JPH1140370A - Organic el display - Google Patents

Organic el display

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Publication number
JPH1140370A
JPH1140370A JP9198349A JP19834997A JPH1140370A JP H1140370 A JPH1140370 A JP H1140370A JP 9198349 A JP9198349 A JP 9198349A JP 19834997 A JP19834997 A JP 19834997A JP H1140370 A JPH1140370 A JP H1140370A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
substrate
cathode
display
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9198349A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Toru Kohama
亨 小濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP9198349A priority Critical patent/JPH1140370A/en
Publication of JPH1140370A publication Critical patent/JPH1140370A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain uneven brightness and heat generation and make a display possible with a large area by connecting a cathode or an anode to an electrode pattern formed on its outside. SOLUTION: In a typical panel structure, a red luminescent layer 30 is formed on an anode 32 formed into a stripe on a glass substrate 31, and a cathode 29 having approximately equal width as the luminescent layer 30 is produced so as to be orthogonal to an ITO transparent electrode. A back surface substrate 28 is prepared, which is formed with a cathode 27 stripe-patterned in the same shape as a cathode 29 on the back surface substrate 28. The substrates prepared in the above way are affixed to each other so that the electrodes facing each other may conduct, by which a dot matrix panel which is capable of driving at low voltage without generating uneven brightness can be prepared. Sealing of an organic EL element so that it may be isolated from the open air would attain its purpose at the time of affixing work, and sealing for improving durability would be also attained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換して表示を行うディスプレイであって、掲示
板、モニタ、フラットディスプレイなどに利用可能な自
発光ディスプレイに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display for converting electric energy into light and displaying the converted light, and more particularly to a self-luminous display which can be used for a bulletin board, a monitor, a flat display and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われるようになってきた。この素子は、薄型、
低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによ
る多色発光が特徴であり注目を集めている。
2. Description of the Related Art Recently, research has been actively conducted on organic thin-film light-emitting devices in which electrons injected from a cathode and holes injected from an anode emit light when they recombine in an organic phosphor sandwiched between both electrodes. It has become. This element is thin,
It features high-luminance light emission under low drive voltage and multicolor light emission by selecting a fluorescent material, and is attracting attention.

【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である8−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてM
g:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電
圧で1000cd/m2 の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
[0003] This study was carried out by Kodak Corporation. W. Tan
g. et al. showed that the organic laminated thin film element emits light with high luminance (Appl. Phys. Lett. 51 (12)
21, p. 913, 1987), and many research institutions are conducting studies. A typical configuration of an organic laminated thin film light emitting device presented by a research group of Kodak Company is a diamine compound having a hole transporting property and a light emitting layer on an ITO glass substrate.
Aluminum hydroxyquinoline and M as cathode
g: Ag was sequentially provided, and green light emission of 1000 cd / m 2 was possible at a driving voltage of about 10 V. The present organic laminated thin-film light-emitting device has a different configuration, such as a device provided with an electron transport layer in addition to the above-described device components, but basically follows the configuration of Kodak Company.

【0004】本有機積層薄膜発光素子を使用したディス
プレイは、薄型、軽量で自発光のディスプレイを提供で
きる点で従来のディスプレイを凌駕することが期待でき
るが、ディスプレイとして使用するにはまだ解決される
べき課題も多い。その中にパネルの大型化がある。本デ
ィスプレイは電流の注入によって発光するために各画素
にムラなく電流を行き渡らせないと画面上で輝度ムラが
生じてしまう。また無理に発光を行おうとすると高電圧
が必要となるため、駆動が困難になったり発熱の問題な
どが生じてしまう。これは、主に陽極として使用されて
いるITOの比抵抗が大きいことや陰極を真空蒸着法で
作製するために膜厚を厚くできずに大電流を流すことが
困難であることに起因している。特に画面サイズが大き
くなって高デューティになったときは、瞬間的に流れる
電流が非常に多くなるためディスプレイへの負担は急激
に大きくなる。
A display using the present organic laminated thin-film light-emitting device can be expected to surpass a conventional display in that it can provide a thin, lightweight, and self-luminous display, but it is still unsolved for use as a display. There are many issues that need to be addressed. One of them is the enlargement of panels. Since the display emits light by injecting a current, if the current does not spread evenly to each pixel, luminance unevenness occurs on the screen. Further, if light emission is forcibly performed, a high voltage is required, so that driving becomes difficult or a problem of heat generation occurs. This is mainly because the specific resistance of ITO used as the anode is large, and it is difficult to flow a large current because the thickness cannot be increased because the cathode is manufactured by a vacuum deposition method. I have. In particular, when the screen size becomes large and the duty becomes high, the current flowing instantaneously becomes very large, so that the load on the display increases rapidly.

【0005】そこで表示面積を大きくするときには電極
の低抵抗化が必要になってくるが、具体的にはITOの
ような透明電極と金属を組み合わせる方法(特開平2−
253593号公報,特開平5−307997号公報)
が知られている。
In order to increase the display area, it is necessary to lower the resistance of the electrodes. Specifically, a method of combining a transparent electrode such as ITO with a metal (Japanese Unexamined Patent Publication No.
253593, JP-A-5-307997)
It has been known.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ITOと金属
を組み合わせる方法では、透明電極全面に金属を重ねた
場合、金属が光を吸収するために輝度が低下してしまう
し、ガイド電極の場合はパネルの開口率が低下するので
この場合も輝度が低下してしまう問題がある。
However, in the method of combining ITO and a metal, if the metal is overlaid on the entire surface of the transparent electrode, the metal absorbs light, so that the brightness is reduced. Since the aperture ratio of the panel is reduced, there is also a problem that the brightness is reduced in this case as well.

【0007】また、透明でない電極は(多くの場合陰
極)、通常透明電極の上に有機物を順次積層してから最
後に蒸着される場合が多いので膜厚を厚くすると蒸着時
間がかかり有機物へのダメージが無視できなくなるし、
蒸着に長時間が必要になる。この様に本発明に関する有
機EL素子は、基本的に低抵抗の電極を作ることができ
ないために、パネルが大画面化すると輝度ムラが著しく
発生し、素子と電極に負担がかかるため耐久性が低く、
電極の断線などの問題が起こってくる。。
On the other hand, non-transparent electrodes (in many cases, cathodes) are usually formed by sequentially laminating an organic substance on a transparent electrode and then depositing the organic substance in the last step. The damage cannot be ignored,
Long time is required for vapor deposition. As described above, the organic EL device according to the present invention basically cannot produce a low-resistance electrode, so that when the panel is enlarged, luminance unevenness occurs remarkably, and a load is applied to the device and the electrode. Low,
Problems such as disconnection of the electrodes occur. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子がマトリックス
状に配列されたディスプレイであって、陰極若しくは陽
極がその外側に形成された電極パターンと接続されてい
ることを特徴とする有機ELディスプレイとするもので
ある。
In order to achieve the above object, the present invention provides a display in which a substance which emits light exists between an anode and a cathode, and elements which emit light by electric energy are arranged in a matrix. The cathode or anode is connected to an electrode pattern formed outside the cathode or anode.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明は、有機EL素子の陽極若
しくは陰極の外側により抵抗値の低い陰電極パターンを
設けて発光素子へ大電流を低電圧で供給して、輝度ムラ
や発熱の少ないディスプレイを作製するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a negative electrode pattern having a low resistance value outside the anode or cathode of an organic EL element to supply a large current to a light emitting element at a low voltage, thereby reducing luminance unevenness and heat generation. This is for producing a display.

【0010】本発明においては、陽極と陰極のどちらか
一方は透明電極である。具体的な例として酸化錫、酸化
インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの導電性
金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、オスミウムなど
の金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリ
チオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性
ポリマーなど特に限定されるものでないが、光線透過率
と電気伝導度が高いという観点からITOガラスやネサ
ガラスを用いることが特に望ましい。透明電極の抵抗は
素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定さ
れないが、通常低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、この様な低抵抗品を一つの好ま
しい態様として示すことができる。但し、ITOガラス
は、その表面形態や化学組成によって有機EL素子特性
に影響を与えることから低抵抗である程良い訳ではな
く、素子特性と抵抗値のバランスをとって選択する事が
肝要である。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選
ぶ事ができるが、通常100〜300nmの間で用いら
れることが多い。ドットマトリックス表示を行う場合、
画素のエッジ部分の短絡を抑制するためには薄い方が好
ましいので100nm以下でも十分な低抵抗を実現でき
れば用いることが可能である。
In the present invention, one of the anode and the cathode is a transparent electrode. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO); metals such as gold, silver, chromium, and osmium; and inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide; Although conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline are not particularly limited, it is particularly desirable to use ITO glass or Nesa glass from the viewpoint of high light transmittance and high electrical conductivity. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a sufficient current can be supplied for light emission of the element, but it is generally desirable that the resistance is low. For example, 3
An ITO substrate with a resistance of 00 Ω / □ or less functions as an element electrode, but a substrate with a resistance of about 10 Ω / □ can be supplied at present. Can be. However, since the ITO glass affects the organic EL device characteristics depending on its surface morphology and chemical composition, it is not always better to have a lower resistance, and it is important to select the ITO glass by balancing the device characteristics and the resistance value. . The thickness of the ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of usually 100 to 300 nm. When performing dot matrix display,
In order to suppress a short circuit at an edge portion of a pixel, it is preferable to use a thinner one.

【0011】また、本発明での外側に形成された電極パ
ターンと接続される電極が陰極である場合、陽極である
透明電極には、抵抗値を下げるためにガイド電極を設け
たり、透明電極と正孔輸送層の間に透明電極より電気伝
導度の高い薄膜層を設けてもよい。特にガイド電極は、
絶縁層を挿入したり隙間を空けることによって隣接する
透明電極と短絡しないようにすればブラックマトリック
スの役目を兼ねることもできる。この様なものに適した
材料として粉末または薄膜などいかなる形態でもよくア
モルファスまたはグラファイト系の炭素材料、クロム材
料などが好適な物質として例示される。但し、ガイド電
極の役目を果たさないブラックマトリックスの場合は、
上記物質を絶縁化処理して使用するか、染料、顔料など
の有機系化合物の使用も可能である。一方、透明電極用
のガラス基板にはソーダライムガラス、無アルカリガラ
スなどが用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十
分な厚みがあればよいので、0.5mm以上あれば十分
である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イ
オンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ま
しいが、SiO2 などのバリアコートを施したソーダラ
イムガラスも市販されているのでこれを使用できるし、
ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリ(4−メチルペンテン)、ポ
リスチレン、ノルボルネン誘導体の開環重合体、シクロ
ペンタジエン重合体などの基板、シート、フィルムなど
も使用できる。ITO膜形成方法は、電子ビーム法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法、化学反応法
など特に制限を受けるものではない。
Further, when the electrode connected to the electrode pattern formed outside in the present invention is a cathode, a guide electrode is provided on the transparent electrode as an anode to reduce the resistance value. A thin film layer having higher electric conductivity than the transparent electrode may be provided between the hole transport layers. In particular, the guide electrode
By inserting an insulating layer or leaving a gap so as not to short-circuit with an adjacent transparent electrode, it can also serve as a black matrix. As a material suitable for such a material, any form such as a powder or a thin film may be used, and an amorphous or graphite-based carbon material, a chromium material and the like are exemplified as suitable materials. However, in the case of a black matrix that does not serve as a guide electrode,
It is also possible to use the above substance after insulation treatment, or to use an organic compound such as a dye or a pigment. On the other hand, soda lime glass, non-alkali glass, or the like is used for the glass substrate for the transparent electrode, and the thickness is sufficient if the thickness is sufficient to maintain mechanical strength, so that 0.5 mm or more is sufficient. . As for the material of the glass, non-alkali glass is preferred because it is better that ions eluted from the glass are small, but soda lime glass having a barrier coat such as SiO 2 is also commercially available, and can be used.
Substrates, sheets, films, and the like of polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, poly (4-methylpentene), polystyrene, ring-opening polymers of norbornene derivatives, cyclopentadiene polymers, and the like can also be used. The method of forming the ITO film is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, an ion plating method, and a chemical reaction method.

【0012】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウム、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、クロム、炭素などがあげられるが、電子注入効率を
あげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナトリ
ウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれ
ら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、こ
れらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定である
ことが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグネ
シウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)などをド
ーピングして電極としては安定性の高いアルミニウムな
どの金属を使用する方法が好ましい例として挙げること
ができるが、特にこれに限定されるものではない。陰極
の膜厚は30nm〜10μmの間から選ばれるが、特に
限定されない。膜厚を決定する要因としては、外側に形
成された電極パターンと接続するために接触する部分が
その接触に耐える機械的強度と、電流が流れても破壊さ
れない電気的耐性を持ち合わせるように設定されるべき
であり、これは陰極材質、有機材料とその膜厚によって
変化するのでその時々で最適な膜厚を選ぶべきである。
The cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic material layer.
Gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, indium, lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, chromium, carbon, etc., and lithium, sodium for improving the electron injection efficiency and improving the device characteristics , Potassium, calcium, magnesium or alloys containing these low work function metals are effective. However, these low work function metals are generally unstable in the air in many cases. For example, an organic layer is doped with a very small amount of lithium or magnesium (1 nm or less as indicated by a film thickness gauge by vacuum evaporation) to form an electrode. As a preferable example, a method using a metal such as aluminum having high stability can be cited as a preferable example, but the method is not particularly limited thereto. The thickness of the cathode is selected from the range of 30 nm to 10 μm, but is not particularly limited. Factors that determine the film thickness are set so that the part that comes into contact with the electrode pattern formed on the outside has mechanical strength that can withstand the contact and electrical resistance that is not destroyed even when current flows. This should vary depending on the cathode material, the organic material, and the film thickness, so that an optimum film thickness should be selected at each time.

【0013】更に素子を長期間安定に駆動するために、
外気の水分や酸素を遮蔽する目的で白金、金、銀、銅、
鉄、錫、アルミニウム、インジウム、クロムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、珪素、窒化珪素などの無機物、ポリビニルアル
コール、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンの
ような炭化水素系高分子、ポリテトラフルオロエチレン
やポリビニリデンフルオライドのようなフッ素系高分子
やナイロン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデ
ンのような遮蔽性材料として知られている材料を積層す
ることが好ましい例として挙げられる。そしてこれら保
護膜の形成方法は、溶液コーティング法、溶融コーティ
ング法、真空蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、
クラスターイオンビーム法、CVD法、イオン化蒸着
法、プラズマ重合法、蒸着重合法など素子性能に悪影響
を与えない如何なる方法も取り得ることが可能である。
但し、保護層として絶縁物質を使用した場合は、背面に
設けられた電極パターンと接続するための開口部を設け
るか接続部分だけには電気伝導性の高い物質を配するよ
うにする。
Further, in order to drive the element stably for a long time,
Platinum, gold, silver, copper,
Metals such as iron, tin, aluminum, indium, and chromium, or alloys using these metals, and inorganic materials such as silica, titania, silicon, and silicon nitride; and hydrocarbon-based materials such as polyvinyl alcohol, vinyl chloride, polyethylene, and polypropylene. Preferred examples include stacking molecules, fluorine-based polymers such as polytetrafluoroethylene and polyvinylidene fluoride, and materials known as shielding materials such as nylon, polyvinyl alcohol, and polyvinylidene chloride. And the formation method of these protective films is a solution coating method, a melt coating method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electron beam evaporation method,
Any method that does not adversely affect device performance, such as a cluster ion beam method, a CVD method, an ionization vapor deposition method, a plasma polymerization method, and a vapor deposition polymerization method, can be used.
However, when an insulating material is used as the protective layer, an opening for connecting to the electrode pattern provided on the back surface is provided, or a material having high electric conductivity is provided only at the connection portion.

【0014】電気エネルギーにより発光する素子とは、
上述の陽極と陰極間に発光を司る物質が含まれた素子を
指す。本発明は好ましくは有機電界発光素子に用いられ
るが、Zn:Sなどの無機物質からなる無機EL素子な
ど他の発光素子でも本発明の概念が利用可能であれば特
に限定されるものではない。
An element that emits light by electric energy is
It refers to an element in which a substance which emits light is included between the above-described anode and cathode. The present invention is preferably used for an organic electroluminescent device, but is not particularly limited to other light emitting devices such as an inorganic EL device made of an inorganic substance such as Zn: S as long as the concept of the present invention can be used.

【0015】有機電界発光素子は、通常、1)正孔輸送
層/発光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、
3)発光層/電子輸送層、そして、4)以上の組合わせ
物質を一層に混合した形態のいずれであってもよい。即
ち、素子構成としては、上記1)〜3)の多層積層構造
の他に4)のように発光材料と正孔輸送材料および/ま
たは電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよい。
正孔輸送材料としてはその機能を果すものであれば特に
限定されないが、具体的にはポルフィリン系化合物、Q
1−G−Q2(Q1及びQ2は別個に窒素原子及び少な
くとも3個の炭素環−それらの少なくとも1個は芳香族
のもの−を有する基であり、Gはシクロアルキレン基、
アリーレン基、アルキレン基または炭素−炭素結合から
なる連結基である)、N,N’−ジフェニル−N,N’
−ビス(3−フェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニ
ル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、ポリフォスフ
ァゼン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)、
ポリシラン、4,4’,4’’−トリス(3−メチルフ
ェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MT
DATA)、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリ
ル)トリフェニルアミン(TCTA),ビストリフェニ
ルアミンスチリル、トリフェニルアミンオリゴマー、テ
トラまたはヘキサアミン誘導体、PTPDMAをはじ
め、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタ
ロシアニン、金属フタロシアニン、ポルフィリン化合物
などの複素環化合物、ビス(フェニルカルバゾール)、
ビス(o−メチルフェニルカルバゾール)、ビス(m−
メチルフェニルカルバゾール)、ビス(p−メチルフェ
ニルカルバゾール)、ビス(o−メトキシフェニルカル
バゾール)、ビス(m−メトキシフェニルカルバゾー
ル)、ビス(p−メトキシフェニルカルバゾール)、ビ
ス(ナフチルカルバゾール)、ビス(メチルナフチルカ
ルバゾール)、ビス(フェナントロリルカルバゾー
ル)、ビス(エチルカルバゾール)、ビス(フェニルイ
ミノジベンジル)、ビス(m−メチルフェニルイミノジ
ベンジル)、トリス(フェニルカルバゾール)、トリス
(メチルフェニルカルバゾール)、トリス(ナフチルカ
ルバゾール)、トリス(メチルナフチルカルバゾー
ル)、トリス(フェナントロリルカルバゾール)、トリ
ス(エチルカルバゾール)、トリス(フェニルイミノジ
ベンジル)、トリス(m−メチルフェニルイミノジベン
ジル)、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリ
カーボネートやスチレン誘導体、ポリシラン誘導体、な
どをあげることができる。これらの化合物は、積層また
は混合しても使用できる。
The organic electroluminescent device usually comprises 1) a hole transport layer / a light emitting layer, 2) a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer,
3) The light-emitting layer / electron transport layer, and 4) any combination of the above-mentioned combined substances may be used. That is, as the element configuration, it is only necessary to provide a single layer containing a light emitting material, a hole transporting material and / or an electron transporting material as in 4) in addition to the above-described multilayered structures 1) to 3).
The hole transporting material is not particularly limited as long as it fulfills its function. Specifically, the porphyrin compound, Q
1-G-Q2 (Q1 and Q2 are independently a group having a nitrogen atom and at least three carbocycles, at least one of which is aromatic; G is a cycloalkylene group;
An arylene group, an alkylene group or a linking group comprising a carbon-carbon bond), N, N'-diphenyl-N, N '
-Bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-4,
4'-diamine (TPD), N, N'-diphenyl-
N, N′-bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α-NPD), polyphosphazene derivative, polyvinylcarbazole (PVCz),
Polysilane, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MT
DATA), 4,4 ′, 4 ″ -tri (N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA), bistriphenylamine styryl, triphenylamine oligomer, tetra or hexaamine derivatives, PTPDMA, hydrazone compounds, stilbene compounds Compounds, triphenylamine-based compounds, oxadiazole derivatives and phthalocyanines, metal phthalocyanines, heterocyclic compounds such as porphyrin compounds, bis (phenylcarbazole),
Bis (o-methylphenylcarbazole), bis (m-
Methylphenylcarbazole), bis (p-methylphenylcarbazole), bis (o-methoxyphenylcarbazole), bis (m-methoxyphenylcarbazole), bis (p-methoxyphenylcarbazole), bis (naphthylcarbazole), bis (methyl Naphthylcarbazole), bis (phenanthrolylcarbazole), bis (ethylcarbazole), bis (phenyliminodibenzyl), bis (m-methylphenyliminodibenzyl), tris (phenylcarbazole), tris (methylphenylcarbazole) , Tris (naphthylcarbazole), tris (methylnaphthylcarbazole), tris (phenanthrolylcarbazole), tris (ethylcarbazole), tris (phenyliminodibenzyl), tris (m-meth Le phenyl iminodiacetonitrile benzyl), a polymer system can be cited the polycarbonate and styrene derivatives having a monomer in the side chain, a polysilane derivative, and the like. These compounds can be used even if they are laminated or mixed.

【0016】発光材料は、単一の発光材料を用いても、
ドーピング法(ホストとなる蛍光体物質中にゲストとな
るドーパントを混合させてドーパントを発光させる方
法)による混合発光材料を用いてもよい。そして、これ
らホストまたはゲスト分子として利用できる化合物とし
ては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、トリ
ス(ベンゾキノリノラト)アルミニウムをはじめとする
メタルオキシン誘導体、1,4−ジフェニルブタジエ
ン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、スチ
リル化合物、ベンズオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾ
ール誘導体、トランススチルベン、7−ジメチルアミノ
−4−メチルクマリン、3−(2’−ベンズイミダゾイ
ル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリンをはじめと
するレーザー染料として有用であることが知られている
クマリン誘導体、4−(ジシアノメチレン)−2−メチ
ル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4Hピラン
に代表されるジシアノメチレンピラン染料、ジシアノメ
チレンチオピラン染料、シアニン染料、キサンテン染
料、ピリリウム染料、カルボスチリル染料、ペリレン、
テトラセン、ペンタセン、キナクリドン化合物、ターフ
ェニル、クオーターフェニル、キナゾリン化合物、ピロ
ロピリジン、ジアザインダセン骨格を有する化合物、フ
ロピリジン、1,2,5−チアジアゾロピレン誘導体、
ペリノン誘導体、ピロロピロール化合物、スクアリリウ
ム化合物、希土類錯体などの発光体が使用できる。
[0016] Even if a single light emitting material is used,
A mixed light-emitting material obtained by a doping method (a method in which a dopant serving as a guest is mixed with a phosphor substance serving as a host to emit light from a dopant) may be used. Compounds that can be used as these host or guest molecules include tris (8-quinolinolato) aluminum, metal oxine derivatives such as tris (benzoquinolinolato) aluminum, 1,4-diphenylbutadiene, 1,1,4 , 4-Tetraphenylbutadiene, styryl compound, benzoxazole derivative, benzothiazole derivative, transstilbene, 7-dimethylamino-4-methylcoumarin, 3- (2'-benzimidazoyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin Coumarin derivatives known to be useful as laser dyes, and dicyanomethylenepyran dyes typified by 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H pyran , Dicyano methylene thi Opiran dye, cyanine dye, xanthene dye, pyrylium dye, carbostyril dye, perylene,
Tetracene, pentacene, quinacridone compound, terphenyl, quarterphenyl, quinazoline compound, pyrrolopyridine, compound having a diazaindacene skeleton, furopyridine, 1,2,5-thiadiazolopyrene derivative,
Light-emitting materials such as perinone derivatives, pyrrolopyrrole compounds, squarylium compounds, and rare earth complexes can be used.

【0017】ドーピングを行う場合、ドーピング量は、
通常多すぎると濃度消光現象が起こるため、通常ホスト
物質に対して10重量%以下で用いることが好ましく、
更に好ましくは2重量%以下である。ドーピング方法と
しては、ホスト材料との共蒸着法によって形成すること
ができるが、微量のドーピングや再現性を勘案した場
合、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着する方法
やホスト材料とドーパントを二つの部屋に仕切った蒸着
ボートの中に別々に入れて同時に加熱してから蒸着する
方法がある。また、微量のゲスト分子をホスト材料にサ
ンドイッチ状に挟んで使用することも可能である。発光
層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定
されるものではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビ
ーム蒸着が特性面で好ましい。発光層の厚みは、発光を
司る物質の抵抗値にもよるので限定することはできない
が、経験的には10〜1000nmの間から選ばれる。
When doping, the doping amount is
Usually, concentration quenching occurs when the amount is too large, so that it is usually preferable to use 10% by weight or less based on the host substance.
More preferably, it is at most 2% by weight. As a doping method, a co-evaporation method with a host material can be used. There is a method of separately depositing in a deposition boat divided into two rooms, heating them at the same time, and then depositing. It is also possible to use a small amount of guest molecules sandwiched between host materials. The method for forming the light-emitting layer is not particularly limited, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, molecular lamination, and coating. However, resistance heating evaporation and electron beam evaporation are usually preferable in terms of characteristics. The thickness of the light-emitting layer cannot be limited because it depends on the resistance of the substance that controls light emission, but is empirically selected from the range of 10 to 1000 nm.

【0018】電子輸層材料としては、電界を与えられた
電極間において陰極からの電子を効率良く輸送すること
が重要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率
良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力
が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に
優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発
生しにくい物質であることが要求される。このような条
件を満たす物質として電子輸送能を持つ発光物質であ
る、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムなどのオ
キシン系錯体、トリス(ベンズキノリノラト)アルミニ
ウム、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペ
リレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、クマリ
ン、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビス
スチリル誘導体、ピラジン誘導体、ピリジン誘導体、そ
してフェナントロリン誘導体などを用いることができ
る。そして、該電子輸層材料は単独、積層、混合いずれ
の形態も取り得ることが可能であり、発光層や陰極との
組み合わせで最適な形態を取り得る。
As the electron transport layer material, it is important to efficiently transport electrons from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable to have a high electron injection efficiency and to transport the injected electrons efficiently. . For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, a high stability, and a small amount of impurities serving as traps during production and use. Oxin-based complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tris (benzquinolinolato) aluminum, oxadiazole derivatives, triazine derivatives, and perylene derivatives, which are light-emitting substances having an electron-transporting ability, satisfying such conditions. , Perinone derivatives, naphthalene, coumarin, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, bisstyryl derivatives, pyrazine derivatives, pyridine derivatives, and phenanthroline derivatives. The electron transport layer material can take any form of single, laminated, or mixed, and can take an optimal form in combination with a light emitting layer and a cathode.

【0019】本発明においては発光する素子は基本的に
マトリックス状に配列されるが、本発明の概念を利用で
きる表示方法なら他の配列方法においても用いることが
可能である。マトリックスとは、表示のための画素が格
子状に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像
を表示する。画素の形状、サイズは用途によって決ま
る。例えばパソコン、モニター、テレビの画像および文
字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画素
が用いられるし、表示パネルのような大型ディスプレイ
の場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることにな
る。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すれば
よいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並
べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプと
ストライプタイプがある。但し、本発明は、マトリック
スのみならずセグメント方式においても使用可能であ
る。セグメントタイプとは、予め決められた情報を表示
するようにパターンを形成し、決められた領域を発光さ
せることになる。例えば、デジタル時計や温度計におけ
る時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの
動作状態表示、自動車のパネル表示などがあげられる。
そして、前記マトリックス表示とセグメント表示は同じ
パネルの中に共存していてもよい。
In the present invention, the light-emitting elements are basically arranged in a matrix. However, any display method that can utilize the concept of the present invention can be used in other arrangement methods. The matrix refers to a matrix in which pixels for display are arranged in a lattice, and displays a character or an image by a set of pixels. The shape and size of the pixel depend on the application. For example, a square pixel having a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, a monitor, and a television. In the case of a large display such as a display panel, a pixel having a side of mm order is used. . In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. However, the present invention can be used not only in a matrix but also in a segment system. In the segment type, a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined area emits light. For example, there are a time display and a temperature display on a digital clock or a thermometer, an operation state display of an audio device, an electromagnetic cooker, or the like, and a panel display of an automobile.
The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

【0020】ここでマトリックス状に配列された発光層
パターンの一例を図1〜図8に示す(陰極は表示してい
ない)。図1は例えば緑色の単色表示の例であり、発光
画素の一つ一つを独立させてパターニングしている。ガ
ラス基板1の上にストライプ状に形成された透明電極で
あるITOが配され、その上に表示画素のサイズで発光
部分に相当する有機物質を積層させる。最後に陰極をこ
の画素サイズで形成させるか透明電極と直交する形でス
トライプ状に形成させてもよい。但し、パネルでの表示
における各素子でのリーク電流は、クロストーク、消費
電力、素子の耐久性に影響を与えるのでできるだけ少な
くすることが肝要である。そのためにはITO透明電極
と陰電極の短絡をできるだけなくすことが必要であり、
有機物質はITO電極より大きな形でパターニングして
エッジ部分を有機物質で覆い、陰極との短絡を抑制する
方法や陰極をITOのエッジにかからないように少し小
さめに形成することも効果がある。ただモノクロディス
プレイの場合は、有機物を全面にパターニングすること
なく有機物積層膜を形成してもよい。
Here, an example of the light emitting layer patterns arranged in a matrix is shown in FIGS. 1 to 8 (the cathode is not shown). FIG. 1 shows an example of monochromatic display of green, for example, in which each of the luminescent pixels is independently patterned. ITO, which is a transparent electrode formed in a stripe shape, is disposed on the glass substrate 1, and an organic material corresponding to a light emitting portion in a size of a display pixel is laminated thereon. Finally, the cathode may be formed in this pixel size or may be formed in a stripe shape perpendicular to the transparent electrode. However, it is important that the leakage current of each element in the display on the panel be as small as possible because it affects the crosstalk, the power consumption, and the durability of the element. For that purpose, it is necessary to eliminate the short circuit between the ITO transparent electrode and the negative electrode as much as possible.
It is also effective to pattern the organic material in a larger shape than the ITO electrode, cover the edge portion with the organic material, and suppress a short circuit with the cathode, or form the cathode slightly smaller so as not to cover the edge of the ITO. However, in the case of a monochrome display, an organic layered film may be formed without patterning the organic layer over the entire surface.

【0021】次にカラーディスプレイの場合の例を図2
〜図6に示す。図2〜図4はガラス基板上にストライプ
状に形成された透明電極であるITOの上に、画素のサ
イズに合わせて赤4、9または12、緑5、10または
13、青6、11または14の発光体を形成した例を示
す。この三つの違いは、その発光体の配列の違いにあ
る。図2はITO透明基板上に同一発光色の発光体を配
置したものであり、図3はITO透明電極に直交した方
向に同一発光色の発光体を配置し、図4は各発光体をデ
ルタ配置したものである。図2、図3に示すような配置
の場合、同一方向に同色発光体が並ぶことからこれらを
連続的に繋ぐこともできる。その一例を示したのが図5
〜図8である。ITO電極上に同一色を複数の画素に跨
るように有機発光体を形成したものが図5と図7であ
り、ITO電極と直交する方向に同一色で発光体を形成
したものが図6と図8である。特に図5、6、7では、
陰極作製において若干の位置ズレが起こった場合でも、
陽極であるITOと陰極が短絡する確率が一画素ずつ形
成した場合に比べて下がるため、クロストークやその他
の問題が抑制される。但し、いずれの場合もITO電極
より広い範囲で有機薄膜を形成して短絡現象を抑えるこ
とも可能であるし、正孔輸送層を表示部分全面に形成
し、発光材料のみを上記の何れかのパターンにて形成さ
せることも短絡現象を抑制するには効果的である。
FIG. 2 shows an example of a color display.
6 to FIG. FIG. 2 to FIG. 4 show, on ITO, which is a transparent electrode formed in a stripe shape on a glass substrate, red 4, 9, or 12, green 5, 10, or 13, blue 6, 11, or 14 shows an example in which 14 light-emitting bodies are formed. These three differences are in the arrangement of the light emitters. FIG. 2 shows an arrangement in which light emitters of the same emission color are arranged on an ITO transparent substrate, FIG. 3 shows an arrangement of light emitters of the same emission color in a direction perpendicular to the ITO transparent electrode, and FIG. It is arranged. In the case of the arrangement shown in FIGS. 2 and 3, since the same color light-emitting bodies are arranged in the same direction, they can be connected continuously. An example is shown in FIG.
FIG. FIGS. 5 and 7 show organic light-emitting elements formed on the ITO electrode so that the same color extends over a plurality of pixels. FIGS. 6 and 7 show light-emitting elements formed of the same color in a direction perpendicular to the ITO electrode. FIG. In particular, in FIGS.
Even if slight misalignment occurs in the cathode fabrication,
Since the probability of short-circuiting between the anode ITO and the cathode is reduced as compared with the case where one pixel is formed, crosstalk and other problems are suppressed. However, in any case, it is possible to suppress the short circuit phenomenon by forming an organic thin film in a wider range than the ITO electrode, or to form a hole transport layer on the entire display portion and to use only one of the above luminescent materials. Forming in a pattern is also effective in suppressing the short circuit phenomenon.

【0022】素子の陰極作製方法とその前に行うドーピ
ング処理方法については上述の通りであるが、その形態
については発光体と同じ形状で形成する方法、発光体よ
りやや小さめに作ってITOと陰電極の間のリーク電流
を抑える方法の何れの方法も取り得るし、例えばITO
のエッジ部分が絶縁物や有機物で覆われている時には逆
に陰電極をITOより大きめに形成する事によって、水
分や酸素が有機EL素子の側面から進入することを抑え
て発光面積が減少することを抑制できる。また、上述の
独立した各発光体に対応する形で、陰電極を作製せずと
も各画素に跨るように陰極を形成することも可能であ
る。但し、この場合には前記図1〜図8に示すようなド
ットマトリックスの発光画素によってキャラクターや画
像を表示する場合、ITO透明電極に直交する方向で陰
電極を作製するべきである。また、各画素に対応して形
成された陰極同士を繋ぐように第2の陰極を形成しても
よいこの効果は、第2の陰極の幅を画素幅より狭くすれ
ば、位置ズレによっても隣の画素と短絡せずに更に陰極
の抵抗値を下げることができることである。また、第2
の陰極はこれとは別の機能を果たすこともできる。それ
は、外側にパターン化された電極との接触を容易ならし
める効果も持ち合わせている。これは、有機ELが形成
された基板とパターン電極を形成した基板の平滑性の問
題であり、どの部分も一様に接触できる保証がないため
である。そこで第2の電極を緩衝層として用いることに
より、どの部分においても一様な接触を可能ならしめる
ものである。従って緩衝層として用いる場合、第2の陰
極は各画素に跨る必要はなく、基板のうねりを吸収でき
るだけの膜厚があって、接触部分によって異なる高さで
接触できるようにある程度柔らかな材質が好ましい態様
として例示することができる。但し、外側に形成された
電極パターンと発光層との密着性が良好である場合には
陰極を作製することなく、電極パターンを発光層に密着
させる方法も取り得る。
The method of manufacturing the cathode of the device and the doping method performed before it are as described above. The form is the same as that of the luminous body. Any of the methods for suppressing the leak current between the electrodes can be used.
Conversely, when the edge portion of is covered with an insulator or an organic material, the negative electrode is formed to be larger than ITO, so that moisture and oxygen are prevented from entering from the side of the organic EL element, and the light emitting area is reduced. Can be suppressed. In addition, it is also possible to form a cathode so as to straddle each pixel without forming a negative electrode in a form corresponding to each of the above-mentioned independent light-emitting bodies. However, in this case, when a character or an image is displayed by the light emitting pixels of the dot matrix as shown in FIGS. 1 to 8, the negative electrode should be formed in a direction orthogonal to the ITO transparent electrode. Further, the second cathode may be formed so as to connect the cathodes formed corresponding to the respective pixels. This effect is obtained by making the width of the second cathode narrower than the pixel width, even if the width of the second cathode is smaller than the pixel width. That the resistance value of the cathode can be further reduced without short-circuiting with the pixel. Also, the second
The cathode can perform another function. It also has the effect of facilitating contact with the outer patterned electrodes. This is a problem of the smoothness of the substrate on which the organic EL is formed and the substrate on which the pattern electrode is formed, and there is no guarantee that any portions can be uniformly contacted. Therefore, by using the second electrode as a buffer layer, uniform contact can be made at any part. Therefore, when used as a buffer layer, the second cathode does not need to straddle each pixel, but is preferably a material which has a thickness enough to absorb the undulation of the substrate and is somewhat soft so that it can be contacted at different heights depending on the contact portion. It can be illustrated as an embodiment. However, when the adhesion between the electrode pattern formed on the outside and the light emitting layer is good, a method in which the electrode pattern is brought into close contact with the light emitting layer without preparing a cathode may be adopted.

【0023】本発明において外側に形成された電極パタ
ーンは、通常有機EL素子が形成される基板以外の基板
上(以後背面基板と表記する)に作られる。従って、最
終的には有機EL素子を作り込んだ基板と電極パターン
を形成した背面基板とを電気的導通を取りながら張り合
わせる格好になる。背面基板の材質は電極パターンが作
製できれば特に限定されないが、一例を挙げるとアルミ
ナ、窒化珪素、炭化珪素などのセラミックス基板、ソー
ダライムガラス、無アルカリガラスなどのガラス基板、
表面が絶縁化処理されたステンレス、鉄、アルミニウ
ム、錫、クロム、ニッケル、銅などの金属基板、ベーク
ライト、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホン、ABS、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチ
レンテレフタレート、ナイロン6、ナイロン66、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、液晶ポリマー、ポリメタクリ
ル酸メチルまたはその共重合体、アクリル酸メチルまた
はその共重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、アラ
ミド樹脂などのポリマー基板から選ばれる少なくとも一
種類の樹脂を単一、混合、若しくは積層することにより
作製する。
In the present invention, the electrode pattern formed on the outside is usually formed on a substrate other than the substrate on which the organic EL element is formed (hereinafter referred to as a rear substrate). Therefore, the substrate in which the organic EL element is formed and the back substrate in which the electrode pattern is formed are finally attached while maintaining electrical continuity. The material of the back substrate is not particularly limited as long as an electrode pattern can be produced, but examples thereof include alumina, silicon nitride, a ceramic substrate such as silicon carbide, soda lime glass, a glass substrate such as non-alkali glass,
Metal substrates such as stainless steel, iron, aluminum, tin, chromium, nickel, and copper whose surfaces are insulated, bakelite, polyimide, polysulfone, polyethersulfone, ABS, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, nylon 6, nylon 66, Selected from polymer substrates such as polytetrafluoroethylene, polyvinylidene chloride, polyethylene, polypropylene, liquid crystal polymer, polymethyl methacrylate or its copolymer, methyl acrylate or its copolymer, epoxy resin, maleimide resin, and aramid resin It is manufactured by singly, mixing, or laminating at least one kind of resin.

【0024】本発明における背面基板は、電極パターン
の支持体である他に有機EL素子を封止するための遮蔽
板の役割を持たせることができる。この時、基板はガス
バリア性を持つことが必要である。特にポリマー基板の
場合は、ガス透過率を低くする必要があるので、片方も
しくは両方の面にシリカ、チタニア、酸化アンチモン、
酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化錫、酸化
インジウム、酸化インジウム錫などのガスバリア膜をコ
ーティング、ゾル−ゲル法、真空蒸着などの方法によっ
て作ってもよいし、ポリマー中にガラスや金属の微粒子
を混合してポリマー部分の容積を減らしてガスの透過率
を下げることも可能である。この時の微粒子としては、
アルミナ、シリカ、窒化珪素、炭化珪素、ガラス、金
属、炭素などガス透過率を下げる効果のあるものであれ
ば特に限定されない。基板の板厚は、形態保持ができ、
ガスバリア性があれば特に限定されないが、本ディスプ
レイは携帯用途など薄型軽量が必要な場合には、上記特
性を維持しながらできるだけ薄くできる方がよい。また
背面基板は、上記のような条件を満たすシートやフィル
ムの形状を成していてもかまわない。背面基板の平滑度
はできるだけ平滑である方が好ましいことが多いが、有
機EL素子基板と背面基板を電気的に接続する部分が基
板のうねりを吸収できるほどの高さであれば特に平滑で
ある必要はない。但し、基本的には有機EL素子基板も
背面基板も研磨などをして平滑にした方が良好な結果を
与えることが多い。しかし、研磨を行うと工程数が増え
ることからできるだけ研磨を行わないで良好な接続がで
きるようにするべきである。
The back substrate according to the present invention can serve as a shielding plate for sealing the organic EL element in addition to the support for the electrode pattern. At this time, the substrate needs to have gas barrier properties. In particular, in the case of a polymer substrate, it is necessary to lower the gas permeability, so silica or titania, antimony oxide,
A gas barrier film of magnesium oxide, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide, etc. may be formed by a method such as coating, sol-gel method, vacuum deposition, etc., or glass and metal fine particles are mixed in a polymer. It is also possible to reduce the volume of the polymer portion to lower the gas permeability. As the fine particles at this time,
There is no particular limitation as long as it has an effect of lowering the gas permeability, such as alumina, silica, silicon nitride, silicon carbide, glass, metal, and carbon. The board thickness can maintain the shape,
There is no particular limitation as long as the display has gas barrier properties. However, when the display is required to be thin and lightweight, such as for portable use, it is preferable that the display can be made as thin as possible while maintaining the above characteristics. The back substrate may have a sheet or film shape satisfying the above conditions. It is often preferable that the smoothness of the back substrate is as smooth as possible, but it is particularly smooth if the portion electrically connecting the organic EL element substrate and the back substrate is high enough to absorb the undulation of the substrate. No need. However, it is often the case that the organic EL element substrate and the rear substrate are preferably smoothed by polishing or the like to give a good result. However, when polishing is performed, the number of steps increases, so that good connection should be made without polishing as much as possible.

【0025】本発明に於いて背面基板に形成される電極
パターンは、大画面有機ELパネルに大きな発熱や電圧
上昇を伴わないで十分な電流を供給できることを目的と
する物であり、更には薄膜金属電極で発生するマイグレ
ーション現象も抑制する事を目的とする物である。従っ
て、この目的を達成するためには、従来から知られてい
る如何なる方法も使用できる。例えばベークライトやポ
リイミドの銅張り基板など金属と張り合わせた基板の金
属部分をフォトリソグラフィー法によってパターニング
する方法、導電ペーストをスクリーン印刷法などの手法
によって印刷し、必要によっては焼成する方法、同じく
導電性ペーストをフォトリソグラフィー法によってパタ
ーニングする方法、感光性導電ペーストをフォトリソグ
ラフィー法によってパターニングし必要によっては焼成
する方法などが例示できるが目的のパターンが得られ前
記機能が発現出来れば特にこれらの手法には限定されな
い。但し、パターンの解像度は、金属基板のエッチング
法、スクリーン印刷法、感光性ペースト法の順に上がっ
ていくので、パターンの形状やサイズに合わせて効果的
な手法を適用すべきである。電極の材質としては、金
(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(P
d)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、白金
(Pt)、クロム(Cr)、インジウム(In)、鉛
(Pb)、マグネシウム(Mg)等の金属またはAg
(30〜80)−Pd(70〜20)、Ag(40〜7
0)−Pd(60〜10)−Pt(5〜20)、Ag
(30〜80)−Pd(60〜10)−Cr(5〜1
5)、Pt(20〜40)−Au(60〜40)−Pd
(20)、Au(75〜80)−Pt(25〜20)、
Au(60〜80)−Pd(40〜20)、Ag(40
〜95)−Pt(60〜5)、Ag(80〜98)−P
d(20〜2)、Ag(90〜98)−Pd(10〜
2)−Pt(2〜10)、Ag(85〜98)−Pt
(15〜2)(以上( )内は重量%を表わす)などの
2元系や3元系の混合金属粉末や上記金属を含む合金、
炭素、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、
ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン
などパターニングが可能で導電性がある物質であれば如
何なるものも使用できるし、これらを混合若しくは積層
してもよい。輝度ムラを起こさず低電圧で駆動できると
いう観点からは比抵抗の低い材質または組み合わせが好
ましいが、比抵抗が高くとも電極の膜厚を厚くすれば低
抵抗化できることから、目的に応じて材質や形態は選定
すればよい。一方、本発明における電極パターンは、特
に焼成する場合において基板との熱膨張係数の差が問題
になり、基板と電極材料のそれが著しく異なると、剥離
などの現象が起こって目的とするパターンが得られない
ことがある。この様な場合、二つの材料の中間の熱膨張
係数を持つ緩衝層を設けることによって問題を解決でき
ることがある。
In the present invention, the electrode pattern formed on the rear substrate is intended to be able to supply a sufficient current to a large-screen organic EL panel without large heat generation or voltage rise. The purpose is to suppress the migration phenomenon occurring at the metal electrode. Therefore, any conventionally known method can be used to achieve this purpose. For example, a method of patterning the metal part of a substrate bonded to a metal such as a bakelite or polyimide copper-clad substrate by photolithography, a method of printing a conductive paste by a method such as a screen printing method and, if necessary, a method of baking, and a method of also using a conductive paste. Can be exemplified by a method of patterning by a photolithography method, a method of patterning a photosensitive conductive paste by a photolithography method, and baking if necessary.However, if the desired pattern can be obtained and the above function can be exhibited, these methods are particularly limited. Not done. However, the resolution of the pattern increases in the order of the metal substrate etching method, the screen printing method, and the photosensitive paste method. Therefore, an effective method should be applied according to the shape and size of the pattern. The materials of the electrodes include gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), palladium (P
d) a metal such as nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), chromium (Cr), indium (In), lead (Pb), magnesium (Mg) or Ag
(30-80) -Pd (70-20), Ag (40-7)
0) -Pd (60-10) -Pt (5-20), Ag
(30-80) -Pd (60-10) -Cr (5-1
5), Pt (20-40) -Au (60-40) -Pd
(20), Au (75-80) -Pt (25-20),
Au (60-80) -Pd (40-20), Ag (40
~ 95) -Pt (60 ~ 5), Ag (80 ~ 98) -P
d (20-2), Ag (90-98) -Pd (10
2) -Pt (2-10), Ag (85-98) -Pt
Binary or ternary mixed metal powders such as (15-2) (where the parentheses indicate weight%), alloys containing the above metals,
Carbon, polypyrrole, polyaniline, polythiophene,
Any substance that can be patterned and has conductivity, such as polyacetylene, polyphenylenevinylene, and polysilane, can be used, or they can be mixed or laminated. From the viewpoint of driving at a low voltage without causing luminance unevenness, a material or a combination having a low specific resistance is preferable.However, even if the specific resistance is high, the resistance can be reduced by increasing the film thickness of the electrode. The form may be selected. On the other hand, in the electrode pattern of the present invention, the difference in the coefficient of thermal expansion between the substrate and the substrate becomes a problem, particularly in the case of baking. May not be obtained. In such a case, the problem may be solved by providing a buffer layer having a thermal expansion coefficient intermediate between the two materials.

【0026】パターン形状は、そのパネルの駆動方法に
よるので一概には示せないが、基本的には有機EL基板
上に形成される素子の少なくとも一つ以上の画素電極と
接触できるような形状にする必要がある。前記図1〜図
8に示すようなドットマトリックスパネルでは、背面電
極パターンはITO透明電極に直交する方向にストライ
プ状に形成される。本発明において代表的なパネル構造
を図9に示す。図1に示したガラス基板上31上にスト
ライプ状に形成された透明電極32の上に発光画素30
を形成し、ITO透明電極に直交するように発光画素と
ほぼ同程度の幅を持つ陰電極29を作製する。一方、背
面基板28の上に陰電極と同じ形状でストライプ形状に
パターン化した電極27を形成した背面基板を作製す
る。この様にして作製した基板同士を対向する電極同士
が導通するように張り合わせることによって、輝度ムラ
がなく低電圧で駆動が可能なドットマトリックスパネル
ができあがる。更に張り合わせの際に有機EL素子が外
気と遮断されるように封止されれば上記目的を達した上
に耐久性を延ばすための封止も同時にできることにな
る。
The pattern shape is not generally shown because it depends on the driving method of the panel. However, basically, the pattern shape is such that it can contact at least one or more pixel electrodes of the elements formed on the organic EL substrate. There is a need. In the dot matrix panel as shown in FIGS. 1 to 8, the back electrode pattern is formed in a stripe shape in a direction orthogonal to the ITO transparent electrode. FIG. 9 shows a typical panel structure in the present invention. The luminescent pixels 30 are formed on the transparent electrodes 32 formed in stripes on the glass substrate 31 shown in FIG.
Is formed, and a negative electrode 29 having a width substantially equal to that of the light emitting pixel is manufactured so as to be orthogonal to the ITO transparent electrode. On the other hand, a back substrate is formed in which an electrode 27 patterned in a stripe shape in the same shape as the negative electrode is formed on the back substrate. By bonding the substrates manufactured in this manner so that the electrodes facing each other are conductive, a dot matrix panel that can be driven at low voltage without luminance unevenness is completed. Furthermore, if the organic EL element is sealed so as to be shielded from the outside air at the time of bonding, the above-mentioned purpose can be achieved and sealing for extending the durability can be performed at the same time.

【0027】封止を行う際、両基板間には、シリカゲ
ル、ゼオライト、炭素粉末、活性炭、塩化カルシウム、
活性アルミナ、無水過塩素酸マグネシウム、酸化バリウ
ムなどの防湿剤、アルカリ金属、アルカリ土類金属など
の水分と反応する物質などを入れて微量に進入する水分
をトラップすることも素子の耐久性を向上させる上で有
効である。封止する手段としては、エポキシ樹脂、シア
ノアクリレート系樹脂、アクリル若しくはエポキシ系光
硬化性樹脂などが好適な例として示されるが、これらに
限定されるものではない。
At the time of sealing, silica gel, zeolite, carbon powder, activated carbon, calcium chloride,
Includes moisture-repellents such as activated alumina, anhydrous magnesium perchlorate, and barium oxide, and substances that react with moisture such as alkali metals and alkaline earth metals. It is effective in making Suitable examples of the sealing means include, but are not limited to, epoxy resin, cyanoacrylate resin, acrylic or epoxy photocurable resin, and the like.

【0028】有機EL素子の陰電極と背面基板に形成さ
れた電極パターンの電気的接続法は特に定まったものは
ないが、単に対面電極パターンを有機EL素子の陰電極
に接触させる以外に、一例として異方性導電膜の使用、
有機EL素子または背面電極のどちらかまたは両方に導
電性突起を形成して、電気的に導通させる方法などが挙
げられる。その一例を図10〜図18に示す。ガラス基
板36の上に有機EL発光素子35が形成される。一
方、背面基板の上には電極パターン33が形成されてい
る。両基板の平滑性が高ければそのまま張り合わせるこ
とも可能であるが、通常は両電極間の導通を取るための
緩衝層として、基板の片方若しくは両方に導電性突起を
設けるとよい。その断面形状は半球状(図10、11、
16)、矩形状(図12、13、17)、台形状(図1
4、15、17)など種々の形がとれ、また上面から見
た形状は球状、楕円、多角形、星型など特に形状は限定
されない。但し、これらの形状は両基板を張り合わせた
際に他の素子と短絡しない範囲で潰れるように変形して
もよい。また、これら突起物は全ての画素に対応する形
で配置する必要はなく、効率的に間引くことも可能であ
る。突起物の材質は、基板間の隙間をある程度の範囲内
で埋めるようにして導通しなくてはならないので、張り
合わせ圧力によって比較的容易に変形する材質が好まし
い。一例を示すと金、銅、アルミニウム、インジウム、
鉛、マグネシウムなどが挙げられるがこれらに限定され
るものではない。突起の高さは、基板間にできる最大隙
間より高くないとその目的を達することができない。従
って両基板はやはりなるだけ平滑にするか、同じように
うねった形状している状態が導通を取りやすい。高さを
稼ぐには有機EL素子の陰極上と陰極パターン上の両方
に突起を形成した方が有利であるが、素子上に高い突起
を作ると素子性能の低下を引き起こすことがあるので注
意が必要である。突起の作製方法としては、真空蒸着、
電子ビーム法、スパッタ法などの真空技術を利用したも
のから、スクリーン印刷、感光性導電ペーストを用いる
方法などあらゆる方法が使用可能であるが、有機EL素
子状に形成する場合は、真空技術を用いた方が素子特性
の低下が抑制できる。
The method of electrically connecting the negative electrode of the organic EL element to the electrode pattern formed on the rear substrate is not particularly defined, but is not limited to simply contacting the facing electrode pattern with the negative electrode of the organic EL element. Use of anisotropic conductive film as
A method of forming a conductive projection on one or both of the organic EL element and the back electrode and electrically connecting the same to each other may be used. One example is shown in FIGS. An organic EL element 35 is formed on a glass substrate 36. On the other hand, an electrode pattern 33 is formed on the rear substrate. If both substrates have high smoothness, it is possible to bond them as they are, but usually, it is preferable to provide conductive protrusions on one or both of the substrates as a buffer layer for establishing conduction between both electrodes. The cross-sectional shape is hemispherical (FIGS. 10, 11,
16), rectangular (FIGS. 12, 13, 17), trapezoidal (FIG. 1)
4, 15 and 17) and various shapes such as spherical, elliptical, polygonal and star-shaped are not particularly limited. However, these shapes may be deformed such that when the two substrates are bonded together, they are crushed within a range that does not cause a short circuit with another element. In addition, it is not necessary to arrange these protrusions in a form corresponding to all pixels, and it is possible to efficiently thin out the protrusions. Since the material of the projections must be electrically connected so as to fill the gap between the substrates within a certain range, a material that is relatively easily deformed by the bonding pressure is preferable. For example, gold, copper, aluminum, indium,
Examples include, but are not limited to, lead and magnesium. If the height of the projection is not higher than the maximum gap that can be formed between the substrates, the purpose cannot be achieved. Therefore, it is easy for both substrates to conduct as much as possible, or to have the same undulating shape. In order to increase the height, it is advantageous to form protrusions on both the cathode and the cathode pattern of the organic EL element. However, care must be taken because forming high protrusions on the element may cause deterioration in element performance. is necessary. As a method of forming the projection, vacuum deposition,
Any method such as screen printing and a method using a photosensitive conductive paste can be used, such as a method using a vacuum technique such as an electron beam method or a sputtering method. However, when the organic EL element is formed, the vacuum technique is used. This can suppress the deterioration of the device characteristics.

【0029】更に有機EL素子の耐久性まで考慮すると
素子の外周部には保護膜を設けることが有効な手段とな
る。図19にはその概念図を示している。素子の外周部
に絶縁性の遮蔽膜を形成して素子の内部への水分や酸素
の進入を防いでいる。但し、全ての部分を絶縁化してし
まうと、有機EL素子への電力供給ができなくなってし
まうことから導電性突起37を形成して導通を取りなが
ら遮蔽するものである。遮蔽層の材質は前述した電極保
護材料がそのまま使用できる。
In consideration of the durability of the organic EL device, it is effective to provide a protective film on the outer peripheral portion of the device. FIG. 19 shows a conceptual diagram thereof. An insulating shielding film is formed on the outer periphery of the element to prevent moisture and oxygen from entering the inside of the element. However, if all parts are insulated, power cannot be supplied to the organic EL element. Therefore, the conductive projection 37 is formed to shield the element while maintaining conduction. As the material of the shielding layer, the above-described electrode protection material can be used as it is.

【0030】また別法としてビアホールを形成した基板
に電極パターンを形成してその後に有機EL素子を作り
込んだ基板と張り合わせる方法も使用できる。図20と
図21にその概略図を示す。まず図20に示すようにガ
ラス基板38上に有機EL素子(陰電極まで形成されて
いる)39を作製する。一方、ビアホール40とその周
辺に隔壁41を作製した基板(例えばアルミナ製)43
上とビアホール内に電極パターン42を形成する。両基
板の電極部分の位置合わせを行い固定し、背面から金属
(例えばアルミニウム、銀)を真空蒸着する。これによ
って電極パターンと有機EL素子が電気的に導通する。
更に背面に付着した金属は隔壁41によって内部の電極
パターンと導通する事はなく、電極パターンと素子のみ
が導通する。ただ、背面に付着した金属を蒸着した後に
剥離する場合は、隔壁を形成する必要はない。付着金属
の剥離は、主に物理的手法をもって行うか若しくは基板
の背面に接着力の弱い層を設けることによってリフトオ
フ形式で剥離してもよい。
As another method, a method in which an electrode pattern is formed on a substrate in which a via hole is formed, and then the substrate is bonded to a substrate in which an organic EL element is formed can be used. 20 and 21 show schematic diagrams thereof. First, as shown in FIG. 20, an organic EL element (formed up to the negative electrode) 39 is formed on a glass substrate. On the other hand, a substrate (for example, made of alumina) 43 having a via hole 40 and a partition wall 41 formed around the via hole 40
An electrode pattern 42 is formed above and in the via hole. The electrodes of both substrates are aligned and fixed, and a metal (for example, aluminum or silver) is vacuum-deposited from the back surface. As a result, the electrode pattern and the organic EL element are electrically connected.
Further, the metal adhering to the back surface does not conduct to the internal electrode pattern by the partition 41, and only the electrode pattern and the element conduct. However, when the metal adhering to the back surface is removed after being deposited, it is not necessary to form a partition. The adhered metal may be peeled off mainly by a physical method, or may be peeled off by a lift-off method by providing a weak adhesive layer on the back surface of the substrate.

【0031】一方、背面板の上には、単なる電極パター
ンだけでなくスイッチング機能をもつ素子を作り込むこ
とができる。本発明の場合、有機EL素子とは全く別途
にスイッチング機能を持つ素子が作製できることから基
板温度も高く設定できるため、アモルファスシリコンや
ポリシリコンの高性能の素子が作り込める。この場合、
開口部が必要ないことからスイッチング素子部分に比較
的大きな面積が割り当てられるため大電流駆動にも耐
え、特性が優れしかも歩留まりも高いスイッチング素子
を作れる。これらの駆動装置を用いて定電圧若しくは定
電流駆動によって素子の表示を行うことができる。駆動
には、パルス信号、逆バイアス信号、階段状信号、鋸波
信号、浮遊容量放出など如何なる駆動信号も取り得るこ
とが可能である。
On the other hand, an element having a switching function as well as a simple electrode pattern can be formed on the back plate. In the case of the present invention, since an element having a switching function can be manufactured completely separately from the organic EL element, the substrate temperature can be set high, and a high-performance element of amorphous silicon or polysilicon can be manufactured. in this case,
Since an opening is not required, a relatively large area is allocated to the switching element portion, so that the switching element can withstand a large current drive, and has excellent characteristics and a high yield. The display of the element can be performed by constant voltage or constant current driving using these driving devices. For driving, any driving signal such as a pulse signal, a reverse bias signal, a step signal, a sawtooth signal, and a stray capacitance discharge can be obtained.

【0032】また、発光素子の駆動方法は、その駆動用
電極によって類別できる。即ち、数字表示、アナログ・
バーグラフ表示に適したセグメント表示、記号表示、パ
ターン表示に適する固定パターン表示、キャラクタ表
示、グラフィック表示、ビデオ表示に適するマトリック
ス表示などが挙げられる。マトリックス表示とは、陽極
および陰極がそれぞれ帯状行電極もしくは他方の帯状列
電極を構成し、任意の交点に選択的に電圧印加すること
で任意のパターンを表示できるものである。駆動の方法
としては、表示すべきセグメント電極をそれぞれ個別
に、かつ同時に駆動するスタティック駆動、多けたの数
字表示のように比較的多数のセグメント電極を用いる場
合やマトリックス電極構成の場合に適用されるマルチプ
レックス駆動(線順次駆動)、そして走査電極と信号電
極のマトリックス交点部の画素ごとにスイッチ素子と必
要に応じキャパシタ素子を付加、集積し、コントラスト
やレスポンスなどの表示特性の向上をはかったアクティ
ブマトリックス駆動が挙げられる。用途に応じて適切な
る駆動方法が異なるため特に好ましい駆動方法は限定さ
れないが、例えばマトリックス駆動を用いた小型ディス
プレイの場合は、構造が簡素な線順次駆動方法が好まし
い例として挙げることができる。また、決まった領域の
みを発光させるためには陽極または陰極を所定の形状に
加工し、その形状に発光させることができるし、面状発
光体として使用することも可能である。更に本発明の素
子の駆動には、直流、交流、パルス電源いずれの電源を
使用しても良い。
The driving method of the light emitting element can be classified according to the driving electrode. That is, numerical display, analog
Examples include segment display suitable for bar graph display, symbol display, fixed pattern display suitable for pattern display, character display, graphic display, and matrix display suitable for video display. In the matrix display, an anode and a cathode constitute a strip row electrode or the other strip column electrode, respectively, and an arbitrary pattern can be displayed by selectively applying a voltage to an arbitrary intersection. The driving method is applied to a case where a relatively large number of segment electrodes are used as in the case of a static drive in which segment electrodes to be displayed are individually and simultaneously driven, a large number of digits are displayed, or a matrix electrode configuration. Multiplex drive (line-sequential drive), and active elements that add and integrate switch elements and capacitor elements as necessary for each pixel at the intersection of the scanning electrode and signal electrode matrix to improve display characteristics such as contrast and response Matrix driving is mentioned. A particularly preferable driving method is not limited because an appropriate driving method differs depending on the application. For example, in the case of a small display using matrix driving, a line sequential driving method having a simple structure can be cited as a preferable example. Further, in order to emit light only in a predetermined region, the anode or the cathode can be processed into a predetermined shape, and can emit light in that shape, or can be used as a planar light emitting body. Further, any one of a direct current, an alternating current, and a pulse power source may be used for driving the element of the present invention.

【0033】駆動回路は、別途に作製して本発明のパネ
ルの電極と接続すればよいが、背面基板や有機EL作製
基板上にポリシリコンなどを利用して予め作り込んでお
けば、パネルの方が駆動LSIより薄くなったとしても
問題が起こらないし、薄型LSIの検討をしなくても済
む。
The driving circuit may be separately manufactured and connected to the electrodes of the panel of the present invention. However, if the driving circuit is formed in advance on the back substrate or the organic EL manufacturing substrate using polysilicon or the like, the driving circuit of the panel can be formed. Even if the drive LSI is thinner than the drive LSI, no problem occurs, and it is not necessary to consider a thin LSI.

【0034】また本発明の素子は、エージング処理によ
って素子特性が安定化する。エージング処理は、直流定
電流(電圧)、定電流(電圧)パルス、交流、階段状電
流(電圧)、漸増電流(電圧)、漸減電流(電圧)等が
用いられるが、処理後の発光効率を高く維持できること
と処理の簡便さの点から定電流処理が最も好ましい例と
して挙げられる。処理時間は、特に制限があるわけでは
ないがエージング中の輝度低下が緩やかになった時をも
って終了とすることが望ましい。これは、多くの場合、
輝度変化が緩やかになったところで素子は安定化するた
め、長期間の駆動における輝度保持やショートによる発
光の停止が抑制されるためである。
The characteristics of the device of the present invention are stabilized by the aging treatment. The aging process uses a DC constant current (voltage), a constant current (voltage) pulse, an alternating current, a stepped current (voltage), a gradually increasing current (voltage), a gradually decreasing current (voltage), and the like. The constant current processing is the most preferable example in terms of being able to maintain a high level and simplicity of the processing. Although the processing time is not particularly limited, it is desirable to end the processing when the luminance decrease during aging becomes gentle. This is often
This is because the element is stabilized when the change in luminance becomes gentle, so that the stop of light emission due to short-circuiting of luminance or short-circuiting during long-term driving is suppressed.

【0035】[0035]

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0036】実施例1 (1)有機EL素子基板の作製 縦18cm、横23cmの無アルカリガラス(コーニン
グ社製7059)の片面を研磨して板厚を1.1±0.
05mm(ダイヤルゲージ測定時)に調整した。このガ
ラス基板を洗浄後、ITOをスパッタリング法によって
135nmの膜厚に形成し、その時の抵抗値は15Ω/
□であった。このITO基板を縦方向に300μmピッ
チ(ライン幅250μm)のストライプを640本形成
した。本ITO基板に感光性ポリイミド中に絶縁化処理
を施した炭素粉末を分散したペーストをスピンコート
し、140℃においてプリベーク後、ITOストリップ
間にITOに2μmかかる見当で露光、現像、本キュア
を施すことによって絶縁性樹脂ブラックマトリックスを
形成した。この様にして調整されたITO基板は、界面
活性剤、超純水、イソプロピルアルコール、メタノール
の順に洗浄を行った。素子形成の前にUV−オゾン洗浄
を施して真空蒸着機の中に取り付け、3×10-4Paま
で減圧した。基板を回転させながら基板温度は常温にて
銅フタロシアニンを20nm蒸着し、続いてビス(m−
メチルフェニルカルバゾール)を100nm、トリス
(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体を1
00nmいずれも表示領域全面にわたって蒸着した。次
に陰電極を作製するために真空を破ることなく陰極用マ
スクに切り替えた。陰極用マスクは、ニッケルが含まれ
る材質でパネルの横方向に300μmピッチ(ライン幅
250μm)で480本形成出来るように抜いてあるも
のであるが、これだけだとマスクの形状を保てないので
電極が断線しないように補強線が入れてある。マスク
は、基板の裏側から磁石で固定する事によって蒸着面と
の密着性を上げて蒸着電極の短絡を防止している。この
様な状態に固定できたらまずリチウムを加熱して真空容
器内をリチウム蒸気の雰囲気にして、膜厚モニターで
0.5nmの膜厚になるまで有機層を晒してリチウムを
ドーピングする。続いてアルミニウムも抵抗加熱法によ
って200nmの膜厚の陰電極を作製した。以上の工程
でまず有機EL素子側の基板ができあがった。
Example 1 (1) Preparation of Organic EL Element Substrate One side of an alkali-free glass (7059, manufactured by Corning Incorporated) having a length of 18 cm and a width of 23 cm was polished to a plate thickness of 1.1 ± 0.2.
It was adjusted to 05 mm (during dial gauge measurement). After cleaning the glass substrate, ITO was formed to a thickness of 135 nm by sputtering, and the resistance at that time was 15 Ω /
It was □. On this ITO substrate, 640 stripes having a pitch of 300 μm (line width 250 μm) were formed in the vertical direction. The ITO substrate is spin-coated with a paste obtained by dispersing carbon powder insulated in a photosensitive polyimide, prebaked at 140 ° C., and then exposed, developed, and cured with a 2 μm register between the ITO strips. Thus, an insulating resin black matrix was formed. The thus prepared ITO substrate was washed in the order of surfactant, ultrapure water, isopropyl alcohol, and methanol. Prior to device formation, the substrate was subjected to UV-ozone cleaning, mounted in a vacuum evaporation machine, and reduced in pressure to 3 × 10 −4 Pa. While rotating the substrate, at a substrate temperature of normal temperature, copper phthalocyanine was vapor-deposited in a thickness of 20 nm, and then bis (m-
Methylphenylcarbazole) at 100 nm and tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminum complex at 1 nm.
Each of 00 nm was deposited over the entire display area. Next, in order to produce a negative electrode, the mask was switched to a cathode mask without breaking vacuum. The cathode mask is made of a material containing nickel and has been removed so that 480 lines can be formed at a pitch of 300 μm (line width 250 μm) in the lateral direction of the panel. However, this alone cannot maintain the shape of the mask. There is a reinforcement line to prevent disconnection. The mask is fixed with a magnet from the back side of the substrate to increase the adhesion to the deposition surface and prevent short-circuiting of the deposition electrode. After fixing in such a state, the lithium is heated to make the inside of the vacuum vessel a lithium vapor atmosphere, and the organic layer is exposed to a thickness of 0.5 nm by a film thickness monitor to dope lithium. Subsequently, a negative electrode having a thickness of 200 nm was formed on aluminum by a resistance heating method. Through the above steps, a substrate on the organic EL element side was first completed.

【0037】(2)背面基板の作製 研磨された1mm厚のアルミナ基板(縦16cm、横2
5cm)上に感光性導電ペーストを用いた電極パターン
と突起を形成した。まず感光性導電ペーストは、溶媒で
あるγ−ブチロラクトン中に40%のメタクリル酸(M
AA)、30%のメチルメタクリレート(MMA)およ
び30%のスチレン(St)からなる共重合体にMAA
に対して0.4当量のグリシジルメタクリレート(GM
A)を付加反応させたポリマー(8g)を混合し、攪拌
しながら80℃まで加熱してすべてのポリマーを均質に
溶解させた。ついで溶液を室温まで冷却し、2−メチル
−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォ
リノ−1−プロパノンと2,4−ジエチルチオキサント
ンをポリマーとモノマーとの総和に対して20%添加し
た光重合開始剤を加えて溶解させた。その後、溶液を4
00メッシュのフィルターを通過し、濾過して有機ビヒ
クルを作製した。次に紫外線吸光剤であるスダン(0.
01g)を秤量し、イソプロピルアルコール(IPA)
に溶解させた溶液に分散剤を加えてホモジナイザで均質
に攪拌した。そして、この溶液中に導電性粉末(球状、
平均粒子径3.3μm、比表面積0.82m2 /gのA
g粉末)を86gを添加して均質に分散・混合後、ロー
タリーエバポレータを用いて、150〜200℃の温度
で乾燥し、IPAを蒸発させた。こうして紫外線吸光剤
の膜で導電性粉末の表面を均質にコーティングした(い
わゆるカプセル処理した)粉末を作製した。前記有機ビ
ヒクルに紫外線吸光剤でカプセル処理した導電性粉末、
トリメチロールプロパントリアクリレート(3g)、ジ
ブチルフタレート(DBP、7g)、2,4−ジエチル
チオキサントン(1.8g)、p−ジメチルアミノ安息
香酸エチルエステル(EPA,0.9g)、ポリマーに
対して4%の酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル
に溶解させたSiO2 (濃度15%)、ガラスフリット
(重量組成比:二酸化ケイ素(1.5)、酸化アルミニ
ウム(3.6)、酸化ホウ素(61.3)、酸化バリウ
ム(19.1)、酸化カリウム(9.8)、酸化ナトリ
ウム(4.7))(3g)および溶媒を3本ローラで混
合・分散してペーストを作製した。
(2) Preparation of Back Substrate A polished 1 mm thick alumina substrate (length 16 cm, width 2
5 cm), an electrode pattern using a photosensitive conductive paste and a projection were formed. First, the photosensitive conductive paste contains 40% methacrylic acid (M) in γ-butyrolactone as a solvent.
AA), a copolymer consisting of 30% methyl methacrylate (MMA) and 30% styrene (St)
Glycidyl methacrylate (GM
The polymer (8 g) obtained by the addition reaction of A) was mixed, and heated to 80 ° C. with stirring to dissolve all the polymers homogeneously. Then, the solution was cooled to room temperature, and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone and 2,4-diethylthioxanthone were added in an amount of 20% based on the total amount of the polymer and the monomer. The resulting photopolymerization initiator was added and dissolved. Then, add 4
The mixture was passed through a 00 mesh filter and filtered to prepare an organic vehicle. Next, sudan (0.
01g) and isopropyl alcohol (IPA)
A dispersant was added to the solution dissolved in, and the mixture was stirred homogeneously with a homogenizer. Then, the conductive powder (spherical,
A having an average particle diameter of 3.3 μm and a specific surface area of 0.82 m 2 / g
g powder) was added and uniformly dispersed and mixed, and then dried at a temperature of 150 to 200 ° C using a rotary evaporator to evaporate IPA. In this way, a powder in which the surface of the conductive powder was uniformly coated with a film of the ultraviolet absorber (so-called encapsulated) was produced. Conductive powder obtained by encapsulating the organic vehicle with an ultraviolet absorber,
Trimethylolpropane triacrylate (3 g), dibutyl phthalate (DBP, 7 g), 2,4-diethylthioxanthone (1.8 g), ethyl p-dimethylaminobenzoate (EPA, 0.9 g), 4 parts per polymer % of acetic acid 2- SiO 2 (concentration: 15%) dissolved in (2-butoxyethoxy) ethyl, glass frit (composition ratio by weight: silicon dioxide (1.5), aluminum oxide (3.6), boron oxide ( 61.3), barium oxide (19.1), potassium oxide (9.8), sodium oxide (4.7)) (3 g) and a solvent were mixed and dispersed with three rollers to prepare a paste.

【0038】本ペーストを325メッシュのスクリーン
を用いてアルミナ基板上にベタに印刷し、80℃で40
分間保持して乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは13μ
mであった。この塗布膜を有機EL素子基板に形成され
た陰電極と同じパターン形状で重なり合うようにクロム
マスクを用いて、上面から500mW/cm2 の出力の
超高圧水銀灯で紫外線露光した。次に25℃に保持した
モノエタノールアミンの0.5重量%の水溶液に浸漬し
て現像し、その後スプレーを用いて未露光部を水洗浄し
た。これを空気中、580℃で15分間焼成を行い、電
極導体膜を作製した。焼成後の電極膜厚は8μm、比抵
抗は3.2μΩ・cmであった。
The paste was printed solid on an alumina substrate using a 325 mesh screen,
Hold for minutes and dry. The thickness of the coating film after drying is 13μ.
m. This coating film was exposed to ultraviolet light from the upper surface with an ultra-high pressure mercury lamp having an output of 500 mW / cm 2 using a chromium mask so as to overlap in the same pattern as the negative electrode formed on the organic EL element substrate. Next, the film was developed by immersion in a 0.5% by weight aqueous solution of monoethanolamine maintained at 25 ° C., and the unexposed portion was washed with water using a spray. This was baked at 580 ° C. for 15 minutes in air to prepare an electrode conductor film. The electrode thickness after firing was 8 μm, and the specific resistance was 3.2 μΩ · cm.

【0039】得られた電極上に各発光画素の中心位置と
一致する所に中心がある高さ3μmの円柱を前記陰極パ
ターンを形成する方法と同様の方法で640×480個
作製した。
On the obtained electrode, 640 × 480 columns having a height of 3 μm and having a center at a position coincident with the center position of each light-emitting pixel were formed in the same manner as the method of forming the cathode pattern.

【0040】(3)張り合わせ工程 アルゴン雰囲気下、有機EL基板の画素と背面基板の突
起が合わさるように背面基板を陰極側に重ねて周囲をエ
ポキシ樹脂で封止し、パネル全面には反射防止フィルム
を貼り付けた。
(3) Laminating Step Under an argon atmosphere, the back substrate is overlaid on the cathode side so that the pixels of the organic EL substrate and the projections of the back substrate are aligned, and the periphery is sealed with epoxy resin. Was pasted.

【0041】以上の工程を経たパネルは、プローブピン
コネクターで駆動回路との導通をとりデュアルスキャン
法にて線順次駆動文字表示を行ったところ、輝度計(ト
プコン社製、BM−8)で測定した最大輝度ムラは15
%以内に抑えられた。また、本パネルは背面基板を用い
て封止されていることから、大気中3ヶ月を経過して保
存しても同電流値での輝度低下は5%であった。
The panel having undergone the above steps was connected to a drive circuit by a probe pin connector, and displayed characters in a line-sequential manner by a dual scan method, and measured with a luminance meter (BM-8, manufactured by Topcon Corporation). The maximum luminance unevenness was 15
%. In addition, since this panel was sealed using the rear substrate, the luminance was reduced by 5% at the same current value even after storage in the atmosphere for three months.

【0042】実施例2 縦18cm、横23cmの無アルカリガラス(コーニン
グ社製7059)の片面を研磨して板厚を1.1±0.
05mm(ダイヤルゲージ測定時)に調整した。このガ
ラス基板を洗浄後、ITOをスパッタリング法によって
135nmの膜厚に形成し、その時の抵抗値は15Ω/
□であった。このITO基板を縦方向に100μmピッ
チ(ライン幅70μm)のストライプを1920本形成
した。本ITO基板に感光性ポリイミド中に絶縁化処理
を施した炭素粉末を分散したペーストをスピンコート
し、140℃においてプリベーク後、ITOストリップ
間にITOに2μmかかる見当で露光、現像、本キュア
を施すことによって絶縁性樹脂ブラックマトリックスを
形成した。この様にして調整されたITO基板は、界面
活性剤、超純水、イソプロピルアルコール、メタノール
の順に洗浄を行った。素子形成の前にUV−オゾン洗浄
を施して真空蒸着機の中に取り付け、3×10-4Paま
で減圧した。基板を回転させながら基板温度は常温にて
銅フタロシアニンを20nm蒸着し、続いてビス(m−
メチルフェニルカルバゾール)をいずれも表示領域全面
にわたって蒸着した。次に真空を破ることなく2本おき
にITO/有機層が露出するようにストライプ形状に抜
かれた補強線入りニッケル系シャドーマスクを位置合わ
せし基板の背面から磁石で固定した。ここでビス(2−
メチルキノリノラト)−3−ピリジノラト錯体にペリレ
ンのドープ量が1重量%となるように共蒸着して30n
mの膜厚の発光層を形成してからビス(2−メチルキノ
リノラト)−3−ピリジノラト錯体層を70nm形成し
た。次にこのマスクを100μmずらして、やはり2本
おきにITO/有機層が露出するようにマスクを固定し
た。そしてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯
体に1,3,5,7−ペンタメチルピロメテン−ジフロ
ロボレートのドープ量が0.35重量%となるように共
蒸着して30nmの膜厚の発光層を形成してからトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム錯体層を70nm形
成した。更にマスクを100μmずらして、やはり2本
おきにITO/有機層が露出するようにマスクを固定し
た。そしてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯
体にSolventRed196のドープ量が0.5重
量%となるように共蒸着して30nmの膜厚の発光層を
形成してからトリス(8−キノリノラト)アルミニウム
錯体層を70nm形成した。次に陰電極を作製するため
に真空を破ることなく陰極用マスクに切り替えた。陰極
用マスクもニッケルが含まれる材質でパネルの横方向に
300μmピッチ(ライン幅250μm)で480本形
成出来るように抜いてあるものであるが、これだけだと
マスクの形状を保てないので電極が断線しないように補
強線が入れてある。マスクは、基板の裏側から磁石で固
定する事によって蒸着面との密着性を上げて蒸着電極の
短絡を防止している。この様な状態に固定できたらまず
リチウムを加熱して真空容器内をリチウム蒸気の雰囲気
にして、膜厚モニターで0.5nmの膜厚になるまで有
機層を晒してリチウムをドーピングする。続いてアルミ
ニウムも抵抗加熱法によって200nmの膜厚の陰電極
を作製した。
Example 2 One side of a non-alkali glass (7059, manufactured by Corning Incorporated) having a length of 18 cm and a width of 23 cm was polished to a thickness of 1.1 ± 0.2.
It was adjusted to 05 mm (during dial gauge measurement). After cleaning the glass substrate, ITO was formed to a thickness of 135 nm by sputtering, and the resistance at that time was 15 Ω /
It was □. 1920 stripes of this ITO substrate were formed at a pitch of 100 μm (line width 70 μm) in the vertical direction. The ITO substrate is spin-coated with a paste obtained by dispersing carbon powder insulated in a photosensitive polyimide, prebaked at 140 ° C., and then exposed, developed, and cured with a 2 μm register between the ITO strips. Thus, an insulating resin black matrix was formed. The thus prepared ITO substrate was washed in the order of surfactant, ultrapure water, isopropyl alcohol, and methanol. Prior to device formation, the substrate was subjected to UV-ozone cleaning, mounted in a vacuum evaporation machine, and reduced in pressure to 3 × 10 −4 Pa. While rotating the substrate, at a substrate temperature of normal temperature, copper phthalocyanine was vapor-deposited in a thickness of 20 nm, and then bis (m-
Methylphenylcarbazole) was deposited over the entire display area. Next, a nickel-based shadow mask with a reinforcing wire drawn in a stripe shape such that every two ITO / organic layers were exposed without breaking the vacuum was aligned and fixed with a magnet from the back of the substrate. Here the screw (2-
Methylquinolinolato) -3-pyridinolate complex was co-evaporated so that the doping amount of perylene was 1% by weight, and 30 n
After forming a light emitting layer having a thickness of m, a bis (2-methylquinolinolato) -3-pyridinolate complex layer was formed to a thickness of 70 nm. Next, this mask was displaced by 100 μm, and the mask was fixed so that every second ITO / organic layer was exposed. A tris (8-quinolinolato) aluminum complex is co-evaporated so that the doping amount of 1,3,5,7-pentamethylpyrromethene-difluoroborate becomes 0.35% by weight, and a light emitting layer having a thickness of 30 nm is formed. Was formed, and a tris (8-quinolinolato) aluminum complex layer was formed to a thickness of 70 nm. Further, the mask was shifted by 100 μm, and the mask was fixed so that every second ITO / organic layer was exposed. Then, a tris (8-quinolinolato) aluminum complex layer is co-evaporated so that the doping amount of Solvent Red 196 becomes 0.5% by weight to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. 70 nm was formed. Next, in order to produce a negative electrode, the mask was switched to a cathode mask without breaking vacuum. The cathode mask is also made of a material containing nickel and is removed so that 480 lines can be formed at a pitch of 300 μm (line width 250 μm) in the lateral direction of the panel. Reinforcing lines are inserted to prevent disconnection. The mask is fixed with a magnet from the back side of the substrate to increase the adhesion to the deposition surface and prevent short-circuiting of the deposition electrode. After fixing to such a state, lithium is heated to make the inside of the vacuum container a lithium vapor atmosphere, and the organic layer is exposed to a film thickness of 0.5 nm by a film thickness monitor to dope lithium. Subsequently, a negative electrode having a thickness of 200 nm was formed on aluminum by a resistance heating method.

【0043】この様にして得られた有機EL基板に実施
例1で作製した背面基板を同様の方法で張り合わせて駆
動を行ったところ、カラー表示ができた。そして、赤、
緑、青の各色とも輝度計(トプコン社製、BM−8)で
測定した最大の輝度ムラは、17%以内に抑えられ、か
つ大気中3ヶ月後においても同電流値での輝度低下はど
の色も6%以下であった。
When the organic EL substrate obtained in this manner was bonded to the rear substrate manufactured in Example 1 by the same method and driven, a color display was obtained. And red,
For each of the green and blue colors, the maximum luminance unevenness measured by a luminance meter (BM-8, manufactured by Topcon Corporation) is suppressed to within 17%, and the luminance decrease at the same current value even after three months in the atmosphere is not limited. The color was also less than 6%.

【0044】比較例 実施例1において背面基板を用いらなかった以外は同様
にしてディスプレイを作製し、プローブピンコネクター
で駆動回路との導通をとりデュアルスキャン法にて線順
次駆動文字表示を行ったところ、輝度計(トプコン社
製、BM−8)で測定した最大輝度ムラは60%であっ
た。また、大気中3ヶ月を経過して保存したところもは
や発光は観察されなくなった。。
Comparative Example A display was prepared in the same manner as in Example 1 except that the rear substrate was not used, and conduction with the drive circuit was established by the probe pin connector, and character display was performed line-sequentially by the dual scan method. However, the maximum luminance unevenness measured by a luminance meter (BM-8, manufactured by Topcon Corporation) was 60%. Further, when stored for 3 months in the atmosphere, no luminescence was observed anymore. .

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明は、有機ELディスプレイにおい
て、輝度ムラや発熱を抑えて大面積での表示を可能にす
るものである。
According to the present invention, in an organic EL display, display on a large area can be performed while suppressing luminance unevenness and heat generation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明におけるモノクロディスプレイの発光層
の構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a light emitting layer of a monochrome display according to the present invention.

【図2】本発明におけるストライプタイプカラーディス
プレイの発光層の構成図。
FIG. 2 is a configuration diagram of a light emitting layer of a stripe type color display according to the present invention.

【図3】本発明におけるストライプタイプカラーディス
プレイの発光層の構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram of a light emitting layer of a stripe type color display according to the present invention.

【図4】本発明におけるデルタタイプカラーディスプレ
イの発光層の構成図。
FIG. 4 is a configuration diagram of a light emitting layer of the delta type color display according to the present invention.

【図5】本発明において複数の発光層を共有させたスト
ライプタイプカラーディスプレイの発光層の構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram of a light emitting layer of a stripe type color display in which a plurality of light emitting layers are shared in the present invention.

【図6】本発明において複数の発光層を共有させたスト
ライプタイプカラーディスプレイの発光層の構成図。
FIG. 6 is a structural view of a light emitting layer of a stripe type color display in which a plurality of light emitting layers are shared in the present invention.

【図7】本発明において全ての発光層を共有させたスト
ライプタイプカラーディスプレイの発光層の構成図。
FIG. 7 is a configuration diagram of a light emitting layer of a stripe type color display in which all light emitting layers are shared in the present invention.

【図8】本発明において全ての発光層を共有させたスト
ライプタイプカラーディスプレイの発光層の構成図。
FIG. 8 is a structural view of a light emitting layer of a stripe type color display in which all light emitting layers are shared in the present invention.

【図9】本発明でのストライプ構成のカラーディスプレ
イの構成図。
FIG. 9 is a configuration diagram of a color display having a stripe configuration according to the present invention.

【図10】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 10 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図11】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 11 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図12】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 12 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図13】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 13 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図14】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 14 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図15】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 15 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図16】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 16 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of an organic EL element.

【図17】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 17 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of the organic EL element.

【図18】有機EL素子の陰電極と背面電極パターンの
断面形状の模式図。
FIG. 18 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a negative electrode and a back electrode pattern of an organic EL element.

【図19】保護層を持つ有機EL素子と背面電極パター
ンの断面形状の模式図。
FIG. 19 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of an organic EL element having a protective layer and a back electrode pattern.

【図20】ビアホールを持つ背面電極基板と有機ELの
断面形状の模式図。
FIG. 20 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a back electrode substrate having via holes and an organic EL.

【図21】ビアホールを持つ背面電極基板と有機ELの
断面形状の模式図。
FIG. 21 is a schematic diagram of a cross-sectional shape of a back electrode substrate having via holes and an organic EL.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.7.31.36.38.ガラス基板 2.8.32.陽電極(ITO) 3.5.10.13.16.19.22.25.緑色発
光層 4.9.12.15.18.21.24.30.赤色発
光層 6.11.14.17.20.23.26.青色発光層 27.29.陰電極 28.背面基板 33.42.電極パターン 34.導電性突起 37.保護膜 35.39.有機EL素子(陽極、陰極含む) 40.ビアホール 41.隔壁 42.電極パターンと有機EL素子を電気的に繋ぐ導電
性物質 43.隔壁を作製した基板
1.7.31.33.63. Glass substrate 2.8.32. Positive electrode (ITO) 3.5.10.13.16.19.22.25. Green light-emitting layer 4.9.12.15.18.12.12.430. Red light emitting layer 6.11.14.17.20.23.26. Blue light emitting layer 27.29. Negative electrode 28. Back substrate 33.42. Electrode pattern 34. Conductive projection 37. Protective film 35.39. Organic EL device (including anode and cathode) Via hole 41. Partition wall 42. 43. A conductive substance that electrically connects the electrode pattern and the organic EL element Substrate on which partition walls were made

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子が定められた形
状に配列されたディスプレイであって、陰極若しくは陽
極がその外側に配置された基板上に形成された電極パタ
ーンと電気的に接続されていることを特徴とする有機E
Lディスプレイ。
1. A display in which a substance which emits light is present between an anode and a cathode, and elements which emit light by electric energy are arranged in a predetermined shape, wherein the cathode or the anode is arranged outside the substrate. Organic E, electrically connected to the electrode pattern formed thereon
L display.
【請求項2】透明電極、正孔輸送層、発光層、必要に応
じて電子輸送層、そして陰極からなる発光素子が定めら
れた形状に配置され、陰極側に電極パターンが形成され
た基板を配置して該電極パターンと陰極とが電気的に導
通するように接続することを特徴とする請求項1記載の
有機ELディスプレイ。
2. A light emitting device comprising a transparent electrode, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer if necessary, and a cathode are arranged in a predetermined shape, and a substrate having an electrode pattern formed on a cathode side is formed. The organic EL display according to claim 1, wherein the organic EL display is arranged and connected so that the electrode pattern and the cathode are electrically connected.
【請求項3】発光素子が格子状の絶縁体の開口部に形成
されていることを特徴とする請求項1ないし2に記載の
有機ELディスプレイ。
3. The organic EL display according to claim 1, wherein the light emitting element is formed in a lattice-shaped insulator opening.
【請求項4】隣接する発光素子の陰極が一方向に繋がっ
てストライプ形状になっていることを特徴とする請求項
1〜3のいずれかに記載の有機ELディスプレイ。
4. The organic EL display according to claim 1, wherein cathodes of adjacent light-emitting elements are connected in one direction to form a stripe.
【請求項5】電極パターン上に発光素子の陰極と接触す
るための導電性突起が形成されていることを特徴とする
請求項1〜4のいずれかに記載の有機ELディスプレ
イ。
5. The organic EL display according to claim 1, wherein a conductive projection for contacting a cathode of the light emitting element is formed on the electrode pattern.
【請求項6】電極パターンを形成した基板にビアホール
が形成されており、該ビアホールを経由して発光素子の
陰極と電極パターンとの電気的導通がなされていること
を特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機EL
ディスプレイ。
6. The substrate according to claim 1, wherein a via hole is formed in the substrate on which the electrode pattern is formed, and electrical conduction between the cathode of the light emitting element and the electrode pattern is made via the via hole. 4. The organic EL according to any one of 4.
display.
【請求項7】基板上に電極パターンと各発光素子に対応
してスイッチング機能をもつ素子を配置したことを特徴
とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機ELディス
プレイ。
7. The organic EL display according to claim 1, wherein an element having a switching function is disposed on the substrate in correspondence with the electrode pattern and each light emitting element.
【請求項8】発光素子が形成された基板と電極パターン
が形成された基板を張り合わせることにより、発光素子
を封止することを特徴とする請求項2記載の有機ELデ
ィスプレイ。
8. The organic EL display according to claim 2, wherein the light emitting element is sealed by laminating a substrate on which the light emitting element is formed and a substrate on which the electrode pattern is formed.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277257A (en) * 1999-03-23 2000-10-06 Casio Comput Co Ltd Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device
JP2001035663A (en) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp Organic electroluminescence element display device and its manufacture
JP2001189192A (en) * 1999-10-12 2001-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emission device and manufacturing method of the same
KR100324767B1 (en) * 2000-02-18 2002-02-20 구자홍 Semiconductor display device and fabricating method thereof
JP2003092191A (en) * 2001-07-11 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Luminescent device and method for manufacturing the same
JP2003217865A (en) * 2002-01-16 2003-07-31 Seiko Epson Corp Lighting system, method of manufacturing lighting system, and display using lighting system
KR20030075387A (en) * 2002-03-18 2003-09-26 주식회사 이너텍 An organic electro-luminescence display and the manufacturing method thereof
JP2006127916A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd Sealing member for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element
JP2008204961A (en) * 1999-10-12 2008-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of light-emitting device
WO2008146470A1 (en) 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corporation Organic el device and display apparatus
JP2012182048A (en) * 2011-03-02 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd Organic el driving unit
JP2014074921A (en) * 2013-11-28 2014-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2017063216A (en) * 2000-06-05 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
CN109713015A (en) * 2018-12-29 2019-05-03 昆山维信诺科技有限公司 Display panel and display terminal

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277257A (en) * 1999-03-23 2000-10-06 Casio Comput Co Ltd Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device
JP2001035663A (en) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp Organic electroluminescence element display device and its manufacture
JP2011096670A (en) * 1999-10-12 2011-05-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of light-emitting device
JP2008204961A (en) * 1999-10-12 2008-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of light-emitting device
US8884301B2 (en) 1999-10-12 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and a method of manufacturing the same
JP2012094537A (en) * 1999-10-12 2012-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method for light-emitting device
JP2001189192A (en) * 1999-10-12 2001-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emission device and manufacturing method of the same
KR100324767B1 (en) * 2000-02-18 2002-02-20 구자홍 Semiconductor display device and fabricating method thereof
JP2017063216A (en) * 2000-06-05 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
US10777615B2 (en) 2000-06-05 2020-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US10446615B2 (en) 2000-06-05 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US10192934B2 (en) 2000-06-05 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having light emission by a singlet exciton and a triplet exciton
JP2003092191A (en) * 2001-07-11 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Luminescent device and method for manufacturing the same
JP2003217865A (en) * 2002-01-16 2003-07-31 Seiko Epson Corp Lighting system, method of manufacturing lighting system, and display using lighting system
KR20030075387A (en) * 2002-03-18 2003-09-26 주식회사 이너텍 An organic electro-luminescence display and the manufacturing method thereof
JP2006127916A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd Sealing member for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element
JP4653455B2 (en) * 2004-10-28 2011-03-16 パナソニック電工株式会社 Organic electroluminescent device sealing member and organic electroluminescent device
US7683537B2 (en) 2007-05-28 2010-03-23 Panasonic Corporation Organic EL device and display
WO2008146470A1 (en) 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corporation Organic el device and display apparatus
JP2012182048A (en) * 2011-03-02 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd Organic el driving unit
JP2014074921A (en) * 2013-11-28 2014-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
CN109713015A (en) * 2018-12-29 2019-05-03 昆山维信诺科技有限公司 Display panel and display terminal

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