JP4644084B2 - Electron microscope control apparatus, electron microscope system, and control method of electron microscope - Google Patents

Electron microscope control apparatus, electron microscope system, and control method of electron microscope Download PDF

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Description

本発明は、電子顕微鏡制御装置、電子顕微鏡システムおよび電子顕微鏡の制御方法に関する。   The present invention relates to an electron microscope control apparatus, an electron microscope system, and an electron microscope control method.

電子顕微鏡の1つに、走査型電子顕微鏡(以下、SEMという)と、このSEMに取り付けられた半導体X線検出器からの信号を処理するエネルギー分散型X線分析装置(以下、EDXという)とを組み合わせたものがある。このEDXは、数μmという微小領域の元素分析を行う装置で、SEMによる像観察と同時に、X線分析装置によって観察している部分の定性分析、定量分析、X線像による元素分布の分析等を行うものである。   One of the electron microscopes is a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM) and an energy dispersive X-ray analyzer (hereinafter referred to as EDX) that processes a signal from a semiconductor X-ray detector attached to the SEM. There is a combination of. This EDX is a device that performs elemental analysis of a micro area of several μm. At the same time as image observation by SEM, qualitative analysis, quantitative analysis, analysis of element distribution by X-ray image, etc. Is to do.

このようなEDXを備える電子顕微鏡において、SEMに設定する条件(SEM条件)と、このSEM条件に対応するEDX側の分析条件(EDX条件)(以下、まとめてレシピという)は、過去の分析条件等から測定対象の試料に最適な分析条件を選択するようにしている。なお、ここでの最適な分析条件とは、例えば、EDXにおけるデットタイム(不感時間)が所定の範囲(例えば、20〜30%)になるような条件である。そして、選択したSEM条件とEDX条件とを、SEMとEDXとに設定する。   In an electron microscope equipped with such an EDX, the conditions set in the SEM (SEM conditions) and the analysis conditions on the EDX side corresponding to the SEM conditions (EDX conditions) (hereinafter collectively referred to as recipes) are the past analysis conditions. Thus, the optimum analysis conditions for the sample to be measured are selected. The optimal analysis conditions here are, for example, conditions such that the dead time (dead time) in EDX falls within a predetermined range (for example, 20 to 30%). Then, the selected SEM condition and EDX condition are set to SEM and EDX.

ここでの、SEM条件とは、例えば、加速電圧、電子線照射電流調整値、ワーキングディスタンス、倍率、入力信号等であり、EDX条件とは、例えば、スペクトル測定条件(測定時間、プロセスタイム)や、SEM像取込条件(SEM像サイズ、速度)や、マッピング条件(マップサイズ、回数)、定性・定量条件等である。
特開2003−98129号公報
Here, the SEM conditions are, for example, an acceleration voltage, an electron beam irradiation current adjustment value, a working distance, a magnification, an input signal, and the like. The EDX conditions are, for example, spectrum measurement conditions (measurement time, process time), , SEM image capturing conditions (SEM image size, speed), mapping conditions (map size, number of times), qualitative / quantitative conditions, and the like.
JP 2003-98129 A

しかし、前記した従来技術では、呼び出したレシピが試料の組成や形状等により最適な分析条件とならなかった場合や、試料の観察および分析において最適な条件が異なる場合(例えば、観察と分析とに必要な電子線照射電流が異なる場合)、測定者が、SEMの調整→SEMによる試料の観察→SEMの調整→EDXによる試料の分析→SEMの調整といった作業を繰り返す必要があった。
ここで、前記したSEMの調整を容易にするため、EDX側の測定結果をSEM側にフィードバックしてSEM側をリアルタイムに制御するという方法が考えられる。
However, in the above-described prior art, when the called recipe does not become the optimum analysis conditions due to the composition or shape of the sample, or when the optimum conditions differ in the observation and analysis of the sample (for example, between observation and analysis). When the required electron beam irradiation current is different), the measurer needs to repeat the operations of SEM adjustment → observation of sample by SEM → adjustment of SEM → analysis of sample by EDX → adjustment of SEM.
Here, in order to facilitate the adjustment of the SEM, a method of feeding back the measurement result on the EDX side to the SEM side and controlling the SEM side in real time can be considered.

ところが、従来、SEMとEDXとの両方を制御するコンピュータ(統合アプリケーション)は無かったため、EDXを備える電子顕微鏡を制御するには、EDXを制御するためのEDXコンピュータを、別途SEMコンピュータ(SEMを制御するためのコンピュータ)に接続する必要があった。つまり、SEMコンピュータとEDXコンピュータとを所定の外部通信(例えば、RS−232Cインターフェース等)を用いて接続する必要があった。このため、SEM側にEDX側の測定結果をすぐにフィードバックして、SEM側をリアルタイムに制御することができないという問題があった。   However, since there has been no computer (integrated application) that controls both SEM and EDX, in order to control an electron microscope equipped with EDX, an EDX computer for controlling EDX is separately provided as an SEM computer (SEM is controlled). To connect to a computer). That is, it is necessary to connect the SEM computer and the EDX computer by using predetermined external communication (for example, RS-232C interface). For this reason, there is a problem that the measurement result on the EDX side cannot be immediately fed back to the SEM side to control the SEM side in real time.

この問題について、図1を用いて詳細に説明する。図1は、比較例である電子顕微鏡システムの構成を概略的に示した図である。   This problem will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an electron microscope system as a comparative example.

比較例の電子顕微鏡システムは、SEMハードウェア1と、SEMコンピュータ3aと、EDXハードウェア2と、EDXコンピュータ3bとを含んで構成される。SEMコンピュータ3aは、SEMアプリケーション42に基づき、SEM(SEMハードウェア)1を制御するコンピュータである。また、EDXコンピュータ3bは、EDXアプリケーション43に基づき、EDX(EDXハードウェア)2を制御するコンピュータである。SEMコンピュータ3aと、EDXコンピュータ3bとは、RS−232Cインターフェース等の外部通信手段46により接続されている。   The comparative electron microscope system includes SEM hardware 1, SEM computer 3a, EDX hardware 2, and EDX computer 3b. The SEM computer 3 a is a computer that controls an SEM (SEM hardware) 1 based on the SEM application 42. The EDX computer 3 b is a computer that controls the EDX (EDX hardware) 2 based on the EDX application 43. The SEM computer 3a and the EDX computer 3b are connected by an external communication means 46 such as an RS-232C interface.

比較例の電子顕微鏡システムにおけるSEM制御データ44は、常にすべてのSEM制御データ44がSEMアプリケーション42および外部通信手段46経由で、EDXアプリケーション43へ送信される。ここで、このSEM制御データ44の通信間隔を短くすると、SEMアプリケーション42およびEDXアプリケーション43の処理速度が低下する。このため、EDXハードウェア2側の測定結果(デットタイムやX線検出効率(収集計数率))をSEMコンピュータ3aにフィードバックして、SEMハードウェア1をリアルタイムに制御するのに充分な通信速度を得ることができないという問題があった。
なお、SEM制御データ44は、加速電圧やワーキングディスタンス等の分析結果として用いるデータや、電子線照射電流調整値等の分析の制御に用いるデータである。
As for the SEM control data 44 in the electron microscope system of the comparative example, all the SEM control data 44 is always transmitted to the EDX application 43 via the SEM application 42 and the external communication means 46. Here, if the communication interval of the SEM control data 44 is shortened, the processing speeds of the SEM application 42 and the EDX application 43 are reduced. For this reason, the measurement result (dead time and X-ray detection efficiency (collection counting rate)) on the EDX hardware 2 side is fed back to the SEM computer 3a, and the communication speed sufficient to control the SEM hardware 1 in real time is obtained. There was a problem that could not be obtained.
The SEM control data 44 is data used as analysis results such as acceleration voltage and working distance, and data used for analysis control such as electron beam irradiation current adjustment values.

また、SEMアプリケーション42とEDXアプリケーション43とを1つのコンピュータで動作させても、SEMアプリケーション42とEDXアプリケーション43とは独立して制御されるため、EDXハードウェア2側の測定結果をSEMアプリケーション42にフィードバックするには時間がかかるという問題があった。   Even if the SEM application 42 and the EDX application 43 are operated by a single computer, the SEM application 42 and the EDX application 43 are controlled independently, so that the measurement result on the EDX hardware 2 side is transferred to the SEM application 42. There was a problem that it took time to provide feedback.

そこで、本発明は、前記した問題を解決し、EDX側の測定結果をフィードバックしてSEM側をリアルタイムに制御し、専門的な知識や能力がなくても試料の観察および分析において精度の高い結果を得ることができる電子顕微鏡制御装置等を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, feeds back the measurement results on the EDX side, controls the SEM side in real time, and provides high-precision results in sample observation and analysis without specialized knowledge and ability. It is an object of the present invention to provide an electron microscope control device and the like that can obtain the above.

前記した課題を解決するため、本発明は、電子顕微鏡制御装置が、X線分析装置におけるデットタイムの目標値の範囲を記憶する記憶部と、X線分析装置から出力された計測結果に基づき、X線分析装置におけるデットタイムを算出し、算出されたデットタイムと、デットタイムの目標値の範囲とを比較し、算出されたデットタイムが、目標値の範囲内の値でなかったとき、電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する制御データを作成する制御部と、制御部で作成された制御データを、電子顕微鏡の制御用のフォーマットに変換し、電子顕微鏡へ出力するデータ共有部とを備え、データ共有部は、電子顕微鏡から、この電子顕微鏡における電子線照射電流の制御結果を受信し、受信した制御結果と、電子顕微鏡へ出力した制御データとを比較し、制御結果が制御データと異なる場合、受信した制御結果を、制御部用のフォーマットに変換して制御部へ出力する構成とした。その他の構成は後記する実施の形態で述べる。 In order to solve the above-described problem, the present invention is based on a measurement result output from an X-ray analyzer, a storage unit in which an electron microscope control device stores a range of a dead time target value in the X-ray analyzer, When the dead time in the X-ray analyzer is calculated, the calculated dead time is compared with the target value range of the dead time, and the calculated dead time is not within the target value range, and a control unit for creating control data for controlling the electron beam irradiation current of the microscope, the control data generated by the control unit, into a format for the control of the electron microscope, and a data sharing unit for outputting the electron microscope The data sharing unit receives the control result of the electron beam irradiation current in the electron microscope from the electron microscope, and compares the received control result with the control data output to the electron microscope. If the control results differ from control data, the control result received, configured to output to the control unit converts the format of the control unit. Other configurations will be described in an embodiment described later.

本発明によれば、X線分析装置の測定結果(デットタイムやX線検出効率)が目標値に達していないとき、電子顕微鏡制御装置がこれに応じて電子顕微鏡の電子線照射電流を変化させる。つまり、X線分析装置の測定結果をリアルタイムにフィードバックして電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する。したがって、専門的な知識や能力がなくても、簡単に試料に最適な分析条件をX線分析装置に設定することができる。また、精度の高い試料の観察および分析の結果を得ることができる。さらに、本発明は、SEMとEDXの両方の操作画面および表示画面を同じ表示装置の表示画面上に表示することができるので、操作性の向上が図れる。   According to the present invention, when the measurement result (dead time or X-ray detection efficiency) of the X-ray analyzer does not reach the target value, the electron microscope control device changes the electron beam irradiation current of the electron microscope accordingly. . That is, the measurement result of the X-ray analyzer is fed back in real time to control the electron beam irradiation current of the electron microscope. Therefore, even if there is no specialized knowledge and ability, it is possible to easily set the optimal analysis conditions for the sample in the X-ray analyzer. In addition, it is possible to obtain a result of observation and analysis of a sample with high accuracy. Furthermore, according to the present invention, since the operation screen and the display screen of both SEM and EDX can be displayed on the display screen of the same display device, the operability can be improved.

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態という)を詳細に説明する。図2は、本実施の形態の電子顕微鏡システムの構成を機能展開して示したブロック図である。   The best mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram showing a functional development of the configuration of the electron microscope system of the present embodiment.

電子顕微鏡システムは、分析対象である試料に電子線を照射し、試料より発生した電子線を測定する電子顕微鏡であるSEMハードウェア1と、試料より発生したX線を測定するX線検出器およびエネルギー分散型X線分析装置を備えるEDXハードウェア2と、SEMハードウェア1およびEDXハードウェア2を制御するコンピュータ(電子顕微鏡制御装置)3とを含んで構成される。   The electron microscope system includes an SEM hardware 1 that is an electron microscope that irradiates a sample to be analyzed with an electron beam and measures an electron beam generated from the sample, an X-ray detector that measures X-rays generated from the sample, and The EDX hardware 2 including the energy dispersive X-ray analyzer, and the SEM hardware 1 and a computer (electron microscope control device) 3 that controls the EDX hardware 2 are configured.

また、コンピュータ3には、液晶ディスプレイ等の表示装置9、キーボードやマウス等のポインティングデバイス10が接続される。この表示装置9は、コンピュータ3から出力された試料のSEM像、X線スペクトルやマッピング像等のEDX像を表示する。このコンピュータ3にはフレキシブルディスクやMOディスク(Magneto Optical Disk)等の記憶媒体の読み取り装置やプリンタ等の出力装置が付設してあってもよい。   Further, a display device 9 such as a liquid crystal display and a pointing device 10 such as a keyboard and a mouse are connected to the computer 3. The display device 9 displays an SEM image of the sample output from the computer 3 and an EDX image such as an X-ray spectrum and a mapping image. The computer 3 may be provided with a storage medium reading device such as a flexible disk or an MO disk (Magneto Optical Disk) and an output device such as a printer.

コンピュータ3は、入出力インターフェース、CPU(Central Processing Unit)、メインメモリ、記憶部等を備える演算処理装置により実現される。
入出力インターフェースは、前記した表示装置9、ポインティングデバイス10、SEMハードウェア1、EDXハードウェア2等と、CPUとの間のデータ入出力のインターフェースを司る。CPUは、記憶部に格納されるSEM−EDX統合プログラム4やデータ共有オブジェクト7(後記)をメインメモリ上に読み出し、SEMハードウェア1およびEDXハードウェア2を制御する。メインメモリは、例えば、RAM(Random Access Memory)であり、CPUが演算処理を行う際に用いられる記憶手段である。このメインメモリには、SEMハードウェア1から出力されたSEM制御データ8等が記憶される。記憶部は、例えば、ハードディスク装置であり、所定領域にSEM−EDX統合プログラム4、データ共有オブジェクト7およびレシピ41を格納する。なお、請求項における制御部の機能は、CPUによるSEM−EDX統合プログラム4の実行処理により実現される。
The computer 3 is realized by an arithmetic processing unit including an input / output interface, a CPU (Central Processing Unit), a main memory, a storage unit, and the like.
The input / output interface controls the data input / output interface between the display device 9, the pointing device 10, the SEM hardware 1, the EDX hardware 2, and the like and the CPU. The CPU reads the SEM-EDX integrated program 4 and the data sharing object 7 (described later) stored in the storage unit onto the main memory, and controls the SEM hardware 1 and the EDX hardware 2. The main memory is, for example, a RAM (Random Access Memory), and is a storage unit used when the CPU performs arithmetic processing. The main memory stores SEM control data 8 and the like output from the SEM hardware 1. The storage unit is, for example, a hard disk device, and stores the SEM-EDX integrated program 4, the data sharing object 7, and the recipe 41 in a predetermined area. In addition, the function of the control part in a claim is implement | achieved by the execution process of the SEM-EDX integrated program 4 by CPU.

SEM−EDX統合プログラム4は、SEMアプリケーション5およびEDXアプリケーション6を備える。このSEMアプリケーション5は、CPUがSEMハードウェア1を制御するためのアプリケーションであり、EDXアプリケーション6は、CPUがEDXハードウェア2を制御するためのアプリケーションである。SEMハードウェア1は、コンピュータ3からの命令(SEM制御データ8)を受け取ると、この命令に基づき試料に電子線を照射する。なお、このときのSEM制御データ8は、コンピュータ3のCPUがメインメモリ等に記憶しておく。また、EDXハードウェア2は、コンピュータ3のCPUからの命令を受け取ると、この命令に基づきX線分析を行う。このとき、EDXハードウェア2の操作に必要なSEM制御データ8は、データ共有オブジェクト7からEDXアプリケーション6へ送信される。   The SEM-EDX integrated program 4 includes an SEM application 5 and an EDX application 6. The SEM application 5 is an application for the CPU to control the SEM hardware 1, and the EDX application 6 is an application for the CPU to control the EDX hardware 2. Upon receiving a command (SEM control data 8) from the computer 3, the SEM hardware 1 irradiates the sample with an electron beam based on this command. The SEM control data 8 at this time is stored in the main memory or the like by the CPU of the computer 3. Further, when receiving an instruction from the CPU of the computer 3, the EDX hardware 2 performs X-ray analysis based on the instruction. At this time, the SEM control data 8 necessary for the operation of the EDX hardware 2 is transmitted from the data sharing object 7 to the EDX application 6.

データ共有オブジェクト7は、メインメモリ等に記憶されているSEM制御データ8を監視し、このSEM制御データ8に変化があったとき、自身が保持するSEM制御データであるSEM制御データ71を更新する。つまり、データ共有オブジェクト7は、SEM制御データ71と、SEM制御データ8を監視して、SEM制御データ71を更新するプログラムとを含んで構成される。なお、請求項におけるデータ共有部の機能は、データ共有オブジェクト7に含まれるプログラムをCPUが実行することにより実現される。   The data sharing object 7 monitors the SEM control data 8 stored in the main memory or the like, and updates the SEM control data 71 which is the SEM control data held by itself when there is a change in the SEM control data 8. . That is, the data sharing object 7 includes SEM control data 71 and a program that monitors the SEM control data 8 and updates the SEM control data 71. Note that the function of the data sharing unit in the claims is realized by the CPU executing a program included in the data sharing object 7.

なお、この更新されたSEM制御データ71は、データ共有オブジェクト7により、EDXアプリケーション6(SEM−EDX統合プログラム4)に受け渡される。また、このときデータ共有オブジェクト7は、SEM制御データ71を、EDXアプリケーション6で処理可能なフォーマットに変換してから、SEMアプリケーション5を介さずに、EDXアプリケーション6に受け渡すものとする。さらに、データ共有オブジェクト7はEDXアプリケーション6からSEM制御データを受け取ったときには、SEMハードウェア1側で制御に用いることができるフォーマットに変換してから、SEMハードウェア1へ出力するものとする。   The updated SEM control data 71 is transferred by the data sharing object 7 to the EDX application 6 (SEM-EDX integrated program 4). At this time, the data sharing object 7 converts the SEM control data 71 into a format that can be processed by the EDX application 6, and then passes it to the EDX application 6 without going through the SEM application 5. Furthermore, when the data sharing object 7 receives SEM control data from the EDX application 6, it is converted to a format that can be used for control on the SEM hardware 1 side and then output to the SEM hardware 1.

このとき、データ共有オブジェクト7からEDXアプリケーション6へ受け渡すSEM制御データ71は、SEM制御データ8より変化があった分を受け渡すものとする。このことにより、従来よりも通信量を低下させることができる。その結果、通信速度の高速化が可能となるため、EDX側の測定結果をフィードバックして、SEM側の条件をリアルタイムに制御できる。   At this time, the SEM control data 71 transferred from the data sharing object 7 to the EDX application 6 is transferred from the SEM control data 8. As a result, the amount of communication can be reduced as compared with the prior art. As a result, since the communication speed can be increased, the measurement result on the EDX side can be fed back to control the conditions on the SEM side in real time.

また、このデータ共有オブジェクト7により、SEM側の条件に合わせてEDX側の条件を調整したり、EDX側の条件に合わせてSEM側の条件を調整したりすることができる。   In addition, the data sharing object 7 can adjust the condition on the EDX side according to the condition on the SEM side, and can adjust the condition on the SEM side according to the condition on the EDX side.

レシピ41は、表1に例示するように、「未知試料」、「軽元素試料」、「金属試料」といった試料の性状ごとに、これらの試料を分析するときの「SEM条件」と、これに対応する条件の、「スペクトル測定条件」、「SEM像取込条件」、「マッピング条件」等の「EDX条件」とを示したものである。   As illustrated in Table 1, the recipe 41 includes “SEM conditions” for analyzing these samples according to the properties of the samples such as “unknown sample”, “light element sample”, and “metal sample”. The corresponding conditions are shown as “spectrum measurement conditions”, “SEM image capturing conditions”, “mapping conditions” and other “EDX conditions”.

次に、電子顕微鏡システムにおいて、試料の観察および分析は以下の手順に従う。図3は、図2の電子顕微鏡システムにおける試料の観察および分析の手順を例示したフローチャートである。   Next, in the electron microscope system, the observation and analysis of the sample follow the following procedure. FIG. 3 is a flowchart illustrating a sample observation and analysis procedure in the electron microscope system of FIG.

まず、コンピュータ3のCPUは、SEM−EDX統合プログラム4に基づき、分析条件設定画面を表示装置9へ表示する。そして、ポインティングデバイス10経由で試料の性状に関する情報との入力を受け付ける。そして、CPUは、試料の性状をキーとして、レシピ41のうち、入力された試料の性状に適するSEM条件およびEDX条件を選択する。例えば、試料が「未知試料」であれば、レシピ41から「未知試料」に関するSEM条件およびEDX条件を選択する。   First, the CPU of the computer 3 displays an analysis condition setting screen on the display device 9 based on the SEM-EDX integrated program 4. And the input with the information regarding the property of a sample is received via the pointing device 10. FIG. Then, the CPU selects, from the recipe 41, SEM conditions and EDX conditions suitable for the input sample properties, using the sample properties as keys. For example, if the sample is “unknown sample”, the SEM condition and EDX condition regarding “unknown sample” are selected from the recipe 41.

そして、SEM−EDX統合プログラム4に基づきCPUは、選択したSEM条件をSEMハードウェア1へ設定するとともに、EDX条件をEDXハードウェア2へ設定する。これにより、レシピの設定が完了する(S1)。   Then, based on the SEM-EDX integration program 4, the CPU sets the selected SEM condition in the SEM hardware 1 and sets the EDX condition in the EDX hardware 2. Thereby, the setting of the recipe is completed (S1).

次に、測定者により手動で試料がSEMハードウェア1の所定の位置にセットされると(S2)、S3へ進む。なお、このレシピの設定と試料のセットは順序が逆になってもよい。   Next, when the sample is manually set at a predetermined position of the SEM hardware 1 by the measurer (S2), the process proceeds to S3. Note that the order of the recipe setting and the sample setting may be reversed.

そして、ポインティングデバイス10経由で、コンピュータ3に試料への電子線の照射指示が入力されると、試料の観察を開始する。具体的には、コンピュータ3に電子線の照射指示が入力されると、SEM−EDX統合プログラム4に基づきCPUは、SEMハードウェア1に対し、S1で設定されたSEM条件に従った試料への電子線の照射スタートを指示する。つまり、SEMハードウェア1に対しSEM制御データを出力する。これを受けてSEMハードウェア1は試料に電子線を照射し(S3)、測定者が試料の観察をできるようにする。   When an instruction to irradiate the sample with an electron beam is input to the computer 3 via the pointing device 10, observation of the sample is started. Specifically, when an electron beam irradiation instruction is input to the computer 3, based on the SEM-EDX integrated program 4, the CPU applies the SEM hardware 1 to the sample in accordance with the SEM conditions set in S1. Instructs the start of electron beam irradiation. That is, SEM control data is output to the SEM hardware 1. In response to this, the SEM hardware 1 irradiates the sample with an electron beam (S3) so that the measurer can observe the sample.

なお、SEMハードウェア1における焦点、明るさ等はSEMアプリケーション5により自動調整される。また、SEM像を観察し、保存するとき、SEM−EDX統合プログラム4により、試料観察時の電子線照射電流調整値をメインメモリに記憶しておく。   Note that the focus, brightness, and the like in the SEM hardware 1 are automatically adjusted by the SEM application 5. When observing and storing the SEM image, the SEM-EDX integrated program 4 stores the electron beam irradiation current adjustment value at the time of sample observation in the main memory.

このとき、CPUからの電子線の照射スタートの指示は、EDXハードウェア2へも出力される。つまり、試料に対する電子線の照射によって試料から生じたX線を、EDXハードウェア2のX線検出器で検出し、X線分析装置に試料の分析を行わせる(S4)。   At this time, an instruction to start irradiation with an electron beam from the CPU is also output to the EDX hardware 2. That is, the X-ray generated from the sample by the electron beam irradiation to the sample is detected by the X-ray detector of the EDX hardware 2, and the sample is analyzed by the X-ray analyzer (S4).

試料観察の後、CPUは、SEM−EDX統合プログラム4およびデータ共有オブジェクト7により、S1でレシピ41に記憶しておいたデットタイム、X線検出効率等のEDXハードウェア2側の条件に適合するように、SEMハードウェア1を調整する。ここでのSEMハードウェア1の調整は、例えばSEMハードウェア1の電子線照射電流値の調整である。このときのSEMハードウェア1の調整手順の詳細は、図5を用いて後記する。   After sample observation, the CPU conforms to the conditions on the EDX hardware 2 side such as the dead time and the X-ray detection efficiency stored in the recipe 41 in S1 by the SEM-EDX integrated program 4 and the data sharing object 7. Thus, the SEM hardware 1 is adjusted. The adjustment of the SEM hardware 1 here is, for example, adjustment of the electron beam irradiation current value of the SEM hardware 1. Details of the adjustment procedure of the SEM hardware 1 at this time will be described later with reference to FIG.

ここで、試料の複数の部位を分析する場合には、試料の1つの部位について分析が終了すると、S3へ戻り試料の観察を行って次の分析部位を特定する。そして、その特定した部位について、EDXハードウェア2およびEDXアプリケーション6によりX線検出と分析を行う。なお、このときCPUは、SEMハードウェア1における電子線照射電流の値を、試料観察時の電子線照射電流調整値に戻してから観察や分析を行う。   Here, when analyzing a plurality of parts of the sample, when the analysis is completed for one part of the sample, the process returns to S3 to observe the sample and specify the next analysis part. Then, the XDX detection and analysis are performed on the identified part by the EDX hardware 2 and the EDX application 6. At this time, the CPU performs observation and analysis after returning the value of the electron beam irradiation current in the SEM hardware 1 to the electron beam irradiation current adjustment value at the time of sample observation.

前記したS4の手順に基づき分析が終了すると、CPUはSEM−EDX統合プログラム4により分析結果を画像データ等に変換し、分析結果レポートを作成する(S5)。この分析結果レポートは表示装置9等へ出力される。   When the analysis is completed based on the procedure of S4 described above, the CPU converts the analysis result into image data or the like by the SEM-EDX integrated program 4 and creates an analysis result report (S5). This analysis result report is output to the display device 9 or the like.

なお、前記したSEMハードウェア1やEDXハードウェア2の設定画面および操作画面、SEM像およびEDX像は、コンピュータ3のSEM−EDX統合プログラム4により表示装置9に出力され、表示される。図4は、図2の表示装置における画面例である。図4に示すように、SEM操作メニュー21、SEM設定メニュー22、SEM像23、EDX操作メニュー24、EDX像(EDXハードウェア2およびEDXアプリケーション6による分析結果レポート)およびEDX設定メニュー25等の画面が表示装置9の1つの画面上に表示される。測定者は、図2のポインティングデバイス10を用いて、この画面上から各種設定を行うことができるので、操作性の向上が図れる。   The setting screen and operation screen, SEM image, and EDX image of the SEM hardware 1 and EDX hardware 2 described above are output to the display device 9 by the SEM-EDX integrated program 4 of the computer 3 and displayed. FIG. 4 is a screen example in the display device of FIG. As shown in FIG. 4, SEM operation menu 21, SEM setting menu 22, SEM image 23, EDX operation menu 24, EDX image (analysis result report by EDX hardware 2 and EDX application 6), EDX setting menu 25, etc. Is displayed on one screen of the display device 9. The measurer can make various settings from this screen using the pointing device 10 of FIG. 2, so that the operability can be improved.

また、分析で使用したSEM条件やEDX条件が、既に保存されているレシピ41とは異なる場合や、以後の分析に好適と考えられる場合等は、必要に応じてこれを新しいレシピ41として記憶部に保存する(S6)。このときの保存は、例えば、CPUが新しいレシピ41を保存するか否かの選択画面を表示装置9へ表示し、ポインティングデバイス10から保存の指示入力があったときに、保存するようにする。
以上のようにして、コンピュータ3は、試料の観察および分析に好適なようにSEMハードウェア1の制御を行う。
Further, if the SEM condition or EDX condition used in the analysis is different from the recipe 41 that has already been stored, or if it is considered suitable for the subsequent analysis, this is stored as a new recipe 41 as necessary. (S6). In this case, for example, the CPU displays a selection screen as to whether or not to save the new recipe 41 on the display device 9 and saves it when a pointing instruction is input from the pointing device 10.
As described above, the computer 3 controls the SEM hardware 1 so as to be suitable for sample observation and analysis.

次に、図5を用いて、図3のS4の試料の分析におけるSEMハードウェア1の調整手順を詳細に説明する。図5は、図3のS4の試料の分析におけるSEMハードウェアの調整手順を示す図である。   Next, the adjustment procedure of the SEM hardware 1 in the analysis of the sample of S4 in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a procedure for adjusting SEM hardware in the analysis of the sample in S4 of FIG.

まず、CPUは、SEM−EDX統合プログラム4に基づき、EDXハードウェア2の測定結果から、所定時間におけるEDXハードウェア2のデットタイム、X線検出効率等を算出する。そして、このときの算出結果と、レシピ41に記憶されているデットタイム、X線検出効率等の条件とを比較する。   First, based on the SEM-EDX integrated program 4, the CPU calculates the dead time of the EDX hardware 2 at a predetermined time, the X-ray detection efficiency, and the like from the measurement results of the EDX hardware 2. Then, the calculation result at this time is compared with conditions such as dead time and X-ray detection efficiency stored in the recipe 41.

具体的には、CPUは、EDXハードウェア2のデットタイムやX線検出効率が、レシピ41に記憶されているデットタイムやX線検出効率の目標値の範囲内か否かを判断する。
以下の説明では、CPUが、EDXハードウェア2のデットタイムを算出し(S41)、このデットタイムがレシピ41に記憶されているデットタイムの目標値の範囲内か否かを判断する場合(S42)を例に説明する。
Specifically, the CPU determines whether the dead time and the X-ray detection efficiency of the EDX hardware 2 are within the range of the target values of the dead time and the X-ray detection efficiency stored in the recipe 41.
In the following description, the CPU calculates the dead time of the EDX hardware 2 (S41), and determines whether this dead time is within the range of the dead time target value stored in the recipe 41 (S42). ) As an example.

ここで、EDXハードウェア2のデットタイムは、レシピ41に記憶されているデットタイムの目標値の範囲外であるとCPUが判断したとき(S42の“No”)、EDXアプリケーション6に基づきCPUは、EDXハードウェア2がレシピ41に記憶されているデットタイムを達成するように、SEMハードウェア1の制御を行う。
つまり、EDXハードウェア2がレシピ41に記憶されているデットタイムとなるSEM制御データをデータ共有オブジェクト7経由でSEMハードウェア1へ出力する(S43)。このときのSEM制御データは、例えば、SEMハードウェア1における電子線照射電流の値を変化させる制御データである。これを受けてSEMハードウェア1において、SEM条件の調整(主に、電子線照射電流の値の変更)が行われる。電子線照射電流の制御方法は、例えば収束レンズ(コンデンサレンズ)の調整などである。このときCPUが出力したSEM制御データは、データ共有オブジェクト7のSEM制御データ71としてメインメモリに記憶しておく(S44)。
一方、デットタイムがレシピ41に記憶されているデットタイムの目標値の範囲内であった場合(S42の“Yes”)、SEMハードウェア1の調整処理を終了する。
Here, when the CPU determines that the dead time of the EDX hardware 2 is outside the range of the dead time target value stored in the recipe 41 (“No” in S42), the CPU determines that the dead time of the EDX hardware 2 is based on the EDX application 6. The SEM hardware 1 is controlled so that the EDX hardware 2 achieves the dead time stored in the recipe 41.
In other words, the EDX hardware 2 outputs SEM control data that is a dead time stored in the recipe 41 to the SEM hardware 1 via the data sharing object 7 (S43). The SEM control data at this time is control data for changing the value of the electron beam irradiation current in the SEM hardware 1, for example. In response to this, the SEM hardware 1 adjusts SEM conditions (mainly changing the value of the electron beam irradiation current). A method for controlling the electron beam irradiation current is, for example, adjustment of a converging lens (condenser lens). The SEM control data output by the CPU at this time is stored in the main memory as SEM control data 71 of the data sharing object 7 (S44).
On the other hand, when the dead time is within the range of the dead time target value stored in the recipe 41 (“Yes” in S42), the adjustment process of the SEM hardware 1 is terminated.

このような調整後、コンピュータ3は、SEMハードウェア1から、実際のSEMハードウェア1の制御結果(SEM制御データ8)を受信する(S45)。そして、CPUは、SEMハードウェア1から出力されたSEM制御データ8をメインメモリに記憶する(S46)。   After such adjustment, the computer 3 receives the actual control result (SEM control data 8) of the SEM hardware 1 from the SEM hardware 1 (S45). Then, the CPU stores the SEM control data 8 output from the SEM hardware 1 in the main memory (S46).

次に、データ共有オブジェクト7に基づきCPUは、SEM制御データ71と、SEMハードウェア1から出力されたSEM制御データ8とを比較する(S47)。そして、SEM制御データ8とSEM制御データ71との間に差分がある場合(S47の“差分あり”)、CPUは、SEM制御データ71を、SEM制御データ8に書き換える(S48)。このときの書き換えは、SEM制御データ71とSEM制御データ8との差分をSEM制御データ71から読み取り、この差分の情報をSEM制御データ71上で書き換えるようにする。そして、S41へ戻る。一方、SEM制御データ71とSEM制御データ8とが同じである場合(S47の“差分無し”)には、CPUは、SEM制御データ71の書き換えを行わず、S41へ戻る。   Next, based on the data sharing object 7, the CPU compares the SEM control data 71 with the SEM control data 8 output from the SEM hardware 1 (S47). When there is a difference between the SEM control data 8 and the SEM control data 71 (“difference” in S47), the CPU rewrites the SEM control data 71 into the SEM control data 8 (S48). The rewriting at this time reads the difference between the SEM control data 71 and the SEM control data 8 from the SEM control data 71 and rewrites the information on the difference on the SEM control data 71. Then, the process returns to S41. On the other hand, when the SEM control data 71 and the SEM control data 8 are the same (“No difference” in S47), the CPU does not rewrite the SEM control data 71 and returns to S41.

このように、SEM制御データ8に変化があったときのみ、変化があった分だけSEM制御データ71を更新し、EDXアプリケーション6(SEM−EDX統合プログラム4)へSEM制御データ71を受け渡すようにするので、EDXアプリケーション6とSEMアプリケーション5との間のSEM制御データの通信量を低下させることができる。つまり、コンピュータ3はEDX側の測定結果をフィードバックしてSEM側をリアルタイムに制御できる通信速度を得ることができる。したがって、コンピュータ3は、試料の分析において、レシピ41で設定したデットタイム、X線検出効率といったEDX側の条件に適合するように、SEM側の条件である電子線照射電流等を調整することができる。よって、測定技術や調整技術を有する測定者でなくても、試料を最適な条件で観察および分析を行うことができる。   Thus, only when there is a change in the SEM control data 8, the SEM control data 71 is updated as much as the change, and the SEM control data 71 is delivered to the EDX application 6 (SEM-EDX integrated program 4). Therefore, the communication amount of SEM control data between the EDX application 6 and the SEM application 5 can be reduced. That is, the computer 3 can obtain a communication speed capable of controlling the SEM side in real time by feeding back the measurement result on the EDX side. Therefore, the computer 3 can adjust the electron beam irradiation current, which is the condition on the SEM side, so as to meet the conditions on the EDX side such as the dead time set in the recipe 41 and the X-ray detection efficiency in the analysis of the sample. it can. Therefore, even if it is not the measurement person who has a measurement technique and an adjustment technique, it can observe and analyze a sample on optimal conditions.

なお、前記した説明では、EDXハードウェア2におけるデットタイムがレシピ41に記憶されているデットタイムの目標値の範囲内か否かを判断する場合について説明したが、EDXハードウェア2におけるX線検出効率もあわせてチェックするようにしてもよい。すなわち、デットタイムがレシピ41に記憶されているデットタイムの目標値の範囲内で、かつ、X線検出効率がレシピ41に記憶されているX線検出効率の目標値の範囲内であるか否かを判断するようにしてもよいし、デットタイムとX線検出効率との少なくとも一方が各目標値の範囲内であるか否かを判断するようにしてもよい。   In the above description, the case where it is determined whether the dead time in the EDX hardware 2 is within the range of the dead time target value stored in the recipe 41 has been described. However, the X-ray detection in the EDX hardware 2 is performed. You may make it also check efficiency. That is, whether or not the dead time is within the range of the target value of the dead time stored in the recipe 41, and the X-ray detection efficiency is within the range of the target value of the X-ray detection efficiency stored in the recipe 41. It may be determined whether or not at least one of the dead time and the X-ray detection efficiency is within the range of each target value.

また、レシピ41に記憶されるデットタイムや、X線検出効率の目標値は、ある程度の幅をもった数値、つまり上限値と下限値とを持つものとして説明したが、これに限定されない。すなわち、例えば、レシピ41にデットタイムの上限値のみを設定して、デットタイムの上限値が30%以下になるようにSEMハードウェア1を調整したりするようにしてもよい。   Moreover, although the dead time and the target value of the X-ray detection efficiency stored in the recipe 41 have been described as having numerical values having a certain range, that is, an upper limit value and a lower limit value, the present invention is not limited to this. That is, for example, only the upper limit value of the dead time may be set in the recipe 41, and the SEM hardware 1 may be adjusted so that the upper limit value of the dead time is 30% or less.

また、コンピュータ3が、EDXハードウェア2におけるデットタイムおよびX線検出効率の少なくとも一方をリアルタイムで監視し、電子線照射電流を自動で調整するので、試料に対し長時間のX線検出が必要な定量分析を行う場合でも、分析の前後にファラデーカップ装置等を用いてプローブ電流値(実際に電子線が試料に照射される電流値)を測定し、これに基づき分析結果を補正する必要が無くなる。したがって、試料の分析を簡単に行うことができ、また精度の高い分析結果を得ることができる。   In addition, since the computer 3 monitors at least one of the dead time and the X-ray detection efficiency in the EDX hardware 2 in real time and automatically adjusts the electron beam irradiation current, long-time X-ray detection is required for the sample. Even when quantitative analysis is performed, it is not necessary to measure the probe current value (current value at which the sample is actually irradiated with an electron beam) using a Faraday cup device before and after the analysis, and to correct the analysis result based on this measurement. . Therefore, the sample can be easily analyzed, and a highly accurate analysis result can be obtained.

さらに、試料微動装置等を用いて試料を移動させ、電子顕微鏡で、複数の部位の観察や分析をするときも、試料の複数の部位ごとの最適な条件にて観察や分析を行うことができる。したがって、試料の観察や分析の手間を軽減することができる。   Furthermore, even when a sample is moved using a sample micro-adjustment device, etc., and a plurality of parts are observed and analyzed with an electron microscope, observation and analysis can be performed under optimum conditions for each of the plurality of parts of the sample. . Therefore, it is possible to reduce the labor of sample observation and analysis.

なお、前記した実施の形態では、試料の観察および分析を行う測定者が、観察および分析の前にデットタイムやX線検出効率の目標値をレシピ41に設定するものとしたが、これに限定されない。例えば、デットタイムやX線検出効率の目標値(最適値または最適範囲)をデフォルトで記憶部に設定しておき、コンピュータ3がこのデフォルトの目標値に基づきSEMハードウェア1の電子線照射電流を調整するようにしてもよい。このようにすることで、測定者が観察および分析の都度、レシピ41に目標値を設定する手間を省くことができる。   In the above-described embodiment, the measurer who observes and analyzes the sample sets the dead time and the target value of the X-ray detection efficiency in the recipe 41 before the observation and analysis. However, the present invention is not limited to this. Not. For example, a target value (optimum value or optimum range) of the dead time and X-ray detection efficiency is set in the storage unit by default, and the computer 3 calculates the electron beam irradiation current of the SEM hardware 1 based on the default target value. You may make it adjust. In this way, the measurer can save time and effort for setting the target value in the recipe 41 each time observation and analysis are performed.

本発明は、SEMと波長分散型X線分析装置(WDX)とを組み合わせた電子顕微鏡システムや、透過型電子顕微鏡(TEM)とEDXとを組み合わせた電子顕微鏡システム、またその類似システムにおいても同様に適用できる。   The present invention also applies to an electron microscope system combining an SEM and a wavelength dispersive X-ray analyzer (WDX), an electron microscope system combining a transmission electron microscope (TEM) and EDX, and similar systems. Applicable.

比較例であるEDXを備える電子顕微鏡の構成を概略的に示した図である。It is the figure which showed roughly the structure of the electron microscope provided with EDX which is a comparative example. 本実施の形態の電子顕微鏡システムの構成を機能展開して示したブロック図である。It is the block diagram which expanded and showed the structure of the structure of the electron microscope system of this Embodiment. 図2の電子顕微鏡システムにおける試料の観察および分析の手順を例示したフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a sample observation and analysis procedure in the electron microscope system of FIG. 2. 図2の表示装置における画面例である。It is an example of the screen in the display apparatus of FIG. 図3のS4におけるSEMハードウェアの調整手順を示す図である。It is a figure which shows the adjustment procedure of SEM hardware in S4 of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 SEMハードウェア
2 EDXハードウェア
3 コンピュータ(電子顕微鏡制御装置)
3a SEMコンピュータ
3b EDXコンピュータ
4 SEM−EDX統合プログラム
5 SEMアプリケーション
6 EDXアプリケーション
7 データ共有オブジェクト
8 SEM制御データ
9 表示装置
10 ポインティングデバイス
21 SEM操作メニュー
22 SEM設定メニュー
23 SEM像
24 EDX操作メニュー
25 EDX設定メニュー
41 レシピ
42 SEMアプリケーション
43 EDXアプリケーション
44 SEM制御データ
46 外部通信手段
71 SEM制御データ
1 SEM hardware 2 EDX hardware 3 Computer (electron microscope control device)
3a SEM computer 3b EDX computer 4 SEM-EDX integrated program 5 SEM application 6 EDX application 7 data sharing object 8 SEM control data 9 display device 10 pointing device 21 SEM operation menu 22 SEM setting menu 23 SEM image 24 EDX operation menu 25 EDX setting Menu 41 Recipe 42 SEM application 43 EDX application 44 SEM control data 46 External communication means 71 SEM control data

Claims (5)

X線分析装置を備える電子顕微鏡における電子線照射電流を制御する電子顕微鏡制御装置であって、
前記X線分析装置におけるデットタイムの目標値の範囲を記憶する記憶部と、
前記X線分析装置から出力された計測結果に基づき、前記X線分析装置におけるデットタイムを算出し、前記算出されたデットタイムと、前記デットタイムの目標値の範囲とを比較し、前記算出されたデットタイムが、前記目標値の範囲内の値でなかったとき、前記電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する制御データを作成する制御部と、
記制御部で作成された制御データを、前記電子顕微鏡の制御用のフォーマットに変換し、前記電子顕微鏡へ出力するデータ共有部とを備え、
前記データ共有部は、
前記電子顕微鏡から、この電子顕微鏡における電子線照射電流の制御結果を受信し、前記受信した制御結果と、前記電子顕微鏡へ出力した制御データとを比較し、前記制御結果が前記制御データと異なる場合、前記受信した制御結果を、前記制御部用のフォーマットに変換して前記制御部へ出力することを特徴とする電子顕微鏡制御装置。
An electron microscope control apparatus for controlling an electron beam irradiation current in an electron microscope provided with an X-ray analyzer,
A storage unit for storing a range of a dead time target value in the X-ray analyzer;
Based on the measurement result output from the X-ray analyzer, the dead time in the X-ray analyzer is calculated, the calculated dead time is compared with the target value range of the dead time, and the calculated When the dead time is not a value within the range of the target value, a control unit for creating control data for controlling the electron beam irradiation current of the electron microscope,
The control data created in the previous SL controller, into a format for the control of the electron microscope, and a data sharing unit for outputting to the electronic microscope,
The data sharing unit
When the control result of the electron beam irradiation current in the electron microscope is received from the electron microscope, the received control result is compared with the control data output to the electron microscope, and the control result is different from the control data The electron microscope control apparatus , wherein the received control result is converted into a format for the control unit and output to the control unit.
前記記憶部は、前記X線分析装置におけるデットタイムおよびX線検出効率の目標値の範囲を記憶し、
前記制御部は、前記X線分析装置におけるデットタイムおよびX線検出効率を算出し、前記算出されたデットタイムおよび前記デットタイムの目標値の範囲の比較と、前記算出されたX線検出効率および前記X線検出効率の目標値の範囲の比較とを行い、前記算出されたデットタイムおよび前記算出されたX線検出効率の少なくとも一方が前記各目標値の範囲内でなかったとき、前記電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する制御データを作成することを特徴とする請求項1に記載の電子顕微鏡制御装置。
The storage unit stores a dead time and a target value range of X-ray detection efficiency in the X-ray analyzer,
The control unit calculates a dead time and an X-ray detection efficiency in the X-ray analyzer, compares the calculated dead time and a range of the target value of the dead time, and calculates the calculated X-ray detection efficiency and When the target value range of the X-ray detection efficiency is compared, and at least one of the calculated dead time and the calculated X-ray detection efficiency is not within the range of each target value, the electron microscope 2. The electron microscope control apparatus according to claim 1, wherein control data for controlling the electron beam irradiation current of the electron beam is generated.
前記制御部は、前記電子顕微鏡およびX線分析装置それぞれの操作画面と、前記電子顕微鏡による撮像画像と、前記X線分析装置による分析結果とを同じ画面上に表示する画面を作成し、前記電子顕微鏡制御装置の表示装置へ出力することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子顕微鏡制御装置。   The control unit creates a screen for displaying the operation screen of each of the electron microscope and the X-ray analyzer, the captured image by the electron microscope, and the analysis result by the X-ray analyzer on the same screen, The electron microscope control apparatus according to claim 1, wherein the electron microscope control apparatus outputs to a display device of the microscope control apparatus. X線分析装置を備える電子顕微鏡と、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電子顕微鏡制御装置とを含む電子顕微鏡システム。   An electron microscope system including an electron microscope including an X-ray analyzer and the electron microscope control device according to any one of claims 1 to 3. X線分析装置を備える電子顕微鏡の制御方法であって、
前記X線分析装置におけるデットタイムの目標値の範囲を記憶する記憶部と、
前記X線分析装置から出力された計測結果に基づき、前記X線分析装置におけるデットタイムを算出し、前記算出されたデットタイムと、前記デットタイムの目標値の範囲とを比較し、前記算出されたデットタイムが、前記目標値の範囲内の値でなかったとき、前記電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する制御データを作成する制御部と、
記制御部で作成された制御データを、前記電子顕微鏡の制御用のフォーマットに変換し、前記電子顕微鏡へ出力するデータ共有部と
を備える電子顕微鏡制御装置が、
前記制御部により、
前記X線分析装置から出力された計測結果に基づき、前記X線分析装置におけるデットタイムを算出し、
前記算出されたデットタイムと、前記デットタイムの目標値の範囲とを比較し、前記算出されたデットタイムが、前記目標値の範囲内の値でなかったとき、前記電子顕微鏡の電子線照射電流を制御する制御データを、前記データ共有部経由で前記電子顕微鏡へ出力し、
前記電子顕微鏡から、前記データ共有部経由で前記電子顕微鏡における電子線照射電流の制御結果を受信し、
前記データ共有部により、
前記制御部経由で受信した制御結果と、前記電子顕微鏡へ出力した制御データとを比較し、前記制御結果が前記制御データと異なる場合、前記受信した制御結果を、前記制御部用のフォーマットに変換して前記制御部へ出力する
ことを特徴とする電子顕微鏡の制御方法。
A method for controlling an electron microscope comprising an X-ray analyzer,
A storage unit for storing a range of a dead time target value in the X-ray analyzer;
Based on the measurement result output from the X-ray analyzer, the dead time in the X-ray analyzer is calculated, the calculated dead time is compared with the target value range of the dead time, and the calculated When the dead time is not a value within the range of the target value, a control unit for creating control data for controlling the electron beam irradiation current of the electron microscope,
The control data created in the previous SL controller, into a format for the control of the electron microscope, and data sharing unit for outputting to the electronic microscope,
An electron microscope control device comprising:
By the control unit,
Based on the measurement result output from the X-ray analyzer, the dead time in the X-ray analyzer is calculated,
The calculated dead time is compared with the target value range of the dead time, and when the calculated dead time is not a value within the target value range, the electron beam irradiation current of the electron microscope Control data for controlling the output to the electron microscope via the data sharing unit,
From the electron microscope, the control result of the electron beam irradiation current in the electron microscope is received via the data sharing unit ,
By the data sharing unit,
The control result received via the control unit is compared with the control data output to the electron microscope. If the control result is different from the control data, the received control result is converted into the format for the control unit. And outputting to the control unit .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238400A (en) * 2010-05-07 2011-11-24 Hitachi High-Technologies Corp Scanning electron microscope and sample inspection method using scanning electron microscope
WO2020179102A1 (en) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社島津製作所 Analysis device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62110241A (en) * 1985-11-07 1987-05-21 Univ Osaka Probe current controlling method for electron microscope and device thereof
JPH05258693A (en) * 1992-03-13 1993-10-08 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
JP2000035411A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Jeol Ltd Count rate display system of x-rays analytic apparatus
JP2000292383A (en) * 1999-04-02 2000-10-20 Horiba Ltd X-ray analytical device and recording medium having recorded control program of x-ray analytical device
JP2001021511A (en) * 1999-07-07 2001-01-26 Jeol Ltd Surface analytical device equipped with energy dispersive x-ray detector
JP2001084946A (en) * 1999-09-17 2001-03-30 Hitachi Ltd Method for evaluating secondary particle detector system and particle beam device
JP2001305080A (en) * 2000-04-26 2001-10-31 Jeol Ltd Sample analysis device, and calibration method for radiation limiting diaphragm
JP2003098129A (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Horiba Ltd Energy dispersion type microanalyzer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62110241A (en) * 1985-11-07 1987-05-21 Univ Osaka Probe current controlling method for electron microscope and device thereof
JPH05258693A (en) * 1992-03-13 1993-10-08 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
JP2000035411A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Jeol Ltd Count rate display system of x-rays analytic apparatus
JP2000292383A (en) * 1999-04-02 2000-10-20 Horiba Ltd X-ray analytical device and recording medium having recorded control program of x-ray analytical device
JP2001021511A (en) * 1999-07-07 2001-01-26 Jeol Ltd Surface analytical device equipped with energy dispersive x-ray detector
JP2001084946A (en) * 1999-09-17 2001-03-30 Hitachi Ltd Method for evaluating secondary particle detector system and particle beam device
JP2001305080A (en) * 2000-04-26 2001-10-31 Jeol Ltd Sample analysis device, and calibration method for radiation limiting diaphragm
JP2003098129A (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Horiba Ltd Energy dispersion type microanalyzer

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