JP2000035411A - Count rate display system of x-rays analytic apparatus - Google Patents

Count rate display system of x-rays analytic apparatus

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JP2000035411A
JP2000035411A JP10203682A JP20368298A JP2000035411A JP 2000035411 A JP2000035411 A JP 2000035411A JP 10203682 A JP10203682 A JP 10203682A JP 20368298 A JP20368298 A JP 20368298A JP 2000035411 A JP2000035411 A JP 2000035411A
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JP
Japan
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count rate
ray
display
sample
screen
Prior art date
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JP10203682A
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Japanese (ja)
Inventor
Masumi Kataue
真澄 片上
Yasunori Ota
康則 太田
Kiyoshi Jumonji
清 十文字
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Jeol Ltd
Jeol Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Jeol Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To monitor the best measurement condition at any time. SOLUTION: In the X-rays analytic apparatus which irradiates the electron beam to a sample, and detects and analyzes characteristic X ray radiated from the sample, a display means 5 to display X-ray count rates of energy values in all ranges detected from a X-ray detector 2 is installed, and display areas of the X-ray count rate are set in a part of an energy spectrum screen and of the element mapping screen of a display device 9 to always display the X-ray count rates on the display areas.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームを試料
に照射して試料から放射される特性X線を検出し分析す
るX線分析装置のカウントレート表示方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a count rate display method of an X-ray analyzer for irradiating a sample with an electron beam to detect and analyze characteristic X-rays emitted from the sample.

【0002】[0002]

【従来の技術】試料の表面分析を行うX線分析装置で
は、試料に電子ビームを照射して走査像を観察するため
に、試料から放射される2次電子を検出する2次電子検
出器などを備え、また、走査像で試料表面を観察しなが
ら視野探しを行い、決定される分析位置で含有元素の定
性分析、定量分析を行うために、試料から放射される特
性X線を検出するエネルギー分散型分光器EDSなどを
備えている。
2. Description of the Related Art In an X-ray analyzer for analyzing the surface of a sample, a secondary electron detector for detecting secondary electrons emitted from the sample, etc., for irradiating the sample with an electron beam and observing a scanned image. In addition, energy for detecting characteristic X-rays emitted from the sample in order to perform a visual field search while observing the sample surface with a scanning image and perform qualitative analysis and quantitative analysis of contained elements at the determined analysis position A dispersive spectroscope EDS is provided.

【0003】図4は従来のX線分析装置の構成例を説明
するための図であり、11はフィラメント、12はウェ
ネルト、13は電子ビーム、14は収束レンズ、15は
対物レンズ、16は試料、17は試料ステージ、18は
偏向レンズ、19は2次電子検出器、20はEDS検出
器、21はEDSアナライザ、22は倍率器、23はス
キャンジェネレータ、24は走査像観察装置、25は分
析処理装置、26は切り換え器を示す。
FIG. 4 is a view for explaining a configuration example of a conventional X-ray analyzer. Reference numeral 11 denotes a filament, 12 denotes Wehnelt, 13 denotes an electron beam, 14 denotes a converging lens, 15 denotes an objective lens, and 16 denotes a sample. , 17 is a sample stage, 18 is a deflecting lens, 19 is a secondary electron detector, 20 is an EDS detector, 21 is an EDS analyzer, 22 is a magnification unit, 23 is a scan generator, 24 is a scanning image observation device, and 25 is an analysis. The processing unit 26 indicates a switch.

【0004】図4に示すX線分析装置では、フィラメン
ト11、ウェネルト12、収束レンズ14、対物レンズ
15により真空中で細く絞った電子ビーム13を発生さ
せて試料ステージ17に保持した試料16に照射し、試
料から放射される2次電子あるいは特性X線を検出して
走査像の観察、試料の分析を行う。この場合、走査像の
観察では、倍率器22で設定された倍率でスキャンジェ
ネレータ23により偏向レンズ18を制御することによ
り、電子ビーム13を走査して試料16に照射し、その
試料16から放射される2次電子を2次電子検出器19
で検出して走査像(SEM画像)を走査像観察装置24
で観察する。そして、走査像上で例えばカーソルを移動
させて分析位置を指定すると、切り換え器26により偏
向レンズ18をEDSアナライザ21側に切り換え接続
し、指定した点や限定された領域の分析位置に電子ビー
ム13を照射して、EDS検出器20により特性X線の
測定を開始し、分析処理装置25により定性、定量分析
を行う。
In the X-ray analyzer shown in FIG. 4, a filament 11, a Wehnelt 12, a converging lens 14, and an objective lens 15 generate a narrowed electron beam 13 in a vacuum and irradiate a sample 16 held on a sample stage 17. Then, secondary electrons or characteristic X-rays emitted from the sample are detected to observe a scanning image and analyze the sample. In this case, in observing the scanned image, the electron beam 13 is scanned and irradiated on the sample 16 by controlling the deflection lens 18 by the scan generator 23 at the magnification set by the magnification unit 22, and emitted from the sample 16. Secondary electrons are detected by a secondary electron detector 19.
The scanning image (SEM image) is detected by the scanning image observation device 24.
Observe with. When an analysis position is designated by, for example, moving a cursor on the scanned image, the deflection lens 18 is switched and connected to the EDS analyzer 21 side by the switch 26, and the electron beam 13 is moved to a designated point or an analysis position in a limited area. , And measurement of characteristic X-rays is started by the EDS detector 20, and qualitative and quantitative analysis is performed by the analysis processing device 25.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のX線分
析装置では、最適な測定条件をモニターするのに無駄が
多いという問題があった。すなわち、従来のX線分析装
置では、X線収集中における分析処理装置25のEDS
画面に、カーソルで指定したある特定のエネルギー値の
チャンネルのX線カウント値を表示し、その値に基づき
最適な測定条件をモニターしている。また、元素マッピ
ング測定中は、元素マッピング像を表示しているだけで
ある。したがって、測定条件をモニターして例えばプロ
ーブ電流を調整して最適な測定条件を設定する場合に
も、繰り返しX線収集を行うことが必要になり、無駄な
X線収集が多くなるという問題があった。
However, the conventional X-ray analyzer has a problem that monitoring the optimum measurement conditions is wasteful. That is, in the conventional X-ray analyzer, the EDS of the analysis processing device 25 during X-ray collection is used.
An X-ray count value of a channel having a specific energy value designated by a cursor is displayed on a screen, and an optimum measurement condition is monitored based on the value. During the element mapping measurement, only the element mapping image is displayed. Therefore, even when monitoring the measurement conditions and adjusting the probe current, for example, to set the optimum measurement conditions, it is necessary to repeatedly collect X-rays, and there is a problem that wasteful X-ray collection increases. Was.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するものであって、常に最適な測定条件をモニターで
きるようにするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to always monitor an optimum measurement condition.

【0007】そのために本発明は、電子ビームを試料に
照射して試料から放射される特性X線を検出し分析する
X線分析装置において、X線検出器より検出される全範
囲のエネルギー値のX線カウントレートを表示する表示
手段を設け、エネルギースペクトル画面や元素マッピン
グ画面の一部に前記X線カウントレートの表示領域を設
定して、該表示領域に常時前記X線カウントレートを表
示することを特徴とするものである。
For this purpose, the present invention provides an X-ray analyzer for irradiating a sample with an electron beam to detect and analyze characteristic X-rays emitted from the sample. Display means for displaying an X-ray count rate is provided, a display area of the X-ray count rate is set in a part of an energy spectrum screen or an element mapping screen, and the X-ray count rate is always displayed in the display area. It is characterized by the following.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図1は本発明に係るX線分析装
置のカウントレート表示方式の実施の形態を示す図、図
2はEDSスペクトル画面におけるカウントレート表示
例を示す図、図3はリニアアンプの入出力特性の例を示
す図である。図中、1は偏向レンズ、2はEDS検出
器、3はEDSアナライザ、4は分析処理装置、5はX
線カウントレート表示処理部、6は定量分析処理部、7
は元素マッピング分析処理部、8は表示制御処理部、9
は表示装置を示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a count rate display method of an X-ray analyzer according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a count rate display example on an EDS spectrum screen, and FIG. 3 is an example of input / output characteristics of a linear amplifier. FIG. In the figure, 1 is a deflection lens, 2 is an EDS detector, 3 is an EDS analyzer, 4 is an analysis processing device, and 5 is X
Line count rate display processing unit, 6 is a quantitative analysis processing unit, 7
Denotes an element mapping analysis processing unit, 8 denotes a display control processing unit, 9
Indicates a display device.

【0009】図1において、EDSアナライザ3は、偏
向レンズ1を制御して試料に照射する電子ビームを分析
位置に設定すると共に、EDS検出器2で検出されるX
線の測定データを試料の分析位置に対応させて分析処理
装置4に送るものである。分析処理装置4は、EDS検
出器2で検出されるX線の測定データをEDSアナライ
ザ3から取り込んで、X線カウントレートの表示、定量
分析、元素マッピング分析の各処理を行って、表示装置
9にEDSスペクトル画面や元素マッピング画面を表示
すると共に、X線カウントレートを表示するものであ
り、それらの処理を行うのがX線カウントレート表示処
理部5、定量分析処理部6、元素マッピング分析処理部
7、表示制御処理部8である。
In FIG. 1, an EDS analyzer 3 controls a deflecting lens 1 to set an electron beam to be irradiated on a sample at an analysis position, and detects an X-ray detected by an EDS detector 2.
The line measurement data is sent to the analysis processing device 4 in correspondence with the analysis position of the sample. The analysis processing device 4 takes in the measurement data of the X-rays detected by the EDS detector 2 from the EDS analyzer 3 and performs each processing of the display of the X-ray count rate, the quantitative analysis, and the element mapping analysis. In addition to displaying an EDS spectrum screen and an element mapping screen, an X-ray count rate is displayed. The processing is performed by an X-ray count rate display processing section 5, a quantitative analysis processing section 6, an element mapping analysis processing. A display control processing unit 8;

【0010】X線カウントレート表示処理部5は、表示
装置9の画面の一部にX線カウントレートを表示するた
めに常時EDSアナライザ3をモニターしてX線カウン
トレートを求め、定量分析処理部6及び元素マッピング
分析処理部7は、分析指示に応じて起動し、EDS検出
器2で検出されるX線の測定データを取り込んでスペク
トル分析、元素マッピング分析処理を行うものである。
表示制御処理部8は、これらの処理に基づきX線カウン
トレート表示、EDSスペクトル画面、元素マッピング
画面を表示装置9に表示するための処理を行うものであ
り、EDSスペクトル画面において画面の右下の領域に
X線カウントレート表示「2097cps」を行った例
を示したのが図2である。なお、X線カウントレート表
示と共に並列に表示した「18%」は、デッドタイムD
Tである。このように画面の右下隅などの一部に表示領
域を設定することにより、EDSスペクトル画面、元素
マッピング画面、その他の画面が表示されている場合で
も常時X線カウントレート表示を行う。
The X-ray count rate display processing section 5 constantly monitors the EDS analyzer 3 to obtain the X-ray count rate in order to display the X-ray count rate on a part of the screen of the display device 9, and obtains the quantitative analysis processing section. The element 6 and the element mapping analysis processing section 7 are activated in response to the analysis instruction, and take in the measurement data of the X-rays detected by the EDS detector 2 to perform the spectrum analysis and the element mapping analysis processing.
The display control processing unit 8 performs processing for displaying an X-ray count rate display, an EDS spectrum screen, and an element mapping screen on the display device 9 based on these processings. FIG. 2 shows an example in which the X-ray count rate display “2097 cps” is performed on the area. “18%” displayed in parallel with the X-ray count rate display indicates the dead time D
T. By setting the display area in a part such as the lower right corner of the screen in this way, the X-ray count rate display is always performed even when the EDS spectrum screen, the element mapping screen, and other screens are displayed.

【0011】リニアアンプの入出力特性は、EDSアナ
ライザ(リニアアンプ)に対する入力計数率(cps)
と出力計数率(cps)の関係として、例えば図3に示
される。上記X線カウントレートは、この入力計数率
(cps)が表示され、X線カウントレートのほか、図
2では最適な測定条件をモニターする要素としてデッド
タイムDT(%)が表示されている。デッドタイムDT
は、(RT−LT)/RTで表されるものであり、RT
は実時間(経過時間)、LTはX線の有効なカウント時
間である。デッドタイムDTが高くなると出力計数率が
落ちてくるが、X線カウントレートDTが数%のように
低くても、出力計数率が少なすぎて十分なX線強度が得
られなくなる。したがって、EDS測定では、デッドタ
イムDT20%〜30%ぐらいが最適の測定条件にな
る。
[0011] The input / output characteristics of the linear amplifier are determined by the input count rate (cps) to the EDS analyzer (linear amplifier).
FIG. 3 shows, for example, the relationship between and the output count rate (cps). As the X-ray count rate, the input count rate (cps) is displayed. In addition to the X-ray count rate, dead time DT (%) is displayed as an element for monitoring the optimum measurement condition in FIG. Dead time DT
Is represented by (RT-LT) / RT, and RT
Is the real time (elapsed time), and LT is the effective count time of X-rays. As the dead time DT increases, the output count rate decreases. However, even if the X-ray count rate DT is as low as several percent, the output count rate is too small to obtain a sufficient X-ray intensity. Therefore, in the EDS measurement, the dead time DT of about 20% to 30% is the optimum measurement condition.

【0012】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上
記実施の形態では、X線カウントレートの表示領域を画
面の右下に設定したが、他の領域に設定してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, the display area of the X-ray count rate is set at the lower right of the screen, but may be set to another area.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、X線検出器より検出される全範囲のエネルギ
ー値のX線カウントレートを表示する表示手段を設け、
エネルギースペクトル画面や元素マッピング画面の一部
に前記X線カウントレートの表示領域を設定して、該表
示領域に常時前記X線カウントレートを表示するので、
常にX線カウントレート表示により、さらにはデッドタ
イムも併せて表示することにより、最適な測定条件を監
視することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, display means for displaying the X-ray count rate of the energy value in the entire range detected by the X-ray detector is provided.
Since a display area of the X-ray count rate is set in a part of an energy spectrum screen or an element mapping screen, and the X-ray count rate is always displayed in the display area,
By always displaying the X-ray count rate and also displaying the dead time, the optimum measurement conditions can be monitored.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係るX線分析装置のカウントレート
表示方式の実施の形態を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a count rate display method of an X-ray analyzer according to the present invention.

【図2】 EDSスペクトル画面におけるカウントレー
ト表示例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a count rate display example on an EDS spectrum screen.

【図3】 リニアアンプの入出力特性の例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of input / output characteristics of a linear amplifier.

【図4】 従来のX線分析装置の構成例を説明するため
の図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional X-ray analyzer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…偏向レンズ、2…EDS検出器、3…EDSアナラ
イザ、4…分析処理装置、5…X線カウントレート表示
処理部、6…定量分析処理部、7…元素マッピング分析
処理部、8…表示制御処理部、9…表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Deflection lens, 2 ... EDS detector, 3 ... EDS analyzer, 4 ... Analysis processing apparatus, 5 ... X-ray count rate display processing part, 6 ... Quantitative analysis processing part, 7 ... Element mapping analysis processing part, 8 ... Display Control processing unit 9, display device

フロントページの続き (72)発明者 太田 康則 東京都昭島市武蔵野三丁目1番2号 日本 電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 十文字 清 東京都昭島市武蔵野三丁目1番2号 日本 電子エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2G001 AA03 BA05 EA03 FA10 GA01 GA06 HA13 KA01 5C033 PP06 Continued on the front page (72) Inventor Yasunori Ota 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo Japan Electronic Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kiyoshi Jumon 3-1-2-1, Musashino, Akishima-shi, Tokyo Japan Electronic Engineering Stock In-house F term (reference) 2G001 AA03 BA05 EA03 FA10 GA01 GA06 HA13 KA01 5C033 PP06

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子ビームを試料に照射して試料から放
射される特性X線を検出し分析するX線分析装置におい
て、X線検出器より検出される全範囲のエネルギー値の
X線カウントレートを表示する表示手段を設け、エネル
ギースペクトル画面や元素マッピング画面の一部に前記
X線カウントレートの表示領域を設定して、該表示領域
に常時前記X線カウントレートを表示することを特徴と
するX線分析装置のカウントレート表示方式。
1. An X-ray analyzer for irradiating a sample with an electron beam to detect and analyze characteristic X-rays emitted from the sample, the X-ray count rate of energy values in the entire range detected by the X-ray detector. Is provided, a display area of the X-ray count rate is set in a part of an energy spectrum screen or an element mapping screen, and the X-ray count rate is always displayed in the display area. X-ray analyzer count rate display method.
【請求項2】 前記X線カウントレートと共にデッドタ
イムを表示することを特徴とする請求項1記載のX線分
析装置のカウントレート表示方式。
2. The count rate display method for an X-ray analyzer according to claim 1, wherein a dead time is displayed together with the X-ray count rate.
JP10203682A 1998-07-17 1998-07-17 Count rate display system of x-rays analytic apparatus Withdrawn JP2000035411A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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