The electric resistance in the longitudinal direction of the guide electrode is 2 kΩ.
The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the ratio is not more than / m.
【請求項10】請求項1記載の有機電界発光素子の製造
方法であって、基板上に形成された第一電極をパターニ
ングする工程と、前記基板上に突起を形成する工程と、
薄膜層を形成する工程と、第二電極を形成する工程と、
前記突起を介して前記第二電極をその外側に存在するガ
イド電極と電気的に接続させる工程とを含むことを特徴
とする有機電界発光素子の製造方法。
10. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a step of patterning a first electrode formed on the substrate, and a step of forming a projection on the substrate.
A step of forming a thin film layer, and a step of forming a second electrode,
Electrically connecting the second electrode to a guide electrode existing outside the second electrode via the protrusion.
【請求項11】第二電極を形成する工程において突起の
表面に前記第二電極と電気的に接続された導電性部分を
形成することを特徴とする請求項10記載の有機電界発
光素子の製造方法。
11. The method according to claim 10, wherein in the step of forming the second electrode, a conductive portion electrically connected to the second electrode is formed on the surface of the projection. Method.
【請求項12】第二電極をマスク蒸着法によりパターニ
ングすることを特徴とする請求項10記載の有機電界発
光素子の製造方法。
12. The method according to claim 10, wherein the second electrode is patterned by a mask deposition method.
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