JP2000031538A - 発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】発光素子の効率的な製造方法を提供すること。 【解決手段】有機金属化合物気相成長法により窒化ガリ
ウムから成る層を有する発光素子を製造する製造方法に
おいて、シリコンを添加して高キャリア濃度ｎ⁺層の結
晶成長を行う工程と、その高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上に
順次、最上層まで各層の結晶成長を行う工程と、最上層
上にマスクを形成する工程と、マスクの形成された最上
層から、炭素原子を実質的に含まず塩素原子を含む物質
のプラズマガスによりエッチングして、高キャリア濃度
ｎ⁺ 層の一部を露出する工程と、高キャリア濃度ｎ⁺ 層
の露出された一部の表面に電極を形成する工程とから成
る発光素子の製造方法

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、Al_xGa_1-XN (0≦X ≦1)半導体は青
色の発光ダイオードや短波長領域の発光素子の材料とし
て注目されており、係る素子を作成する場合には、他の
化合物半導体と同様にメサ、リセス等のエッチング技術
を確立することが必要となっている。

【０００３】Al_xGa_1-XN 半導体は化学的に非常に安定な
物質であり、他のIII −Ｖ族化合物半導体のエッチング
液として通常使用される塩酸、硫酸、フッ化水素酸(HF)
等の酸又はこれらの混合液には溶解しないので、これら
の液を用いたウエットエッチングは使用出来ない。

【０００４】そこで、本発明者等は、四塩化炭素(CCl₄)
又は２フッ化２塩化炭素(CCl₂F₂)ガスのプラズマによ
り、Al_xGa_1-XN (0 ≦X ≦1)半導体をドライエッチング
する方法を開発した（特開平1-278025号公報、特開平1-
278026号公報) 。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２フッ
化２塩化炭素(CCl₂F₂)は、フロンガス規制の対象とな
り、使用が困難となるという問題がある。又、四塩化炭
素(CCl₄)ガスによるプラズマエッチングは、２フッ化２
塩化炭素(CCl₂F₂)によるエッチングに比べると、エッチ
ング速度が遅いという問題があり、加えて、常温で液体
のため取扱が難しい。更に、炭素を含むガスによるプラ
ズマエッチングでは、半導体表面に炭素の関与するポリ
マーが形成され、エッチング状態が悪化するという問題
も多く報告されている。

【０００６】現在のところ、エッチングの機構は解明さ
れておらず、他の半導体に用いられているエッチングガ
スが、Al_xGa_1-XN (0 ≦X ≦1)半導体に対して、効果的
であるか否かは、結局、実験によらなければ解明できな
い。又、Al_xGa_1-XN (0 ≦X ≦1)半導体のドライエッチ
ングに効果的なガスの報告も、上記の本発明者らの開示
以外には見当たらない。

【０００７】そこで、本発明者等はAl_xGa_1-XN半導体の
プラズマエッチングにおいて、他のプラズマガスを用い
てエッチングの実験を重ねた結果、三塩化ホウ素(BCl₃)
がエッチングガスとして最適であることを発見し、本
発明を完成した。本発明の目的は、Al_xGa_1-XN半導体の
プラズマエッチングの技術を確立することにより、その
半導体から成る層を有する発光素子の製造を容易にする
ことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、有機金属化合物気相成長法により窒化
ガリウムから成る層を有する発光素子を製造する製造方
法において、シリコンを添加して高キャリア濃度ｎ⁺ 層
の結晶成長を行う工程と、その高キャリア濃度ｎ⁺ 層の
上に順次、最上層まで各層の結晶成長を行う工程と、最
上層上にマスクを形成する工程と、マスクの形成された
最上層から、炭素原子を実質的に含まず塩素原子を含む
物質のプラズマガスによりエッチングして、高キャリア
濃度ｎ⁺層の一部を露出する工程と、高キャリア濃度ｎ
⁺ 層の露出された一部の表面に電極を形成する工程とか
ら成ることを特徴とする発光素子の製造方法である。

【０００９】又、他の発明は、高キャリア濃度ｎ⁺ 層は
窒化ガリウムから成ることを特徴とし、さらに、他の発
明は、高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上には、低キャリア濃度
ｎ層が形成されていることを特徴とする。

【００１０】さらに、他の発明は、炭素原子を実質的に
含まず塩素原子を含む物質のプラズマガスは、三塩化ホ
ウ素（BCl₃）のプラズマとしたことである。

【００１１】上記のエッチング工程は、通常、高周波電
力を印加する電極を平行に配置し、その電極に被エッチ
ング物体を配置した平行電極型装置や、高周波電力を印
加する電極を円筒状に配置し、その円筒の断面に平行に
被エッチング物体を配置した円筒電極型装置、その他の
構成の装置を用いて行われる。又、炭素原子を実質的に
含まず塩素原子を含む物質のプラズマガスは、例えば、
三塩化ホウ素(BCl₃)ガスのプラズマである。プラズマ状
態にするには、上記平行電極型装置や円筒電極型装置で
は、電極間に高周波電力を印加することにより行われ
る。

【００１２】

【発明の効果】後述の実施例で明らかにされるように、
Al_xGa_1-XN半導体を炭素原子を実質的に含まず塩素原子
を含む物質のプラズマガスにより、効率良くエッチング
することができた。又、上記プラズマエッチングを行っ
ても、上記半導体に結晶欠陥を生じないことも判明され
た。従って、本発明を用いることによりAl_xGa_1-xN(0≦X
≦1)半導体、特に、窒化ガリウムを含む発光素子の製造
において、それらの生産性を大きく改善することができ
る。これらの効果的なエッチング技術が確立された結
果、シリコンを添加して高キャリア濃度ｎ⁺ 層の結晶成
長を行い、その高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上に順次、最上
層まで各層の結晶成長を行い、最上層上にマスクを形成
し、マスクの形成された最上層から、炭素原子を実質的
に含まず塩素原子を含む物質のプラズマガスによりエッ
チングして、高キャリア濃度ｎ⁺ 層の一部を露出して、
高キャリア濃度ｎ⁺ 層の露出された一部の表面に電極を
形成することが可能となり、基板上面側に電極を有する
発光素子の生産性を大きく改善することができる。

【００１３】又、高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上に、さら
に、低キャリア濃度ｎ層を形成した場合には、発光素子
の青色の発光強度を増加させることができた。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。本実施例方法で使用された半導体は、有機金属
化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) による気相
成長により第２図に示す構造に作成された。用いられた
ガスは、NH₃ とキャリアガスH₂とトリメチルガリウム(G
a(CH₃)₃)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニ
ウム(Al(CH₃)₃)（以下「TMA 」と記す) である。

【００１５】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ｃ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、反
応室内の圧力を 5Torrに減圧し、H₂を流速 0.3liter ／
分で反応室に流しながら温度1100℃でサファイア基板１
を気相エッチングした。

【００１６】次に、温度を 800℃まで低下させて、H₂を
流速3 liter ／分、NH₃ を流速 2liter ／分、TMA を 7
×10^-6モル／分で供給して熱処理した。この熱処理によ
りAlN のバッファ層２が約 500Åの厚さに形成された。
次に、TMA の供給を停止して、サファイア基板１の温度
を 600℃に保持し、H₂を 2.5liter ／分、NH₃ を 1.5li
ter ／分、TMG を 1.7×10^-5モル／分で供給し、膜厚約
3μｍのGaN 層３を形成した。

【００１７】次に、第３図に示すように、GaN 層３の上
に、高周波スパッタリングによりSiO₂層４を5000Åの厚
さに形成した。次に、そのSiO₂層４上にフォトレジスト
５を塗布して、フォトリソグラフにより、窓Ａの部分の
フォトレジストを除去した。

【００１８】次に、第４図に示すように、フォトレジス
ト５によって覆われていないSiO₂層４をフッ酸系エッチ
ング液で除去した。そして、GaN 層３のエッチング部分
に窓Ａの形成されたSiO₂層４とフォトレジスト５の２重
層マスクを形成した。次に、第４図に示す構成の試料３
０を、第１図に示す平行平板電極型のプラズマエッチン
グ装置に設置して、GaN 層３の露出部をエッチングし
た。

【００１９】次に、第１図に示すエッチング装置の構成
を説明する。第１図に示す平行電極型電極装置におい
て、反応室２０を形成するステンレス製の真空容器１０
の側壁には、エッチング用のガスを導入する導入管１２
が連設されており、その導入管１２はガス流速を可変で
きるマスフローコントローラ１４を介して三塩化ホウ素
(BCl₃)を貯蔵したボンベ１６に接続されている。そし
て、三塩化ホウ素(BCl₃)ガスがそのボンベ１６からマス
フローコントローラ１４を介して反応室２０に導入され
る。

【００２０】又、反応室２０はロータリポンプ１５、１
７、拡散ポンプ１９、メカニカルブースターポンプ１３
により排気されており、反応室２０の真空度は、バルブ
１８により調整される。一方、反応室２０内には上下方
向に対向して、真空容器１０から絶縁された電極２２と
電極２４とが配設されている。そして、電極２２は接地
され、電極２４には高周波電力が供給される。その高周
波電力は周波数13.56MHzの高周波電源２８から整合器２
６を介して供給される。

【００２１】又、電極２４の上には石英板２５が載置さ
れており、その石英板２５上に、第４図に示す試料３０
が載置される。係る構成の装置において、プラズマエッ
チングを行う場合には、まず、石英板２５の上に試料３
０を載置した後、拡散ポンプ１９により反応室２０内の
残留ガスを十分に排気して、反応室２０の真空度を 5×
10^-6Torr程度にする。その後、三塩化ホウ素(BCl₃)ガス
が、ボンベ１６からマスフローコントローラ１４により
流速１０cc／分に制御されて、電極２４の側から反応室
２０に導入された。そして、バルブ１８により反応室２
０の真空度は正確に0.04Torrに調整された。

【００２２】この状態で、電極２４と電極２２間に 0.4
4W/ cm² の密度の高周波電力を供給すると、電極間でグ
ロー放電が開始され、導入された三塩化ホウ素(BCl₃)ガ
スは、プラズマ状態となり、試料３０のエッチングが開
始された。所定時間エッチングを行った後、試料３０を
反応室２０から取り出し、SiO₂層４をフッ化水素酸で除
去して、第５図に示す試料３０を得た。そして、エッチ
ッグ深さΔを段差計で測定した。

【００２３】上記のようなエッチングをエッチング時間
を色々変化させて行い、エッチング深さΔとエッチング
時間との関係を測定した。その結果を第６図に示す。そ
の測定結果より、エッチング速度は 490Å／分であっ
た。又、エッチング面の走査形電子顕微鏡（ＳＥＭ）に
よる像を測定した。倍率は5000倍である。エッチング部
は、第７図(a) に示す像の輪郭を示した第７図(b)にお
いてＷで示された領域である。表面には堆積物等の異物
は見られず、表面の形態は平坦であるのが分かる。

【００２４】又、比較のために、二フッ化二塩化炭素(C
Cl₂Ｆ₂)によるプラズマエッチングによるGaN 層３のエ
ッチング面のSEM 像を第８図(a) 、第９図(b) に示す。
それぞれ、エッチング面は、輪郭を示した第８図(b) 、
第９図(b) において、領域X、領域Y の部分である。第
８図(a) の像より凹部が現れているのが分かる。又、第
９図(a) の像より、炭素が関与するポリマーが形成され
ており、エッチング面が乱れているのが分かる。

【００２５】また、三塩化ホウ素によるエッチングの前
後において試料を4.2Kに冷却し、3250Åのヘリウムカド
ミウムレーザを照射して、GaN 層３のエッチグ面のフォ
トルミネッセンス強度を測定した。その結果を第１０
図、第１１図に示す。第１０図はエッチング前の特性で
あり、第１１図はエッチング後の特性である。その特性
図において、波形ピーク波長、半値幅、及びフォトルミ
ネッセンス強度に変化が見られなかった。このことか
ら、上記のエッチングによりGaN 層３の結晶性に変化が
ないことが分った。

【００２６】又、このエッチングを十分行うと下層のAl
N 層がエッチングされることがわかり、 X＝0 以外のAl
_xGa_1-XNのエッチングにも適用できることが判明した。
次に、本ドライエッチング方法を用いて発光ダイオード
を製造した。その方法を次に述べる。

【００２７】本発明のドライエッチング方法は、例え
ば、第１２図に示す構造の発光ダイオード４０を製造す
る場合における、電極形成時に使用される。第１２図に
おいて、発光ダイオード４０は、サファイア基板４１を
有しており、そのサファイア基板４１に500 ÅのAlN の
バッファ層４２が形成されている。そのバッファ層４２
の上には、順に、膜厚約4.5 μｍのGaN から成る高キャ
リア濃度ｎ⁺ 層４３と膜厚約1.5 μｍのGaN から成る低
キャリア濃度ｎ層４４が形成されており、更に、低キャ
リア濃度ｎ層４４の上に膜厚約0.25μｍのZnドープGaN
から成るｉ層４５が形成されている。そして、ｉ層４５
に接続するアルミニウムで形成された電極４７と高キャ
リア濃度ｎ⁺ 層４３に接続するアルミニウムで形成され
た電極４８とが形成されている。

【００２８】次に、この構造の発光ダイオード４０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード４０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
₃ とキャリアガスH₂とトリメチルガリウム(Ga(CH₃)₃)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH₃)₃)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH₄)とジエ
チル亜鉛（以下「DEZ 」と記す) である。まず、有機洗
浄により洗浄したｃ面を主面とする単結晶のサファイア
基板４１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタに
装着する。

【００２９】次に、常圧でH₂を流速 2liter ／分で反応
室に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エ
ッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させて、H₂
を流速20liter ／分、NH₃ を流速10liter ／分、TMA を
1.8×10^-5モル／分で供給してAlN のバッファ層４２が
約 500Åの厚さに形成された。

【００３０】次に、サファイア基板４１の温度を1150℃
に保持し、H₂を20liter ／分、NH₃を10liter ／分、TMG
を 1.7×10^-4モル／分、H₂で0.86ppm まで希釈したシ
ラン(SiH₄)を 200ml／分の割合で供給し、膜厚約2.2 μ
ｍ、キャリア濃度 1.5×10¹⁸/ cm³ のGaN から成るSiド
ープされた高キャリア濃度ｎ⁺ 層４３を形成した。

【００３１】続いて、サファイア基板４１の温度を1150
℃に保持し、H₂を20liter ／分、NH ₃ を10liter ／分、
TMG を1.7 ×10^-4モル／分の割合で供給し、膜厚約1.5
μｍ、キャリア濃度 1×10¹⁵/ cm³ のGaN から成る低キ
ャリア濃度ｎ層４４を形成した。次に、サファイア基板
４１を1000℃にして、Ｈ₂ を20liter ／分、NH₃ を10li
ter ／分、TMG を 1.7×10^-4モル／分、DEZ を 1.5×10
^-4モル／分の割合で供給して、膜厚 0.2μｍのZnドープ
されたGaN から成るｉ層４５を形成した。

【００３２】このようにして、第１３図に示すような多
層構造が得られた。次に、第１４図に示すように、ｉ層
４５の上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラ
フによりエッチングされる部分（窓）にフォトレジスト
が残るようにパターンニングされたフォトレジスト層５
３を形成する。

【００３３】次に、第１５図に示すように、フォトレジ
スト層５３及びｉ層４５の表面一様に、圧力5 ×10^-3To
rr、高周波電力300W、成膜速度27Å/ 分の条件下でスパ
ッタリングによりSiO₂層５１を100 Åの厚さに形成し
た。引続き、そのSiO₂層５１上に圧力5 ×10^-3Torr、高
周波電力300W、成膜速度26Å/ 分の条件下でスパッタリ
ングによりAl₂O₃ 層５２を2500Åの厚さに形成した。

【００３４】次に、第１５図に示す試料をフォトレジス
ト剥離液( 例えばアセトン) 中に浸して、フォトレジス
ト層５３と共にフォトレジスト層５３の直上のSiO₂層５
１とAl₂O₃ 層５２の部分を除去して、第１６図に示すよ
うに窓Ａの空けられたSiO₂層５１とAl₂O₃ 層５２とを形
成した。

【００３５】次に、第１７図に示すように、SiO₂層５１
とAl₂O₃ 層５２によって覆われていない部位（窓Ａ）の
ｉ層４５とその下の低キャリア濃度ｎ層４４と高キャリ
ア濃度ｎ⁺ 層４３の上面一部を、真空度0.04Torr、高周
波電力0.44W/cm² 、流速10cc/ 分のBCl₃ガスで40分間エ
ッチングした後、引続き5 分間Arでドライエッチングし
た。この時、マスクであるAl₂O₃ 層５２もエッチングさ
れる。尚、Al₂O₃ 層５２とSiO₂層５１の総合の厚さは、
上記GaN 半導体のエッチングにおいてエッチングに耐え
うる厚さである。又、半導体のエッチングの終了時に
は、SiO₂層５１が露出することなく、Al₂O₃ 層５２が薄
く残っていても良い。

【００３６】次に、第１８図に示すように、ｉ層４５上
に残っているSiO₂層５１をフッ化水素酸(HF)で除去し
た。この時、例え、SiO₂層５１上にAl₂O₃ 層５２が残っ
ていても、SiO₂層５１がｉ層４５から剥離するに伴って
Al₂O₃ 層５２は除去される。この時、下層のGaN 層はフ
ッ化水素酸により腐食されることがない。次に、第１９
図に示すように、試料の上全面に、Al層５４を蒸着によ
り形成した。そして、そのAl層５４の上にフォトレジス
ト５５を塗布して、フォトリソグラフにより、そのフォ
トレジスト５５が高キャリア濃度ｎ⁺ 層４３及びｉ層４
５に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形
成した。

【００３７】次に、第１９図に示すようにそのフォトレ
ジスト５５をマスクとして下層のAl層５４の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト５５
をアセトンで除去し、高キャリア濃度ｎ⁺ 層４３の電極
４８、ｉ層４５の電極４７を形成した。

【００３８】このようにして、第１２図に示すMIS 構造
の窒化ガリウム系発光素子を製造することができる。本
実施例に係るドライエッチング方法は、フォトレジスト
層の上に二酸化ケイ素(SiO₂)層と酸化アルミニウム(Al₂
O₃) 層とを形成して、最下層のフォトレジスト層を有機
溶剤等のフォトレジスト剥離液によって剥離除去するこ
とで、所定形状のマスクパターンを形成している。この
ように、フォトレジスを除去することでマスクの窓を形
成しているので、アンダーカット等の窓形状の乱れが防
止される。

【００３９】又、酸化アルミニウム(Al₂O₃) が、マスク
としての実質的な機能を果たす。酸化アルミニウム(Al₂
O₃) は、二酸化ケイ素(SiO₂)に比べて、成膜速度はほぼ
同じであるが、ドライエッチングによるエッチング速度
は、1/3 以下である。従って、エッチングに耐え得る厚
さのマスク層は、マスク層を二酸化ケイ素(SiO₂)の単層
で形成した場合に比べて、1/3 の厚さで良く、マスクの
形成時間が短縮される。

【００４０】又、半導体のドライエッチング後にマスク
層を除去する必要があるが、酸化アルミニウム(Al₂O₃)
だけを容易に除去する剥離液がないので、酸化アルミニ
ウム(Al₂O₃) の単層でマスクを形成することは困難であ
る。しかし、上記実施例では、最下層に二酸化ケイ素(S
iO₂)を用いているので、マスクをフッ化水素酸(HF)で容
易に除去することができる。このように、二酸化ケイ素
(SiO₂)は、マスクの除去を容易にするために使用されて
いるので、上層の酸化アルミニウム(Al₂O₃) に比べて充
分に薄くて良い。

【００４１】又、上記実施例の発光ダイオードは、ｎ層
をｉ層と接合する側から順に、低キャリア濃度ｎ層と高
キャリア濃度ｎ⁺ 層との二重層構造としているが、単層
のｎ層でも良い。更に、ｉ層をｎ層に接合する側から順
に低不純物濃度ｉ層と高不純物濃度ｉ層の二重層構造と
しても良い。

【００４２】上記のように、ｎ層を二重層構造とするこ
とで、発光ダイオードの青色の発光強度を増加させるこ
とができた。又、ｉ層を二重層構造とすることで、同様
に、発光ダイオードの青色の発光強度を増加させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の具体的な一実施例に係るエッチング方
法を実現するための装置を示した構成図。

【図２】エッチング試料の構成を示した断面図。

【図３】エッチング試料とマスクとの関係を示した断面
図。

【図４】エッチング試料とマスクとの関係を示した断面
図。

【図５】エッチング後の試料の断面図。

【図６】エッチング速度を示す測定図。

【図７】（ａ）は、GaN のエッチング面の表面の結晶構
造を示した顕微鏡写真、（ｂ）はその写真における像の
輪郭を示した平面図。

【図８】（ａ）は、二フッ化二塩化炭素(CCl₂Ｆ₂)を用
いたプラズマエッチングによるGaN のエッチング面の結
晶構造を示した顕微鏡写真、（ｂ）は、その写真におけ
る像の輪郭を示した平面図。

【図９】（ａ）は、 二フッ化二塩化炭素(CCl₂Ｆ₂)を
用いたプラズマエッチングによるGaN のエッチング面の
結晶構造を示した顕微鏡写真、（ｂ）は、その写真にお
ける像の輪郭を示した平面図。

【図１０】エッチング前におけるGaN のフォトルミネッ
センス強度の周波数特性。

【図１１】エッチング後におけるGaN のフォトルミネッ
センス強度の周波数特性。

【図１２】本発明方法を用いて製造される発光ダイオー
ドの具体的な構成を示した構成図。

【図１３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１６】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１７】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１８】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【図１９】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。

【符号の簡単な説明】

１─サファイア基板 ２─バッファ層 ３─GaN 層 ４─マスク １０─真空容器 １２─導入管 １４─マスフローコントローラ １６─ボンベ １９─拡散ポンプ １８─コンダクタンスバルブ ２２，２４─電極 ２８─高周波電源 ４０─発光ダイオード ４１─サファイア基板 ４２─バッファ層 ４３─高キャリア濃度ｎ⁺ 層 ４４─低キャリア濃度ｎ層 ４５─ｉ層 ４７，４８─電極 ５１─SiO₂層 ５２─Al₂O₃ 層 ５３─フォトレジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小滝 正宏 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 真部 勝英 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 森 正樹 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 橋本 雅文 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有機金属化合物気相成長法により窒化ガリ
   ウムから成る層を有する発光素子を製造する製造方法に
   おいて、 シリコンを添加して高キャリア濃度ｎ⁺ 層の結晶成長を
   行う工程と、 その高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上に順次、最上層まで各層
   の結晶成長を行う工程と、 前記最上層上にマスクを形成する工程と、 マスクの形成された最上層から、炭素原子を実質的に含
   まず塩素原子を含む物質のプラズマガスによりエッチン
   グして、前記高キャリア濃度ｎ⁺ 層の一部を露出する工
   程と、 前記高キャリア濃度ｎ⁺ 層の露出された前記一部の表面
   に電極を形成する工程とから成ることを特徴とする発光
   素子の製造方法。
2. 【請求項２】高キャリア濃度ｎ⁺ 層は窒化ガリウムから
   成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造
   方法。
3. 【請求項３】高キャリア濃度ｎ⁺ 層の上には、低キャリ
   ア濃度ｎ層が形成されていることを特徴とする請求項１
   又は請求項２に記載の発光素子の製造方法。
4. 【請求項４】前記炭素原子を実質的に含まず塩素原子を
   含む物質のプラズマガスは、三塩化ホウ素（BCl₃）のプ
   ラズマであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
   いずれか１項に記載の発光素子の製造方法。