JPH11191491A - Organic electroluminescent device - Google Patents

Organic electroluminescent device

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Publication number
JPH11191491A
JPH11191491A JP10285063A JP28506398A JPH11191491A JP H11191491 A JPH11191491 A JP H11191491A JP 10285063 A JP10285063 A JP 10285063A JP 28506398 A JP28506398 A JP 28506398A JP H11191491 A JPH11191491 A JP H11191491A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
spacer
light emitting
substrate
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10285063A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Toru Kohama
亨 小濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP10285063A priority Critical patent/JPH11191491A/en
Publication of JPH11191491A publication Critical patent/JPH11191491A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent device superior in display characteristic. SOLUTION: An organic electroluminescent device contains a first electrode 2 formed on a substrate 1, a thin-film layer containing at least a luminescent layer 6 comprising an. organic compound and formed on the first electrode 2, and plural second electrodes 8 formed on the thin-film layer. Plural luminescent regions are formed on the substrate 1 in the organic electroluminescent device. A spacer 4 having at least one part thereof which has height exceeding the thickness of the thin-film layer is formed on the substrate 1, and at least one part of the spacer 4 is black.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な、同一基板上に有機電界発光素子に
よる複数の発光領域を備えた有機電界発光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device having a plurality of light emitting areas formed by organic electroluminescent elements on the same substrate, which can be used in fields such as display devices, flat panel displays, backlights and interiors. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、新しい発光素子として有機電界発
光素子が注目されている。本素子は陽極から注入された
正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有機
発光層内で再結合することにより発光するものであり、
低電圧で高輝度に発光することがコダック社のC.W.
Tangらによって初めて示された(Appl.Phy
s.Lett.51(12)21,p.913,198
7)。
2. Description of the Related Art In recent years, an organic electroluminescent device has attracted attention as a new light emitting device. This element emits light by the recombination of the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode in the organic light emitting layer sandwiched between both electrodes,
It is possible to emit light with high luminance at a low voltage by C.D. W.
Tang et al. (Appl. Phy.
s. Lett. 51 (12) 21, p. 913,198
7).

【0003】図28は有機電界発光素子の代表的な構造
を示す断面図である。ガラス基板1に形成された透明な
第一電極(陽極)2上に正孔輸送層5、有機発光層6、
第二電極(陰極)8が積層され、駆動源9による駆動で
生じた発光は第一電極およびガラス基板を通じて外部に
取り出される。このような有機電界発光素子では薄型、
低電圧駆動下での高輝度発光や有機発光材料を選択する
ことによる多色発光が可能であり、表示素子やディスプ
レイなどの発光装置に応用する検討が盛んである。
FIG. 28 is a sectional view showing a typical structure of an organic electroluminescent device. On a transparent first electrode (anode) 2 formed on a glass substrate 1, a hole transport layer 5, an organic light emitting layer 6,
The second electrode (cathode) 8 is stacked, and light emitted by driving by the driving source 9 is extracted to the outside through the first electrode and the glass substrate. Such an organic electroluminescent device is thin,
High luminance light emission under low voltage driving and multi-color light emission by selecting an organic light emitting material are possible, and application to light emitting devices such as display elements and displays has been actively studied.

【0004】有機電界発光素子を利用した従来の発光装
置の一例を図29〜31に示す。この発光装置は単純マ
トリクス型カラーディスプレイであり、線順次駆動する
ことにより画像などをカラー表示することが可能であ
る。上記カラーディスプレイにおいては少なくとも有機
発光層と第二電極とを、また、モノクロディスプレイで
あっても少なくとも第二電極をパターニングする必要が
ある。
One example of a conventional light emitting device using an organic electroluminescent element is shown in FIGS. This light-emitting device is a simple matrix type color display, and can display an image and the like in color by being driven in a line-sequential manner. In the above color display, it is necessary to pattern at least the organic light emitting layer and the second electrode, and in the case of a monochrome display, at least the second electrode.

【0005】第二電極のパターニング方法としては、特
開平5−275172号公報や特開平8−315981
号公報の技術が開示されている。特開平5−27517
2号公報の技術は、基板上に間隔をあけて配置された隔
壁を形成し、この基板に対して斜め方向から電極材料を
蒸着するものであり、図29〜31に示した構造の発光
装置を製造することができる。また、特開平8−315
981号公報の技術は、基板上にオーバーハング部を有
する隔壁を形成し、この基板に対して垂直方向を中心と
した角度範囲で電極材料を蒸着するものである。いずれ
の技術も、薄膜層の厚さを上回る高さをもつ隔壁(スペ
ーサー)によって作り出される蒸着物の影を利用して第
二電極をパターニングするものである。
As a method for patterning the second electrode, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-275172 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981 are known.
The technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. H10-209,837 is disclosed. JP-A-5-27517
The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 2 (1995) -27911 forms barrier ribs arranged at intervals on a substrate, and deposits an electrode material on the substrate in an oblique direction. The light emitting device having the structure shown in FIGS. Can be manufactured. Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315
No. 981 discloses a technique in which a partition having an overhang portion is formed on a substrate, and an electrode material is deposited on the substrate in an angle range centered on a vertical direction. In each of the techniques, the second electrode is patterned by using a shadow of a deposit created by a partition (spacer) having a height exceeding the thickness of the thin film layer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では薄膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーはアク
リル系やポリイミド系の透明樹脂材料で形成されてい
た。前記スペーサーは第二電極の間、つまり、図32に
示すように非発光領域に配置されるために、その透明部
分において発光領域からの発光や外光の反射や散乱、透
過などが生じ、有機電界発光装置における表示特性が低
下するという問題があった。
However, in the above-mentioned prior art, the spacer having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed of an acrylic or polyimide transparent resin material. Since the spacer is disposed between the second electrodes, that is, in the non-light-emitting region as shown in FIG. 32, light emission from the light-emitting region, reflection, scattering, transmission, and the like of light from the light-emitting region occur in the transparent portion. There is a problem that the display characteristics of the electroluminescent device are deteriorated.

【0007】本発明はかかる問題を解決し、表示特性に
優れた有機電界発光装置を提供することが目的である。
It is an object of the present invention to solve such a problem and to provide an organic electroluminescent device having excellent display characteristics.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光装
置は、基板上に形成された第一電極と、少なくとも有機
化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形成され
た薄膜層と、前記薄膜層上に形成された複数の第二電極
とを含み、前記基板上に複数の発光領域を有する有機電
界発光装置であって、少なくとも一部分が前記薄膜層の
厚さを上回る高さをもつスペーサーが前記基板上に形成
されており、かつ、前記スペーサーの少なくとも一部分
が黒色であることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising: a first electrode formed on a substrate; and a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound and formed on the first electrode. A plurality of second electrodes formed on the thin film layer, the organic electroluminescent device having a plurality of light emitting regions on the substrate, at least a portion of the height of the thin film layer exceeds the thickness The spacer is formed on the substrate, and at least a part of the spacer is black.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明における有機電界発光装置
とは、同一基板上に有機電界発光素子による複数の発光
領域を備えたものである。以下で本発明を説明するが、
本発明は例示された形式や構造をもつ有機電界発光装置
に限定されるわけではなく、セグメント型、単純マトリ
クス型、アクティブマトリクス型などの形式やカラー、
モノクロなどの発光色数を問わず任意の構造の有機電界
発光装置に適用することが可能である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic electroluminescent device according to the present invention is provided with a plurality of light emitting regions by an organic electroluminescent element on the same substrate. The present invention will be described below,
The present invention is not limited to the organic electroluminescent device having the exemplified form and structure, but is not limited to segment type, simple matrix type, active matrix type, etc.
The present invention can be applied to an organic electroluminescent device having an arbitrary structure regardless of the number of emission colors such as monochrome.

【0010】本発明の有機電界発光装置は、少なくとも
一部分が前記薄膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサ
ーが前記基板上に形成されており、かつ、前記スペーサ
ーの少なくとも一部分が黒色であることを特徴とする。
その一例を図1〜3に示す。基板1上に形成されたスト
ライプ状の第一電極2と、各第一電極上にパターニング
された有機化合物からなる発光層6を含む薄膜層10
と、第一電極に対して直交するストライプ状の第二電極
8とが積層されており、両電極の交点に有機電界発光素
子構造をもつ複数の発光領域が形成されている。各発光
領域は発光層に異なる材料を用いることで赤(R)、緑
(G)、青(B)に発光するので、この単純マトリクス
型発光装置を線順次駆動することにより画像などをカラ
ー表示することが可能である。また、薄膜層の厚さを上
回る高さをもつ黒色のスペーサー4が第二電極間に形成
されており、図4に示すように非発光領域の一部分が黒
色となる。したがって、発光領域からの発光や外光の反
射や散乱、透過などをより低下させることが可能とな
り、また、発光領域の境界をよりシャープにすることが
可能となるので、有機電界発光装置における表示コント
ラストなどの表示特性が向上する。以下では、この構造
を例にして本発明の有機電界発光装置を詳しく説明す
る。
[0010] In the organic electroluminescent device of the present invention, a spacer having at least a portion having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed on the substrate, and at least a portion of the spacer is black. It is characterized by.
One example is shown in FIGS. A thin-film layer 10 including a stripe-shaped first electrode 2 formed on a substrate 1 and a light-emitting layer 6 made of an organic compound patterned on each first electrode
And a second electrode 8 in the form of a stripe orthogonal to the first electrode. A plurality of light emitting regions having an organic electroluminescent element structure are formed at intersections of the two electrodes. Each light-emitting region emits red (R), green (G), and blue (B) light by using different materials for the light-emitting layer. By driving this simple matrix light-emitting device line-sequentially, an image or the like is displayed in color. It is possible to Further, a black spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed between the second electrodes, and a part of the non-light emitting region becomes black as shown in FIG. Therefore, it is possible to further reduce the reflection, scattering, transmission, and the like of light emission from the light emitting region and external light, and it is possible to sharpen the boundary of the light emitting region. Display characteristics such as contrast are improved. Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention will be described in detail using this structure as an example.

【0011】スペーサーの構造は特に限定されるもので
はなく、一層によって形成されていても、複数の層が積
層されて形成されていてもよく、また、円や多角形など
の平面形状をもつ複数のドット状スペーサーを基板上に
配置させることも可能である。例えば、図1〜3に示し
た有機電界発光装置では、スペーサー4が一層の黒色層
であってもよいし、黒色層を一層以上含む積層構造であ
ってもよい。積層構造の場合には、スペーサーの基板1
もしくは第一電極2に接する部分が黒色であってもよい
し、スペーサーの基板もしくは第一電極に接する部分が
透明な層であり、その上に黒色の層が形成されていても
よい。
The structure of the spacer is not particularly limited. The spacer may be formed by a single layer, a plurality of layers may be laminated, or a plurality of layers having a planar shape such as a circle or a polygon. Can be arranged on the substrate. For example, in the organic electroluminescent device shown in FIGS. 1 to 3, the spacer 4 may be a single black layer, or may have a laminated structure including one or more black layers. In the case of a laminated structure, the spacer substrate 1
Alternatively, a portion in contact with the first electrode 2 may be black, or a portion of the spacer in contact with the substrate or the first electrode may be a transparent layer, and a black layer may be formed thereon.

【0012】積層構造をもつスペーサーは、それぞれの
層が同一の平面形状である必要はない。例えば図5〜7
に示すように、比較的膜厚の薄い第一のスペーサー3を
第一電極2の間に、それに直交するように薄膜層の厚さ
を上回る高さをもつ第二のスペーサー4を第二電極8の
間に形成して、両スペーサーの少なくとも一方を黒色に
することもできる。また、図8〜10に示すように、第
二電極8の間に位置し、かつ、第一電極2の端部を被覆
する層間絶縁層としての機能が付加されたマトリクス状
の第一のスペーサー3を基板1上に形成し、その上に積
層して第二電極の間に位置する第二のスペーサー4を形
成することもできる。
In the spacer having a laminated structure, it is not necessary that each layer has the same planar shape. For example, FIGS.
As shown in FIG. 2, a first spacer 3 having a relatively small thickness is provided between the first electrodes 2 and a second spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer is perpendicularly provided between the first electrodes 2. 8, and at least one of both spacers can be made black. As shown in FIGS. 8 to 10, a matrix-like first spacer added between the second electrodes 8 and having an additional function as an interlayer insulating layer covering the end of the first electrode 2. 3 may be formed on the substrate 1 and laminated thereon to form the second spacer 4 located between the second electrodes.

【0013】スペーサーの断面形状は特に限定されず、
テーパー型あるいは逆テーパー型であってもよい。スペ
ーサーの高さについても、少なくともその一部分が薄膜
層の厚さを上回る高さをもてばよく、特に限定されない
が、通常は0.1〜100μmの範囲内で形成される。
The cross-sectional shape of the spacer is not particularly limited.
It may be a taper type or a reverse taper type. As for the height of the spacer, at least a part thereof may have a height exceeding the thickness of the thin film layer, and is not particularly limited, but is usually formed in the range of 0.1 to 100 μm.

【0014】スペーサーが配置される位置についても特
に限定はされないが、発光領域の面積ロスを最小とする
ように、有機電界発光装置における非発光領域を中心に
スペーサーを配置することが好ましい。さらに、図5〜
7に示した発光装置では第一のスペーサー3および第二
のスペーサー4を、また、図8〜10に示した発光装置
では少なくとも第一のスペーサー3を黒色とすれば、図
11に示すように非発光領域が黒色となり表示特性をよ
り向上させることができる。このように、少なくとも一
部分が黒色であるスペーサーによって発光領域が囲まれ
る配置は特に好ましいといえる。
Although the position where the spacer is arranged is not particularly limited, it is preferable to arrange the spacer around the non-light emitting region in the organic electroluminescent device so as to minimize the area loss of the light emitting region. Furthermore, FIG.
In the light emitting device shown in FIG. 7, if the first spacer 3 and the second spacer 4 are used, and in the light emitting device shown in FIGS. 8 to 10, at least the first spacer 3 is made black, as shown in FIG. The non-light emitting region becomes black, and the display characteristics can be further improved. Thus, it can be said that the arrangement in which the light emitting region is surrounded by the spacer at least partially black is particularly preferable.

【0015】スペーサーは第一電極に接する状態で形成
されることが多いために、少なくともスペーサーの基板
もしくは第一電極に接する部分が電気絶縁性を有するこ
とが好ましい。しかしながら、積極的に電気導電性部分
をスペーサーに形成することも可能であり、その場合に
は第一電極間の短絡を防止するための電気絶縁性部分を
合わせて形成すればよい。例えば、図12〜14に示す
ように、第二電極間に薄膜層10の厚さを上回る高さを
もつスペーサー4を配置する。このスペーサーの片方の
側面には第二電極8方向に延伸する電気導電性部分15
が形成されているが、この電気導電性部分と第一電極2
の間にはスペーサーを構成する電気絶縁性部分が存在す
るので、第一電極同士が電気的に短絡することはない。
このようにすると、前記電気導電性部分がガイド電極と
して機能し、第二電極の電気抵抗値を低下させることが
可能になる。したがって、線順次駆動時における電圧降
下が軽減されるので、発光装置における輝度むらや消費
電力を低減する効果が期待できる。
Since the spacer is often formed in contact with the first electrode, it is preferable that at least a portion of the spacer that contacts the substrate or the first electrode has electrical insulation. However, it is also possible to positively form an electrically conductive portion on the spacer. In this case, an electrically insulating portion for preventing a short circuit between the first electrodes may be formed together. For example, as shown in FIGS. 12 to 14, a spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer 10 is arranged between the second electrodes. An electrically conductive portion 15 extending in the direction of the second electrode 8 is provided on one side surface of the spacer.
Are formed, and the electrically conductive portion and the first electrode 2 are formed.
Since there is an electrically insulating portion constituting the spacer between them, the first electrodes are not electrically short-circuited.
With this configuration, the electric conductive portion functions as a guide electrode, and the electric resistance of the second electrode can be reduced. Therefore, a voltage drop during line-sequential driving is reduced, and an effect of reducing uneven brightness and power consumption in the light emitting device can be expected.

【0016】絶縁性のスペーサー材料としては公知の材
料を用いることが可能であり、無機物では酸化ケイ素を
はじめとする酸化物材料、ガラス材料、セラミックス材
料などを、有機物ではポリビニル系、ポリイミド系、ポ
リスチレン系、アクリル系、ノボラック系、シリコーン
系などのポリマー系樹脂材料を好ましい例として挙げる
ことができる。さらに、黒色部分のスペーサー材料とし
ては、無機物ではケイ素、砒化ガリウム、二酸化マンガ
ン、酸化チタンや酸化クロムと金属クロムとの積層膜な
どを、有機物では上記樹脂材料に、電気絶縁性を高める
ために表面処理の施されたカーボンブラック系、フタロ
シアニン系、アントラキノン系、モノアゾ系、ジスアゾ
系、金属錯塩型モノアゾ系、トリアリルメタン系、アニ
リン系などの公知の顔料や染料、あるいは上記無機材料
粉末を混合した材料を好ましい例として挙げることがで
きる。さらに、公知の光学干渉フィルターの技術を利用
して、低反射特性を有するスペーサーを形成してもよ
い。
Known materials can be used as the insulating spacer material. For inorganic materials, oxide materials such as silicon oxide, glass materials, ceramic materials, and the like, and for organic materials, polyvinyl, polyimide, and polystyrene are used. Preferred examples include polymer-based resin materials such as a resin, an acrylic, a novolak, and a silicone. Further, as a spacer material for the black portion, an inorganic material such as silicon, gallium arsenide, manganese dioxide, titanium oxide or a laminated film of chromium oxide and metal chromium is used. Known pigments and dyes such as treated carbon black, phthalocyanine, anthraquinone, monoazo, disazo, metal complex salt type monoazo, triallylmethane, aniline, etc., or mixed with the above inorganic material powder Materials can be mentioned as preferred examples. Further, a spacer having low reflection characteristics may be formed by utilizing a known optical interference filter technique.

【0017】また、前記電気導電性部分の材料として
は、すでに第一および第二電極材料として例示した各種
材料を好ましい例として挙げることができる。
Further, as the material of the electrically conductive portion, various materials which have already been exemplified as the first and second electrode materials can be mentioned as preferable examples.

【0018】上記において黒色とはその色相を限定する
ものではなく、可視光領域において比較的広い光吸収領
域、あるいは、光低反射領域を有することを意味する。
したがって、茶色、紺色、紫色などの濃色であってもよ
い。スペーサーの光学的吸収あるいは反射特性などにつ
いては必要に応じて最適化すればよく、特に限定される
ものではない。
In the above description, "black" does not limit the hue, but means that it has a relatively wide light absorption region or low light reflection region in the visible light region.
Therefore, it may be a dark color such as brown, navy blue, or purple. The optical absorption or reflection characteristics of the spacer may be optimized as needed, and are not particularly limited.

【0019】本発明の有機電界発光装置は、その製造方
法を限定するものではない。したがって、上記隔壁法な
どの公知技術を用いて本発明の有機電界発光装置を製造
することができる。
The method for manufacturing the organic electroluminescent device of the present invention is not limited. Therefore, the organic electroluminescent device of the present invention can be manufactured by using a known technique such as the above-mentioned partition method.

【0020】第一および第二電極は有機電界発光素子の
発光に十分な電流が供給できる導電性をもてばよいが、
光を取り出すために少なくとも一方の電極が透明である
ことが好ましい。
The first and second electrodes only need to have a conductivity capable of supplying a current sufficient for light emission of the organic electroluminescent device.
Preferably, at least one of the electrodes is transparent to extract light.

【0021】透明な電極は可視光線透過率が30%以上
あれば使用に大きな障害はないが、理想的には100%
に近い方が好ましい。基本的には可視光全域において同
程度の透過率を持つことが好ましいが、発光色を変化さ
せたい場合には積極的に光吸収性を付与させることも可
能である。このような場合にはカラーフィルターや干渉
フィルターを用いて変色させる方法が技術的には容易で
ある。透明電極材料としては、インジウム、錫、金、
銀、亜鉛、アルミニウム、クロム、ニッケル、酸素、窒
素、水素、アルゴン、炭素から選ばれる少なくとも一種
類の元素からなることが多いが、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマーを用いることも可能で
あり、特に限定されるものでない。
A transparent electrode has no major obstacle to its use if the visible light transmittance is 30% or more, but ideally 100%.
Is preferably closer to Basically, it is preferable to have the same transmittance in the entire visible light range. However, when it is desired to change the emission color, it is possible to positively impart light absorbency. In such a case, it is technically easy to change the color using a color filter or an interference filter. Transparent electrode materials include indium, tin, gold,
It is often composed of at least one element selected from silver, zinc, aluminum, chromium, nickel, oxygen, nitrogen, hydrogen, argon, carbon, but inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, polythiophene, polypyrrole It is also possible to use a conductive polymer such as polyaniline or the like, and there is no particular limitation.

【0022】好ましい第一電極材料の例としては、透明
基板上に形成された酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウ
ム、酸化バナジウム、酸化錫インジウム(ITO)など
を挙げることができる。パターニングを行うディスプレ
イ用途などでは、加工性に優れたITOを第一電極に用
いることが特に好ましい。導電性向上のためにITOに
は少量の銀や金などの金属が含まれていてもよく、ま
た、錫、金、銀、亜鉛、インジウム、アルミニウム、ク
ロム、ニッケルをITOのガイド電極として使用するこ
とも可能である。とりわけクロムはブラックマトリック
スとガイド電極との両方の機能を持たせることができる
ので好ましいガイド電極材料である。有機電界発光装置
の消費電力の観点からITOの抵抗は低いことが好まし
い。300Ω/□以下のITO基板であれば第一電極と
して機能するが、現在では10Ω/□程度のITO基板
の供給も容易になっていることから、低抵抗品を使用す
ることも可能である。ITOの厚みは抵抗値に合わせて
任意に選択できるが、通常は厚みが100〜300nm
のITOを用いることが多い。透明基板の材質は特に限
定されず、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリ
エステル、ポリイミド、アラミドからなるプラスチック
板やフィルムを用いることができるが、好ましい例とし
てガラス板を挙げることができる。ガラスの材質につい
ては、無アルカリガラスや酸化ケイ素膜などのバリアコ
ートを施したソーダライムガラスなどが使用できる。ま
た、厚みは機械的強度を保てればよいので、0.5mm
以上あれば十分である。ITOの形成方法は、電子ビー
ム蒸着、スパッタリング蒸着、化学反応法など特に制限
されるものではない。
Preferred examples of the first electrode material include tin oxide, zinc oxide, indium oxide, vanadium oxide, and indium tin oxide (ITO) formed on a transparent substrate. In display applications where patterning is performed, it is particularly preferable to use ITO having excellent workability for the first electrode. ITO may contain a small amount of metal such as silver or gold to improve conductivity, and use tin, gold, silver, zinc, indium, aluminum, chromium, and nickel as ITO guide electrodes. It is also possible. In particular, chromium is a preferred guide electrode material because it can have both functions of a black matrix and a guide electrode. From the viewpoint of power consumption of the organic electroluminescent device, the resistance of ITO is preferably low. An ITO substrate having a resistance of 300 Ω / □ or less functions as the first electrode. However, it is now easy to supply an ITO substrate having a resistance of about 10 Ω / □, so that a low resistance product can be used. The thickness of the ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but usually the thickness is 100 to 300 nm.
Is often used. The material of the transparent substrate is not particularly limited, and a plastic plate or film made of polyacrylate, polycarbonate, polyester, polyimide, or aramid can be used. A preferred example is a glass plate. As for the material of the glass, soda lime glass or the like provided with a barrier coat such as non-alkali glass or silicon oxide film can be used. In addition, the thickness is 0.5 mm because it is sufficient to maintain the mechanical strength.
That's enough. The method for forming ITO is not particularly limited, such as electron beam evaporation, sputtering evaporation, and a chemical reaction method.

【0023】第二電極材料についても特に限定されない
が、第一電極としてITOを使用する場合にはITOが
一般的に陽極として機能するために、第二電極には有機
電界発光素子に電子を効率良く注入できる陰極としての
機能が求められる。したがって、第二電極材料としては
アルカリ金属などの低仕事関数金属を使用することも可
能であるが、電極の安定性を考えると、白金、金、銀、
銅、鉄、錫、アルミニウム、マグネシウム、インジウム
などの金属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合
金などを使用することが好ましい。また、あらかじめ有
機電界発光素子の薄膜層に低仕事関数金属を微量にドー
ピングしたり、薄膜層上にフッ化リチウムなど金属塩の
層を薄く形成するなどし、その後に比較的安定な金属を
第二電極として形成することで、電子注入効率を高く保
ちながら安定な電極を得ることもできる。第二電極の形
成方法も抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ蒸着、イオンプレーティング法などドライプロセスで
あれば特に限定されない。
The material of the second electrode is not particularly limited. However, when ITO is used as the first electrode, since the ITO generally functions as an anode, electrons are efficiently applied to the organic electroluminescent device by the second electrode. It is required to function as a cathode that can be injected well. Therefore, it is possible to use a low work function metal such as an alkali metal as the second electrode material, but considering the stability of the electrode, platinum, gold, silver,
It is preferable to use metals such as copper, iron, tin, aluminum, magnesium and indium, or alloys of these metals with low work function metals. In addition, a small amount of a low work function metal is doped in the thin film layer of the organic electroluminescent element in advance, or a thin metal salt layer such as lithium fluoride is formed on the thin film layer. By forming the electrodes as two electrodes, a stable electrode can be obtained while maintaining high electron injection efficiency. The method for forming the second electrode is not particularly limited as long as it is a dry process such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering evaporation, or ion plating.

【0024】有機電界発光素子に含まれる薄膜層として
は、1)正孔輸送層/発光層、2)正孔輸送層/発光層
/電子輸送層、3)発光層/電子輸送層、そして、4)
以上の層構成物質を一層に混合した形態の発光層、のい
ずれであってもよい。すなわち、素子構成として有機化
合物からなる発光層が存在していれば、上記1)〜3)
の多層積層構造の他に4)のように発光材料単独または
発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む発光層を
一層設けるだけでもよい。
The thin film layers included in the organic electroluminescent device include 1) a hole transport layer / light emitting layer, 2) a hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 3) a light emitting layer / electron transport layer, and 4)
Any of the above-mentioned light emitting layers in which the layer constituting materials are mixed in one layer may be used. That is, if a light emitting layer made of an organic compound exists as a device configuration, the above-mentioned 1) to 3)
In addition to the multi-layer structure, the light emitting material alone or a single light emitting layer containing the light emitting material and the hole transporting material or the electron transporting material as in 4) may be provided.

【0025】正孔輸送層は正孔輸送材料単独で、あるい
は正孔輸送材料と高分子結着剤により形成される。正孔
輸送材料としては、低分子化合物ではN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’
−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)やN,
N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−
ジフェニル−4,4’−ジアミン(NPD)などに代表
されるトリフェニルアミン類、N−イソプロピルカルバ
ゾール、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒド
ラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシア
ニン誘導体に代表される複素環化合物などを、また、ポ
リマー系では前記低分子化合物を側鎖に有するポリカー
ボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、
ポリシランなどを好ましい例として挙げることができ
る。
The hole transporting layer is formed of a hole transporting material alone or a hole transporting material and a polymer binder. As a hole transport material, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -1,1 ′ is used for a low molecular weight compound.
-Diphenyl-4,4'-diamine (TPD), N,
N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl-1,1'-
Heterocycles such as triphenylamines represented by diphenyl-4,4'-diamine (NPD), N-isopropylcarbazole, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadiazole derivatives and phthalocyanine derivatives Compounds and the like, and, in a polymer system, a polycarbonate or a styrene derivative having the low-molecular compound in a side chain, polyvinyl carbazole,
Preferred examples include polysilane.

【0026】単純マトリクス型発光装置の用途では各有
機電界発光素子の発光時間は短く、パルス電流を流すこ
とで瞬間的に高輝度に発光させることが必要になる。こ
のような場合に正孔輸送材料には優れた正孔輸送特性と
安定した薄膜形成能だけでなく、正孔輸送層中の電子の
漏れによる発光効率低下を防ぐために良好な電子ブロッ
キング特性が要求される。上記特性をバランスよく満足
させるために、本発明においては下記に示すビスカルバ
ゾリル骨格を含む有機化合物からなる有機層を形成する
ことが特に好ましい。
In the application of the simple matrix type light emitting device, the light emitting time of each organic electroluminescent element is short, and it is necessary to instantaneously emit light with high luminance by passing a pulse current. In such a case, the hole transporting material is required to have not only excellent hole transporting properties and stable thin film forming ability, but also good electron blocking properties to prevent a decrease in luminous efficiency due to leakage of electrons in the hole transporting layer. Is done. In order to satisfy the above characteristics in a well-balanced manner, in the present invention, it is particularly preferable to form an organic layer comprising an organic compound having a biscarbazolyl skeleton shown below.

【0027】[0027]

【化1】 ここで、R1、R2は、水素、アルキル、ハロゲン、ア
リール、アラルキルおよびシクロアルキルの中から選ば
れる。また、カルバゾリル骨格にはアルキル、アリー
ル、アラルキル、カルバゾリル、置換カルバゾリル、ハ
ロゲン、アルコキシ、ジアルキルアミノおよびトリアル
キルシリル基から選ばれる置換基が1つ以上連結されて
いてもよい。
Embedded image Here, R1 and R2 are selected from hydrogen, alkyl, halogen, aryl, aralkyl and cycloalkyl. The carbazolyl skeleton may have one or more substituents selected from alkyl, aryl, aralkyl, carbazolyl, substituted carbazolyl, halogen, alkoxy, dialkylamino, and trialkylsilyl groups.

【0028】発光材料としては、低分子化合物では以前
から発光体として知られていたアントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導
体、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール
誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体な
どを、ポリマー系ではポリフェニレンビニレン誘導体、
ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体など
を好ましい例として挙げることができる。また、発光層
にドーピングするドーパントとしては、ルブレン、キナ
クリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、ペリ
ノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザ
インダセン誘導体などを好ましい例として挙げることが
できる。
Examples of the light emitting material include anthracene derivatives, pyrene derivatives, 8-hydroxyquinoline aluminum derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, coumarin derivatives, and oxadiazoles, which have been known as light emitters in the case of low molecular weight compounds. Derivatives, distyrylbenzene derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, etc., in the case of polymer systems, polyphenylenevinylene derivatives,
Preferred examples include polyparaphenylene derivatives and polythiophene derivatives. Preferred examples of the dopant for doping the light-emitting layer include rubrene, quinacridone derivatives, phenoxazone derivatives, DCM, perinone derivatives, perylene derivatives, coumarin derivatives, and diazaindacene derivatives.

【0029】電子輸送材料には陰極から注入された電子
を効率良く輸送することが要求されるので、大きな電子
親和力、大きな電子移動度、安定した薄膜形成能を有す
ることが好ましい。このような特性を満足させる材料と
して、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導体、ヒ
ドロキシベンゾキノリンベリリウム誘導体、2−(4−
ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール(t−BuPBD)や1,3
−ビス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサ
ジゾリル)ビフェニレン(OXD−1)、1,3−ビス
(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジゾリ
ル)フェニレン(OXD−7)などのオキサジアゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体
などを好ましい例として挙げることができる。
Since the electron transporting material is required to efficiently transport the electrons injected from the cathode, it is preferable that the electron transporting material has a large electron affinity, a large electron mobility, and a stable thin film forming ability. As materials satisfying such characteristics, 8-hydroxyquinoline aluminum derivatives, hydroxybenzoquinoline beryllium derivatives, 2- (4-
Biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,
3,4-oxadiazole (t-BuPBD), 1,3
-Bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) biphenylene (OXD-1), 1,3-bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) phenylene (OXD- Oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives and the like such as 7) can be mentioned as preferred examples.

【0030】上記の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂に分散させて用いるこ
ともできる。
The materials used for the above-described hole transporting layer, light emitting layer and electron transporting layer can be used alone to form each layer. As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N- Vinyl carbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide,
Solvent-soluble resins such as ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, phenolic resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin,
It can be used by being dispersed in a curable resin such as a silicone resin.

【0031】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング蒸着法など特に限定されないが、一般的には抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの方法が特性面で好ま
しい。有機層の厚みはその抵抗値にも関係するので限定
できないが、経験的には10〜1000nmの間から選
ばれる。
The method for forming the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the like is not particularly limited, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, and sputtering evaporation. Is preferred in terms of characteristics. The thickness of the organic layer cannot be limited because it is related to the resistance value, but is empirically selected from the range of 10 to 1000 nm.

【0032】また、正孔輸送層や電子輸送層の全体、も
しくは一部分に無機材料を用いることも可能である。好
ましい例として炭化ケイ素、窒化ガリウム、セレン化亜
鉛、硫化亜鉛系の無機半導体材料を挙げることができ
る。
It is also possible to use an inorganic material for the whole or a part of the hole transport layer or the electron transport layer. Preferred examples include silicon carbide, gallium nitride, zinc selenide, and zinc sulfide-based inorganic semiconductor materials.

【0033】[0033]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0034】実施例1 発光層パターニング用として、図15に示したようにマ
スク部分と補強線とが同一平面内に形成された構造のシ
ャドーマスクを用意した。シャドーマスクの外形は12
0×84mm、マスク部分31の厚さは25μmであ
り、長さ64mm、幅300μmのストライプ状開口部
32がピッチ900μmで横方向に92本配置されてい
る。各ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅2
0μm、厚さ25μmの補強線33が1.8mmおきに
形成されている。また、シャドーマスクは外形が等しい
幅4mmのステンレス鋼製フレーム34に固定されてい
る。
Example 1 A shadow mask having a structure in which a mask portion and a reinforcing line were formed on the same plane as shown in FIG. 15 was prepared for patterning a light emitting layer. The outline of the shadow mask is 12
0 × 84 mm, the thickness of the mask portion 31 is 25 μm, and 92 stripe-shaped openings 32 having a length of 64 mm and a width of 300 μm are arranged in a horizontal direction at a pitch of 900 μm. Each stripe-shaped opening has a width 2 orthogonal to the opening.
Reinforcing wires 33 having a thickness of 0 μm and a thickness of 25 μm are formed every 1.8 mm. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0035】第二電極パターニング用として、図16お
よび17に示すようにマスク部分31の一方の面35と
補強線33との間に隙間36が存在する構造のシャドー
マスクを用意した。シャドーマスクの外形は120×8
4mm、マスク部分の厚さは170μmであり、長さ1
00mm、幅770μmのストライプ状開口部32がピ
ッチ900μmで横方向に66本配置されている。マス
ク部分の上には、幅45μm、厚さ40μm、対向する
二辺の間隔が200μmの正六角形構造からなるメッシ
ュ状の補強線が形成されている。隙間の高さはマスク部
分の厚さと等しく170μmである。また、シャドーマ
スクは外形が等しい幅4mmのステンレス鋼製フレーム
34に固定されている。
For the second electrode patterning, a shadow mask having a structure in which a gap 36 exists between one surface 35 of the mask portion 31 and the reinforcing line 33 as shown in FIGS. 16 and 17 was prepared. 120 x 8 shadow mask
4 mm, the thickness of the mask portion is 170 μm, and the length is 1
66 stripe-shaped openings 32 having a width of 770 μm and a width of 770 μm are arranged at a pitch of 900 μm in the horizontal direction. On the mask portion, a mesh-like reinforcing line having a regular hexagonal structure with a width of 45 μm, a thickness of 40 μm, and a distance between two opposing sides of 200 μm is formed. The height of the gap is equal to the thickness of the mask portion and is 170 μm. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0036】第一電極は以下のとおりパターニングし
た。厚さ1.1mmの無アルカリガラス基板表面にスパ
ッタリング蒸着法によって厚さ130nmのITO透明
電極が形成されたITOガラス基板(ジオマテック社
製)を120×100mmの大きさに切断した。ITO
基板上にフォトレジストを塗布して、通常のフォトリソ
法による露光、現像によってフォトレジストをパターニ
ングした。ITOの不要部分をエッチングした後にフォ
トレジストを除去することで、ITOを長さ90mm、
幅270μmのストライプ形状にパターニングした。図
18に示したように、このストライプ状第一電極2は3
00μmピッチで横方向に272本配置されている。
The first electrode was patterned as follows. An ITO glass substrate (manufactured by Geomatic) having a 130-nm-thick ITO transparent electrode formed on a 1.1-mm-thick non-alkali glass substrate surface by sputtering deposition was cut into a size of 120 × 100 mm. ITO
A photoresist was applied on the substrate, and the photoresist was patterned by exposure and development by a normal photolithography method. By removing the photoresist after etching the unnecessary portions of ITO, ITO can be 90 mm long,
It was patterned into a stripe shape having a width of 270 μm. As shown in FIG. 18, this stripe-shaped first electrode 2
272 are arranged in the horizontal direction at a pitch of 00 μm.

【0037】スペーサーは以下のとおり形成した。40
%メタクリル酸、30%のメチルメタクリレートおよび
30%のスチレンからなる共重合体のカルボキシル基に
対して0.4当量のグリシジルメタクリレートを付加反
応させ、側鎖のカルボキシル基とエチレン不飽和基を有
するアクリル系共重合体を得た。このアクリル共重合体
50重量部、光反応性化合物として2官能ウレタンアク
リレート系オリゴマー(日本化薬社製、UX−410
1)20重量部、アクリル系モノマーとしてヒドロキシ
ピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレ
ート(日本化薬社製、HX−220)20重量部にシク
ロヘキサン200重量部を加え、1時間常温で攪拌して
樹脂成分溶液を得た。この樹脂成分溶液に、光重合開始
剤としてジエチルチオキサントン(日本化薬社製、DE
TX−S)8重量部、増感剤としてp−ジメチルアミノ
安息香酸エチルエステル(日本化薬社製、EPA)3重
量部を加え、さらに着色剤としてアゾ系クロム錯塩の油
溶性染料メチルエチルケトン/メチルイソブチルケトン
30重量%溶液(オリエント化学社製、3804T)と
フタロシアニン系黒色顔料とを添加して、20分間常温
で攪拌して感光性黒色ペーストを得た。
The spacer was formed as follows. 40
% Methacrylic acid, 30% methyl methacrylate, and 30% styrene by adding 0.4 equivalent of glycidyl methacrylate to the carboxyl group of the copolymer to form an acrylic having a side chain carboxyl group and an ethylenically unsaturated group. A copolymer was obtained. 50 parts by weight of this acrylic copolymer and a bifunctional urethane acrylate oligomer (UX-410, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a photoreactive compound
1) 20 parts by weight of hydroxypivalic acid ester neopentyl glycol diacrylate (HX-220, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as an acrylic monomer, and 200 parts by weight of cyclohexane were added thereto, followed by stirring at room temperature for 1 hour to obtain a resin component. A solution was obtained. Diethylthioxanthone (Nippon Kayaku Co., Ltd., DE
TX-S) 8 parts by weight, sensitizer p-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester (Nippon Kayaku Co., Ltd., EPA) 3 parts by weight, and an azo-chromium complex oil-soluble dye methyl ethyl ketone / methyl as a colorant A 30% by weight solution of isobutyl ketone (3804T, manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) and a phthalocyanine-based black pigment were added, and the mixture was stirred at room temperature for 20 minutes to obtain a photosensitive black paste.

【0038】この感光性黒色ペーストをスピンコート法
により前記ITO基板上に塗布して、クリーンオーブン
による窒素雰囲気下で80℃、5分間プリベーキングし
た。さらに、前記塗布膜にフォトマスクを介して紫外光
を露光して所望部分を光硬化させ、0.4容積%の2−
アミノエタノール水溶液で現像した。最後にパターニン
グされた前記塗布膜をクリーンオーブン中で120℃、
30分間ベーキングして、図1〜3に示したように第一
電極に直交するスペーサー4を形成した。この黒色スペ
ーサーは、長さ90mm、幅150μm、高さ4μmで
あり、900μmピッチで横方向に67本配置されてい
る。また、このスペーサーは良好な電気絶縁性を有して
いた。
This photosensitive black paste was applied on the ITO substrate by spin coating, and prebaked at 80 ° C. for 5 minutes in a nitrogen atmosphere in a clean oven. Further, the coating film was exposed to ultraviolet light through a photomask to photo-cure the desired portion, and 0.4% by volume of 2-vol.
Development was carried out with an aminoethanol aqueous solution. Finally, the patterned coating film is heated at 120 ° C. in a clean oven.
After baking for 30 minutes, the spacer 4 orthogonal to the first electrode was formed as shown in FIGS. The black spacers have a length of 90 mm, a width of 150 μm, and a height of 4 μm, and are arranged in a horizontal direction at a pitch of 900 μm. Further, this spacer had good electric insulation.

【0039】上記スペーサーを形成したITO基板を洗
浄した後で真空蒸着機内にセットした。また、上記発光
層用シャドーマスク3枚、第二電極用シャドーマスク1
枚を真空蒸着機内にセットした。本真空蒸着機では、真
空中においてそれぞれが10μm程度の精度で基板と位
置合わせができるように、上記4種類のシャドーマスク
を交換することが可能である。
After washing the ITO substrate on which the spacer was formed, it was set in a vacuum evaporation machine. In addition, the three shadow masks for the light emitting layer, the shadow mask 1 for the second electrode,
The sheets were set in a vacuum evaporation machine. In the present vacuum evaporation machine, the above four types of shadow masks can be exchanged so that each can be aligned with the substrate in a vacuum with an accuracy of about 10 μm.

【0040】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空度
は2×10−4Pa以下であり、蒸着中は蒸着源に対し
て基板を回転させた。
The thin film layer was formed as follows by a vacuum deposition method using a resistance wire heating method. Note that the degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to the vapor deposition source during vapor deposition.

【0041】まず、図19に示した配置において、水晶
振動子方式の膜厚モニター表示値で銅フタロシアニンを
20nm、ビス(N−エチルカルバゾール)を200n
m基板全面に蒸着して正孔輸送層5を形成した。
First, in the arrangement shown in FIG. 19, copper phthalocyanine was 20 nm, and bis (N-ethylcarbazole) was 200 n, as indicated by a quartz crystal resonator type film thickness monitor.
The hole transport layer 5 was formed by vapor deposition on the entire surface of the m substrate.

【0042】次に、第一の発光層用シャドーマスクを基
板前方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェラ
イト系板磁石(日立金属社製、YBM−1B)を配置し
た。この際、図20および21に示したように、ストラ
イプ状第一電極2がシャドーマスクのストライプ状開口
部32の中心に位置し、補強線33がスペーサー4の位
置と一致するように、両者は位置合わせされている。こ
の状態で8−ヒドロキシキノリン−アルミニウム錯体
(Alq3)を30nm蒸着して、G発光層をパターニ
ングした。次に、前記G発光層のパターニングと同様に
して第二の発光層用シャドーマスクを使用し、1wt%
の4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(パラ
ジメチルアミノスチリル)−4−ピラン(DCM)をド
ーピングしたAlq3を30nm蒸着して、R発光層を
パターニングした。さらに、同様にして第三の発光層用
シャドーマスクを使用し、4,4’−ビス(2,2’ジ
フェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm
蒸着して、B発光層をパターニングした。
Next, a first light-emitting layer shadow mask was arranged in front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a ferrite plate magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was arranged behind the substrate. At this time, as shown in FIGS. 20 and 21, the first electrode 2 is located at the center of the stripe-shaped opening 32 of the shadow mask, and the reinforcing line 33 coincides with the position of the spacer 4. Aligned. In this state, an 8-hydroxyquinoline-aluminum complex (Alq3) was deposited to a thickness of 30 nm to pattern the G light emitting layer. Next, in the same manner as in the patterning of the G light emitting layer, a 1 wt%
Alq3 doped with 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (paradimethylaminostyryl) -4-pyran (DCM) was evaporated to a thickness of 30 nm to pattern the R light emitting layer. Further, similarly, using a third light-emitting layer shadow mask, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) was deposited to a thickness of 30 nm.
The B light emitting layer was patterned by vapor deposition.

【0043】さらに、図22に示したような配置におい
て、DPVBiを90nm、Alq3を30nm基板全
面に蒸着して電子輸送層7を形成した。この後に、薄膜
層をリチウム蒸気にさらしてドーピング(膜厚換算量
0.5nm)した。
Further, in the arrangement shown in FIG. 22, DPVBi was deposited to 90 nm and Alq3 was deposited to 30 nm to form an electron transport layer 7 on the entire surface of the substrate. Thereafter, the thin film layer was exposed to lithium vapor to dope (0.5 nm in film thickness conversion).

【0044】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着
法によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空
度は3×10−4Pa以下であり、蒸着中は2つの蒸着
源に対して基板を回転させた。
The second electrode was formed as follows by a vacuum deposition method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to two vapor deposition sources during vapor deposition.

【0045】上記発光層のパターニングと同様に、第二
電極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着
させ、基板後方には磁石を配置した。この際、図23お
よび24に示したように、スペーサー4がマスク部分3
1の位置と一致するように両者は位置合わせされてい
る。この状態でアルミニウムを400nmの厚さに蒸着
して第二電極8をパターニングした。
Similarly to the patterning of the light emitting layer, a shadow mask for the second electrode was arranged in front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a magnet was arranged behind the substrate. At this time, as shown in FIG. 23 and FIG.
Both are aligned so as to match the position of No. 1. In this state, the second electrode 8 was patterned by depositing aluminum to a thickness of 400 nm.

【0046】最後に、図22に示したような配置におい
て、一酸化ケイ素を200nm電子ビーム蒸着法によっ
て基板全面に蒸着して、保護層を形成した。
Finally, in the arrangement shown in FIG. 22, silicon monoxide was deposited on the entire surface of the substrate by a 200 nm electron beam evaporation method to form a protective layer.

【0047】上記のようにして、図1〜3に模式的に示
すように、幅270μm、ピッチ300μm、本数27
2本のITOストライプ状第一電極2上に、パターニン
グされたRGB発光層6を含む薄膜層10が形成され、
前記第一電極と直交するように幅750μm、ピッチ9
00μmのストライプ状第二電極8が66本配置された
単純マトリクス型カラー発光装置を作製した。RGBか
らなる3つの発光領域が1画素を形成するので、本発光
装置は900μmピッチで90×66画素を有する。
As described above, as schematically shown in FIGS. 1 to 3, the width is 270 μm, the pitch is 300 μm, and the number is 27.
A thin film layer 10 including a patterned RGB light emitting layer 6 is formed on the two ITO striped first electrodes 2,
A width of 750 μm and a pitch of 9 so as to be orthogonal to the first electrode.
A simple matrix type color light-emitting device in which 66 stripe-shaped second electrodes 8 of 00 μm were arranged was fabricated. Since the three light emitting regions of RGB form one pixel, the present light emitting device has 90 × 66 pixels at a 900 μm pitch.

【0048】各ストライプ状第二電極はシャドーマスク
の補強線によって分断されることなく100mmの長さ
方向に渡って電気的に十分低抵抗であった。一方、幅方
向に隣り合う第二電極同士の短絡は皆無で、完全に絶縁
されていた。
Each of the stripe-shaped second electrodes had a sufficiently low electrical resistance over a length of 100 mm without being separated by the reinforcing lines of the shadow mask. On the other hand, there was no short circuit between the second electrodes adjacent in the width direction, and the electrodes were completely insulated.

【0049】各発光領域は270×750μmの大きさ
でRGBそれぞれ独立の色で発光した。この発光装置を
線順次駆動することで、明瞭なパターン表示とそのマル
チカラー化をすることが可能であった。また、図4に示
したように非発光領域の一部に黒色スペーサーが配置さ
れているので、比較例1に比べて表示コントラストが改
善された。
Each of the light-emitting regions emitted light of a size of 270 × 750 μm and RGB independently. By driving this light-emitting device line-sequentially, clear pattern display and multi-color display were possible. Further, as shown in FIG. 4, the display contrast was improved as compared with Comparative Example 1 because the black spacer was disposed in a part of the non-light emitting region.

【0050】実施例2 正孔輸送層を形成するまでは実施例1と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
(日立金属社製、YBM−1B)を配置した。この際、
図20および21に示したように、ストライプ状第一電
極2がシャドーマスクのストライプ状開口部32の中心
に位置し、補強線33がスペーサー4の位置と一致する
ように、両者は位置合わせされている。この状態でAl
q3を30nm蒸着して、G発光層をパターニングし
た。次に、前記G発光層のパターニングと同様にして第
二の発光層用シャドーマスクを使用し、1wt%のDC
MをドーピングしたAlq3を30nm蒸着して、R発
光層をパターニングした。なお、第三の発光層用シャド
ーマスクは使用せず、本実施例ではB発光層のパターニ
ングは行わなかった。
Example 2 The procedure was the same as in Example 1 until the hole transport layer was formed.
Next, a first light-emitting layer shadow mask was arranged in front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a ferrite plate magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was arranged behind the substrate. On this occasion,
As shown in FIGS. 20 and 21, the stripe-shaped first electrode 2 is positioned at the center of the stripe-shaped opening 32 of the shadow mask, and the reinforcing line 33 is aligned with the position of the spacer 4. ing. In this state, Al
By depositing q3 at a thickness of 30 nm, the G light emitting layer was patterned. Next, in the same manner as in the patterning of the G light emitting layer, a 1 wt% DC
Alq3 doped with M was deposited to a thickness of 30 nm to pattern the R light emitting layer. Note that the third light-emitting layer shadow mask was not used, and the B light-emitting layer was not patterned in this example.

【0051】さらに、図22に示したような配置におい
て、DPVBiを90nm、Alq3を30nm基板全
面に蒸着してB発光層を兼用する電子輸送層7を形成し
た。この後に、薄膜層をリチウム蒸気にさらしてドーピ
ング(膜厚換算量0.5nm)した。その後、第二電極
のパターニングおよび保護層の形成は実施例1と同様に
行った。
Further, in the arrangement as shown in FIG. 22, a 90 nm DPVBi film and a 30 nm film of Alq3 were deposited on the entire surface of the substrate to form an electron transporting layer 7 also serving as a B light emitting layer. Thereafter, the thin film layer was exposed to lithium vapor to dope (0.5 nm in film thickness conversion). Thereafter, patterning of the second electrode and formation of the protective layer were performed in the same manner as in Example 1.

【0052】上記のようにして、図25〜27に模式的
に示すように、幅270μm、ピッチ300μm、本数
272本のITOストライプ状第一電極2上に、パター
ニングされたRG発光層6およびB発光層を兼用する電
子輸送層7を含む薄膜層10が形成され、前記第一電極
と直交するように幅750μm、ピッチ900μmのス
トライプ状第二電極8が66本配置された単純マトリク
ス型カラー発光装置を作製した。RGBからなる3つの
発光領域が1画素を形成するので、本発光装置は900
μmピッチで90×66画素を有する。
As described above, as schematically shown in FIGS. 25 to 27, the patterned RG light emitting layers 6 and B are formed on the 272 ITO stripe-shaped first electrodes 2 having a width of 270 μm and a pitch of 300 μm. A simple matrix type color light emitting device in which a thin film layer 10 including an electron transporting layer 7 also serving as a light emitting layer is formed, and 66 stripe-shaped second electrodes 8 having a width of 750 μm and a pitch of 900 μm are arranged orthogonally to the first electrode. The device was made. Since the three light emitting regions of RGB form one pixel, the present light emitting device
It has 90 × 66 pixels at a pitch of μm.

【0053】実施例1と同様に、各ストライプ状第二電
極は長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、短絡
は皆無であった。
As in Example 1, each of the stripe-shaped second electrodes had a sufficiently low resistance in the longitudinal direction, and there was no short circuit.

【0054】各発光領域は270×750μmの大きさ
でRGBそれぞれ独立の色で発光した。この発光装置を
線順次駆動することで、実施例1と同様に、明瞭なパタ
ーン表示とそのマルチカラー化をすることが可能であっ
た。また、図4に示したように非発光領域の一部に黒色
スペーサーが配置されているので、比較例1に比べて表
示コントラストが改善された。
Each of the light-emitting areas emitted light of a size of 270 × 750 μm and RGB independent colors. By driving this light-emitting device line-sequentially, it was possible to perform clear pattern display and multi-color display as in the first embodiment. Further, as shown in FIG. 4, the display contrast was improved as compared with Comparative Example 1 because the black spacer was disposed in a part of the non-light emitting region.

【0055】比較例1 まず、実施例1と同様にして第一電極のITOをパター
ニングした。
Comparative Example 1 First, the ITO of the first electrode was patterned in the same manner as in Example 1.

【0056】次に、スペーサーを以下のとおり形成し
た。ポリイミド系の感光性コーティング剤(東レ社製、
UR−3100)をスピンコート法によりITO基板上
に塗布して、クリーンオーブンによる窒素雰囲気下で8
0℃、1時間プリベーキングした。さらに、前記塗布膜
にフォトマスクを介して紫外光を露光して所望部分を光
硬化させ、現像液(東レ社製、DV−505)を用いて
現像した。最後にパターニングされた前記塗布膜をクリ
ーンオーブン中で180℃、30分間、さらに、250
℃、30分間ベーキングして、図1〜3に示したように
第一電極に直交するスペーサー4を形成した。この半透
明なスペーサーは、実施例1と同様に、長さ90mm、
幅150μm、高さ4μmであり、900μmピッチで
横方向に67本配置されている。また、このスペーサー
は良好な電気絶縁性を有していた。
Next, a spacer was formed as follows. Polyimide photosensitive coating agent (Toray Co., Ltd.
UR-3100) is applied on an ITO substrate by spin coating, and then dried under a nitrogen atmosphere in a clean oven.
Prebaked at 0 ° C for 1 hour. Further, the coating film was exposed to ultraviolet light through a photomask to light cure a desired portion, and developed using a developer (DV-505, manufactured by Toray Industries, Inc.). Finally, apply the patterned coating film in a clean oven at 180 ° C. for 30 minutes,
Baking was performed at 30 ° C. for 30 minutes to form a spacer 4 orthogonal to the first electrode as shown in FIGS. This translucent spacer has a length of 90 mm, as in Example 1.
It has a width of 150 μm and a height of 4 μm, and is arranged horizontally at a pitch of 900 μm. Further, this spacer had good electric insulation.

【0057】上記以外は実施例1と同様にして単純マト
リクス型カラー発光装置を作製した。RGBからなる3
つの発光領域が1画素を形成するので、本発光装置は9
00μmピッチで90×66画素を有する。
A simple matrix type color light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the above. 3 consisting of RGB
Since one light-emitting region forms one pixel, the present light-emitting device has 9 pixels.
It has 90 × 66 pixels at a pitch of 00 μm.

【0058】実施例1と同様に、各ストライプ状第二電
極は長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、短絡
は皆無であった。各発光領域は270×750μmの大
きさでRGBそれぞれ独立の色で発光した。この発光装
置を線順次駆動することで明瞭なパターン表示とそのマ
ルチカラー化をすることが可能であった。しかし、非発
光領域が半透明であるために、実施例1および2比べて
表示コントラストは悪化していた。
As in the case of Example 1, each of the stripe-shaped second electrodes had a sufficiently low resistance in the longitudinal direction, and there was no short circuit. Each light-emitting region emitted light of a size of 270 × 750 μm and RGB independent colors. By driving the light emitting device line-sequentially, it was possible to display a clear pattern and to realize multi-color display. However, since the non-light emitting area was translucent, the display contrast was worse than in Examples 1 and 2.

【0059】実施例3 実施例1と同様の工程で第一電極のITOを長さ90m
m、幅280μmのストライプ形状にパターニングした
後に、フォトレジストを除去した。実施例1と同様に、
このストライプ状第一電極はガラス基板上に300μm
ピッチで横方向に272本配置されている。
Example 3 In the same manner as in Example 1, ITO of the first electrode was 90 m long.
After patterning into a stripe shape having a width of 280 μm and a width of 280 μm, the photoresist was removed. As in Example 1,
This striped first electrode is 300 μm on a glass substrate.
272 are arranged in the horizontal direction at the pitch.

【0060】次に、スペーサーを以下のとおり形成し
た。まず、実施例1で使用した感光性黒色ペーストの濃
度を調節してから、スピンコート法により前記ITO基
板上に塗布して、実施例1と同様のフォトリソ工程によ
り、図8〜10に示したマトリクス状の第1のスペーサ
ー3を形成した。この黒色のスペーサーは高さ0.5μ
mであり、このスペーサーが存在しない270×750
μmの大きさの領域には第一電極が露出している。ま
た、この第一のスペーサーは第一電極の端部5μmを被
覆するように形成した。
Next, a spacer was formed as follows. First, after adjusting the concentration of the photosensitive black paste used in Example 1, it was applied on the ITO substrate by spin coating, and the same photolithography process as in Example 1 was carried out, as shown in FIGS. A first spacer 3 in a matrix was formed. This black spacer has a height of 0.5μ
m and 270 × 750 without this spacer
The first electrode is exposed in a region having a size of μm. The first spacer was formed so as to cover the end of the first electrode at 5 μm.

【0061】さらに、前記感光性黒色ペーストを使用し
て、実施例1と同様のフォトリソ工程により、第二のス
ペーサー4を形成した。この黒色のスペーサーは、図8
〜10に示したように前記第一のスペーサーにおける第
一電極と直交する部分の上に重ねて形成されており、長
さ90mm、幅130μm、高さ4μmであり、900
μmピッチで横方向に67本配置されている。なお、上
記2種類のスペーサーはそれぞれ良好な電気絶縁性を有
していた。
Further, a second spacer 4 was formed by the same photolithography process as in Example 1 using the photosensitive black paste. This black spacer is shown in FIG.
As shown in (10) to (10), the first spacer is formed on a portion orthogonal to the first electrode in the first spacer, and has a length of 90 mm, a width of 130 μm, a height of 4 μm, and 900
67 are arranged in the horizontal direction at a pitch of μm. The above two types of spacers each had good electrical insulation.

【0062】上記以外は実施例1と同様にして単純マト
リクス型カラー発光装置を作製した。RGBからなる3
つの発光領域が1画素を形成するので、本発光装置は9
00μmピッチで90×66画素を有する。実施例1と
同様に、各ストライプ状第二電極は長さ方向に渡って電
気的に十分低抵抗であり、短絡は皆無であった。
A simple matrix type color light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the above. 3 consisting of RGB
Since one light-emitting region forms one pixel, the present light-emitting device has 9 pixels.
It has 90 × 66 pixels at a pitch of 00 μm. As in Example 1, each of the stripe-shaped second electrodes had a sufficiently low resistance in the longitudinal direction, and there was no short circuit.

【0063】各発光領域は270×750μmの大きさ
でRGBそれぞれ独立の色で発光した。この発光装置を
線順次駆動することで明瞭なパターン表示とそのマルチ
カラー化をすることが可能であった。さらに、図11の
ように黒色スペーサーにより発光領域が囲まれているの
で、実施例1および2に比べて表示コントラストがさら
に向上した。
Each of the light-emitting regions emitted light of a size of 270.times.750 .mu.m in an independent color of RGB. By driving the light emitting device line-sequentially, it was possible to display a clear pattern and to realize multi-color display. Further, the light emitting region was surrounded by the black spacer as shown in FIG. 11, so that the display contrast was further improved as compared with Examples 1 and 2.

【0064】実施例4 発光層パターニング用として、図15に示したマスク部
分と補強線とが同一平面内に形成された構造のシャドー
マスクを用意した。シャドーマスクの外形は120×8
4mm、マスク部分31の厚さは25μmであり、長さ
64mm、幅100μmのストライプ状開口部32がピ
ッチ300μmで横方向に272本配置されている。各
ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅20μ
m、厚さ25μmの補強線33が1.8mmおきに形成
されている。また、シャドーマスクは外形が等しい幅4
mmのステンレス鋼製フレーム34に固定されている。
Example 4 A shadow mask having a structure in which a mask portion and a reinforcing line shown in FIG. 15 were formed on the same plane was prepared for patterning a light emitting layer. 120 x 8 shadow mask
4 mm, the thickness of the mask portion 31 is 25 μm, and 272 stripe-shaped openings 32 having a length of 64 mm and a width of 100 μm are arranged at a pitch of 300 μm in the horizontal direction. Each stripe-shaped opening has a width of 20 μ orthogonal to the opening.
The reinforcing wires 33 having a thickness of 25 μm and a thickness of 25 μm are formed every 1.8 mm. The shadow mask has the same outer shape and width 4
mm is fixed to a stainless steel frame 34.

【0065】第二電極パターニング用として、図16お
よび17に示したマスク部分31の一方の面35と補強
線33との間に隙間36が存在する構造のシャドーマス
クを用意した。シャドーマスクの外形は120×84m
m、マスク部分の厚さは100μmであり、長さ100
mm、幅245μmのストライプ状開口部32がピッチ
300μmで横方向に200本配置されている。マスク
部分の上には、幅40μm、厚さ35μm、対向する二
辺の間隔が200μmの正六角形構造からなるメッシュ
状の補強線が形成されている。隙間の高さはマスク部分
の厚さと等しく100μmである。また、シャドーマス
クは外形が等しい幅4mmのステンレス鋼製フレーム3
4に固定されている。
For patterning the second electrode, a shadow mask having a structure in which a gap 36 exists between one surface 35 of the mask portion 31 and the reinforcing line 33 shown in FIGS. 16 and 17 was prepared. The outline of the shadow mask is 120 x 84m
m, the thickness of the mask portion is 100 μm, and the length is 100 μm.
200 stripe-shaped openings 32 having a width of 245 μm and a width of 300 μm are arranged in the horizontal direction. On the mask portion, a mesh-like reinforcing line having a regular hexagonal structure having a width of 40 μm, a thickness of 35 μm, and a distance between two opposing sides of 200 μm is formed. The height of the gap is equal to the thickness of the mask portion and is 100 μm. In addition, the shadow mask is a stainless steel frame 3 having the same outer shape and a width of 4 mm.
4 is fixed.

【0066】まず、実施例1と同様の工程で第一電極の
ITOを長さ90mm、幅70μmのストライプ形状に
パターニングした。図18に示したように、このストラ
イプ状第一電極2は100μmピッチで横方向に816
本配置されている。
First, ITO of the first electrode was patterned into a stripe shape having a length of 90 mm and a width of 70 μm in the same process as in Example 1. As shown in FIG. 18, this stripe-shaped first electrode 2 has a horizontal pitch of 816 at a pitch of 100 μm.
Book is arranged.

【0067】次に、実施例1と同じ感光性黒色ペースト
を用い、実施例1と同様のフォトリソ工程により、図1
〜3に示したような第一電極に直交するスペーサー4を
形成した。この透明なスペーサーは、長さ90mm、幅
60μm、高さ4μmであり、300μmピッチで横方
向に201本配置されている。また、このスペーサーは
良好な電気絶縁性を有していた。
Next, the same photosensitive black paste as in Example 1 was used, and the same photolithography process as in Example 1 was carried out to obtain FIG.
A spacer 4 perpendicular to the first electrode as shown in FIGS. The transparent spacers have a length of 90 mm, a width of 60 μm, and a height of 4 μm, and are arranged 201 at a pitch of 300 μm in the horizontal direction. Further, this spacer had good electric insulation.

【0068】上記のシャドーマスクを使用して、実施例
1と同様にして単純マトリクス型カラー発光装置を作製
した。この発光装置では、図1〜3に模式的に示すよう
に、幅70μm、ピッチ100μm、本数816本のI
TOストライプ状第一電極2上に、パターニングされた
RGB発光層6を含む薄膜層10が形成され、前記第一
電極と直交するように幅240μm、ピッチ300μm
のストライプ状第二電極8が200本配置されている。
RGBからなる3つの発光領域が1画素を形成するの
で、本発光装置は300μmピッチで272×200画
素を有する。
Using the above shadow mask, a simple matrix type color light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1. In this light emitting device, as schematically shown in FIGS. 1 to 3, the width of 70 μm, the pitch of 100 μm, and the number of 816 I
A thin film layer 10 including a patterned RGB light emitting layer 6 is formed on the TO stripe-shaped first electrode 2, and has a width of 240 μm and a pitch of 300 μm perpendicular to the first electrode.
200 of the stripe-shaped second electrodes 8 are arranged.
Since the three light emitting regions of RGB form one pixel, the present light emitting device has 272 × 200 pixels at a pitch of 300 μm.

【0069】実施例1と同様に、各ストライプ状第二電
極は長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、短絡
は皆無であった。
As in the case of Example 1, each of the stripe-shaped second electrodes had a sufficiently low resistance in the longitudinal direction, and there was no short circuit.

【0070】各発光領域は70×240μmの大きさで
RGBそれぞれ独立の色で発光した。この発光装置を線
順次駆動することで、良好な表示コントラストをもっ
て、明瞭なパターン表示とそのマルチカラー化をするこ
とが可能であった 実施例5 スペーサーを形成するまでは実施例4と同様に行った。
まず、図19に示したような配置において、水晶振動子
方式の膜厚モニター表示値で銅フタロシアニンを30n
m、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−
1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(NPD)
を120nm基板全面に蒸着して正孔輸送層5を形成し
た。
Each of the light-emitting regions emitted light of independent colors of RGB with a size of 70 × 240 μm. By driving this light-emitting device line-sequentially, it was possible to display a clear pattern with good display contrast and to make it multi-colored. Example 5 Performed in the same manner as in Example 4 until the spacer was formed. Was.
First, in the arrangement as shown in FIG.
m, N, N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl-
1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (NPD)
Was deposited over the entire surface of the substrate to form a hole transport layer 5.

【0071】次に、第一の発光層用シャドーマスクを基
板前方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェラ
イト系板磁石(日立金属社製、YBM−1B)を配置し
た。この際、図20および図21に示したように、スト
ライプ状第一電極2がシャドーマスクのストライプ状開
口部32の中心に位置し、補強線33がスペーサー4の
位置と一致し、かつ補強線とスペーサーが接触するよう
に、両者は位置合わせされている。この状態で、0.3
wt%の1,3,5,7,8−ペンタメチル−4,4−
ジフロロ−4−ボラ3a,4a−ジアザ−s−インダセ
ン(PM546)をドーピングしたAlq3を43nm
蒸着して、G発光層をパターニングした。次に、前記G
発光層のパターニングと同様にして第二の発光層用シャ
ドーマスクを使用し、1wt%の4−(ジシアノメチレ
ン)−2−メチル−6−(ジュロリジルスチリル)−ピ
ラン(DCJT)をドーピングしたAlq3を30nm
蒸着して、R発光層をパターニングした。さらに、同様
にして第三の発光層用シャドーマスクを使用し、DPV
Biを40nm蒸着して、B発光層をパターニングし
た。それぞれの発光層はストライプ状第一電極2の3本
おきに配置され、前記第一電極の露出部分を完全に覆っ
ている。
Next, a first light-emitting layer shadow mask was arranged at the front of the substrate so that they were in close contact with each other, and a ferrite plate magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was arranged at the rear of the substrate. At this time, as shown in FIGS. 20 and 21, the stripe-shaped first electrode 2 is located at the center of the stripe-shaped opening 32 of the shadow mask, the reinforcing line 33 matches the position of the spacer 4, and the reinforcing line is formed. Both are aligned so that the and the spacers are in contact. In this state, 0.3
wt% of 1,3,5,7,8-pentamethyl-4,4-
43 nm of Alq 3 doped with difluoro-4-bora 3a, 4a-diaza-s-indacene (PM546)
The G light emitting layer was patterned by vapor deposition. Next, the G
Using a second light-emitting layer shadow mask in the same manner as the patterning of the light-emitting layer, 1 wt% of 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (julolidylstyryl) -pyran (DCJT) was doped. Alq 3 at 30 nm
The R light emitting layer was patterned by vapor deposition. Further, similarly, using the third light emitting layer shadow mask, the DPV
Bi was deposited to a thickness of 40 nm to pattern the B light emitting layer. Each of the light emitting layers is disposed every third stripe-shaped first electrode 2 and completely covers the exposed portion of the first electrode.

【0072】さらに、図22に示したような配置におい
て、DPVBiを70nm、Alq3を20nm基板全
面に蒸着して電子輸送層7を形成した。この後に、薄膜
層10をリチウム蒸気にさらしてドーピング(膜厚換算
量0.5nm)した。
Further, in the arrangement shown in FIG. 22, DPVBi was deposited to a thickness of 70 nm and Alq 3 was deposited to a thickness of 20 nm on the entire surface of the substrate to form an electron transporting layer 7. After that, the thin film layer 10 was exposed to lithium vapor for doping (0.5 nm in equivalent film thickness).

【0073】その後、第二電極のパターニングおよび保
護層の形成は実施例4と同様に行った。
Thereafter, patterning of the second electrode and formation of the protective layer were performed in the same manner as in Example 4.

【0074】上記のようにして、実施例4と同様の30
0μmピッチで272×200画素を有する単純マトリ
クス型カラー発光装置を作成した。各発光領域は70×
240μmの大きさでRGBそれぞれ独立の色で均一に
発光した。この発光装置を線順次駆動することで、実施
例4と同様に、明瞭なパターン表示とそのマルチカラー
化をすることが可能であった。さらに、発光層へのドー
ピングにより実施例4に比べて発光色純度が向上した。
As described above, the same 30s as in the fourth embodiment are used.
A simple matrix type color light emitting device having 272 × 200 pixels at a pitch of 0 μm was prepared. Each light emitting area is 70 ×
Light was emitted uniformly in a color independent of RGB at a size of 240 μm. By driving this light-emitting device line-sequentially, it was possible to display a clear pattern and multi-color the same as in the fourth embodiment. Further, the luminescent color purity was improved by doping the luminescent layer as compared with Example 4.

【0075】[0075]

【発明の効果】本発明の有機電界発光装置には以下の効
果がある。
The organic electroluminescent device of the present invention has the following effects.

【0076】(1)薄膜層の厚さを上回る高さをもつス
ペーサーの少なくとも一部分が黒色であるので表示コン
トラストが向上する。
(1) Since at least a part of the spacer having a height exceeding the thickness of the thin film layer is black, the display contrast is improved.

【0077】(2)薄膜層の厚さを上回る高さをもつス
ペーサーを利用して第二電極をパターニングすることが
可能である。例えば、スペーサーをそのまま利用するこ
とで、隔壁法によるパターニングが可能になる。また、
マスク法によるパターニングでは、シャドーマスクが薄
膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーに密着するた
め薄膜層を傷つけることがないので、有機電界発光素子
の特性を劣化させることがない。磁力によって基板とシ
ャドーマスクとの密着性を向上させたり、両者の位置合
わせを行う場合に、この効果は特に大きい。
(2) The second electrode can be patterned using a spacer having a height exceeding the thickness of the thin film layer. For example, by using the spacer as it is, patterning by the partition method becomes possible. Also,
In the patterning by the mask method, the shadow mask adheres to the spacer having a height exceeding the thickness of the thin film layer, so that the thin film layer is not damaged, so that the characteristics of the organic electroluminescent element are not deteriorated. This effect is particularly great when the adhesion between the substrate and the shadow mask is improved by magnetic force or when the two are aligned.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機電界発光装置の一例を示す平面
図。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図2】図1のXX′断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 1;

【図3】図1のYY′断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 1;

【図4】図1を裏から見た平面図。FIG. 4 is a plan view of FIG. 1 as seen from behind.

【図5】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示す平
面図。
FIG. 5 is a plan view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図6】図5のXX′断面図。FIG. 6 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 5;

【図7】図5のYY′断面図。FIG. 7 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 5;

【図8】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示す平
面図。
FIG. 8 is a plan view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図9】図8のXX′断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 8;

【図10】図8のYY′断面図。FIG. 10 is a sectional view taken along the line YY ′ of FIG. 8;

【図11】図8を裏から見た平面図。FIG. 11 is a plan view of FIG. 8 as seen from the back.

【図12】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示す
平面図。
FIG. 12 is a plan view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図13】図12のXX′断面図。FIG. 13 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 12;

【図14】図12のYY′断面図。FIG. 14 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 12;

【図15】実施例1で使用した発光層パターニング用の
シャドーマスクを示す平面図。
FIG. 15 is a plan view showing a shadow mask for patterning a light emitting layer used in Example 1.

【図16】実施例1で使用した第二電極パターニング用
のシャドーマスクを示す平面図。
FIG. 16 is a plan view showing a shadow mask for patterning a second electrode used in Example 1.

【図17】図16のXX′断面図。FIG. 17 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 16;

【図18】実施例1でパターニングした第一電極パター
ンを示す平面図。
FIG. 18 is a plan view showing a first electrode pattern patterned in Example 1.

【図19】実施例1における正孔輸送層の形成方法を説
明するXX′断面図。
FIG. 19 is a cross-sectional view along XX 'for explaining the method of forming the hole transport layer in Example 1.

【図20】実施例1における発光層パターニング方法の
一例を説明するXX′断面図。
FIG. 20 is an XX ′ cross-sectional view illustrating an example of a light emitting layer patterning method in Example 1.

【図21】実施例1における発光層パターニング方法の
一例を説明するYY′断面図。
FIG. 21 is a YY ′ cross-sectional view illustrating an example of a light emitting layer patterning method in Example 1.

【図22】実施例1における電子輸送層の形成方法を説
明するXX′断面図。
FIG. 22 is an XX ′ cross-sectional view for explaining the method for forming the electron transport layer in Example 1.

【図23】実施例1における第二電極パターニング方法
の一例を説明するXX′断面図。
FIG. 23 is a cross-sectional view along XX 'for explaining an example of the second electrode patterning method in the first embodiment.

【図24】実施例1における第二電極パターニング方法
の一例を説明するYY′断面図。
FIG. 24 is a YY ′ cross-sectional view for explaining an example of the second electrode patterning method in the first embodiment.

【図25】実施例2で製造した有機電界発光装置を示す
平面図。
FIG. 25 is a plan view showing the organic electroluminescent device manufactured in Example 2.

【図26】図25のXX′断面図。FIG. 26 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 25;

【図27】図25のYY′断面図。FIG. 27 is a sectional view taken along the line YY ′ of FIG. 25.

【図28】従来の有機電界発光素子の一例を示す断面
図。
FIG. 28 is a cross-sectional view showing an example of a conventional organic electroluminescent device.

【図29】従来の有機電界発光装置の一例を示す断面
図。
FIG. 29 is a sectional view showing an example of a conventional organic electroluminescent device.

【図30】図29のXX′断面図。FIG. 30 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 29;

【図31】図29のYY′断面図。FIG. 31 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. 29;

【図32】図29を裏から見た平面図。FIG. 32 is a plan view of FIG. 29 viewed from the back;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 第一電極 3 第一のスペーサー 4 スペーサー(第二のスペーサー) 5 正孔輸送層 6 発光層 7 電子輸送層 8 第二電極 9 駆動源 10 薄膜層 11 正孔輸送材料 12 発光材料 13 電子輸送材料 14 第二電極材料 15 電気導電性部分 16 発光領域 17 非発光領域 30 シャドーマスク 31 マスク部分 32 開口部 33 補強線 34 フレーム 35 マスク部分の一方の面 36 隙間 Reference Signs List 1 substrate 2 first electrode 3 first spacer 4 spacer (second spacer) 5 hole transport layer 6 light emitting layer 7 electron transport layer 8 second electrode 9 drive source 10 thin film layer 11 hole transport material 12 light emitting material 13 Electron transporting material 14 Second electrode material 15 Electrically conductive portion 16 Light emitting region 17 Non-light emitting region 30 Shadow mask 31 Mask portion 32 Opening 33 Reinforcement line 34 Frame 35 One surface of mask portion 36 Gap

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と、少なくと
も有機化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形
成された薄膜層と、前記薄膜層上に形成された複数の第
二電極とを含み、前記基板上に複数の発光領域を有する
有機電界発光装置であって、少なくとも一部分が前記薄
膜層の厚さを上回る高さをもつスペーサーが前記基板上
に形成されており、かつ、前記スペーサーの少なくとも
一部分が黒色であることを特徴とする有機電界発光装
置。
1. A first electrode formed on a substrate, a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound, formed on the first electrode, and a plurality of second layers formed on the thin film layer. An organic electroluminescent device having a plurality of light emitting regions on the substrate, wherein a spacer having a height at least partially exceeding the thickness of the thin film layer is formed on the substrate, and An organic electroluminescent device, wherein at least a part of the spacer is black.
【請求項2】スペーサーにおいて少なくとも基板もしく
は第一電極と接する部分が黒色であることを特徴とする
請求項1記載の有機電界発光装置。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein at least a portion of the spacer in contact with the substrate or the first electrode is black.
【請求項3】スペーサーにおいて少なくとも基板もしく
は第一電極と接する部分が透明な層であり、かつ、その
上に黒色の層が積層されていることを特徴とする請求項
1記載の有機電界発光装置。
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein at least a portion of the spacer in contact with the substrate or the first electrode is a transparent layer, and a black layer is laminated thereon. .
【請求項4】少なくとも一部分が黒色であるスペーサー
によって発光領域が囲まれていることを特徴とする請求
項1記載の有機電界発光装置。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the light emitting region is surrounded by at least a part of the spacer which is black.
【請求項5】第二電極間に薄膜層の厚さを上回る高さを
もつスペーサーが形成されていることを特徴とする請求
項1記載の有機電界発光装置。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a spacer having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed between the second electrodes.
【請求項6】薄膜層の厚さを上回る高さをもつ第二のス
ペーサーが、基板もしくは第一電極と接する第一のスペ
ーサーの上に積層されていることを特徴とする請求項1
記載の有機電界発光装置。
6. The method according to claim 1, wherein a second spacer having a height exceeding a thickness of the thin film layer is laminated on the first spacer in contact with the substrate or the first electrode.
The organic electroluminescent device according to claim 1.
【請求項7】少なくともスペーサーの基板もしくは第一
電極と接する部分が電気絶縁性を有することを特徴とす
る請求項1記載の有機電界発光装置。
7. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein at least a portion of the spacer in contact with the substrate or the first electrode has electrical insulation.
【請求項8】第一電極は横方向に間隔をあけて基板上に
配置された複数のストライプ状電極であり、第二電極は
横方向に間隔をあけて配置され、前記第一電極に対して
交差する複数のストライプ状電極であることを特徴とす
る請求項1記載の有機電界発光装置。
8. The first electrode is a plurality of stripe-shaped electrodes arranged on a substrate at a horizontal interval, and the second electrode is arranged at a horizontal interval at a distance from the first electrode. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the plurality of striped electrodes intersect with each other.
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