JP2003217865A - Lighting system, method of manufacturing lighting system, and display using lighting system - Google Patents

Lighting system, method of manufacturing lighting system, and display using lighting system

Info

Publication number
JP2003217865A
JP2003217865A JP2002007963A JP2002007963A JP2003217865A JP 2003217865 A JP2003217865 A JP 2003217865A JP 2002007963 A JP2002007963 A JP 2002007963A JP 2002007963 A JP2002007963 A JP 2002007963A JP 2003217865 A JP2003217865 A JP 2003217865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
substrate
anode
patterned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002007963A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4211258B2 (en
Inventor
Tetsuhiko Takeuchi
哲彦 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2002007963A priority Critical patent/JP4211258B2/en
Publication of JP2003217865A publication Critical patent/JP2003217865A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4211258B2 publication Critical patent/JP4211258B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lighting system suitable for illuminating a liquid crystal display or the like, in particular, the lighting system suitable for a front light. <P>SOLUTION: In this lighting system 30, a positive electrode 303 constituted of a transparent electrode is patterned linearly, a luminous layer 311 and an alkaline earth metal layer 307 are laid all over the illumination area in top view, and a reflection electrode layer 308 and a photo-absorbing layer 309 are substantially conformed to the linear pattern of the positive electrode 303. A light emitting part 300 is allowed thereby to be patterned linearly, in particular, the positive electrode 303 is patterned by a photo-process, fine patterning is allowed thereby, and this is used as the front light for a liquid crystal panel 20 to realize the liquid crystal display 10 in which a trouble of bringing visible a linear shadow caused by pattern formation in the light emitting part or the like is hardly generated. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は照明装置と照明装置
の製造方法、及び照明装置を用いた表示装置とに係り、
特に、表示装置の観測側に配置されるフロントライトと
して適用可能な照明装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lighting device, a method for manufacturing the lighting device, and a display device using the lighting device,
In particular, the present invention relates to a lighting device applicable as a front light arranged on the observation side of a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から液晶表示装置等の電気光学表示
装置において、太陽光などの外光を観察者側から液晶パ
ネル等の電気光学パネル内に入射し、入射光のうち電気
光学パネル内において反射される反射光を観察者側に出
射する形式の反射型表示装置が知られている。しかしな
がら、反射型表示装置は、暗所では表示が視認困難とな
る場合があるため、電気光学パネルの観察者側(観察側
又は視認側)にフロントライトとして照明装置を備えた
反射型表示装置が提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an electro-optical display device such as a liquid crystal display device, external light such as sunlight is incident on the electro-optical panel such as a liquid crystal panel from the viewer side, and the incident light is 2. Description of the Related Art There is known a reflective display device of a type in which reflected light that is reflected is emitted to an observer side. However, in a reflective display device, it may be difficult to visually recognize the display in a dark place. Therefore, a reflective display device equipped with an illumination device as a front light on the viewer side (observation side or viewing side) of the electro-optical panel is not available. Proposed.

【0003】このようなフロントライトとしては、光源
を電気光学パネルの側方に配置する側方配置型と光源を
電気光学パネルの視認側に配置する前方配置型とが知ら
れている。このうち、前者の側方配置型のフロントライ
トは、電気光学パネルの視認側の側方に配置される光源
と、電気光学パネルの視認側に配置され、光源から出射
された光を電気光学パネル側に照射するための導光板と
を備えて構成されている。一方、後者の前面配置型のフ
ロントライトは、透明基板に設けられた発光素子からな
る発光部を有し、発光素子の発光方向を電気光学パネル
側に向けた構造を有している。
As such a front light, there are known a lateral arrangement type in which a light source is arranged on the side of the electro-optical panel and a front arrangement type in which the light source is arranged on the visible side of the electro-optical panel. Of these, the former side-disposed front light is a light source arranged on the visible side of the electro-optical panel and a light source arranged on the visible side of the electro-optical panel for emitting light emitted from the light source to the electro-optical panel. And a light guide plate for irradiating the side. On the other hand, the front type front light of the latter has a light emitting portion formed of a light emitting element provided on a transparent substrate, and has a structure in which the light emitting direction of the light emitting element is directed to the electro-optical panel side.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
フロントライトに適用される照明装置としては、発光部
が、例えば陰極と陽極との間に介在する発光層を具備し
てなるものがあり、具体的には、発光層がEL等の電界
発光材料を主体として構成され、陰極と陽極との間に電
界を発生させることで発光層における発光を実現してい
る。このように発光部にて発光された光は、上述した電
気光学パネルに入射された後、この電気光学パネルにて
反射され、反射光が、例えばストライプ状に形成された
発光部の間隙を介して観察者側に出射される。したがっ
て、このように発光部をストライプ状に配設したフロン
トライトは前面配置型として適用可能となる。
By the way, as an illuminating device applied to such a front light, there is an illuminating device in which a light emitting portion is provided with a light emitting layer interposed between a cathode and an anode, for example. Specifically, the light emitting layer is mainly composed of an electroluminescent material such as EL, and light emission in the light emitting layer is realized by generating an electric field between the cathode and the anode. The light thus emitted from the light emitting portion is incident on the electro-optical panel described above and then reflected by the electro-optical panel, and the reflected light passes through the gap between the light emitting portions formed in a stripe shape, for example. And is emitted to the observer side. Therefore, the front light in which the light emitting portions are arranged in a stripe shape in this manner can be applied as a front surface arrangement type.

【0005】ところで、ストライプ状の微細構造を具備
した発光部を実現するために、例えば陰極をストライプ
状に微細パターン化する構成が考えられるが、陰極材料
として例えば陰極から発光層への電子注入効率を高め、
陰極としての安定性を保ち、反射率を確保するために、
仕事関数の小さいCa等のアルカリ土類金属を含む場
合、アルカリ土類金属の反応性が極めて高いため、フォ
トエッチングによる微細パターン化は極めて困難であ
る。そこで、マスク蒸着により陰極等を微細パターン化
させる手法があるが、ストライプの線幅が少なくとも6
0μm程度と大きくなり、例えば前面配置型のフロント
ライトとして用いると、ストライプ状の影が視認される
場合があり、良好な表示が得られなくなる場合がある。
By the way, in order to realize a light emitting portion having a stripe-shaped fine structure, for example, a structure in which a cathode is finely patterned in a stripe shape is conceivable, but as a cathode material, for example, the efficiency of electron injection from the cathode to the light emitting layer. Increase
To maintain the stability as a cathode and to secure the reflectance,
When an alkaline earth metal such as Ca having a small work function is included, the reactivity of the alkaline earth metal is extremely high, and thus it is extremely difficult to form a fine pattern by photoetching. Therefore, there is a method of finely patterning the cathode and the like by mask vapor deposition, but the line width of the stripe is at least 6
For example, when it is used as a front light of the front surface arrangement type, stripe-shaped shadows may be visually recognized, and good display may not be obtained.

【0006】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、被照明体として液晶表示装置等の電気光学表
示装置を照明するのに好適な照明装置であって、特に電
気光学表示装置のフロントライトとして好適な照明装置
を提供することを目的とする。また、本発明はこのよう
な照明装置を製造するのに適した製造方法と、さらに
は、この照明装置を備えた液晶表示装置等の表示装置と
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and is an illumination device suitable for illuminating an electro-optical display device such as a liquid crystal display device as an illuminated object, and particularly, the electro-optical display device. It is an object of the present invention to provide a lighting device suitable as a front light of the. Another object of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing such an illuminating device, and further a display device such as a liquid crystal display device including the illuminating device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の照明装置は、一対の基板間に発光部を具備す
る照明装置であって、発光部は、少なくとも陰極と、発
光層と、陽極とをこの順で積層して含み、陰極はアルカ
リ土類金属を主体とするアルカリ土類金属層を備え、陽
極は透明電極であって、基板面内で所定形状にパターニ
ングされていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, an illuminating device of the present invention is an illuminating device having a light emitting portion between a pair of substrates, the light emitting portion including at least a cathode and a light emitting layer. , And an anode laminated in this order, the cathode is provided with an alkaline earth metal layer mainly composed of alkaline earth metal, and the anode is a transparent electrode, which is patterned into a predetermined shape in the plane of the substrate. Is characterized by.

【0008】この場合、基板面内で所定形状にパターニ
ングされた陽極に従って、発光部を所定形状にパターニ
ングさせることが可能となり、例えば被照明体のフロン
トライトとして用いることが可能となる。すなわち、パ
ターニング形成された陽極(発光部)の間隙から被照明
体の反射光をフロント側、つまり当該照明装置の被照明
体とは反対側に反射光を出射させ、表示に供させること
が可能となる。また、この場合、陽極は例えばITO
(Indium-Tin-Oxide)又はIZO(Indium-Zinc-Oxid
e)等の透明電極であるため、フォトプロセスによるパ
ターニングが可能で、微細なパターン形成が可能とな
る。つまり、フォトプロセスが困難なCa,Mg等のア
ルカリ土類金属層を例えばマスク蒸着によりパターン形
成する場合や、発光層を例えば塗布によりパターン形成
する場合に比して、確実に微細な、例えば50μm以下
のパターン形成を実現することができる。したがって、
例えば当該照明装置を被照明体のフロントライトとして
用い、被照明体からの反射光をパターン形成された陽極
(発光部)の間隙から出射させて表示を行う場合にも、
例えばパターン形状の影が視認されてしまう等の不具合
が生じ難くなる。
In this case, the light emitting portion can be patterned into a predetermined shape according to the anode patterned into the predetermined shape within the surface of the substrate, and it can be used, for example, as a front light of an illuminated object. That is, the reflected light of the illuminated object can be emitted from the gap between the patterned anodes (light emitting portions) to the front side, that is, the side opposite to the illuminated object of the illumination device, and used for display. Becomes In this case, the anode is, for example, ITO.
(Indium-Tin-Oxide) or IZO (Indium-Zinc-Oxid)
Since it is a transparent electrode such as e), it is possible to perform patterning by a photo process and form a fine pattern. That is, as compared with a case where an alkaline earth metal layer such as Ca and Mg, which is difficult to perform a photo process, is formed by patterning, for example, mask evaporation, or a light emitting layer is formed by patterning, for example, by application, a fine pattern, for example, 50 μm is surely obtained. The following pattern formation can be realized. Therefore,
For example, when the illumination device is used as a front light of an illuminated object and reflected light from the illuminated object is emitted from a gap between the patterned anodes (light emitting portions), display is also performed.
For example, it is difficult for a defect such as the shadow of the pattern shape to be visually recognized.

【0009】上記陽極は、基板面内で複数の線状にパタ
ーニングされているものとすることができる。この場
合、当該照明装置を被照明体のフロントライトとして用
い、被照明体からの反射光を、複数の線状にパターン形
成された陽極の間隙から出射させて表示を行うことがで
きるが、この場合も、上述した通り線状の影が視認され
てしまう等の不具合が生じ難くなる。なお、具体的に陽
極は、線幅5〜20μmの線状にパターニングすること
ができ、例えばアルカリ土類金属層をマスク蒸着により
パターン形成した場合(線幅は小さくても約60μm)
に比して、大幅に微細化させることが可能となる。ま
た、本発明においては、発光部におけるパターニング形
成の面積率、すなわちパターニング形成された要素の基
板面に対する割合は、5〜20%程度となるように形成
されている。これにより、十分な発光部における発光
と、反射光の透過とを実現することが可能となる。
The anode may be patterned into a plurality of linear shapes within the surface of the substrate. In this case, the illuminating device can be used as a front light of an illuminated object, and reflected light from the illuminated object can be emitted from the gap between the plurality of linearly patterned anodes for display. Also in this case, as described above, it is less likely that a defect such as a line-shaped shadow being visually recognized will occur. In addition, specifically, the anode can be patterned in a line shape having a line width of 5 to 20 μm. For example, when the alkaline earth metal layer is patterned by mask vapor deposition (the line width is small, about 60 μm).
It is possible to significantly reduce the size compared to the above. Further, in the present invention, the area ratio of the patterning formation in the light emitting portion, that is, the ratio of the patterned elements to the substrate surface is about 5 to 20%. This makes it possible to realize sufficient light emission in the light emitting section and transmission of reflected light.

【0010】また、上記発光層は、陽極と陰極との間
に、正孔輸送層と、発光本体層と、バッファ層とを少な
くともこの順で積層して含むものとすることができる。
このような正孔輸送層、発光本体層、バッファ層は微細
にパターン形成するのが困難な場合が多いものの、本発
明では、陽極をパターン形成しているために、フロント
ライトとして用いた場合にも視認されるに至らない微細
なパターンの発光部を実現することが可能とされてい
る。
The light emitting layer may include a hole transport layer, a light emitting main body layer, and a buffer layer, which are laminated in this order between the anode and the cathode.
Although it is often difficult to finely pattern such a hole transport layer, a light emitting main body layer, and a buffer layer, in the present invention, since the anode is patterned, when it is used as a front light. It is said that it is possible to realize a light emitting portion having a fine pattern that is not visually recognized.

【0011】なお、正孔輸送層としては例えばPEDT
(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の導電性ポリマ
ーを、発光本体層としては例えば高分子ELを、バッフ
ァ層としては例えばLiFを主体として構成することが
できる。この場合、正孔輸送層及び発光本体層は例えば
スピンコート、印刷等による塗布により、バッファ層は
例えば真空蒸着等によるマスク蒸着により形成すること
ができる。
The hole transport layer is, for example, PEDT.
A conductive polymer such as (polyethylenedioxythiophene) may be mainly used as the light emitting body layer, for example, a polymer EL, and a buffer layer may be mainly made of, for example, LiF. In this case, the hole transport layer and the light emitting main body layer can be formed by application by spin coating, printing, etc., and the buffer layer can be formed by mask vapor deposition such as vacuum vapor deposition.

【0012】また、正孔輸送層、発光本体層、バッファ
層、及びアルカリ土類金属層は、パターニングされた個
々の陽極に跨って形成されているものとすることができ
る。すなわち、陽極を線状等にパターニング形成する一
方、正孔輸送層、発光本体層、バッファ層、及びアルカ
リ土類金属層を基板面内にパターン形成せず、面内ベタ
状に非パターン形成したため、簡便な構成にて発光部を
微細にパターン化させることが可能となる。なお、正孔
輸送層、発光本体層、バッファ層、及びアルカリ土類金
属層が、照明領域全域に跨って略板状に形成されている
ものとすることもできる。
Further, the hole transport layer, the light emitting main body layer, the buffer layer, and the alkaline earth metal layer may be formed so as to extend over the individual patterned anodes. That is, while the anode is patterned in a linear shape or the like, the hole transport layer, the light emitting main body layer, the buffer layer, and the alkaline earth metal layer are not patterned in the surface of the substrate but are non-patterned in a solid shape in the surface. The light emitting portion can be finely patterned with a simple structure. The hole transport layer, the light emitting body layer, the buffer layer, and the alkaline earth metal layer may be formed in a substantially plate shape over the entire illumination region.

【0013】さらに、陰極は、例えばCa,Mg等を主
体として構成されるアルカリ土類金属層と、Al又はA
gを主体とする反射電極層とが積層された構成を具備
し、アルカリ土類金属層が反射電極層よりも陽極側に形
成されるとともに、反射電極層が陽極と略同一の形状に
て基板面内でパターニングされているものとすることが
できる。このように反射電極層を具備させることによ
り、被照明体に対する光の照射効率が向上するが、反射
電極層は非透明性であるために、上記陽極と略同一の形
状にて基板面内でパターニングする必要が生じ、このよ
うな反射電極層のパターニングによりパターン化した発
光部を形成することが可能となる。なお、アルカリ土類
金属層は、層厚を2〜40nmとすることができる。こ
のような層厚とすることにより、アルカリ土類金属層を
透明に形成することが可能となり、好ましくは層厚を2
〜10nmとするのがよい。
Further, the cathode comprises an alkaline earth metal layer mainly composed of Ca, Mg, etc. and Al or A, respectively.
a substrate having a structure in which a reflective electrode layer mainly composed of g is laminated, an alkaline earth metal layer is formed closer to the anode than the reflective electrode layer, and the reflective electrode layer has substantially the same shape as the anode. It may be patterned in-plane. By providing the reflective electrode layer in this way, the irradiation efficiency of light to the illuminated body is improved, but since the reflective electrode layer is non-transparent, it has substantially the same shape as the above-mentioned anode in the plane of the substrate. It becomes necessary to perform patterning, and it becomes possible to form a patterned light emitting portion by such patterning of the reflective electrode layer. The alkaline earth metal layer can have a layer thickness of 2 to 40 nm. With such a layer thickness, the alkaline earth metal layer can be formed transparently, and the layer thickness is preferably 2
It is good to set it to 10 nm.

【0014】なお、反射電極層は例えばAlとAgとの
合金を主体として構成することができる。また、陰極と
基板との間には、例えば樹脂ブラック層又はクロム層等
からなる光吸収層を形成することができ、この場合、例
えば陰極による観察者側への反射光を防止することが可
能となり視認性が向上する。
The reflective electrode layer can be composed mainly of an alloy of Al and Ag, for example. In addition, a light absorbing layer made of, for example, a resin black layer or a chrome layer can be formed between the cathode and the substrate, and in this case, for example, it is possible to prevent light reflected by the cathode toward the viewer side. The visibility is improved.

【0015】次に、以上のような照明装置は以下の方法
にて製造することができる。すなわち、本発明の照明装
置の製造方法は、一対の基板間に、少なくとも陰極と、
発光層と、陽極とをこの順で積層して含む発光部を具備
する照明装置の製造方法であって、第1の基板上に、少
なくとも透明電極を基板面内に所定形状にパターニング
して形成する陽極形成工程と、形成した陽極上に発光層
を積層する発光層形成工程と、形成した発光層上に陰極
の構成部材の一部としてアルカリ土類金属層を積層する
アルカリ土類金属層形成工程とを含む第1基板形成工程
と、第2の基板上に、少なくとも陰極の構成部材の残余
の層を形成する陰極形成工程を含む第2基板形成工程
と、第1基板形成工程にて形成された第1基板と、第2
基板形成工程にて形成された第2基板とを貼り合わせる
基板貼合せ工程とを具備することを特徴とする。
Next, the lighting device as described above can be manufactured by the following method. That is, the manufacturing method of the illumination device of the present invention, between the pair of substrates, at least a cathode,
A method of manufacturing a lighting device, comprising a light emitting portion including a light emitting layer and an anode laminated in this order, wherein at least a transparent electrode is formed on a first substrate by patterning in a predetermined shape in a substrate surface. A step of forming an anode, a step of forming a light emitting layer on the formed anode, and a step of forming an alkaline earth metal layer on the formed light emitting layer as a part of a constituent member of the cathode A first substrate forming step including a step, a second substrate forming step including a cathode forming step of forming at least a residual layer of a constituent member of the cathode on the second substrate, and a first substrate forming step The first substrate and the second
And a substrate bonding step of bonding the second substrate formed in the substrate forming step.

【0016】このような製造方法により、陽極を所定形
状にパターニングした上記構成の照明装置を簡便に提供
することが可能となる。この場合、陽極形成工程におい
ては、透明電極を真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング等にて成膜した後に、フォトエッチングに
て所定形状のパターニングを行うものとすることができ
る。なお、この場合のエッチング又はレジスト剥離は、
ウェット或いはドライのいずれでも行うことが可能であ
る。
With such a manufacturing method, it becomes possible to easily provide the illuminating device having the above structure in which the anode is patterned into a predetermined shape. In this case, in the anode forming step, the transparent electrode may be formed into a film by vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating or the like, and then patterned into a predetermined shape by photoetching. In this case, the etching or the resist peeling is
It can be performed either wet or dry.

【0017】また、発光層形成工程においては、例えば
導電性ポリマーを主体として構成される正孔輸送層を形
成する正孔輸送層形成工程と、高分子ELを主体として
構成される発光本体層を形成する発光本体層形成工程
と、LiFを主体として構成されるバッファ層を形成す
るバッファ層形成工程とを含むものとすることができ
る。正孔輸送層形成工程及び発光本体層形成工程におい
ては、スピンコート又は印刷にて各層を形成することが
でき、バッファ層形成工程においては、LiFの真空蒸
着にてバッファ層を形成することができる。さらに、ア
ルカリ土類金属層形成工程においては、アルカリ土類金
属の真空蒸着によりアルカリ土類金属層を形成すること
ができる。なお、各層を形成した第1基板は、例えば腐
食防止のため、不活性ガス雰囲気、又は真空雰囲気にて
保管することが好ましい。
Further, in the light emitting layer forming step, for example, a hole transporting layer forming step of forming a hole transporting layer mainly composed of a conductive polymer and a light emitting main body layer mainly composed of a polymer EL are provided. The light emitting main body layer forming step and the buffer layer forming step of forming a buffer layer mainly composed of LiF may be included. In the hole transport layer forming step and the light emitting main body layer forming step, each layer can be formed by spin coating or printing, and in the buffer layer forming step, the buffer layer can be formed by LiF vacuum deposition. . Further, in the alkaline earth metal layer forming step, the alkaline earth metal layer can be formed by vacuum vapor deposition of the alkaline earth metal. The first substrate on which each layer is formed is preferably stored in an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere in order to prevent corrosion, for example.

【0018】なお、上記陽極形成工程において、透明電
極を基板面内で複数の線状にパターニング形成すること
で、上述した線状にパターン化した陽極を形成すること
ができる。また、発光層形成工程及びアルカリ土類金属
層形成工程において、発光層及びアルカリ土類金属層
は、線状にパターニングされた陽極全体に跨って形成す
るものとすることができ、これにより面内ベタ状の非パ
ターン化した各層を形成することが可能となる。
In the anode forming step, the transparent electrode is patterned into a plurality of linear patterns within the surface of the substrate, whereby the linearly patterned anode can be formed. Further, in the light emitting layer forming step and the alkaline earth metal layer forming step, the light emitting layer and the alkaline earth metal layer may be formed over the entire linearly patterned anode. It becomes possible to form each layer of non-patterned solid.

【0019】また、第2の基板上に形成する陰極は、陽
極のパターン形状に略一致させてパターン形成するもの
とすることができる。これにより、陰極をAl又はAg
等の反射電極にて構成した場合にも、パターン化した発
光部を得ることが可能となる。陰極形成工程において
は、Al又はAgを主体とする成分又はこれらの合金を
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等に
て成膜し、フォトエッチングにて所定形状にパターニン
グするものとすることができる。なお、第2の基板上に
上述した光吸収層を形成する場合にも、所定形状にパタ
ーン形成することで、パターン化した発光部を得ること
が可能となる。この場合、光吸収層は、例えば樹脂ブラ
ックを主体として形成する場合、樹脂ブラックを塗布し
た後に、マスク露光、現像、ポストベークを行うこと
で、所定形状にパターン形成することができる。なお、
陰極形成後の第2基板も、例えば腐食防止のため、不活
性ガス雰囲気、又は真空雰囲気にて保管することが好ま
しい。
Further, the cathode formed on the second substrate may be patterned so as to substantially match the pattern shape of the anode. As a result, the cathode is made of Al or Ag.
It is possible to obtain a patterned light emitting portion even when it is configured with the reflective electrode such as. In the cathode forming step, a component mainly composed of Al or Ag or an alloy thereof may be formed into a film by vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating or the like, and patterned into a predetermined shape by photoetching. Even when the above-mentioned light absorption layer is formed on the second substrate, it is possible to obtain a patterned light emitting unit by forming a pattern in a predetermined shape. In this case, for example, when the light absorption layer is formed mainly of resin black, it can be patterned into a predetermined shape by performing mask exposure, development, and post-baking after applying the resin black. In addition,
The second substrate after forming the cathode is also preferably stored in an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere, for example, to prevent corrosion.

【0020】なお、基板貼合せ工程は、真空ないし減圧
下、又は不活性ガス雰囲気にて行い、両基板周辺部をエ
ポキシ樹脂等の封止材にて封止するものとすることがで
きる。
The substrate bonding step may be performed under vacuum or reduced pressure, or in an inert gas atmosphere, and the periphery of both substrates may be sealed with a sealing material such as epoxy resin.

【0021】次に、本発明の表示装置は、上述した構成
の照明装置を光源として備えることを特徴とする。この
ように本発明の照明装置を光源として備える表示装置
は、例えば光源をフロントライトとして用い、被照明体
から反射光を反射表示する構成とした場合に、微細な影
等が視認されることのない良好な表示特性を実現するこ
とが可能となる。
Next, the display device of the present invention is characterized by including the illumination device having the above-mentioned configuration as a light source. As described above, in the display device including the illumination device of the present invention as the light source, for example, when the light source is used as the front light and the reflected light is reflected and displayed from the illuminated object, a minute shadow or the like may be visually recognized. It is possible to realize good display characteristics.

【0022】すなわち、本発明の照明装置は、例えば被
照明体の表示装置の表示視認側に光源として配設するこ
とが好ましく、この場合、フロントライト型の表示装置
を提供することができる。このような表示装置は、例え
ば被照明体の当該表示装置の表示視認側に光源たる照明
装置を配設して、被照明体からの反射光にて反射表示を
行うことが可能となる。この場合、被照明体としては、
液晶表示装置等の電気光学表示装置を例示することがで
きる。さらに、本発明の照明装置は、例えば額内に絵
画、写真等を収めた展示物の光源として用いることもで
きる。
That is, the illuminating device of the present invention is preferably disposed as a light source on the display viewing side of the display device of the illuminated object, and in this case, a front light type display device can be provided. In such a display device, for example, an illuminating device serving as a light source is provided on the display-viewing side of the display device of the illuminated object, and reflective display can be performed by the reflected light from the illuminated object. In this case, as the illuminated object,
An electro-optical display device such as a liquid crystal display device can be exemplified. Further, the lighting device of the present invention can be used as a light source for an exhibit in which, for example, paintings, photographs, etc. are stored in the forehead.

【0023】なお、本明細書において、「主体とする」
成分とは、構成成分のうち最も含有量の多い成分のこと
を言うものとする。
In the present specification, "mainly"
The component means the component with the highest content among the constituent components.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。まず、図1〜図3に基づいて、本発
明に係る実施形態の照明装置を備えた液晶表示装置の構
造について説明する。図1は本実施形態の液晶表示装置
を分解した概略斜視図、図2は本実施形態の液晶表示装
置の部分概略断面図である。本実施形態では、液晶表示
装置の一例として、TFT素子をスイッチング素子とし
て用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置
を取り上げて説明する。また、各図において、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a structure of a liquid crystal display device including an illumination device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 1 is an exploded perspective view of the liquid crystal display device of the present embodiment, and FIG. 2 is a partial schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device of the present embodiment. In the present embodiment, as an example of the liquid crystal display device, an active matrix reflection type liquid crystal display device using a TFT element as a switching element will be taken up and described. Further, in each drawing, in order to make each layer and each member recognizable in the drawing, the scale is different for each layer and each member.

【0025】はじめに、図1、図2に基づいて、本実施
形態の照明装置を備えた液晶表示装置の全体構造につい
て説明する。図1、図2において、符号10が本実施形
態の液晶表示装置、符号20が液晶パネル(被照明
体)、符号30が本実施形態の照明装置を示している。
図1、図2において、液晶パネル20(液晶表示装置1
0)の図示上側が表示を視認する側(視認側、即ち観測
者側)であり、本実施形態の照明装置30は液晶パネル
20の視認側に備えられ、液晶パネル20と照明装置3
0とが一体化されて液晶表示装置10が構成されてい
る。すなわち、本実施形態において、照明装置30は、
視認側から液晶パネル20を照明するフロントライトと
して構成されている。
First, the overall structure of a liquid crystal display device including the illumination device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 and 2, reference numeral 10 indicates the liquid crystal display device of the present embodiment, reference numeral 20 indicates the liquid crystal panel (illumination target), and reference numeral 30 indicates the illumination device of the present embodiment.
1 and 2, a liquid crystal panel 20 (liquid crystal display device 1
The upper side of (0) in the figure is the side on which the display is viewed (viewing side, that is, the observer side), and the lighting device 30 of the present embodiment is provided on the viewing side of the liquid crystal panel 20, and the liquid crystal panel 20 and the lighting device 3 are provided.
And 0 are integrated to form the liquid crystal display device 10. That is, in the present embodiment, the lighting device 30 is
The front light is configured to illuminate the liquid crystal panel 20 from the viewing side.

【0026】図1、図2に示すように、液晶パネル20
は、内面にTFT素子28、画素電極29等が形成され
た素子基板(下側基板)21と、内面に共通電極24が
形成された対向基板(上側基板)22とが対向配置さ
れ、素子基板21と対向基板22との間に液晶層(電気
光学材料層)23が挟持された構造を基本構成とし、対
向基板22の図示上側に偏光板等の偏光子25が取り付
けられている。なお、液晶層23が基板21、22間に
挟持される基本構成としては、基板21、22の周縁部
側に図示略のシール材が介在され、実際には基板21、
22とシール材とに囲まれて液晶層23が挟持されてい
る。一方、図1においては、偏光子25と液晶層23の
表示は省略している。また、図2においては、素子基板
21、対向基板22の内面に形成されたTFT素子2
8、画素電極29、共通電極24等の表示を省略してい
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal panel 20.
Is an element substrate (lower substrate) 21 having a TFT element 28, a pixel electrode 29, etc. formed on the inner surface thereof, and a counter substrate (upper substrate) 22 having a common electrode 24 formed on the inner surface thereof. A liquid crystal layer (electro-optical material layer) 23 is sandwiched between a counter substrate 21 and a counter substrate 22, and a polarizer 25 such as a polarizing plate is attached to the upper side of the counter substrate 22 in the drawing. As a basic configuration in which the liquid crystal layer 23 is sandwiched between the substrates 21 and 22, a sealing material (not shown) is interposed on the peripheral side of the substrates 21 and 22, and the substrates 21 and 22 are actually
The liquid crystal layer 23 is sandwiched between the liquid crystal layer 22 and the sealing material. On the other hand, in FIG. 1, the display of the polarizer 25 and the liquid crystal layer 23 is omitted. Further, in FIG. 2, the TFT element 2 formed on the inner surfaces of the element substrate 21 and the counter substrate 22.
8, the display of the pixel electrode 29, the common electrode 24, etc. is omitted.

【0027】次に、本実施形態において、素子基板2
1、対向基板22の「内面」とは、素子基板21、対向
基板22の「液晶層側の面」を意味しているものとす
る。図1に示すように、素子基板21の内面には、多数
のソース線26(データ線)および多数のゲート線27
(走査線)が互いに交差するようにマトリクス状に設け
られている。各ソース線26と各ゲート線27の交差点
の近傍にはTFT素子28が形成されており、各線には
各TFT素子28を介して画素電極29が接続されてい
る。一方、対向基板22の内面側には、表示領域に対応
するようにITO(インジウム錫酸化物)などからなる
透明の共通電極24が形成されている。
Next, in the present embodiment, the element substrate 2
1. The “inner surface” of the counter substrate 22 means the “surface on the liquid crystal layer side” of the element substrate 21 and the counter substrate 22. As shown in FIG. 1, a large number of source lines 26 (data lines) and a large number of gate lines 27 are formed on the inner surface of the element substrate 21.
They are arranged in a matrix so that (scan lines) intersect each other. A TFT element 28 is formed near the intersection of each source line 26 and each gate line 27, and a pixel electrode 29 is connected to each line via each TFT element 28. On the other hand, on the inner surface side of the counter substrate 22, a transparent common electrode 24 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like is formed so as to correspond to the display region.

【0028】液晶パネル20において、個々の画素電極
29が形成された領域が画素2とされる。また、通常の
液晶表示装置では、素子基板21の内面に、赤、緑、青
を表示するためのカラーフィルターが設けられるが、本
実施形態ではカラーフィルタは略されて、液晶パネル2
0は白黒表示タイプとして構成されている。
In the liquid crystal panel 20, the area in which the individual pixel electrodes 29 are formed is the pixel 2. Further, in a normal liquid crystal display device, color filters for displaying red, green, and blue are provided on the inner surface of the element substrate 21, but in the present embodiment, the color filters are omitted and the liquid crystal panel 2 is omitted.
0 is configured as a monochrome display type.

【0029】本実施形態では、画素電極29は光反射性
の金属材料からなり、反射電極として機能する。そし
て、使用場所が明所では、照明装置30を点灯せず、太
陽光や蛍光灯等の外光を視認側から液晶パネル20内に
入射し、素子基板21の内面に形成された画素電極29
により反射させて再び観察者側(視認側:図示上方)に
出射させることにより表示が行われるようになってい
る。一方、使用場所が暗所では、照明装置30を点灯
し、照明装置30により液晶パネル20側に照射された
光を素子基板21の内面に形成された画素電極29によ
り反射させて、再び照明装置30を通過させて観察者側
(視認側:図示上方)に出射させ、表示が行われるよう
になっている。なお、画素電極29を反射層とする代わ
りに、画素電極29とは別に素子基板21の内面に反射
層を設ける構成としてもよいのは勿論である。
In this embodiment, the pixel electrode 29 is made of a light-reflective metal material and functions as a reflective electrode. Then, when the place of use is a bright place, the lighting device 30 is not turned on, and external light such as sunlight or fluorescent light enters the liquid crystal panel 20 from the viewing side, and the pixel electrode 29 formed on the inner surface of the element substrate 21.
The image is displayed by being reflected by and emitted again to the observer side (viewing side: above the drawing). On the other hand, when the place of use is a dark place, the lighting device 30 is turned on, and the light emitted to the liquid crystal panel 20 side by the lighting device 30 is reflected by the pixel electrode 29 formed on the inner surface of the element substrate 21, and the lighting device is again illuminated. Display is performed by passing the light through 30 to the viewer side (viewing side: above the drawing). Instead of using the pixel electrode 29 as a reflective layer, it is of course possible to provide a reflective layer on the inner surface of the element substrate 21 separately from the pixel electrode 29.

【0030】次に、液晶表示装置10に備えられた本実
施形態の照明装置30の構造について説明する。図1、
図2に示すように本実施形態の照明装置30は、ガラ
ス、透明樹脂等からなる一対の透明の基板301,30
2と、これら基板301,302間に挟持された発光部
300とから概略構成されている。なお、一対の基板の
うち、液晶パネル20側(図示下側)に配設された基板
301を下側基板、液晶表示装置10の視認側(図示上
側)に配設された基板302を上側基板とする。
Next, the structure of the illumination device 30 of this embodiment provided in the liquid crystal display device 10 will be described. Figure 1,
As shown in FIG. 2, the lighting device 30 of the present embodiment includes a pair of transparent substrates 301, 30 made of glass, transparent resin, or the like.
2 and a light emitting unit 300 sandwiched between these substrates 301 and 302. Of the pair of substrates, the substrate 301 disposed on the liquid crystal panel 20 side (lower side in the drawing) is the lower substrate, and the substrate 302 disposed on the viewing side (upper side in the drawing) of the liquid crystal display device 10 is the upper substrate. And

【0031】発光部300は、下側基板301側から陽
極303と、発光層311と、陰極310とをこの順で
積層して含んでいる。陽極303は、ITO(インジウ
ム錫酸化物)からなる透明電極にて構成され、基板30
1を平面視した場合に複数の線状となるべくパターニン
グされている。本実施形態の場合、パターニングされた
陽極303の線幅は5〜20μm程度とされ、照明領域
全域の面積に対し、線状の陽極303の総面積が5〜2
0%程度とされている。
The light emitting section 300 includes an anode 303, a light emitting layer 311, and a cathode 310, which are laminated in this order from the lower substrate 301 side. The anode 303 is a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide),
1 is patterned so as to have a plurality of linear shapes in a plan view. In this embodiment, the patterned anode 303 has a line width of about 5 to 20 μm, and the total area of the linear anode 303 is 5 to 2 with respect to the entire area of the illumination region.
It is about 0%.

【0032】また、発光層311は、陽極303側から
正孔輸送層304と、発光本体層305と、バッファ層
306とをこの順で積層して含んでおり、複数の線状に
パターニングされた陽極303の各々に跨って形成され
ている。さらに詳しくは、本実施形態の照明装置30の
照明領域全域に跨って、正孔輸送層304、発光本体層
305、バッファ層306が平面視ベタ状に形成されて
いる。
The light emitting layer 311 includes a hole transport layer 304, a light emitting main body layer 305, and a buffer layer 306 which are laminated in this order from the side of the anode 303, and is patterned into a plurality of linear shapes. It is formed across each of the anodes 303. More specifically, the hole transport layer 304, the light emitting main body layer 305, and the buffer layer 306 are formed in a solid shape in plan view over the entire illumination region of the illumination device 30 of the present embodiment.

【0033】また、陰極310は、発光層311側から
アルカリ土類金属層307と、反射電極層308と、光
吸収層309とをこの順で積層して含んでおり、アルカ
リ土類金属層307は複数の陽極303に跨って、すな
わち照明領域全域に跨って平面視ベタ状に形成されてい
る。一方、反射電極層308及び光吸収層309は、陽
極303の線状パターンと略一致する線状にパターン形
成されており、基板積層方向に陽極303と位置合わせ
されている。
Further, the cathode 310 includes an alkaline earth metal layer 307, a reflective electrode layer 308, and a light absorption layer 309 laminated in this order from the light emitting layer 311 side, and the alkaline earth metal layer 307. Are formed to be solid in a plan view across a plurality of anodes 303, that is, across the entire illumination region. On the other hand, the reflective electrode layer 308 and the light absorption layer 309 are patterned in a linear shape that substantially matches the linear pattern of the anode 303, and are aligned with the anode 303 in the substrate stacking direction.

【0034】以下、照明装置30を構成する各層につい
て詳しく説明する。まず、陽極303は、上述した通り
ITOにて構成されており、線状等の所定形状にパター
ニングされ、パターニングされた線状の各電極の層厚は
0.1〜0.2μm程度とされている。なお、陽極30
3は、例えばIZO(インジウム亜鉛酸化物)を主体と
する透明電極にて構成することも可能である。
Hereinafter, each layer constituting the lighting device 30 will be described in detail. First, the anode 303 is made of ITO as described above, and is patterned into a predetermined shape such as a linear shape, and the layer thickness of each patterned linear electrode is about 0.1 to 0.2 μm. There is. The anode 30
3 can also be composed of, for example, a transparent electrode mainly composed of IZO (indium zinc oxide).

【0035】正孔輸送層304は、陽極303から注入
される正孔を発光本体層305に輸送する機能をなし、
例えばポリエチレンジオキシチオフェン(導電性ポリマ
ー)を主体として構成され、その層厚は0.05〜0.
2μm程度とされている。
The hole transport layer 304 has a function of transporting holes injected from the anode 303 to the light emitting body layer 305,
For example, it is mainly composed of polyethylenedioxythiophene (conductive polymer), and its layer thickness is 0.05 to 0.
It is set to about 2 μm.

【0036】発光本体層305は、例えば高分子EL
(エレクトロルミネセンス:有機電界発光物質)を主体
とする電界発光材料にて構成され、その層厚は0.05
〜0.2μm程度とされている。このような高分子EL
にて構成した発光本体層305では、低電圧で発光が可
能であるとともに、高い輝度の発光を実現できる。な
お、高分子ELを構成する高分子材料としては、例えば
フルオレン系高分子誘導体や、ポリパラフェニレンビニ
レン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘
導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体
等を用いることができる。
The light emitting body layer 305 is, for example, a polymer EL.
(Electroluminescence: organic electroluminescent material) as a main constituent electroluminescent material with a layer thickness of 0.05
It is set to about 0.2 μm. Such a polymer EL
In the light emitting main body layer 305 configured as described above, it is possible to emit light at a low voltage and also to emit light with high brightness. As the polymer material forming the polymer EL, for example, a fluorene-based polymer derivative, a polyparaphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyfluorene derivative, polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or the like can be used.

【0037】バッファ層306は、陰極310から発光
本体層305への電子の注入を促進するための緩衝層と
して機能しており、LiFを主体して構成され、その層
厚は0.5〜5nm程度されている。
The buffer layer 306 functions as a buffer layer for promoting the injection of electrons from the cathode 310 to the light emitting main body layer 305, is mainly composed of LiF, and has a layer thickness of 0.5 to 5 nm. The degree has been.

【0038】陰極310の一部を構成するアルカリ土類
金属層307は、Ca又はMgを主体として構成されて
おり、透明性を付与するために薄膜形成され、その層厚
は0.2〜40nm程度(好ましくは0.2〜10nm
程度)とされている。また、同じく陰極310を構成す
る反射電極層308はAlを主体として構成されてお
り、その層厚は0.1〜0.2μm程度とされている。
なお、反射電極層308は、例えばAl合金、又はA
g、若しくはAg合金等を主体として構成することも可
能である。さらに、光吸収層309は反射電極308か
らの観察者側への反射光を防止する機能を有しており、
樹脂ブラックを主体として構成され、その層厚は0.5
〜2μm程度とされている。なお、光吸収層309は、
クロムを主体として構成することも可能である。
The alkaline earth metal layer 307 which constitutes a part of the cathode 310 is mainly composed of Ca or Mg and is formed as a thin film for imparting transparency, and its layer thickness is 0.2 to 40 nm. Degree (preferably 0.2-10 nm
It is said that. Similarly, the reflective electrode layer 308 which also constitutes the cathode 310 is mainly composed of Al, and the layer thickness thereof is about 0.1 to 0.2 μm.
The reflective electrode layer 308 is made of, for example, Al alloy or A
It is also possible to mainly configure g or Ag alloy. Further, the light absorption layer 309 has a function of preventing reflected light from the reflective electrode 308 toward the viewer side,
It is composed mainly of resin black and its layer thickness is 0.5.
It is set to about 2 μm. The light absorption layer 309 is
It is also possible to mainly configure chrome.

【0039】このように本実施形態の照明装置30にお
いては、ITOを主体として構成される陽極303を線
状にパターニングして構成し、発光層311及びアルカ
リ土類金属層307を照明領域全域に跨って平面視ベタ
状に構成するとともに、反射電極層308及び光吸収層
309を陽極303の線状パターンに略一致させて構成
した。したがって、発光部300を線状パターンにて構
成することが可能となり、これを液晶パネル20のフロ
ントライトとして用いることで、発光部のパターン形成
による線状の影等が視認される等の不具合の生じ難い液
晶表示装置10を実現している。また、陽極303、反
射電極層308及び光吸収層309をパターン化する場
合はフォトプロセスを用いることが可能で、フォトプロ
セスを行うことが困難な正孔輸送層304、発光本体層
305、バッファ層306、アルカリ土類金属層を線状
にパターン化する場合に比して、より線幅の小さいパタ
ーニングを実現することが可能となる。したがって、本
実施形態の照明装置30は、一層微細化したパターンの
発光部300を具備する構成となっている。
As described above, in the lighting device 30 of the present embodiment, the anode 303 mainly composed of ITO is formed by linear patterning, and the light emitting layer 311 and the alkaline earth metal layer 307 are formed over the entire lighting region. In addition to being configured to be solid across the plane, the reflective electrode layer 308 and the light absorption layer 309 are configured to substantially match the linear pattern of the anode 303. Therefore, it becomes possible to configure the light emitting unit 300 in a linear pattern, and by using this as a front light of the liquid crystal panel 20, there is a problem that a linear shadow or the like due to the pattern formation of the light emitting unit is visually recognized. The liquid crystal display device 10 that hardly occurs is realized. Further, when the anode 303, the reflective electrode layer 308, and the light absorption layer 309 are patterned, a photo process can be used, and it is difficult to perform the photo process. The hole transport layer 304, the light emitting main body layer 305, the buffer layer. 306, patterning with a smaller line width can be realized as compared with the case where the alkaline earth metal layer is patterned linearly. Therefore, the lighting device 30 of the present embodiment is configured to include the light emitting unit 300 having a finer pattern.

【0040】次に、上記液晶表示装置10に備えられた
本実施形態の照明装置30の製造方法の一例について説
明する。まず、図3に示すように、下側基板となるガラ
ス基板301上に透明電極(陽極)303を基板面内で
線状にパターン形成する(陽極形成工程)。この場合、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の
所定の成膜方法にてITO(インジウム錫酸化物)を基
板301上に成膜した後、レジストを塗布し、マスク露
光、現像、エッチング、レジスト除去を行うフォトプロ
セスを採用している。したがって、パターン化された陽
極303の線幅は20μm以下と微細なものとなってい
る。なお、エッチング、レジスト除去工程は、ウェット
又はドライのいずれの方式を採用することも可能であ
る。
Next, an example of a method of manufacturing the illumination device 30 of the present embodiment provided in the liquid crystal display device 10 will be described. First, as shown in FIG. 3, a transparent electrode (anode) 303 is linearly patterned within the substrate surface on a glass substrate 301 serving as a lower substrate (anode forming step). in this case,
After ITO (indium tin oxide) is formed on the substrate 301 by a predetermined film forming method such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating, resist is applied, and mask exposure, development, etching, and resist removal are performed. The photo process is adopted. Therefore, the patterned anode 303 has a fine line width of 20 μm or less. It should be noted that the etching and resist removing steps may be either wet or dry.

【0041】次に、図4に示すように、線状にパターン
化された陽極303の各々に跨って平面視ベタ状にポリ
エチレンジオキシチオフェン(PEDT)を塗布し、正
孔輸送層304を形成する(正孔輸送層形成工程)。こ
の場合の塗布形成は、スピンコートないし印刷法にて行
うものとされている。また、図5に示すように、正孔輸
送層304の上層には、高分子EL材料としてフルオレ
ン系高分子誘導体を、スピンコートないし印刷法にて塗
布し、発光本体層305を形成する(発光本体層形成工
程)。また、図6に示すように、発光本体層305の上
層にLiFを真空蒸着させ、バッファ層306を形成す
る(バッファ層形成工程)。このような正孔輸送層形成
工程、発光本体層形成工程、バッファ層形成工程によ
り、発光層311が形成される(発光層形成工程)。
Next, as shown in FIG. 4, polyethylenedioxythiophene (PEDT) is applied so as to be solid in a plan view across each of the linearly patterned anodes 303 to form a hole transport layer 304. (Hole transport layer forming step). The coating formation in this case is performed by spin coating or printing. Further, as shown in FIG. 5, a fluorene polymer derivative as a polymer EL material is applied to the upper layer of the hole transport layer 304 by spin coating or printing to form a light emitting main body layer 305 (light emission). Main body layer forming step). Further, as shown in FIG. 6, LiF is vacuum-deposited on the upper layer of the light emitting main body layer 305 to form the buffer layer 306 (buffer layer forming step). The light emitting layer 311 is formed by the hole transport layer forming step, the light emitting main body layer forming step, and the buffer layer forming step (light emitting layer forming step).

【0042】さらに、図7に示すように、バッファ層3
06の上層にCa(アルカリ土類金属)を真空蒸着さ
せ、アルカリ土類金属層307を形成する(アルカリ土
類金属層形成工程)。なお、これら正孔輸送層形成工
程、発光本体層形成工程、バッファ層形成工程、アルカ
リ土類金属層形成工程においては、照明領域全域に各層
をベタ状に塗布ないし蒸着して成膜するのみとしてい
る。以上の工程により、下側基板301、陽極303、
正孔輸送層304、発光本体層305、バッファ層30
6、アルカリ土類金属層307を含む第1基板が形成さ
れる(第1基板形成工程)。なお、形成した第1基板
は、不活性ガス雰囲気下、又は真空雰囲気下にて保管さ
れる。
Further, as shown in FIG. 7, the buffer layer 3
Ca (alkaline earth metal) is vacuum-deposited on the upper layer of 06 to form an alkaline earth metal layer 307 (alkaline earth metal layer forming step). In the hole transport layer forming step, the light emitting main body layer forming step, the buffer layer forming step, and the alkaline earth metal layer forming step, each layer is simply formed by coating or vapor-depositing each layer over the entire illumination region. There is. Through the above steps, the lower substrate 301, the anode 303,
Hole transport layer 304, light emitting body layer 305, buffer layer 30
6. A first substrate including the alkaline earth metal layer 307 is formed (first substrate forming step). The formed first substrate is stored in an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere.

【0043】一方、図8に示すように、上側基板となる
ガラス基板302に光吸収層たる樹脂ブラック層を基板
面内で線状にパターン形成する(光吸収層形成工程)。
この場合、樹脂ブラックを塗布した後、マスク露光、現
像、ポストベークを行うことで線状のパターンの樹脂ブ
ラックを得ている。
On the other hand, as shown in FIG. 8, a resin black layer as a light absorbing layer is linearly formed on the glass substrate 302 serving as the upper substrate in the plane of the substrate (light absorbing layer forming step).
In this case, after the resin black is applied, mask exposure, development, and post-baking are performed to obtain a resin black having a linear pattern.

【0044】また、図9に示すように、ガラス基板30
2に形成した光吸収層309に対しAlを積層して反射
電極層308を形成する。この場合、Alを真空蒸着、
スパッタリング等の所定の成膜方法にてガラス基板30
2ないし光吸収層309に成膜した後、レジストを塗布
し、マスク露光、現像、エッチング、レジスト除去を行
うことで、光吸収層309に積層された線状のパターン
の反射電極層308が得られる。なお、エッチング、レ
ジスト除去工程は、ウェット又はドライのいずれの方式
を採用することも可能である。以上の工程により、上側
基板302、光吸収層309、反射電極層308を含む
第2基板が形成される(第2基板形成工程)。なお、形
成した第2基板は、不活性ガス雰囲気下、又は真空雰囲
気下にて保管される。
Further, as shown in FIG. 9, the glass substrate 30
The reflective electrode layer 308 is formed by stacking Al on the light absorption layer 309 formed in 2. In this case, Al is vacuum-deposited,
The glass substrate 30 is formed by a predetermined film forming method such as sputtering.
2 to the light absorption layer 309, a resist is applied, mask exposure, development, etching, and resist removal are performed to obtain the reflective electrode layer 308 having a linear pattern laminated on the light absorption layer 309. To be It should be noted that the etching and resist removing steps may be either wet or dry. Through the above steps, the second substrate including the upper substrate 302, the light absorption layer 309, and the reflective electrode layer 308 is formed (second substrate forming step). The formed second substrate is stored in an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere.

【0045】以上のような工程により得られた第1基板
及び第2基板を、図10に示すように貼り合せることで
照明装置30を得る。具体的には、貼合せ工程において
は、各基板を不活性ガス雰囲気中で圧着し、圧着した各
基板の周辺部をエポキシ樹脂等の封止材にて封止するこ
とで貼合せが行われている。なお、不活性ガス雰囲気の
他、減圧雰囲気中において圧着を行うものとすることも
可能である。
The first substrate and the second substrate obtained by the above steps are bonded as shown in FIG. 10 to obtain the illuminating device 30. Specifically, in the bonding step, bonding is performed by pressure bonding each substrate in an inert gas atmosphere and sealing the periphery of each pressure bonded substrate with a sealing material such as epoxy resin. ing. In addition to the inert gas atmosphere, the pressure bonding may be performed in a reduced pressure atmosphere.

【0046】このような製造方法により、上記実施形態
の照明装置、すなわち微細化したパターンを有する発光
部を具備した照明装置を提供することが可能となる。こ
れは、ITO等の透明電極からなる陽極をフォトプロセ
ス工程にてパターニングしたためであり、本実施形態の
照明装置30では、この陽極の線状パターン化に基づい
て発光部が線状にパターニングされている。
With such a manufacturing method, it is possible to provide the illuminating device of the above-described embodiment, that is, the illuminating device including the light emitting portion having a fine pattern. This is because the anode made of a transparent electrode such as ITO was patterned in the photo process step. In the lighting device 30 of the present embodiment, the light emitting portion is linearly patterned based on the linear patterning of the anode. There is.

【0047】次に、上記実施形態の液晶表示装置10を
備えた電子機器の具体例について説明する。図11
(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図1
1(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、
符号501は上記実施形態の液晶表示装置10を用いた
液晶表示部を示している。図11(b)は、ワープロ、
パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視
図である。図11(b)において、符号600は情報処
理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号6
03は情報処理装置本体、符号602は上記実施形態の
液晶表示装置10を用いた液晶表示部を示している。図
11(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図
である。図11(c)において、符号700は時計本体
を示し、符号701は上記実施形態の液晶表示装置10
を用いた液晶表示部を示している。図11(a)〜
(c)に示すそれぞれの電子機器は、上記実施形態の液
晶表示装置10を用いた液晶表示部を備えたものである
ので、フロントライトによる常に明るい反射表示を行う
ことが可能で、特にフロントライトの発光部のパターン
形状基づいて、影が視認される等の表示不具合が生じ難
いものとなる。
Next, specific examples of electronic equipment including the liquid crystal display device 10 of the above embodiment will be described. Figure 11
(A) is a perspective view showing an example of a mobile phone. Figure 1
In 1 (a), reference numeral 500 indicates a mobile phone body,
Reference numeral 501 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal display device 10 of the above embodiment. FIG. 11B shows a word processor,
It is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a personal computer. In FIG. 11B, reference numeral 600 is an information processing apparatus, reference numeral 601 is an input unit such as a keyboard, and reference numeral 6
Reference numeral 603 denotes an information processing apparatus main body, and reference numeral 602 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal display device 10 of the above embodiment. FIG. 11C is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In FIG. 11C, reference numeral 700 indicates a watch body, and reference numeral 701 indicates the liquid crystal display device 10 of the above embodiment.
The liquid crystal display part using is shown. 11 (a)-
Since each of the electronic devices shown in (c) includes the liquid crystal display section using the liquid crystal display device 10 of the above-described embodiment, it is possible to always perform bright reflection display by the front light, and particularly the front light. Based on the pattern shape of the light emitting section, it is difficult for a display defect such as a visible shadow to occur.

【0048】なお、これまで説明した実施形態において
は、液晶表示装置に本発明の照明装置を適用した例につ
いて述べてきたが、本発明の照明装置は液晶表示装置用
の照明装置に限らないのは勿論である。すなわち、例え
ば額に収めた写真、絵画等の展示物を照明するための照
明装置として、本発明の照明装置を単独で他の部材や場
所の照明用として適用することができる。
In the above-described embodiments, the example in which the lighting device of the present invention is applied to the liquid crystal display device has been described, but the lighting device of the present invention is not limited to the lighting device for the liquid crystal display device. Of course. That is, for example, as an illuminating device for illuminating an exhibition such as a picture or a picture contained in a frame, the illuminating device of the present invention can be applied alone to illuminate other members or places.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上のように本発明の照明装置は、IT
O等の透明電極からなる陽極を線状にパターニングして
構成し、発光層及びアルカリ土類金属層を照明領域全域
に跨って平面視ベタ状に構成するとともに、反射電極層
及び光吸収層を陽極の線状パターンに略一致させて構成
した。したがって、陽極、発光層、陰極から構成される
発光部を線状パターンにて構成することが可能となり、
これを液晶パネルのフロントライトとして用いること
で、発光部のパターン形成による線状の影等が視認され
る等の不具合の生じ難い液晶表示装置を実現することが
可能となる。
As described above, the lighting device of the present invention is an IT
The anode made of a transparent electrode such as O is linearly patterned to configure the light emitting layer and the alkaline earth metal layer to be solid over the entire illumination region in a plan view, and the reflective electrode layer and the light absorbing layer are configured to be solid. It was configured so as to substantially match the linear pattern of the anode. Therefore, it becomes possible to configure the light emitting portion composed of the anode, the light emitting layer, and the cathode in a linear pattern,
By using this as a front light of a liquid crystal panel, it becomes possible to realize a liquid crystal display device in which a defect such as a line shadow or the like due to the pattern formation of the light emitting portion is less likely to occur.

【0050】また、陽極、反射電極層及び光吸収層をパ
ターン化する工程においてフォトプロセスを用いること
が可能で、正孔輸送層、発光本体層、バッファ層、アル
カリ土類金属層を線状にパターン化する場合に比して、
より線幅の小さいパターニングを実現することが可能と
なる。したがって、本発明の照明装置は、一層微細化し
たパターンの発光部を具備する構成となり、そのパター
ンに基づく線状の影が視認される等の不具合が一層生じ
難いものとなる。
Further, a photo process can be used in the step of patterning the anode, the reflective electrode layer and the light absorption layer, and the hole transport layer, the light emitting main body layer, the buffer layer and the alkaline earth metal layer are linearly formed. Compared to patterning,
It becomes possible to realize patterning with a smaller line width. Therefore, the illuminating device of the present invention is configured to include the light emitting portion having a further miniaturized pattern, and it becomes more difficult for problems such as visual recognition of linear shadows based on the pattern to occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る実施形態の照明装置を備えた液
晶表示装置の一例について概略を示す分解斜視図。
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing an example of a liquid crystal display device including an illumination device according to an embodiment of the invention.

【図2】 図1の液晶表示装置の部分断面模式図。2 is a schematic partial cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG.

【図3】 図1の照明装置の製造方法を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing the lighting device of FIG. 1.

【図4】 図3に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 4 is an explanatory view showing the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 3;

【図5】 図4に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 5 is an explanatory view showing the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 4;

【図6】 図5に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 6 is an explanatory view showing the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 5;

【図7】 図6に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 7 is an explanatory view showing the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 6;

【図8】 図7に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 8 is an explanatory diagram that shows the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 7.

【図9】 図8に続く、照明装置の製造方法を示す説明
図。
FIG. 9 is an explanatory diagram that shows the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 8.

【図10】 図9に続く、照明装置の製造方法を示す説
明図。
FIG. 10 is an explanatory diagram that shows the manufacturing method of the lighting device, following FIG. 9.

【図11】 上記実施形態の液晶表示装置を備えた電子
機器について、幾つかの例を示す斜視図。
FIG. 11 is a perspective view showing some examples of electronic devices including the liquid crystal display device of the above embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 液晶表示装置 20 液晶パネル 30 照明装置 300 発光部 301 下側基板 302 上側基板 303 陽極 304 正孔輸送層 305 発光本体層 306 バッファ層 307 アルカリ土類金属層 308 反射電極層 309 光吸収層 310 陰極 311 発光層 10 Liquid crystal display device 20 LCD panel 30 lighting equipment 300 light emitting part 301 Lower substrate 302 upper substrate 303 Anode 304 Hole transport layer 305 Light-emitting body layer 306 buffer layer 307 Alkaline earth metal layer 308 reflective electrode layer 309 Light absorbing layer 310 cathode 311 light emitting layer

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板間に発光部を具備する照明装
置であって、前記発光部は、少なくとも陰極と、発光層
と、陽極とをこの順で積層して含み、前記陰極はアルカ
リ土類金属を主体とするアルカリ土類金属層を備え、前
記陽極は透明電極であって、前記基板面内で所定形状に
パターニングされていることを特徴とする照明装置。
1. A lighting device comprising a light emitting portion between a pair of substrates, wherein the light emitting portion includes at least a cathode, a light emitting layer, and an anode laminated in this order, and the cathode is alkaline earth. An illuminating device comprising an alkaline earth metal layer mainly composed of a similar metal, wherein the anode is a transparent electrode and is patterned into a predetermined shape within the surface of the substrate.
【請求項2】 前記陽極は、前記基板面内で複数の線状
にパターニングされていることを特徴とする請求項1に
記載の照明装置。
2. The lighting device according to claim 1, wherein the anode is patterned into a plurality of linear shapes within the surface of the substrate.
【請求項3】 前記陽極は、線幅5〜20μmの線状に
パターニングされていることを特徴とする請求項2に記
載の照明装置。
3. The lighting device according to claim 2, wherein the anode is patterned in a linear shape having a line width of 5 to 20 μm.
【請求項4】 前記発光層は、前記陽極と前記陰極との
間に、正孔輸送層と、発光本体層と、バッファ層とを少
なくともこの順で積層して含むことを特徴とする請求項
1ないし3のいずれか1項に記載の照明装置。
4. The light emitting layer includes a hole transport layer, a light emitting main body layer, and a buffer layer, which are laminated in this order between the anode and the cathode. The lighting device according to any one of 1 to 3.
【請求項5】 前記正孔輸送層、前記発光本体層、前記
バッファ層、及び前記アルカリ土類金属層が、前記パタ
ーニングされた個々の陽極に跨って形成されていること
を特徴とする請求項4に記載の照明装置。
5. The hole transport layer, the light emitting main body layer, the buffer layer, and the alkaline earth metal layer are formed so as to extend over the individual patterned anodes. The illumination device according to item 4.
【請求項6】 前記正孔輸送層、前記発光本体層、前記
バッファ層、及び前記アルカリ土類金属層が、照明領域
全域に跨って略板状に形成されていることを特徴とする
請求項4又は5に記載の照明装置。
6. The hole transport layer, the light emitting main body layer, the buffer layer, and the alkaline earth metal layer are formed in a substantially plate shape over the entire illumination region. The illumination device according to 4 or 5.
【請求項7】 前記発光本体層は、高分子ELを主体と
して構成されていることを特徴とする請求項4ないし6
のいずれか1項に記載の照明装置。
7. The light emitting main body layer is mainly composed of a polymer EL.
The illumination device according to any one of 1.
【請求項8】 前記陰極は、前記アルカリ土類金属層
と、Al又はAgを主体とする反射電極層とが積層され
た構成を具備し、前記アルカリ土類金属層が前記反射電
極層よりも前記陽極側に形成されるとともに、前記反射
電極層が前記陽極と略同一の形状にて前記基板面内でパ
ターニングされていることを特徴とする請求項1ないし
7のいずれか1項に記載の照明装置。
8. The cathode has a structure in which the alkaline earth metal layer and a reflective electrode layer containing Al or Ag as a main component are laminated, and the alkaline earth metal layer is more than the reflective electrode layer. 8. The reflective electrode layer is formed on the side of the anode, and the reflective electrode layer is patterned in the surface of the substrate so as to have substantially the same shape as that of the anode. Lighting equipment.
【請求項9】 前記アルカリ土類金属層は、層厚が2〜
40nmとされていることを特徴とする請求項1ないし
8のいずれか1項に記載の照明装置。
9. The alkaline earth metal layer has a layer thickness of 2 to
It is 40 nm, The illuminating device of any one of Claim 1 thru | or 8 characterized by the above-mentioned.
【請求項10】 一対の基板間に、少なくとも陰極と、
発光層と、陽極とをこの順で積層して含む発光部を具備
する照明装置の製造方法であって、 第1の基板上に、少なくとも透明電極を該基板面内に所
定形状にパターニングして形成する陽極形成工程と、形
成した陽極上に発光層を積層する発光層形成工程と、形
成した発光層上に陰極の構成部材の一部としてアルカリ
土類金属層を積層するアルカリ土類金属層形成工程とを
含む第1基板形成工程と、 第2の基板上に、少なくとも陰極の構成部材の残余の層
を形成する陰極形成工程を含む第2基板形成工程と、 前記第1基板形成工程にて形成された第1基板と、前記
第2基板形成工程にて形成された第2基板とを貼り合わ
せる基板貼合せ工程とを具備することを特徴とする照明
装置の製造方法。
10. At least a cathode between a pair of substrates,
A method of manufacturing a lighting device, comprising a light emitting portion including a light emitting layer and an anode laminated in this order, wherein at least a transparent electrode is patterned into a predetermined shape on a surface of the first substrate. An anode forming step of forming, a light emitting layer forming step of laminating a light emitting layer on the formed anode, and an alkaline earth metal layer laminating an alkaline earth metal layer as a part of a constituent member of the cathode on the formed light emitting layer A first substrate forming step including a forming step; and a second substrate forming step including a cathode forming step of forming at least a residual layer of a cathode constituent member on the second substrate, and the first substrate forming step. A method of manufacturing an illuminating device, comprising: a substrate bonding step of bonding the first substrate formed by the above and the second substrate formed in the second substrate forming step.
【請求項11】 前記陽極形成工程において、前記透明
電極を前記基板面内で複数の線状にパターニング形成す
ることを特徴とする請求項10に記載の照明装置の製造
方法。
11. The method of manufacturing an illumination device according to claim 10, wherein in the anode forming step, the transparent electrode is patterned and formed into a plurality of linear shapes within the surface of the substrate.
【請求項12】 前記発光層形成工程及び前記アルカリ
土類金属層形成工程において、前記発光層及び前記アル
カリ土類金属層は、前記線状にパターニングされた陽極
全体に跨って形成することを特徴とする請求項11に記
載の照明装置の製造方法。
12. The light emitting layer and the alkaline earth metal layer forming step in the light emitting layer forming step and the alkaline earth metal layer forming step are formed over the whole of the linearly patterned anode. The method for manufacturing a lighting device according to claim 11.
【請求項13】 請求項1ないし9のいずれか1項に記
載の照明装置を光源として備えることを特徴とする表示
装置。
13. A display device comprising the illuminating device according to claim 1 as a light source.
【請求項14】 請求項1ないし9のいずれか1項に記
載の照明装置を光源として備える表示装置であって、被
照明体の当該表示装置の表示視認側に前記照明装置を配
設してなることを特徴とする表示装置。
14. A display device comprising the illumination device according to any one of claims 1 to 9 as a light source, wherein the illumination device is disposed on a display viewing side of an illuminated object of the display device. A display device characterized by the following.
JP2002007963A 2002-01-16 2002-01-16 LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING LIGHTING DEVICE Expired - Fee Related JP4211258B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002007963A JP4211258B2 (en) 2002-01-16 2002-01-16 LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING LIGHTING DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002007963A JP4211258B2 (en) 2002-01-16 2002-01-16 LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING LIGHTING DEVICE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003217865A true JP2003217865A (en) 2003-07-31
JP4211258B2 JP4211258B2 (en) 2009-01-21

Family

ID=27646348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002007963A Expired - Fee Related JP4211258B2 (en) 2002-01-16 2002-01-16 LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING LIGHTING DEVICE

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4211258B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800931B1 (en) 2005-05-20 2008-02-04 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 Display device
JP2009048814A (en) * 2007-08-16 2009-03-05 Nec Lighting Ltd Organic electroluminescent illuminating device and its manufacturing method
WO2014119070A1 (en) * 2013-02-04 2014-08-07 株式会社 東芝 Organic electroluminescent element, lighting device and lighting system

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050094828A (en) 2002-12-26 2005-09-28 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Positive resist composition and method for forming resist pattern

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149881A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Seiko Epson Corp Lighting system and liquid crystal display device
JPH1140370A (en) * 1997-07-24 1999-02-12 Toray Ind Inc Organic el display
JPH11305224A (en) * 1998-04-22 1999-11-05 Bando Chem Ind Ltd Liquid crystal display device
JPH11329743A (en) * 1998-05-19 1999-11-30 Stanley Electric Co Ltd Electroluminescent element and its manufacture
JP2000267091A (en) * 1999-03-17 2000-09-29 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP2000267097A (en) * 1999-03-15 2000-09-29 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic equipment
JP2000299189A (en) * 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd Light emitting polymer element and display device and surface light source using it
JP2001244081A (en) * 2000-02-25 2001-09-07 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device
JP2001313172A (en) * 2000-02-25 2001-11-09 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent white light source and manufacturing method of the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149881A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Seiko Epson Corp Lighting system and liquid crystal display device
JPH1140370A (en) * 1997-07-24 1999-02-12 Toray Ind Inc Organic el display
JPH11305224A (en) * 1998-04-22 1999-11-05 Bando Chem Ind Ltd Liquid crystal display device
JPH11329743A (en) * 1998-05-19 1999-11-30 Stanley Electric Co Ltd Electroluminescent element and its manufacture
JP2000299189A (en) * 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd Light emitting polymer element and display device and surface light source using it
JP2000267097A (en) * 1999-03-15 2000-09-29 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic equipment
JP2000267091A (en) * 1999-03-17 2000-09-29 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP2001244081A (en) * 2000-02-25 2001-09-07 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device
JP2001313172A (en) * 2000-02-25 2001-11-09 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent white light source and manufacturing method of the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800931B1 (en) 2005-05-20 2008-02-04 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 Display device
JP2009048814A (en) * 2007-08-16 2009-03-05 Nec Lighting Ltd Organic electroluminescent illuminating device and its manufacturing method
WO2014119070A1 (en) * 2013-02-04 2014-08-07 株式会社 東芝 Organic electroluminescent element, lighting device and lighting system
JP2014167898A (en) * 2013-02-04 2014-09-11 Toshiba Corp Organic electroluminescent element, illuminating device and illumination system
US9680124B2 (en) 2013-02-04 2017-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device, illumination apparatus, and illumination system

Also Published As

Publication number Publication date
JP4211258B2 (en) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108598109B (en) Display panel and display device
US10749143B2 (en) Organic light emitting diode panel
US20040135499A1 (en) Oled displays having improved contrast
US7135815B2 (en) Organic electroluminescent device, method for manufacturing the same, and display unit
US11575111B2 (en) Optical film group, display assembly and display device
TWI276875B (en) Flat display device
CN109461838A (en) A kind of display base plate and preparation method thereof, display panel and display device
WO2018188354A1 (en) Light source panel and display device
CN111785760A (en) Display substrate, preparation method thereof and display device
JP4446500B2 (en) Liquid crystal display
KR20030038491A (en) Illuminator with reflecting layer and liquid crystal display
CN215933642U (en) Display substrate, display panel and display device
JP2002198167A (en) Illumination device and its manufacturing method, display device and electronic apparatus
US10777618B2 (en) Transparent display panel, fabricating method for the same, and display device
US20210165273A1 (en) Display device and driving method thereof
JP4211258B2 (en) LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING LIGHTING DEVICE
TWI284491B (en) Flat display panel
WO2022088992A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
US7443456B2 (en) Dual mode liquid crystal display device with capacitor electrodes separate from pixel electrode performing and functioning as a reflection electrode
JP2003233072A (en) Optoelectronic device, manufacturing method therefor, illuminator and electronic instrument
JP2003317947A (en) Manufacturing method for lighting system
KR20220007788A (en) Display device and method of fabricating the same
KR20050076464A (en) Organic electro-luminescence display panel
JP4106933B2 (en) Manufacturing method of lighting device
JP2010244828A (en) Method of manufacturing lighting system, and method of manufacturing image display

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070905

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080722

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080916

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081007

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081020

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees